Transistores de Potencia

UNIVERSIDAD POLITCNICA SALESIANA ELECTRONICA DE POTENCIA
Fecha de realizacin: 23/06/2017 Fecha de entrega: 26/06/2017
TRANSISTORES DE POTENCIA
TRANSISTORES BIPOLARES Y MOSFET DE POTENCIA
Benavidez Carrera Humberto Israel

Email: hbenavidezc@est.ups.edu.ec
Montoya Amaquia Yessenia Yolanda
Email: ymontoya@est.ups.edu.ec
Pailiacho Fierro Marjorie Anabel
Email: mpailiacho@est.ups.edu.ec
Tamayo Tinajero Cristian Alexander
Email: ctamayot1@est.ups.edu.ec
Grupo 4
RESUMEN: El presente informe brinda un resumen de

la investigacin realizada acerca de los transistores de El IGBT ofrece a los usuarios las ventajas de
potencia, caractersticas de los transistores bipolares, entrada MOSFET, ms la capacidad de carga en
MOSFET de potencia, nuevas tecnologas y materiales corriente de los transistores bipolares:
en MOSFET.
Trabaja con tensin.
PALABRAS CLAVES: BIPOLARES, MOSFET, Tiempos de conmutacin bajos (alta frecuencia
TECNOLOGAS, TRANSISTORES. de funcionamiento)
Margen de potencia en conduccin mucho
1. OBJETIVOS mayor (como los bipolares).
1.1 General Nos interesa, como siempre que tratamos con

dispositivos semiconductores de potencia que el
transistor se parezca, lo ms posible, a un elemento
Comprender el funcionamiento de los transistores
ideal:
de potencia.
Pequeas fugas.
1.2 Especficos Alta potencia.
Bajos tiempos de respuesta (ton, toff), para
Estudiar y analizar el comportamiento de
conseguir una alta frecuencia de
transistores bipolares y MOSFET de potencia.
funcionamiento.
Que el efecto avalancha se produzca a un valor
2. INTRODUCCION [1] elevado.
Que no se produzcan puntos calientes
El funcionamiento y utilizacin de los transistores de (grandes di/dt ). Una limitacin importante de
potencia es idntico al de los transistores normales, todos los dispositivos de potencia y
teniendo como caractersticas especiales las altas concretamente de los transistores bipolares, es
tensiones e intensidades que tienen que soportar y, por que el paso de bloqueo a conduccin y
tanto, las altas potencias a disipar. viceversa no se hace instantneamente, sino
que siempre hay un retardo (ton, toff).
Existen bsicamente tres tipos de transistores de Las causas fundamentales de estos retardos
potencia: bipolar, unipolar o FET (Transistor de Efecto son las capacidades asociadas a las uniones
de Campo) y IGBT. colector - base y base - emisor y los tiempos de
difusin y recombinacin de los portadores.
3. CARACTERSTICAS DE LOS
TRANSISTORES BIPOLARES [1]
3.1. ESTRUCTURA FSICA
El transistor bipolar es un dispositivo formado por
tres regiones semiconductoras, entre las cuales se
forman unas uniones (uniones PN). Siempre se ha de
Tabla1. Parmetros MOSFET y Bipolar
1
cumplir que el dopaje de las regiones sea alterno, es El colector ha de ser una zona menos dopada
decir, si el emisor es tipo P, entonces la base ser tipo N que el emisor. Las caractersticas de esta
y el colector tipo P. regin tienen que ver con la recombinacin de
los portadores que provienen del emisor. En
Esta estructura da lugar a un transistor bipolar tipo posteriores apartados se tratar el tema.
PNP. Si el emisor es tipo N, entonces la base ser P y el
colector N, dando lugar a un transistor bipolar tipo NPN.
El transistor se fabrica sobre un substrato de silicio,

en el cual se difunden impurezas1, de forma que se
obtengan las tres regiones antes mencionadas.
En la figura 1 vemos el aspecto tpico de un

transistor bipolar real, de los que se encuentran en
cualquier circuito integrado. Sobre una base n (substrato
que acta como colector), se difunden regiones p y n+,
en las que se ponen los contactos de emisor y base.
Es de sealar que las dimensiones reales del Figura 2. Estructura real de los Transistores Bipolares de
Juntura.
dispositivo son muy importantes para el correcto
funcionamiento del mismo.
3.2. FUNCIONAMIENTO DEL
Obsrvese la figura 1, en ella se pretende dar una TRANSISTOR
idea de las relaciones de tamao que deben existir entre
las tres regiones para que el dispositivo cumpla su El transistor bipolar es un dispositivo de tres
misin. 1 terminales gracias al cual es posible controlar un gran
potencia a partir de una pequea. En la figura se puede
ver un ejemplo cualitativo del funcionamiento del mismo.
Entre los terminales de colector (C) y emisor (E) se

aplica la potencia a regular, y en el terminal de base (B)
se aplica la seal de control gracias a la que
controlamos la potencia.
Con pequeas variaciones de corriente a travs del

terminal de base, se consiguen grandes variaciones a
travs de los terminales de colector y emisor. Si se
coloca una resistencia se puede convertir esta variacin
de corriente en variaciones de tensin segn sea
necesario.
Figura 1. Estructura de los Transistores Bipolares de

Juntura.
El emisor ha de ser una regin muy dopada (de

ah la indicacin p+). Cuanto ms dopaje tenga
el emisor, mayor cantidad de portadores podr
aportar a la corriente.
La base ha de ser muy estrecha y poco
dopada, para que tenga lugar poca
recombinacin en la misma, y prcticamente
toda la corriente que proviene de emisor pase a Figura 3. Ejemplo de funcionamiento.
colector, como veremos ms adelante.
Adems, si la base no es estrecha, el 3.3. FUNDAMENTOS FSICOS DEL
dispositivo puede no comportarse como un EFECTO TRANSISTOR
transistor, y trabajar como si de dos diodos en
oposicin se tratase. El transistor bipolar basa su funcionamiento en el
control de la corriente que circula entre el emisor y el
6
mdgomez.webs.uvigo.es/DEI/Guias/tema5.pdf colector del mismo, mediante la corriente de base.
Gerold W. Neudeck Ed. Addison-Wesley
Iberoamericana, 2 edicin, 1994
2
En esencia un transistor se puede considerar como

un diodo en directa (unin emisor-base) por el que
circula una corriente elevada, y un diodo en inversa
(unin base-colector), por el que, en principio, no
debera circular corriente, pero que acta como una
estructura que recoge gran parte de la corriente que
circula por emisor-base.2
Figura 5. Transistores Bipolares de Juntura.
Un transistor bipolar de unin est formado por dos

uniones pn en contraposicin. Fsicamente, el transistor
est constituido por tres regiones semiconductoras -
emisor, base y colector- siendo la regin de base muy
delgada (< 1m).
Figura 4. Efecto del BJT. El modo normal de hacer operar a un transistor es

en la zona directa. En esta zona, los sentidos de
En la figura 4 se puede ver lo que sucede. Se las corrientes y tensiones en los terminales se
dispone de dos diodos, uno polarizado en directa (diodo desarrollan en base a:
A) y otro en inversa (diodo B). Mientras que la corriente
por A es elevada (IA), la corriente por B es muy pequea IE = IB + IC
(IB).
VCE = VCB + VBE ; para NPN
Si se unen ambos diodos, y se consigue que la
zona de unin (lo que llamaremos base del transistor) VEC = VEB + VBC ; para PNP
sea muy estrecha, entonces toda esa corriente que
circulaba por A (IA), va a quedar absorbida por el campo
existente en el diodo B. 3.5. TRANSISTOR COMO
De esta forma entre el emisor y el colector circula INTERRUPTOR
una gran corriente, mientras que por la base una
corriente muy pequea. El control se produce mediante La funcin del transistor como interruptor es
este terminal de base porque, si se corta la corriente por exactamente igual que la de un dispositivo mecnico: o
la base ya no existe polarizacin de un diodo en inversa bien deja pasar la corriente, o bien la corta.
y otro en directa, y por tanto no circula corriente.
La diferencia est en que mientras en el primero es
3.4. TRANSISTOR BIPOLAR DE necesario que haya algn tipo de control mecnico, en el
BJT la seal de control es electrnica, en este caso
JUNTURA depender su control de la cantidad de corriente
suministrada en la Base del elemento semiconductor.
El transistor bipolar es un dispositivo de tres
terminales -emisor, colector y base-, que, atendiendo a
su fabricacin, puede ser de dos tipos: NPN y PNP. La
forma de distinguir un transistor de tipo NPN de un PNP
es observando la flecha del terminal de emisor como se
lo puede observar en la figura 5.
En un NPN esta flecha apunta hacia fuera del

transistor; en un PNP la flecha apunta hacia dentro.
Adems, en funcionamiento normal, dicha flecha indica
el sentido de la corriente que circula por el emisor del
transistor.
Figura 6. BJT como interruptor.
En el caso mostrado en la Figura 6 las dos uniones

estn polarizadas en inversa, por lo que existen zonas
de deflexin en torno a las uniones BE y BC. En estas
6 zonas no hay portadores de carga mviles, por lo tanto,
mdgomez.webs.uvigo.es/DEI/Guias/tema5.pdf
no puede establecerse ninguna corriente de
Gerold W. Neudeck Ed. Addison-Wesley
mayoritarios.
Iberoamericana, 2 edicin, 1994
3
3.7. PRINCIPIOS BSICOS DE

Los portadores minoritarios s pueden atravesar las FUNCIONAMIENTO
uniones polarizadas en inversa, pero dan lugar a
corrientes muy dbiles. Por lo tanto, un transistor en
La diferencia ms notable entre un transistor bipolar
corte equivale a efectos prcticos, a un circuito abierto.
y un transistor unipolar o FET es el modo de actuacin
sobre el terminal de control.
3.6. REGION ACTIVA NORMAL
En el transistor bipolar hay que inyectar una
Para facilitar el estudio y comprensin de los corriente de base para regular la corriente de colector,
fenmenos que suceden cuando se polariza el transistor mientras que en el FET el control se hace mediante la
en RAN, se va a analizar en primer lugar el aplicacin de una tensin entre puerta y fuente.
comportamiento del transistor en la situacin descrita en
la Figura 7. Esta diferencia viene determinada por la estructura
Es de sealar especialmente que cuando el interna de ambos dispositivos, que son sustancialmente
transistor se encuentra en saturacin circula tambin distintas. Es una caracterstica comn, sin embargo, el
corriente por sus tres terminales, pero ya no se cumple hecho de que la potencia que consume el terminal de
la relacin: I control (base o puerta) es siempre ms pequea que la
potencia manejada en los otros dos terminales.
En resumen, destacamos tres cosas fundamentales:
En un transistor bipolar IB controla la magnitud

de IC.
En un FET, la tensin VGS controla la corriente
ID.
En ambos casos, con una potencia pequea
puede controlarse otra bastante mayor.
El uso de un protocolo de ruteo para publicitar rutas

conocidas por algunos otros medios, como por otro
protocolo de ruteo, rutas de estadsticas o rutas
Figura 7. BJT en regin activa normal.
conectadas directamente, se denomina redistribucin.
En una configuracin normal, la unin base-emisor Si bien es preferible ejecutar un nico protocolo de
se polariza en directa y la unin base-colector en ruteo a travs de su interconexin entre redes, el ruteo
inversa. Debido a la agitacin trmica los portadores de de varios protocolos es frecuente por una gran cantidad
carga del emisor pueden atravesar la barrera de de motivos, por ejemplo, fusiones entre compaas,
potencial emisor-base y llegar a la base. departamentos mltiples administrados por
administradores de red y entornos de varios fabricantes.
Todos los portadores que llegan son impulsados por
el campo elctrico que existe entre la base y el colector.3
4. MOSFET DE POTENCIA [3]
Los transistores MOSFET de potencia trabajan en
forma similar a los dispositivos para pequea seal.
Aplicando tensin entre la puerta G y la fuente S, se
controla la formacin y altura del canal conductor entre
la fuente S y el drenador D.
Al aplicar una tensin VDS adecuada, se controla el

flujo de carga que atraviesa el dispositivo. Difieren en
sus caractersticas constructivas de los MOSFET de baja
potencia.
A diferencia de los dispositivos MOSFET de canales

laterales en los cuales los terminales de la puerta, la
fuente y el drenador se encuentran sobre una misma
superficie de la oblea de silicio, el MOSFET de potencia
Figura 8. Zonas de trabajo del Transistor Bipolar de Juntura presenta una estructura de canal vertical, en la cual la
fuente y el drenador se encuentran en posiciones
opuestas con el fin de aumentar la potencia nominal
dispositivo.
6
Gerold W. Neudeck Ed. Addison-Wesley En la Figura 9 se muestra la estructura bsica. Para
Iberoamericana, 2 edicin, 1994 que fluya corriente entre el drenador y la fuente, se debe
4
establecer una trayectoria conductora desde la regin el consumo de potencia. Actualmente, la estructura de
N+ y N- a travs de la regin de tipo P. doble difusin es el diseo ms comercializado,
conocido como VDMOS.
Todos los MOSFET de potencia utilizan este tipo de

tecnologa y se construyen a partir de muchas celdas de
MOSFET puestas en paralelo (hasta 80.000
celdas/cm2 ).
Esto permite aumentar su capacidad de corriente y

reduce la resistencia de canal. Cada fabricante ha
patentado su tcnica particular. Por ejemplo,
International Rectifiers3 denomina a sus dispositivos
HexFET debido a la geometra usada.
La empresa Siemens los llama SIPMOS y RCA los

Figura9: Estructura de un MOSFET de potencia. llama TMOS. Todos los MOSFET de potencia son de
Cuando se aplica una tensin VGS positiva, se tecnologa DMOS o VMOS. En la Figura 11 se muestra
atraen electrones del substrato P y se acumulan en la un esquema y una microfotografa de una estructura
superficie bajo la capa de xido. Si VGS es mayor o HexFET4.
igual al potencial umbral VT, se acumula una cantidad
suficiente de electrones para formar un canal N, y puede
circular corriente entre drenador y fuente, si se aplica
una tensin entre estos terminales.
Los MOSFET de potencia presentan alta velocidad

de conmutacin y muy pequea corriente de entrada.
Son muy sensibles a las descargas electrostticas
requiriendo sistemas de proteccin y cuidado en su
manejo.
Figura 11: Esquema y microfotografa de un HexFET.
Como ventaja se pueden conectar fcilmente en
paralelo. Para obtener dispositivos con mayor manejo de El MOSFET de potencia presenta un diodo interno
intensidades de corriente, se modifica la estructura llamado diodo de cuerpo, conectado entre la fuente y el
fsica. En la Figura 10 se muestran tres tipos: ranura en drenador.
V, doble difusin y ranura en U.
Debido a su extensa rea de unin, los valores de
corriente y resistencia trmica de este diodo son los
mismos que el MOSFET de potencia, limitando el
comportamiento en conmutacin en altas frecuencias
debido a su gran tiempo de recuperacin inversa.
Una forma de eliminar este problema para usar al

dispositivo en frecuencias altas en colocar en paralelo
con el diodo interno un diodo ultra-rpido que asegure
que el diodo parsito no conduzca, Figura 12.
Figura 10: Tipos de MOSFET de potencia (AN9010, K. S.
Oh)
El primero tiene una ranura en V en la zona de la

puerta y fue el primero en ser comercializado, en la
dcada de 1970. La mxima corriente que puede circular
a travs del dispositivo est limitada por el efecto de
concentracin de corriente en el vrtice de la V.
Adems, en este punto se produce un elevado valor

del campo elctrico, lo cual limita la mxima tensin
VDS aplicable. Debido a estas dificultades, fue
reemplazado por otros diseos, como la estructura en U.
El diseo en ranura U se comercializ a partir de la
dcada de los noventa.
Figura 12: MOSFET de potencia AUIRF1324S-7P HexFET.
Presenta un canal ms alto y la ventaja es la
reduccin de la resistencia en conduccin, disminuyendo
5
4.1. ESTRUCTURA BASICA [4]

Un MOSFET de potencia tiene una estructura de
orientacin vertical del dopaje alterno de tipo p y tipo n
que se muestra en la figura 22-1a para una celda
individual de las mltiples celdas paralelas de un
dispositivo completo.
La estructura n+ pn n+ se denomina MOSFET de

canal n de modo de intensificacin (por razones que
pronto sern obvias). Tambin se fabrica una estructura
con el perfil opuesto: MOSFET de canal p.
El dopaje en las dos capas extremas n+ , llamadas

fuente y drenaje en la figura 22-1, es aproximadamente
igual en ambas capas y muy grande, por lo general de
1019 cm3 .
La capa central de tipo p suele llamarse cuerpo y es

la zona donde se establece el canal (que veremos en la
siguiente seccin) entre fuente y drenaje, y por lo comn Figura 13 a) Seccin transversal vertical, y b) perspectiva
de un MOSFET de potencia de canal n.
se dopa con 1016 cm3 .
Un MOSFET completo est compuesto de muchos
La capa n es la regin de arrastre de drenaje y miles de celdas conectadas en paralelo para lograr una
ganancia grande y una resistencia baja en estado activo.
suele doparse con1014 1015 cm3 . Esta regin de
Algunas capas en la perspectiva se recortaron para
arrastre determina la tensin de ruptura del dispositivo.
intensificar la claridad del dibujo.
A primera vista parece que no hay manera de que
La estructura de la figura 13 suele denominarse
fluya la corriente entre las terminales del dispositivo,
VDMOS, que significa MOSFET de difusin vertical. El
porque una de las uniones pn (ya sea la unin de
nombre describe en forma burda la secuencia de
cuerpo-fuente o la unin drenaje-cuerpo) se pondr en
fabricacin del dispositivo.
polarizacin inversa por una de las polaridades de
tensin aplicada entre el drenaje y la fuente.
El sustrato inicial es por lo general el drenaje n+
sobre el cual se cultiva de manera epitaxial la regin de
No puede haber inyeccin de portadores
arrastre n de espesor especfico.
minoritarios en la zona del cuerpo por medio de la
terminal de compuerta porque la compuerta est aislada
Luego, la zona del cuerpo de tipo p se difunde en el
del cuerpo por medio de una capa de dixido de silicio (a
chip desde el lado de la fuente del chip, seguida por la
menudo denominado xido de compuerta y con un
difusin de la fuente n+ .
espesor comn de ms o menos 1 000 [angstroms])
que es un muy buen aislante y, por tanto, no hay
Estas dos difusiones son enmascaradas, lo que
operacin de BJT.
significa que algunas partes del chip estn protegidas
por dixido de silicio, de modo que los dopantes no
Sin embargo, la aplicacin de una tensin que
llegan al chip donde se dej el SiO2 .
polariza el positivo de la compuerta respecto de la fuente
convierte la superficie de silicio debajo del xido de
compuerta en una capa o canal de tipo n, lo que conecta Los pasos restantes implican la deposicin de la
la fuente con el drenaje y permite el flujo de corrientes metalizacin de compuerta y fuente y los pasos finales
apreciables. de embalaje.
El espesor del xido de compuerta, el ancho de la Se deben notar otros aspectos de la estructura
compuerta (como se diagrama en las figuras 13) y el MOSFET de la figura 13. Primero, la fuente est
nmero de zonas de compuerta/fuente conectadas construida con muchos miles de pequeas reas de
elctricamente en paralelo son importantes para manera poligonal conectadas en paralelo y rodeadas por
determinar la cantidad de corriente que fluir para una la zona de la compuerta.
tensin de compuerta a fuente dada.
La forma geomtrica de las zonas de la fuente
influye hasta cierto grado en la resistencia en estado
activo del MOSFET, y algunos fabricantes incluso
anuncian su lnea particular de dispositivos MOSFET por
la forma de la zona de la fuente (por ejemplo, el
HEXFET de International Rectifier).
6
una capa de acumulacin (zona de conductividad

intensificada, que abordaremos en secciones
posteriores), como se muestra en la figura 14a, lo que
ayuda a disminuir la resistencia en estado activo.
En segundo lugar, la metalizacin tiende a actuar

como placa de campo cuando el MOSFET est
apagado, lo que impide que el radio de curvatura de la
zona de despoblacin del drenaje-cuerpo pn se reduzca
demasiado y de este modo tambin la tensin de ruptura
del dispositivo.
Esta funcin de placa de campo se diagrama en la

figura 14b.
Figura 14 Electrodo de compuerta que traslapa la regin de Figura 15 Smbolos de circuito para a) un canal n y b) un
arrastre del drenaje a) para crear una capa de acumulacin MOSFET de canal p.
en estado activo, y b) para actuar como placa de campo en
estado pasivo. El smbolo de circuito para un MOSFET de canal n
se muestra en la figura 15 a, y para un MOSFET de
La razn fundamental para las mltiples zonas canal p, en la figura 15 b.
pequeas de fuente es maximizar la anchura (la
dimensin lateral perpendicular al sentido de flujo de la El sentido de la flecha en el cable que va a la zona
corriente en el canal) de la zona de compuerta en del cuerpo indica el sentido del flujo de corriente si la
comparacin con su longitud (la longitud del canal). unin pn de cuerpo-fuente es de polarizacin directa por
romper el cortocircuito entre las dos y se aplica una
El ancho de la compuerta W del MOSFET es la tensin de polarizacin.
longitud perifrica de cada celda multiplicada por el
nmero de celdas que constituyen el dispositivo. Es As, la flecha de un MOSFET de canal n con una
deseable una relacin muy grande entre el ancho y el zona de cuerpo de tipo p apunta hacia el smbolo del
largo de la compuerta, pues as se maximiza la ganancia MOSFET, como se muestra en la figura 15 a, y la flecha
del dispositivo. apunta hacia fuera para un dispositivo de tipo p.
En segundo trmino, hay un BJT npn parastico 4.2. NUEVAS TECNOLOGAS Y

entre los contactos de fuente y drenaje, como se
muestra en la figura 13 donde la zona de cuerpo de tipo
MATERIALES EN MOSFET [5]
p sirve como base del BJT parastico.
Desde el nacimiento del circuito integrado en la
Para reducir la posibilidad de que este transistor dcada de los cincuenta, la tecnologa de los
jams se encienda, la zona de cuerpo de tipo p se pone semiconductores, y en particular la del silicio, ha
en cortocircuito con la zona de fuente mediante el mostrado una evolucin interrumpida que ha permitido
traslape de la metalizacin de fuente sobre la zona del fabricar chips con mejores prestaciones a precios cada
cuerpo de tipo p, como en la figura 13. vez ms bajos.
Como resultado de este cortocircuito del cuerpo hay Entre las principales causas que han determinado
un diodo parastico conectado entre drenaje y fuente del esa evolucin cabe sealar las siguientes:
MOSFET, como se muestra en la figura 13 Este diodo
integral sirve en convertidores de semipuente y de Incremento de dimetro de las obleas
puente completo. empleadas, como consecuencia de los
progresos de la tecnologa para el crecimiento
En tercer trmino, ya est el traslape de la de los cristales, as como en los equipos
metalizacin de compuerta a travs de la regin de utilizados en las distintas etapas de fabricacin.
arrastre n , donde sobresale hacia la superficie del chip. El hecho de trabajar con obleas mayores ha
Este traslape de la metalizacin de la compuerta tiene permitido un aumento de la productividad que
dos propsitos. ha conducido a una reduccin de precios
espectacular.
Primero, tiende a intensificar la conductividad de la
regin de arrastre en la interconexin n - SiO2 al formar
7
La siguiente figura recoge esos cambios a lo Antes de definir las nuevas tecnologas y
largo de las tres ltimas dcadas, y una herramientas utilizadas en la fabricacin de transistores
previsin para el futuro. es necesario especificar que caractersticas son
tomadas en cuenta para el diseo de un transistor en
este caso, esta informacin est tomada a breves rasgos
por fines educativos y as, no dificultar lo que
verdaderamente importa sobre el tema:
Aumento de la corriente de subumbral

Aumento en las fugas puerta-xido
Aumento en las fugas de las uniones fuente-
sustrato y drenador-sustrato
Reduccin de la resistencia de salida
Reduccin de la transconductancia
Capacitancia de interconexin
Produccin y disipacin de calor
Variaciones en el proceso de fabricacin
Fig16 Evolucin en el tiempo de la integracin de Retos en el modelado matemtico
dispositivos de silicio.
4.3. ESCALAMIENTO [5]
Reduccin de las dimensiones de los diseos
que se pueden delimitar en el semiconductor El mosfet ha sido escalado continuamente para
para definir los dispositivos. Los progresos de reducir su tamao por varias razones. El motivo principal
la litografa tambin han resultado claves en es que se pueden poner ms transistores en una misma
este punto. rea y aumentar el rendimiento dependiendo del circuito
que se est acoplando.
El resultado ha sido un incremento del nmero
de dispositivos que puede contener un chip, Los primeros transistores tenan longitudes de canal
ello significa la posibilidad realizar circuitos ms de varios micrmetros, mientras que los dispositivos
complejos sobre la misma superficie de silicio, modernos utilizan tecnologas de apenas decenas de
as como obtener ms dispositivos por oblea, nanmetros. En un microprocesador Core I7 con
con lo que se reducen los costes de tecnologa de 2nm se tiene aproximadamente 1480
produccin. millones de transistores.
Es aumento de la densidad de integracin se Existen diferentes razones por el cual los mosfet
ha cuantificado en la denominada ley de Moore, deben ser cada vez ms pequeos.
segn la cual el numero de transistores en un
chip se multiplica por dos cada dieciocho Como ya se dijo la razn principal es reducir el
meses. tamao de los transistores con lo cual, si tenemos ms
elementos en el circuito, sea ms cmodo acomodar los
dems dispositivos.
Debido a que los costos de fabricacin para una

oblea de semiconductor son relativamente estables, el
costo por cada circuito integrado que se produce est
relacionado principalmente al nmero de circuitos
integrado que se pueden producir por cada oblea.
De esta forma, los circuitos integrados pequeos

permiten integrar ms circuitos por oblea, reduciendo el
precio de cada circuito.
Fig17. Ley de Moore.
Entre las prestaciones que ms se han

beneficiado de la reduccin de las dimensiones
est el incremento de la velocidad de
funcionamiento de los dispositivos,
especialmente perceptible en la frecuencia de
reloj que utilizan los sistemas digitales.
8
El escalamiento del mosfet causa efectos que

desvan su comportamiento del Mosfet de canal largo,
entre los que estn:
Efecto de canal corto: La distancia entre S y D

es comparable a la profundidad de la zona de
agotamiento.
Al acortarse el canal, el campo elctrico del

drenador contribuye significativamente al
agotamiento del canal.
El canal se forma a tensiones menores que la

tensin de umbral de un MOSFET de canal
largo.
Perforacin de canal: Tambin ocurre en

canales largos a altas tensiones. En canales
cortos, la tensin a la que ocurre se reduce.
Fig18. Diferentes tipos de tecnologas de Mosfet
El campo entre drenador y fuente es tan intenso
que la compuerta pierde el control del canal.
4.4. ITRS [5]
Denota por sus siglas en ingles International 5. CONCLUSIONES
Technology Roadmap of semiconductors, la cual se
encuentra patrocinada por las cinco regiones lderes en Se analiz el principio de funcionamiento
manufactura de semiconductores en el mundo, resume correspondiente a los transistores Bipolares de Juntura
los avances de la industria microelectrnica, analiza y los cuales al ser semiconductores su activacin va a ser
predice tendencias en microelectrnica. controlada por la corriente y los respectivos voltajes
pertenecientes a un circuito, de esta manera se evita
Esta institucin diagnostica problemas actuales para trabajar con dispositivos de ndole mecnicos.
mantener el escalamiento en los semiconductores y
analiza tecnologas emergentes. Al avanzar la tecnologa se puede observar como la
industria ya no solo emplea la misma aleacin para crear
4.5. AVANCE TECNOLOGICO [5] semiconductores y con esto obtener semiconductores
an ms potentes y a su vez eficaces. El tamao de la
Segn la ITRS en informes posteriores al ao 2015 longitud de puerta se sigue acortando a tal punto que
se prev que para el 2018 la longitud de puerta sea de esta distancia mediante experimentacin puede ser
aproximadamente 8nm y asi seguir escalando hasta apenas de tomos de separacin.
alcanzar limites cunticos (qubits).
6. REFERENCIAS
[1] RASHID Muhammad, Electrnica de Potencia,
Circuitos Dispositivos y Aplicaciones, Tercera Edicin,
Pretince-Hall, Mxico 2004. Pgs. 474-480.
[2] KUMAR Ujiwal Generalized Electronic Controller for

Multipulse Baterry Chargaing Systems Indian Institute
of Technology
Pg. Web
[3] Gonzlez, Mnica Liliana. Dispositivos electrnicos.
La Plata, AR: D - Editorial de la Universidad Nacional de
La Plata, 2015. ProQuest ebrary. Web. 20 June 2017.
Pg. 227 a 230. [Online].
Available:
http://bibliotecavirtual.ups.edu.ec:2051/lib/bibliotecaupss
p/reader.action?docID=11201676&ppg=54
Fig19. Predicciones de la ITRS hasta el ao 2018 Pg. Web

[4] Mohan, Ned, Undeland, Thor M., and Robbins,
4.6. CONSECUENCIAS [5] William P. Electrnica de potencia: convertidores,
aplicaciones y diseo (3a. ed.). Sunny Isles Beach, US:
9
McGraw-Hill Espaa, 2009. ProQuest ebrary. Web. 22

June 2017. Pg. 502 a 521[Online].
Available:
p/reader.action?docID=10565530&ppg=464
Pg. Web
[5] Prat Vias, Lluis Calderer Cardona, Josep Pag 178-
180 [Online]
Available:
p/reader.action?docID=11046667
[6] Gerold W. Neudeck Ed. Addison-Wesley

Iberoamericana, 2 edicin, 1994 Avalible:
10

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El transistor se fabrica sobre un substrato de silicio,

En la figura 1 vemos el aspecto tpico de un

Entre los terminales de colector (C) y emisor (E) se

Con pequeas variaciones de corriente a travs del

Figura 1. Estructura de los Transistores Bipolares de

El emisor ha de ser una regin muy dopada (de

En esencia un transistor se puede considerar como

Figura 5. Transistores Bipolares de Juntura.

Un transistor bipolar de unin est formado por dos

Figura 4. Efecto del BJT. El modo normal de hacer operar a un transistor es

En un NPN esta flecha apunta hacia fuera del

Figura 6. BJT como interruptor.

En el caso mostrado en la Figura 6 las dos uniones

3.7. PRINCIPIOS BSICOS DE

En un transistor bipolar IB controla la magnitud

El uso de un protocolo de ruteo para publicitar rutas

Al aplicar una tensin VDS adecuada, se controla el

A diferencia de los dispositivos MOSFET de canales

Todos los MOSFET de potencia utilizan este tipo de

Esto permite aumentar su capacidad de corriente y

La empresa Siemens los llama SIPMOS y RCA los

Los MOSFET de potencia presentan alta velocidad

Una forma de eliminar este problema para usar al

El primero tiene una ranura en V en la zona de la

Adems, en este punto se produce un elevado valor

4.1. ESTRUCTURA BASICA [4]

La estructura n+ pn n+ se denomina MOSFET de

El dopaje en las dos capas extremas n+ , llamadas

La capa central de tipo p suele llamarse cuerpo y es

una capa de acumulacin (zona de conductividad

En segundo lugar, la metalizacin tiende a actuar

Esta funcin de placa de campo se diagrama en la

En segundo trmino, hay un BJT npn parastico 4.2. NUEVAS TECNOLOGAS Y

Aumento de la corriente de subumbral

Debido a que los costos de fabricacin para una

De esta forma, los circuitos integrados pequeos

Fig17. Ley de Moore.

Entre las prestaciones que ms se han

El escalamiento del mosfet causa efectos que

Efecto de canal corto: La distancia entre S y D

Al acortarse el canal, el campo elctrico del

El canal se forma a tensiones menores que la

Perforacin de canal: Tambin ocurre en

[2] KUMAR Ujiwal Generalized Electronic Controller for

Fig19. Predicciones de la ITRS hasta el ao 2018 Pg. Web

McGraw-Hill Espaa, 2009. ProQuest ebrary. Web. 22

[6] Gerold W. Neudeck Ed. Addison-Wesley

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