DIAC Y TRIAC

DIAC

Es un componente electrnico que est preparado para conducir en los dos sentidos de sus terminales, por
ello se le denomina bidireccional, siempre que se llegue a su tensin de cebado o de disparo (30v
aproximadamente, dependiendo del modelo).

Smbolo del diac

Estructura interna de un diac

Los encapsulados de estos dispositivos suelen ser iguales a los de los diodos de unin o de zener.

Es un diodo bidireccional disparable que conduce la corriente, solo tras haberse superado su tensin de
disparo, y mientras la corriente circulante no sea inferior al valor caracterstico para ese dispositivo.

El comportamiento es fundamentalmente el mismo para ambas direcciones de la corriente. La mayora de los

DIAC tienen una tensin de disparo de alrededor de 30V. En este sentido, su comportamiento es similar a un
nen. Los diac son una clase de tiristor, y se usan normalmente para disparar los TRIAC, otra clase de tiristor.
Es un dispositivo semiconductor de dos terminales, llamados nodo y ctodo. Acta como un interruptor
bidireccional el cual se activa cuando el voltaje entre sus terminales alcanza el voltaje de ruptura, dicho voltaje
puede estar entre 20 y 36 volts segn la referencia.

Cuando la tensin de disparo se alcanza, la tensin en el DIAC se reduce y entra en conduccin dejando
pasar la corriente necesaria para el disparo del SCR o TRIAC. Se utiliza principalmente en aplicaciones de
control de potencia mediante control de fase.

Un diac es un elemento semiconductor utilizado normalmente en el control de potencia, lo que significa que
servir para controlar electrnicamente el paso de corriente elctrica.

Principio de operacin y curva caracterstica

La operacin del DIAC consiste fundamentalmente en llevar la estructura NPN hasta un voltaje de ruptura
equivalente al del transistor bipolar. Debido a la simetrade construccin de este dispositivo, la

ruptura puede ser en ambas direcciones y debe procurarse que sea la misma magnitud de voltaje. Una vez
que el dispositivo empieza a conducir corriente sucede un decremento en el voltaje de ruptura ,

presentando una regin de impedancia negativa (si se sigue aumentando la corriente puede llegar hasta la
segunda ruptura), entonces se logra que el dispositivo maneje corrientes muy grandes.

Figura 1. Curva caracterstica del diac

Como se ilustra en la figura 1, en este dispositivo se tiene siempre una pendiente negativa, por lo cual no es
aplicable el concepto de corriente de sustentacin.

La conduccin ocurre en el DIAC cuando se alcanza el voltaje de ruptura, con cualquier polaridad, a travs de
las dos terminales. La curva de la figura 1 ilustra esta caracterstica. Una vez que tiene lugar la ruptura, la
corriente fluye en una direccin que depende de la polaridad del voltaje en las terminales. El dispositivo se
apaga cuando la corriente cae abajo del valor de retencin

Fabricacin

La fabricacin de los diacs se basa en unir materiales cristalinos semiconductores positivados y negativa dos,
como el silicio y el germanio, despus de un tratamiento especfico. Para que los materiales cristalinos sean
semiconductores, se les dopa (introducen su interior) con partculas negativas o positivas, segn se requiera
convertir el cristal semiconductor en negativo o positivo.

Caractersticas generales y aplicaciones

Se emplea normalmente en circuitos que realizan un control de fase de la corriente del TRIAC, de forma que
solo se aplica tensin a la carga durante una fraccin de ciclo de la alterna. Estos sistemas se utilizan para el
control de iluminacin con intensidad variable, calefaccin elctrica con regulacin de temperatura y algunos
controles de velocidad de motores.

La forma ms simple de utilizar estos controles es empleando el circuitorepresentado en la Figura 2, en que la

resistencia variable R carga el condensador C hasta que se alcanza la tensin de disparo del DIAC,
producindose a travs de l la descarga de C, cuya corriente alcanza la puerta del TRIAC y le pone en
conduccin. Este mecanismo se produce una vez en el semi ciclo positivo y otra en el negativo. El momento
del disparo podr ser ajustado con el valor de R variando como consecuencia el tiempo de conduccin del
TRIAC y, por tanto, el valor de la tensin media aplicada a la carga, obtenindose un simple pero eficaz
control de potencia.

Figura 2. Disparo de un TRIAC mediante un DIAC

Otras diferentes aplicaciones de este dispositivo semiconductor son:

Controles de relevador.

Circuitos de retardo de tiempo.

Fuentes de alimentacin regulada.

Interruptores estticos.
 Controles de motores.

Recortadores.

Inversores.

Ciclo-conversores.

Cargadores de bateras.

Circuitos de proteccin.

Controles de calefaccin.

Controles de fase.

Tipos de DIAC

DIAC de tres capas:

Es similar a un transistor bipolar sin conexin de base y con las regiones de colector y emisor iguales y muy
dopadas. El dispositivo permanece bloqueado hasta que se alcanza tensin de avalancha en la unin del
colector. Esto inyecta corriente en la base que vuelve el transistor conductor, producindose un efecto
regenerativo. Al ser un dispositivo simtrico, funciona igual en ambas polaridades, intercambiando el emisor y
colector sus funciones.

DIAC de cuatro capas:

Consiste en dos diodos Shockley conectados en anti paralelo, lo que le da la caracterstica bidireccional. Su
aplicacin tiene como dispositivo de disparo bidireccional para el TRIAC.

TRIAC

El TRIAC es un dispositivo semiconductor de tres terminales que se usa para controlar el flujo de corriente
promedio a una carga, con la particularidad de que conduce en ambos sentidos y puede ser bloqueado
por inversin de la tensin o al disminuir la corriente por debajo del valor de mantenimiento. El TRIAC puede
ser disparado independientemente de la polarizacin de puerta, es decir, mediante una corriente de puerta
positiva o negativa.

Caractersticas generales

La corriente puede pasar en ambas direcciones.

Adecuados para convertidores de conmutacin forzada en aplicaciones de potencia intermedia y

alta.
 Control del encendido por corriente de puerta (pulso). No es posible apagarlo desde la puerta.

Pueden apagarse con un pulso de seal negativo.

Cuando el TRIAC conduce, hay una trayectoria de flujo de corriente de muy baja resistencia de una terminal a
la otra, dependiendo la direccin de flujo de la polaridad del voltaje externo aplicado. Cuando el voltaje es ms
positivo en MT2 (ver Figura 1), la corriente fluye de MT2 a MT1 en caso contrario fluye de MT1 a MT2. En
ambos casos el TRIAC se comporta como un interruptor cerrado. Cuando el TRIAC deja de conducir no puede
fluir corriente entre las terminales principales sin importar la polaridad del voltaje externo aplicado por tanto
acta como un interruptor abierto.

Debe tenerse en cuenta que si se aplica una variacin de tensin importante al TRIAC (dv/dt) an sin
conduccin previa, el TRIAC puede entrar en conduccin directa.

Figura 3. Smbolo del TRIAC y si circuito equivalente

Dispositivo capaz de soportar las potencias ms elevadas. nico dispositivo capaz de soportar 4000
Amp y 7000 Volt.

Frecuencia mxima de funcionamiento baja, ya que se sacrifica la velocidad (vida media de los
portadores larga) para conseguir una cada en conduccin lo menor posible. Su funcionamiento se
centra en aplicaciones a frecuencia de red.

Curva caracterstica

Si la terminal MT2 es positiva con respecto a la terminal MT1 el TRIAC puede encenderse aplicando una
seal positiva entre la compuerta gate y la terminal MT1. (Ve+). Si la terminal MT2 es negativa con respecto a
MT1 se enciende aplicando una seal negativa entre gate y MT1.
 Figura 4. Curva caracterstica del TRIAC

Figura 5. Unin del TRIAC y circuito equivalente

Mtodos de endencido
Debido a que el TRIAC posee dos nodos denominados (MT1 y MT2) y una compuerta G, la polaridad de la
compuerta y la polaridad del nodo 2, se mide con respecto al nodo 1. Puede dispararse desde el cuadrante
I o III. A los tipos de disparos se les denominan, I (+), I (-), III (+), III (-).

Disparo cuadrante I (+)

En este tipo de disparo la polaridad del nodo MT2 y la de la compuerta son positivas, con respecto al nodo
MT1. Este mtodo es el ms comn. La corriente de compuerta circula internamente hasta MT1, en parte por
la unin P2N2 y en parte por la zona P2. Se observa como la corriente pasa por la ruta desde MT2 de: P1N1 y
P2N2 para llegar a MT1. (Ver figura 5).

Disparo cuadrante III (-)

En este tipo de disparo es aquel en quela tensin del nodo MT2 y la tensin de la compuerta son negativos
con respecto a MT1.Esto hace que el TRIAC conduzca desde MT1 sta MT2 pasando por la rutaP2N1P1N4.

Disparo cuadrante I (-)

En este tipo de disparo la polaridad del nodo MT2 es positiva con respecto al nodo MT1, mientras que la
compuerta. Tiene una polaridad negativa con respecto al nodo MT1. El TRIAC conduce del nodo MT2 al
MT1 pasando inicialmente por la ruta P1N1P2N3, y despus por la ruta principal P1N1P2N2

Disparo del cuadrante III (+).

En este modo la tensin del nodo MT2 es negativa con respecto a la del nodo MT1 y la tensin de disparo
de la compuerta es positiva con respecto al nodo MT1. Este mtodo conduce por la ruta P2N1P1N4 de MT1
hacia MT2.

Aplicaciones

Su versatilidad lo hace ideal para el control de corrientes alternas.

Una de ellas es su utilizacin como interruptor esttico ofreciendo muchas ventajas sobre los
interruptores mecnicos convencionales y los rels.

Funciona como interruptor electrnico y tambin a pila.

Se utilizan TRIACs de baja potencia en muchas aplicaciones como atenuadores de luz, controles de
velocidad para motores elctricos, y en los sistemas de control computarizado de muchos elementos
caseros. No obstante, cuando se utiliza con cargas inductivas como motores elctricos, se deben
tomar las precauciones necesarias para asegurarse que el TRIAC se apaga correctamente al final de
cada semiciclo de la onda de corriente alterna.

El transistor de Unijuntura (UJT)

 Este dispositivo se utiliza, fundamentalmente, como generador de
pulsos de disparo para SCR y TRIACs.
El UJT es un componente que posee tres terminales: dos bases y un
emisor, tal como se muestra en la siguiente figura:

En la figura se puede apreciar la constitucin de un UJT, que en

realidad est compuesto solamente por dos cristales. Al cristal P se le
contamina con una gran cantidad de impurezas, presentando en su
estructura un nmero elevado de huecos. Sin embargo, al cristal N se le
dopa con muy pocas impurezas, por lo que existen muy pocos
electrones libres en su estructura. Esto hace que la resistencia entre las
dos bases RBB sea muy alta cuando el diodo del emisor no conduce.
Para entender mejor cmo funciona este dispositivo, vamos a valernos
del circuito equivalente de la figura siguiente:

R y R equivalen a la resistencia de los tramos de cristal N

1 2

comprendidos entre los terminales de las bases. El diodo D equivale a

la unin formada por los cristales P-N entre el terminal del emisor y el
cristal N.
Mientras el diodo del emisor no entre en conduccin, la resistencia
entre bases es igual a:

Si en estas condiciones aplicamos una tensin de alimentacin VBB

entre las dos bases, la tensin que aparece entre el emisor y la base ser
 la que corresponda en el circuito equivalente a R1; es decir, en el
divisor de tensin se cumplir que:

Si llamamos =R /R , la ecuacin queda: V = V .

1 BB 1 BB

El trmino representa la relacin intrnseca existente entre las

tensiones V y V .
1 BB

As, por ejemplo, si un UJT posee una relacin intrnseca caracterstica

igual a 0,85 y queremos determinar la tensin que aparecer entre el
terminal de emisor y la base 1 al aplicar 12V entre bases, bastar con
operar de la siguiente forma:

Al valor de V se le conoce como tensin intrnseca, y es aqulla que

1

hay que aplicar para que el diodo comience a conducir. En nuestro

ejemplo, si aplicamos una tensin de 8V al emisor, ste no conducir,
ya que en el ctodo del diodo D existe un potencial positivo de 10,2V
correspondiente a la tensin intrnseca, por lo que dicho diodo
permanecer polarizado inversamente. Sin embargo, si aplicamos una
tensin superior a 10,9V (los 10,2V de V ms 0,7V de la tensin de
1

barrera del diodo D), el diodo comenzar a conducir, producindose el

disparo o encendido del UJT. En resumen, para conseguir que el UJT
entre en estado de conduccin es necesario aplicar al emisor una
tensin superior a la intrnseca.
Una vez que conseguimos que el diodo conduzca, por efecto de una
tensin de polarizacin directa del emisor respecto a la base 1, los
portadores mayoritarios del cristal P (huecos) inundan el tramo de
cristal de tipo N comprendido entre el emisor y dicha base (recordar
que el cristal P est fuertemente contaminado con impurezas y el N
dbilmente). Este efecto produce una disminucin repentina de la
resistencia R y, con ella, una reduccin de la cada de tensin en la
1

base 1 respecto del emisor, lo que hace que la corriente de emisor

aumente considerablemente.

Mientras la corriente de emisor sea superior a la de mantenimiento (I ),
v

el diodo permanecer en conduccin como si de un biestable se tratase.

Esta corriente se especifica normalmente en las hojas de caractersticas
y suele ser del orden de 5mA.
En la figura de la derecha, se muestra el aspecto de una de las curvas
caractersticas de un UJT. V (punto Q ) nos indica la tensin pico que
p 1

hay que aplicar al emisor para provocar el estado de encendido del UJT
(recordar que V = V + 0,7). Una vez superada esta tensin, la corriente
p 1

del emisor aumenta (se hace mayor que I ), provocndose el descebado

p

del UJT cuando la corriente de mantenimiento es inferior a la de

mantenimiento I (punto ).
v Q2

Aplicaciones del UJT

Una de las aplicaciones del UJT ms comn es como generador de
pulsos en diente de sierra. Estos pulsos resultan muy tiles para
controlar el disparo de la puerta de TRIACS y SCR.
En la siguiente figura, se muestra el esquema de uno de estos circuitos.

Su funcionamiento es como sigue: Al aplicar una tensin V al circuito

CC

serie R-C, formado por la resistencia variable R y el condensador C ,

S S

dicho condensador comienza a cargarse. Como este condensador est

 conectado al emisor, cuando se supere la tensin intrnseca, el UJT
entrar en conduccin. Debido a que el valor hmico de la resistencia
R es muy pequeo, el condensador se descargar rpidamente, y en el
1

terminal de B aparecer un impulso de tensin. Al disminuir la

1

corriente de descarga del condensador, sobre el emisor del UJT, por

debajo de la de mantenimiento, ste se desceba y comienza otro nuevo
ciclo de carga y descarga del condensador. As, se consigue que en el
terminal de la base 1 aparezca una seal pulsante en forma de diente de
sierra, que puede utilizarse para controlar los tiempos de disparo de un
SCR o de un TRIAC. Para regular el tiempo de disparo es suficiente
con modificar el valor hmico de la resistencia variable R , ya que de
S

sta depende la constante de tiempo de carga del condensador.

En la siguiente figura, se muestra una tpica aplicacin del generador
de pulsos de diente de sierra con UJT para controlar el disparo de un
SCR. Mediante este circuito controlamos la velocidad de un motor
serie (o de cualquier otro tipo de carga: estufas, lmparas, etc) gracias a
la regulacin de la corriente que realiza sobre medio ciclo del SCR.
Para controlar la velocidad del motor, basta con modificar la frecuencia
de los pulsos en dientes de sierra, lo cual se consigue variando el valor
del potencimetro RS.
Funcionamiento de un UJT (transistor uniunin)

El funcionamiento de un UJT es muy similar al de un SCR.

En la grfica de la figura 12.22 se describe lascaractersticas elctricas de este

dispositivo a travs de la relacin de la tensin de emisor (VE) con la corriente de
emisor (IE). Se definen dos puntos crticos: punto de pico o peak-point (Vp, Ip) y
punto de valle o valley-point (Vv, Iv), ambos verifican la condicin de dVE/dIE = 0.

Estos puntos a su vez definen tres regiones de operacin: regin de corte, regin
de resistencia negativa y regin de saturacin, que se detallan a continuacin:
Regin de corte
En esta regin, la tensin de emisor es baja de forma que la tensin intrnseca
mantiene polarizado inversamente el diodo emisor. La corriente de emisor es muy
baja y se verifica que VE < VP e IE < IP. Esta tensin de pico en el UJT viene
definida por la siguiente ecuacin:

donde la VF vara entre 0.35 V a 0.7 V con un valor tpico de 0.5 V. Por ejemplo,
para el 2N2646 es de 0.49V a 25C. El UJT en esta regin se comporta como un
elemento resistivo lineal entre las dosbases de valor RBB.

Regin de resistencia negativa

. Si la tensin de emisor es suficiente para polarizar el diodo de emisor, es decir,
VE = VP entonces el diodo entra en conduccin e inyecta huecos a B1
disminuyendo bruscamente la resistencia R1 debido a procesos de recombinacin.
Desde el emisor, se observa como el UJT disminuye su resistencia interna con
un comportamiento similar a la de una resistencia negativa (dVE/dIE < 0). En esta
regin, la corriente de emisor est comprendida entre la corriente de pico y de
valle (IP < IE < IV).
Regin de saturacin
Esta es similar a la zona activa de un tiristor con unas corrientes y tensiones de
mantenimiento (punto de valle) y una relacin lineal de muy baja resistencia entre
la tensin y la corriente de emisor. En esta regin, la corriente de emisor es mayor
que la corriente de valle (IE > IV). Si no se verifica las condiciones del punto de
valle, el UJT entrar de forma natural a la regin de corte.

En la figura 12.22 tambin se observa una curva de tipo exponencial que relaciona
la VE y la IE cuando la B2 se encuentra al aire (IB2 = 0). Esta curva tiene una
forma similar a la caractersticaelctrica de un diodo y representa
el comportamiento del diodo de emisor.

SCR (SILICON CONTROLLED RECTIFIER)

El SCR es un dispositivo de cuatro capas muy similar al diodo Shockley, con la diferencia de
poseer tres terminales: nodo, ctodo y puerta (gate). Al igual que el diodo Shockley, presenta
dos estados de operacin: abierto y cerrado, como si se tratase de un interruptor.

Figura 4: Construccin bsica y smbolo del SCR

2.1 CARACTERISTICA TENSION INTENSIDAD

Tal y como se aprecia en la Figura 5, la parte de polarizacin inversa de la curva es anloga a la
del diodo Shockley.
 Figura 5: Caracterstica del SCR

En cuanto a la parte de polarizacin positiva, el diodo no conduce hasta que se recibe un pulso
de tensin en el terminal de puerta (gate). Una vez recibido, la tensin entre nodo y ctodo cae
hasta ser menor que un voltio y la corriente aumenta rpidamente, quedando limitada en la
prctica por componentes externos.

Podemos ver en la curva cuatro valores importantes. Dos de ellos provocarn la destruccin del
SCR si se superan: VRB e IMAX. VRB (Reverse Breakdown Voltage) es, al igual que en el diodo
Shockley, la tensin a partir de la cual se produce el fenmeno de avalancha. IMAX es la corriente
mxima que puede soportar el SCR sin sufrir dao. Los otros dos valores importantes son la
tensin de cebado VBO (Forward Breakover Voltage) y la corriente de mantenimiento IH,
magnitudes anlogas a las explicadas para el diodo Shockley.

2.2 METODOS DE CONMUTACION

Para que el dispositivo interrumpa la conduccin de la corriente que circula a travs del mismo,
sta debe disminuir por debajo del valor IH (corriente de mantenimiento). Hay dos mtodos
bsicos para provocar la apertura el dispositivo: interrupcin de corriente andica y conmutacin
forzada. Ambos mtodos se presentan en las figuras Figura 6 y Figura 7.
 Figura 6: Apertura del SCR mediante interrupcin de la corriente andica

En la Figura 6 se observa cmo la corriente andica puede ser cortada mediante un interruptor
bien en serie (figura izquierda), o bien en paralelo (figura derecha). El interruptor en serie
simplemente reduce la corriente a cero y hace que el SCR deje de conducir. El interruptor en
paralelo desva parte de la corriente del SCR, reducindola a un valor menor que IH.

En el mtodo de conmutacin forzada, que aparece en la Figura 7, se introduce una corriente

opuesta a la conduccin en el SCR. Esto se realiza cerrando un interruptor que conecta una
batera en paralelo al circuito.

Figura 7: Desconexin del SCR mediante conmutacin forzada

2.3 APLICACIONES DEL SCR

Una aplicacin muy frecuente de los SCR es el control de potencia en alterna en reguladores
(dimmer) de lmparas, calentadores elctricos y motores elctricos.
En la Figura 8 se muestra un circuito de control de fase de media onda y resistencia variable.
Entre los terminales A y B se aplican 120 V (AC). R L representa la resistencia de la carga (por
ejemplo un elemento calefactor o el filamento de una lmpara). R1 es una resistencia limitadora
de la corriente y R2 es un potencimetro que ajusta el nivel de disparo para el SCR. Mediante el
ajuste del mismo, el SCR se puede disparar en cualquier punto del ciclo positivo de la onda en
alterna entre 0 y 180, como se aprecia en la Figura 8.

Figura 8: (a) Conduccin durante 180 (b) Conduccin durante 90

Cuando el SCR se dispara cerca del principio del ciclo (aproximadamente a 0), como en la
Figura 8 (a), conduce durante aproximadamente 180 y se transmite mxima potencia a la
carga. Cuando se dispara cerca del pico positivo de la onda, como en la Figura 8 (b), el SCR
conduce durante aproximadamente 90 y se transmite menos potencia a la carga. Mediante el
ajuste de RX, el disparo puede retardarse, transmitiendo as una cantidad variable de potencia a
la carga.

Cuando la entrada en AC es negativa, el SCR se apaga y no conduce otra vez hasta el siguiente
disparo durante el ciclo positivo. Es necesario repetir el disparo en cada ciclo como se ilustra en
la Figura 9. El diodo se coloca para evitar que voltaje negativo en AC sea aplicado a la gate del
SCR.

Figura 9: Disparos cclicos para control de potencia

SCR
El tiristor (SCR, Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio),
es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones PN con la
disposicin PNPN. Est formado por tres terminales, llamados Anodo, Ctodo y
Puerta. El instante de conmutacin, puede ser controlado con toda precisin
actuando sobre el terminal de puerta. Es un elemento unidireccional,
conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la vez.

1.- VAK positiva. El dispositivo se comporta como un circuito abierto.

2.- VAK positiva. El elemento est en estado de conduccin.

3.- VAK negativa. El dispositivo equivale a un cto. abierto.

VDWM = Tensin mx. directa de trabajo

VDRM = Valor mx. de voltaje repetitivo directo.

VRRM = Valor mx. de voltaje repetitivo inverso.

VT = Cada de tensin de trabajo

IT = Intensidad de trabajo

IH = Intensidad de mantenimiento

IDRM = Intensidad directa en estado de bloqueo. (Intensidad de fugas)

IRRM = Intensidad inversa en estado de bloqueo. (Intensidad de fugas)

IL = Intensidad de enganche
En la fabricacin se emplean tcnicas de difusin y crecimiento epitaxial. El
material bsico es el Si. En la figura estn representados algunos tipos de
encapsulado

Principio de Funcionamiento

Tensin de nodo negativa respecto a ctodo (VAK < 0):

Los diodos U1 y U3 quedan polarizados en inverso y U2 en directo. La corriente
del diodo viene dada por:

Mtodos de disparo:

Para que se produzca el cebado de un tiristor, la unin nodo - ctodo debe

estar polarizada en directo y la seal de mando debe permanecer un tiempo
suficientemente largo como para permitir que el tiristor alcance un valor de
corriente de nodo mayor que IL, corriente necesaria para permitir que el SCR
comience a conducir.

Para que, una vez disparado, se mantenga en la zona de conduccin deber

circular una corriente mnima de valor IH, marcando el paso del estado de
conduccin al estado de bloqueo directo.

Los distintos mtodos de disparo de los tiristores son:

Por puerta.

Por mdulo de tensin. (V)

Por gradiente de tensin (dV/dt)

Disparo por radiacin.

Disparo por temperatura.

El modo usado normalmente es el disparo por puerta. Los disparos por mdulo
y gradiente de tensin son modos no deseados, por lo que los evitaremos en la
medida de lo posible.

Disparo por puerta

Es el proceso utilizado normalmente para disparar un tiristor. Consiste en la

aplicacin en la puerta de un impulso positivo de intensidad, entre los
terminales de puerta y ctodo a la vez que mantenemos una tensin positiva
entre nodo y ctodo.

Una vez disparado el dispositivo, perdemos el control del mismo por puerta. En
estas condiciones, si queremos bloquearlo, debemos hacer que VAK < VH y
que IA < IH

Disparo por mdulo de tensin

Este mtodo podemos desarrollarlo basndonos en la estructura de un

transistor: si aumentamos la tensin colector - emisor, alcanzamos un punto en
el que la energa de los portadores asociados a la corriente de fugas es
suficiente para producir nuevos portadores en la unin de colector, que hacen
que se produzca el fenmeno de avalancha. N

Esta forma de disparo no se emplea para disparar al tiristor de manera

intencionada; sin embargo ocurre de forma fortuita provocada por
sobretensiones anormales en los equipos electrnicos.
Disparo por gradiente de tensin

Si a un tiristor se le aplica un escaln de tensin positiva entre nodo y ctodo

con tiempo de subida muy corto, los portadores sufren un desplazamiento para
hacer frente a la tensin exterior aplicada. La unin de control queda vaca de
portadores mayoritarios; aparece una diferencia de potencial elevada, que se
opone a la tensin exterior creando un campo elctrico que acelera
fuertemente a los portadores minoritarios produciendo una corriente de fugas.

Disparo por radiacin

La accin de la radiacin electromagntica de una determinada longitud de

onda provoca la elevacin de la corriente de fugas de la pastilla por encima del
valor crtico, obligando al disparo del elemento.

Los tiristores fotosensibles (llamados LASCR o Light Activated SCR) son de

pequea potencia y se utilizan como elementos de control todo - nada.

Disparo por temperatura

El disparo por temperatura est asociado al aumento de pares electrn - hueco

generados en las uniones del semiconductor. As, la suma (a 1+a 2) tiende
rpidamente a la unidad al aumentar la temperatura. La tensin de ruptura
permanece constante hasta un cierto valor de la temperatura y disminuye al
aumentar sta.

Condiciones necesarias para el control de un SCR

Disparo

Polarizacin positiva nodo - ctodo.

La puerta debe recibir un pulso positivo (respecto a la polarizacin que en ese

momento tengamos en el ctodo) durante un tiempo suficiente como para que
IA sea mayor que la intensidad de enganche.

Corte

Anular la tensin que tenemos aplicada entre nodo y ctodo.

Incrementar la resistencia de carga hasta que la corriente de nodo sea inferior

a la corriente de mantenimiento (IH), o forzar a que IA < IH.

Tensin de nodo positiva respecto a ctodo (VAK > 0), con excitacin de
puerta:

El tiristor, idealmente, se comporta como un cortocircuito (VAK del orden de 1 a

2 V).

Modelo de dos transistores:

Si ahora operamos en el circuito de forma que la suma ((a 1+ a 2) sea menor
que 1, el dispositivo estar en estado OFF, mantenindose la IA muy pequea.

Si aumentamos IG, la corriente de nodo tiende a incrementarse y por tanto,

tiende a aumentar a 1 y a 2 producindose un efecto de realimentacin
positiva. De aqu podemos deducir los dos tipos de disparo del SCR:

1.- Por tensin suficientemente elevada aplicada entre A K, lo que provocara

que ste entrara en conduccin por efecto de "avalancha";

2.- Por intensidad positiva de polarizacin en la puerta.

Tanto para el estado de bloqueo directo, como para el estado de polarizacin

inversa, existen unas pequeas corrientes de fugas.

Caractersticas:
Interruptor casi ideal.

Amplificador eficaz (peq. seal de puerta produce gran seal A K).

Fcil controlabilidad.

Caractersticas en funcin de situaciones pasadas (Memoria).

Soporta altas tensiones.

Capacidad para controlar grandes potencias.

Relativa rapidez.

Caractersticas estticas:

Las caractersticas estticas corresponden a la regin nodo - ctodo y son los

valores mximos que colocan al elemento en lmite de sus posibilidades:
VRWM, VDRM, VT, ITAV, ITRMS, IFD, IR, Tj, IH.

Caractersticas trmicas:

Dependiendo de las condiciones de trabajo de un tiristor, ste disipa una

cantidad de energa que produce un aumento de la temperatura en las uniones
del semiconductor. Este aumento de la temperatura provoca un aumento de la
corriente de fugas, que a su vez provoca un aumento de la temperatura,
creando un fenmeno de acumulacin de calor que debe ser evitado. Para ello
se colocan disipadores de calor.

Caractersticas de control:
Determinan la naturaleza del cto de mando que mejor responde a las
condiciones de disparo.

Para la regin puerta - ctodo los fabricantes definen entre otras las siguientes
caractersticas: VGFM, VGRM, IGM, PGM, PGAV, VGT, VGNT, IGT, IGNT

Entre los anteriores destacan:

VGT e IGT que determinan las condiciones de encendido del dispositivo

semiconductor.

VGNT e IGNT, que dan los valores mximos de corriente y de tensin, para los
cuales en condiciones normales de temperatura, los tiristores no corren el
riesgo de dispararse de modo indeseado.

Caractersticas dinmicas:

Tensiones Transitorias

Son valores de tensin que van superpuestos a la seal sinusoidal de la fuente

de alimentacin. Son de escasa duracin, pero de amplitud considerable.

El diodo puerta (G) - ctodo (K) difiere de un diodo de rectificacin en los

siguientes puntos:

Una cada de tensin en sentido directo ms elevada.

Mayor dispersin para un mismo tipo de tiristor.

Construccin de la curva caracterstica de puerta:

La unin puerta ctodo se comporta como un diodo, por lo que

representamos la caracterstica directa de dicho diodo. Para una misma familia
de tiristores existe una gran dispersin. Para no complicar demasiado el
proceso, se dibujan nicamente las dos curvas extremas, puesto que todas las
dems quedan comprendidas entre ambas.

Anlisis grfico del concepto de disipacin mxima.

Para ello tomamos un tiristor tpico con los valores nominales y las
caractersticas de puerta siguientes:

VRGM max= 5V

PGAV max= 0.5W

PGM max = 5W

VGT > 3.5V

IGT > 65mA

Tensin insuficiente para disparar ningn elemento < 0.25V.

Angulo de Conduccin

La corriente y la tensin media de un tiristor variarn en funcin del instante

en el que se produzca el disparo, es decir, todo va a depender del ngulo de
conduccin. La potencia entregada y la potencia consumida por el dispositivo,
tambin dependern de l:

cuanto mayor sea ste, mayor potencia tendremos a la salida del tiristor

Cuanto mayor es el ngulo disparo, menor es el de conduccin:

180 = ng conduccin + ng disparo

Caractersticas de conmutacin:
Los tiristores necesitan un tiempo para pasar de bloqueo a conduccin y
viceversa. Para frecuencias inferiores a 400Hz podemos ignorar estos efectos.
En la mayora de las aplicaciones se requiere una conmutacin ms rpida, por
lo que ste tiempo debe tenerse en cuenta.

A.- Tiempo de Encendido (tON)

El tiempo de encendido (paso de corte a conduccin) tON, lo dividimos en dos

partes:

1.- Tiempo de retardo. (td)

2.- Tiempo de subida. (tr)

1.- TIEMPO DE RETARDO O PRE-CONDICIONAMIENTO

Es el que transcurre desde que el flanco de ataque de la corriente de puerta

alcanza el 50% de su valor final, hasta que IA alcanza el 10% de su valor
mximo para una carga resistiva.

2.- TIEMPO DE SUBIDA

Es el tiempo necesario para que IA pase del 10% al 90% de su valor mximo
para una carga resistiva. Podramos tambin considerar el paso de la cada de
tensin en el tiristor del 90% al 10% de su valor inicial.
La amplitud de la seal de puerta y el gradiente de la corriente de nodo,
juegan un papel importante en la duracin del tr que aumenta con los
parmetros anteriores.

El tiempo de cebado (encendido), debe ser lo suficientemente corto, como para

no ofrecer dificultades en aplicaciones de baja y de mediana frecuencia.

Conclusiones:

Si en t1, descebamos el tiristor, la corriente disminuye siguiendo la pendiente

dI/dt. La tensin en el tiristor (que era VA) disminuye ligeramente.

Una solucin muy utilizada en la prctica es conectar en paralelo con el tiristor

un cto RC (Red SNUBBER), para evitar variaciones bruscas de tensin en los
extremos del semiconductor:

Puede presentarse un inconveniente: la energa disipada en la resistencia

snubber sea elevada si esta resistencia es muy pequea. Debemos llegar a una
solucin de compromiso que nos permita limitar el valor de dV/dt.