Application note RT-ATCP-01

Cermicas piezoelctricas:
funcionamiento y propiedades
ATCP Engenharia Fsica
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So Carlos - Brasil

Autor: Antnio Henrique Alves Pereira (Pereira A.H.A.)

[Revisado y publicado online en 1 marzo de 2010]
 Cermicas Piezoelctricas: funcionamiento y propiedades RT-ATCP-01

INTRODUCCIN
En cualquier escala de frecuencia o potencia, el elemento activo y ncleo de la mayora de los
transductores ultrasnicos es piezoelctrico, pudiendo ser clasificados en uno de los siguientes grupos [1]:
cermicas piezoelctricas,
cristales de cuarzo,
compuestos piezoelctricos,
cristales hidrosolubles,
monocristales piezoelctricos,
semiconductores piezoelctricos, y
polmeros piezoelctricos;

Lo que torna fundamental el conocimiento de las propiedades y del comportamiento electro-

mecnico de estos materiales para toda empresa y profesional que trabaje con ultrasonido. Entre estos
grupos, el de las Cermicas Piezoelctricas es el que presenta la mayor flexibilidad de formato y de
propiedades, siendo largamente utilizadas en la fabricacin de equipamientos ultrasnicos de potencia, de
ensayos no destructivos y de actuadores. Los materiales piezoelctricos tambin son utilizados en
detonadores de impacto, generadores de chispas (magic clicks), nebulizadores, actuadores,
posicionadores, transformadores y en diversas aplicaciones donde el efecto piezoelctrico es til.
El objetivo de este application note es posibilitar una visin general de los materiales
piezoelctricos, en especial de las cermicas piezoelctricas, con la visn de facilitar la utilizacin de
estos materiales mediante la comprensin de sus propiedades y caractersticas por parte de los clientes de
la ATCP Engenharia Fsica.

HISTRIA
El efecto piezoelctrico fue descubierto en 1880 por los hermanos Curie y utilizado en una
aplicacin prctica por primera vez por Paul Langevin en la fabricacin de sonares durante la primera
guerra mundial. Langevin utiliz cristales de cuarzo acoplados a masas metlicas (inventado o transductor
tipo Langevin) para generar ultrasonido en la faja de las decenas de kHz. Despus de la primera guerra
mundial, debido a la dificultad de excitar transductores construidos con cristales de cuarzo ya que
demandaban generadores de alta tensin, se inicio la bsqueda de materiales piezoelctricos sintticos.
Estos esfuerzos llevaron al descubrimiento y perfeccionamiento, durante las dcadas del 40 y 50, de las
cermicas piezoelctricas de Titanato de Bario por la entonces URSS y Japn, y de las cermicas
piezoelctricas de Titanato Zirconato de Plomo (PZTs) por los EUA [2,3].
El desarrollo de las cermicas piezoelctricas fue revolucionario. Los nuevos materiales adems
de presentar mejores propiedades que los cristales despus de polarizados, tambin permiten geometras
y dimensiones flexibles por ser fabricadas a travs de sinterizacin de polvos cermicos y conformados
va prensado o extrusin. Actualmente las cermicas piezoelctricas tipo PZT, en sus diversas
variaciones, son las cermicas predominantes en el mercado. Tambin podemos encontrar otros
materiales, como por ejemplo el PT (PbTiO3) y el PMN (Pb(Mg1/3Nb2/3)O3), utilizados en dispositivos
que exigen propiedades especiales y muy especficas, como transductores para alta temperatura.

QU SON Y CMO FUNCIONAN?

Las cermicas piezoelctricas son cuerpos macizos semejantes a los utilizados en aislantes
elctricos, ver Fig. 1; son constituidas de innumerables cristales ferroelctricos microscpicos, siendo
inclusive denominadas como policristalinas.

Figura 1 Ejemplos de cermicas piezoelctricas. De izquierda a derecha: disco para equipamientos de

ultrasonido para fisioterapia, tubo para sonares y anillo para mquinas de soldadura por ultrasonido.

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Particularmente en las cermicas tipo PZT, estos pequeos cristales poseen estructura cristalina
tipo Perovskita, que presenta simetra tetragonal, rombodrica o cbica simples, dependiendo de la
temperatura en que el material se encuentra, ver Fig. 2. Estando bajo una determinada temperatura crtica,
conocida como temperatura de Curie, la estructura Perovskita presenta la simetra tetragonal en que el
centro de simetra de las cargas elctricas positivas no coincide con el centro de simetra de las cargas
negativas, dando origen a un dipolo elctrico, como se ilustrado en el primer elemento de la Fig. 2.

Figura 2 - Estructura Perovskita de las cermicas piezoelctricas tipo PZT: 1) Debajo de la temperatura
de Curie. 2) Por encima de la temperatura de Curie.
La existencia de este dipolo provoca que la estructura cristalina se deforme en presencia de un
campo elctrico generndose un dislocamiento elctrico cuando sometida a una deformacin mecnica, lo
que caracteriza a los efectos piezoelctricos inverso y directo respectivamente. La deformacin mecnica
o la variacin del dipolo elctrico de la estructura cristalina de la cermica no implican necesariamente la
presencia de efectos macroscpicos, visto que los dipolos se arreglan en dominios, que a su vez se
distribuyen aleatoriamente en el material policristalino. Para que ocurran manifestaciones macroscpicas
es necesaria una orientacin preferencial de estos dominios, conocida como polarizacin1. Inclusive esta
polarizacin desaparece con el tiempo y uso, inutilizando el material para la transformacin de energa
elctrica en mecnica [4,5].
En los sistemas de soldadura y limpieza por ultrasonido, por ejemplo, es utilizado el efecto
piezoelctrico inverso mediante la aplicacin de un campo elctrico alternado en una cermica
piezoelctrica debidamente polarizada. Durante el proceso ocurre la transduccin de una parte
considerable de la energa de la excitacin elctrica en energa mecnica, a travs de la deformacin de la
cermica y consecuente generacin de ultrasonido, ver Fig. 3.

Figura 3- Efecto piezoelctrico inverso en un bastn de cermica piezoelctrica polarizado: Si se aplica

un campo elctrico en concordancia con la polarizacin de la cermica se produce un alargamiento de
la pieza; aplicando un campo con polaridad invertida la muestra se contrae.

PRINCIPALES CONSTANTES
En slidos ordinarios, el dislocamiento elctrico puede ser considerado una funcin exclusiva del
vector campo elctrico (E) y de las constantes dielctricas (); y la deformacin mecnica (S) una funcin

1
En el proceso de polarizacin el cuerpo cermico recebe electrodos en un par de caras paralelas a travs de las cuales se somete al
material calentado a un campo elctrico con intensidad prxima al lmite de ruptura dielctrica, induciendo una polarizacin
macroscpica remanente despus de este proceso.

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exclusiva de las tensiones mecnicas (T) y las constantes elsticas (s), como se presenta en notacin
matricial en las ecuaciones:
D m = mk
S
Ek
(1).
S i = s ij T j
E

En los materiales piezoelctricos ocurre un acoplamiento de las variables mecnicas y elctricas:

al mismo tiempo en que la deformacin depende de las tensiones mecnicas, ella tambin depende del
campo elctrico, y al mismo tiempo en que el dislocamiento elctrico depende del campo, el tambin
depende de la deformacin mecnica. Podemos visualizar mejor este acoplamiento en la ecuacin
(tambin escrita en notacin matricial [6]):
Dm = emi S i+ mk
S
Ek
(2).
Si = sij T j + d mi Em
E

Existe un conjunto de coeficientes (e y d) que son utilizados para caracterizar os materiales

piezoelctricos, y particularmente nuestro foco de inters, las cermicas piezoelctricas. A travs de estos
coeficientes y constantes podemos tener una idea del desempeo piezoelctrico y para qu tipo de
aplicaciones este o aquel material es ms adecuado [7].

Coeficientes de acoplamiento k
Pudiendo ser definidos y calculados de diversas formas, los coeficientes de acoplamiento k
pueden ser interpretados como el rendimiento del material al absorber a energa elctrica suministrada por
la fuente de excitacin.

Constantes piezoelctricas d
Las constantes piezoelctricas d establecen una proporcionalidad entre la generacin de cargas y
la tensione mecnica aplicada (efecto piezoelctrico directo) y entre la deformacin y el campo elctrico
aplicado (efecto piezoelctrico inverso). En las ecuaciones 3-A e 3-B tenemos la definicin diferencial de
las constantes d a temperatura y campo elctrico constante. Podemos comparar el carcter piezoelctrico
de diferentes materiales a travs de las constantes d, siendo especialmente relevantes en la proyeccin de
actuadores y posicionadores.

D
d nij = n (C/N) (3-A),
Tij E ,
S ij
d nij = (m/V) (3-B).
E n T ,

Constantes dielctricas K
Las constantes dielctricas establecen una proporcionalidad entre el dislocamiento elctrico y el
campo elctrico aplicado. En la ecuacin 4 podemos ver la definicin diferencial de la permisividad
dielctrica a temperatura y campo elctrico constante, siendo K=/0.
Dn
nmT , = 2 2
(C /Nm ) (4).
E
m T ,
Las constantes dielctricas son importantes porque determinan la capacitancia de la cermica
piezoelctrica, que a su vez es determinante en el clculo y proyeccin de los circuitos casadores de
impedancia.

Constantes piezoelctricas g
Definidas como la razn entre las constantes d y, correlacionan la respuesta en tensin elctrica
del material a una tensin mecnica aplicada (de dimensin Vm/N), siendo especialmente relevantes en la
proyeccin de sensores.

Constantes elsticas s
Las constantes elsticas s establecen una proporcionalidad entre la deformacin y la tensin
aplicada. Son las constantes de muelle del material. A partir de las constantes elsticas, definidas de

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forma diferencial en la ecuacin 5, podemos calcular la velocidad de propagacin de ondas acsticas en el

material piezoelctrico en cualquier direccin y polaridad, as como estimar las variaciones dimensionales
en funcin de presiones estticas.
E, Sij
sijkl = (5).
Tkl E

Constantes de frecuencia N
En geometras en las que tenemos un modo de vibracin desacoplado, la constante de frecuencia
se define como el producto de la frecuencia de resonancia por la dimensin en cuestin, pudiendo ser esta
ltima el largo, dimetro o espesura. A partir de la constante de frecuencia podemos estimar la frecuencia
de resonancia para la misma geometra con dimensiones diferentes.
Las constantes de frecuencia son muy tiles en la proyeccin de transductores ultrasnicos para
la estimativa de la frecuencia de operacin. Tambin podemos estimar las velocidades de propagacin del
sonido en un material a travs de las constantes de frecuencia, duplicndolas.

Factor de calidad mecnico Qm y factor de disipacin dielctrico tan

El factor de calidad mecnico y el factor de disipacin dielctrico son las constantes ms
importantes en la definicin de las posibles aplicaciones dinmicas del material ya que determinan cuales
sern las prdidas de energa del proceso de transduccin. Es a partir de estos factores que se determina,
por ejemplo, si el material es adecuado para aplicaciones de potencia tales como los sistemas de limpieza
por ultrasonido.

Temperatura de Curie
Es la temperatura crtica donde la estructura cristalina del material sufre la transicin de fase de
la simetra tetragonal para la cbica. Si una cermica policristalina es sometida a una temperatura superior
o igual a la temperatura de Curie, al ser posteriormente enfriada, podr recuperar sus caractersticas
piezoelctricas microscpicas, mas no las macroscpicas, debido a la perdida de la orientacin
preferencial de los dominios generados por el proceso de polarizacin, que posibilita la utilizacin
prctica del material como transductor electro-mecnico.

Limite de traccin dinmico

Es el lmite mximo de traccin a que el material puede ser sometido dinmicamente sin
romperse. Este lmite debe ser tomado en cuenta principalmente al proyectar transductores de potencia,
donde las cermicas piezoelctricas son sometidas a altos campos elctricos que provocan tanto la
contraccin (compresin) cuanto la expansin (traccin) del material.

Tasa de envejecimiento
Es la tasa con que las propiedades piezoelctricas do material se alteran con el tiempo a medida
que la orientacin de los dominios de dipolos, creada por el proceso de polarizacin, desaparece.

MATERIALES COMERCIALES Y APLICACIONES

Los principales materiales piezoelctricos comerciales y sus respectivas propiedades estn
listados en la Tabla 1.
El PZT-4 es utilizado normalmente en sistemas de limpieza por ultrasonido y fisioterapia, el
PZT-8 en sistemas de soldadura por ultrasonido, el PZT-5A en sensores y transductores para ensayos no
destructivos, el PZT-5J y 5H para generadores de chispa por impacto (detonadores y magic clicks) y
posicionadores respectivamente.

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Tabla I Principales materiales piezoelctricos comerciales y sus respectivas constantes.

Material PZT-4 PZT-8 PZT-5A PZT-5J PZT-5H

kp 0,60 0,50 0,61 0,60 0,63
k33 0.68 0,63 0,70 0,71 0,73
d33 (10-12 C/N) 300 215 400 460 550

d31 (10-12 C/N) -11.5 - 9.5 - 170 - 210 - 265

g33 (x10-3 Vm/N) 26 25 25 22 19

g31 (x10-3 Vm/N) - 11 - 11 - 11 -9 -9

KT3 (seal baja)

1250 1000 1750 2450 3100
C. dielctrica relativa

Factor de disipacin
0,004 0,004 0,020 0,020 0,020
tan (campo bajo)

Densidad (kg/m3) 7600 7600 7650 7500 7500

Temp. de Curie
325 330 360 260 190
(oC)
Factor de calidad
500 1000 75 70 65
Qm
sE11 (x10 12 m2/N) 12 11 19 23 21

sE33 (x10 12 m2/N) 16 14 16 16 15

Np (Hz-m)
2200 2270 1950 2000 1950
(modo planar)
Nt (Hz-m)
1905 2032 1800 1950 2000
(modo espesura)

REFERENCIAS BIBLIOGRFICAS
[1] GALLEGO, J.; Piezoelectric ceramics and ultrasonic transducers, J. Phys. E: Sci. Instrum., 22 804-
816 1989
[2] SUSLICK, K.S.; The Chemical Effects of Ultrasound, Scientific American February 1989.
[3] CADY, W. G.; Piezoelectricity: An Introduction to the Theory and Applications of Electromechanical
Phenomena in Crystals, Dover Press, 1964.
[4] JAFFE, B.; Piezoelectric Ceramics, Academic Press, 1971.
[5] Piezoelectric ceramics: Properties and Applications, Morgan Electro Ceramics Inc. technical
publication.
[6] NYE, J.F.; Physical Properties of Crystals, Clarendon Press, 1985.
[7] IKEDA, T.; Fundamental of Piezoelectricity, Oxford University Press, 1990.

Notas: i) El contenido de este application note fue adaptado de la disertacin de maestra DESENVOLVIMENTO E
CARACTERIZAO DE TRANSDUTORES ULTRA-SNICOS DE POTNCIA BI-FREQNCIAIS PARA SISTEMAS DE
LIMPEZA POR ULTRA-SOM, del mismo autor, presentada en 2005 en la UFSCar pelo PPGCEM y de sitios web relevantes sobre
el tema en cuestin. ii) La ATCP Engenharia Fsica no se responsabiliza por el uso de las informaciones contenidas en este informe
as como por eventuales prdidas y daos asociados.

Si usted tiene sugerencias o crticas para mejorar este artculo

envelas para ha@atcp.om.br a Henrique Alves. Muchas Gracias!

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