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Alimentacionmotor PDF
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TESIS
INGENIERO ELECTRICISTA.
P R E S E N T AN:
Mxico, D.F.
Abril de 2009
ESIME-IPN
AGRADECIMIENTOS.
Agradezco a mis padres Jos Antonio y Eugenia a mis hermanos Fabiola, Antonio y
Barbara, por el apoyo incondicional, los consejos, paciencia y el amor que siempre han
demostrado. S que siempre puedo contar con ellos.
Agradezco a todos mis amigos que siempre me apoyaron, por sus nimos, por la
compaa y por los consejos.
Agradezco al laboratorio de electrnica de SEPI por todas las facilidades que nos
brindaron para la realizacin del proyecto.
Agradezco a mi asesor Manuel Garca por todo el apoyo, consejos y por todas las
asesoras que nos dio para comprender mejor el tema.
Agradezco a esta gran institucin que es el Instituto Politcnico Nacional y a todos los
profesores que fueron parte de mi formacin.
Agradezco a Dios por todas las bendiciones, llenar mi vida da dichas y por permitirme
llegar hasta estos momentos de mi vida .
Levntate y mira el sol por las maanas y respira la luz del amanecer. Tu eres parte de la fuerza de tu
vida; ahora despierta, lucha, camina, decdete y triunfars en la vida; nunca pienses en la suerte, porque la
suerte es: 'el pretexto de los fracasados'.
Pablo Neruda.
AGRADECIMIENTOS
Son muchas las personas especiales que me gustara agradecer su amistad, apoyo,
nimo, tiempo, consejos, compaa en sus diferentes etapas de mi vida, algunas
personas estn aqu conmigo y muchas otras en mi recuerdo. Siempre les estar
profundamente agradecido por formar parte de m, por todo lo que me han brindado y
por sus buenos deseos.
Dedicatorias:
Mi tesis la dedico con mucho amor y cario a ti DIOS que me diste la oportunidad de
estar aqu y darme una maravillosa familia.
Con mucho cario a ti mam y pap que siempre han estado al pendiente de mi, por
esperarme cada noche a que llegara con bien a casa, por sus palabras que siempre me
alientan a seguir adelante y sobre todo por tanto amor que me han demostrado, aunque
hemos pasado momentos difciles siempre han estado apoyndome y brindndome todo
su cario, gracias por cada llamada de atencin que no dejaron que fuera por mal
camino, les agradezco de todo corazn el que estn a mi lado.
A mi hermano por confiar en m, por estar conmigo en la mayor parte de mi carrera, por
cada consejo y ayuda que me dio durante mi preparacin, por saber darme un buen
ejemplo, pero sobre todo por hacerme to de una linda nia.
Abuelitos, tos, primos, sobrinos, cuada, quisiera nombrarlos a todos pero son muchos,
eso no significa que no me acuerde de cada uno de ellos, gracias por todo su apoyo y
por cada momento que pasamos juntos en familia.
Con mucho cario a mi novia que es una persona especial en mi vida, por confiar en
m, por su amor, comprensin, por cada palabra de aliento, por estar a mi lado, por
regalarme momentos alegres, por dejarme entrar a su familia y por cada momento que
compartimos juntos. Gracias por todo lo que has hecho por m.
RESUMEN
Contenido de trabajo
En el captulo uno, se fijan los objetivos, la justificacin, se establece el estado del arte
y alcance.
CONTENIDO
RESUMEN
Contenido de trabajo
1.2. Justificacin..2
1.4. Alcance..7
2.1. Introduccin8
2.5.4. IGBT....31
CONCLUSIONES57
REFERENCIAS...58
GLOSARIO..59
ANEXOS...61
ESIME-IPN
LISTADO DE FIGURAS.
Figura 2.3. Formas de onda de tensin en la carga del inversor en puente controlado
por onda cuadrada.
Figura 2.4. Inversor trifsico como fuente de voltaje (VSI) conduciendo S1, S5 y S6.
Figura 2.7a Topologas definidas por las combinaciones de los transistores superiores.
Representacin de 6 topologas de voltaje diferente de cero (1)+Va Vb + Vc ; (2)+Va
Vb -Vc; (3) +Va +Vb - Vc; (4) -Va +Vb - Vc; (5) -Va +Vb + Vc; (6) -Va Vb + Vc.
Figura 2.7b Representacin de las dos topologas con salida de voltaje cero.
Figura 2.8. Forma de voltaje de lnea para un puente inversor trifsico de seis pasos:
(a), (b), (c) voltajes polares: (d), (e), (f) voltajes de lnea; (g) secuencia de disparos del
IGBT.
Figura 2.9. Circuito equivalente para un inversor trifsico con carga balanceada con
carga resistiva.
Figura 2.10. Forma de onda de voltaje del inversor trifsico con carga balanceada (a),
(b), (c) voltaje polar; (d) voltaje de fase; (e) voltaje entre el neutro de la carga y a
medio punto de dc.
Figura 2.12. Formas de onda de voltajes y corrientes con un inversor trifsico de seis
pasos con carga RL balanceada conectada en delta: (a) voltaje de lnea, (b), (c), (d)
corriente de fase; (d) corriente de lnea de ca.
Figura 2.13. Formas de onda de la corriente en el inversor trifsico de seis pasos con
carga balanceada conectada en delta (a) corriente de lnea ac; (b) corriente del IGBT;
(c) corriente del diodo 4.
Figura 4.2. Pulsos cuadrados medidos para las entradas HIN01 y LIN01 del IR2130
para una fase.
TABLAS
Tabla 2.1. Muestra la tensin de salida que se obtiene al cerrar determinadas parejas de
interruptores.
Tabla 2.2. Estados de interruptor para inversor trifsico de fuente voltaje (VSI).
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ANEXOS
ANEXO 1. IRG4PC40UD
ESIME-IPN
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ANEXO 2. IR2130
ESIME-IPN
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ANEXO 3. HCPL2531
ESIME-IPN
ESIME-IPN
ESIME-IPN
ESIME-IPN
ESIME-IPN
ESIME-IPN
CAPITULO 1.
1. Introduccin.
1.1. Objetivo.
Disear y montar un inversor fuente de voltaje (VSI del ingles Voltage Inverter Source)
trifsico. Basndose en los semiconductores de potencia G4PC40UD (IGBT`s), el
manejador para puente trifsico IR2130, as como los opt acopladores transistorizado
de alta velocidad HCPL2531. EL VSI es alimentado con una fuente de corriente
continua de 320 Vcc y a su vez este trabajara en modo de seis pasos y alimentar a un
motor de corriente alterna como carga.
1
ESIME-IPN
1.2. Justificacin
El desarrollo de la electrnica en sus diferentes reas junto con la teora del control y el
proceso de seales ha conformado herramientas indispensables para transformar y
controlar la energa elctrica. Una de las formas de obtener una fuente de voltaje
corriente es utilizando un puente inversor, el cual permite transformar la energa
elctrica de cc. a ca. de magnitud y frecuencia variable. Con el invento del transistor
surgieron otros dispositivos semiconductores como el IGBT y el MOSFET, con los
cuales las complicaciones tcnicas del SCR fueron superadas y el control de la energa
resulto de una manera sencilla desde el punto de vista tcnico. En un principio el SCR
fue muy complicado de controlar, ya que para que se ponga en conduccin se logra de
forma relativamente sencilla pero, cuando ste tiene que dejar de conducir, es necesario
aplicar un voltaje inverso (conmutacin forzada), por lo que se requiere implementar
circuitos complejos que realicen esta operacin.
Los circuitos inversores pueden tener dos topologas diferentes, es decir pueden
funcionar como una fuente de voltaje (VSI) como una fuente de corriente (CSI). El
VSI mantiene el voltaje de entrada al inversor constante y la corriente de carga es
variable en dependencia de las variaciones de la carga, mientras que en el CSI el efecto
es contrario, es decir la corriente se mantiene constante y el voltaje es variable en
funcin de la potencia que demanda la carga. El VSI es el ms usado y puede ser de dos,
tres o ms niveles de voltaje. Cuando un motor de induccin es alimentado con un
inversor de dos niveles, cada fase puede ser conectada a solo dos niveles de voltaje
(+Vcd - Vcd). Mientras que en los inversores de tres niveles, cada fase del motor
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puede ser conectada a tres niveles de voltaje (Vcc, cero y -Vcc ) [13,14].Otra posibilidad
de obtener un terminal neutro (cero volts) se logra al aadir una cuarta rama al inversor .
Estos factores han ocasionado que estos accionamientos sean poco atractivos en algunas
aplicaciones industriales. El desarrollo de la electrnica de potencia, de la
microelectrnica y de los sistemas digitales (microprocesadores), ha permitido tener
otra alternativa, como es la utilizacin del motor de corriente alterna.
Las deficiencias en el control escalar, son superadas con la innovacin del control
vectorial (control por campo orientado y control directo par). El control por campo
orientado se basa en orientar el flujo del rotor, del estator o del entre hierro en un eje
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Para el anlisis en estado estable, se utiliza el circuito equivalente del motor mostrado
en la figura 1.4. Us es el voltaje en las terminales del estator y ser diferente de la
fuerza electromotriz (f.e.m) U m, debido a la cada en la resistencia Rs y en la reactancia
de dispersin XLS del estator. La corriente de excitacin sin carga Io, se compone de: la
corriente de perdidas en el ncleo (I o = Um / Rm) y la corriente de magnetizacin (Im =
U m / XLm) siendo Rm la resistencia que representa a las prdidas en el ncleo y X Lm la
reactancia de magnetizacin.
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El diagrama fasorial del circuito equivalente se muestra en la figura 1.5. Del circuito
equivalente, se obtiene la siguiente ecuacin (1.1);
(1.1)
Donde:
S = S1 / e - deslizamiento.
e = 2 f 1
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1.4. Alcance.
El alcance que proponemos es presentar un diseo de VSI para que se puedan hacer
pruebas de laboratorio e implementar diferentes tcnicas de modulacin.
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CAPITULO 2
2.1 Introduccin
Los inversores pueden ser fuente de voltaje (VSI Voltage Source Inverter) o fuente de
corriente (CSI current Source Inverter). Los primeros estn alimentados por una fuente
de cc de baja impedancia como puede ser una batera o un rectificador, en el que a la
salida tendr un filtro LC. El filtro capacitivo en paralelo con las terminales del
inversor mantiene un voltaje constante.
El inversor de corriente est alimentado por una corriente controlada desde una fuente
cc de alta impedancia. Tpicamente un rectificador de tiristores controlados por fase
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alimenta este inversor con una corriente regulada a travs de un inductor en serie; por lo
tanto, la corriente de carga es controlada y el voltaje de salida del inversor es
dependiente de la impedancia de la carga
El inversor en puente completo est formado por dos medios puentes, estos a su vez
formados por dos semiconductores de potencia totalmente controlados, tpicamente;
transistores, MOSFETs o IBGTs, tal y como se muestra en la figura 2.0.
Los transistores S1, S2, S3 y S4, pueden representarse con interruptores como se
muestra en la Figura. 2.1.
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La tensin en la carga Vc puede ser + Vcc, -Vcc, 0, dependiendo del estado de los
interruptores. Las figuras 2.2a a 2.2d muestran los circuitos equivalentes para las
posibles combinaciones de los interruptores.
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La figura 2.3. Muestra la forma de onda de la tensin de salida Vcc para un inversor en
puente de onda completa con modulacin por onda cuadrada. ste tipo de modulacin
no permite el control de la amplitud ni del valor eficaz de la tensin de salida, la cual
podra variarse solamente si la tensin de entrada Vcc fuese ajustable.
Figura 2.3. Forma de onda de tensin en la carga del inversor en puente controlado
por onda cuadrada.
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Este inversor es formado por tres medios puentes como se muestra en la figura 2.4, en
esta se muestra uno de los ocho estados que puede tomar. Vcc es la tensin de corriente
continua. VaN, VbN y VcN son tensiones de fase con respecto al neutro de la carga que
est conectada en estrella. Cada transistor conducir durante 180. Tres transistores se
mantienen activos durante cada instante de tiempo. Cuando el transistor S1 est
activado, la terminal Va, se conecta con la terminal positiva del voltaje de entrada.
Cuando se activa el transistor S4, la terminal Va se lleva a la terminal negativa de la
fuente de cd. La figura 2.5a) indica intervalos de 180 para el estado cerrado y el estado
abierto de cada interruptor S1, S2, S3, S4, S5, S6. La secuencia y el desplazamiento de
120 de Van, Vbn y Vcn de la figura 2.5b) se genera por el orden establecido para la
conmutacin de los interruptores de cada rama o medio puente.
Figura 2.4. Inversor trifsico como fuente de voltaje (VSI) conduciendo S1, S5 y S6.
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Figura 2.5(a) Formas de onda de los interruptores conduciendo a 180. Figura 2.5(b)
tensiones de fase al neutro desplazado 120
El periodo (360) se divide en seis intervalos, en cada intervalo hay tres interruptores o
transistores conduciendo; uno por cada rama siguiendo la secuencia (S5,S6,S1),
(S1,S2,S6), (S1,S2,S3), (S2,S3,S4), (S3,S4,S5) y (S4,S5,S6). Las seales de control (las
cuales que se muestran en la figura 2.5(a)) para el transistor superior e inferior de una
misma rama deben ser complementarias para evitar que los transistores
correspondientes conduzcan al mismo tiempo provocando un corto en la fuente de
voltaje de C.C.
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Figura 2.7b Representacin de las dos topologas con salida de voltaje cero.
Las configuraciones (1) hasta la (6) de la tabla 2.2, generan las seales trifsicas de la
figura 2.5b).
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El punto medio de la fuente de cc, (punto 0 del VSI; mostrado en la figura 2.6.) se toma
como referencia para definir los voltajes polares Va0, Vb0 y Vc0 los cuales tienen forma
de onda cuadrada como se muestra en la figura 2.8 (a, b y c). Los tres voltajes polares
son naturales por cambios en la carga o frecuencia de operacin y son generados por el
estado de conmutacin de los interruptores (IGBTs) del medio puente correspondiente.
Como en el puente monofsico el voltaje polar es +Vd/2 para la mitad del puente esto
ocurre cuando los IGBTs superiores estn conduciendo (los IGBTs inferiores no
conducen), y es Vd/2, cuando los IGBTs inferiores estn conduciendo ( los IGBTs
superiores no conducen)
La forma de onda de voltaje polar es una onda cuadrada de amplitud Vd/2, y puede ser
expresada por las series de Fourier de acuerdo con la siguiente ecuacin (2.2)
4 1 1 1 1
VA0 = . 2
sin + 3 sin 3 + 5
sin 5 + 7 sin 7 + 9
sin 9 + . (2.2)
4 2 1 1 2 1 2
VB0 = . 2
sin( 3
) + 3 sin3 + 5
sin 5( 3
) + 7 sin 7( 3
+
19sin9+(2.3)
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Figura 2.8. Forma de voltaje de lnea para un puente inversor trifsico de seis pasos:
(a), (b), (c) voltajes polares: (d), (e), (f) voltajes de lnea; (g) secuencia de disparos del
IGBT.
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23 1 1 1 1
VAB =
. sin 5 sin 5 7
sin 7t + 11 sin 11 + 13 13 .
(2.4)
2
El valor de rms de voltaje de lnea es 3 o 0.816 Vd y el valor fundamental de rms es
o 0.78 Vd.
Los voltajes de lnea son VAB = + Vd, VBC = - Vd, VCA = 0, el voltaje de fase es
deducible por la accin simple de potencia p y son; VAN = VCN = + Vd/3 y VBN = -2
Vd/3. Este proceso es repetido por los cinco intervalos restantes resultando seis pasos
para el voltaje de fase.
La forma de onda de la figura 2.9. muestra el voltaje de fase, Van, para una carga
resistiva balanceada trifsica. Esta figura tambin muestra las diferentes conexiones de
la carga que se dan en cada intervalo de 60
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Figura 2.9. Circuito equivalente para un inversor trifsico con carga trifsica
balanceada con carga resistiva.
Esta ecuacin general relata las tensiones de lnea a neutro, estas cargas no son
dependientes. Como se muestra en la siguiente ecuacin (2.5).
1
VAN = 3 (2 VA0 - VB0 - VC0)
1
VBN = 3 (2 VB0 VC0 VA0)
1
VCN = 3 (2 VC0 VA0 VB0) (2.5)
El voltaje instantneo del neutro de la carga a cero volts de la fuente de corriente directa
es dada por la ecuacin (2.6).
1
VN0 = 3 (VA0 - VB0 - VC0) (2.6)
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Figura 2.10. Forma de onda de voltaje del inversor trifsico con carga balanceada (a),
(b), (c) voltaje polar; (d) voltaje de fase; (e) voltaje entre el neutro de la carga y la
fuente de corriente continua al punto medio.
Los armnicos que contienen del voltaje fase de seis pasos no son lo mismo que el de la
forma de onda del voltaje de lnea y la diferencia entre forma de onda entre los dos
voltajes es debido a la diferente relacin de fases entre la fundamental y la de las
armnicas. Se puede ver la serie de Fourier que expresa para VAN
2 1 1 1 1
VAN = . sin + 5 sin 5 + 7 sin 7t + 11
sin 11 + 13 13 .
(2.7)
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La forma de onda para VN0 (ver figura 2.10 (e)), se muestra la tercera armnica
suprimida, ahora aparecen entre la carga del neutro y la mitad del punto de cc. Como
una forma de onda cuadrada del voltaje de tres tiempos.
La forma de onda de corriente de los inversores pueden tener una carga RL (resistiva e
inductiva) balanceada, conectada en estrella, esta se muestra en la figura 2.11, la
direccin positiva de la corriente iA, iB, iC, y la corriente de fase ia, ib, ic, son indicadas
en la figura 2.12.
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La forma de onda de voltaje de lnea de la figura. 2.8 muestra que cada fase conectada
en estrella est sujeta a la forma de onda cuadrada del voltaje con niveles de + Vd, cero
y Vd. La corriente de fase, para las tres consiste en una serie de cambios exponenciales
producidos por los cambios en la aplicacin de voltaje, origina un tiempo que se toman
en el instante cuando el S4 es apagado y el S1 es encendido, saliendo S5, S6 y S1 para
los tres IGBTs. El voltaje aplicado para la fase A de la conexin, la carga ahora tiene
una forma de onda para VAB de la figura 2.12 (a) con + Vd aplicado a los primeros 120
del ciclo, esto produce que la corriente cambie y se puede ver en la fig. 2.12 (b).
Despus de los tres ciclos S3 esta conmutando y S6 est apagado de tal modo
conectando ambas terminales de fase A para la fuente positiva y reduciendo el voltaje
de fase a cero, sin embargo la corriente inductiva puede circular alrededor del circuito
compuesto de S1 y D3.
As la corriente de fase decae por i2 y se puede notar en la figura 2.12 (b). El medio
ciclo que es completado despus de 180, cuando el S4 est conduciendo y el voltaje Vd
es aplicado a travs de la fase A con polaridad contraria. Las dos formas de onda
restantes de fase son similares a la fase A solo que desplazadas 120 y 240
respectivamente. La corriente de lnea se obtiene generalmente de la diferencia de las
dos corrientes de fase.
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ESIME-IPN
Figura 2.12. Formas de onda de voltajes y corrientes con un inversor trifsico de seis
pasos con carga RL balanceada conectada en estrella: (a) voltaje de lnea, (b), (c), (d)
corriente de fase.
Al final de este medio periodo, la IL permanece positiva para que ese tiempo deba
llevarse por el D4, la forma de onda de la IL es repetida en la figura 2.13(a) con el
dispositivo conduciendo indicado por cada posicin de los ciclos de ac. As el IGBT y
la forma de onda de la corriente de lnea se muestra en la figura 2.13 (b) y (c). La
retroalimentacin de los diodos tambin conduce por una porcin de cada medio ciclo
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Figura 2.13. Formas de onda de la corriente en el inversor trifsico de seis pasos con
carga balanceada (a) corriente de lnea ac; (b) corriente del IGBT; (c) corriente del
diodo 4.
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Desde que se desarroll el primer tiristor, el SCR a finales de 1957, ha habido progresos
impresionantes en los dispositivos semiconductores de potencia [2], como el manejo de
corrientes ms altas, rpidos tiempos de activacin y desactivacin, esto permite que
estos dispositivos operen a frecuencias muy altas, como resultado los inductores y
capacitores asociados sean ms pequeos y ms baratos.
Uno de los dispositivos ms importantes de los circuitos de potencia son los diodos, que
es un dispositivo de unin pn con dos terminales (nodo y ctodo). Cuando el potencial
es positivo con respecto al ctodo, se dice que el diodo esta polarizado directo, y
conduce. Un diodo conductor tiene una cada directa de voltaje a travs de l
relativamente pequea; la magnitud de esta cada depende del proceso de manufactura y
de la temperatura de la unin. Cuando el potencial del ctodo es positivo con respecto al
nodo, se dice que el diodo esta polarizado inverso.
Los diodos de potencia son de dos tipos: a) de propsito general y b) de alta velocidad
(o recuperacin rpida). [2]
28
ESIME-IPN
Donde:
Atendiendo al tipo de rectificacin, pueden ser de media onda, cuando slo se utiliza
uno de los semiciclos de la corriente, o de onda completa, donde ambos semiciclos son
aprovechados.
29
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La curva de transferencia, que relaciona las tensiones de entrada y salida, tiene dos
tramos: para tensiones de entrada negativas la tensin de salida es nula, mientras que
para entradas positivas, la tensin se reduce en 0.6V. El resultado es que en la carga se
ha eliminado la parte negativa de la seal de entrada.
Como acabamos de ver, la curva de transferencia, que relaciona las tensiones de entrada
y salida, tiene dos tramos: para tensiones de entrada positivas las tensiones de entrada y
salida son iguales, mientras que para tensiones de entrada negativas, ambas son iguales
pero de signo contrario. El resultado es que en la carga se ha eliminado la parte negativa
de la seal de entrada transformndola en positiva. La tensin mxima en el circuito de
salida es, igual a la tensin del secundario del trasformador.
30
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2.5.4. IGBT.
En un IGBT se combinan las ventajas de los BJT y de los MOSFETS. Un IGBT tiene
alta impedancia de entrada, como los MOSFETS, y pocas prdidas por conduccin en
estado activo, como los BJT, el rendimiento de un IGBT se parece ms al de un BJT
que al de un MOSFET.
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Para nuestro caso esta etapa est compuesta por un generador de pulsos y para realizarlo
necesitamos una fuente de 5 V de C.C. y una fuente de 15 V de C.C as como
diferentes elementos electrnicos que se describirn enseguida.
Para generar las seis seales de entrada, tres en LOUTN y tres HOUT, de nuestro
IR2130; necesitamos una fuente monofsica de 15 V de CC. para que nuestro IR2130
genere pulsos cuadrados de 15 volts estos son llevados hasta la compuerta de nuestro
IGBT. Para estas fuentes utilizamos una alimentacin monofsica. Empleamos un
transformador de 120/18 VCA regulndolo a 15V con un LM7815.
34
ESIME-IPN
Para generar tres pulsos senoidales de 5V necesitamos una fuente trifsica de CA para
tener una simetra entre fases, cada fase pasara por un transformador 120/5 VCA.
Despus de tener el voltaje adecuado, tenemos que utilizar un rectificador de media
onda trifsico, esto lo lograremos con un diodo IN4001, para tener pulsos de media
onda senoidal por fase, se agrega una resistencia para limitar la corriente y pueda saturar
la base del transistor, un transistor en saturacin tiene una corriente de colector mxima
y un voltaje colector emisor casi nulo. Para lograr que el transistor entre en saturacin,
el valor de la corriente de base debe calcularse dependiendo de la carga que se est
operando. El transistor utilizado es el BC 237 del tipo NPN, sus caracterstica se
anexaran, para escoger el valor de la resistencia tenemos que tomar en cuenta la
corriente del transistor. Para calcular la resistencia adecuada y con los datos de las
tablas de sus caractersticas tenemos que: I = 10mA, V = 5V, y una cada de tensin de
0.2V. Utilizando la ecuacin 3.1.
=
(3.1)
Calculo de la resistencia:
5 0.2
= = = 480
10
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Teniendo un pulso como se muestra en la figura 3.4 para que el transistor pueda
conducir.
36
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resistencia enserie, con 5V. Para este clculo tenemos los siguientes datos obtenidos del
transistor Ic = 5mA, VCE = 5Vcc, utilizando la ecuacin 3.1. Tenemos.
5
= = = 1
000
5
Los pulsos los generan los positivos de la onda senoidal, cada pulso va a generar una
salida de 5 y 0 V de cc y as obtenemos una seal cuadrada como se muestra en la figura
3.6, as sucede para los dos transistores restantes.
Como necesitamos tres seales positivas y tres negadas, utilizamos una compuerta not
(DM7404) para cada transistor. Del colector de cada transistor tenemos que obtener una
seal positiva y una negada para negar la seal se alimenta a una compuerta not para
negar la seal y con esto obtener una seal positiva y una negativa por cada transistor
mostrndolas en la figura 3.6, y as tenemos las seis seales. El circuito implementado
se muestra en la figura 3.5.
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Los opto acopladores se alimentan con una seal de 5V, como se muestra en la figura
3.7, aqu se observan las seales que utilizaremos para accionar el optoacoplador, esta
seal va al nodo del optoacoplador y su ctodo pasa por una resistencia que esta
aterrizada, con la finalidad de ajustar la corriente a 4.3mA que es suficiente para
accionar el led interno del optoacoplador, la resistencia se calcula con la corriente
mencionada y la tensin es de 5V, utilizando la ecuacin 3.1. Tenemos que tomar en
cuenta la cada de tensin del diodo emisor de luz del optoacoplador.[9]
5 0.7
= = = 1
000
4.3
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Para disear un circuito conocido como driver, se deben de tomar en cuenta las dos
consideraciones que ayudan a proteger al inversor, que el manejador sea capaz de
suspender la conmutacin de los dispositivos cuando se haya producido una situacin
de riesgo para el convertidor, y que debe de sujetarse a las necesidades de activacin del
interruptor.
Como se puede observar en la figura 3.8 el circuito consta de 6 seales de salida los
cuales reciben sus seales de los 3 generadores de pulsos, cada generador provee dos
salidas, las tres seales bajas de salida estn manejados directamente por el generador
de seales L1, L2, L3. Pero las seales que maneja el lado alto H1, H2, H3 necesitan ser
cambiadas de nivel antes de ser aplicada a los manejadores del lado alto.
40
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Un circuito detector de bajo voltaje esta en todo momento monitoreando el nivel de Vcc
el cual provee una seal para inhibir las seis salidas de seales. Adems hay circuitos
individuales detectores de bajo voltaje para cada una de las salidas del lado alto.
41
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Una condicin de bajo voltaje en el nivel de Vcc definido como menos de 8.9 volts
(cuando el VCC est reducido) y menos de 9.3 volts nominal cuando Vcc es
incrementado, causa que toda las salidas sean apagadas.[5][7]
Figura 3.10. Seales de entrada de driver IR2130. (LIN=low in, HIN=high in)
42
ESIME-IPN
En caso de un corto circuito o una sobrecarga es deseable apagar todas las salidas del
IR2130. Esto se logra a travs de un comparador de corriente que monitora la cada de
voltaje en una resistencia de monitoreo (resistencia ITRIP), Instalada en el lado bajo y
que es comparada con una referencia de 0.5 volts. [5][7]
La salida del comparador de corriente y la del circuito de UV van a una compuerta OR,
de esta forma cualquiera de las dos puede hacer actuar el circuito de FAULT.
El IR2130 tambin genera un tiempo muerto en las seales de salida, para que los
IGBTs de una misma rama no conduzcan al mismo tiempo y puedan causar un corto
circuito. Este tiempo muerto es de 1.2s, es suficiente para que no entren en conduccin
los IGBTs de la misma rama.[5][7]
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Como se observa en la figura 3.12, para la etapa de potencia se requiere una fuente de
corriente continua, la fuente que utilizamos es de 320 Vcc. Su alimentacin es a travs
de una fuente trifsica de corriente alterna.
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Es importante sealar que el manejo de esta fuente se hizo con la mayor precaucin
debido a que se manejan voltajes y corrientes de niveles altos que representan un peligro
ocasionando daos. La terminal +Vcc de la fuente alimenta al colector de los tres
IGBTs de las ramas de arriba, y la terminal Vcc alimenta al emisor de los tres IGBTs
de las ramas de abajo, como se muestra en la figura 3.14.
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En este captulo se presentan los resultados obtenidos durante las pruebas realizadas en
el laboratorio con el accionamiento electrnico del motor de induccin. Inicialmente se
presentan las seales de entrada y salida del (IR2130) que sern aplicadas a las
compuertas de los IGBTs del puente inversor. Despus se muestran los resultados de la
implementacin de inversor de seis pasos. Por ltimo, se presentan los resultados de la
puesta en marcha del inversor fuente de voltaje con carga
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Como se muestra en la figura 4.2. Existen 2 seales por fase es decir hay 6 seales de
entrada que corresponden 3 a seales positivas y 3 negadas las primeras tres son
positivas HIN01, HIN02, HIN03, las 3 seales restantes corresponden a las negadas
LIN01, LIN02, LIN03.
Las entradas del inversor se alimentan con una tensin de +5Vcc considerando nuestra
fuente de alimentacin con un 5% tenemos una tensin de pico a pico de 6.4,
calculando su valor eficaz tenemos Rms = 5 x 2 = 7.07V, en la figura 4.2 se observa
que las seales obtenidas son simtricas y opuestas.
Figura 4.2. Resultados de los pulsos cuadrados para las entradas HIN01 y LIN01 del
IR2130 para una fase.
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Los pulsos de voltaje que controlan la conduccin de los IGBTs son aplicados a su
compuerta, debiendo tener un nivel de voltaje de +15 Vcc. En la generacin de estas
seales se tiene que evitar la conduccin simultnea de dos IGBTs de una rama del
puente inversor; si ocurre la conduccin de ambos IGBTs la fuente de corriente
continua se pondr en corto circuito a travs del inversor, provocando la destruccin del
IR2130. En la figura 4.3, se muestran las seales de disparo de dos IGBTs de una
misma rama del puente inversor esperando una tensin de +15 Vcc y calculando su
valor medio Vm = Valor Max. / 2 = 15/ 2 = 7.5V es el valor esperado.
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La figura 4.5. Se puede apreciar el tiempo muerto, el cual es 1.6 s, este valor del
tiempo muerto es suficiente para evitar que dos IGBTs de una misma rama del inversor
conduzcan simultneamente. Este tiempo muerto es de mayor importancia para el buen
funcionamiento del inversor y hacer las conmutaciones adecuadas de lo contrario
provocaramos un corto circuito en nuestra rama ocasionando graves daos a nuestro
inversos (VSI) que estamos diseando.
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En la figura 4.7, hicimos un acercamiento para ver detalladamente el tiempo muerto del
voltaje polar, de la fuente de cc, tenemos un tiempo muerto de 1 s.
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CONCLUSIONES.
Una vez construido el equipo, este fue sometido a pruebas prcticas, se tomaron los
valores de tensin (voltaje de lnea, voltaje de fase, voltaje polar) y se observaron sus
respectivas formas de onda, con resultados exitosos. El inversor construido est basado
en la conduccin a 180.
Para el sistema de control fue necesario disear un disparo bsico. Los medios puentes
se han formado empleando IGBTs como semiconductores de potencia. Los resultados
obtenidos en las pruebas realizadas fueron satisfactorios en todo sentido, pudindose
comprobar prcticamente las buenas propiedades de la tecnologa de los inversores.
Algunas de las prcticas que se pueden realizar, es obtener la curva de par velocidad de
los motores, (esto no se llevo a cabo por falta de equipo en el laboratorio y por falta de
presupuesto), se pueden hacer prcticas para observar y comprobar la forma de onda de
los voltajes de un inversor de dos niveles, tambin el prototipo puede servir como
antecedente para que los alumnos realicen su propio inversor.
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REFERENCIAS
3 http://www.irf.com
4 http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/ir2130.pdf
5 http://www.freeweb.hu/majki/elektro/pic/project/fv600/ir2130app.pdf
6 http:// www.ate.uniovi.es/ribas/Docencia04_05/Electronica_de_Potencia_12750/
Presentaciones/Leccion9_inversores_trifasicos.pdf
[8] http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irg4pc40ud.pdf
[9] http://www.littlediode.com/datasheets/Datasheets-HC/HCPL2531.PDF
[10] Bimal K. Bose. Power Electronics and Variables Frequency Drives. IEEE
PRESS.1997.
[11] Werner Leonard. Control and Electric Drives . 2nd Completely Revised and
Enlarged Edition, Springer. 1996. ISBN 3-540-59380-2.
[14] S. Halsz, A.A.M. Hassan, B.T. Huu. Motor Voltage Spectrum and Torque
Pulsations of Optimized Three-Level Inverters. IEEE 1994.
[17] F. Blaschske. The method of field orientation for control of the rotating field
machine. Dr. Thesis. Techn. Univ. Braunschweig. Germany. 1984
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GLOSARIO
A Ampere.
V Volts.
(Semiconductor-controlled Rectifiers).
cc Corriente Continua.
ca Corriente Alterna.
Im Corriente de magnetizacin.
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S = sl / e Deslizamiento.
T Par.
RL Resistiva e inductiva.
IL Corriente de lnea
s micro segundos.
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