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dielctrica. Los materiales gaseosos pueden repararse por s mismos luego de un evento de
ruptura dielctrica. Esto significa que el material puede recuperar sus propiedades aislantes.
Esta habilidad se ve disminuida por la presencia de contaminantes, que pudieron haberse for-
mado en un evento previo de ruptura o por exposicin a humedad u otras sustancias.
Lquidos (Er < 100 MV/m) Los lquidos proveen refrigeracin adems de aislacin elctrica,
como en el caso del aceite de los transformadores de potencia. Como los gases, los lquidos se
pueden recuperar pero la influencia de los contaminantes es en ellos generalmente mayor que
en los gases. Se ha usado agua deionizada y una gran variedad de aceites orgnicos y minera-
les como dielctricos lquidos en sistemas de alta tensin. Tambin se usan las propiedades
dielctricas de alimentos lquidos en la pasteurizacin por campos pulsados y en los hornos de
microondas. El agua deionizada se usa por su gran permitividad (alrededor de 80) mientras
que los aceites tienen permitividades menores (alrededor de 3). El aceite de castor es un aceite
dielctrico muy popular. En el pasado se usaron aceite con compuestos de la familia de los bi-
fenilos policlorados (polychlorinated biphenyls - PCB's), por su propiedad de lquido resisten-
te al fuego, pero se ha encontrado que son muy txicos y no biodegradables, por lo que exis-
ten regulaciones muy estrictas que prohiben el uso de PCB en instalaciones elctricas.
Slidos (Er < 200 MV/m) Las rupturas superficiales pueden ser autorrecuperables, pero en
muchas ocasiones se produce un dao permanente en forma de carbonizacin u oxidacin de
canales en la superficie que constituyen caminos de baja impedancia. La ruptura en el seno de
un material slido es habitualmente destructiva. Un dielctrico slido muy usado es resina
epoxi depositada en estado lquido bajo condiciones de vaco para impedir la formacin de
burbujas (donde el campo elctrico es mayor que en el dielctrico, facilitando la ruptura), que
se deja endurecer antes de someterse a tensin.
La ruptura dielctrica es generalmente una situacin no deseada que puede generar daos y pro-
blemas de inmensa magnitud econmica. Por ello es de mxima importancia el correcto diseo
de los aisladores, separadores y sistemas de descarga a tierra en las instalaciones elctricas, dado
que, adems del peligro de destruccin de la instalacin y/o dispositivos y aparatos conectados a
ella existe el peligro de incendio y la formacin de reacciones qumicas txicas o contaminantes.
La siguiente tabla presenta los campos de ruptura de algunas sustancias:
Sustancia Er (MV/m) Sustancia Er (MV/m)
Aire (a presin atmosfrica) 3 vidrio (placa) 30
aceite mineral 15 Parafina 30
papel impregnado 15 cuarzo fundido 30
Poliestireno 20 mica 200
Bakelita 25
El archivo INSULATE.PDF presenta una lista de dielctricos usados en la ingeniera elctrica.
Efecto Corona
Muchos efectos de inters tecnolgico estn ligados a la ruptura dielctrica del aire u otros gases
debido a campos entre cuerpos conductores. Hay cuatro tipos de descarga gaseosa: descarga lu-
miniscente, corona, chispas y arcos. Estas descargas se dan tanto en CC como en CA.
Un arco se produce a bajas tensiones y altas corrientes (la soldadura de arco emplea fuentes de
alrededor de 10 V y 10 kA) generando un alto calentamiento. La chispa ocurre en el caso inver-
so, es decir, altas tensiones y bajas corrientes, como en algunos casos de ESD. Un caso que no
cae fcilmente dentro de esta clasificacin es el rayo, donde la tensin y la corriente son ambas
grandes. La descarga luminiscente se produce en situaciones de alta presin (o muy alto campo)
cuando los electrones reciben suficiente energa para emitir radiacin luminosa en sus choques
con tomos o molculas del gas en el que se hallan.
La corona es una descarga incipiente, que se produce cuando hay una ruptura dielctrica locali-
zada debido a un campo que supera slo localmente al campo de ruptura del gas. El resto de la
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Electromagnetismo 2004 2-47
regin presenta campos que no superan el valor crtico y no se produce entonces un arco o chis-
pa. En la literatura se habla de descargas parciales. La descarga y la luminiscencia son varian-
tes inestables, y tienen forma de corona (de donde quizs surgi el nombre del efecto) cuando el
fenmeno se produce en una punta. El valor del campo al cual comienza a observarse el fenme-
no (luminiscencia, interferencia de RF, ruido audible) se denomina campo de incepcin. La
presencia sobre la superficie de los conductores de pequeas protuberancias, como gotas de
agua, copos de nieve, insectos o los bordes levantados de los hilos o hebras en un cable multifilar
producen fuertes campos locales que pueden superar el campo de incepcin an cuando en la
mayor parte de la superficie del conductor el campo sea menor.
En el aire este campo depende de la rugosidad de la superficie conductora y de las condiciones
de presin y temperatura del aire:
Para alambres o cables debe multiplicarse por un factor de rugosidad:
= 1 para alambres pulidos;
= 0.98 a 0.93 para alambres rugosos, sucios o gastados;
= 0.87 a 0.83 para cables.
El valor del campo debe multiplicarse por el factor de densidad del aire:
3.92 p / T donde p es la presin en cm Hg y T la temperatura en K.
El efecto corona en sistemas de potencia produce prdidas de energa debido a la energa que el
campo cede a los iones y electrones en mo-
vimiento, genera ruido audible e interfe-
rencia, especialmente en seales de radios
de AM y TV de aire. En la figura se mues-
tran algunos puntos de corona luminiscente
sobre los cables de un haz de alta tensin.
Las prdidas aumentan con la frecuencia
del campo, de manera que son mayores para
armnicas o transitorios en la lnea.
Cuando el campo aumenta lo suficiente
para producir el salto de la chispa o el arco,
habitualmente la corona precede a la chispa. Esto tambin ocurre en la cada de rayos. El efecto
corona tambin crea iones en las cercanas de las instalaciones y estos iones tienen efectos tr-
micos, corrosivos y oxidativos sobre los materiales de las instalaciones, efectos que pueden
llegar a deteriorar la capacidad de aislacin de los materiales produciendo defectos ms impor-
tantes.
Por otra parte, el efecto corona tiene aplicaciones industriales:
Dispositivos generadores de ozono utilizados por sus efectos bactericida, fungicida y oxida-
tivo en limpieza de aire, agua, instrumentos quirrgicos, preservacin de alimentos, etc.
Precipitadores electrostticos (ESP) para remover partculas de polvo o materiales no desea-
dos del ambiente en sistemas de control de polucin, etc.
Tratamiento de recubrimientos plsticos o de papel para modificar las propiedades de rugosi-
dad y triboelctricas, tratamientos para impresin, mejora de adherencia de polmeros, etc.
Se han publicado trabajos donde imgenes de la luminiscencia se usan para medir voltajes en
dispositivos de alta tensin1.
1
"Developments in High Voltage Measurement Techniques and a Novel Corona Assessment Method", D.L.Hickery
& P.J.Moore, 35th Universities Power Engineering Conference, 2000.
"HVAC Measurements by Corona Analysis", D.L.Hickery & P.J.Moore, 36th Universities Power Engineering Con-
ference, 2001.
"High-speed Imaging of AC Corona for Voltage Measurement", D.L.Hickery & P.J.Moore, International Sympo-
sium of High Voltage Engineering, 2001.
z
El potencial creado en un punto r lejano
R+ (r >> d) por el dipolo de la figura es:
+q q q
(r ) = con:
r 4 0 R + 4 0 R
d d
R+ r cos R r + cos
d R- 2 2
Desarrollando por Taylor:
d << r 1 1 1 d cos d 2
-q 1 + O
R d r 2r r 2
r m cos
2
de donde:
q d cos d cos qd cos
(r ) 1+ 1+ =
4 0 r 2r 2 r 4 0 r 2
p r pr 3( p r )r p
y finalmente: (r ) = E(r ) = (r )
4 0 r2 4 0 r3 4 0 r 3
donde: p = qd z es el llamado momento dipolar del dipolo, un vector que va desde la carga
negativa a la positiva.
El siguiente ejemplo presenta el llamado desarrollo multipolar del potencial, que muestra que
una distribucin arbitraria de carga se puede pensar como la superposicin de una carga puntual
(la carga neta), un dipolo elemental, un cuadrupolo elemental, etc., situados en el origen de coor-
denadas.
Ejemplo 2-18: Analizar el potencial creado por una distribucin arbitraria de carga a grandes
distancias.
Supongamos una distribucin arbitraria de carga (r ) en un recinto V. El potencial elec-
trosttico que genera es:
1 (r ) 1 1 1
(r ) =
4 0 V
R
dV con R = r r
R
=
r r
=
r 2 2 r r + r 2
Para r >> r es posible desarrollar en serie de Taylor el factor 1/R del integrando:
1 1 1 x 3x 2 5 x 3 r r r 2
= = 1 + + ... con x = 2 + 2
R r 1+ x r 2 8 16 r r
Luego, manteniendo hasta el trmino cuadrtico solamente:
1 r r r 2 3
2
1 1 r r r 2
= = 1 + 2 + 2 + 2 ...
R r 1+ x r r 2r 8 r r
1 r r r 2 3 (r r ) 2 1 r r 1 3(r r ) 2 r 2
1 + 2 + 2
+ ... = 1 + + 2
2 + ...
r r 2r 2 r r r 2 r r
y entonces:
1 (r ) 1 r r 1 3(r r ) 2 r 2
(r ) =
4 0 V R
dV
4 0 r V
( r ) 1 +
r
+
2 r2
r2
+ ... dV
Q p r
= + + + ...
4 0 r 4 0 r 2
4 0 r 3
con:
Q = (r )dV la carga total o carga neta de la distribucin
V
1 3(r r ) 2 r 2
= (r ) dV el momento cuadrupolar de la distribucin
V
2 r2 r2
y hay ms trminos de orden superior. Se ve entonces que el potencial se puede expresar
como la suma de los llamados trminos multipolares, cada uno de los sucesivos con menos
peso en la suma. Sin embargo, si el cuerpo es neutro (Q = 0) comienzan a tener relevancia
los sucesivos trminos de este desarrollo multipolar.
Este es el potencial inducido creado por el cuerpo polarizado. A partir de l podemos calcular el
campo inducido E i (r ) = i (r ) y el campo total:
E( r ) = E i ( r ) + E 0 (r ) .
+ Como se ilustra en la figura, la polarizacin crea un campo inducido que se
E0 Ei opone al campo original, de modo que dentro del material el proceso lleva a
que el campo total es menor que el original. La expresin del potencial in-
- ducido puede reescribirse viendo que:
R R 1 1 1 1
=
R2 R3
= = '
R R
i (r ) =
4 0 V
P(r ) dV
R
Adems: F f = ( fF) f F P(r ) (1/R) = [ P(r )/R ] P(r )/R
(las derivadas se realizan sobre las coordenadas primadas). Tenemos as:
1 P(r ) P(r ) 1 P(r ) n 1 P(r )
i (r ) =
4 0
V
R
R
dV =
4 0
S
R
dS +
4 0
V
R
dV
que es el potencial que creara una hipottica distribucin de carga libre con densidades volum-
trica P (r) y superficial P (r ) .
Por lo tanto podemos resolver el problema del potencial inducido por
un cuerpo polarizado reemplazando al cuerpo por una distribucin
equivalente de carga libre, para la cual valen las consecuencias de la ley
de Coulomb y la electrosttica de cargas libres.
Por otra parte, se observa que la llamada densidad de carga equivalente de polarizacin su-
perficial P (r ) = P(r ) n es la proyeccin del vector polarizacin sobre la superficie frontera
del cuerpo polarizado y la densidad de carga equivalente de polarizacin volumtrica
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Electromagnetismo 2004 2-51
P (r ) = P(r ) est ligada con las inhomogeneidades en la polarizacin en el seno del mate-
rial, representada por la divergencia del vector de polarizacin.
Cul es la realidad de estas cargas?
Desde un punto de vista formal, podemos considerar a las cargas de polarizacin como un con-
veniente artificio destinado al clculo: se reemplaza el cuerpo polarizado por una distribucin de
carga real que da el mismo campo.
En la figura ilustramos la polarizacin de un cuerpo dielctrico. Se forman (u orientan) dipolos
en la direccin del campo aplicado. Se observa que se produce un exceso de carga negativa sobre
el lado izquierdo y un exceso de carga positiva sobre el lado derecho. Esta redistribucin de la
carga ligada est asociada a las cargas superficiales de polari-
-+ - +
- + - + - + -+
zacin. Por otra parte, si elegimos un recinto en el seno del
-+- + - + - + - +
-+ - + - + - + - + - + material, podemos ver que en casos (el crculo rojo) la densi-
- + - + - + - + - + - + dad neta de carga encerrada es cero, mientras que en otros ca-
-+ - + - + - + - + - + sos (el crculo verde) la densidad neta de carga encerrada no es
- +- + - + - + - + - + cero porque hay inhomogeneidades, simbolizadas por dipolos
- + - + - + - +- + de menor tamao. Esta densidad de carga est asociada a las
- + - + - + -+
E0 cargas volumtricas de polarizacin, y la no homogeneidad en
la distribucin de carga genera lneas de campo.
Forma general de la ley de Gauss. Vector desplazamiento
La ley de Gauss proporciona la relacin local entre el campo elctrico y sus fuentes. Hasta el
momento, las nicas fuentes de campo elctrico eran las distribuciones de carga libre, pero ahora
hemos agregado la contribucin del campo inducido por material polarizado, que podemos re-
presentar por las cargas equivalentes de polarizacin. Tenemos entonces que debemos agregar a
las fuentes del campo descriptas por la ley de Gauss esta contribucin:
l (r ) l (r ) + P (r )
E(r ) = E (r ) =
0 0
( r ) P( r )
Pero como: P (r ) = P(r ) podemos escribir: E (r ) = l
0
y entonces: [ 0 E(r ) + P (r )] = l (r ) D ( r ) = l (r ) D n dS = Q l
S
Cuanto mayor es la permitividad del material, ms fuertemente se polariza y son mayores los
efectos elctricos. Presentamos a continuacin una tabla de permitividades relativas de distintas
sustancias de uso en la tcnica:
Sustancia r Sustancia r
Aire (a presin atmosfrica) 1.0006 vidrio con borosilicato 4
PVC expandido 1.1 Cuarzo 5
polifoam 1.1 bakelita 5
n-hexano 1.9 mica rub 5.4
parafina 2.1 PVC slido 6.1
tetracloruro de carbono 2.2 neoprene 7
tefln 2.1 mrmol 8
polietileno 2.2 silicio 12
madera prensada 2.2 etanol (alcohol etlico) 24
madera seca 2.4 metanol (alcohol metlico) 33
poliestireno 2.7 nitrobenceno 35
plexiglas 3.4 glicerina 50
suelo arenoso seco 3.4 hielo 75
slice (dixido de silicio) 3.8 agua pura 80
Existen materiales que presentan polarizacin espontnea, en ausencia de campo elctrico exte-
rior. Estos materiales se caracterizan por su red cristalina que presenta enlaces fuertemente ini-
cos. En estos materiales existen regiones permanentemente polarizadas (dominios elctricos) que
pueden orientarse mediante un campo aplicado y luego permanecer en esa orientacin por la
interaccin con otros dominios adyacentes. Se trata de materiales ferroelctricos. Su comporta-
miento es similar al de los imanes y tienen permitividades muy elevadas (por ejemplo, el titanato
de bario es una sal natural con r 2100. Hay cermicos artificiales de desarrollo reciente con
permitividades an ms altas).y presentan histresis entre el vector polarizacin y el campo apli-
cado. Algunos materiales, llamados electretos, presentan una polarizacin permanente desde su
fabricacin, a partir de ceras o resinas que se colocan lquidas en un campo elctrico logrando la
orientacin de las molculas. Al enfriar el material queda polarizado en forma ms o menos
permanente. Se utilizan para fabricar dispositivos con propiedades anistropas o direccionales.
Otros efectos de polarizacin que se utilizan en la tcnica son:
electrostriccin: cambio de tamao del cuerpo debido a la fuerza entre los elementos polari-
zados,
piezoelectricidad: efecto electrostrictivo reversible. Una modificacin en las dimensiones
del cuerpo produce un campo elctrico y una ddp mensurables .
piroelectricidad: polarizacin inducida por enfriamiento o calentamiento del cuerpo.
A continuacin se presentan algunos simples ejemplos de clculo del campo electrosttico a
partir de la ley de Gauss en sistemas con dielctricos.
Ejemplo 2-19: Hallar el campo creado por dos planos conductores infinitos cargados respecti-
vamente con densidades de carga + y -, paralelos entre s y separados una distancia d si:
a) hay aire b) hay un dielctrico de permitividad relativa r = 16 entre ellos.
a) Usamos el resultado del Ejemplo 2-6, donde se hall el campo creado por un nico plano
cargado, y aplicamos superposicin:
Ez Ez
_ + _
+
2 0
0
z
d z
d
2 0
bres. Aplicando la ley de Gauss a un cilindro con tapas paralelas a los planos, una tapa en
la regin donde no hay campo y la otra donde s lo hay, se halla que: Dz = E z = /
El campo dentro del material es ahora 16 veces menor que en el caso en que no haba di-
elctrico.
Ejemplo 2-20: Una esfera est cargada uniformemente y tiene una permitividad variable con el
radio: r = 1 + r / a donde a es el radio de la esfera. Hallar el campo elctrico en todo el espa-
cio y las cargas equivalentes de polarizacin.
Este problema es similar al del Ejemplo 2-7. Fuera de la esfera el campo slo depende de la
carga total: E ( r ) = Q 4 0 r 2 ra
Dentro de la esfera, aplicando en la misma forma la ley de Gauss, tenemos que:
4 3 r r 0r Qr
D ( r ) 4r 2 = r 0 D ( r ) = 0 E ( r ) = 0 = = ra
3 3 3 3 0 (1 + r / a ) 4 0 a 3 (1 + r / a )
En la grfica se muestra el campo en el
interior de la esfera cuando hay vaco
Er
(lnea de rayas) y cuando el material es
el dielctrico del enunciado (lnea llena).
Se ve nuevamente que la presencia del
dielctrico disminuye el campo en su
interior.
Para calcular las cargas de polarizacin
hallamos el vector P:
P = 0 E = ( r 1) 0 E de donde:
0r 0r 2
Pr = ( r 1) 0 =
r/a 3 3( a + r )
Sobre la superficie de la esfera se induce
una carga superficial equivalente de
0a 4 0 a 3 Q
polarizacin: P = P n = Pr = QPS = 4a 2 P = QPS =
r=a
6 6 2
Se ve adems que la presencia de la carga superficial de polarizacin est asociada a un sal-
to en el campo elctrico al atravesar la superficie de la esfera:
Q
E = E e Ei = = 0 P
r =a r =a
8 0 a 2
Es posible que exista densidad volumtrica de carga equivalente de polarizacin porque la
polarizacin no es homognea (esta es condicin necesaria, pero no suficiente):
1 d 0r 0 r 3 ( 4a + 3r ) r ( 4a + 3r )
4
P = P = (
1 d 2
r Pr ) =
= = 0
2
r dr r dr 3( a + r )
2
3r 2
(a + r) 2
3 (a + r) 2
La carga total de polarizacin en el volumen de la esfera es:
0 a r ( 4a + 3r ) 0 a3 Q
Q PV = P dV = 4 r 2 dr = 4 QPV =
V
3 0
(a + r ) 2
3 2 2
Se ve que las cargas de polarizacin se equilibran dentro de la esfera.
D n dS = Q
S
l donde S es la superficie del cilindro de la figura de
la derecha y Ql es la carga libre encerrada por el cilindro. Este cilin-
dro tiene una altura h muy pequea, y una de sus tapas est en el me-
1 dio 1 y la otra en el medio 2. Suponemos adems que la superficie de
2
E1 las tapas es lo suficientemente pequea para que el tramo de superfi-
E2 cie interfase encerrada por el cilindro (S) se pueda suponer plana. La
integral de superficie puede escribirse entonces como:
n1
D n dS = D n dS + D
S
1 1 2 n 2 dS + D n dS = Ql
S1
n2 S S1 S2 S lat
D n dS = D n dS + D
S S1
1 1
S2
2
S lat
n 2 dS + D n dS D1 n dS + D 2 n dS
S S
de donde: D n dS (D
S S
2 D1 ) n dS = Ql = s dS
S
(D 2 D1 ) n = s
donde s es la densidad de carga libre superficial que existe en la interfase. La relacin obteni-
da vale punto a punto sobre la interfase e involucra las componentes normales a la interfase de
los vectores desplazamiento. Si no hay carga libre superficial sobre la interfase, las componentes
normales del vector desplazamiento se conservan al cruzar la interfase (en general no se conser-
van las componentes normales del campo elctrico, ya que las permitividades de los medios son
diferentes).
Ahora utilizamos el rotor de E. Sabemos que el campo es irrotacional y entonces:
E dl = 0 .
C
1 En la figura de la izquierda se toma una curva de circulacin que
E1
2 es un rectngulo de altura h, una de cuyas bases est en el medio 1
y la otra en el medio 2. Tenemos entonces:
E2
E dl = E dl + E
C l1
1
l2
2
dl + E dl = 0
llat
dl1
donde la ltima integral se extiende a los dos lados laterales (cor-
dl2
tos) del rectngulo. Si ahora nuevamente tomamos h 0 , la ter-
dl cera integral se anula porque el intervalo de integracin se anula y
h adems: dl 1 dl dl 2 dl .
Entonces:
E dl E dl + E
C l
1
l
2 dl =
(E
l
2 E1 ) dl = 0 (E 2 E1 ) dl = 0
La relacin obtenida vale punto a punto sobre la interfase e implica que las componentes tan-
genciales a la interfase del vector campo elctrico se conservan. Podemos escribir las componen-
tes tangenciales de E en la forma: (E1 E 2 ) n .
El potencial electrosttico cumple tambin una condicin de frontera sobre la inter-
1 fase. Como E(r ) = (r ) , la circulacin a lo largo de un camino infinitesimal
2 que una dos puntos a ambos lados de la interfase es proporcional al trabajo de
r+dr transportar una carga de prueba a travs de la interfase. Como este trabajo es infini-
r
tesimal, el potencial electrosttico es continuo al cruzar la interfase2:
r + dr
E dr =
r
1 2 0 para dr 0 1 = 2
Finalmente, podemos decir que las propiedades matemticas del campo electrosttico llevan a las
siguientes condiciones de borde o condiciones de contorno al cruzar la interfase entre dos medios
de permitividades diferentes:
1 = 2
D n = Q
S
l (D1 D 2 ) n = l
E dl = 0
C
(E1 E 2 ) n = 0
Al cruzar la superficie que separa dos medios de propiedades distintas:
se conserva el potencial electrosttico
se conserva la componente tangencial del campo electrosttico (siempre)
se conserva la componente normal del vector desplazamiento, salvo que
exista una distribucin superficial de carga libre sobre la interfase.
Imgenes dielctricas
El mtodo de imgenes puede utilizarse en el caso de superficies de separacin entre dielctricos
de alta simetra, como se ilustra en el siguiente ejemplo.
Ejemplo 2-21: Una carga puntual de valor Q se halla frente a una interfase plana entre dos
Q dielctricos de permitividades 1 y 2, como se indica en la figura.
Hallar el campo y el potencial en todo el espacio.
d 1
Para aplicar el mtodo de imgenes debemos encontrar el conjunto de
cargas que generen las mismas condiciones de contorno que el
2 problema original. En este caso, las condiciones de contorno sobre
la interfase entre los dos dielctricos son la continuidad de la compo-
y y nente tangencial del vector E y de la compo-
q2 nente normal del vector D al cruzar la interfa-
Q
R1 se. Surge que se puede cumplir estas dos
condiciones reemplazando el problema por la
d 1 d 2 superposicin de dos configuraciones:
x x
a) dos cargas, la real Q y una imagen q1
R2 sumergidas en un medio de permitividad 1
d que da el campo en el medio superior, y
q1 b) una carga imagen q2 situada en la posi-
cin de la carga real, sumergida en un me-
dio de permitividad 2 que da el campo en
2
Salvo cuando existe una doble capa o capa de dipolos sobre la interfase, caso en el cual el potencial tiene un salto
de /0, donde es el momento dipolar por unidad de rea sobre la interfase. Ver, por ejemplo, Electromagnetic
Theory, J.A. Stratton, McGraw-Hill, New York, 1941, pp.188-192.
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Electromagnetismo 2004 2-56
el medio inferior:
1 Q q1
(r ) = + z0
4 1 R1 R2
donde R1,2 = R 1, 2 = x x + ( y m d ) y
1 q2
(r ) = z0
4 2 R1
1 Q R 1 q1 R 2
E(r ) = E1 (r ) = + z0
4 1 R13 R23
de donde tenemos el campo:
1 q2 R 1
E(r ) = E 2 (r ) = z0
4 2 R13
Las condiciones de contorno nos permiten calcular los valores de las cargas q1 y q2:
y = 0 R1, 2 = R 1, 2 = x x m d y R1, 2 = R = x 2 + d 2
1 Q x q1 x 1 q2 x 1
E1 x = E 2 x + = Q + q1 = q2
4 1 R 3
R 4 2 R 3
3
2
1 Q d q1 d 1 q2 d
D1 x = D2 x + = Q + q1 = q 2
4 R 3 R3 4 R 3
2 2 2
Resolviendo estas ecuaciones se obtiene: q1 = 1 Q q2 = Q
1 + 2 1 + 2
Se observa que si 1 = 2 (nico medio), q1 = 0 y q2 = Q, con lo que el potencial y el campo
tienen una nica expresin en todo el espacio. Tambin se observa que el signo de la carga
q1 depende de la relacin de permitividades entre los medios.
.
Capacidad de conductores
La capacidad de un cuerpo conductor es una medida de la facilidad que tiene para acumular car-
ga elctrica.
La capacidad se define como el cociente entre la carga neta acumulada en el
conductor y el potencial al que se halla: C = Q/
La capacidad de algunos cuerpos de geometras simples es:
Q Q
Esfera: (r ) = = C = 4 0 a
4 0 r 4 0 a
Q 2 0 l
Cilindro: (r ) = ln(r ) = ln(a ) C=
2 0 2 0 l ln(a )
Muchas veces se tiene ms de un conductor. Como las distribuciones de carga sobre un conduc-
tor ejercen influencia sobre los otros, es necesario considerar esta influencia mutua para hallar
los potenciales y campos en todo el espacio. Un caso particular de inters es el capacitor, que es
un sistema de dos conductores cargados con Q y (-Q). Definimos la capacidad de un capacitor
como: C = Q/ donde es la ddp entre los dos conductores.
E n dS
En general, la capacidad entre dos cuerpos cargados es: C = S
2
E dl
1
donde S es la superficie de uno cualquiera de los cuerpos que se suponen cargados
con cargas iguales y de signo opuesto.
La capacidad depende nicamente de la geometra de los conductores.
Ejemplo 2-21: Capacitor plano. La configuracin del Ejemplo 2-19, consistente de dos planos
conductores cargados con + y - respectivamente, es un capacitor plano. Como se trata de
distribuciones de carga no acotadas en el espacio, vamos a calcular la capacidad por rea A
de los planos. Como el campo es: E = / (uniforme), las integrales que definen la capaci-
2 d D n dS = A
dad son: D n dS = A E dl =
C= S
2
E dl d
S 1
1
Se observa que la capacidad es proporcional a la permtividad del dielctrico. Este es un re-
sultado general.
Ejemplo 2-22: Calcular la capacidad de un cable coaxil
Consideremos que el conductor interior, de radio a, se halla car-
gado con una densidad lineal uniforme y el conductor exterior,
de radio b, se halla cargado con -. Entre ambos conductores hay
b
un dielctrico de permitividad .
Para calcular el campo, dada la simetra cilndrica del problema,
a podemos tomar superficies gaussianas cilndricas coaxiales con el
cable de longitud l. Para un radio intermedio:
r
D n dS = l
S
E(r) =
2
Para aplicar la definicin de capacidad debemos calcular la circu-
lacin del campo entre ambos conductores:
2 b dr b d b
1
E dl =
a 2
=
2
a
= ln
2 a
Luego: C=
D n dS =
S l
=
2 l
E dl 2 ln (b / a ) ln (b / a )
2
1
C 2
La capacidad por unidad de longitud del cable coaxil es entonces: =
l ln(b / a )
Ejemplo 2-23: Calcular la capacidad de un cable bifilar.
Esta es una configuracin de dos hilos conductores rectos y paralelos. Si suponemos que el
radio de los cables es mucho menor que su separacin, podemos despreciar la influencia
mutua entre los conductores y considerar que la distribu-
z
cin de carga en ellos es uniforme. El campo creado por
S
los dos conductores es el mismo del Ejemplo 2-16:
r1
r1 r2
r2 E(r ) =
- 2 r 2 r 2
x 1 2
2a El flujo a travs de la superficie cilndrica S cualquiera
d
que rodea al alambre izquierdo es L . La circulacin del
campo es ms sencilla sobre la recta que une ambos con-
ductores. Tomando el sistema de coordenadas de la figura tenemos:
d / 2a d / 2a d / 2a
1 1 d dx d a
= E x dx =
d / 2+a
2
d / 2+ a
dx =
x+d /2 xd /2 2
d / 2+a
= ln
x d / 4 a
2
y finalmente: l l l C
C=
d a ln(d / a ) l ln(d / a )
ln
a
donde hemos simplificado porque d >> a.
cial que esa carga crea. Podemos escribir entonces: (ji ) = Pij Qi donde Pij es un factor de pro-
Ejemplo 2-24: Determinar el potencial creado por dos lneas horizontales de radio a, paralelas
y conectadas entre s que se encuentran a una altura h sobre tierra y separadas en d.
Cada lnea tendr una imagen especular respecto del plano de tierra. Como la distancia d
z entre conductores puede ser pequea y dar lugar a redistribu-
cin de carga, debemos aplicar la nocin de coeficientes de
potencial. Para calcularlos cargamos sucesivamente cada l-
2a nea por separado. Si cargamos solamente la primera lnea (la
de la izquierda), el potencial que crea es, a partir del resultado
d del Ejemplo 2-16:
h
r
y (r ) = ln 12 con r11,12 = y 2 + ( z m h ) 2
2 0 r11
donde hemos tomado s h (ya que h >> a ) y el origen de co-
ordenadas sobre el plano de tierra justo bajo la lnea. El po-
h
tencial sobre la lnea y = 0 , z = h a es:
- -
1 2h a 1 2h 11 1 2h
11 = ln ln P11 = ln
20 a 20 a 1 20 a
El potencial sobre la otra lnea y = d , z = h a es:
1 d 2 + ( 2h a ) 2 d 2 + 4h 2 21 1 d 2 + 4h 2
21 = ln 1 ln de donde: P21 = ln
4 0 d 2 + a2 4 0 d
2
1 4 0 d2
Anlogamente: P22 = P11 y adems P12 = P21 .
Con esto podemos escribir el sistema lineal:
P22 1 P12 2
1 = P111 + P12 2 1 =
con = P11 P22 P12 P21
2 = P + P 2 P21 1 + P11 2
21 1 22 2 =
y entonces, como 1 = 1 = :
P11 P12 4 0
= 1 = 2 =
)
= =
2 2
P11 P12 P11 + P12 1
2h
ln + 1 d 2 + 4h 2
ln ln
(
4h d 2 + 4h 2
2
2 0 a 4 0
d2
a2d 2
Realizamos el clculo para la lnea del Ejemplo 2-16 (0 = 512 kV, h = 12 m) y tomamos
d = 20cm, con lo que se obtiene 2.6 C / m , valor que podemos comparar con la densidad
de carga con un solo conductor, hallada en el Ejemplo 2-16: 0 4.61 C / m . Vemos que la
densidad de carga se ha reducido en ms del 40%. Esto lleva a un menor valor de campo
sobre la superficie de los conductores. El campo creado por los dos conductores es:
r r11,12 = y y + ( z m h ) z
11 r12 + r22 r21
E( r ) = 2
con:
r2 0
11 r 2
12 r 2
22 r 2
21 r22 ,21 = ( y d ) y + ( z m h ) z
El primer subndice indica el par lnea-imagen (1 = izquierda, 2 = derecha) y el segundo el
conductor dentro del par (1 = lnea real, 2 = lnea imagen). Sobre la superficie del conductor
de la izquierda, por ejemplo: y = a cos z = h + a sen .
Ploteamos el mdulo del campo. Se observa que el
E(MV/m) mximo se da para = , y el clculo da el valor
mximo: E max 1.12 10 6 V / m
que debemos comparar con el obtenido para un
nico conductor (Ejemplo 2-16):
E max 1.67 10 6 V / m
Disminuye an ms el campo mximo superficial
si se conectan ms conductores. Es comn tener
tres o cuatro en lnea horizontal o en forma de
cuadro, como en la foto del Ejemplo 2-17.
Energa electrosttica
Si colocamos una carga de prueba en una regin del espacio donde exista campo elctrico, apa-
rece sobre ella una fuerza que har que adquiera una aceleracin, lo que implica el incremento de
la energa cintica de la carga. Si extrapolamos la conservacin de la energa mecnica a inter-
acciones no mecnicas como las elctricas, es necesario que la energa que recibi la carga haya
sido cedida por otro sistema fsico. En la situacin que estamos describiendo el otro sistema fsi-
co existente es el conjunto de cargas que crea el campo elctrico o el campo mismo.
Se puede analizar el campo elctrico desde el punto de vista energtico considerando que, debido
a las fuerzas de repulsin entre cargas de igual signo, es necesario realizar un trabajo exterior
para "construir" un sistema fsico formado por un conjunto de cargas separadas por distancias
finitas. Este trabajo realizado sobre el sistema "permanece" en l como energa potencial. Si se
deja libradas a s mismas a las cargas del sistema, se alejarn unas de otras adquiriendo energa
cintica hasta separarse indefinidamente. Toda la energa potencial del sistema se ha convertido
entonces en energa de movimiento.
El trabajo necesario para crear un sistema de cargas se calcula trayendo una a una desde el infini-
to hasta su posicin final en forma "cuasi-esttica", es decir, a velocidad constante. Considere-
mos un sistema de N cargas puntuales qi situadas en las posiciones ri . Originalmente considera-
mos a las cargas situadas en el infinito y separadas entre s distancias infinitas. No hay entonces
interacciones elctricas mensurables entre las cargas. Este es el estado de energa nula. Cons-
truimos ahora el sistema trayendo a las cargas una a una desde el infinito a su posicin final.
q1 Primero traemos la carga q1. Como las otras cargas estn
r21 F C infinitamente alejadas, no ejercen fuerzas de interaccin
e
F1
sobre q1 y no se requiere trabajo alguno para llevarla a su
r1 R21 posicin final: q1 : r1 L1 = 0
Ahora traemos a q2 desde el infinito hasta su posicin
final r2 a lo largo de la curva C. Como ahora aparece
r2 q 2 sobre q2 la fuerza ejercida por q1, para que el traslado sea
"cuasi-esttico" (a velocidad constante), debemos agregar
punto a punto de la trayectoria una fuerza exterior Fe que
equilibre a la fuerza F1 ejercida por q1. Por lo tanto realizamos un trabajo:
r2 r2 r2 r2
q r q q r2 r21
L2 = Fe dr2 = F1 dr2 = q2 E1 dr2 = q2 1 213 dr2 = 2 1
4 0 r21 40 r213 dr2
donde r21 es el vector distancia entre una posicin intermedia cualquiera sobre C de q2 y la posi-
r21
r2 r2
1 1 1
cin de q1. Pero:
3
r21
dr 2 =
dr2 =
r21 R21
=
r2 r1
en funcin de las posiciones finales de las cargas. Entonces:
r2
q q r2 r21 q 2 q1
L2 = Fe dr2 = 2 1
4 0 r21
3
dr2 =
4 0 R21
Cuando traemos la tercer carga q3 debemos realizar trabajo en contra de las fuerzas elctricas
ejercidas por q1 y q2:
r3
r3 r3 r2
q r q r
L3 = Fe dr3 = (F1 + F2 ) dr3 = q3 (E1 + E 2 ) dr3 = q3 1 313 + 2 323 dr3
40 r31 40 r32
r3 r3 q1 r31 q r qq qq
y finalmente:
L3 = Fe dr3 = q3
+ 2 323 dr3 = 3 1 + 3 2
40 r31 40 r32
3
40 R31 40 R32
En general, cuando traemos la carga i-sima, debemos realizar trabajo en contra de las fuerzas
Juan C. Fernndez - Departamento de Fsica Facultad de Ingeniera
Universidad de Buenos Aires www.fi.uba.ar
Electromagnetismo 2004 2-62
Li = Fe dri =
j =1 0 ij
Una vez construido el sistema, su energa es la suma de todos los trabajos parciales realizados en
la operacin de construccin:
N N i 1
qi q j
U=
i =1
Li =
i =1 j =1
4 0 Rij
qi q j
Esta doble sumatoria puede reescribirse notando que los elementos u ij = cumplen que
4 0 Rij
j < i. As, por ejemplo, tenemos u31 pero no tenemos u13. Sin embargo, si existiera, se ve que
sera u13 = u31. Entonces podemos escribir la segunda sumatoria entre j = 1 y j = N, lo que impli-
ca tomar dos veces el elemento uij, por lo que debemos dividir por dos, con lo que queda:
N N
qi q j
1
U=
2 i =1 j =1 4 0 Rij
j i
donde (r) es la densidad de carga y (r) el potencial en puntos del interior del cuerpo cargado
(habr expresiones equivalentes para superficies o lneas cargadas). Si tenemos un conjunto de
N cuerpos cargados podemos extender la expresin de la energa por superposicin:
N
1
U = i (r ) i (r ) dV
V
i =1 2 i
Cuerpos conductores: SI los cuerpos son conductores, el campo electrosttico en su interior es
cero, y el potencial sobre su superficie es constante, con lo que se llega a la misma expresin que
en el caso de las cargas puntuales:
N
1
U = qi i
2 i =1
pero ahora el significado de los smbolos es diferente:
qi es la carga acumulada en cada cuerpo conductor,
i es el potencial de cada cuerpo conductor.
3
La demostracin de esta expresin puede verse en "Fundamentos de la teora electromagntica", 4ta. Edicin,
J.R.Reitz, F.J.Milford, R.W.Christy. Addison-Wesley Iberoamericana, Wilmington, 1996, pg.143 y siguientes.
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Universidad de Buenos Aires www.fi.uba.ar
Electromagnetismo 2004 2-63
Ejemplo 2-25: Hallar la energa electrosttica de una esfera de radio a cargada con carga
Q distribuida uniformemente si a) es una esfera conductora (distribucin superficial de
carga), b) es una esfera dielctrica de permitividad (distribucin volumtrica de carga).
a) Si la esfera es conductora, la energa almacenada es: U = Q / 2 donde Q es la carga
almacenada y el potencial del conductor. Para una esfera conductora el campo y el po-
tencial fuera de ella equivalen a los creados por una carga puntual en el centro de la esfera
Q Q2 Q2
(ver Ejemplo 2-7. Por lo tanto: = U= =
4 0 a 8 0 a 2C
donde C es la capacidad de la esfera conductora.
b) Si la esfera es dielctrica, la carga est distribuida en todo su volumen, suponemos que
uniformemente, y tenemos que (verificarlo):
Q 2 r2 Q r r
( r ) = + 1 E(r ) = ra
3Q 8a 0 a2 4a 3
(r ) =
4a 3 (r ) = Q Q r
E(r ) = ra
4 0 r 4 0 r 2
En este clculo slo nos interesa el potencial interior porque fuera de la esfera no hay car-
ga y no hay contribucin a la energa. Entonces:
1 Q 3Q 1
a
1 r2
U=
2
V
(r ) (r ) dV = + 1
8a 0 4a 3 0 2 a 2
4r 2 dr
3 Q2 1a
1 r 2 2 3 Q 2 a3 1 a 3 a 3
U=
8a 4 0 0 2 a 2
+ 1 r dr = +
8a 4 3 0 2 3 5
3 Q 2 a3 a3 Q 2 1 1
y finalmente: U= + = +
8a 4 3 0 15 8a 0 5
Se ve que la energa almacenada en la esfera dielctrica es mayor que para la esfera con-
ductora.
Energa y Campo
Podemos reescribir la expresin de la energa electrosttica de un conjunto de cuerpos conducto-
res en trminos del campo electrosttico de una forma conceptualmente conveniente aplicando la
N
1 r
ley de Gauss: i (r ) = D i (r ) U = D i (r ) Vi (r ) dV
V
i =1 2 i
r r r r
Pero: i D i = ( i D i ) D i i = ( i D i ) + D i E i y entonces:
r
[ ] r
N
1 1 N
U = ( i D i ) + D i E i dV = ( i D i ) dV + D i E i dV
i =1 2 i
V
2 i =1 Vi Vi
La primera integral se puede transformar mediante el teorema de la divergencia. Queda:
1 N
U = i ( r ) D i ( r ) n dS + D i ( r ) E i ( r ) dV
2 i =1 S i Vi
La primera integral ahora se extiende sobre la superficie de los cuerpos cargados y la segunda a
sus volmenes.
La ecuacin hallada expresa la energa del sistema de cargas slo en funcin del campo. An
N
1
ms, la ecuacin original U = i (r ) i (r ) dV se puede escribir como:
Vi
i =1 2
1
U= (r ) (r ) dV donde V es un recinto cualquiera que incluye a todos los conductores
2 V
(ver la figura). Estas expresiones son idnticas porque no existe densidad de carga fuera de los
cuerpos cargados.
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Electromagnetismo 2004 2-64
S
V1 Por lo tanto podemos escribir, en forma general:
1 1
V2
U = (r ) D (r ) n dS + D ( r ) E(r ) dV
S
2 2 V
V3 donde S es la superficie frontera de V.
V
Consideremos ahora que S , o sea que V abarca todo el espacio.
Como el potencial y el campo electrostticos decrecen, respectiva-
mente, como 1/r y 1/r2 para distancias lejanas, el integrando de la integral de superficie tiene a
cero como 1/r3 para r , mientras que la superficie tiende a como r2. Por lo tanto en el lmi-
te esta primera integral se anula y tenemos:
1
U= D(r ) E(r ) dV
2 todo el
espacio
Este resultado es importante porque la energa se puede escribir como la suma de "energas" aso-
ciadas a cada elemento de volumen del espacio donde haya campo:
1
U= u(r ) dV
todo el
con u (r ) =
2
D(r ) E(r )
espacio
2 todo el 2 a 2 a
2
02 r 4 8 0 a
2
8 0 a
espacio
0 a Q 2r2 0 Q2
2 0 16 2 2 a 6 2 a 16 2 02 r 4
= 4 r 2
dr + 4 r 2 dr
Q2 1 1
a
Q2 Q2 dr Q2 Q2
6 r
= r 4 dr + = + = +
8 a 0 8 0 a
2
40 a 8 0 a 8 a 0 5
y nuevamente tenemos el mismo resultado.
Ejemplo 2-27: Calcular la energa electrosttica almacenada por unidad de longitud en un
cable coaxil.
Usamos el campo calculado en el Ejemplo 2-22:
1
E(r ) = U= D(r) E(r) dV = 2 E
2
(r ) dV
2 2 todo el todo el
espacio espacio
U 2 b
y la energa almacenada por unidad de longitud es: = ln
L 4 a
2 VC 2 VC 2 VC
2
0 2 0 2 0 A
donde A es el rea de las placas. A partir de la capacidad (ver Ejemplo 2-21):
Q2 Q2 Q2 d
U= = =
2C 2 [0 A d ] 20 A
b) A partir del campo (ver Ejemplo 2-22):
1 0 0 b
2 2 L b
d 2 L b
U= D E dV = E dV = 2 L d = = ln
2
2 VC
2 VC
2 4
a
2 2
0 2
4 0 a 4 0 a
Q 2
L L b 2 2 2
A partir de la capacidad: U= = = ln
2C 2 L 4 0 a
2
ln(b / a)
c) A partir del campo:
1 0 0 b
Q2 Q2
b
dr Q2 1 1
U= D E dV = E dV = (4 4r 2 dr = 2 2 =
2
r2 )
2
2 Vint 2 Vint 2 a 0
16 2 0 a r2 8 0 a b
Q2 Q2 Q2 1 1
A partir de la capacidad: U= = =
2C 40 80 a b
2
1 / a 1 / b
En estos ejemplos se calcula la energa asociada al campo confinado dentro del capacitor. En
ambos casos habr lneas de campo disperso en los bordes. Este campo tiene energa que no se
considera en los clculos precedentes. El error cometido depende fundamentalmente de la sepa-
racin entre electrodos.
Energa y coeficientes de potencial
Cuando existen diversos conductores en el sistema (no necesariamente capacitores), la energa
puede asociarse a los coeficientes de potencial o los coeficientes de capacidad/induccin del sis-
tema que fueron definidos previamente.
N N
1 1 N
Como: U = qi i y: i = Pji q j tenemos: U = Pij qi q j
2 i =1 j =1
2 i =1
j =1
en trminos de los coeficientes de potencial del conjunto de conductores (ntese que Pij = Pji ).
N N
C C
1
Como tambin: qi = ij j tenemos: U = ij i j
j =1
2 i =1
j =1
Existen situaciones donde condiciones de vnculo slo permiten giros alrededor de ejes. En tales
casos existe una cupla de movimiento de modo que:
dU = d
donde es el vector cupla y d el vector de rotacin, como se indica en la figu-
ra. Si se expresa a estos vectores en trminos de sus componentes, tenemos:
U
d i =
i
En el caso de un sistema de cuerpos conductores cargados, su energa depende de
la distribucin de carga y los potenciales de los cuerpos y adems se trata de un sistema conser-
vativo. Un desplazamiento (o desplazamientos) en las posiciones de los cuerpos modificar la
energa, pero se dan dos situaciones diferentes:
Se mantiene la carga total del sistema (sistema aislado)
Se mantienen los potenciales de los cuerpos (en este caso los cuerpos deben estar conectados
a bateras externas, que proveen los cambios de energa).
En el primer caso las ecuaciones halladas son aplicables directamente:
dU U
F = i =
d Q i Q
donde el subndice Q indica un sistema aislado (que evoluciona a carga constante).
En el segundo caso hay un intercambio de energa con las bateras que mantienen constantes los
potenciales. El trabajo realizado por las fuerzas debe ser igual a la variacin de energa electros-
ttica menos la energa cedida por las bateras. Un clculo sencillo4 lleva a:
dU dU
F = i =
d di
Veamos unos ejemplos de aplicacin de estos resultados.
Ejemplo 2-29: Calcular la fuerza entre las placas de un capacitor plano, de rea A, separadas
en una distancia d y a una ddp V, cuando el dielctrico es un material de permitividad .
Realizar el clculo: a) a Q constante, y b) a V constante.
Q2 Q2 d
a) La energa almacenada en el capacitor es: U= =
2C 2 A
La fuerza entre las placas tiene solamente componente z, y vale:
U Q2 a Q
Fz = =
d 2 A
constante. El signo negativo indica que las placas tienden a juntarse (la energa disminuye
z al acercar las placas a Q constante). Desde otro punto de vista,
esta fuerza surge debido a la atraccin coulombiana entre las
cargas de las placas y se podra calcular en forma directa. El
mtodo de clculo a partir de la energa permite obviar el cono-
cimiento de la distribucin detallada de carga en los electrodos.
d F 1 AV 2
b) A V constante: U= CV 2 = y entonces tene-
2 2d
U AV 2
mos: Fz = =
d 2d2
4
La demostracin de estas expresiones puede verse en "Fundamentos de la teora electromagntica", 4ta. Ed.,
J.R.Reitz, F.J.Milford, R.W.Christy. Addison-Wesley Iberoamericana, Wilmington, 1996, pg.135 y siguientes.
AQ 2 AQ 2 d 2 Q2
a V constante. Como V = Q/C, tenemos: Fz = = =
2 d 2C 2 2 d 2 2 A2 2 A
que es el mismo resultado que en el caso anterior. Podemos entender este comportamiento
considerando que, desde el punto de vista coulombiano la fuerza entre las cargas acumula-
das en las placas es independiente de que el capacitor est o no conectado a una fuente ex-
terna, sino solamente de la distribucin de carga y de l;a separacin entre placas. En el es-
quema de clculo a travs de la energa el cambio de energa en el campo debido al movi-
miento infinitesimal (movimiento virtual) de las placas del capacitor no depende de las con-
diciones externas.
Ejemplo 2-30: Calcular la cupla entre las placas de un capacitor cuyas placas son sectores
circulares de radio R y ngulo 0 separadas en una distancia d y que pueden girar alrededor
de su centro. El capacitor est conectado a una ddp V, y el dielctrico es un material de
permitividad . Realizar el clculo: a) a Q constante, y b) a V constante.
Despreciando los efectos de borde, podemos considerar a este capacitor como un capacitor
plano, de donde la capacidad es:
A
d C= = R2 con 0 .
d d 0
Frente a un giro virtual d el ngulo en que se enfrentan las placas es - 2
d, como se ve en la figura, y entonces:
R r
2 d
d
2 d
dC = 2 R = 2 R = 2C
d 0 d 0
U Q 2
Q 2
Q 2
d Q2
a) A Q constante tenemos: = = = dC = 2 C = d
2C 2C 2 2C 2 C
U CV 2 V 2 V2 d CV 2 Q2
b) A V constante: = = = dC = 2C = d = d
2 2 2 C
y nuevamente ambos resultados coinciden como en el ejemplo previo.
En general, las fuerzas que se desarrollan en un sistema electrosttico deben derivarse de consi-
deraciones termodinmicas generales que son bastante complejas en casos ms complicados que
sistemas formados nicamente por conductores.
RESUMEN
Se present el modelo de dipolo de cuerpos extensos dielctricos y una breve intro-
duccin al fenmeno de ruptura dielctrica en materiales gaseosos, lquidos y slidos
de inters tecnolgico. El modelo de dipolo lleva a expresiones para el potencial y el
campo inducidos:
1
P(r ) R
i (r ) =
4 0
V
R2
dV E i ( r ) = i (r )
D (r ) = l (r ) D n dS = Q
S
l D(r ) = 0 E(r ) + P(r )
conductor: C =
Q
=
E n dS
S
2
E dl
1
1 N N qj 1 N
U= qi = qi i
2 i =1 j =1 4 0 Rij 2 i =1
j i
1
U=
2
V
(r ) (r ) dV
P q q C
1 1
U= ij i j U = ij i j
2 i =1
2 i =1
j =1 j =1
1) Simetra de la matriz
Si producimos un cambio en las cargas de los conductores habr una variacin de la energa
N
U
del sistema: U = U ( q1 , q2 ,..., qN ) dU = dqk
k =1 qk
Pero:
U 1 N = 1 q P q
N N
=
qk 2 qk i =1
ij i j 2 q
P q q i ij j
i =1 j =1
k
j =1
1 N
N
1 N N
=
2 qk
qi ij j +
P q qi Pij q j
i =1 j =1 2 i =1 qk j =1
N N N
1 1 1
= Pkj q j + Pik qi = ( Pik + Pki ) qi
2 j =1 2 i =1 2 i =1
N
U 1 N
y entonces: dU = dqk = ( Pik + Pki ) qi dqk
k =1 qk 2 k =1
i =1
Supongamos ahora que todos los conductores, salvo uno (digamos, el n-simo) estaban des-
cargados y mantienen esta condicin:
dqn 0 y dqi = 0 i n
1 N
Entonces, de la expresin hallada: ( Pin + Pni ) qi dqn
2 i =1
dU =
Desde otro punto de vista, la energa cuando slo el conductor n-simo est cargado es:
N
U = n qn dU = n dqn = pni qi dqn
i =1
e igualando ambas expresiones de dU se tiene:
N
1 N 1
Pni qi dqn =
i =1
( Pin + Pni ) qi dqn
2 i =1
Pni =
2
( Pin + Pni ) Pni = Pin
debe ser una cantidad positiva. Supongamos que slo dejamos un conductor, digamos, el n-
1
simo del conjunto: U = pnn qn2 pnn > 0
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Como esta conclusin no depende del valor de n, se deduce que todos los elementos diagona-
les son positivos: pnn > 0 n
3) Diagonal principal dominante
Consideremos ahora que tenemos slo dos conductores, el n-simo y el m-simo del conjun-
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to: U = pnn qn2 + pmm qm2 + 2 pnm qn qm
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Supongamos que las cargas de los conductores son iguales y de signo opuesto:
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qn = qm = Q U = 2 pnn Q 2 2 pnmQ 2 = [ pnn pnm ] Q 2 > 0 pnn > pnm
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de donde se ve que la matriz de coeficientes de potencial es diagonal dominante.
De las propiedades de los coeficientes de potencial se deducen las propiedades de los coeficien-
tes de capacidad/induccin, que constituyen la matriz inversa.
PROBLEMAS
2.8) Hallar el campo de una lnea bifilar cuando el sistema se coloca a una altura H de tierra,
considerada plana y perfectamente conductora.
2.9) Para un capacitor de placas paralelas de rea A y separadas por una distancia d, hallar E y
D en las siguientes situaciones: a) voltaje constante V con y sin dielctrico, y b) carga
constante Q con y sin dielctrico.
2.10) Calcule la capacidad de:
a) Dos esferas conductoras concntricas de radios a y b (b > a)
b) Dos lminas planas conductoras de area A separadas por una distancia d
c) Dos conductores cilindros concntricos de radios a y b (b > a)
d) Dos conductores cilndricos paralelos de radio R y con sus ejes separados por una dis-
tancia D.
2.11) Cuando se usa un cable coaxil para transmitir energa elctrica, el radio del conductor in-
terior est determinado por la corriente de carga, y el tamao total por el voltaje y el tipo
de material aislante que se utilice. Suponga que el radio del conductor interno es ri = 2 mm
y que el material aislante es poliestireno. a) Determine el radio interior r0 del conductor ex-
terno para que el cable funcione con especificacin de voltaje mximo de 10 KV. Para evi-
tar la ruptura debido a los picos de voltaje ocasionados por relmpagos y otras condiciones
anmalas externas, la intensidad mxima de campo elctrico en el material aislante no debe
exceder el 25% de su rigidez dielctrica. b) Qu sucede si, bajo idnticas condiciones de
operacin, se reemplaza el poliestireno por aire? Qu conclusin se puede extraer? Nota:
Juan C. Fernndez - Departamento de Fsica Facultad de Ingeniera
Universidad de Buenos Aires www.fi.uba.ar
Electromagnetismo 2004 2-72