Tema 8 2 V3u

Tema 8:
“Configuraciones
ELECTRONICA I- FACET- UNT

especiales con TBJ”
1
PAR DARLINGTON TEMA 8
En los temas anteriores se ha estudiado el funcionamiento del TBJ en
configuraciones clásicas. A continuación se verán configuraciones
especiales que logran características distintivas del amplificador.
Par Darlington C
 Consiste en dos transistores B C
Q1 Ic2
conectados juntos de tal forma

Ib1 B
que la corriente amplificada por el Q2 QDarlington
primero es amplificada de nuevo Ie1=Ib2 E E
por el segundo transistor. Ie2
 El par Darlington tiene una
ganancia de corriente muy alta,
tanto como 30.000.
 Los pares Darlington se venden en un encapsulado completo que
contiene los dos transistores.
 Tienen tres terminales (B, C y E) los cuales son equivalentes a los
terminales de un transistor individual estándar.
2
+VCC
 Para activar en que debe haber 0,7 V a través de
ambas las uniones base-emisor que están
vS
Q1 conectados en serie en el interior del par de
Ib1 Darlington, por lo tanto, requiere de 1.4V para
Q2
encender.
Ie1=Ib2
Ie2
 Se puede construir el par Darlington a partir de dos

RE transistores; Q1 puede ser de baja potencia, mientras
que Q2 tendrá que ser de alta potencia.
 La máxima colector de corriente Ic (max) para el par
es el mismo que Ic (máx) para Q2.
Para determinadas aplicaciones, es necesario emplear un amplificador
con elevada impedancia de entrada.
El seguidor emisivo tiene como máximo Zin≤ 500 K.
Si se desea tener impedancia mayores a 500K, hay que recurrir a otros
circuito como el denominado Par Darlington
 Observar que los dos transistores componen una pareja en que la
resistencia de entrada del segundo es la carga de emisor del
3
primero.
 Esta conexión logra la multiplicación de hfe
Aplicación: Detector de contacto táctil

 Un par Darlington tiene la
suficientemente sensibilidad como
para responder a la pequeña corriente
que pasa por la piel y que puede ser +9V

utilizado para hacer un interruptor táctil Tocar contactos 470
como se muestra en el diagrama.
 Cuando se tocan los contactos la 100K
pequeñísima corriente de base
provoca la corriente necesaria como Q1
para encender un LED. Q2
 Los dos transistores pueden ser
cualquier transistores de bajo consumo
de propósito general.
 La resistencia de 100K protege los
transistores contra el cortocircuito de
los contactos (si los contactos se unen 4
con un pedazo de alambre).

Modelo Incremental
C
B ib1 hie1 iC1
C1 C
B1

hre1vce1 hfe1ib1 roe1 B
Q1
E1 Q2
C2
ie1 E
iC2
B2 hie2
ib2
hfe2ib2 roe2
hre2vce2
ie2 E2
E
5
Modelo Incremental para calculo de hfe*

C
hie1 hfe1ib1 iC1 iC
B1 C1
Cálculo de hfe: B
ib ib1

E1 roe1 C2
ic ie1
h fe  hie2 roe2 iC2
E2
ib vce  0
B2
ib2
ie2 hfe2ib2
ie
vbe  hie ib  hre vce

ic  h fe ib  hoe vce
6
*Considerando vce=0
Cálculo de hfe: Considerando que por roe no circula corriente:
ic  ic1  ic 2  h fe1ib1  h fe 2ib 2

 ib 2  ie1  1  h fe1  ib1
ib1  ib

Reemplazando:
 ic  h fe1ib  h fe 2 1  h fe1  ib
ic   h fe1  h fe 2 1  h fe1   ib
h fe D  h fe1  h fe 2 1  h fe1 
Entonces:
Si hfe1 >100, entonces h fe D  h fe1 1  h fe 2 

7
Si hfe2 >100, entonces h fe D  h fe1.h fe 2
Modelo Incremental para calculo de hie*
C
hie1 hfe1ib1 iC1 iC
Cálculo de hie: B1 E1 C1
B
ib ib1 roe2
roe1
vbe ie1
hie  hie2 hfe2ib2

B2 E2 C2
ib vce  0 ib2
ie2 iC2
*Considerando vce=0 ie
vbe  hie1 ib1  hie 2 ib 2  hie1 ib1  hie 2 1  h fe1  ib1
vbe   hie1  hie 2 1  h fe1   .ib1
 hie1  hie 2 1  h fe1 

vbe
hie D 
8
ib1
Modelo Incremental para calculo de hoe*
Cálculo de hoe:
C
iC
iC hie1 E1 roe1 C1
hoe 
B1
B ie1 B2
ib roe2
vce ib  0
ib1 hie2
E2 hfe2ib2
C2

ib2
*Considerando ib=0 ie2 iC2
ie
E
vce  roe 2  hie 2 

ic  ib 2  h fe 2 ib 2   ib 2 1  h fe 2  
roe 2  roe 2 
vce  ib 2  roe1  hie 2 
roe 2  hie 2
1  h fe 2 
iC roe 2 9
hoe D  
vce ib  0
roe1  hie 2
Cálculo de hoe:
Considerando roe>>hie y roe1=roe2, entonces: hoe D   2  h fe 2  hoe1
Observaciones:
Los parámetros h de Q1 y Q2, normalmente no son idénticos aún en el caso
que ambos TBJ sean idénticos por que los valores de los parámetros h
dependen del punto de trabajo de Q1 y de Q2.

De las ecuaciones anteriores se puede concluir que el seguidor de emisor
Darlington tiene una impedancia de entrada mucho mayor y una ganancia de
tensión cercana a la unidad que un seguidor de emisor de una sola etapa.
La impedancia de salida del circuito Darlington puede ser el doble de la Zout
de un solo TBJ.
El mayor inconveniente de la pareja de transistores Darlington es que la
corriente de fuga del primer transistor es amplificada por el segundo. Debido a
esto, en la práctica no se puede emplear un montaje Darlington con tres o
más transistores.
. La ventaja de este par consiste en el valor total muy grande de hfe,. En la 10
práctica pueden encontrarse pares Darlington integrados con una hfe de hasta
30.000
PAR DARLINGTON- RESUMEN TEMA 8
En la resolución de circuitos se puede reemplazar el par por un único
transistor con los valores de los parámetros equivalentes
+VCC
+VCC
Ic
vS
Q1 Es equivalente a vS
Ib1 Q1

Q2 Ib
Ie1=Ib2 RE
Ie2 Ie
RE
hie1 ; hie 2 hie D  hie1  hie 2 1  h fe1 
h fe1 ; h fe 2 h fe D  h fe1  h fe 2 1  h fe1 
hoe hoe D   2  h fe 2  hoe1 11

PAR DARLINGTON: EJEMPLO TEMA 8
R1 R4 VCC
Considerando hfe1=100, hfe2=5 Vcc = 15V y Vbe = 0,6V: CS
a) a) Ganancia de tensión Q1
VO
b) Impedancia de entrada Q2
Vs
c) Impedancia de salida R2 R3
Existen dos formas de resolver el problema:

1) Reemplazar el par Darlington por su equivalente.

2) Trabajar como dos TBJ.
Reemplazando al par por sus parámetros equivalentes:
h fe  h fe1 1  h fe 2 
R1 VCC
R4
CS
Q VO
hie  hie1  hie 2 h fe1

Vs
R2 R3
hoe  2  h fe2 hoe1 12

B iB
C
iC vo Cálculo de la Ganancia de Tensión
RC  roe
iS hie hfe ib
Considerando:
1/hoe h fe RC
vS RA RC
AV  
hie  1  h fe  RE
RB
E
RE
h fe  h fe1 1  h fe 2   100(1  5)  600

Zi TBJ Zo TBJ Zo etapa
Zi etapa
RC
AV  
RE
Cálculo de la impedancia de entrada
vS
Zin 
is
vS vS  1 1 
is    vS   
RA / / RB hie  1  h fe  RE  RA / / RB hie  1  h fe  RE 
 
Zin  RA / / RB / /  hie  1  h fe  RE   RA / / RB / /  h fe1 1  h fe 2  RE 

13
B iB
C vo Cálculo de la Impedancia de Salida
RC  roe
iS hie hfe ib icc
Considerando:
RC
vS RA RB
E
vo vacio
RE
Z out 
iCC

RC VS
Vo vacio   VS iCC  h feib  h fe
RE hie  h fe RE
RC

RC  hie  h fe RE 
VS
RE RC h fe RE
Z out     RC
h feVS h fe RE h fe RE

hie  h fe RE
14
Verificar los resultados obtenidos aplicando el método 2.

Par Szikla También llamado Darlington complementario.

+VCC Se puede demostrar que la ganancia de corriente es
aproximadamente igual a la del par Darlington.
vS
Q1 Una ventaja de este par es que necesita menos
Ib1
Q2 tensión para conducir

ie 2 1  h fe 2  ib 2 1  h fe 2  h fe1ib1
IC1=Ib2
Ie2
RE AI   
ib1 ib1 ib1
ve 2 AI  1  h fe 2  h fe1
AV 
vs
vs   ib1 hie1
ve 2  ie 2 RE  1  h fe 2  ib 2 RE  1  h fe 2  ic1 RE  1  h fe 2  h fe1ib1RE
AV   1  h fe 2  h fe1.
15
RE
hie1
Un amplificador con RC=1K
Aplicación:
debe excitar un parlante de 8.
+VCC
Salvo que Q1 sea un TBJ de
RC RA
potencia, es probable que la
vO corriente colector de Q1, sea

CS chica para mover el parlante RL.
Q2
vS
Q1 Q3 También ocurre que al ponerse en
RA paralelo RL con Rc, prácticamente
RE1 RE RL pone a masa el colector de Q1.
Como esto no es aceptable, se

pone un circuito adaptador o
“Buffer”
Zin  RA // RB //  hie  h fe RE 
16
Zin  RA // RB //  hie1  hie 2 1  h fe1   h fe1h fe 2 RE 
El problema de la polarización del par Darlington

Al estudiar la pareja de transistores Darlington se resaltó el elevado valor de la
impedancia de entrada. En cambio, se simplificó el problema al no tener en
cuenta el circuito de polarización utilizado.
+VCC

En la fig. se muestra una red de polarización típica
formada por las resistencias RA, RB Y RE
Zin  RA / / RB / /  hie D  h fe D RE 
RA
vS
QDarligton
RB
Ib1
Zin  RA / / RB / /  hie1  hie 2 1  h fe1   h fe1h fe 2 RE 
RE Ie2
Zin  RA / / RB
La Zin de esta etapa se ve disminuida debido a la red de polarización!!.
Para solucionar el problema ocasionado por la disminución de la resistencia 17

de entrada, debida a la red de polarización se modifica el circuito de entrada
agregando un condensador C'
CIRCUITO BOOSTRAP TEMA 8
RA +VCC El condensador C´ se coloca entre el emisor

cS y la unión de las resistencias RA y RB.
vS
QDarligton
El valor de C´ debe ser lo suficientemente
Ib1 grande con el fin de que sea un cortocircuito
RD Ie2
para las bajas frecuencias que se consideren.
vO
Para la alterna, RD está conectado entre la

RB C´ RE entrada y la salida.
Aplicando Miller se puede calcular la
corriente que atraviesa RD
RD
RD
M1
Av.RD
M2  RD
R
V1 K=V2/V1 V2
1  Av R
Av  1
Entonces, la red de polarización formada por
RA, RB y RD representa una resistencia efectiva
V1 V2
de entrada es:
RD V2 K .RD
K  AV 
1 K V1 K 1 RD 18
R ef in 
1  Av
CIRCUTITO BOOSTRAP TEMA 8
RD Para el seguidor emisivo la AV1, entonces Ref in es muy

R ef in  grande. Por ejemplo, si Av = 0,995 y RD = 100K,
1  Av entonces Ref in = 20 M

Observar:
La corriente de reposo de base atraviesa RD, y por ende es probable que
el límite superior de RD sea de unos pocos cientos de kilo ohms.
El efecto, descrito cuando AV→+1, se denomina "Bootstraping”, debido a
que si un extremo de la resistencia RD cambia de tensión, el otro extremo
varía también en la misma cantidad, como si "aumentara su propio valor
tirando de sí misma".
Se puede demostrar que, la resistencia de entrada del amplificador en
AC dada por: h
R in  ie
1  Av 19
Esta expresión muestra que sobre hie también está el mismo efecto.
CIRCUITO CASCODE TEMA 8
La configuración cascode consiste en

una etapa emisor común que tiene como
Ic1=Ie2 carga una etapa base común.
vS RS cS RL Esta circuito se comporta como una
Q1 etapa emisor común realimentada, con
Ib1
hre despreciable y con un conductancia

de salida muy pequeña.
La reducción de la “realimentación inversa interna” (hre), hace que el
circuito cascode sea ideal para aplicaciones en circuitos sintonizados
de alta frecuencia, ya que al mejorar la estabilidad del amplificador
elimina posibles oscilaciones
Modelo incremental
ib1 iC1 ib2 iC2

hie1 C1 hie2 C2 vO
B2
vS B1
hre1vce1 hfe1ib1 roe1 hre2vce2 hfe2ib2 roe2
E1 E2 RL
ie1 ie2 20
Modelo incremental Redibujado
ib1 hie1 iC1 vO
vS C1 E2 hfe2ib2 C2
B1
hie2 roe2
hfe1ib1 ib2
hre1vce1 RL
roe1
hre2vce2
ie1

E1 B2
vbe
Cálculo de hie: hie 
ib vce 2  0
Modelo incremental para el calculo de hie
ib1 hie1 iC1 vO

vS C1 E2 hfe2ib2 C2
B1
hie2 roe2
hfe1ib1 ib2
hre1vce1
roe1 21
ie1
E1 B2
 h fe1 ib1  h fe2 ib 2 

 roe 
vce1 // hie1 
 2 
 vce1 
vce1  h fe  ib1  ib 2 hie  h fe  ib1  hie
 hie 

vce1  h fe ib1hie  h fevce1
h fe ib1hie
vce1   ib1hie
1  h fe
vs  h fe1 ib1  hre vce1  h fe1 ib1  hre hie1 ib1
vs  h fe1  hre hie1  ib1
vbe 22
hie   hie (1  hre )  hie
ib vce 2  0
Cálculo de hfe: Modelo incremental para el calculo de hfe

ib1 hie1 iC1 vO
vS C1 E2 hfe2ib2 C2
ic 2
h fe 
B1
hie2 roe2
ib2
ib1 vce 2  0 hre1vce1
hfe1ib1
roe1
ie1
E1 B2

h fe ib 2 roe  h fe ib1  roe / / hie  h fe ib 2 roe  h fe ib1hie
ic1  
roe   roe / / hie  roe
vce1
ib 2   ib1
hie
h fe ib1 roe  h fe ib1hie h fe roe  h fe hie
h feT  
ib1.roe roe
23
hie
h feT  h fe  h fe
roe
ESPEJO DE CORRIENTE TEMA 8
VCC
IRef
R
IC2 Es
IC1

equivalente
a: IC2=IRef
Q1 Q2
IB1 IB2
 Circuito que actúa como una fuente de corriente cuyo valor es un reflejo
de la corriente que pasa por una resistencia de polarización y un diodo.
 Proporciona una corriente constante y se utiliza principalmente en la
polarización de circuitos integrados.
 Se necesitan transistores con idénticas caídas de tensión base-emisor e
24
igual valor de .
 Las bases de ambos transistores están conectadas a un mismo punto
ESPEJO DE CORRIENTE TEMA 8
VCC  Las corrientes de los dos colectores
IRef son iguales
R  Dado que VBE1=VBE2  . IB1 = IB2 = IB
 IC1 = IC2 = IB
IC2
IC1  Por Kirchhoff

Q1 Q2  2
IB1 IB2 I Ref  I B1  I B 2  I C1  I C1 1  
 
I Ref
I C1  I C 2   I Ref
2
1

 Debido a que Ic1=Ic2 el circuito se llama espejo de corriente.

 La corriente de referencia es igual a:
VCC  VBE
I Ref  25
R
AMPLIFICADOR DIFERENCIAL TEMA 8
VCC  Circuito pensado para amplificar
la diferencia de dos señales.
 Tiene dos entradas separadas,
R1 RC vod RC R1
- + dos salidas separadas y
IC1 + + IC2 emisores conectados juntos.
vo1 vo2

Q1 Q2
 La salida es proporcional a la
diferencia entre sus dos entradas
(VS1 y VS2)
R2 R2
IE RE  La salida puede ser diferencial o
vs1 vs2
no pero, en ambos casos,
referida a masa
 Conformado por dos transistores
Etapa de entrada típica de la mayoría de bipolares en configuración
los Amp Op y comparadores emisor común que se hallan
La simetría le confiere características muy acoplados por el emisor
especiales de análisis y diseño. Por ello, los
transistores Q1 y Q2 deben ser idénticos, 26
aspecto que únicamente se logra cuando el
circuito está fabricado en un chip.
 La salida es proporcional a la
diferencia entre sus dos
entradas (VS1 y VS2)
 La salida puede ser diferencial VCC
o no pero, en ambos casos,

referida a masa
R1 RC vod RC R1
 Suele construirse con dos - +
transistores que comparten la IC1 + +
vo1 vo2
IC2
misma conexión de emisor Q1 Q2
 Las entradas son por las
bases de los transistores R2 R2
IE RE
mientras que las salidas se vs1 vs2
toman por los colectores
 Se puede duplicar la ganancia
del par con un espejo de 27
corriente entre los dos
colectores
AMPLIFICADOR DIFERENCIAL: POLARIZACIÓN TEMA 8
Análisis en continua
suponiendo que hFE>>1, entonces: VCC  IC1RC  VCE1   I E1  I E 2  RE
La simetría del circuito y el hecho de que Q1 y Q2 son transistores

idénticos hace que IE1=IE2=IE de forma que

IC [mA]
1
m
RC  2 RE
VCC  I C1 RC  VCE1  2 I E1RE VCC
RC  2 RE
VCC  I C1  RC  2 RE   VCE1
VCC  VCE1
I C1  I BQ
RC  2 RE I CQ
VCE [V]
VCQ VCC
En este caso, la máxima amplitud de 28
salida se consigue cuando VCEQ=VCC/2.

AMPLIFICADOR DIFERENCIAL: MODOS DE OPERACIÓN TEMA 8
VCC Entrada y salida simétricas: Es la

forma más típica de un amplificador
diferencial; tiene dos entrada vS1 y
R1 vS2. La tensión de salida se obtiene
RC vod RC R1
- + de la diferencia entre las salidas de
IC1 + + IC2 los colectores, Vod.
vo1 vo2

Q1 Q2 Entrada asimétrica y salida
simétrica: La señal ingresa por uno
R2
de los terminales de entrada con la
R2
IE RE otra conectada a tierra, mientras que
vs1 vs2 la salida se obtiene entre los
colectores de los dos transistores
del circuito Vod
Entrada simétrica y salida asimétrica: Esta es la forma más practica y

utilizada porque puede excitar cargas asimétricas o de un solo terminal como
lo hacen los amplificadores EC, emisor seguidor y otros Esta etapa es la que
se usa como etapa de entrada de la mayor parte de los Amp. Op comerciales.
Presenta dos entradas de señal para las bases de cada transistor mientras 29
que la salida se obtiene únicamente de uno de los colectores respecto a
masa
AMP.DIFERENCIAL: MODOS DE OPERACIÓN TEMA 8
 Modo Diferencial: Para VS1=VS2 y suponiendo f>>1, las corrientes de

colector y emisor de cada etapa son iguales. Todas estas corrientes
tienen magnitudes iguales (aproximadamente) a IEE/2 debido a la
simetría del circuito y a la despreciable corriente que circula por RE. Si
se incrementa VS1 en v/2 y simultáneamente disminuimos VS2 en v/2, la

señal de salida aumenta en v. Advertir que el circuito funciona en modo
lineal mientras v<4VT.
 Modo Común: Consideremos que las dos tensiones VS1 y VS2
aumentan en v/2. La tensión diferencial Vd permanece nula mientras que
Ic1 e Ic2 son iguales. No obstante la tensión VE aumenta.
Por lo tanto dependiendo de la señal de entrada, el amplificador diferencial

actúa o bien como etapa en emisor común o bien como etapa en emisor
común con resistencia de emisor. Por lo tanto la ganancia de esta etapa es
notablemente mayor en el funcionamiento como modo diferencial que
como modo común. Normalmente los amplificadores diferenciales se
30
diseñan de forma que a efectos prácticos sólo resulten amplificadas las
señales diferenciales.
Calculo de Av, Zin
Para el análisis se aplica Superposición:
VCC
1) Se anula VS2:
 La segunda etapa (Q2) es un base
común que carga a la primera etapa.

RC vod RC R1
- +
IC1 + + IC2  Se puede reemplazar el base a masa
vo1 vo2
por su Zin.
Q1 Q2
R2 R2
vs1 IE RE VCC
R1 RC
IC1 +
vo1
  Q1
-
 
r  RC   hie
Z in BC  hie //  oe R2
 h fe roe  h fe RE ZinBC
 1 h
vs1 31

 ie 
VCC
B C vo1 RC
iS iB1 iC IC1 +
hfe ib vo1
hie
Q1
E
R1//R2
vS1 RC R2

RE ZinBC vs1
RE ZinBC
vs1  ib1 hie  ib1 1  h fe 

RE hie
 ib1  hie  hie   2ib1hie
RE h fe  hie
h fe RC
vO1   ib1 h fe RC  vO1   vs1
2hie
vO1 h fe RC
Av1    32
vs1 2hie
h fe RC
Por simetría: vO 2   vs 2
hie
h fe RC
Por lo tanto. vO  vO 2  vO1   vs1  vs 2 
hie

Si llamamos vd a la tensión diferencia: vd  vs 2  vs1
Se define la ganancia diferencial como:
vO h fe RC
Ad  
vd hie
33
POLARIZACIÓN POR ESPEJO DE CORRIENTE TEMA 8
VCC
 La polarización por espejo de corriente se
VCC
basa en que la corriente de base es mucho
R más pequeña que la corriente que circula
por la resistencia R y por el diodo.
R IC Q1 Entonces, la corriente por la resistencia y
IR por el diodo son prácticamente iguales.
IB

Q1 Si IB<<IR entonces IR=ID
ID Q2  Si la curva del diodo fuese idéntica a la
IE
curva de VBE del transistor, entonces:
Id=IE la corriente del diodo sería igual a la
corriente de emisor
 Como IE=IC , entonces la corriente del colector es aproximadamente
igual a la corriente que circula a través de la resistencia de
polarización R, o sea IC=IR
 Este circuito es muy importante, ya que significa que se pude fijar la
corriente de colector al controlar la corriente de la resistencia R. El 34
circuito se comporta entonces como un espejo, la corriente de la
resistencia R se refleja en el colector del transistor.

Tema 8 2 V3u

Cargado por

Información del documento

Descripción original:

Título original

Derechos de autor

Formatos disponibles

Compartir este documento

Compartir o incrustar documentos

Opciones para compartir

¿Le pareció útil este documento?

¿Este contenido es inapropiado?

Copyright:

Formatos disponibles

Tema 8 2 V3u

Cargado por

Copyright:

Formatos disponibles

Tema 8:

ELECTRONICA I- FACET- UNT

ELECTRONICA I- FACET- UNT

ELECTRONICA I- FACET- UNT

Aplicación: Detector de contacto táctil

ELECTRONICA I- FACET- UNT

con un pedazo de alambre).

ELECTRONICA I- FACET- UNT

Modelo Incremental para calculo de hfe*

ELECTRONICA I- FACET- UNT

vbe  hie ib  hre vce

ic  ic1  ic 2  h fe1ib1  h fe 2ib 2

ELECTRONICA I- FACET- UNT

Si hfe1 >100, entonces h fe D  h fe1 1  h fe 2 

ELECTRONICA I- FACET- UNT

vbe  hie1 ib1  hie 2 ib 2  hie1 ib1  hie 2 1  h fe1  ib1

vbe   hie1  hie 2 1  h fe1   .ib1

 hie1  hie 2 1  h fe1 

ELECTRONICA I- FACET- UNT

vce  roe 2  hie 2 

ELECTRONICA I- FACET- UNT

ELECTRONICA I- FACET- UNT

hie1 ; hie 2 hie D  hie1  hie 2 1  h fe1 

h fe1 ; h fe 2 h fe D  h fe1  h fe 2 1  h fe1 

hoe hoe D   2  h fe 2  hoe1 11

Existen dos formas de resolver el problema:

ELECTRONICA I- FACET- UNT

Reemplazando al par por sus parámetros equivalentes:

hie  hie1  hie 2 h fe1

hoe  2  h fe2 hoe1 12

ELECTRONICA I- FACET- UNT

Zin  RA / / RB / /  hie  1  h fe  RE   RA / / RB / /  h fe1 1  h fe 2  RE 

ELECTRONICA I- FACET- UNT

Verificar los resultados obtenidos aplicando el método 2.

Par Szikla También llamado Darlington complementario.

ELECTRONICA I- FACET- UNT

ELECTRONICA I- FACET- UNT

Como esto no es aceptable, se

El problema de la polarización del par Darlington

ELECTRONICA I- FACET- UNT

La Zin de esta etapa se ve disminuida debido a la red de polarización!!.

Para solucionar el problema ocasionado por la disminución de la resistencia 17

RA +VCC El condensador C´ se coloca entre el emisor

ELECTRONICA I- FACET- UNT

RD Para el seguidor emisivo la AV1, entonces Ref in es muy

ELECTRONICA I- FACET- UNT

La configuración cascode consiste en

ELECTRONICA I- FACET- UNT

ib1 iC1 ib2 iC2

ELECTRONICA I- FACET- UNT

Modelo incremental para el calculo de hie

ib1 hie1 iC1 vO

 h fe1 ib1  h fe2 ib 2 

ELECTRONICA I- FACET- UNT

Cálculo de hfe: Modelo incremental para el calculo de hfe

ELECTRONICA I- FACET- UNT

ELECTRONICA I- FACET- UNT

ELECTRONICA I- FACET- UNT

 Debido a que Ic1=Ic2 el circuito se llama espejo de corriente.

ELECTRONICA I- FACET- UNT

o no pero, en ambos casos,

ELECTRONICA I- FACET- UNT