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INFORME III FUENTES DE CORRIENTE.

Mara Camila Cepeda Senz Cd.: 201111557, Jhonatan Reynaldo Gmez Pesca Cd.: 201210146
Universidad Pedaggica y Tecnolgica de Colombia

1 de octubre de 2015

mariacamila.cepeda@uptc.edu.co
jhonatan.gomez@uptc.edu.co

Resumen- Tras haber visto los conceptos necesarios en el

aula de clase, la presente gua de laboratorio propone la
realizacin de dos fuentes de corriente para cada
configuracin (tipo espejo, Widlar y Wilson). Es necesario
tener en cuenta las caractersticas principales para cada una
de las fuentes mencionadas anteriormente para la
realizacin de los diseos, as como el propio de cada
transistor (medido en prctica) ya que una de las claves para
el xito de la prctica trabajar con transistores con un valor
de igual para cada montaje.
III. PROCEDIMIENTO
NOTA
A es el ltimo dgito del primero integrante del grupo segn
orden en la lista multiplicado por 25 microamperios.
A=7*25uA=175uA
B es el ltimo dgito del segundo integrante del grupo segn
orden en la lista multiplicado por 240 en microamperios.

ndice de trminos: Fuente espejo, fuente Widlar, fuente B=6*240uA=1.44mA

Wilson.
Pruebas a realizar:
Utilizando diferentes valores de resistencias vare la carga de
I. INTRODUCCIN la fuente desde valores pequeos hasta determinar en qu
valor la fuente de corriente deja de trabajar adecuadamente.
(Mnimo 8 valores distintos de resistencias desde los ohms
Debido a la alta ganancia de los amplificadores operacionales,
hasta los cientos de kilo ohms).
usualmente es necesario realizar el diseo de fuentes de
corrientes, las cuales se trabajan con corrientes bajas y poseen
Para el informe:
resistencias equivalentes considerablemente grandes. Los tipos
de fuentes ms utilizados son: Fuente tipo Espejo (cuya
i. Escriba en el informe el procedimiento completo de diseo
corriente de salida es la que observa en la entrada del circuito,
incluyendo el anlisis matemtico y las consideraciones que se
por lo cual tiene una sensibilidad mayor) Fuente tipo Widlar, a
requieran.
la cual tiene la misma configuracin que la anterior, con la
diferencia de que se le aade una resistencia en el emisor del
ii. Realice en simulacin un barrido en la resistencia de carga
transistor de salida, y la fuente tipo Wilson, en la cual en vez
de cada fuente y concluya.
de trabajar con una segunda resistencia utiliza otro transistor
para lograr una corriente de salida ms estable. Al ser los tipos
iii. Encuentre mediante simulacin, la impedancia equivalente
de fuentes ms utilizados, son los que se implementarn en la
para cada fuente de corriente abordada en la prctica.
presente prctica de laboratorio.
iv. Reporte para cada fuente, el rango de resistencias de carga
que maneja segn simulacin y en base a los experimentos
II. OBJETIVOS reales realizados.
Disear e implementar diversas configuraciones de
fuentes de corriente y verificar su funcionamiento. Para el diseo de todas las fuentes se utiliza un voltaje de
alimentacin de 15V y se asume un valor de VBE=0.7V.
Analizar las caractersticas de las diferentes fuentes
de corriente implementadas para esta prctica. Las ecuaciones para realizar los diseos de cada una de las
fuentes han sido deducidas en el aula de clase.
 2

3.1 Fuente de corriente por espejo de corriente: Disear y

V
montar dos fuentes de corriente por espejo de corriente, para
las corrientes A y B
PARAMETERS:
FUENTE TIPO ESPEJO A R = 200K
R1 R2
15 0.7 82k {R}
1 = = 81714
175
Q1 Q2
I
Utilizando valores comerciales, R1=85K
Q2N3904 Q2N3904
La resistencia de thevenin para esta fuente es igual a:

1
= =
0
Observando la figura 1 y teniendo en cuenta la corriente de Figura 2. Esquema fuente tipo espejo con corriente A.
colector asignada, es posible obtener el valor de hoe=42mhos

Figura 3. Barrido de resistencia esquema figura 2.

Al obtener la simulacin mostrada en la figura 3, se observa

Figura 1. Curva de admitancia de salida transistor 2N3904 que el circuito tiene la corriente deseada con una resistencia de
75K. Con este valor se realiza una nueva simulacin para
A partir de esto es posible hallar el valor de RTH: comprobar los valores de las corrientes del circuito, tal y como
se observa en la figura 4.
1
= = = 238095
4.2

Con los datos obtenidos es posible realizar la simulacin del

circuito obtenido, el cual se muestra en la figura 2. Para
conocer el comportamiento del circuito es necesario realizar
un barrido en la resistencia de carga, cuya simulacin
correspondiente se puede observar en la figura 3.

Figura 3. Corrientes circuito figura 2.

 3

FUENTE TIPO ESPEJO B

15 0.7
1 = = 9930
1.44

Utilizando valores comerciales, R1=810K

La resistencia de thevenin para esta fuente es igual a:

1
= =

Observando la figura 4 y teniendo en cuenta la corriente de

colector asignada, es posible obtener el valor de hoe=12mhos

Figura 6. Barrido de resistencia esquema figura 2.

El rango de resistencias con las cuales se puede obtener la

corriente deseada en simulacin es desde 1 hasta
aproximadamente 9.1k

Al obtener la simulacin mostrada en la figura 3, se observa

que el circuito tiene la corriente deseada con una resistencia de
9K. Con este valor se realiza una nueva simulacin para
comprobar los valores de las corrientes del circuito, tal y como
se observa en la figura 7.

Figura 4. Curva de admitancia de salida transistor 2N3904

A partir de esto es posible hallar el valor de RTH:

1
= = = 83333.3
12

Con los datos obtenidos es posible realizar la simulacin del

circuito obtenido, el cual se muestra en la figura 5. Para
conocer el comportamiento del circuito es necesario realizar
un barrido en la resistencia de carga, cuya simulacin
correspondiente se puede observar en la figura 6.
Figura 7. Corrientes circuito figura 2.

3.2 Fuente de corriente Widlar:

Disear y montar dos fuentes de corriente Widlar, para las

corrientes A y B

FUENTE WIDLAR A

Para el diseo de esta fuente es necesario asumir el valor de R2

y a partir del mismo hallar la corriente de referencia.
Asumiendo una resistencia de 88 y mediante la ecuacin:
Figura 5. Esquema fuente tipo espejo con corriente B
 4

1
ln ( )
2 La resistencia de thevenin para este tipo de fuente se halla con
= 2
2 la ecuacin:
2 2
Se obtiene que el valor de corriente de referencia es316,42uA = (1 + )
2

Con el valor de la corriente de referencia es posible hallar el Donde VA=50 y corresponde al voltaje de ruptura base-
valor de R1 de la siguiente manera: colector y se encuentra en el datasheet del transistor.
Por lo tanto,
15 0.7 50 175 88
1 = = 45.19 = (1 + )
316.42 175 26

= 454945
Utilizando valores comerciales, R1=47K

Con los valores obtenidos es posible realizar un barrido de

resistencia, cuya simulacin corresponde a la figura 8. FUENTE WIDLAR B

Para el diseo de esta fuente se decide asumir el valor de la

corriente de referencia 10 veces mayor a la corriente de salida,
es decir, Iref =14.4mA.

A partir de este valor se halla R1:

15 0.7
1 = = 993
14.4

Aproximando este valor a un valor comercial, se obtiene que

R1=1K

Sabiendo que 10IO=Iref, se halla R2 de la siguiente manera

Figura 8. Barrido de resistencia fuente de corriente tipo Widlar
(A) 26 ln(10)
2 =
1.44
El rango de resistencias con las cuales se puede obtener la
corriente deseada en simulacin es desde 1 hasta 2 = 41.57
aproximadamente 3.3k
Aproximando a valores comerciales, R2=39
Observando la figura 8 se decide poner una resistencia de
carga de 1K, obteniendo los valores de corriente que se Teniendo todos los valores necesarios es posible realizar la
muestran en la figura 9. simulacin correspondiente, cuyo esquema se muestra en la
figura 10.

R1 R2
1K {R}

Q1 Q2
I

Q2N3904 Q2N3904

R5
47

0
Figura 9. Corrientes fuente tipo Widlar (A).
 5

Figura 10. Esquema fuente tipo Widlar (B) = 125106

La figura 11 muestra el resultado del barrido en la resistencia

de carga:
3.3 Fuente de corriente de Wilson:

Disear y montar dos fuentes de corriente Wilson, para las

corrientes A y B.

FUENTE WILSON A

15 2(0.7)
1 =
175

1 = 77714.3

Aproximando el valor de R1 a un valor comercial se obtiene

que R1= 75K .

Con el valor de esta resistencia es posible obtener el esquema

Figura 11. Barrido de resistencia esquema figura 10.
que se observa en la figura 13.

El rango de resistencias con las cuales se puede obtener la

corriente deseada en simulacin es desde 1 hasta V

aproximadamente 3k

Observando la figura 11 se decide poner una resistencia de

R1 R2
carga de 1K, obteniendo los valores de corriente que se
75K {R}
muestran en la figura 9.
Q2
I

Q2N3904
Q1 Q5

Q2N3904 Q2N3904

Figura 13. Esquema fuente Wilson (A)

Acto seguido, se realiza un barrido en la resistencia de carga,

cuyo resultado se observa en la figura 14.

Figura 12. Corrientes fuente tipo Widlar (B).

La resistencia de thevenin se halla de igual manera que para el

diseo anterior, por lo tanto:

50 1.44 47
= (1 + )
1.44 26
 6

FUENTE TIPO WILSON B

15 2(0.7)
1 =
1.44

1 = 9444

Aproximando a valores comerciales, se elige R1 =10k

Con este valor es posible realizar el esquema de la fuente, el

Figura 14. Barrido de resistencia esquema figura 13.
cual se observa en la figura 16.
V
El rango de resistencias con las cuales se puede obtener la
corriente deseada en simulacin es desde 1 hasta
aproximadamente 75k
R1 R2
10K {R}
Teniendo estos valores se escoge una resistencia de 56K para
obtener los valores de corriente en simulacin, los cuales se Q2
I
muestran en la figura 15.
Q2N3904
Q1 Q5

Q2N3904 Q2N3904

Figura 16. Esquema fuente tipo Wilson (A)

Despus de esto se procede a realizar un barrido en la

resistencia de carga, el cual se puede observar en la figura 17.

Figura 15. Corrientes fuente tipo Wilson.

La resistencia de thevenin para este circuito corresponde a la

ecuacin

=
2
Figura 17. Barrido de resistencia figura 16.
Teniendo en cuenta que el valor de hoe para una corriente de
175uA ya haba sido hallado anteriormente, y utilizando un El rango de resistencias con las cuales se puede obtener la
= 104 por observacin de la hoja tcnica, se obtiene que corriente deseada en simulacin es desde 1 hasta
aproximadamente 10k
104 23803
=
2 Observando este barrido se utiliza una resistencia de carga de
5K , obteniendo los valores de corriente que se muestran en
= 12.4 la figura 18.
 7

Fuente espejo A
0.000195
0.00019
0.000185
0.00018
0.000175
0.00017
0.000165
0.00016
0.000155
0.00 20000.0040000.0060000.0080000.00100000.00

Grafica 1. Valores de corriente para cada resistencia utilizada

para la medicin prctica fuente espejo A.

fuente espejo B
Figura 18. Corrientes fuente tipo Wilson B.
Voltaje (V) Corriente (I) Resistencia ()
1 14,91 0,000162 92037,04
2 14,91 0,000172 86686,05
3 14,89 0,000291 51168,38
Las tablas mostradas a continuacin muestran los resultados
obtenidos en prctica para cada una de las fuentes, as como el 4 14,86 0,000538 27620,82
rango de resistencias en las cuales la corriente de salida es 5 14,8 0,000991 14934,41
aceptable mediante la realizacin de un barrido de resistencia. 14,18
6 0,00118 12016,95
7 14,74 0,00135 10918,52
fuente espejo A 8 14,73 0,001408 10461,65
Voltaje (V) Corriente (I) Resistencia () 9 17,73 0,00144 12312,50
1 14,86 0,000161 92298,14 10 14,71 0,00152 9677,63
2 12,2 0,000168 72619,05 11 17,78 0,0021 8466,67
3 10,74 0,000171 62807,02 12 10,5 0,00229 4585,15
4 9,7 0,000177 54802,26 13 7,2 0,0025 2880,00
5 8,47 0,000178 47584,27 14 3,1 0,0028 1107,14
6 7,49 0,000177 42316,38 15 0 0,0031 0,00
7 5,32 0,000183 29071,04 Tabla 1. Resultados prcticos fuente espejo (B).
8 4,77 0,000186 25645,16
9 3,1 0,000188 16489,36 Fuente espejo B
10 1,36 0,000191 7120,42 0.0035
11 0 0,000191 0,00 0.003
Tabla 1. Resultados prcticos fuente espejo (A). 0.0025
0.002
0.0015
0.001
0.0005
0
0.00 20000.00 40000.00 60000.00 80000.00100000.00

Grafica 2. Valores de corriente para cada resistencia utilizada

para la medicin prctica fuente espejo B.
 8

fuente Wildar A Fuente Wilson A

Voltaje (V) Corriente (I) Resistencia () Voltaje (V) Corriente (I) Resistencia ()
1 0 0,000178 0,00 1 0 0,000176 0,00
2 1 0,000177 5649,72 2 0,89 0,000178 5000,00
3 2,4 0,000177 13559,32 3 1,37 0,000179 7653,63
4 3,5 0,000176 19886,36 4 2,1 0,0001795 11699,16
5 4,8 0,000176 27272,73 5 2,78 0,0001799 15453,03
6 5,3 0,000176 30113,64 6 3,37 0,00018 18722,22
7 5,9 0,000175 33714,29 7 4,32 0,00018 24000,00
8 6,7 0,000175 38285,71 8 5,24 0,0001804 29046,56
9 7,3 0,000174 41954,02 9 6,02 0,0001804 33370,29
10 8,66 0,000173 50057,80 10 7,6 0,0001805 42105,26
11 9,03 0,000172 52500,00 11 8,6 0,0001817 47330,76
12 10,3 0,000171 60233,92 12 10,4 0,0001825 56986,30
13 11,3 0,00017 66470,59 13 11,92 0,000183 65136,61
14 12,16 0,000168 72380,95 14 13 0,0001832 70960,70
15 13,8 0,000163 84662,58 15 13,69 0,0001822 75137,21
16 14,5 0,00016 90625,00 16 14,2 0,0001815 78236,91
Tabla 3. Resultados prcticos fuente Widlar (A). Tabla 4. Resultados prcticos fuente Wilson (A).

Fuente wildar A Fuente Wilson A

0.00018 0.000184
0.000175 0.000182
0.00017 0.00018
0.000165 0.000178
0.00016 0.000176
0.000155 0.000174
0.00 20000.0040000.0060000.0080000.00
100000.00 0.00 20000.0040000.0060000.0080000.00100000.00

Grafica 4. Valores de corriente para cada resistencia utilizada

Grafica 3. Valores de corriente para cada resistencia utilizada para la medicin prctica fuente Wilson A.
para la medicin prctica fuente Widlar A.
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fuente Wilson B 3. Al observar los diferentes montajes realizados, asi

Voltaje (V) como la simulacin de las mismas es posible concluir
Corriente (I) Resistencia ()
que la fuente que brinda mayor estabilidad ante un
1 0 0,00145 0,00
cambio de la resistencia de carga es la fuente de
2 2,2 0,00145 1517,24 corriente tipo Wilson.
3 7,6 0,0014 5428,57
4 9,2 0,00139 6618,71
5 10,52 0,00143 7356,64 IV. BIBLIOGRAFIA
6 12,21 0,00143 8538,46
13,24 Electrnica Anloga: Teora y laboratorios.
7 0,00139 9525,18
GUTIERREZ, Humberto.
8 14,22 0,00117 12153,85
Electrnica: Teora de Circuitos. Editorial
9 14,23 0,00102 13950,98 Prentice Hall, BOYLESTAD, Robert
10 14,23 0,00083 17144,58
11 14,28 0,00036 39666,67
12 14,29 0,00021 68047,62
13 14,29 0,00014 102071,43
Tabla 4. Resultados prcticos fuente Wilson (B).

Fuente Wilson B
0.002

0.0015

0.001

0.0005

0
0.00 20000.0040000.0060000.0080000.00
100000.00
120000.00

Grafica 4. Valores de corriente para cada resistencia utilizada

para la medicin prctica fuente Wilson B.

CONCLUSIONES

1. Es importante tener en cuenta que el valor de los

betas de los transistores utilizados para cada montaje
se asemejen cuanto sea posible, ya que de esto
depende en gran medida que el valor de corriente con
el cual se realizaron los diseos sean los obtenidos en
prctica.

2. Un pequeo cambio en el valor comercial de las

resistencias utilizadas con respecto a los obtenidos en
la realizacin del diseo de cada una de las fuentes
puede influir en gran medida en el valor de corriente
de salida.
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