UNIÓN P-N

Casi todos los diodos que se fabrican hoy en día están formados por dos tipo de silicio
diferentes, unidos entre si.

Este conjunto sería del tipo N, ya que deja un electrón libre pues le sobra del enlace,
con lo que el átomo (azul) se convierte en un ión positivo al mismo tiempo que
contribuye con la generación de un electrón libre, a este átomo lo representaremos:

En el caso del tipo P, dejaría un hueco libre, con lo que el átomo se convierte en un ión
negativo al mismo tiempo que contribuye con la generación de un hueco libre, a este
átomo lo representaremos:

Silicio tipo P y silicio tipo N separados

Cuando se efectúa esta unión, los electrones y los huecos inmediatos a la unión se
atraen, cruzan la unión y se neutralizan.

Silicio tipo P y silicio tipo N unidos.- UNIÓN P-N

Según este proceso inicial, la zona N próxima a la unión ha perdido electrones y por
tanto queda cargada positivamente. Igualmente la zona P próxima a la unión ha
perdido huecos, con lo que queda cargada negativamente. Al quedar la zona N próxima
a la unión cargada positivamente, rechazará a los huecos de la zona P que quieren
atravesar la unión. Exactamente igual la zona P próxima a la unión impedirá el paso de
los electrones provenientes de la zona N Por tanto en la zona próxima a la unión
aparece una diferencia de potencial llamada "Barrera de potencial interna", que impide
el paso de portadores mayoritarios a través de la unión, no pudiendo existir corriente.

POLARIZACIÓN DIRECTA
Si ahora aplicamos a dicha unión una tensión exterior de signo contrario a la barrera
de potencial interna, ésta irá disminuyendo en anchura. A mayor tensión aplicada
externamente corresponderá una barrera interna menor y podremos llegar a conseguir
que dicha barrera desaparezca totalmente.
En este momento los electrones (portadores mayoritarios) de la zona N están en
disposición de pasar a la zona P. Exactamente igual están los huecos de la zona P que
quieren "pasar" a la zona N.

a)Sin polarización

b) Polarización directa débil, región agotada

reducida, pero no eliminada
 c) Al aumentar la polarización directa, la zona agotada
y su barrera de potencial interna asociada han sido
neutralizadas
* En la práctica, un diodo se fabrica a base de una única pieza de silicio, introduciendo
tipos diferentes de impurezas por los dos casos de ella, unas que creen material tipo P
y otros que creen tipo N. Este proceso se realiza a grandes temperaturas.

A la tensión externa que anula la barrera de potencial de la unión y la deja preparada

para el paso de los respectivos portadores mayoritarios, se le denomina tensión
Umbral. Se la representa po Vu y sus valores prácticos son:
Para el Silicio Vu = 0,4 - 0,5 voltios
Para el Germanio Vu = 0,05 - 0,06 voltios
En esta situación, al aplicar un aumento en la tensión exterior, los electrones se
sentirán atraidos por el polo positivo de la pila y los huecos por el negativo de la
misma. No hay dificultad para atravesar la unión y por tanto aparecerá una corriente
de mayoritarios a través del circuito. A partir de aqui, cualquier aumento de tensión
provoca un aumento de la corriente.
Al conjunto de tensiones que crean corriente proporcional en el diodo se les llama
tensiones de polarización directa o de funcionamiento. Sus valores típicos son:
Para el Silicio 0,5 - 0,8 voltios
Para el Germanio 0,06 - 0,15 voltios

Flujo de corriente en un diodo polarizado en directo

Parece lógico pensar que llegará un momento en que el proceso, aumento de tensión
exterior, aumento de corriente en la unión, tendrá que parar. Y esto es así, porque a
partir de un determinado valor de la tensiñon exterior aplicada, los electrones se
neutralizan en mayor número con los huecos en el interior del diodo y son pocos los
que pueden salir al circuito exterior. Es decir que el aumento es absorbido por el
mismo diodo. A esta tensión a partir de la cual la corriente a través del diodo se
mantiene constante, (en la práctica aumenta ligeramente) se le denomina tensión de
saturación.
Sus valore típicos son:
Para el Silicio Vsat 0,8 - 0,9 voltios

Para el Germanio Vsat 0,15 - 0,2 voltios

Cualquier intento de provocar un aumento de corriente puede originar a partir de este
momento la destrucción del diodo.
POLARIZACIÓN INVERSA
Si la tensión aplicada externamente al diodo es del mismo signo que la barrera de
potencial interna se dice que el diodo está polarizado inversamente. El terminal
positivo de la pila atrae a los electrones del material N apartándolos de la unión,
mientras que el negativo a trae a las cargas positivas del material P, apartándolos
también de la unión. Se crea, por tanto, en la unión, una ausencia de carga,
formándose una corriente que recibe el nombre de "corriente inversa de saturación" o
"corriente de fuga". Su valor es prácticamente despreciable, pues es del orden de nA
(nano ampers).

El ancho de la capa agotada aumenta al polarizar la unión en sentido inverso.

Al ir aumentando esta tensión inversa llega un momento en que el diodo pierde su

capacidad de bloqueo y fluye entonces una gran corriente inversa. Esta tensión recibe
el nombre de "tensión de ruptura". Normalmente en esta situación el diodo se destruye
SIMBOLO DE UN DIODO SEMICONDUCTOR

El material tipo P recibe el nombre de ánodo.

El material tipo N recibe el nombre de cátodo

La flecha indica el sentido convencional de la corriente.

CIRCUITO EQUIVALENTE DE UN DIODO IDEAL
Si el diodo está polarizado directamente, su circuito equivalente es el de un
conmutador cerrado, pequeña resistencia.

Con polarización inversa, el circuito representa un conmutador abierto, gran

resistencia.
CURVA CARACTERÍSTICA DEL DIODO
Con la polarización directa los electrones portadores aumentan su velocidad y al chocar
con los átomos generan calor que hará aumentar la temperatura del semiconductor.
Este aumento activa la conducción en el diodo.

Característica I/V de un diodo semiconductor

Vu Tensión umbral
Vs Tensión de saturación
Vr Tensión de ruptura
Zona de baja polarización directa, pequeña
OA
corriente
AB Zona de conducción
OC Corriente inversa de saturación
A partir de C, zona de avalancha
OBSERVACIONES
Cada diodo tiene su nomenclatura y características
La nomenclatura esta directamente relacionada con el uso que se va a hacer del diodo.
Las características nos dirán las tensiones y corrientes que cada uno puede. Por ahora
nos contentaremos con saber cómo conocer los terminales y si el diodo está en buen
estado o no, por medio del tester. Para ello pondremos el tester dispuesto para medir
ohmios y la escala en X1 ó X10 según el tipo de tester.
Aplicando las tomas del tester en los bornes del diodo primero en una posición y luego
en la contraria, pueden darse tres casos:
a) En ambos la aguja del tester se va a fondo de escala. El diodo está cortocircuitado.
b) En ambas posiciones la aguja no parece moverse.. El diodo está en circuito abierto.
c) En una posición la aguja no se mueve y en la contraria la aguja se acerca al fondo
de escala. El diodo está bien.
En este tercer caso, cuando la aguja tiende a ir a fondo de escala, la toma del tester
que utiliza cable negro (común) está aplicada sobre el ánodo del diodo. El otro extremo
del diodo será el cátodo.