Documentos de Académico
Documentos de Profesional
Documentos de Cultura
DE POTENCIA DE AUDIO
Prentice Hall
Per Argentina Brasil Chile Colombia Costa Rica Espaa
Guatemala Mxico Puerto Rico Venezuela
.
MUII\IO, Norberto
ndice I
DISE,;:io DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE AUDIO
Primera edicin. Buenos Aires, Prentice Hall - Pearson Education, 2011
ISBN: 978-987-615-096-5
Formato: 17 x 23 cm
X+ 118 = 128 pginas
1. Ingeniera Electrnica. l. Muio, Norberto
CDD621.3
EDICIN:
Magdalena Browne, Constanza Larraaga
magdalena.browne@pearsoned.cl Presentacin ix
DISEO Y DIAGRAMACIN:
Carlos E. Capuay R.
DISEO DE PORTADA:
Carlos E. Capuay R.
ISBN: 978-987-615-096-5
Distorsin de frecuencia 7
Queda hecho el depsito que dispone la ley 11. 723 Distorsin de amplitud 7
Reservados todos los derechos. Ni la totalidad ni parte de esta publicacin pueden reproducirse,
Distorsin armnica 7
registrarseo transmitirse, por un sistema de recuperacinde informacin en ninguna forma ni por Distorsin de fase 8
ningn medio, sea electrnico, mecnico, fotoquimlco, magntico o electroptico, por fotocopia,
grabacin o cualquier otro, sin permiso previo por escrito del editor. Distorsin por intermodulacin 8
Impreso en.Arqenna por Grfica Pintar S.A /T-Tres S.R.L Diferencia entre un amplificador de seales dbiles
Buenos Aires, Febrero 2011.
y uno de seales fuertes g
E
I presente libro est destinado a alumnos avanzados de nivel univer-
Circuito final del amplificador de potencia Hi - Fi 114 sitario de la carrera de ingeniera electrnica, profesionales de espe-
cialidades afines, tcnicos en electrnica y tcnicos superiores, y ha
sido pensado con el criterio de combinar, de forma inmediata, la teora con
la prctica.
l
.
Clasificacin
de los amplificadores
electrnicos
Po
r% =--x 100
PCC
~.:
en donde Po es la potencia eficaz de alterna en la carga terminal del amplifi- Los tipos de amplificadores que se utilizan como amplificadores de potencia
cador, el cual es excitado por una seal senoidal de frecuencia igual a 1 Khz
y Pee es la potencia entregada por la fuente de alimentacin a lo largo de un
de audio son los clase A, AB y B bajo la forma de tratamiento directo de la
seal de entrada, es decir, en tiempo real (a diferencia de los clase Den !
ciclo de la seal de entrada. adelante, que funcionan de manera distinta a los anteriores). Hay dos aspec-
tos muy importantes que se deben considerar en el momento de elegir una
!
!,
I!
clase de amplificador: el rendimiento y la distorsin. A priori se indica que el
clase A tiene el menor rendimiento y la mxima linealidad (menor distorsin)
:_\
:i
Clasificacin de los amplificadores y que el clase C tiene el mejor rendimiento, pero la peor linealidad.
segn su clase Cuadro comparativo:
Distorsin de frecuencia
Una seal peridica puede ser representada o reconstruida por una suma
algebraica de diferentes seales senoidales y cosenoidales de distinta am-
. plitud y frecuencia. Se demostrar ms adelante que la ganancia de un am-
plificador no es la misma para todas las frecuencias que componen la banda
de paso de dicho amplificador, por lo tanto, habr seales que sern ms
amplificadas que otras y, entonces, la seal de salida estar distorsionada
respecto a la de excitacin.
Clase C
lii4'iAtl Distorsin de amplitud
Este tipo de distorsin se debe a una amplificacin diferente para seales
de excitacin de distinta amplitud. Esto ocurre debido a que los dispositivos
activos tienen una caracterstica de transferencia no lineal, amplificando
ms las seales de menor amplitud que las de mayor amplitud, en particular
dependiendo de las caractersticas del hFE del transistor en cuestin. Este
o tipo de distorsin se denomina no lineal, y se la puede disminuir considera-
blemente mediante el empleo de realimentacin negativa y la utilizacin de
transistores que posean una transferencia casi constante del hFE en su
entorno de trabajo sobre dicha curva.
y reemplazando
Distorsinpor intermodulacin
Esta distorsin se produce cuando un amplificador es excitado por dos ic = le (1 + vi/Vr + 0,5 (vi/Vr)2 + (1/6)(vi/Vr)3 + ... )
seales de diferente frecuencia y, a la salida de ste, se producen seales
que pueden ser armnicas o no de las anteriores, como por ejemplo, la
suma o la diferencia de las frecuencias o de sus respectivas armnicas ic = le - le= le ((1 + vi/Vr + 0,5 (vi/Vr)2 + (1/6) (vi/Vr)3 + ... -1)
(f1 +f2, f1-f2, 2f1 + 2f2, 2f1 - 2f2, etctera). Tanto la distorsin armnica
como la por intermodulacin tienen su origen en las mismas causas: la y si VT vi, se tiene prcticamente que:
no linealidad de los dispositivos activos y la velocidad de respuesta de los
mismos. En el caso particular de esta ltima tambin influye el nmero de ic = le vi/Vr = gmvi, ya que lc/Vr = gm.
etapas del amplificador de potencia y la constitucin de la red de realimen-
tacin negativa.
1
- DISEO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE AUDIO IVV\~---- _____ IVV\ NORBERTOGUILLERMOMUlrilO -
Hay que recordar que vi es la seal de entrada (valor pico) desarrollada La segunda integral definida es nula, por lo tanto, se obtiene que:
sobre la resistencia dinmica de entrada del transistor. Cuantitativamente
v.1 debe ser menor a 25 mV en amplitud pico. Si vi es igual a 10 mV, el error Pee = Vcc (lea + Isa) = Vcc leo
que se comete es menor al 10%. Entonces, seales de valor pico iguales o
mayores a 25 mV que se aplican sobre la resistencia dinmica de entrada Para generalizar en esta ltima expresin, IEa engloba la intensidad de
del transistor, determinan un amplificador de seales fuertes. corriente continua total del circuito.
En el grfico siguiente se evidencia que para aumentar el rea del tringulo Rendimiento de un amplificador clase A
debe disminuir la pendiente de la recta de carga dinmica. Esto se logra
aumentando el valor de RL, pero el lmite es cuando RL-+ 00, es decir, coin- con carga inductiva
cide la pendiente de la recta de carga esttica con la pendiente de la recta
de carga dinmica. Dicho de otra manera, la resistencia total de la malla de ~n!e~iormente, se determin que para aumentar el rendimiento se haca co-
salida es la misma para el circuito esttico que para el dinmico. Adems, 1~c1d1r la rect~ d~ c~rga,din~ica con la recta de carga esttica, por lo tanto,
se considera que VcEO = Vcc/2, le = leo y se reemplaza en la expresin del s1 se logra disrninur aun mas la pendiente de la recta de carga dinmica
rendimiento. res~ecto de la esttica, el rendimiento se incrementa, Sin embargo, para
realizar ~sto debe suceder que Rd sea mayor que Rest ( de la malla de salida
' Po 100 (leo Vcc)/4 x 100 = 25% ~el tr~ns1stor). P~ra lograr lo anterior, se debe recurrir al empleo de carga
ll ' = Pee x = Vcc (leo + Isa)
inductiva, es decir, en el caso de una etapa emisor comn se reemplaza la
r%:::: 25% (con Vcesat =O, hFE;.::: 100 y RL - 00) y, adems, sin estabilidad en Re por un inductor o un transformador.
la polarizacin. Este rendimiento idealizado tiene limitaciones importantes.
Utilizando tambin la configuracin de emisor comn se presentan los circui-
La principal es que no admite resistencia de carga terminal (R/ Un rendi- tos de las Figuras 7 y 8:
miento tpico real de este tipo de amplificador es menor o igual al 10%.
le
--Vcc
Ra Le
Vcc/Rest Ca2
+
Cal
Potencia eficaz +
1 .
- DISEO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE AUDIO /VV'-_ NORBERTO GUILLERMO MUIO -
liiMili
:L
+
l
T1
-==--v+
T2
RL
--
--=-v- rr,;
T2
-==-v-
1
- DISEO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE AUDIO _____ A/V\
NORBERTOGUILLERMOMUIO -
1 (V+) le
Pee 1 :: -2 fn sen ( rot) drot
:rt o
1
.
'
1
1
Proyecto!
de un amplificador I
~i
de potencia I
Consideraciones generales
Los proyectos ms interesantes son los considerados "abiertos", los cuales
se caracterizan por contar con los datos indispensables y por no poseer res-
tricciones. Para el caso del proyecto o diseo de un amplificador de potencia
deaudio se deben tener en cuenta los siguientes puntos:
1. Potencia eficaz de salida sobre la carga terminal (Po)
2. Carga terminal, parlante o combinacin de los mismos (RL)
3. Ancho de banda, especficamente fcsf y fcif
4. Impedancia de entrada del amplificador
5. Sensibilidad
6 .. Factor de Damping
7. Porcentaje mximo de distorsin armnica admisible
8. Tipo de arquitectura circuital a utilizar
! illN!~litllI
1 Despejando Vomax =v'2 Po RL = V(2 15W 80) = 15,4919 V
R7
Adopcin del valor de Rp1 = Rp2
-==-vcc Tanto Rp1 como Rp2 tienen como funcin brindar proteccin trmica a los
l transistores de salida, ya que se tratan de resistores del tipo PTC (aumenta
su resistencia con el aumento de la temperatura). Rp1 protege a T1 y Rp2 a
R6
T2, pero, a su vez, su presencia en el circuito provoca una prdida de poten-
cia que va en perjuicio del rendimiento del amplificador. Cuanto mayor es el
Vo
valor de las Rp, mayor es la proteccin trmica y menor el rendimiento; por
lo tanto, se considera un valor mximo igual al 10% del valor de RL y un va-
~,__+ _ ____,
Yin C
=
lor mnimo igual al 5% de RL. Para nuestro proyecto Rp1 Rp2 deben estar
comprendidas entre 0.,40 y 0,80; teniendo presente que 5% RL s Rp s 10%
= =
RL, de tal forma que se adopta Rp1 Rp2 0,390 (valor comercial)= 0,40.
= =
Adems, se debe calcular su disipacin (lomax / 2)2 Rp1 (1,9365 / 2)2
0,390 = 0,36563W, valor comercial 0,5 W. Es necesario recordar que cada
transistor opera durante casi medio ciclo, por lo tanto, la corriente eficaz para
esta situacin es lomax/2.
NORBERTOGUILLERMOMUIO
Clculo de la fuente de alimentacin Los del grupo 1 son los de encapsulado plstico tipo T0-92, SOT 54, los
cuales trabajan sin exigencia de disipacin de potencia; tal es el caso de los
liM'MIEI BC 547/549, los 2A98, etctera. En este grupo estadsticamente las Vcasat
estn comprendidas entre 0,2 V y 0,5 V.
=L
.izz;:
Los del grupo 2 tienen un encapsulado tipo TO 220, SOT 32, donde el co-
lector del transistor se encuentra conectado o adosado a una lmina de me-
Tl tal y el conjunto tambin posee un encapsulado plstico. Como ejemplo de
este grupo se pueden citar los transistores BD 437/438, TIP 31C, etctera.
En este grupo las Vcssat se encuentran comprendidas entre 0,5V y 1V.
0,39 Finalmente, los del grupo 3 son los de encapsulado totalmente metlico caso
TO 3. Ejemplos de estos transistores son los MJ 15001/2, 2N 3055, etctera;
o los de encapsulado tipo TIP, los cuales son hbridos; es decir, parte metli-
ca y parte plstica, como son los TIP 2955, TIP 3055, etctera. En este gru-
po las Vcssat se encuentran comprendidas entre 1 V y 2,5 V. Cabe destacar
0,39
que las vcssat se incrementan con el aumento de le.
Los transistores de salida de este primer proyecto se encuentran en el
segundo grupo, por lo tanto, se adopta la Vcssat en 1V.
T2
-=-v- 1-r5,,;te1.qJ8__ v+= Vcasatt + 16,247V = 1V + 16,247V = 17,247V
Vcc = 2v+ = 2 * 17,247V = 34,494 V
l~IIU@iJJ., , 2~1_ Vcc _ Vomax = 0 Adems, se deben tener en cuenta las consideraciones hechas para fuen-
2Jt RL 2RL . te nica. Para simplificar un poco el desarrollo partimos de lo siguiente:
. d o se t'iene que: Vomax = Vcc
y reso 1 vien n P DAV
= _1 [Jlt [(v+) Vomax sen(wt)] dwt _ Jlt [V2omax sen2(wt)] dwt ] =
2Jt o R o R
A continuacin se calcular la segunda derivada y se analizar su signo. 1
+
[V Vomax] lt
L
v 2omax lt
L
.
2Jt [[ R J0 sen(wt) dwt] - [ R J 0 sen2 (rot) dwt]]
d2 PDAV - _1_ L L
d V2omax 2 RL
La primera integral es igual a 2 y la segunda es igual a Jt/2.
Como el signo es negativo el valor hallado de Vcc!Jt corresponde a un mxi-
mo de la PoAv. Reemplazando a Vomax por vcct se tiene que: v+ Vomax V2omax
P DAV= - ---
Jt RL 4RL
V2 ce
Powmax = 2n2 RL d PDAV
Se procede de manera idntica al caso anterior: d Vomax O
Como las fuentes de alimentacin generalmente no son reguladas, pueden ..Y:_ _ Vomax = 0
estar sujetas a fluctuaciones de su valor nominal debido a uctuaclones en
Jt RL 2RL
la tensin de red domiciliaria. Por tal motivo se considerar una variacin del
10% en la misma y tambin, una tolerancia en la impedancia del parlante y resolviendo se tiene que:
del 20% por dispersin de fabricacin. Entonces se tiene que: 2 v:
Vomax= ~
(1,1 Vcc)2 (1,1 Vcc)2 (1,1 Vcc)2 (1,1 35 V)2
PoAvmax- 4n2 (O 8 R) - 40 (O 8 R) = 32R - 2560 -5,79W
' L ' L L Como se puede apreciar, y es lgico, llegamos al mismo resultado que
Pawmax = 5,79 W == 5,8 W para fuente nica dado que 2 V+ es igual a Vcc. Todo el resto del anlisis
es idntico.
b) Para el caso de fuente partida, se considera un solo transistor, ya que Es muy importante el estudio del resultado obtenido. Si calculamos para el
para el otro el resultado es idntico. = =
caso de nuestro proyecto Vomax = 35 V/Jt 35V/3,1416 11,14V; este valor
Al tener fuente partida no hay nivel de continua entre los emisores de los es el que produce la mayor disipacin de potencia por parte de los transis-
transistores de salida y masa, por lo tanto, se tiene que: tores de salida. Es de observar que con esta amplitud mxima de la tensin
de salida no se obtiene la mxima potencia eficaz de salida sobre la carga,
VCE(t) = vc-r(t) - VE-T(t) ya que este valor es de 15,SV para nuestro proyecto. En resumen, cuando
vc-r(t) = Tensin total de colector respecto de tierra el volumen del amplificador est al 72% de su valor mximo, los transisto-
res de salida disipan la mxima potencia de salida, por lo tanto, es su peor
VE-r(t) = Tensin total de emisor respecto de tierra condicin de trabajo de todas las posibilidades que se pueden presentar.
vc-r(t) = v+ Si trabajamos el amplificador a mximo volumen, se tiene la mxima poten-
cia eficaz (15W) de salida sobre la carga y, en esta condicin, los transisto-
VE-r(t) = Vomax sen(wt), de tal forma que: res de salida disipan menos potencia, es decir, trabajan con menos exigen-
vcstt) = (v+)- Vomax sen(wt) cia que para un volumen del 72%. Finalmente, se debe tener en cuenta el
1:
1
T3 Rpl
El par complementario BD 139/140 no cumple con el nivel de corriente mxi-
Vo
ma, pero hay casos como ste en que el lmite de 1,5 A no es de carcter
destructivo, sino que el transistor posee un muy bajo valor de hFE y pierde
mucha eficiencia, por lo tanto, descartamos este par complementario. El par
BD 437/438 cumple todo menos la tensin de ruptura (con una tolerancia del
25%), pero si hacemos el siguiente cociente:
35
Vcc = V= o 7777 porcentualmente 77,77 % y el lmite mximo es 75%
BVcEo 45 V ' '
La diferencia es muy pequea y prcticamente no incide en la seguridad
En el circuito de la Figura 14 se puede analizar que lc3max = lb1max + I?.
operativa de los transistores. El par BD 777/778 cumple perfectamente
Esta ltima (I?) no brinda ningn beneficio, ya que es una corriente de seal
con los requisitos y, adems, el hFE es muy elevado por tratarse de un par
que se pierde a masa, por lo que debe ser lo menor posible, esto es, lb1max
D'Arlington. Finalmente, la eleccin recae en el par complementario ms
I?. El excitador T3 funciona en clase A y en este tipo de amplificador se
econmico y, tambin, en que se lo pueda conseguir en el mercado local.
debe cumplir que leos es mayor o igual a lc3max.
El proyecto se realizar en funcin del par BD 437/438, el cual desde el
Entonces, si se adopta un valor para I? y despus se lo verifica por un m-
punto de vista didctico es ideal, ya que se harn anlisis muy importantes
durante la evolucin del proyecto que llevar a conclusiones trascendentes
todo iterativo, se llega al valor final. Se supone para empezar que I? 10% =
lb1max, I? = 1,614 mA; de tal forma que lc3max = 16,14 mA + 1,614 mA =
para considerar a futuro.
17,754 mA; de tal manera que lco3 ~ 17,754 mA, por lo tanto, en principio
... DISEO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DEAU~
~~----- /\/\~~~~~~~~~~~~~~~~------ NORBERTO GUILLERMO MUIO I
se adopta leos = 19 mA. Es probable que se tenga que aumentar este valor, Pero VcEa3 debe ser casi igual a Vcc/2, es decir, la mitad de la tensin de
pero en la medida que leos sea mayor a lc3max, el rendimiento de esta eta- fuente. Esto es lgico, ya que T3 es el excitador que debe excitar a T1 para
pa disminuye. Entonces, se concluye que se deber contemplar el perfecto el semiciclo positivo de la seal de salida y a T2 en el otro semiciclo. Dada
funcionamiento de esta etapa con el mejor rendimiento posible. esta consideracin se tiene que:
Para calcular R1, R2 y Rv1 obtenemos el circuito esttico de la Figura 15:
(R1 + R2 + Rv1) = Vcc - VcEa3 Vcc - (Vcc/2) = Vcc/2 = 17,5 V
ICQ3 leos lees 19 mA
(R1 + R2 + Rv1) = 921,05260
Para eliminar la distorsin por cruce debe existir una diferencia de potencial
-=-35V entre las bases de T1 y T2, y la misma se produce por la circulacin de leos
l a travs de Rv1.
Vsr-r - Vsz-r = lca3 Rv1
Dicha diferencia de potencial puede oscilar entre 1V y 1,5V. Tomando el
BD437 rango ms alto, esto es 1,5V = 19 mA Rv1 y despejando Rv1:
La potencia que debe disipar dicho preset es (0,019 A)2 100 O= 36,1 mW,
por lo tanto, no hay exigencias de disipacin.
Luego, R1 + R2 = 921,053 O- 78,947 O= 842,106 O.
A continuacin se tendrn en cuenta las siguientes consideraciones para
determinar los valores de R1 y R2. En el circuito dinmico de la etapa de
salida se puede observar que R1 se encuentra en paralelo con la carga, por
consiguiente, R1 debe ser mucho mayor que 8 O. Como no se deben modi-
ficar las condicionesde salida, el criterio de diseo es R1 :?: 20 RL; R1 ~ 20
8 O, es decir, R1:?: 1600. El valor comercial es de 180 O (220 O), la potencia
a disipar es de leos" 180 O= (19 mA)2 180 O= 64,98 mW y el valor comer-
cial, 1/8W o 1/4W. Ahora se despeja R2 = 842,11 O - 180 O = 662,11 O;
= =
valor comercial 680 y potencia a disipar lca32 6800 (19 mA)2 680 O =
245,48 mW-+ 1/4W. Adems, se debe considerar que R2 debe tener el valor
lo ms elevado posible, ya que por ella circula una corriente de seal que no
brinda ningn beneficio, que debe ser lo ms pequea posible; por eso se re-
Se plantea lo siguiente: curri al uso de una configuracin bootstrap o tirabotas, la cual impone una ten-
sin pequea sobre los extremos de R2, es decir, est forzando un potencial
vcc= leos (R1 + R2 + Rv1) + VcEQ3 pequeo sobre ella e igual a:
- DISEO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE AUDIO /\/V\ _ _ /\/\/\ NORBERTO GUILLERMO MUIO -
(Vsatsat + le1max Rp1) 1,2 V+ (1,9365 A 0,390) AMPLIFICADOR CON CARGA ACTIVA EN LUGAR DEL TIRABOTAS
I? = ---------= ---------=
R2 6800
?. = 1,2 V+ 0,7552 V = 2 875 mA
liiMAiil
I 6800 ' . R7
3. Pomax3_ ~ lco3 VcEo3 (es la peor condicin para un clase A) lcQ4 i lBQ3
-+
-------
Pomax3 ~ 19 mA 17,5 V= 332,5 mW T3
Pomax3 ~ 332,5 mW
R3
4. Cumpliendo con las condiciones anteriores se debe elegir el transistor de
mayor hFE.
1003 = lco3 =
19/!t = 109,195 uA
hFE3
_DISEO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE AUDIO /V'..A~----
NORBERTO GUILLERMO MUIO --
~~:t
la polarizacin de esta etapa, ya que de sta dependen las dems p~r el Se debe recordar que:
acoplamiento directo. En principio se elige el BC ?598 por ser un transistor 1
de bajo ruido y el de mayor hFE. Avf = ~ = V = 27,386
DISEO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE AUDIO IVV"--------
@W
~~---/VV\~---~~~~~==-~==:~~---------~ ---- NORBERTO GUILLERMOMUlf:JO
liiMAIPI
R7
BC559B -=-3sv
Rv2 4700 5.6kQ Vo
_l_
R6
Iao4 6.07 kQ
R6
BC 559B
-=-11.sv
_1
Rv2
1.5 kQ
Rpl
Vo
R3
R4 RL R4
-- R5
--
= =
R4 + R5 4700 + 180 4880, luego el paralelo de (R4 + RS) 11 R1 // 8 o,
es 7,540, por lo tanto, el paralelo lo domina la carga, es decir prcticamente
es8 O. '
A priori se supone que Rif es mucho mayor que R6 como se verificar pos-
teriormente, por lo cual Riaf es similar a R6.
Vo*
Por otro lado, se tiene que Vcc - Va4-r = 16 (R6 + R7)
(R6 + R?) = Vcc-Va4-r = 35 V-13,1872 V = 329 5 KO
16 66,2 uA '
Reemplazando los transistores por su modelo incremental equivalente vlido Otras hiptesis simplificativas:
para seales dbiles y frecuencias medias, en el caso de la etapa de entrad~
y para las restantes que no operen en seales dbiles por su modelo equi- R 4 hfe4 18 O
o = ro4 [1 +-~(1~8-;0::-+~hi~e4-:-+..:-=-:(1:.::.50_K_O_//_R_o_sp_)_) J; Ro4 (1,5 KO // ri3)
valente para seal:
Entonces, el paralelo de las tres queda dominado por (1,5 KO // ri3)
liiMlfZI Rosp es la resistencia de salida del preamplificador. sta tiene que ser mu-
Vi 78.94
cho menor que 150 KO, ya que el preamplificador es de aplicacin universal
hfe4 Y la resistencia de entrada de ningn amplificador es capaz de modificar su
201<: ril rol
Ib4* ro4 amplfficacin, por lo tanto, el paralelo lo domina Rosp. En los preamplificado-
res comerciales se cumple.que Rosp es menor o igual a 10 KO.
680
hfe4 18 O
Ro4 = ro4 11 + -(1-8....:...0;,;__:+_:h_:ie-=-4-=+=-R-o_s_p_) J
Vi 78.94 78.94
rol - hfe4
ro3
Ib4* ro3
l
l.SK ri3
680
680 I'?
0.33
Yo* Yo*
8
DISEO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE AUDIO IV'A'------ _____ IV\A NORBERTOGUILLERMOMUIO -
Vb1-t
!:!,. VcE1 1 Ri1 = I? + lb1
rot !:!,. lc1 = l'l gm1 _(_;_Vr-/V-1-1)-gm-1-:--= (25mVt160V)(40 lc1) - 5000 O
De la pgina 36 se obtiene que:
!:!,. VcE3 __ 1_
ro3 !:!,. lc3 - l'l gm3 (Vr/V A3) gm3 (25mV/103,6V)(40 lco3) I? = 2,7 mA e lb1 = 16,14 mA
= 5452,63 O Vb1-t = I? 6800 +(lo+ I?) RL ::::= 2,7 mA 6800 + (1,9365 A+ 2,7 mA) 80
= 17,35 V
1 _ VT _ Vr hFE1 hFE1 150 O
n - ls1 - lc1 = grnf- 40 20 mA = 187 5 Entonces:
R 11 17,35 V 9210
.3 Vr VT hFE3 hFE3
= gm3 174
=---- 228,947 o = 2,7 mA + 16,14 mA =
n = ls3 lc3 40 19 mA
La resistencia equivalente que ro1 ve en paralelo es:
VA+ Tensin de Early. Los valores de VA1 y VA3 fueron obtenidos de los lo 8 O + le1 0.33 O + I? 80
R eq 15,5138 V+ 0,639 V+ 0,0216 V
modelos del simulador Pspice. Para el Tr1 se tiene una lc1 de reposo de ::::= le1
1,9365 A
aproximadamente 20 mA para eliminar la distorsin por cruce. Esto se debe
verificar en la prctica sobre el prototipo y, de ser necesario, proceder a re- = a,352 o
calcular con el nuevo valor de la corriente de reposo que ha eliminado la dis-
Entonces, queda demostrado que no se debe considerar a ro1, ya que
torsin por cruce y el valor Rv1, con el cual se ha logrado dicho cometido. 5000 O es mucho mayor que 8,352 o.
Se supone de entrada despreciar la ro1. Luego se comprobar que sta es
mucho ms grande que la resistencia equivalente que ro1 ve en paralelo. A continuacin se calcular la transferencia:
Ri1 se puede apreciar en el circuito de la Figura 27. Vo3 _ Vo3 lb3 lb4 _ hFE3 Jb3 [(78,940 + Ri1)//ro3] hFE4~ 1,5 KO
Vi - lb3 lb4 Vi - Jb3 [(1,5 KO + ri3) jb4] -
)<1( 1
14,78KO Yf
Vi 78.94 Vbl-t
___... Vo3 _ hFE3 [(78,940 + Ri1)//ro3] hfe4 1,5 KO = A1 A2 A3
Vo4 Vo3 lbl+I? Vi - [(1,5 KO + ri3)] 14,78 KO
Se debe recordar que: Este error es el existente entre la Avf ideal (1/~) y la Avf real.
Rif = 14,78 KO * D = 14,78 KO 82,216 = 1,215 MO
~* es la Av a lazo abierto
Rof = Ro/D = {[(ro3 // Ri1) + (ri1 + 0,330)] / (1 +hFE1)} / O
Rof ={[(5452,630 // 9210) + (187,50 + 0,330)] /121} / 82,216
Vo* = 2718 37* O 746 = 2027,9 = Av
Vi ' ' Rof = [(787,9140 + 187,830)/121] I 82,216 = 0,098 o
Siempre es conveniente que la diferencia de retorno D sea lo ms grande
Luego, se calcular O= 1 + B Av= 1 + (0,036885* 2027,9) = 75,8
posible, . ya que aumenta la desensibilizacin del sistema y la Rif, y disminuye
la Rof y la distorsin.
_ Vo Av = 2027,9 = 26 7533
Avf - Vi - (1 + B Av) 75,8 ,
11
,,. T
DISEO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE AUDIO /V\A _
Aplicando el teorema estrella-tringulo con Ro3, 6800 y (ri1 + 39,930) se 3. Clculo de Cb2 1
obtiene el circuito de la Figura 31. 1
liiMAifl 1
830.35 Q
T4
Cbl
+ Vo
Rosp R6 470Q
+
180 Q 8Q
33.87 Q
(fol//6.66K) 1
1
1
!
j
1
Simplificando el circuito de la Figura 32:
l
1
ISMIUIH
-- ""---,m I
. md
hie4
hie4 1
!
1
1
1 iJ
1
11,
f
1
DISEO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE AUDIO /'\/\A~-----
2. Los otros dos capacitares, Cb1 y Cb2, se determinan planteando para 2. Clculo de Cb1
cada uno de ellos los circuitos equivalentes respectivos para baja
frecuencia y determinando la resistencia total equivalente paralelo que 1g:4a
cada uno de ellos ve entre sus terminales.
3. Como se trata de un proyecto se ha elegido una frecuencia de 9 Hz para
el capacitar ms grande (Ca). Lo anterior lo indica a priori la experien- TI
cia. En caso contrario, se llega a esta conclusin haciendo un clculo
previo. Luego, se reparte el resto de los capacitares en dos frecuencias
de 5 Hz. 680Q 0.33 Q
1. Clculo de Ca
Vo* fol
439.6kQ +
470Q
459.18 kQ 18.78 kQ
5. Clculo de Cf
1
1
1
1
1
Vripple l
1
i
1
1
!
1
1
1
M#M DISEO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE AUDIO IVv '-------
l 1 -
!
2 1
Xcf = (2n: \ Cf) ; f = frecuencia de ripple = 100 Hz Si 80 KHz/fp 1, se obtiene que: 1
~
!
Vr 1 /jwCf 1 80 KHz = 2201,88 80 KHz 1
---=
Vripple
<-
R7 + (1/jwCf) - 500 fp 18 937 = 116,274, por lo tanto fp =
' 116,274
= 688 Hz
~a capacidad de compensacin se colocar en la segunda etapa, ya que 1
Se est considerando una atenuacin de 500 veces esta es la de mayor amplificacin de las tres.
. R7 180 KO
11 + JwCf R71 = 500, por lo tanto, Xcf = = = 360,7210 CIRCUITO DINMICO EN ALTA FRECUENCIA DE LA SEGUNDA ETAPA
499 499 1
; 1 1
36 721 O= (2n: 100 Hz Cf) ; Cf = -(2_n:_1_00_H_z_3_6_0,-72_1_0_) - 4,4121 uF
.;:;;.fi:j
1
Ceo
Valor comercial 4,7 uF; 6,8 uF o 10 uF x 35 V 1
i
1
Cc3
Clculo de la capacidad de compensacin Ceo
La capacidad de compensacin tiene como finalidad asegurar la estabilidad
'
Av
_ Av = 2201,88
- ( 1 + j f I f p) ( 1 + j f I f p)
Los datos del fabricante del BC337 respecto a sus capacidades parsitas
son:
Lo que se trata de determinar es la fp, para lo cual se sabe que el !Aval
a la frecuencia de 80 KHz (la cual es dato del proyecto) es igual a: Cc3 = 5 pF
Avf = 26,781/\/'2
Esta capacidad es para una Vcso de 1 O V, pero en el proyecto actual la Vcao
Planteando la ecuacin:
=
es de 17,5 V-0,7 ~ 16,8 V, por lo tanto, se recurre a una expresin aproxi-
mada de la capacidad Cc3, la cual es igual a:
18,937 _ 2201,88
[12 + (80 KHz I fp)2]Yi Cc3 = Ce
(1 + (VCB I 0,7 V)]l/a
-- DISEO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE AUDIO /V\/'. _
~~~--/\/V\_~~--_:__~~~~N~O~RB=E~RT=O~GU=IL=LE~R=MO~M=U~IO:_millllii+~~
..
__ 12_:_,4_0_8_8_6__:_p_F __ 12,40886 pF
3116 8V
Ce v
= [1 + (16,8 I o,7 V)]l/3 2,924 cin, se presenta el circuito de la Figura 39.
Despejando
sistor. Generalmente, los fabricantes dan los datos de Rthj-a y Rthj-c. Otra
simbologa para estas resistencias trmicas es ej-a = Rthj-a; ej-c = Rthj-c.
Clculo del disipador para los transistores 80437/80438
Datos: Pgt = 5,8 W; Tjmax = 150 C; Rthj-a = 100 C/W; Rthj-c = 3,5 C/W; a
esta ltima resistencia trmica algunos fabricantes la denominan Rthj-mb.
El primer paso consiste en determinar si el transistor en cuestin necesita un
Donde Ia generacin de potencia por parte del transistor es representada
disipador, para lo cual se realiza el siguiente planteo:
por un generador de corriente, las diferencias de temperatura equivalen a
diferencias de potencial; y las resistencias trmicas, que se oponen a la La mxima potencia que puede generar y disipar el transistor sin disipador
circulacin del calor, son representadas por resistencias elctricas. es:
Cuando el transistor se pone en funcionamiento tarda un cierto tiempo hasta Pdt = Tjmax - Ta
adquirir su rgimen trmico permanente, por lo tanto, el estudio se realiza Rthj- a
para esta condicin. Tjmax y Rthj-a son datos proporcionados por el fabricante, por consiguiente,
se debe determinar la temperatura ambiente de trabajo del dispositivo; se
supone una Ta= 25C. Es importante destacar que la Pdt depende notoria-
mente de esta temperatura y, por lo tanto, de sus variaciones.
Tj Rthj-c Te Rthc-a Ta
150C- 25C
Pdt = 1 OOC/W = 1,25 W
Como se puede apreciar, sta es la mxima potencia que el transistor puede
disipar sin la necesidad de utilizar un disipador. Sin embargo, se debe tener
j Pgt Rtha-r presente que el transistor se encuentra al lmite, ya que si aumenta la tem-
peratura ambiente, este dispositivo se deteriora; porque se supera su tem-
peratura de juntura mxima. No obstante, se verifica que Pgt es mayor que
Pdt; en nmeros 5,8 W es mayor a 1,25 W, y esto determina la necesidad
de utilizar un disipador.
En la Figura 42 se presenta un nuevo circuito que contempla el uso de un di-
sipador. Esto se resume en la aparicin de dos nuevas resistencias trmicas:
En el circuito anterior ya no se tiene en cuenta la Crc, porque el estudio se Rthc-d y Rthd-a. La primera se debe al tipo de montaje utilizado para montar
realiza para el rgimen permanente. La temperatura de juntura es dato del el transistor sobre el disipador y la segunda, al disipador. Se debe recordar
fabricante, quien la brinda como la mxima temperatura (Tjmax) que puede que el uso de ste permite aumentar el rea de contacto del transistor con el
soportar el transist6r. Superada sta, el dispositivo se deteriora. Para los tran- medio ambiente, logrando una mayor transferencia de calor al mismo. Resu-
sistores. de silicio, Tjmax se encuentra entre los 150C y 200C, segn el tran- miendo, el uso del disipador permite reducir notoriamente el valor elevado de
M:M DISEO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE AUDIO IVV'------
NORBERTO GU.ILLERMO MUIO --ml!!II--
--- !
Rthj-c Te Rthc-a Ta siguiente tabla se obtendr la Rthc-d segn el tipo de montaje que se
Tj
elija. Para el siguiente proyecto se adoptar el montaje con mica y grasa 1
l
siliconada.
1
Rthc-d Rthd-a
4. Tabla para obtener la Rthc-d segn el encapsulado y el tipo de montaje .1
t Pgt Rtha-r
T0-5 0,7
T0-39 0,7
T0-59 1,5 i1
1,2 0,7 2,1
El proyecto comienza de la siguiente manera: T0-66 1,1 0,65 1,8 1,4 1~
1
1. Se adopta una temperatura Tj que debe ser menor a la especificada por TQ-90 0,5 0,3 1,15 0,9 1
slfabricante. Cuanto menor sea, ms confiable ser el comportamiento i
T0-117 2 1,7
del transistor. Para nuestro proyecto se comienza con Tj = 100C, ya que 1t
T0-126 1,4 1 2 1,5
el mximo para un proyecto permitido es de 130C.
.,r T0-152 0,8 0,5 1,4 1,2 1
!
!
2. Se calcula la resistencia trmica total: T0-202 0,8 0,5 1,4 1,2 1
Tj-Ta 100C- 25C = 12,93C/W
Rtht = Pgt T0-220 0,8 0,5 1,4 1,2
5,8W 1
SOT-32 1,4 2 1,5 !
1
-- DISEO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE AUDIO IVV\~----- _____ A/\/\ NORBERTO GUILLERMO MUIO -
Rthd-a
lx L(mm) i
B /
del perfil elegido, segn las necesidades mecnicas de montaje del encap- 1
a, /
sulado en cuestin. Esta dimensin corresponde para un solo transistor, por ~ Arandela rectangular Arandela de mica
/ //
lo tanto, el otro tendr el mismo tamao de disipador.
~ Arandela de mica Casquillo aislante
Lo que puede suceder es que se quiera montar los transistores sobre un
Ll u/
mismo disipador. En este caso, el disipador tendr el doble de longitud que Casquillo aislante Arandela plana
el calculado originalmente y el montaje se debe realizar como lo indica el 1
dibujo de la Figura 44. / / Arandela plana @//Arandelas de presin 1
<@>/ - . @/ ~ Tuercas hexagonales 1
(Q)~ Arandelas de presin @f/
@i
:J;t,-
r~ . . . . _
@....---1\tercas hexagonales Conector .
1
L:@
Conector @
.. DISEO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE AUDIO /\/\/'s.'------
NORBERTO GUILLERMO MUIO
~~---/\/\A'-~~~~~~~~~~~~~~~-
PERFIL Ul r PERFIL4
. -
u
-
. .
Este ltimo valor obtenido es menor al calculado en principio, por lo tanto, se
11111111111111111111111111111
-
1
entra a la curva del disipador respectivo, obtenindose un disipador con una
- longitud lx menor.
PERFIL U2
PERFIL5
Circuito del amplificador de potencia terminado
1111111 1111111
PERFIL3
PERFIL6 . 180K
.
lllllllljlllilllllll
I!OuF
.
+
PERFIL 7 _l35V
- Vcc
1
--
11111111111111111 r 150K +
--
220uF
0.33
Vn luF
8
0,67
~+ 0.33
15
2,2nf 8
20 0,54
30 0,45 ';',' BD438 IOOnF
40 144 0,38
+
50 180 0,34 BC337
60 216 0,32 --
l.5K
70 252 0,27
80 288 0,23
90 324 0,21
-
.....
El presente circuito fue simulado en PSPleE y se obtuvieron diferencias 8. Se visualiza con el osciloscopio la seal de salida y de entrada, verifi-
mnimas que se detallan a continuacin: cando la normalidad de las mismas. Despus, se conecta en paralelo
Rv1 de 79,40 a 670 con R5 (18 O) un capacitar electroltico de 10 uF x 16 V y se aprecia a
la salida la distorsin por cruce. La misma se corrige ajustando el preset
R3 de 1,5 KO a 1,8 KO Rv1 hasta que dicha distorsin desaparece.
R2 de 6800 a 4700
9. Luego, se desconecta el capacitar que se conect en paralelo con R5 y
De todas maneras, siempre se debe armar un prototipo y someterlo a las se visualiza en el osciloscopio la seal pico a pico sobre la salida y sobre
mediciones pertinentes. As, se puede garantizar las especifica.es tcni- la entrada. Se calcula Avf y se compara con el valor terico. i
!
cas del amplificador y su correcto funcionamiento.
10. A continuacin, se debe aumentar el nivel de la seal de excitacin un !
poco por encima del valor de la sensibilidad (similar a 1,2V pico a pico a 1
Puesta en marcha y calibracin del amplificador la entrada) para visualizar recorte en la seal de salida, luego se proce-
de a ajustar el recorte simtrico de la misma con el preset Rv2. 1
Una vez que se ha terminado de armar el prototipo del amplificador, se pro-
cede de la siguiente manera: 11. Se vuelve a ajustar la distorsin por cruce como en el punto 8 y se veri-
fica nuevamente el punto 10.
l
1. Se realiza por ltima vez, antes de las mediciones pertinentes, una ve-
rificacin ocular del conexiado de los componentes, se pone Rv1 a su 12. Despus, se excita con una seal igual a la sensibilidad y se verifica la !
menor valor y Rv2, mediante el empleo de un hmetro, se ajusta al valor seal de salida, la cual deber ser una senoidal sin ningn tipo de distor-
sin apreciable. 1
de 209 KO.
2. Se puede conectar como carga terminal un restato de laboratorio 13. Finalmente, para medir la distorsin armnica total (THD) del amplifi-
calibrado en 80. cador, se debe recurrir a la utilizacin de un analizador de espectros 1
3. Se procede a calibrar la tensin de la fuente de alimentacin de labo- conectado a la salida del amplificador, previa verificacin de la seal
ratorio. En primera instancia se lo hace en vaco mediante el uso de un proveniente del generador de seales, y hacer su anlisis de espectros.
La medicin se comienza para una frecuencia de una seal senoidal 11
voltmetro digital (sin aplicacin de excitacin de seal).
de 1 KHz y a plena potencia de salida del amplificador. Luego, se repite
4. Luego, s conecta la fuente de alimentacin, limitndole, inicialmente, 1? medicin para bajas frecuencias 100 Hz - 200 Hz de la excitacin y,
la orriente de salida. Verificando entonces que no haya sobrecarga, se finalmente, a 4 KHz - 5 KHz. Fundamentalmente, se deben medir la inci-
aumenta el nivel de limitacin de corriente y con un voltmetro digital se d~.~cia _de la segunda y tercera armnica, y aplicar la frmula del clculo 1
vuelve a ajustar la tensin de salida al valor deseado, pero con carga. de THD porcentual.
5. Se realizan las mediciones de e.e., las concernientes, en primera ins- 14. Medicin del ancho de banda
tancia, a los puntos Q de T3 y T4, y la tensin existente entre el nodo de La medicin consiste en la mensura del tiempo de establecimiento
salida y masa. y la flecha, para lo cual se requiere el siguiente instrumental:
6. Luego, se le deben conectar al amplificador, un generador de seales Un osclloscopo
y un osciloscopio. Un generador de seales
7. El generador se deber ajustar para prove~r en principio una seal Una fuente de alimentacin de laboratorio
senoidal de 1 OOmV pico a pico y frecuencia igual a 1 KHz. Un multmetro digital
Varios
1
-- DISEO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE AUDIO IV'v'-~-----
Vs
Ose
Vol
2
t1 t2 2 4
Vo1 = Vof [1 - e-(111Rc)]; pero Vo1 = 0,1 Vof y para t2 (para el 90%)
15. Medicin del tiempo de establecimiento Vo2 = Vof [1 - e-(t2tRc)]; pero Vo2 = 0,9 Vof
El efecto de las capacidades parsitas de los dispositivos activos ope- Reemplazando se tiene que:
rando en alta frecuencia se manifiesta integrando la seal de salida. Esto
se puede presentar como un amplificador ideal y una red R-C conectada 0,1 Vof = Vof [1 _ e-(111Rc)]
al mismo, de tal manera de tener el mismo efecto o fenmeno a la salida 0,9 Vof = Vof [1 _ e-(121Rc)J
del .ampllcador. Resumiendo:
Operando convenientemente se obtiene que:
Amplificador real = Amplificador ideal + red R-C
1 - Q,1 : e-(11/RC)
l.arespuesta transitoria de esta red R-C de tipo integradora al escaln
1 - 0,9: e-(12/RC)
de tensin es:
,,
Vc(t} = Vf [1 - e-(t/RC)] Dividiendo la prmera ecuacin por la segunda:
rt 09 e-(11/RC)
Entonces, se excita el amplificador bajo ensayo con una seal rectan-
gular y se aumenta la frecuencia de la misma hasta visualizar en el
,1 : e-(12/RC)
osciloscopio el fenmeno de integrar el flanco positivo de dicha seal 9: e[(t2-t1)/RCJ
de excitacin. Luego, se define el tiempo de establecimiento (te) como
el tiempo transcurrido entre el 10% de la amplitud final de la seal de In 9 = In e(12-11)1Rc1
salida y el 90% de la misma.
2,19722 = [(12 - 11) I RC]; pero (1 / RC) = Wcs
.. DISEO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE AUDIO l'VV'-~----
1
NORBERTO GUILLERMOMUII\IO -
fes= /~~e =:;;recordar que te= tiempo de establecimiento. (1 I RC) = OOci = 2 11: fci
Reemplazando convenientemente:
Esta ltima expresin es fcil de recordar y de realizar que se trata In ( Y1_ ) = T 2 11: fci
de medir este tiempo en el osciloscopio. V2 2
V2 -~
V2
T
-
o t
.>
La pendiente negativa en el semiciclo positivo se debe al fenmeno fsico
de la descarga de un capacitar. Matemticamente hablando se tiene que:
V2 = V1 [e-(t/Rc)]
asimtrico y tener alta resistencia de entrada, por lo tanto, tiene resisten- lilb'l;t.itl
cias en emisor. stas introducen realimentacin negativa localmente del
R7
tipo corriente-serie, lo que aumenta la resistencia de entrada y salida de
dicha etapa, y linealiza la transferencia de la misma. Por ltimo, debe tener
I
una excelente estabilidad de la polarizacin, ya que de sta dependen las Cfl
f
R9
subsiguientes. Se debe recordar que debe haber acoplamiento directo.
La segunda etapa es un emisor comn con Re sin puentear y con carga
activa. La resistencia de emisor tiene como objetivo introducir una pequea
DI
realimentacin negativa local tipo corriente-serie para linealizar las caracte-
rsticas de transferencia de la etapa y, adems, proveer la mayor amplifica-
cin de tensin posible. La tercera y cuarta etapa conforman un D'Arlington
de tipo seguidor emisivo, cuya funcin es presentarle una carga dinmica lo Rl5
02
R8
1Cf2 -=-v-
I
Clculo de lomax La seleccin recae en el par D'Arlington TIP 142/147, con el TIP 142 a T1 y
a T2 por el TIP 147.
Vomax 28,284 V = A
I omax= R 71071
40
L Seleccin de los excitadores
V3
V3 = lb3 Ri3, Vi3 = lb3 ri3; Ri3 = ri3 +R3(1 + hFE3)
Se debe recordar que ri3 es la resistencia dinmica de la juntura base-
emisor del transistor excitador. Tambin se debe tener presente que
=
hFE3 lb3 gm3 Vi3.
Av3 = Vo3 = -gm3 Vi3 (Ro3 // Roca4 // Ri1)
V3 V3
VA1 = VA3 = Tensin de Early, obtenidas de los modelos de Pspice igual a 100 V. A3 = {[(RL + Rp1) (1 + hFE1)] [RL / (RL + Rp1)J} / Ri1
Falta determinar el valor de R3, para lo cual se tendr en cuenta lo siguiente: En la prctica A3 ser un poco mayor a 0,8. Es mejor de este modo, porque
se cumple mejor la siguiente desigualdad:
Avf _ Voef = 20 V = 50 A1 A2 A3 ~ 5000
- S 0,4 V
Avf = Av
1 + (3 Av
= SO si (3 Av 1 + Avt==J
' 1-1
Bajo esta condicin suceder que:
A1 A2 > 6250
(3 = 1/50 = 0,02
Se puede adoptar A 1 = -1 O y A2 = -625
Cabe destacar lo siguiente:
Se debe recordar que A2 es igual a Av3, entonces:
Av Av =--(1_/(3_) _ -625 == - [(Ri1 I 2) I R3]
Avf = 1 + (3 Av = (1 + 1/(3 Av)~ Av (1 + 1/~ Av)
625 = [(6;33 KO I 2) I R3)
Ahora se debe tener en cuenta un dato del proyecto que es la THD% in ..
dicada como menor al 1 % , por lo tanto, en una primera aproximacin se Despejando:
considerar lo siguiente: R3 = 3,165 K0/625 = s.oe4 o+ 4,7 o
(1 / ~) Se debe. recordar que R4 es igual a R3.
Avf = (1 + 1 I ~ Av)
(1 I ~) =J.!!ll = (1 /~)O 990196
(1 + 1 / 101) 1,0099 ' A continuacin se debe determinar el valor de lco3.
DISEO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE AUDIO /\/'0.~----
Por lo tanto:
lcmax ~ 20mA 1 A 3A 1,SA lea? > 52,63 uA
BVCEO ~ 85,33 V 100 V 100V BOV
Se adopta tentativamente lea?= 0,9 mA. Adems, si R9 es igual a 1 2 KQ
PoAvmax ~ 300mW 30W 40W BW entonces se tiene que: ' '
hFE EL MAYOR 100 190 92
0,9 mA 1,2 KQ = 1,08 V~== 1 V= VsE3 + lco3 R3
DISEfJO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE AUDIO A-AA~---- ~---~/\/V\~ No_RB_E_~_o_GU_IL_LE_R_MO_M_u_,~-
y despreciando Rs:
lca3 + lco7 + lco9 + lref11 + lref13 =
- hfe Rd - gm Rd 10 mA + 0,9 mA + 0,9 mA+ 1,8 mA + 3,6mA = 17,2 mA
Avd == 2 hie = 2
lref11 = 2 lco7 = 1,8 mA; lref13 = 4 lco8 = 3,6 mA
Este primer clculo es tentativo. Luego, seleccionado el transistor, se verifica
con los parmetros dinmicos obtenidos de las curvas pertinentes. La cada de tensin en ellas debe ser pequea, ya que de lo contrario se
deber aumentar la magnitud de las fuentes de alimentacin, y esto va en
- [40 lca7 (mA/V)] 640,34 O - [36 (mA/V)] 640,34 O = contra del rendimiento del amplificador y de la potencia disipada por los tran-
Avd == 2 2
sistores, especialmente los de salida. Adems, ambas enconjunto con C11
- 11,526 y C12 conforman filtros pasabajos para realizar un filtrado adicional del ripple
de la fuente de alimentacin. En principio se adopta una cada de tensin de
A continuacin se seleccionarn los transistores de los amplificadores dife- 1,5 V ( puede ser 2 V), la cual se traslada a ambas fuentes de alimentacin,
renciales y fuentes de corriente. las que pasan a valer + 33,5 V y - 33,5 V. Recalculando la potencia disipada
por los transistores D'Arlington de salida, se tiene que:
_ [1,1(\f+V-)]2 (1,167V)2 (73,7V)2
Powmax= 4 n2(0,8 R1) = 40 (0,8 40) = 12a O = 42.435 W
BVCEO~ 42,665 V 45 V 45 V 20 V 40 V Aumenta un poco la potencia disipada, pero los dispositivos activos soportan
PoAvmax ~ 300mW 800 mW 300 mW 300 mW 625 mW dicho incremento. A continuacin se calcula:
1,5 V
hFE EL MAYOR 204 260 260 112 R7 = R8 17,2 mA = 87,2 O-+ 82 O (valor comercial)
Los transistores elegidos son los 8C 5478 (NPN) y 8C 5.578 (PNP) por ser PoR7 = (17,2mA)2 82 O= 242,5888 mW
de bajo ruido, no tanto como los 8C 5498 y 8C 5598, pero se necesitan
PoR7 podra ser 1/4 W, pero como est al lmite podra utilizarse 82 O 1/2 W
transistores con un valor de 8VCEO de mayor valor que el que posee el par
8C5498/5598. Ahora se verifica la Avd con los parmetros propios de los
transistores elegidos:
Clculo de la capacidad del filtro de ripple Clculo de las resistencias del circuito
de entrada de los amplificadores diferenciales
Este clculo debe cumplir con las condiciones dinmicas y estticas simul-
82Q
tneamente. En primera instancia se parte del circuito dinmico de entrada
Vor
para satisfacer la impedancia de entrada, por lo tanto, se plantea el circuito
de la Figura 57:
len +
Vio R17
--JI,- Rif
Riaf
Slo interesa que los pares diferenciales se reemplacen por sus hie respec- fb7d + lb8d = Id
tivos, por lo tanto:
Luego, por ser una etapa simtrica debe suceder lo siguiente:
lii4%itl =
R15 R16 = R18 = R19, ya que las mismas estn para igualar las respectivas
R15 hie7 hie9 R19 mallas de entrada de cada amplificador diferencial, incluso pueden llegar a
ser un poco diferentes, pero deben ser de bajo valor o de lo contrario intro-
---.. duciran una atenuacin importante. Adems, hie? es igual a hie9 y deben
R17 R23 R20 ser similares por ser transistores complementarios a hie8 igual a hie10, por
lb7d lo tanto, se tiene que:
despejando R21;
Para los transistores de los amplificadores diferenciales se tiene que los hie
para una leo= 0,9 mA son igual a 8,5 Kn y se adopta para R15 R16 = = R21 = R20 = 100 KO = 2040,81 KO
R18 = R19 = 220 O; y adems R17 = R23 = 2,2 KO. Estas ltimas tambin 49 49
intervienen en la polarizacin de las mallas de entrada de los amplificadores
diferenciales y 'en la igualacin de dichas mallas. El valor comercial que corresponde es 2, 2 KO, pero no se lograr la ampli-
ficacin requerida, ya que:
Entonces, se procede a calcular:
n
Rif = [220 + 7,5 KO + 2,2 KO + (R20 // R21)] D; pero analizando el paralelo
1= 1 + R20 = 1 + 100 KO = 46 45 50
~ R21 2,2 KO .' <
de R20 con R21 y reemplazando en la ultima expresin:
No se cumple con la Avf, por lo tanto, una alternativa es adoptar R20 igual a
R20 R21 120 KO y verificar:
Rif = [220 O + 7,5 Kn + 2,2 KO + R20 + R21 ] D;
1=1 + 120 KO = 55 55
pero [R21 / (R20 + R21)] = ~ = 0,02 ~ . 2,2 KO '
y reemplazando en la anterior: Con este valor se satisface la amplificacin Avf y, adems, es conveniente
tener un pequeo margen por encima del valor nominal de la amplificacin y
Rif = [220 O + 7,5 KO + 2,2 KO + 0,02 R20] D; tambin mejorar an ms la Riaf, es decir, tener un valor mayor al estipulado
pero adems R20 es igual a R22 por simetra de polarizacin de ambos originalmente.
amplificadores diferenciales. Se debe recordar que prcticamente R22 fija la
Riaf, en consecuencia R22 es mayor o igual a 82 KO. Se adopta R22 = R20
= 100 KO y se verifica Rif.
Clculo de las resistencias de polarizacin
Rif = [220 O+ 7,5 KO + 2,2 Kn + 0,02 100 KO] O
de los amplificadores diferenciales
A continuacin se determinarn los valores de R11, R14, 02 y Dz2, los cua-
Teniendo en cuenta que el O mnimo es 101, entonces: les sern idnticos a R12, R13, 01 y Dz1. Se debetener presente que T11
Rif = 11,92 KO 101 = 1203,92 KO = 1,20392 MO. y T12 deben operar en la regin activa. Se debe recordar que lco7 = lco9 =
0,9 mA, adems lco11 =leo?+ lca9 =1,8 mA y, por ser fuente espejo, lco13
Ahora se calcula: =
= lco11 1,8 mA. Lo mismo vale para lco8 = lco10 = o,9 mA e lco8 + lco10
Riaf = R22 // (R17 + Rif) = 100 KO // (2,2 KO + 1,20392 MO) = 92,344 KO = lca12 = 1,8 mA. Luego debe ser lca14 = lca12 por tratarse tambin de una
fuente espejo. Se plantea la siguiente ecuacin de una malla de entrada:
A continuacin se debe detarmirrar el valor de R21 para un ~ = 0,02, recor-
dando que R20 es igual a 100 KO. 33,5 V - (-33,5 V)= 111 R11 + VsEa13 + (1Ea11 + 1Ea13) R14 + Vz2 + Vo2
:i-
67 V= 111 R11 + VsE013 + (1Ea11 + 1Ea13) R14 + Vz2 + Vo2
~ = R:02: R21 = 1 + ~~~ = 50;
67 V - VsEa13 - Vo2 = 111 R11 + (IE011 + 1Ea13) R14 + Vz2
por lo tanto: 67 V - 1,4 V= 111 R11 + (1Ea11 + 1Ea13) R14 + Vz2
R20 . 65,6 V= 111 R11 + (1Ea11 + IE013) R14 + Vz2
R21 = 49
@11,w DISEO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE AUDIO /\/\/\ _
----~/\/\A N~O~RB=E~fil~O~GU=IL=LE~RM=O~M~Ul~~o~~111Mllml~
..
Se plantea la siguiente ecuacin: Si el cursor se encuentra en el extremo superior del preset, se tiene que:
33,5 V - (- 5,6 V)= 111 R11 + Vsea13 VBE __ VcE ( R6 + Rv1)
39,1 V= 111 R11 + 0,6 V+ 39,1 V - 0,6 V= 111 R11; RS + R6 + Rv1
2 . = 1 + Rv1
R6
1 = Rv1
R6
-+ Rv1 = R6
A2 = Vo4/V4 = Vo3/V3
Se adopta R6 igual a 1,5 KO, ya que la VsE minen este caso ser:
1,5 KO * 303 uA = 0,4545 V -A continuacin tambin se verificar el valor de Av la cual es igual a
Av=A1 A2A3. ,
N111M DISEO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE AUDIO /'v\/'.~----
NORBERTOGUILLERMOMUlfilO N11,W
A1 = Avd = -14,69 [Avf] = (1
1
~) = 5555 39,28
A3 = {[( R1 + Rp1 ) ( 1 + hFE1 )] [R1 I ( R1 + Rp1)] I Ri1; J2 1,4142
Retomando (recordando que A2 = Av3; A2 por ser la 2 etapa y Av3 por ser 6681,876 110 KHz
=---
el T3): 39,28 fp
= =
Entonces Av= A1 A2 A3 (-14,69)(-479,556) 0,9485 6681,876. Este valor
es mayor a los 5000 que se necesitan, por lo tanto, es ms favorable para el
presente diseo.
La amplificacin a lazo abierto considerando el polo dominante toma la forma de:
I Avf / - - ...
55.55
---- --------------------------------------------- --------------
Av-= ~1 +~2f ~(p) ; se debe determinar el valor de fp
646,647 Hz 110 KHz
Como es sabido la fcsf es dato del proyecto y la misma debe ser mayor o
igual a 100 KHz. Se intenta adoptando fcsf igual a 11 O KHz. A esta frecuen-
cia la amplificacin a lazo cerrado es igual a:
@lll:@ DISEO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE AUDIO IVV'-~----
~~~~~IVV'-~~~~~~~~-N~O~RB=E~RT~O~G~Ul=LL=ER~M~O~MU=I=0~11
.. ~1t~@-~.
El polo dominante se sita en 646,647 Hz, por lo tanto, reemplazando el
transistor por su modelo equivalente para alta frecuencia:
Cc2
Cc2 Cc4
Cc4
Roca3
Ce4
Ro8
.j
j
d
1
A continuacin se calcula la A4 (a frecuencias medias y a lazo abierto):
~~~~-/VV\~~~~~~~~~NO~R=BE~RT=O=GU=IL=LE~RM=O~M=Ul~~o~ii-.1M1.ii.
1
(1590,292 r/s) 4750 = {Ce4 + [(Cc4 + Cc2) (1 + IA41)]} Seleccin de los capacitares Cf3 y Cf4
Estos capacitares cumplen con la finalidad de sumar una pequea estabili-
dad sobre la tensin desarrollada sobre los terminales de los diodos zener.
Del manual de BD241C + Cc4 = 55 pF yfT = 3 MHz Un valor tpico para stos es de 100 uF x 35 V.
{Ce4 ~ [(Cc4 + Cc2) (1 + IA41)]} = 1,3238 uF
{Ce4 + [(Cc4 + Cc2) 1226,2358] } = 1,3238 uF
gm4 gm4 _ 40 * 10 ( mA/V) _ pF
Ce4 = --.
COr4 - Cc4 = 2 :rt ~4 11
- Cc4 - 2 :rt * 3 MHz 55
= 21,22 nF - 55 pF
Ce4 = 21,165 nF;
il! DISEO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE AUDIO IV\A~----
~~~~~IV\A~~~~~~~~~N_o_RB_E_Rr_o_GU_IL_LE_R~M_O_MU~I_o~ii
.. ~~..11
Clculo de e Calibracin del amplificador
iiMWHI En este caso se debe proceder de la siguiente manera:
1. Armar la etapa del amplificador diferencial.
120K Vo
2. Alimentar con fuentes de + 33,5 / 34V y - 33,5 / -34 V.
3. Verificar las tensiones de todos sus componentes, sobre todo las de tierra
virtual.
6. Luego se termina con la etapa de salida, una vez que se han verificado
Tomando s = j w se plantea: las polarizaciones de las etapas anteriores. Es conveniente agregar una
proteccin adicional a los transistores de salida. sta consiste en fusi-
1[2,2 KO + (1 I sC) ]I Rif + 2,2 KO) y adems, a la menor frecuencia de
bles para cada fuente que alimenta el amplificador en cuestin, como se
trabajo debe suceder que la reactancia capacitiva sea mucho menor que
muestra en el circuito final. La intensidad de corriente se determina de la
2,2 KO; por lo tanto, se tiene que Xc es mucho menor que 2,2 KO. Si se
adopta una C igual a 220 uF, la reactancia capacitiva para una frecuencia de
siguiente manera:
j
10 Hz es de 72,343 n, desigualdad que se cumple. Esto tambin depende
loefmax = lomax/\12 = 7,071 A/1,4142 = 5A
de la audicin del usuario y de la respuesta de su odo. Este capacitar es 7. Finalmente, se contina con el ajuste como se mencion anteriormente
modificable. para el otro amplificador. 1
I l.2K IN40~
l amplificador, esta inercia hace que el cono del parlante se siga moviendo.
Cuando esto sucede la bobina del parlante se desplaza por el imn (esto
tambin ocurre durante la excitacin del. parlante), generndose una fem,
la cual tiende a "volver" al amplificador, pero la misma sufre una atenuacin
IN4002 para que no perjudique la seal que genera en ese instante el amplificador.
Cuanto mayor es esta atenuacin, menor la seal (Vres) que llega al ampli-
ficador. Lo ptimo sera que esta energa reactiva fuera nula. El circuito de la
Figura 67 representa lo expuesto anteriormente y tambin se considerar la
resistencia que presenta el cable de conexin:
Lp Vo
(\; Vo +
<: Vreac
IN4002
IN4002
l.2K
4.7
I Roaf
IOOnFx 50V
Roaf
Vres = Vreac Roaf + Rcable + R
1 I.
x 50V -=-33.5-34V
L RL [ 1 + (Roaf + Rcable) / RJ
220uF
- - Vres =----1-/_Fd _
[1 + (Roaf + Rcable) I RL J
MiiM DISEO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE AUDIO
Como se puede apreciar, cuanto mayor es Fd, menor es Vres, por lo tanto,
cuanto ms grande es Fd, mejor es la calidad del amplificador. Es importante
destacar que la Rcable incide a favor para la atenuacin de Vres, pero incide
en contra, pues disipa una pequea potencia de seal que empeora el rendi-
miento del amplificador. El cable para la conexin de los parlantes al amplifi-
cador debe ser de muy buena calidad, en lo posible de la mayor cantidad de
hilos. En la prctica es muy flexible.
Nota 2:
Si se desea cumplir con el factor de damping estipulado en el presente pro-
yecto, se deber utilizar en la etapa de salida un D'Arlington discreto con el
agregado de dos resistores para disminuir la Rb1-T, ya que se debe obtener
R
la menor Roaf. Se debe recordar que el Fd es igual a _L_ y que:
Roaf