1.

Defina los parmetros del transistor, explique los modelos para pequea seal
del transistor base comn.
Consideraciones generales sobre el modelo en pequea seal de los transistores
A diferencia de los diodos, los transistores, sean bipolares o de efecto campo, son
dispositivos en los que intervienen varias corrientes y tensiones. En el caso de los
transistores bipolares, debemos hablar de las corrientes y tensiones de colector, base y
emisor. En total, el estado de un transistor se debe describir con seis parmetros
elctricos. (IC, IB, IE, VC, VB y VE). Sin embargo, la realidad es algo ms sencilla. En primer
lugar, existe una relacin de ligadura en las corrientes debido a que un transistor se
comporta en los circuitos como un nudo y, por tanto, la suma de las corrientes entrantes
es igual a la suma de las salientes. As, si aceptamos el criterio de las corrientes mostrado
en Fig. 4, se debe cumplir que: IE =IB + IC, independientemente del tipo de transistor.

Por otra parte, en un transistor no nos interesan las tensiones absolutas en sus nudos
sino la diferencia que existe entre ellos.
Por ello, podemos elegir un nico nudo como nudo de referencia y expresar las
tensiones de los otros dos utilizando a este de referencia. La eleccin realizada afecta a
las ecuaciones que gobiernan el transistor y, por tanto, al modelo en pequea seal. Por
ello, existen tres grandes familias de modelos en pequea seal: Colector comn, base
comn y emisor comn, dependiendo de la eleccin del colector, base o emisor como
nudo de referencia. En cualquier caso, el nmero de tensiones implicadas se reduce a 2
al utilizarse un nudo como referencia. En resumen, todo transistor posee cuatro
parmetros elctricos esenciales (dos corrientes y dos tensiones) que modelan el
comportamiento en DC y, como es presumible, en pequea seal. Las corrientes pueden
expresarse en funcin de las tensiones entre los nodos de un transistor de este modo:
Desde el punto de vista Puramente matemtico, podramos operar con la expresin
anterior para reexpresar las dos ecuaciones cambiando los parmetros independientes
y dependientes. Por ejemplo, podramos buscar dos nuevas funciones fX y gX. Tales que:

A dnde Llegamos entonces? Simplemente a que hay cuatro parmetros elctricos que
definen el estado de un transistor y en los que dos pueden funcionar como variables
independientes y otros dos como dependientes. En Otras palabras, se pueden escoger
dos parmetros Y1 e Y2 del conjunto {I1, I2, V1, V2 } Y expresarlo en funcin de los dos
parmetros restantes, simbolizados como X1 y X2. Es decir:

La primera conclusin de esta idea es que, al haber dos tensiones y dos corrientes, todo
transistor debera poder modelarse como una bipuerta similar a Fig. 5, habiendo dos
parmetros independientes y dos dependientes.

Hay que indicar, adems, que los parmetros simbolizados con el subndice 1 se conocen
como de entrada y aquellos con el subndice 2 como de salida. Por tanto: