DIODOS ESPECIALES

INTRODUCCIN.2
TIPOS DE DIODOS.5
Diodos de Uso Comn....5
Diodo Zener.10
Diodo Emisor de Luz (LED).12
Fotodiodos...15
Diodos de Efecto Tunel16
Diodo Varactor17
Diodo Varistor.18
Diodo Schottky (Diodo de Barrera)...20
Diodo Lser..22
SIMBOLOGA24
Diodo, componente electrnico que permite el paso de la corriente en un solo sentido.
Los diodos ms empleados en los circuitos electrnicos actuales son los diodos
fabricados con material semiconductor. El ms sencillo, el diodo con punto de
contacto de germanio, se cre en los primeros das de la radio. En los diodos de
germanio (o de silicio) modernos, el cable y una minscula placa de cristal van
montados dentro de un pequeo tubo de vidrio y conectados a dos cables que se
sueldan a los extremos del tubo.
Los diodos de unin constan de una unin de dos tipos diferentes de material
semiconductor. El diodo Zener es un modelo especial de diodo de unin, que utiliza
silicio, en el que la tensin en paralelo a la unin es independiente de la corriente que
la atraviesa. Debido a esta caracterstica, los diodos Zener se utilizan como
reguladores de tensin. Por otra parte, en los diodos emisores de luz (LED, acrnimo
ingls de Light-Emitting Diode), una tensin aplicada a la unin del semiconductor
da como resultado la emisin de energa luminosa. Los LED se utilizan en paneles
numricos como los de los relojes digitales electrnicos y calculadoras de bolsillo.
Para resolver problemas referentes a los diodos se utilizan en la actualidad tres
aproximaciones:

La primera aproximacin es la del diodo ideal, en la que se considera que el

diodo no tiene cada de tensin cuando conduce en sentido positivo, por lo que
esta primera aproximacin considerara que el diodo es un cortocircuito en sentido
positivo. En cambio, el diodo ideal se comporta como un circuito abierto cuando su
polarizacin es inversa.

En la segunda aproximacin, consideramos que el diodo tiene una cada de

tensin cuando conduce en polarizacin directa. Esta cada de tensin se ha fijado
en 0.7 V para el diodo de silicio, lo que hace que la segunda aproximacin pueda
representarse como un interruptor en serie con una fuente de 0.7 V.

La tercera aproximacin aproxima ms la curva del diodo a la real, que es una

curva, no una recta, y en ella colocaramos una resistencia en serie con la fuente
de 0.7 V.

Vd = 0.7 + I d Rb
 Siendo, en la ecuacin anterior, Rb la resistencia de la tercera aproximacin
(generalmente muy pequea), y Id la corriente de polarizacin del diodo. La ms
utilizada es la segunda aproximacin.
Los diodos de unin p-n y los zener tienen caractersticas constructivas que los
diferencian de otros. Su tamao, en muchos casos, no supera el de una resistencia de
capa o de pelcula de 1/4W y aunque su cuerpo es cilndrico, es de menor longitud y
dimetro que las resistencias. Aunque existe gran variedad de tipos, slo algunos
especiales difieren de su aspecto. No ocurre lo mismo con el tamao, pues es funcin
de la potencia que pueden disipar. Es caracterstico encontrarse un aillo en el cuerpo
que nos indica el ctodo. Para aquellos cuyo tipo concreto viene sealado por una
serie de letras y nmeros, el ctodo es marcado mediante un anillo en el cuerpo,
prximo a este terminal. Otros usan cdigos de
colores, y en ellos el ctodo se corresponde con el terminal ms prximo a la anda de
color ms gruesa. Existen fabricantes que marcan el ctodo con la letra "K" o el nodo
con la "a". Los diodos de punta de germanio suelen encapsularse en vidrio. En cuanto
a los diodos LED, se encuentran encapsulados en resinas de distintos colores, segun
sea la longitud de onda con la que emita. El nodo de estos diodos es ms largo que
el ctodo, y usualmente la cara del encapsulamiento prxima al ctodo es plana.
Una forma prctica de determinar el ctodo consiste en aplicar un polmetro en
modo hmetro entre sus terminales. Si el terminal de prueba se aplica de nodo a
ctodo, aparecen lecturas del orden de 20-30Ω. Si se invierten los terminales,
estas lecturas son del orden de 200-300 KΩ para el Ge, y de varios
MΩ para el Si. Si con el multitester utilizamos el modo de prueba de diodos,
obtenemos el valor de la tensin de codo del dispositivo. Con ello conseguimos
identificar los dos terminales (nodo y ctodo), y el material del que esta hecho (0.5-
0.7 V para el el Si, 0.2-0.4 para el germanio y 1.2-1.5 para la mayora de los LED.
Tipos de Diodos
DIODO DE USO COMUN
El diodo semiconductor se forma uniendo los materiales tipo N y tipo P, los
cuales deben estar construidos a partir del mismo material base, el cual puede ser Ge
o Si. En el momento en que dos materiales son unidos (uno tipo N y el otro tipo P), los
electrones y los huecos que estn en, o cerca de, la regin de "unin", se combinan y
esto da como resultado una carencia de portadores (tanto como mayoritarios como
minoritarios) en la regin cercana a la unin. Esta regin de iones negativos y
positivos descubiertos recibe el nombre de Regin de Agotamiento por la ausencia de
portadores.

Existen tres posibilidades al aplicar un voltaje a travs de las terminales del diodo:
- - No hay polarizacin (Vd = 0 V).
- - Polarizacin directa (Vd > 0 V).
- - Polarizacin inversa (Vd < 0 V).
Vd = 0 V. En condiciones sin polarizacin, los portadores minoritarios (huecos)
en el material tipo N que se encuentran dentro de la regin de agotamiento pasarn
directamente al material tipo P y viceversa. En ausencia de un voltaje de polarizacin
aplicado, el flujo neto de carga (corriente) en cualquier direccin es cero para un diodo
semiconductor.
 La aplicacin de un voltaje positivo "presionar" a los electrones en el material
tipo N y a los huecos en el material tipo P para recombinar con los iones de la frontera
y reducir la anchura de la regin de agotamiento hasta desaparecerla cuando VD 0.7
V para diodos de Silicio.
Id = I mayoritarios - Is
Condicin de Polarizacin Inversa (Vd < 0 V). Bajo esta condicin el nmero de
iones positivos descubiertos en la regin de agotamiento del material tipo N
aumentar debido al mayor nmero de electrones libres arrastrados hacia el potencial
positivo del voltaje aplicado. El nmero de iones negativos descubiertos en el material
tipo P tambin aumentar debido a los electrones inyectados por la terminal negativa,
las cuales ocuparn los huecos.
El fenmeno explicado anteriormente, en ambos tipos de material N y P,
provocar que la regin de agotamiento se ensanche o crezca hasta establecer una
barrera tan grande que los portadores mayoritarios no podrn superar, esto significa
que la corriente Id del diodo ser cero. Sin embargo, el nmero de portadores
minoritarios que estarn entrando a la regin de agotamiento no cambiar, creando
por lo tanto la corriente Is. La corriente que existe bajo condiciones de polarizacin
inversa se denomina corriente de saturacin inversa,
Is.
El trmino "saturacin" proviene del hecho que alcanza su mximo nivel (se
satura) en forma rpida y no cambia significativamente con el incremento en el
potencial de polarizacin inversa, hasta que al valor Vz o VPI, voltaje pico inverso.

El mximo potencial de polarizacin inversa que puede aplicarse antes de

entrar en la regin Zener se denomina Voltaje Pico Inverso o VPI nominal.
Los diodos de silicio tienen generalmente valores nominales de VPI y de
corriente ms altos e intervalos de temperatura ms amplios que los diodos de
germanio.
El general, el funcionamiento de este diodo, a grandes rasgos es la siguiente:
En la zona directa se puede considerar como un generador de tensin continua,
tensin de codo (0.5-0.7 V para el silicio y 0.2-0.4 V para el germanio). Cuando se
polariza en inversa se puede considerar como un circuito abierto. Cuando se alcanza
la tensin inversa de disyuncin (zona Inversa) se produce un aumento drstico de la
corriente que puede llegar a destruir al dispositivo. Este diodo tiene un amplio margen
de aplicaciones: circuitos rectificadores, limitadores, fijadores de nivel, proteccin
contra cortocircuitos, demoduladores, mezcladores, osciladores, bloqueo y bypass en
instalaciones fotovolcaicas, etc.
Cuando usamos un diodo en un circuito se deben tener en cuenta las
siguientes consideraciones (a partir de las hojas de caractersticas suministradas por
el fabricante):
1. 1. La tensin inversa mxima aplicable al componente, repetitiva o no
(VRRR mx o VR mx, respectivamente) ha de ser mayor (del orden de tres
veces) que la mxima que este va a soportar.
2. 2. La corriente mxima en sentido directo que puede atravesar al
componente, repetitiva o no (IFRM mx e IF mx respectivamente), he de
ser mayor (del orden del doble) que la mxima que este va a soportar.
3. 3. La potencia mxima que puede soportar el diodo (potencia nominal) ha
de ser mayor (del orden del doble) que la mxima que este va a soportar.
En la figura N01, podemos observar la representacin grfica o smbolo para
este tipo de diodo.

Figura N01
Curva Diodo Real
Uno de los parmetros importantes para el diodo es la resistencia en el punto o
regin de operacin. Si consideramos la regin definida por la direccin de Id y la
polaridad de Vd, encontraremos que el valor de la resistencia directa RF, de acuerdo a
como se define con la ley de Ohm es:

Donde VF es el voltaje de polarizacin directo a travs del diodo e IF es la

corriente en sentido directo a travs del diodo. El diodo, por consiguiente, es un corto
circuito para la regin de conduccin.
Si consideramos la regin del potencial aplicado negativamente,

Donde VR es el voltaje de polarizacin inverso a travs del diodo e IR es la

corriente inversa en el diodo. El diodo, en consecuencia, es un circuito abierto en la
regin en la que no hay conduccin.
DIODO ZENER
La corriente en la regin Zener tiene una direccin opuesta a la de un diodo
polarizado directamente. El diodo Zener es un diodo que ha sido diseado para
trabajar en la regin Zener.
Figura N02
De acuerdo con la definicin, se puede decir que el diodo Zener ha sido
diseado para trabajar con voltajes negativos (con respecto a l mismo). Es
importante mencionar que la regin Zener (en un diodo Zener) se controla o se
manipula variando los niveles de dopado. Un incremento en el nmero de impurezas
agregadas, disminuye el potencial o el voltaje de Zener VZ.
As, se obtienen diodos Zener con potenciales o voltajes de Zener desde -1.8 V
a -200 V y potencias de 1/4 a 50 W. El diodo Zener se puede ver como un dispositivo
el cual cuando ha alcanzado su potencial VZ se comporta como un corto. Es un
"switch" o interruptor que se activa con VZ volts. Se aplica en reguladores de voltaje o
en fuentes.

Figura N03
En el circuito que se muestra en la figura N03, se desea proteger la carga
contra sobre voltajes, el mximo voltaje que la carga puede soportar es 4.8 volts. Si
se elige un diodo Zener cuyo VZ sea 4.8 volts, entonces este se activar cuando el
voltaje en la carga sea 4.8 volts, protegindola de esta manera.
 De acuerdo a otras consideraciones, el funcionamiento de este diodo, a
grandes rasgos es la siguiente:
En la zona directa lo podemos considerar como un generador de tensin
continua (tensin de codo). En la zona de disrupcin, entre la tensin de codo y la
tensin zener (Vz nom) lo podemos considerar un circuito abierto. Cuando trabaja en
la zona de disrupcin se puede considerar como un generador de tensin de valor Vf=
-Vz.
El zener se usa principalmente en la estabilidad de tensin trabajando en la
zona de disrupcin.
Podemos distinguir:
1. 1. Vz nom,Vz: Tensin nominal del zener (tensin en cuyo entorno trabaja
adecuadamente el zener).
2. 2. Iz min: Mnima corriente inversa que tiene que atravesar al diodo a partir
de la cual se garantiza el adecuado funcionamiento en la zona de disrupcin
(Vz min).
3. 3. Iz max: Mxima corriente inversa que puede atravesar el diodo a partir
de la cual el dispositivo se destruye (Vz max).
4. 4. Pz: Potencia nominal que no debe sobrepasar el componente.
Aproximadamente se corresponde con el producto de Vz nom y Iz max.
En la grfica N01, se puede observar la curva caracterstica de este tipo de
diodo.

Grfica N01
Cuando usamos un diodo zener en un circuito se deben tener en cuenta las siguientes
consideraciones (a partir de las hojas de caractersticas suministradas por el
fabricante):
1. Para un correcto funcionamiento, por el zener debe circular una corriente
inversa mayor o igual a Iz min.
2. La corriente mxima en sentido inverso ha de ser siempre menor que Iz max.
4. La potencia nominal Pz que puede disipar el zener ha de ser mayor (del orden del
doble) que la mxima que este va a soportar en el circuito.

EL DIODO EMISOR DE LUZ (LED)

El LED es un diodo que produce luz visible (o invisible, infrarroja) cuando se
encuentra polarizado. El voltaje de polarizacin de un LED vara desde 1.8 V hasta
2.5 V, y la corriente necesaria para que emita la luz va desde 8 mA hasta los 20 mA.
Principio de Funcionamiento:
En cualquier unin P-N polarizada directamente, dentro de la estructura y
principalmente cerca de la unin, ocurre una recombinacin de huecos y electrones
(al paso de la corriente). Esta recombinacin requiere que la energa que posee un
electrn libre no ligado se transfiera a otro estado. En todas las uniones P-N una parte
de esta energa se convierte en calor y otro tanto en fotones. En el Si y el Ge el mayor
porcentaje se transforma en calor y la luz emitida es insignificante. Por esta razn se
utiliza otro tipo de materiales para fabricar los LED's, como Fosfuro Arseniuro de de
Galio (GaAsP) o fosfuro de Galio (GaP).
Figura N03
Los diodos emisores de luz se pueden conseguir en colores: verde, rojo,
amarillo, mbar, azul y algunos otros.
Hay que tener en cuenta que las caractersticas obtenidas de las hojas de
especificaciones pueden ser distintas para los diodos (p. e. 1N4001) aunque ambos
hayan sido producidos en el mismo lote. Tambin hay que tener en cuenta otro tipo de
tolerancias como los resistores, uno marcado de 100W puede ser realmente de 98W
o de 102W o tal vez si ser exacto, y una fuente "ajustada" a 10V puede estar ajustada
realmente a 9.9V o a 10.1V o tal vez a 10V.
De acuerdo a otras consideraciones, El diodo LED presenta un comportamiento
anlogo al diodo rectificador (diodo semiconductor p-n), sin embargo, su tensin de
codo tiene un valor mayor, normalmente entre 1.2-1.5 V. Segn el material y la
tecnologa de fabricacin estos diodos pueden emitir en el infrarrojo (diodos IRED),
rojo, azul, amarillo y verde, dependiendo de cual sea la longitud de onda en torno a la
cual emita el LED.
Entre sus aplicaciones podemos destacar: pilotos de sealizacin,
instrumentacin, optoaclopadores, etc.
 Resulta difcil distinguir, por pura inspeccin visual, el modelo del LED as como
el fabricante: los valores mximos de tensin y corriente que puede soportar y que
suministra el fabricante sern por lo general desconocidos. Por esto, cuando se utilice
un diodo LED en un circuito, se recomienda que la intensidad que lo atraviese no
supere los 20 mA, precaucin de carcter general que resulta muy vlida. En la figura
N04, se muestra el smbolo electrnico de este tipo de diodo.

Figura N04
El diodo LED puede ser tratado de manera anloga a un diodo normal. sin
embargo conviene tener en cuenta que los diodos LED no estn fabricados de silicio
monocristalino, ya que el silicio monocristalino es incapaz de emitir fotones. Debido a
ello, la tensin de polarizacin directa Vd depende del material con el que est
fabricado el diodo.
El material que compone el diodo LED, es importante ya que el color de la luz
emitida por el LED depende nicamente del material y del proceso de fabricacin
principalmente de los dopados.
En la tabla adjunta aparecen algunos ejemplos de materiales utilizados junto
con los colores conseguidos:

Material Longitud de Onda Color Vd Tpica

AsGa 904 nm IR 1V

InGaAsP 1300 nm IR 1V

AsGaAl 750-850 nm Rojo 1,5 V

AsGaP 590 nm Amarillo 1,6 V

InGaAlP 560 nm Verde 2,7 V

CSi 480 nm Azul 3V

FOTODIODOS
Los fotodiodos. Son diodos sensibles a la luz. Generan un voltaje de corriente
continua proporcional a la cantidad de luz que incide sobre su superficie, es decir, son
diodos de unin PN cuyas caractersticas elctricas dependen de la cantidad de luz
que incide sobre la unin. Se utilizan como medidores y sensores de luz y en
receptores pticos de comunicaciones.

Representacin grfica de un Fotodiodo y su correspondientes curvas caractersticas

El efecto fundamental bajo el cual opera un fotodiodo es la generacin de pares
electrn - hueco debido a la energa luminosa. Este hecho es lo que le diferencia del
diodo rectificador de silicio en el que, solamente existe generacin trmica de
portadores de carga. La generacin luminosa, tiene una mayor incidencia en los
portadores minoritarios, que son los responsables de que el diodo conduzca
ligeramente en inversa.
El comportamiento del fotodiodo en inversa se ve claramente influenciado por
la incidencia de luz. Conviene recordar que el diodo real presenta unas pequeas
corrientes de fugas de valor IS. Las corrientes de fugas son debidas a los portadores
minoritarios, electrones en la zona P y huecos en la zona N. La generacin de
portadores debido a la luz provoca un aumento sustancial de portadores minoritarios,
lo que se traduce en un aumento de la corriente de fuga en inversa tal y como se ve
en la figura anterior.
El comportamiento del fotodiodo en directa apenas se ve alterado por la
generacin luminosa de portadores. Esto es debido a que los portadores provenientes
del dopado (portadores mayoritarios) son mucho ms numerosos que los portadores
de generacin luminosa.

Corte transversal de un fotodiodo comercial

DIODOS DE EFECTO TUNEL
Los diodos de efecto tnel. Son dispositivos muy verstiles que pueden operar
como detectores, amplificadores y osciladores. Poseen una regin de juntura
extremadamente delgada que permite a los portadores cruzar con muy bajos voltajes
de polarizacin directa y tienen una resistencia negativa, esto es, la corriente
disminuye a medida que aumenta el voltaje aplicado.

Representacin grfica de un diodo TUNEL y su correspondiente grfica

LOS VARACTORES
Son diodos de silicio perfeccionados para operar con capacitancia variable, que
se utilizan como sintonizadores en sistemas de comunicaciones, especialmente en
FM.
A mxima capacitancia del varactor se presenta con voltajes de polarizacin
cero, cuando la capa de agotamiento es ms delgada. Cuanto ms alto es el voltaje
inverso aplicado, ms estrecha es la capa de agotamiento y por lo tanto, la
capacitancia disminuye. Estos diodos tambin reciben el nombre de diodos Varicap.
El smbolo del diodo varactor se muestra abajo con una representacin del diagrama.
Cuando un voltaje inverso es aplicado a la juncin PN, los agujeros en la regin
P se atraen a la terminal del nodo y los electrones en la regin N se atraen a la
terminal del ctodo, creando una regin de poca corriente. Esta es la regin de
agotamiento, son esencialmente desprovistos de portadores y se comportan como el
dielctrico de un condensador.
La regin de agotamiento aumenta mientras que el voltaje inverso aplicado a l
aumenta; y puesto que la capacitancia vara inversamente con el espesor dielctrico,
la capacitancia de la juntura disminuir cuando el voltaje aplicado a la juntura PN
aumenta. En la grfica, se observa la variacin de la capacidad con respecto al
voltaje.

En la grfica se puede observar el aumento no lineal en la capacitancia cuando

se disminuye el voltaje inverso. Esta no linealidad, permite que el varactor sea
utilizado tambin como generador armnico.
Las consideraciones importantes del varactor son:
a) a) Valor de la capacitancia.
 b) b) Voltaje.
c) c) Variacin en capacitancia con voltaje.
d) d) Voltaje de funcionamiento mximo.
e) e) Corriente de la salida.
LOS DIODOS VARISTOR
O supresor de transientes, es un dispositivo semiconductor utilizado para
absorber picos de alto voltaje desarrollados en las redes de alimentacin elctrica.
Cuando aparece un transitorio, el varistor cambia su resistencia de un valor alto a otro
valor muy bajo. El transitorio es absorbido por el varistor, protegiendo de esa manera
los componentes sensibles del circuito. Los varistors se fabrican con un material no-
homogneo.(Carburo de silicio).
CARACTERISTICAS:
1. 1. Amplia gama de voltajes - desde 14 V a 550 V (RMS). Esto permite una
seleccin fcil del componente correcto para una aplicacin especfica.
2. 2. Alta capacidad de absorcin de energa respecto a las dimensiones del
componente.
3. 3. Tiempo de respuesta de menos de 20 ns, absorbiendo el transitorio en el
instante que ocurre.
4. 4. Bajo consumo (en stabd-by) - virtualmente nada.
5. 5. Valores bajos de capacidad, lo que hace al varistor apropiado para la
proteccin de circuitera en conmutacin digital.
6. 6. Alto grado de aislamiento.
Mximo impulso de corriente no repetitiva

El pico mximo de corriente permitido a travs del varistor depende de la

forma del impulso, del duty cycle y del nmero de pulsos.

Con el fin de caracterizar la capacidad del varistor para resistir impulsos de

corriente, se permite generalmente que garantice un mximo impulso de
corriente no repetitiva. Este viene dado por un impulso caracterizado por la
forma del impulso de corriente desde 8 microsegundos a 20 microsegundos
 siguiendo la norma IEC 60-2, con tal que la amplitud del voltaje del varistor
medido a 1 mA no lo hace cambiar ms del 10% como mximo.

Un impulso mayor que el especificado puede ocasionar cortocircuitos o

ruptura del propio componente; se recomienda por lo tanto instalar un fusible
en el circuito que utiliza el varistor, o utilizar una caja protectora.

Si se aplica ms de un de impulso o el impulso es de una duracin mas

larga, habra que estudiar las curvas que al efecto nos proporcionan los
fabricantes, estas curvas garantizan la mxima variacin de voltaje (10%) en el
varistor con 1 mA.
Energa mxima
Durante la aplicacin de un impulso de corriente, una determinada energa ser
disipada por el varistor. La cantidad de la energa de disipacin es una funcin de:
1. 1. La amplitud de la corriente.
2. 2. El voltaje correspondiente al pico de corriente.
3. 3. La duracin del impulso.
4. 4. El tiempo de bajada del impulso; la energa que se disipa durante el tiempo
entre 100% y 50% del pico de corriente.
5. 5. La no linealidad del varistor.
A fin de calcular la energa disipada durante un impulso, se hace con la referencia
generalmente a una onda normalizada de la corriente. Esta onda esta prescrita por la
norma IEC 60-2 secciona 6 tiene una forma que aumenta desde cero al valor de pico
en un el tiempo corto, disminuyendo hasta cero o de una manera exponencial, o bien
sinusoidal.
Esta curva es definida por el tiempo principal virtual (t1) y el tiempo virtual al valor
medio (t2)
DIODO SCHOTTKY (DIODO DE BARRERA)
Los diodos Schottky. Son dispositivos que tienen una cada de voltaje directa
(VF) muy pequea, del orden de 0.3 V o menos. Operan a muy altas velocidades y se
utilizan en fuentes de potencia, circuitos de alta frecuencia y sistemas digitales.
Reciben tambin el nombre de diodos de recuperacin rpida (Fast recovery) o de
portadores calientes.
Cuando se realiza una ensambladura entre una terminal metlica se hace un
material semiconductor, el contacto tiene, tpicamente, un comportamiento hmico,
cualquiera, la resistencia del contacto gobierna la secuencia de la corriente. Cuando
este contacto se hace entre un metal y una regin semiconductora con la densidad
del dopante relativamente baja, las hojas dominantes del efecto debe ser el resistivo,
comenzando tambin a tener un efecto de rectificacin. Un diodo Schottky, se forma
colocando una pelcula metlica en contacto directo con un semiconductor, segn lo
indicado en la figura N05. El metal se deposita generalmente en un tipo de material
N, debido a la movilidad ms grande de los portadores en este tipo de material. La
parte metlica ser el nodo y el semiconductor, el ctodo.
 En una deposicin de aluminio Al (3 electrones en la capa de valencia), los
electrones del semiconductor tipo N migran haca el metal, creando una regin de
transicin en la ensambladura.
Se puede observar que solamente los electrones (los portadores mayoritarios
de ambos materiales) estn en trnsito. Su conmutacin es mucho ms rpida que la
de los diodos bipolares, una vez que no existan cargas en la regin tipo N, siendo
necesaria rehacer la barrera de potencial (tpicamente de 0,3V). La Regin N tiene un
dopaje relativamente alto, a fin de reducir la prdida de conduccin, por esto, la
tensin mxima soportable para este tipo de diodo est alrededor de los 100V.
La principal aplicacin de este tipo de diodos, se realiza en fuentes de baja
tensin, en las cuales las cadas en los rectificadores son significativas.

Figura N05 (Diodo Schottky construido a travs de la tcnica de CIs.)

Curva caracterstica de un diodo SCHOTTKY

EL DIODO LASER
Los diodos lser son constructivamente diferentes a los diodos LED normales.
Las caractersticas de un diodo lser son:
1. 1. La emisin de luz es dirigida en una sola direccin: Un diodo LED emite
fotones en muchas direcciones. Un diodo lser, en cambio, consigue realizar un
guiado de la luz preferencial una sola direccin.

Corte esquemtico de la emisin de luz en diodos LED y lser

Intensidad de luz en funcin de la longitud de onda para diodos LED y lser

Debido a estas dos propiedades, con el lser se pueden conseguir rayos de luz
monocromtica dirigidos en una direccin determinada. Como adems tambin puede
controlarse la potencia emitida, el lser resulta un dispositivo ideal para aquellas
operaciones en las que sea necesario entregar energa con precisin.
Ejemplo de aplicacin: El lector de discos compactos:
Una de las muchas aplicaciones de los diodos lser es la de lectura de
informacin digital de soportes de datos tipo CD-ROM o la reproduccin de discos
compactos musicales. El principio de operacin de uno y otro es idntico.
Esquema del funcionamiento del CD-ROM
Un haz lser es guiado mediante lentes hasta la superficie del CD. A efectos
prcticos, se puede suponer dicha superficie formada por zonas reflectantes y zonas
absorbentes de luz. Al incidir el haz lser en una zona reflectante, la luz ser guiada
hasta un detector de luz: el sistema ha detectado un uno digital. Si el haz no es
reflejado, al detector no le llega ninguna luz: el sistema ha detectado un cero digital.
Un conjunto de unos y ceros es una informacin digital, que puede ser
convertida en informacin analgica en un convertidor digital-analgico. Pero esa es
otra historia que debe de ser contada en otra ocasin.

SIMBOLOGA
Grfica Simbologa Tipos de Diodos