CLASE PRCTICA 2 RESUELTA.

PLAN D
PROBLEMAS DE POLARIZACIN DEL TRANSISTOR BIPOLAR (BJT)

Sumario:
1. Introduccin.
2. Solucin de problemas.
3. Conclusiones.

Bibliografa:
1. Rashid M. H. Circuitos Microelectrnicos. Anlisis y diseo, pag. 186-188 y 192-196.

Objetivos:
Que los estudiantes ejerciten el clculo del punto de operacin y la potencia disipada empleando
diferentes mtodos de solucin, y la obtencin de la lnea de carga esttica del BJT.
Profundizar en el principio de operacin del regulador de voltaje serie y realizar los clculos de
sus principales variables.
Problemas:
1. En el circuito mostrado en la figura 1, calcule:
a) El punto de operacin del transistor. Represente el
punto de operacin y la lnea de carga esttica en la
caracterstica de salida.
b) La potencia que se disipa en el colector del
transistor en reposo y la potencia que entrega la
batera VCC.
c) El valor mximo de RC con el cual el transistor
permanece trabajando en la regin activa.

Datos: F = hFE = 150; VBE = 0,7 V; VBE sat = 0,8 V;

VCE sat = 0,1 V e ICO = 0. Fig. 1: Problema 1.
Respuesta:
a) El punto de operacin del transistor bipolar se caracteriza por la IBQ, ICQ y el VCEQ. Este es un
circuito autopolarizado. Para calcular el punto de operacin se abre el circuito como se muestra y se
sustituye por una fuente referida a tierra en serie con una resistencia equivalente aplicando el Teorema
de Thevenin.

1
 R2 50
VTH = VCC = 12 = 3,53 V
R1 + R 2 120 + 50

R R 120 50
R TH = R B = R1 R 2 = 1 2 = = 35, 29 k
R1 + R 2 120 + 50
EL VOLTAJE DE THEVENIN SIEMPRE EST REFERIDO A TIERRA
El transistor bipolar puede trabajar en activa, saturacin o corte. Se supondr que el transistor est
operando en la zona de activa:

Aplicando LKV en I (malla en a base del transistor):

VTH + I B R B + VBE + I E R E = 0 (1)
0
pero IE = I B + IC e IC = F I B + ( F + 1) ICO

luego I E = (1 + F ) I B (2)

Sustituyendo (2) en (1) nos queda que:

VTH + I B R B + VBE + (1 + F ) I B R E = 0

Despejando la corriente de IB:

VTH VBE 3,53 0,7
IB = =
R B + (1 + F ) R E 35,29 + (1 + 150 ) 1,5

De donde: I BQ = 0, 010 mA = 10 A

ICQ = F I BQ = 150 0, 01 = 1,5 mA

Aplicando LKV en II (malla de salida) para calcular el valor de VCEQ:

VCC + ICQ R C + VCEQ + I EQ R E = 0

2
Como F = 150 >> 1 I E IC de donde:
VCC + VCEQ + ICQ ( R C + R E ) = 0
VCEQ = VCC ICQ ( R C + R E ) = 12 1,5 ( 5 + 1,5 ) = 2, 25 V > VCE sat = 0,1 V Activa

(
R/ Punto de Operacin: Q IBQ = 10 A; ICQ = 1,5 mA; VCEQ = 2, 25 V )
Para representar el punto de operacin y la lnea de carga esttica en la caracterstica de salida del BJT,
a partir de la LKV obtenida en la malla II, despejamos la IC en funcin del VCE:
VCC + IC R C + VCE + I E R E = 0

Como F = 150 >> 1 I E IC , de donde: VCC + VCE + IC ( R C + R E ) = 0

VCE VCC
y al despejar IC nos queda que: IC = +
RC + RE RC + RE

Si IC = 0 VCE = VCC

VCC
Si VCE = 0 IC =
RC + RE

b) Potencia que se disipa en el colector del transistor bipolar:

R / PC max = ICQ VCEQ = 1,5 2, 25 = 3,375 mW

(
Potencia que entrega la batera: PCC = VCC ICC = VCC ICQ + I1 ) ( ya que ICC = ICQ + I1 )

3
 Aplicando una LKV como se muestra en la figura de la
izquierda se podr calcular el valor de I1:
VCC + I1 R1 + VBE + I E R E = 0

pero al ser F = 150 >> 1 IE IC

VCC + I1 R1 + VBE + IC R E = 0
y al despejar I1 nos queda que:
V VBE IC R E 12 0,7 1,5 1,5
I1 = CC = = 75 A
R1 120

Luego: ( )
R / PCC = VCC ICQ + I1 = 12 (1,5 + 0, 075 ) = 18,9 mW

c) A partir de la lnea de carga esttica representada en la caracterstica de salida, se puede observar que
si se aumenta el resistor RC disminuye el VCE corrindose el punto de operacin hacia la zona de
saturacin sin variar el valor de ICQ. El valor mximo de RC (RCmax) se calcula cuando el transistor
alcanza el lmite de la regin de saturacin, al hacerse VCE = VCEsat.

De la malla de salida nos queda que:

VCC + IC R C max + VCE sat + ICQ R E = 0 ( Al ser F = 150 >> 1 IEQ ICQ )
y al despejar nos queda que:
VCC VCE sat ICQ R E 12 0,2 1,5 1,6
R C max = = = 6,36 k
ICQ 1,5

R / R C max = 6,36 k

2. En el circuito mostrado en la figura 2,

calcule R1 para que IE = 2 mA.

Datos: F = hFE = 50; VBE = 0,7V;

VBE sat = 0,8V; VCE sat = 0,2V; ICO = 0.

Fig. 2: Problema 2.

4
Respuesta:
Suponiendo que el transistor est trabajando en la zona de activa:
Aplicando LKC en el nodo B:
I1 + I 2 + I B = 0

despejando I1: I1 = I 2 + I B (1)

pero al ser I E = I B + IC
0
donde IC = F I B + ( F + 1) ICO

luego I E = I B + IC = I B + F I B

y al despejar IB nos queda que:

IE 2
IB = = = 0, 039 mA
F + 1 50 + 1
Aplicando LKV en la malla I podremos calcular el valor de I2:
I 2 R 2 + VBE + I E R E = 0 (2)

V + I R 0,7 + 2 0,1
despejando I2: I 2 = BE E E = = 0, 032 mA=32 A
R2 28
luego al sustituir los valores de IB e I2 en (1) obtenemos que:
I1 = 0, 039 + 0, 032 = 0, 071 mA

Aplicando LKV en la malla II podremos calcular R1:

VCC + I R C + I1 R1 + I 2 R 2 = 0 (3)
Pero nos hace falta el valor de la corriente que circula por RC. la cual se puede calcular aplicando una
LKC en el nodo: I + I1 + IC = 0

despejando I1 nos queda que: I = I1 + IC (4)

pero IC = I E I B = 2 0, 039 = 1,96 mA

luego al sustituir IC e I1 en (4) obtenemos que: I = I1 + IC = 0, 071 + 1,96 = 2, 03 mA

y al despejar R1 en (3) nos queda que:

V I R C I 2 R 2 12 2, 03 3,3 0, 032 28
R1 = CC = = 62, 04 k
I1 0, 071
Aplicando LKV en la malla III para comprobar que el transistor est en activa:
VCC + I R C + VCE + I E R E = 0

5
y al despejar VCE nos queda que: VCE = VCC I R C I E R E

VCE = 12 2, 03 3,3 2 0,1 = 5,1 V > VCE sat = 0, 2 V Esta en activa

R / R1 = 62 k

3. En el regulador de voltaje serie de la figura 3:

a) Explique su principio de operacin y comprelo con el
regulador paralelo.
b) Calcule el punto de operacin del transistor.
c) Calcule las potencias disipadas en el Zener y en el colector
del transistor.
d) Calcule la potencia PCD entregada por la batera.
e) Para el caso que VCC = VNR = 12V 1V, calcule el valor
mximo de RS para que el Zener se mantenga dentro de la
regin de regulacin.
Datos: Q: F = hFE = 100; VBE = 0,7 V; VBE sat = 0,8 V;
VCE sat = 0,2 V; ICO = 0. Fig. 3: Problema 3.
DZ: VZO = 5,7V; IZK = 2 mA; RZ = 0.
a) El regulador de voltaje paralelo ya estudiado es el circuito de este tipo ms sencillo; presenta como
deficiencia la de ser baja la corriente y la potencia que puede entregar en su salida, limitado por la
capacidad del Zener empleado.

El regulador de voltaje serie con diodo Zener mostrado a

continuacin mejora esta deficiencia, pues el transistor
que est conectado en serie con la carga RL es el
encargado de entregar la corriente de salida IL.

Si se abre la carga se hace IL = 0, pero la corriente por el Zener no crece bruscamente como ocurre con
el regulador paralelo. Esto se debe a que el transistor opera en la regin activa, por lo que su IB = IL/F.
Como F >> 1, an para caso peor en que se est entregando la mxima corriente a la carga, la IB ser
relativamente baja. Desde el punto de vista del diseo, esto provoca que la disipacin de potencia
mxima en el Zener sea baja y no sea una limitante como lo es para el caso del regulador paralelo.

El principio de operacin de este regulador serie se basa en la utilizacin de un Zener como referencia
interna, con un voltaje VZ que es independiente de las variaciones de VNR y de IL. Si se analizan estas
dos variaciones en forma independiente, para el caso en que RL sea constante y se vara VNR: se
observa de las expresiones anteriores, que ICQ e IBQ se mantienen casi constantes, pero al crecer VNR
aumentan IRS e IZ. La lnea de carga se desplaza hacia la derecha con la misma pendiente, por lo que
VCEQ crece y contrarresta la posible variacin de VNR manteniendo a VO casi constante. En el caso en
que VNR se mantenga constante y se vare a RL: si RL decrece, ICQ e IBQ aumentan pero IZ disminuye.
En la caracterstica de salida del transistor, la lnea de carga incrementa su pendiente pero mantiene el
intercepto en VNR que no cambia. El valor de VCEQ se mantiene casi constante pues VO apenas vara.

6
b) Suponiendo que el diodo tener est en ruptura, VZO = 5,7 V y la IZ debe ser mayor que IZK. Como
RZ = 0 y suponiendo que el transistor est en activa, al aplicar unas LKV en I (la base del transistor) se
obtiene que:
VZO + VBE + I E R E = 0

despejando la corriente IE:

V VBE 5,7 0,7
I E = ZO = = 100 mA
RE 0,05

pero I E = IB + IC y al ser F >> 1

IC I E

luego ICQ = 100 mA

0 ICQ 100
IC = F I B + ( F + 1) ICO I BQ = = = 1 mA
F 100

Aplicando LKV en la malla II calcularemos el VCEQ: VCC + VCEQ + I E R E = 0

y al despejar VCE nos queda que:

VCEQ = VCC I E R E = 10 100 0,05 = 5 V > VCE sat = 0, 2 V Q est en Activa

(
R/ Punto de Operacin: Q I BQ = 1 mA; ICQ = 100 mA; VCEQ = 5 V )
c) PZ max = I Z VZO ya que R Z = 0
Aplicando LKC en A podremos calcular el valor de IZ:
I1 + I Z + I B = 0 I Z = I1 I B (1)

Clculo de I1: Aplicando LKV en la malla III podremos calcular I1:

V VZO 10 5,7
VCC + I1 R S + VZO = 0 I1 = CC = = 8, 6 mA
RS 0,5
Luego sustituyendo en (1) obtenemos que:
I Z = 8,6 mA 1 mA = 7, 6 mA > I ZK = 2 mA El Zener regula

PZ max = I Z VZO = 7,6 5,7 = 43,3 mW

R/
PC = ICQ VCEQ = 0,1 5 = 0,5 W

d) ( )
R / PCC = VCC I1 + ICQ = 10 ( 8, 6 + 100 ) = 1, 086 W

7
e) Si VCC = VNR = 12V 1V, el valor mximo de RS para que el Zener se mantenga dentro de la regin
de regulacin se calcula para la peor condicin que es cuando VNR = Vmin inst = 11 V, IZ min inst = IZK y
I
la corriente de la carga es mxima (en este caso E ).
F

V VZO 11 5,7
R S max = min inst = = 1, 767 k (RZ = 0)
IE 2 + 100
I ZK + 100
F

R/ R S max = 1, 767 k

4. En el circuito de la figura 4, calcule el punto de

operacin y la potencia disipada en colector del
transistor en reposo.

Datos: F = hFE = 100; VBE = 0,7V; VCEsat = 0,1V

y ICO = 0.

Fig. 4: Problema 4.

Respuesta:
Este circuito tiene la caracterstica de que el
transistor nunca estar en saturacin ya que el
colector es ms positivo que la base del transistor.
Suponiendo que el transistor est en activa:

Aplicando LKV en la malla I obtenemos que:

VCC + ( IC + I B ) R C + I B R B + VBE + I E R E = 0

VCC + ( R C + R B ) I B + IC R C + VBE + I E R E = 0

0
Al ser I E = I B + IC e IC = F I B + ( F + 1) ICO

luego I E = I B + IC = ( F + 1) I B

VCC + ( R C + R B ) I B + F I B R C + VBE + ( F + 1) IB R E = 0

VCC + R B + ( F + 1) ( R C + R E ) I B + VBE = 0

8
 VCC VBE 12 0,7
Despejando la IB: I BQ = = = 27,35 A
R B + ( F + 1) ( R C + R E ) 100 + (101) ( 3 + 0,1)

ICQ = F I BQ = 100 0, 2735 = 2, 735 mA

Aplicando LKV en la malla II calcularemos el VCEQ:

( ) (
VCC + ICQ + I BQ R C + VCEQ + ICQ + I BQ R E = 0 )
( ) (
VCEQ = VCC ICQ + I BQ R C ICQ + I BQ R E )
VCEQ = 12 ( 2,735 + 0,02735 ) 3 ( 2,735 + 0,02735 ) 0,1 = 3, 44 V > 0, 2 V Q est en Activa

(
R/ Punto de Operacin: Q I BQ = 27,35 A; ICQ = 2, 735 mA; VCEQ = 3, 44 V )
R/ PC = ICQ VCEQ = 2, 735 3, 44 = 9, 44 mW

5. En el circuito de la figura 5, calcule el punto de

operacin y la potencia disipada en colector del
transistor en reposo.

Datos: F = hFE = 200; VEB = 0,6 V; VEC sat = 0,1 V

e ICO = 0.

Fig. 5: Problema 5.
Respuesta:
Suponiendo el transistor en activa y aplicando LKV en
la malla I calcularemos la IBQ:
( )
VCC + VEB + I BQ R B + ICQ + I BQ R = 0 (1)

0
pero IC = F I B + ( F + 1) ICO (2)

luego al sustituir (2) en (1) nos queda que:

VCC + VEB + I BQ R B + ( F + 1) I BQ R = 0

VCC VEB
despejando IBQ obtenemos que: I BQ = = 14,36 A
R B + ( F + 1) R

ICQ = F I BQ = 200 0, 01436 = 2,87 mA

Aplicando LKV en la malla II calcularemos el VECQ:

9
 ( )
VCC + VECQ + ICQ + I BQ R = 0

( )
VECQ = VCC ICQ + I BQ R = 15 ( 2,87 + 0,01436 ) 3 = 6,34 V > 0,1 V Q est en Activa

(
R/ Punto de Operacin: Q IBQ = 14,36 A; ICQ = 2,87 mA; VECQ = 6,34 V )
PC = ICQ VECQ = 2,87 6,34 = 18, 21 mW

R/ PC = 18, 21 mW

6. En los circuitos de la figura 6a) y 6b), calcule el punto de operacin y la potencia disipada en
colector del transistor en reposo.

Datos: F = hFE = 260; VBE = 0,6 V; VCE sat = 0,1 V y ICO = 0.

Fig. 6: Problema 6.
Respuesta del circuito de la figura 6 a):
En alterna los condensadores se tienen en cuenta para el anlisis dinmico, cuando se hace el anlisis
esttico (directa) para calcular el punto de operacin, estos se abren. Suponiendo el transistor en activa:

10
 LA FUENTE DE THEVENIN SIEMPRE EST REFERIDA A TIERRA!!
R2
Primera forma de calcular el VTH: VTH = VR VEE y VR = ( VCC + VEE )
2 2 R1 + R 2
R2 36
VTH = ( VCC + VEE ) VEE = 14 7 = 4, 67 V
R1 + R 2 180 + 36

Segunda forma de calcular el VTH: (Aplicando superposicin)

R2 R1 36 180
VTH = VCC VEE = 7 7 = 4, 67 V
R1 + R 2 R1 + R 2 180 + 36 180 + 36

R R 180 36
R TH = R B = R1 R 2 = 1 2 = = 30 k
R1 + R 2 180 + 36
Aplicando LKV en I (malla en a base del transistor):
VTH + I B R B + VBE + I E R E VEE = 0 (1)

0
pero I E = I B + IC e IC = F I B + ( F + 1) ICO , luego I E = (1 + F ) I B (2)

Sustituyendo (2) en (1) nos queda que: VTH + I B R B + VBE + (1 + F ) I B R E VEE = 0

Despejando la corriente de IB:

V VTH VBE 7 4, 64 0,6
I B = EE = = 3,87 A
R B + (1 + F ) R E 30 + (1 + 260 ) 1,6

ICQ = F I BQ = 260 0, 00387 = 1 mA

Aplicando LKV en II (malla de salida) para calcular el VCEQ:

VCC + IC R C + VCE + I E R E VEE = 0

pero al ser F = 260 >> 1 IE IC luego: VCC + VCEQ + ICQ ( R C + R E ) VEE = 0

11
y al despejar VCEQ nos queda que: VCEQ = VCC + VEE ICQ ( R C + R E )
VCEQ = 7 + 7 1 ( 7,5 + 1, 6 ) = 4,9 V > VCE sat = 0,1 V Activa

(
R/ Punto de Operacin: Q I BQ = 3,87 A; ICQ = 1 mA; VCEQ = 4,9 V )
R / PC = ICQ VECQ = 1 4,9 = 4,9 mW

Respuesta del circuito de la figura 6 b):

(
R/ Punto de Operacin: Q IBQ = 3,97 A; ICQ = 1 mA; VCEQ = 10 V ) y R / PC = 10 mW

7. a) Se desea disear un circuito de polarizacin de transistor como el que se ilustra en la figura 1.

Use un transistor 2N2222, para el cual se tiene que: mnimo = 100; nominal = 173; IS = 3,3 10 14
A y VA = 100 V. La corriente de operacin del colector se tiene que ajustar a ICQ = 1 mA. La fuente
de alimentacin de CD es VCC = 9 V. Supngase VBE = 0.7 V en la regin activa y que F = f.
b) Calcule los parmetros de seal pequea r, gm y ro del transistor.

Respuesta:

a) Diseo del circuito de polarizacin empleando un autopolarizado:

F 100
1er Paso: Clculo de F, IE e IB: F = = = 0,99
1 + F 1 + 100

I 1 I 1
IE = C = = 1, 01 mA 1 mA e I B = C = = 0, 01 mA ( ICO = 0 )
F 0,99 F 100
2do Paso: Clculo de VE, RE y la disipacin de potencia de RE:
V 9 V 3
VE = CC = = 3 V R E = E = = 2,97 k 3 k
3 3 I E 1,01
2
PR = I E2 R E = (1, 01) 3 = 3, 06 mW
E

V 9
3er Paso: Clculo de VCE: VCE = CC = = 3 V
3 3
4to Paso: Clculo de RCE y su disipacin de potencia:
3 3
IC R C = VCC VCE VE = 9 3 3 = 3 V R C = = = 3 k
IC 1
2
PR = IC2 R C = (1) 3 = 3 mW
C

5to Paso: Clculo de RTH y VTH: R TH =

(1 + F ) R E = (1 + 100 ) 3 = 30,3 k
10 10

12
 VTH = I B R TH + VBE + VE = 3 + 0, 7 + 0, 01 30,3 = 4 V

6to Paso: Clculo de R1 y su disipacin de potencia:

R TH VCC 30,3 9
R1 = = = 68,175 k
VTH 4
2
PR
( V VTH )
= CC =
(9 4)
2
= 0,37 mW
1 R1 68,175
7to Paso: Clculo de R2 y su disipacin de potencia:
R TH VCC 30,3 9
R2 = = = 54,54 k
VCC VTH 94
2
PR =
VTH 2
=
(9) = 1,49 mW
2 R2 54,54
b) Clculo de los parmetros de seal pequea r, gm y ro del transistor:

F VT 100 25,8 ICQ 1 V 100

r = = = 25,8 k , gm = = = 38, 76 mS , rO = A = = 100 k
ICQ 1 VT 25,8 ICQ 1

8. En el circuito mostrado en la figura 8, calcule:

a) El punto de operacin del transistor y la potencia
que disipa el transistor en reposo.
b) El valor mximo de RC con el cual el transistor
permanece trabajando en la regin activa.
c) Represente el punto de operacin y la lnea de
carga esttica en la caracterstica de salida del
transistor.

Datos: F = hFE = 100; VBE = 0,6 V; VBE sat = 0,8 V;

VCE sat = 0,2 V e ICO = 0.

Fig. 8: Problema 8.
Respuesta:

(
a) Punto de Operacin: Q I BQ = 12,3 A; ICQ = 1, 23 mA; VCEQ = 1,85 V ) y PC = 2, 28 mW

b) R C max = 4,34 k

13
9. En el circuito mostrado en la figura 9, se conoce que
ICQ = 2 mA; VRE = 6 V y F = hFE = 100. Determine:
a) El punto de operacin del transistor y la regin de
trabajo del mismo.
b) El valor de RE y RB.
c) Represente el punto de operacin y la lnea de
carga esttica en la caracterstica de salida del
transistor.

Datos: VBE = 0,7 V; VBE sat = 0,8 V; VCE sat = 0,2 V

e ICO = 0.
Fig. 9: Problema 9.
Respuesta:

(
a) Punto de Operacin: Q I BQ = 20 A; ICQ = 2 mA; VCEQ = 9,96 V ) Activa

b) R E = 2,97 k y R B = 463 k
10. En el regulador de voltaje serie de la figura 10:
a) El valor mximo de RS para que el diodo zener regule
adecuadamente si IZK = 5 mA y RE = 5 k.
b) Las resistencias RC y RE para fijar una corriente de
colector de IC = 1 mA y VCE = 5 V.

Datos: Q: F = hFE = 100; VBE = 0,7 V; VBE sat = 0,8 V;

VCE sat = 0,2 V; ICO = 0.
DZ: VZO = 8,7V; IZK = 5 mA y RZ = 0.

Fig. 10: Problema 10.

Respuesta:
a) R B max = 2, 253 k

b) R E = 2,921 k y R C = 7 k

11. En el circuito de la figura 11 se muestra dos

transistores trabajando en la regin de activa con
F1 = hFE1 = 100 y F2 = hFE2 = 50. Determine el punto
de operacin de cada transistor.

Datos: VBE1 = VBE2 = 0,7 V; VBEsat1 = VBEsat2 = 0,8 V;

VCEsat1 = VCEsat2 = 0,2 V; ICO1 = ICO2 = 0.

14
 Fig. 11: Problema 11.

Punto de Operacin: Q1 I BQ = 28,88 nA; ICQ = 2,888 A; VCEQ = 8, 428 V

1 1 1
Respuesta:
Q 2 I BQ = 2,916 A; ICQ = 145,8 A; VCEQ = 8,982 V
2 2 2

12. En el circuito de la figura 12, el transistor Q1 siempre

est en activa.
a) Halle el punto de operacin del transistor Q2.
b) Determine a partir de qu valor de RE1 el transistor
Q2 est saturado.

Datos: VEB1 = VBE2 = 0,7 V; VEB1 sat = VBE2 sat = 0,8 V;

VEC1 sat = VCE2 sat = 0,2 V; ICO1 = ICO2 = 0;
F1 = hFE1 = F2 = hFE2 = 50; VZO = 5,7 V y
RZ = 0
Fig. 12: Problema 12.
Respuesta:

(
a) Punto de Operacin: Q 2 IBQ = 4,9 mA; ICQ = 98 mA; VCEQ = 10, 2 V
2 2 2
)
b) R E1 495,15

15