Eelctronica e Instrumtnetacion PDF

SERVICIO NACIONAL DE ADIESTRAMIENTO EN TRABAJO INDUSTRIAL
COMPUTACIN E
INFORMTICA
MANUAL DE APRENDIZAJE
ELECTRNICA E
INSTRUMENTACIN
CDIGO: 89001545
Profesional Tcnico
ELECTRNICA E INSTRUMENTACIN
Tabla de Contenidos
TAREA1: IDENTIFICA Y ANALIZA RESISTENCIAS. .......................................................... 9
1. EQUIPOS Y MATERIALES: ......................................................................................... 9
2. ORDEN DE EJECUCIN:............................................................................................. 9
3. OPERACIN. ................................................................................................................ 10
3.1. NORMAS DE SEGURIDAD Y PROTECCIN AMBIENTAL. ......................... 10
Identifica las resistencias segn el material utilizado para su construccin. .......... 11
Identifica y calcula el valor nominal de una resistencia por cdigo de colores....... 15
Identifica y calcula el valor nominal de una resistencia por cdigo de marca. ....... 17
Calcula resistencias equivalentes en circuitos en serie. ............................................ 17
Calcula resistencias equivalentes en circuitos en paralelo. ....................................... 19
Calcula resistencias equivalentes en circuitos mixtos. ............................................... 22
Utiliza la ley de Ohm. ....................................................................................................... 27
Utiliza la ley de Kirchhoff. ................................................................................................ 29
Utiliza el teorema de Thvenin y Norton. ...................................................................... 30
Utiliza el teorema de mxima transferencia. ................................................................ 32
Utiliza el teorema de Millman. ......................................................................................... 33
Utiliza el teorema de sustitucin. .................................................................................. 34
Utiliza el teorema de reciprocidad. ................................................................................. 35
FUNDAMENTO TERICO. ................................................................................................ 37
VOLTAJE (V): .................................................................................................................... 37
CORRIENTE. .................................................................................................................... 39
POTENCIA. ....................................................................................................................... 41
PREFIJOS. ........................................................................................................................ 41
RESISTENCIA. ................................................................................................................. 41
CLASIFICACIN DE LA RESISTENCIA. ..................................................................... 42
RESISTENCIA FIJAS. ..................................................................................................... 42
POTENCIMETRO: ......................................................................................................... 47
TERMISTOR. .................................................................................................................... 50
FOTORESISTENCIAS..................................................................................................... 54
RESISTENCIA VDR (VOLTAGE DEPENDENT RESISTORS). ............................... 56
CDIGO DE COLORES. ................................................................................................ 57
CDIGO DE MARCA....................................................................................................... 60
MULTMETRO o MULTITESTER o POLMETRO. .................................................... 61
TIPOS DE MULTMETROS. ........................................................................................... 62
MULTMETRO ANLOGO: ............................................................................................. 62
MULTMETRO DIGITAL. ................................................................................................. 63
NODOS, TRAYECTORIAS, LAZOS Y RAMAS. .......................................................... 67
LEY DE OHM. ................................................................................................................... 68
LEYES DE KIRCHHOFF: ................................................................................................ 71
RESISTENCIAS EN SERIE Y EN PARALELO. .......................................................... 74
TEOREMA DE THEVENIN Y NORTON. ...................................................................... 78
TEOREMA DE LA MXIMA TRANSFERENCIA DE ENERGA. .............................. 81
TEOREMA DE MILLMAN. ............................................................................................... 83
TEOREMA DE SUSTITUCIN. ..................................................................................... 86
TEOREMA DE SUPERPOSICIN. ............................................................................... 88
TAREA2: IDENTIFICA Y ANALIZA LOS CONDENSADORES. ....................................... 92
EQUIPOS Y MATERIALES: ............................................................................................... 92
ORDEN DE EJECUCIN. .................................................................................................. 92
ESCUELA DE TECNOLOGAS DE LA INFORMACIN 5

OPERACIN:........................................................................................................................ 93
NORMAS DE SEGURIDAD Y PROTECCIN AMBIENTAL. .................................... 93
Identifica los condensadores segn el material utilizado en su fabricacin. ........... 93
Calcula el valor de su capacidad por el cdigo de marca. ......................................... 95
Calcula la capacidad equivalente en circuitos en serie-paralelo............................... 96
Utiliza el generador de seales. ..................................................................................... 97
Utiliza el osciloscopio. ...................................................................................................... 99
3.7. IMPLEMENTA FILTRO PASA BAJO RC. ........................................................ 101
3.8. IMPLEMENTA FILTRO PASA ALTO RC. ........................................................ 104
3.9. IMPLEMENTA FILTRO PASA BANDA RC. ..................................................... 106
3.10. IMPLEMENTA FILTRO RECHAZA BANDA RC.............................................. 109
4. FUNDAMENTO TERICO. ...................................................................................... 111
4.1. CONDENSADORES. ........................................................................................... 111
4.2. CLASIFICACIN .................................................................................................. 112
4.3. PRINCIPALES CARACTERSTICAS DE UN CONDENSADOR .................. 115
4.4. CONDENSADOR ELECTROLTICO ................................................................ 116
4.5. CONDENSADOR DE ESTADO SLIDO ......................................................... 117
4.6. CONDENSADOR DE ALUMINIO. ..................................................................... 117
4.7. CONDENSADOR DE TANTALIO (TNTALO). ............................................... 117
4.8. CONDENSADOR DE POLISTER. .................................................................. 118
4.9. CONDENSADOR PLSTICO. ........................................................................... 118
4.10. CONDENSADOR CERMICO........................................................................... 118
4.11. IDENTIFICACIN DE SU CAPACIDAD. .......................................................... 120
4.12. CAPACITORES SMD (S ..................................................................................... 121
4.13. CARGA Y DESCARGA DE UN CONDENSADOR. ........................................ 122
4.14. ASOCIACION DE CONDENSADORES. .......................................................... 124
4.15. REACTANCIA CAPACITIVA (XC). ..................................................................... 127
4.16. CONCEPTOS PREVIOS PARA FILTROS....................................................... 128
4.17. NMEROS COMPLEJOS O IMAGINARIO. .................................................... 131
4.18. OPERACIONES CON NMEROS COMPLEJOS. ......................................... 132
4.19. CLASIFICACIN DE LOS FILTROS. ............................................................... 133
4.20. ESCALA SEMILOGARTMICA........................................................................... 140
4.21. FILTRO PASA BAJO RC. ................................................................................... 141
4.22. FILTRO PASA ALTO RC. ................................................................................... 142
4.23. FILTRO PASA BANDA RC. ................................................................................ 143
4.24. FILTRO RECHAZA BANDA RC......................................................................... 144
TAREA3: IDENTIFICA Y ANALIZA LOS INDUCTORES. ................................................ 146
1. EQUIPOS Y MATERIALES. ..................................................................................... 146
2. ORDEN DE EJECUCIN: ........................................................................................ 146
3. OPERACIN. .............................................................................................................. 147
3.1. NORMAS DE SEGURIDAD Y PROTECCIN AMBIENTAL. ....................... 147
3.2. IDENTIFICA LAS BOBINAS SEGN EL MATERIAL UTILIZADO EN SU
FABRICACIN................................................................................................................ 147
3.3. CALCULA EL VALOR DE SU INDUCTANCIA POR EL CDIGO DE
MARCA. ........................................................................................................................... 148
3.4. IMPLEMENTA FILTRO PASA BAJO RL. ......................................................... 149
3.5. IMPLEMENTA FILTRO PASA ALTO RL. ......................................................... 151
3.6. IMPLEMENTA FILTRO PASA BANDA RLC. ................................................... 154
3.7. IMPLEMENTA FILTRO RECHAZA BANDA RC.............................................. 156
4.1. BOBINAS. .............................................................................................................. 159

4.2. CLASIFICACIN DE BOBINAS......................................................................... 160

4.3. BOBINA CON NCLEO DE AIRE. .................................................................... 162
4.4. BOBINA CON NCLEO SLIDO...................................................................... 164
4.5. BOBINA DE NIDO DE ABEJA. .......................................................................... 166
4.6. BOBINA TOROIDAL. ........................................................................................... 166
4.7. ASOCIACIN DE BOBINAS. ............................................................................. 167
4.8. CDIGO DE COLORES. .................................................................................... 168
4.9. CDIGO DE MARCA. ......................................................................................... 171
4.10. RESPUESTA EN FRECUENCIA DE LA BOBINA. ......................................... 172
4.11. FILTRO PASA BAJO RL. .................................................................................... 174
4.12. FILTRO PASA ALTO RL. .................................................................................... 175
4.13. FILTRO PASA BANDA RLC. .............................................................................. 176
4.14. FILTRO RECHAZA BANDA RLC. ..................................................................... 178
4.15. TRANSFORMADOR. ........................................................................................... 180
4.16. PROTOBOARD. ................................................................................................... 181
TAREA3: IDENTIFICA Y ANALIZA UN DIODO. ............................................................... 183
1. EQUIPOS Y MATERIALES: ..................................................................................... 183
2. ORDEN DE EJECUCIN: ........................................................................................ 183
3. OPERACIN. .............................................................................................................. 184
3.2. IDENTIFICA LOS PRINCIPALES TIPOS DE DIODOS. ................................ 184
3.3. IDENTIFICA LOS CDIGOS DE MARCA DE DIODOS. ............................... 186
3.4. IMPLEMENTA CIRCUITOS BSICOS CON DIODOS. ................................. 189
4.1. MATERIALES SEMICONDUCTORES. ............................................................ 198
4.2. POLARIZACIN DEL DIODO. ........................................................................... 199
4.3. CURVA CARACTERSTICA DEL DIODO. ....................................................... 201
4.4. MODELO MATEMTICO.................................................................................... 203
4.5. DIODO LASER. .................................................................................................... 204
4.6. DIODO ZENER ..................................................................................................... 205
4.7. DIODO LED. .......................................................................................................... 207
4.8. DIODO DE CRISTAL. .......................................................................................... 209
4.9. DIODO DE CORRIENTE CONSTANTE ........................................................... 210
4.10. DIODO TNEL O ESAKI. ................................................................................... 210
4.11. DIODO GUNN. ...................................................................................................... 211
4.12. DIODO OLED (ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE). ................................. 213
4.13. FOTODIODOS. ..................................................................................................... 215
4.14. DIODO CON PUNTAS DE CONTACTO. ......................................................... 215
4.15. DIODO PIN. ........................................................................................................... 216
4.16. DIODO SCHOTTKY. ............................................................................................ 216
4.17. CIRCUITOS LIMITADORES............................................................................... 217
4.18. RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA. ................................................................. 219
4.19. RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA. ....................................................... 221
4.20. CODIFICACIN.................................................................................................... 222
4.21. ENCAPSULADO DE DIODOS. .......................................................................... 225
4.22. DIODOS SMD. ...................................................................................................... 226
TAREA4: IDENTIFICA Y ANALIZA UN TRANSISTOR.................................................... 228
2. ORDEN DE EJECUCIN. ........................................................................................ 228
3. OPERACIN. .............................................................................................................. 229

3.2. IDENTIFICA LOS PRINCIPALES TIPOS DE TRANSISTORES BIPOLARES

DE JUNTURA (BJT). ...................................................................................................... 229
3.3. IDENTIFICA LOS CDIGOS DE MARCA DE UN TRANSISTOR BJT. ...... 230
3.4. IDENTIFICA LOS PRINCIPALES TIPOS DE TRANSISTORES DE EFECTO
DE CAMPO (FET). ......................................................................................................... 231
3.5. IDENTIFICA LOS CDIGOS DE MARCA DE UN TRANSISTOR FET. ..... 232
3.6. IMPLEMENTA CIRCUITOS BSICOS CON TRANSISTORES. .................. 233
3.7. IMPLEMENTA FILTRO PASA BAJO ACTIVO. ............................................... 240
3.8. IMPLEMENTA FILTRO PASA ALTO ACTIVO. ............................................... 245
3.9. IMPLEMENTA FILTRO PASA BANDA ACTIVO. ............................................ 250
3.10. IMPLEMENTA FILTRO RECHAZABANDA ACTIVO...................................... 253
4. FUNDAMENTO TERICO: ...................................................................................... 256
4.1. TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTUTA (BJT). ............................................... 256
4.2. TIPOS DE TRANSISTOR DE UNIN BIPOLAR. ........................................... 259
4.3. REGIONES DE OPERACIN DE UN TRANSISTOR BJT. .......................... 261
4.4. TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO (FET). ............................................ 262
4.5. TIPOS DE TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO. .................................... 263
4.6. ZONAS DE TRABAJO DEL FET. ...................................................................... 265
4.7. TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO METAL XIDO
SEMICONDUCTOR (MOSFET). .................................................................................. 266
4.8. ZONAS DE TRABAJO MOSFET. ...................................................................... 268
4.9. ENCAPSULADO DE LOS TRANSISTORES. .................................................. 269
4.10. CDIGO EN EL ENCAPSULADO DE LOS COMPONENTES
SEMICONDUCTORES. ................................................................................................. 271
4.11. ENCAPSULADOS PARA CIRCUITOS INTEGRADOS. ................................ 275
4.12. REGULADORES DE VOLTAJE......................................................................... 277
4.13. AMPLIFICADOR OPERACIONAL. .................................................................... 278
TAREA 4: UTILIZA SOFTWARE DE ELECTRNICA. .................................................... 283
2. ORDEN DE EJECUCIN. ........................................................................................ 283
3. OPERACIN. .............................................................................................................. 284
3.3. UTILIZA PROGRAMAS SE SIMULACIN ELECTRNICA. ........................ 284
3.4. UTILIZA PROGRAMAS PARA CREACIN DE CIRCUITOS IMPRESOS. 287
3.5. ELABORA SIMULACIN DE CIRCUITOS ELECTRNICOS BSICOS. .. 298
3.6. ELABORA SIMULACIN DE CIRCUITOS ELECTRNICOS BSICOS. .. 299

TAREA1: IDENTIFICA Y ANALIZA RESISTENCIAS.

El Tcnico en Redes y Comunicacin de Datos, al trmino de esta tarea podr
identificar y reconocer las principales caractersticas tcnicas de las
resistencias. Para ejecutar esta tarea deber desarrollar las siguientes
operaciones:
Identifica las resistencias segn el material utilizado para su construccin.
Identifica y calcula el valor nominal de una resistencia por cdigo de colores.
Identifica y calcula el valor nominal de una resistencia por cdigo de marca.
.
No basta saber, se debe tambin aplicar. No

es suficiente querer, se debe tambin hacer.
Johann Wolfgang Goethe
1. EQUIPOS Y MATERIALES:
Fuente de alimentacin regulable de laboratorio.
Milmetro digital
Resistencias fijas de: Resistencia de hilo bobinado, Resistencia de carbn
prensado, resistencia de pelcula de carbn, Resistencias de pelcula de
xido metlico, Resistencias de pelcula metlica.
Resistencias variables: Potencimetro de mando, Potencimetro de ajuste,
Potencimetro rotatorios, Potencimetro mltiples, Termistor NTC (K252),
Termistor PTC, Foto resistencia, Resistencia VDR.
Resistencias SMD con cdigo de marca de 03 dgitos, Resistencias shd con
cdigo de marca de 03 dgitos.
Bombilla
2. ORDEN DE EJECUCIN:
Identifica las resistencias segn el material de construccin.
Identifican la resistencia segn su potencia.
Identifican y calculan su valor nominal por cdigo de colores.
Identifican y calculan su valor nominal por cdigo de marca.
Calcula resistencias equivalentes en circuitos en serie.
Calcula resistencias equivalentes en circuitos en paralelo.
Calcula resistencias equivalentes en circuitos mixtos.

Utiliza la ley de Ohm.

Utiliza la ley de Kirchhoff.
Utiliza el teorema de Thvenin y Norton.
Utiliza el teorema de mxima transferencia.
Utiliza el teorema de Millman.
Utiliza el teorema de sustitucin.
Utiliza el teorema de reciprocidad.
3. OPERACIN.
3.1. NORMAS DE SEGURIDAD Y PROTECCIN AMBIENTAL.
Normas de seguridad:
Identifique el lugar de los extinguidores y la ubicacin de las salidas del
laboratorio.
Recuerda dnde est situado el botiqun.
No pongas en funcionamiento un equipo de laboratorio sin que el instructor
haya revisado la instalacin.
No utilices ninguna herramienta o equipo sin conocer su uso, funcionamiento
y normas de seguridad especficas.
Maneja con especial cuidado el material frgil.
Informa al instructor del material roto o averiado.
No fumar, comer o beber en el taller.
Utiliza una bata o mandil siempre bien abrochado, para proteger tu ropa.
Guarda tus prendas y los objetos personales y no los dejes sobre la mesa de
trabajo.
Procura no andar de un lado para otro sin motivo y, sobre todo, no corras
dentro del laboratorio.
Ten siempre tus manos limpias y secas. Si tienes alguna herida protgela.
Mantenga su puesto de trabajo limpio y ordenado, para evitar accidente.
Mantenga las herramientas ordenadas para evitar accidentes.
Normas de proteccin ambiental:

Recuerda la ubicacin de los tallos para elementos txicos.
Los componentes electrnicos son txicos.
Si salpicas la mesa, lmpiala con agua y scala despus con un pao.
Al acabar la prctica, limpia y ordena el material utilizado.

Los desechos txicos, generados en la tarea deben recolectados y

entregados al instructor para ser depositados en tacho de elementos txicos.
Identifica las resistencias segn el material utilizado para su

construccin.
El participante realizara el reconocimiento de los diferentes tipos de
resistencias teniendo en cuenta el material utilizado para su fabricacin,
siguiendo normas de seguridad y proteccin ambiental.
Identifica el tipo de material y sus principales caractersticas de

Resistencias Fijas:
Para esta operacin el instructor debe proporcionar al aprendiz resistencias
fijas que estn fabricados de distintos materiales: Aglomerados, hilo bobinado,
carbn prensado, pelcula de carbn, pelcula de xido metlico, pelcula
metlica, metal vidriado.
1. Identifica resistencia fija de aglomerados.

Color de la Cdigo de colores Potencia Material Utilizado
cubierta para su fabricacin
2. Identifica resistencia fija de hilo bobinado.

Color de la Cdigo de colores Potencia Material Utilizado para
cubierta su fabricacin
3. Identifica resistencia fija de carbn prensado.


4. Identifica resistencia fija de pelcula de carbn.

5. Identifica resistencia fija de pelcula de xido metlico.

6. Identifica resistencia fija de pelcula metlica.

7. Identifica resistencia fija de metal vidriado.


Resistencias Variable:
Para esta operacin el instructor debe proporcionar al aprendiz resistencias
variables como: Potencimetros, Termistores y LDR.

1. Identifica resistencia variable por movimientos mecnicos o potencimetros.

Nombre de la Valor Valor Tipo Material Utilizado
Resistencia mnimo mximo para su
fabricacin
2. Identifica resistencia variable por temperatura.

Nombre de Valor Valor Tipo Material Utilizado
la mnimo mximo para su fabricacin
Resistencia
En una resistencia NTC (Negative Temperatura Coefficient), llamada tambin

termistor, la resistencia disminuye en la medida que aumenta la temperatura. El
cambio de la resistencia puede provocarse por medio de un cambio de la
temperatura del medio ambiente o por medio de la refrigeracin propia debido a
diferentes cargas elctricas.
La tpica curva caracterstica de una resistencia NTC tiene una forma

exponencial; la curva depende del material empleado, de la forma constructiva
y el cambio de temperatura.
Para comprender la funcin Resistencia NTC debemos implementar el

siguiente circuito:

Voltaje de la 2V 4V 7V 10V 15V 18V

Fuente
VNTC
INTC
RNTC
En una resistencia PTC (Positive Temperatura Coefficient), llamada tambin

conductor fro, la resistencia aumenta en la medida en que aumenta la
temperatura. El cambio de la resistencia puede provocarse por medio de un
cambio de la temperatura del medio ambiente o por medio del calentamiento
propio o de la refrigeracin propia debido a las diferentes cargas elctricas.
Para comprender la funcin de la Resistencia NTC debemos implementar el

siguiente circuito:

Fuente
VPTC
IPTC
RPTC
3. Identifica resistencia variable por intensidad de luz.

Nombre de la Valor Valor Tipo
Resistencia mnimo mximo
La resistencia fotoelctrica (LDR= Light Dependent Resistor), es un elemento

constructivo en el que disminuye la resistencia cuando aumenta la iluminacin,
es decir, que aumenta la resistencia cuando disminuye la intensidad de

iluminacin.
El cambio de la resistencia se basa en el efecto interior fotoelctrico. Por medio

dela absorcin de energa de radiacin se genera libres portadores de carga en
el material semiconductor, aumentando as la conductividad.
La resistencia fotoelctrica se emplea a menudo en circuitos electrnicos:

barreras de luz, como interruptores automticos de crepsculo, como
guardallamas, como avisadores de incendios, etc.
Para comprender la funcin Fotoelctrica debemos implementar el siguiente

circuito:
Fijar el valor de voltaje de la fuente del laboratorio en 12V, vare el valor del
potencimetro llene la siguiente tabla:
Valor 1K 3K 5K 7K 9K 10K
Potencimetro
V(Voltios)
ILDR
RLDR
Identifica y calcula el valor nominal de una resistencia por cdigo de

colores.
El participante podr identificar y calcular el valor de una resistencia teniendo

en cuenta el cdigo de colores y cdigo de marca, en resistencias fijas.

Identifica el cdigo de colores de cuatro bandas de una resistencia fija y

calcula el valor de resistencia:
Para el desarrollo de esta operacin el instructor debe proporcionar al
participante 04 resistencias fijas que poseen distintos cdigos de colores, con
cuatro bandas.
1. Llene la siguiente tabla:
Color Color Color Color Valor Valor Valor

1ra Banda 2ra Banda 3ra Banda 4ta Banda Nominal mnimo mximo
Identifica el cdigo de colores de cinco bandas de una resistencia fija y

calcula el valor de resistencia:
participante 04 resistencias fijas que poseen distintos cdigos de colores, con
cinco bandas.
Color Color Color Color Color Valor Valor Valor

1ra 2ra 3ra 4ta 5ta Nominal mnimo mximo
Banda Banda Banda Banda Banda

Identifica y calcula el valor nominal de una resistencia por cdigo de

marca.

participante 04 resistencias fijas que poseen distintos cdigos de marca.
Cdigo de Valor de Valor Valor Valor

marca tolerancia Nominal mnimo mximo
Calcula resistencias equivalentes en circuitos en serie.
Las resistencias asociadas en serie, son aquellas que comparten un nodo entre
s. Sus principales caractersticas son:
La suma del voltaje de cada resistencia, es igual al voltaje de alimentacin.
La corriente es constante en una resistencia
Para comprobar las caractersticas de los circuitos en serie, implemente el

siguiente circuito en el protoboard:

Comprobando el comportamiento del voltaje en un circuito en serie, vamos a

variar el valor de voltaje de la fuente y medir el voltaje en cada una de las
resistencias y llenamos la siguiente tabla:
Voltaje de la Fuente 2V 4V 7V 10V 15V 18V

(V1)
VR1
VR2
VR3
VR4
VR1+VR2+VR3+VR4
Comprobando el comportamiento de la corriente en un circuito en serie, vamos

a variar el valor de voltaje de la fuente y medir la corriente en cada una de las

Fuente (V1)
IR1
IR2
IR3
IR4
Desconecte la fuente de alimentacin del circuito, utilizando el multmetro tome

la medida de la.
Valor Obtenido=__________________________________________
Como se denomina el valor obtenido:__________________________

Utilizando un potenciometro, regule su valor hasta obtener el de la resistencia

obtenido en el paso anterior. e implemente el siguiente circuito:
Para comprobando el comportamiento de la corriente en un circuito equivalente

en serie, vamos a variar el valor de voltaje de la fuente y medir la corriente en
cada una de las resistencia y llenamos la siguiente tabla

(V1)
IRequivalente
Comprobando el comportamiento del voltaje en un circuito equivalente en serie,

vamos a variar el valor de voltaje de la fuente y medir el voltaje en cada una de
las resistencias y llenamos la siguiente tabla:

(V1)
VRequivalente
Calcula resistencias equivalentes en circuitos en paralelo.
Las resistencias asociadas en paralelo, son aquellas que comparten dos nodos
entre s. Sus principales caractersticas son:
La suma de las corrientes de cada resistencia, es igual a la corriente de la
fuente de alimentacin.
El voltaje es constante en una resistencia.
Para comprobar las caractersticas de los circuitos en paralelo, implemente el


Comprobando el comportamiento del voltaje en un circuito en paralelo, vamos a


Fuente (V1)
VR1
VR2
VR3
VR4
Para calcular la corriente que suministra de la fuente al circuito electrnico,

utilizamos el siguiente procedimiento:
IFUENTE



(V1)
IR1
IR2
IR3
IR4
IR1+IR2+IR3+IR4

la medida de la.
Valor Obtenido=__________________________________________
Utilizando un potenciometro y el Ohmimetro, regule su valor hasta obtener el

vcalor de la resistencia equeivalente (Valor del de la resistencia obtenido en el
paso anterior). Implemente el siguiente circuito:

en paralelo, vamos a variar el valor de voltaje de la fuente y medir la corriente
en cada una de las resistencias y llenamos la siguiente tabla:

(V1)
IRequivalente
Comprobando el comportamiento del voltaje en un circuito equivalente en

paralelo, vamos a variar el valor de voltaje de la fuente y medir el voltaje en
cada una de las resistencias y llenamos la siguiente tabla:

(V1)
VRequivalente
Calcula resistencias equivalentes en circuitos mixtos.
a. Calculo de la resistencia equivalente mixto bsico:

Las resistencias asociadas en un circuito mixto, son aquellas que combinan
partes en serie y paralelo.

Comprobando el comportamiento del voltaje en un circuito mixto, vamos a



Fuente (V1)
VR1
VR2
VR3
VR4
VR5
VR6
VR7

utilizamos el siguiente procedimiento.
IFUENTE

Voltaje de la Fuente (V1) 2V 4V 7V 10V 15V 18V

IR1
IR2
IR3
IR4
IR5
IR6
IR7
IR1+IR2+IR3+IR4+IR5+IR6+IR7


la medida de la.
Valor Obtenido=__________________________________________


en cada una de las resistencia y llenamos la siguiente tabla

(V1)
IRequivalente



(V1)
VRequivalente
b. Calculo de la resistencia equivalente en un circuito delta-estrella:

Las resistencias asociadas en un circuito mixto, son aquellas que combinan
partes en serie y paralelo.

Comprobando el comportamiento del voltaje en un circuito mixto, vamos a


Fuente (V1)
VR1
VR2
VR3
VR4
VR5
VR6

utilizamos el siguiente procedimiento

IFUENTE

Voltaje de la Fuente (V1) 2V 4V 7V 10V 15V 18V
IR1
IR2
IR3
IR4
IR5
IR6
IR1+IR2+IR3+IR4+IR5+IR6

la medida de la.
Valor Obtenido=__________________________________________



en cada una de las resistencia y llenamos la siguiente tabla

(V1)
IRequivalente


(V1)
VRequivalente
Utiliza la ley de Ohm.
Esta ley establece: El flujo de corriente en ampere que circula por un circuito
elctrico cerrado, es directamente proporcional a la tensin o voltaje aplicado, e
inversamente proporcional a la resistencia en ohm de la carga que tiene
conectada.

La tensin o voltaje aplicado, es directamente proporcional a la corriente que

circula por un circuito cerrado, y directamente resistencia en ohm de la carga
que tiene conectada
La resistencia en ohm de la carga que tiene conectada, es directamente

proporcional a la tensin o voltaje aplicado, e inversamente proporcional a la
corriente que circula por un circuito cerrado:
Para comprobar la ley de Ohm, implemente el siguiente circuito en el

protoboard:
Comprobando el comportamiento de la ley de Ohm con la corriente, vamos a

medir el valor de voltaje en cada una de las resistencias y llenamos la siguiente
tabla:
Medir el Voltaje Calcular Medir la corriente

(V) I=V/R I=V/R
VR1 IR1 IR1
VR2 IR2 IR2
VR3 IR3 IR3
VR4 IR4 IR4
Comprobando el comportamiento de la ley de Ohm con el voltaje, vamos a

medir el valor de la Corriente en cada una de las resistencias y llenamos la
siguiente tabla:

Medir la Corriente Calcular Medir la corriente

(I) V=I*R (I)
IR1 VR1 VR1
IR2 VR2 VR2
IR3 VR3 VR3
IR4 VR4 VR4
Comprobando el comportamiento de la ley de Ohm con el valor de la

resistencia, vamos a medir el valor de la Corriente y el voltaje en cada una de
las resistencias y llenamos la siguiente tabla:
Medir la Corriente Medir la corriente Calcular valor de la

(I) (I) resistencia
R=V/I
IR1 VR1 R1
IR2 VR2 R2
IR3 VR3 R3
IR4 VR4 R4
Utiliza la ley de Kirchhoff.
a. Ley de corrientes de Kirchhoff: Esta ley establece que la suma algebraica

de las corrientes que entran a cualquier nodo es cero.
Para comprobar la ley de corriente de Kirchhoff, implementar el siguiente
circuito en el protoboard:

Comprobando la ley de corriente de Kirchhoff, vamos a medir el valor de la

Corriente en los nodos A y B. Llenamos la siguiente tabla:
Medir la Corriente Medir la Corriente

en el nodo A en el nodo B
IR1-A IR3-B
IA-R2 IB-R4
IA-R3 IB-R5
b. Ley de tensin de Kirchhoff: Esta ley establece que la suma algebraica de

las tensiones alrededor de cualquier trayectoria cerrada es cero.
Comprobando la ley de Tensin de Kirchhoff, vamos a medir el valor el Voltaje

en la malla ABM, BCM. Llenamos la siguiente tabla:
Medir el Voltaje Medir el Voltaje
en la malla ABM en la malla BCM
VFUENTE VR2
VR1 VR3
VR2 VR4
VFUENTE=VR1+VR2 VR2=VR3+VR4
M M M
Utiliza el teorema de Thvenin y Norton.
El teorema de Thvenin establece que un circuito compuesto por resistencias y

fuentes dependientes (y lineales) y fuentes independientes puede
reemplazarse por un circuito equivalente consistente en una fuente de tensin
Vuh y una resistencia Ruth.

Mida el voltaje en los puntos AC (R3)

VR3
Para calcular el voltaje de Thvenin en los puntos AC, implemente el siguiente

VB-C
Para calcular la resistencia de Thvenin en los puntos AC, implemente el

RB-C = Ruth

Para calcular el Voltaje en la resistencia R3, utilizando el teorema de Thvenin,

implemente el siguiente circuito en el protoboard:
VR3
Utiliza el teorema de mxima transferencia.
El teorema de mxima transferencia de potencia establece, que una carga

recibir la mxima transferencia si su valor resistivo es igual al valor de la
resistencia de Thvenin.
Para comprobar la ley de mxima transferencia de energa, implementar el

Comprobando la ley de mxima transferencia de energa, vamos a medir el

valor el Voltaje en la Resistencia RL, Llene la siguiente tabla:
Valor del 1K 2K 5K 10K 15K 20K

Potencimetro (RL)
VRL
Con cul de los valores del potencimetro que se muestra en la tabla, se

obtiene el mayor voltaje:
Max.

Utiliza el teorema de Millman.
El Teorema de Millman si se tiene un circuito con slo dos nodos (cuando se

tienen varias ramas en paralelo) en cada una de dichas ramas se tiene una
fuente de tensin en serie con una resistencia en serie. Se obtiene
directamente la diferencia de potencial en los extremos del circuito a y b. Este
teorema establece que el voltaje Vm entre los nodos a y b es igual a la suma
de los productos que resultan al multiplicar la fuente de tensin en cada rama,
Vk, por la conductancia en dicha, Gk, para todas las ramas k = 1, 2,..., n, todo
dividido por la suma de las conductancias, tal como se muestra en la siguiente
ecuacin
Para comprobar el teorema de Millman, implementar el siguiente circuito en el

protoboard:
Medir el voltaje y la corriente en la resistencia de carga (RL):
VRL
IRL
Calculando el voltaje de Millman que utilizaremos en el circuito equivalente

segn el teorema de Millman
Calculando la Resistencia equivalente de Millman que utilizaremos en el

circuito equivalente segn el teorema de Millman

Implementar el circuito equivalente de Millman, en el protoboard
Nota: Para obtener la resistencia equivalente de Millman utilice un

potencimetro de un 1K, ajuste su valor con la ayuda de un potencimetro
hasta obtener el valor de la Rmillman, en el paso anterior.
Medir el voltaje y la corriente en la resistencia de carga (RL):
VRL
IRL
Utiliza el teorema de sustitucin.
Llamado tambin "Teorema de compensacin". Es tan sencillo y trivial que

muchas veces no selo considera. Tiene su aplicacin principalmente en
circuitos con acoplamiento magntico y se puede enunciar como:
Si un elemento o rama de un circuito se define por la relacin V ab = Zab.* lab, o

por Iab = Yab * Vab dicho elemento o rama, puede sustituirse por una fuente de
tensin compensadora cuyo valor est dado por (Zab* lab) o por una fuente de
corriente dada por (Yab* Vab).
Para comprobar el teorema de sustitucin, implementar el siguiente circuito en

el protoboard:

Comprobando el teorema de sustitucin, vamos a medir el valor el Voltaje y la

corriente en cada una de las resistencias del circuito. Llenamos la siguiente
tabla:
Medir la Corriente Medir el voltaje

en cada resistencia en cada resistencia
IR1 VR1
IR2 VR2
IR3 VR3
IR4 VR4
IR5 VR5
Con el voltmetro regule la fuente de voltaje de la fuente al valor obtenido entre

los puntos AB, e implementamos el siguiente circuito en el protoboard.
Comprobando el teorema de sustitucin, vamos a medir el valor el Voltaje y la

corriente en cada una de las resistencias del circuito. Llenamos la siguiente
tabla:
Medir la Corriente Medir el voltaje

en cada resistencia en cada resistencia
IR2 VR2
IR4 VR4
IR5 VR5
Nota: Comprobar si los valores de voltaje y corriente en R2, R4 y R5, en las dos
tablas son iguales.
Utiliza el teorema de reciprocidad.

El teorema reciprocidad establece que si en un circuito lineal, con una red
donde solamente tengamos una fuente de tensin en una malla cualquiera R,
produciendo una corriente en otra malla diferente S, se puede cambiar la fuente

en la malla S, y nos producir en la malla R la misma corriente que antes se

produca en la S. Es decir, que se pueden intercambiar la causa, la fuente, con
el efecto corriente, en sus respectivas mallas.
Para comprobar el teorema de sustitucin, implementar el siguiente circuito en

el protoboard:
Comprobando el teorema de reciprocidad, vamos a medir el valor de la

corriente en la resistencia R1 del circuito. Llenamos la siguiente tabla 1:
Medir la Corriente en cada resistencia
IR4
En la rama de la fuente (AM) realice un cortocircuito. Conecte la fuente de voltaje en la

rama (CM), para lo cual implementamos el siguiente circuito en el protoboard:
Medir la Corriente en cada resistencia

IR1
El teorema de reciprocidad se cumplir si los valores de la corriente en la

resistencia R1 y la corriente en la resistencia R4, son iguales.
Comparar las corriente en la resistencia R1 y R4

IR1 IR4

FUNDAMENTO TERICO.
VOLTAJE (V): Tambin llamado diferencia de potencia o fuerza electromotriz

(f.e.m), es la cantidad de trabajo elctrico que se necesita para transportar una
carga elctrica de un punto a otro de un circuito.
Sea el voltaje utiliza como unidad de mediada los Voltios, al cual se representa
como (V). Si los valores son pequeos se utiliza los mili voltios (mV), si son
grandes Kilovoltios (KV).
a. Voltaje Alterno: Se denomina aquel voltaje cuyo valor vara en forma

constante, y se repite en intervalos de tiempos constantes denominados
ciclos o periodos.
Tiene varias presentaciones: Escaln, Diente de sierra, Senoidal. La ms

utilizada es la que tiene forma Senoidal.
Los principales parmetros de un voltaje alterno son:
Valor instantneo (a(t)): Es el que toma la ordenada en un instante, t,

determinado.
Valor pico a pico (App): Diferencia entre su pico mximo (pico positivo) y
su mnimo (pico negativo). El valor mximo de sen(x) es +A0 y el valor
mnimo es -A0, por lo tanto AP-P= (+AP)-(-AP) = 2AP.
Valor medio (Amed): Valor del rea que forma con el eje de abscisas
partido por su perodo. El rea se considera positiva si est por encima
del eje de abscisas y negativa si est por debajo. Como en una seal
sinusoidal el semiciclo positivo es idntico al negativo, su valor medio es
nulo. Por eso el valor medio de una onda sinusoidal se refiere a un
semiciclo. Mediante el clculo integral se puede demostrar que su
expresin es la siguiente:

Valor eficaz (A): Su importancia se debe a que este valor es el que

produce el mismo efecto calorfico que su equivalente en corriente
continua. Matemticamente, el valor eficaz de una magnitud variable con
el tiempo, se define como la raz cuadrada de la media de los cuadrados
de los valores instantneos alcanzados durante un perodo:
En la literatura inglesa este valor se conoce como R.M.S. (root mean

square, valor cuadrtico medio). En el campo industrial, el valor eficaz es
de gran importancia ya que casi todas las operaciones con magnitudes
energticas se hacen con dicho valor. Matemticamente se demuestra
que para una corriente alterna Senoidal el valor eficaz viene dado por la
expresin:
El valor A, tensin o intensidad, es til para calcular la potencia

consumida por una carga. As, si una tensin de corriente continua (CC),
VCC, desarrolla una cierta potencia P en una carga resistiva dada, una
tensin de CA de Vrms desarrollar la misma potencia P en la misma
carga si Vrms = VCC.
Su tensin de pico (amplitud), se obtiene despejando de la ecuacin antes

reseada:
Periodo (T): Es un intervalo de tiempo constante que tarda un voltaje

alterno en volverse a repetir o completar un ciclo.
Frecuencia (f): Indica la cantidad de veces que se repite un ciclo o

periodo. Matemticamente se calcula mediante la siguiente
ecuacin:
1 Ciclos
f ( Hertz )
T segundos

Velocidad angular (w): Es la velocidad con la cual una seal elctrica

completa un ngulo de 360 o 2radianes. Matemticamente se expresa
mediante la siguiente ecuacin:
2 2
w 2f
T
1f

Caractersticas del voltaje alterno:

No posee polaridad.
Necesita dos polos para poder aplicarse.
Puede ser generado por la instalacin elctrica, generadores de seales,
osciladores, etc.
Posee dos estndares de generacin para instalaciones elctricas, la que
nos permite generar seales a 220V con una f=60Hz. y la que nos permite
generar seales a 110V con un f=50Hz.
b. Voltaje Continuo: Es aquel voltaje cuyo valor permanece constante. Sus

principales caractersticas son:
Posee Polaridad.
Necesita dos polos para poderse aplicar.
Puede ser generada por pilas, bateras, Paneles solares, Fuentes de
alimentacin.
CORRIENTE.
Es la cantidad de carga que pasa por un conductor en un cierto intervalo de
tiempo al aplicarse sobre una diferencia de potencial o voltaje. Si la diferencia
de potencial es constante se llamara corriente continua (CC), si es variable se
llamara alterna (AC).
La corriente en cualquiera de sus dos presentaciones AC y DC o CC, se mide

en Amperios el cual se representa como (A), si es pequea se expresa en
miliamperios (mA) o microamperios (A).

tomos: protones, electrones y neutrones. Si se pudiera dividir el tomo de

un elemento, tendramos pequesimas partculas que son las que dan a los
tomos sus particulares caractersticas. Debemos saber que un tomo de un
elemento se diferencia de un tomo de otro elemento en el nmero de ciertas
partculas subatmicas que tiene cada uno de ellos, y stos son los electrones.
En el centro del tomo est el ncleo, que tiene dos clases de partculas: los
protones y los neutrones; alrededor del ncleo giran los electrones en rbitas
electrnicas, as como ocurre con los planetas que giran en torno al sol.
Una caracterstica importantsima de los protones y neutrones es que tienen

carga elctrica, vale decir: tienen una energa intrnseca y natural, puesta de
manifiesto por las fuerzas que pueden ejercer sobre otras partculas del mismo
tipo y que originan fenmenos de atraccin y repulsin entre partculas
cargadas elctricamente.
Los electrones tienen carga elctrica negativa (-), los protones tienen carga
elctrica positiva (+); los protones tienen igual cantidad de carga positiva
quede negativa; por lo tanto, tiene un efecto neutro por la anulacin mutua
entre los dos, el neutrn no ejerce fuerza elctrica sobre un electrn o protn y
tiene la funcin de separar los protones que estn en el ncleo, al electrn.
Un tomo es elctricamente neutro y eso quiere decir que la cantidad de

electrones es igual al nmero de protones; ese nmero de electrones se
denomina "NUMEROATOMICO". Los neutrones tienen intervencin en la masa
atmica, que est prcticamente en el ncleo; el resto es espacio vaco donde
los electrones giran a grandes velocidades.
Iones positivos y negativos. Cuando por cualquier circunstancia un tomo

gana o pierde electrones, se dice que dicho tomo se ha ionizado.
Se denomina ION POSITIVO cuando el tomo tiene ms protones que
electrones e ION NEGATIVO cuando tiene ms electrones que protones. Como
cargas de distinto signo se atraen, cuando estn cerca iones negativos y
positivos, stos se unen, pero tambin puede ocurrir que solamente se
desprendan los electrones que tiene de ms el in negativo y se dirijan hacia el
in positivo para neutralizar su carga. Cuando esto ocurre, se dice que el paso
de los electrones "neutralizadores de carga" constituye una CORRIENTE
ELECTRICA.

POTENCIA. La potencia elctrica desarrollada en un cierto instante por un

dispositivo de dos terminales es el producto de la diferencia de potencial entre
dichos terminales y la intensidad de corriente que pasa a travs del dispositivo.
Esto es:
Dnde: I es el valor instantneo de la corriente y V es el valor instantneo del

voltaje. Si I se expresa en amperios y V en voltios, P estar expresada en
vatios.
PREFIJOS. Son letras que se anteponen a una unidad de medidas utilizadas

en la electrnica, las cuales son utilizadas para representar cantidades
pequeas las cuales se representan con letras minsculas. Si se utilizan para
representa cantidades grandes se les representas con letras maysculas.
Los que utilizaremos es el sistema de medidas adoptado por el Per, es decir

el sistema internacional de medidas.
El SI fue adoptado por la undcima Conferencia General de Pesos y Medidas

(CGPM o Confrence Gnrale des Poids et Mesures) en 1960.
Prefijos para cantidades pequeas Prefijos para cantidades grandes

Factor Prefijo Smbolo Factor Prefijo Smbolo
-24 24
10 Yocto y 10 Yotta Y
-21 21
10 Zepto z 10 Zetta Z
-18 18
10 Atto a 10 Exa E
-15 15
10 Femto f 10 Peta P
-12 12
10 Pico p 10 Tera T
-9 9
10 Nano 10 Giga G
-6 6
10 Micro 10 Mega M
-3 3
10 Mili m 10 Kilo K
-2 2
10 Centi c 10 Hecto H
-1 1
10 Deci d 10 Deca da
RESISTENCIA. Se denomina resistencia o resistor al componente electrnico

diseado para introducir una resistencia elctrica determinada entre dos puntos
de un circuito.
La unidad de medida utilizado en este componente es el Ohmio (), si posee

valores grandes se acompaa de los prefijos KILO (K) o Mega (M).

Smbolo electrnico:
CLASIFICACIN DE LA RESISTENCIA. Existen varios criterios para clasificar

a las resistencias o resistores, siendo los ms utilizados:
a. CLASIFICACIN SEGN SU VALOR: Segn este criterio de clasificacin

las resistencias o resistores se denominan:
Resistencias Variable: Son aquellas cuyo valor varia por influencia de
algn agente externo como por ejemplo el movimiento mecnico
(Potencimetros), luz (LDR), Temperatura (PTC, NTC) y el voltaje (VDR).
Resistencias Fijas: Son aquellas cuyos valores permanecen constante a

pesar de la influencia de agentes externos.
b. CLASIFICACIN SEGN SE POTENCIA: Segn este criterio de

clasificacin las resistencias o resistores se denominan:
Resistencias de baja Potencia: Son aquellas

cuyas potencias pueden ser: 1/16, 1/8, , , 1, y
2Watts. La potencia de la resistencia determina el
tamao fsico de una resistencia, es decir la
resistencia de o 0.25 W es ms pequea que
la de o 0.5W.
Resistencias de alta potencia: Son aquellas

cuyas potencias son superiores a los 2Watts.
RESISTENCIA FIJAS. Estas resistencias se clasifican segn el material

utilizado para su fabricacin en:

Resistencias de hilo bobinado: Fue uno de los primeros materiales

utilizados en la fabricacin de resistencias o resistores, an se sigue
utilizando cuando se requieren potencias algo elevadas de disipacin.
Estn constituidas por un hilo conductor (terminal de alambre), bobinado en

forma de hlice o espiral a modo de rosca de tornillo (pelcula delgada de
metal de alta resistencia), ncleo de cermica y una cubierta.
Las aleaciones empleadas en la fabricacin de una resistencia de hilo

bobinado ms utilizado se muestran en la siguiente tabla, y se procura la
mayor independencia posible de la temperatura, es decir, que se mantenga
el valor en ohmios independientemente de la temperatura.
Resistividad Coef.
Metal relativa Temperatura
(Cu = 1) a (20 C)
Aluminio 1.63 + 0.004
Cobre 1.00 + 0.0039
Constantan 28.45 0.0000022
Karma 77.10 0.0000002
Manganina 26.20 0.0000002
Cromo- 65.00 0.0004
Nquel
Plata 0.94 + 0.0038
Resistencias de carbn prensado: Estas fueron uno de los primeras

materiales utilizados en la fabricacin de resistencias o resistores. Estn
constituidas en su mayor parte por grafito en polvo, el cual se prensa hasta
formar un tubo.

Los pines de conexin se implementaban con hilo enrollado en los extremos

del tubo de grafito, posteriormente se mejor el sistema mediante un tubo
hueco cermico (figura inferior) en el que se prensaba el grafito en el interior
y finalmente se disponan unos bornes a presin con patillas de conexin.
Las resistencias de este tipo son muy inestables con la temperatura, tienen
unas tolerancias de fabricacin muy elevadas, en el mejor de los casos se
consigue un 10% de tolerancia. Tambin poseen ruido trmico tambin
elevado, lo que las hace poco apropiadas para aplicaciones donde el ruido
es un factor crtico, tales como amplificadores de micrfono, fono o donde
exista mucha ganancia. Estas resistencias son tambin muy sensibles al
paso del tiempo, y variarn ostensiblemente su valor con el transcurso del
mismo.
Resistencias de pelcula de carbn: Es una de las ms utilizadas hoy en

da, se comercializan con potencias que pueden alcanzar 2W.
Para su fabricacin se utiliza un tubo cermico como sustrato sobre el que

se deposita una pelcula de carbn tal como se aprecia en la figura.
Para obtener valor de resistencia ms elevada, se practica una hendidura

hasta el sustrato en forma de espiral, con lo que se logra aumentar la
longitud del camino elctrico, lo que equivale a aumentar la longitud del
elemento resistivo.
Las conexiones externas se hacen mediante crimpiado de cazoletas

metlicas a las que se une hilos de cobre baados en estao para facilitar la
soldadura. Al conjunto completo se le baa de laca ignfuga y aislante o
incluso vitrificada para mejorar el aislamiento elctrico. Se consiguen as
resistencias con una tolerancia del 5% o mejores, adems tienen un ruido
trmico inferior a las de carbn prensado, ofreciendo tambin mayor
estabilidad trmica y temporal que stas.

Resistencias de pelcula de xido metlico: Para su fabricacin de utiliza

un tubo de cermico como sustrato sobre el cual se deposita una pelcula
de, para obtener valor de resistencia ms elevada, se practica una hendidura
hasta el sustrato en forma de espiral, con lo que se logra aumentar la
longitud del camino elctrico, lo que equivale a aumentar la longitud del
elemento resistivo.
Las conexiones externas se hacen mediante crimpiado de cazoletas

metlicas a las que se une hilos de cobre baados en estao para facilitar la
soldadura.
Estas resistencias son ms caras que las de pelcula metlica, y no son muy
habituales. Se utilizan en aplicaciones militares (muy exigentes) o donde se
requiera gran fiabilidad, porque la capa de xido es muy resistente a daos
mecnicos y a la corrosin en ambientes hmedos.
Resistencias de pelcula metlica: Este tipo de resistencia es el que

mayoritariamente se fabrica hoy da, con unas caractersticas de ruido y
estabilidad mejoradas con respecto a todas las anteriores. Tienen un
coeficiente de temperatura muy pequeo, del orden de 50 ppm/C (partes
por milln y grado Centgrado). Tambin soportan mejor el paso del tiempo,
permaneciendo su valor en ohmios durante un mayor perodo de tiempo. Se
fabrican este tipo de resistencias de hasta 2W de potencia, y con tolerancias
del 1% como tipo estndar.
Resistencias de metal vidriado: Est compuesta por vidrio con polvo

metlico. Como principal caracterstica cabe destacar su mejor
comportamiento ante sobrecargas de corriente, que puede soportar mejor
por su inercia trmica que le confiere el vidrio que contiene su composicin.

Como contrapartida, tiene un coeficiente trmico peor, del orden de 150 a

250 ppm/C. Se dispone de potencias de hasta 3W.
Se dispone de estas resistencias encapsuladas en chips tipo DIL (dual in

line) o SIL (single in line).
Resistencias SMD (SurfaceMountedDevice): Las resistencias SMD o de

montaje en superficie, poseen un tamao es minsculo, adecuado para
montar circuitos mucho ms pequeos, con el mismo comportamiento, pero
con el correspondiente ahorro de espacio.
Estas resistencias se fabrican utilizando sustrato de

aluminio, un elemento resistivo que se vierte sobre el
sustrato ajustandolo hasta su valor deseado, tres
terminales superior, inferor y lados los cuales estan
fabricados con pasta de plata, niquel y estao.
La denominacin comercial se refiere a ellos por su largo y ancho como p.ej.

0805, lo que de modo codificado significa 0,08 x 0,05 de pulgada, por lo que
si realizan los clculos podrn ver las dimensiones ms usadas en la
siguiente tabla. La altura puede variar segn el fabricante y no es crtica para
el proceso de fabricacin.
Existen componentes pasivos de forma cilndrica, conocidos como MELF y

sus variantes maxi, mini y micro-MELF. Al igual que los anteriores sus
terminales de conexin consisten en extremos metalizados y estaados. En
este formato suelen encontrarse resistores y diodos recibiendo estos ltimos
el nombre de SOD.

MELF Cdigos Micro- Mini- MELF Maxi-

Resistores MELF MELF MELF
y Diodos Largo 2,0 3,5 3,6 5,9
Dimetro 1,2 1,4 2,0 2,2
.
POTENCIMETRO: Un potencimetro es una resistencia de tipo variable, es

decir que su valor puede cambiar en un rango establecido por el fabricante del
componente, este control de su valor es casi siempre mecnico. Es decir con
un movimiento o presin podemos controlar indirectamente la intensidad de
corriente que fluye por un circuito en el que est conectado este componente.
Construccin:
Pueden estar construidos sobre papel baquelizado, fibra, almina con una pista
de carbn. La pista tiene contactos en sus extremos y un cursor conectado a
un pin que se desliza por la pista resistiva. Se los llama potencimetros
impresos.
Tambin pueden ser petados: estn fabricados con un arrollamiento toroidal de

alambre resistivo con un cursor que mueve el pin sobre el mismo. El
potencimetro posee los siguientes componentes:
1. Pines de conexin: Estn fabricados de cobre y

cubiertos de una aleacin de estao y plomo. Estn
sujetos a presin al soporte, para permitir el contacto
con la pelcula resistiva.
2. Soporte: Es una lmina fabricada de fibra o baquelita.
3. Pelcula de carbn: Es una pelcula de carbn y
aglutinante lo cual permite resistir el desgaste del movimiento.
4. Soporte: Proporciona estabilidad al girar el eje del potencimetro, adems
es el tope para limitar el giro del potencimetro.
5. Contacto mvil: Es el que permite variar el valor de la resistencia entre dos
pines del potencimetro, a travs de su movimiento sobre la pelcula de
carbn.
6. Eje: Es el que permite el movimiento del contacto mvil. Fabricado de
plstico o aluminio.
Tipos de potencimetro.

De mando: Son los que usamos normalmente, como el del volumen de

distintos componentes de audio. Estos se caracterizan por contar con un eje
con el cual se realizan los cambios del valor de la resistencia.
De ajuste: Son los que estn adentro de los artefactos electrnicos, no

tenemos acceso a ellos ya que no suele tener que retocar. Se caracterizan
por contar con una ranura, la cual puede ser movida con un desarmador
plano pequeo, algunos se denominan restatos, trimmers.
Lineales: La resistencia es proporcional al ngulo de giro. Es decir al girar el

eje del potencimetro el valor de la resistencia vara un poco.
Logartmicos: La resistencia depende logartmicamente del ngulo de giro.
Es decir al girar el eje del potencimetro el valor de la resistencia vara
significativamente.
Senoidales: La resistencia es proporcional al seno del ngulo de giro. Dos

potencimetros senoidales solidarios y girados 90 proporcionan el seno y el
coseno del ngulo de giro. Pueden tener topes de fin de carrera o no.
R= ()
En los potencimetros impresos la ley de resistencia se consigue variando la
anchura de la pista resistiva, mientras que en los bobinados se ajusta la
curva a tramos, con hilos de distinto grosor

Tipos de potencimetros de mando:
Potencimetros rotatorios: Se controlan girando su eje. Son los ms

comunes porque son de larga duracin y ocupan poco espacio.
Potencimetros deslizantes: La pista es recta, de modo que el recorrido

del cursor tambin lo es. Se usa, sobre todo, en ecualizadores grficos, pues
la posicin de sus cursores representa la respuesta del ecualizador. Son
ms frgiles que los rotatorios y ocupan ms espacio. Adems suelen ser
ms sensibles al polvo.
Potencimetros mltiples: Son varios potencimetros con sus ejes

coaxiales, de modo que ocupan muy poco espacio. Se utilizaban en
instrumentacin, autorradios, etc.

TERMISTOR. Es una resistencia de tipo variable o sensible a la temperatura,

las cuales pueden ser de dos tipos segn la variacin del coeficiente de
temperatura, las cuales pueden NTC (NegativeTemperatureCoefficient -
coeficiente de temperatura negativo) o PTC (Positive TemperatureCoefficient -
Coeficiente de Temperatura Positivo).
Principio de funcionamiento. Su funcionamiento se basa en la variacin de la

resistencia de un semiconductor con la temperatura, debido a la variacin de la
concentracin de portadores.
Para los termistores NTC, al aumentar la temperatura, aumentar tambin la

concentracin de portadores, por lo que ser menor, de ah el coeficiente sea
negativo.
Para los termistores PTC, en el caso de un semiconductor con un dopado muy

intenso, ste adquirir propiedades metlicas, tomando un coeficiente positivo.
Rangos y Alcances. El termistor NTC, exhibe un decremento en la resistencia

elctrica ante un incremento de temperatura. Dependiendo de los materiales y
los mtodos de fabricacin se emplean entre los 50 C y los 150 C y ms de
300 C en algunas unidades encapsuladas en cristal. El valor nominal de un
termistor se referencia a 25 C. En la mayora de aplicaciones el valor de
resistencia a 25 C est ente 100ohm y 100kohm, aunque se pueden producir
con resistencias ms bajas de 10 o altas como 40M.
La caracterstica resistencia y temperatura (conocida como curva R/T) es la

escala que permite usar el termistor como censor de temperatura. Aunque no
es lineal, existen ecuaciones de interpolacin para esta curva (la de SteinHart-
Hart). La dependencia de la relacin T/R a parmetros del proceso de
fabricacin hace que cada fabricante tenga sus curvas estandarizadas, al
contrario de lo que ocurre en dispositivos como la termocupla, para los que
existen verdaderas curvas estndares.
Clasificacin de los termistores: Existen muchos criterios para la

clasificacin de un termistor, los ms utilizados son:
Clasificacin segn el tipo de coeficiente.
Termistor NTC (TemperatureCoefficientNegative): Es una resistencia

variable cuyo valor va decreciendo a medida que aumenta la temperatura.
Estn constituidas por un cuerpo semiconductor cuyo coeficiente de
temperatura es elevado, es decir, su conductividad crece muy rpidamente
con la temperatura.
Se emplean en su fabricacin xidos semiconductores de nquel, zinc,

cobalto, etc., y su relacin entre la resistencia y la temperatura no es lineal
sino exponencial.
La caracterstica tensin-intensidad (V/I) de un termistor NTC presenta un

carcter peculiar ya que, cuando las corrientes que lo atraviesan son
pequeas, el consumo de potencia (RI2) es demasiado pequeo para
registrar aumentos apreciables de temperatura, o lo que es igual, descensos
en su resistencia hmica; en esta parte de la caracterstica, la relacin
tensin-intensidad ser prcticamente lineal y en consecuencia cumplir la
Ley de Ohm.
Si se sigue aumentando la tensin aplicada al termistor, se llegar a un valor

de intensidad en que la potencia consumida provocar aumentos de
temperatura suficientemente grandes como para que la resistencia del
termistor NTC disminuya apreciablemente, incrementndose la intensidad
hasta que se establezca el equilibrio trmico. Por tanto, nos encontraremos
en una zona de resistencia negativa en la que disminuciones de tensin
corresponden aumentos de intensidad.

Termistor PTC (Positive TemperatureCoefficient): Es una resistencia

variable cuyo valor se ve aumentado a medida que aumenta la temperatura.
Los termistores PTC se utilizan en una gran variedad de aplicaciones:

limitacin de corriente, censor de temperatura, desmagnetizacin y para la
proteccin contra el recalentamiento de equipos tales como motores
elctricos. Tambin se utilizan en indicadores de nivel, para provocar
retardos en circuitos, como termostatos, y como resistores de
compensacin.
El termistor PTC pierde sus propiedades y puede comportarse

eventualmente de una forma similar al termistor NTC si la temperatura llega
a ser demasiado alta.
Las aplicaciones de un termistor PTC estn, por lo tanto, restringidas a un

determinado margen de temperaturas.
Hasta un determinado valor de voltaje, la caracterstica I/V sigue la Ley de

Ohm, pero la resistencia aumenta cuando la corriente que pasa por el
termistor PTC provoca un calentamiento y se alcanza la temperatura de
conmutacin. La caracterstica I/V depende de la temperatura ambiente y del
coeficiente de transferencia de calor con respecto a dicha temperatura
ambiente.
Clasificacin segn forma.
Tipo perla: El termistor se asemeja a una pequea perla de all el origen del
nombre.
El material utilizado para su fabricacin se compone principalmente de una

mezcla de xidos metlicos y una pequea cantidad de material
semiconductor que se deposita cuidadosamente sobre un par de hilos de
platino paralelos, que conformarn los terminales. La mezcla se somete a
una temperatura que puede variar entre 1100C a
1400C es en este momento donde se le da forma o
apariencia de unas perlas o cuentas.
El tamao de este tipo de termistor posee valores que

varan desde 0.25mm a 1.5mm.

Tipo arandela: Los termistores de arandela son una variacin de los

termistores de disco excepto por tener un orificio central y carece de
terminales aunque est provisto de dos caras metalizadas para establecer el
contacto. Es frecuentemente utilizado como parte de un montaje.
Tipo disco: Estos termistores poseen forma circular que se asemeja a un

disco, es por este motivo que se le asigna esta denominacin.
Estos termistores fabricados con un preparado de polvo de xido metlico,

mezclado con una amalgama especial y comprimido a una gran presin. Los
discos son despus expuestos a altas temperaturas para formar cuerpos
cermicos slidos. Se aplica posteriormente una pelcula de plata en dos
extremos del disco que servirn como contactos para la inclusin de los
terminales.
Tipo chip: En la fabricacin de los termistores con configuracin tipo chip se

utiliza una mezcla similar a la empleada en los termistores de perla. Este
material se deja secar sobre una superficie de material cermico que es
cortado en pequeas secciones en forma de oblea y sometido a altas
temperaturas.
Despus de aplicar una gruesa capa de material metlico, las obleas son
encajadas en chips. Los chips se pueden emplear como parte de un
montaje o de forma individual. En este ltimo caso, se aaden terminales y
una cubierta de material epxido o cristal.
Estos termistores poseen tamaos que varan desde 2mm a 2.5mm, pero
existe algunos que son fabricados para aplicaciones que requieren un
tamao muy pequeo y una respuesta muy rpida y que pueden medir
0.5mm.

Smbolo electrnico
FOTORESISTENCIAS. Tambin se le denomina Light Dependent Resistor o

Resistores Dependientes de la Luz (LDR), como su nombre lo indica, son
resistencias cuyo valor vara de acuerdo al nivel de luz al que estn expuestas.
La fotoresistencia fue desarrollado Willoughby Smith descubridor de la

fotoconductividad lo que fue clave para que aos despus, mitad del siglo XX,
se crearan y patentaran las primeras fotorresistencias en EEUU.
Los materiales que posee caractersticas foto elctricas o sensibles a la luz,

ms utilizados para la fabricacin de fotoresistencias son:
Sensibles al espectro de luz visible.

Sulfuro de Cadmio - CdS.
Seleniuro de Cadmio - CdSe.
Sensible al espectro de luz no visible Infrarrojo.

Silicio - Si .
Sulfuro de Plomo - PbS.
Seleniuro de Plomo - PbSe.
Si la luz que incide en el dispositivo es de alta frecuencia, los fotones son

absorbidos por la elasticidad del semiconductor dando a los electrones la
suficiente energa para saltar de la banda de valencia a la banda de
conduccin, aumentando as la conductividad del dispositivo y disminuyendo su

resistencia. Este comportamiento de las fotorresistencias est caracterizado

por la ecuacin:
R: resistencia de la fotoresistencia.
A,: constantes que dependen del semiconductor utilizado.
E: densidad superficial de la energa recibida
Si bien es cierto que los valores de la resistencia de un LDR pueden variar en

total oscuridad y a plena luz dependiendo de los materiales utilizados para su
fabricacin y de su diseo, los valores tpicos a plena luz varan entre unos 50
a 1000, los tpicos en total oscuridad estn comprendidos entre 50K a
varios M.
Principio de Funcionamiento: Cuando incide la luz en el material

fotoconductor se generan pares electrn - hueco. Al haber un mayor nmero de
portadores, el valor de la resistencia disminuye. De este modo, la
fotoresistencia iluminada tiene un valor de resistencia bajo. Las clulas son
tambin capaces de reaccionar a una amplia gama de frecuencias, incluyendo
infrarrojo (IR), luz visible, y ultravioleta (UV). Los materiales que intervienen en
su construccin son Sulfuro de Cadmio, utilizado como elemento sensible a las
radiaciones visibles y sulfuro de plomo se emplean en las LDR que trabajan en
el margen de las radiaciones infrarrojas. Estos materiales se colocan en
encapsulados de vidrio o resina.
Si dejamos de iluminar, los portadores fotogenerados se recombinarn hasta

volver hasta sus valores iniciales. Por lo tanto el nmero de portadores
disminuir y el valor de la resistencia ser mayor. Por supuesto, el material de
la fotorresistencia responder a unas longitudes de onda determinadas.

Es decir, la variacin de resistencia ser mxima para una longitud de onda

determinada. Esta longitud de onda depende del material y el dopado, y deber
ser suministrada por el proveedor. En general, la variacin de resistencia en
funcin de la longitud de onda presenta curvas como las de la figura siguiente:
Smbolo electrnico
RESISTENCIA VDR (VOLTAGE DEPENDENT RESISTORS).La resistencia

VDR o Varistor, es una resistencia dependiente de la tensin o voltaje, ya que
al aplicarle diferentes tensiones entre sus extremos, vara su resistencia de
acuerdo con esas tensiones. La propiedad que caracteriza esta resistencia
consiste en que disminuye su valor hmico cundo aumenta la tensin entre
sus extremos. Ante picos altos de tensin se comporta casi como un
cortocircuito.
Material de Fabricacin: Fundamentalmente el material semiconductor

utilizado para la fabricacin de estas resistencias, las VDR, es el carburo de
silicio. Las propiedades elctricas de esta resistencia, dependen principalmente
del propio silicio. Las resistencias de carburo de silicio se aplican en circuitos
en los que la tensin se extiende de 10V a 25KV. Para aplicaciones de 1 a 15V
se desarrollan resistencias a partir de otro material, el xido de titanio. Tambin
se fabrican otras resistencias VDR a partir de xido de zinc, que se destinan
principalmente a aplicaciones en las cuales se disipa potencia intermitente,
como sobretensiones transitorias.

Caractersticas Electrnicas: La resistencia hmica de una resistencia VDR

vara segn la tensin aplicada en sus extremos, por lo tanto la corriente que
circula por la resistencia VDR no es proporcional a la tensin aplicada. Al
aumentar la tensin, el valor de la resistencia VDR disminuye rpidamente.
Relacin tensin-corriente: La relacin tensin-corriente en una resistencia

VDR, se puede expresar de forma aproximada, mediante la ecuacin:
V = C I
Donde,
V = Tensin en los extremos de la resistencia (v)

C = Tensin aplicada a la resistencia en la que la intensidad es igual a un amperio
I = Corriente que circula por la resistencia (A)
= tang . Depende del material de que estn compuestas.
Las VDR de xido de titanio tienen un valor de comprendido entre 0,16 y 0,40.
Las VDR de xido de cinc menor de 0,01.
La ecuacin anterior no es vlida para valores muy pequeos de tensin y de

corriente, adems solo es vlida cundo se toman valores absolutos para la
intensidad y el voltaje.
Asociacin de resistencias: Igualmente que otros componentes electrnicos,

podemos montar las resistencias VDR en serie y paralelo.
o Mediante conexionados en serie, el valor de C aumenta. Con ello

conseguimos mantener el valor de corriente y aumentamos el valor de
tensin que podemos aplicar en extremos de la serie de resistencias.
o Mediante conexionados en paralelo, el valor de C disminuye. Con ello
conseguimos aumentar el valor de corriente manteniendo el valor de tensin
en extremos del paralelo. Es muy importante que cuando se conecten en
paralelo todos sus valores sean lo ms iguales posibles.
CDIGO DE COLORES. Las resistencias de potencia pequea, empleadas en

circuitos electrnicos, poseen cuatro o cinco bandas de color rotuladas, los
colores utilizados dependiendo de su posicin definen el valor de la resistencia
y la tolerancia.
El cdigo de colores de una resistencia de cuatro bandas, utilizan la primera y

segunda banda para definir las dos primeras cifras del valor de la resistencia.

La tercera banda establece el factor de multiplicacin y la cuarta banda la

tolerancia.
Color de la Cifras Significativas Multiplicador Tolerancia

Banda (Primera y Segunda (Tercera (Cuarta
banda) Banda) Banda)
Negra 0 1
Marrn 1 10 1%
Rojo 2 100 2%
Naranja 3 1000
Amarillo 4 10000 4%
Verde 5 100000 0.5%
Azul 6 1000000 0.25%
Violeta 7 10000000 0.1%
Gris 8 100000000 0.05%
Blanco 9 1000000000
Dorado -------------- 0.1 5%
Plateado -------------- 0.01 10%
Ninguno -------------- -------------- 20%
El cdigo de colores de una resistencia de cinco banda, utilizan la primera,

segunda y tercera banda definir las tres primeras cifras del valor de la
resistencia. La cuarta banda establece el factor de multiplicacin. La cuarta
banda define el porcentaje de tolerancia

Color de la Cifras Significativas Multiplicad Tolerancia

Banda (Primera, Segunda y Tercera or (Quinta
banda) (Cuarta Banda)
Banda)
Negra 0 1
Marrn 1 10 1%
Rojo 2 100 2%
Naranja 3 1000
Amarillo 4 10000 4%
Verde 5 100000 0.5%
Azul 6 1000000 0.25%
Violeta 7 10000000 0.1%
Gris 8 100000000 0.05%
Blanco 100000000
9
0
Dorado -------------- 0.1 5%
Plateado -------------- 0.01 10%
Ejemplo de cdigos de colores:
a. Sea una resistencia cuyas bandas son amarillo, violeta, negro, rojo y rojo.
Amarillo-violeta-negro--------------- 470
Rojo--------------------------------------- 102
Rojo--------------------------------------- 2%
2
R=470x 10 2%
R=47000 2%
R=47K 2%
b. Sea una resistencia cuyas bandas son marrn, negro, naranja y dorado.
Marrn - negro --------------- 10
Naranja ------------------------- 102
Dorado -------------------------- 5%
3
R=10x 10 5%
R=10000 5%
R=10K 5%
c. Sea una resistencia cuyas bandas son rojo, rojo, dorado y dorado.
Rojo - rojo ----------------------- 22
Dorado -------------------------- 0.1
Dorado -------------------------- 5%
R=22x 0.1 5%
R=2.2 5%
R=2.2 5%

CDIGO DE MARCA. El cdigo de marca de una resistencia generalmente se

utiliza en resistencia con encapsulados de montaje superficial, porque son muy
pequeas y no poseen espacio suficiente para colocar bandas de colores, por
lo tanto se emplea una codificacin numrica como. Esta codificacin numrica
est formada por 3 o 4 letras o nmeros, existen diferentes codificaciones en
uso.
Cdigo de Resistores con 3 Dgitos: Es la codificacin ms comnmente

empleada, es muy similar a la codificacin con cuatro bandas de colores.
Los primeros dos nmeros indican los dos primeros dgitos del valor de la
resistencia mientras que el tercero nos indica la cantidad de ceros que
deben agregarse a las cifras significativas (factor de multiplicacin).
10 000000 = 10M
Cdigo de Resistores con 4 Dgitos: Esta codificacin es muy similar a la

empleada en las resistencias con cdigo de colores de cinco bandas con
bajas. En esta codificacin los primeros 3 dgitos de indican el valor
numrico de la resistencia y el cuarto dgito la cantidad de ceros que se debe
poner a continuacin (factor de multiplicacin).
274 00 = 27.4K
Codificacin EIA-96: Esta codificacin es empleada en resistencias con

tolerancias del 1%. Esta codificacin surge para abreviar un cdigo de
resistencias donde intervienen 4 dgitos, al ser las resistencias SMT un poco
pequeas para poder anotarlo y debido a esto surge est codificacin.
Emplea tres caracteres para indicar el valor de la resistencia: los dos primeros
son nmeros e indican los 3 dgitos ms significativos del valor de resistencia,
el tercer carcter es una letra que indica el multiplicador (cantidad de ceros a
agregar). Al usar una letra se evita confusin con la codificacin de 3 nmeros.

CDIGO FACTOR DE
MULTIPLICACIN
Z 0.001
YoR 0.01
XoS 0.1
A 1
BoH 10
C 100
D 1 000
E 10 000
F 100 000
33 00 = 3.3K
MULTMETRO o MULTITESTER o POLMETRO. Es un instrumento de

medida o diagnstico que cuenta con ms de un instrumento de medida
(Voltmetro, Ohmmetro, Ampermetro, Frecuencmetro, Capacmetro, etc.), los
tres bsicos es decir que siempre presentes en cualquier multmetro son: el
Voltmetro, Ohmmetro y el Miliampermetro denotado por las iniciales VOM,
por esta razn a los ms bsicos se les denomina VOM.
Cuando este instrumento es utilizado para realizar medidas de voltaje,

Resistencia, corriente, etc. Se le denomina Multmetro o Polmetro, ambas son
palabras compuestas cuyo significado son:
Multi = Varios Metro= Medidas Multmetro= Varias Medidas
Poli = Muchos Metro= Medidas Multmetro= Varias Medidas
Cuando este instrumento es utilizado para realizar pruebas sobre el estado de

componentes electrnicos o elctricos (Resistencia, condensadores, Diodos,
Transistores, etc.). Se le denomina Multitester, esta palabra es compuesta cuyo
significado es:
Multi = Varios Tester= Prueba Multitester= Varias Pruebas

TIPOS DE MULTMETROS. Existen muchos criterios para clasificar los

multmetros, siendo los criterios ms importantes:
a. Clasificacin Segn el modo de procesa la medida: En los multmetros la

magnitud que se est midiendo se puede procesar utilizando un circuito
electrnico cuyos componentes electrnicos son anlogos o digitales.
Multmetro Anlogo: Este instrumento para procesar una medida utiliza

un Galvanmetro, componentes electrnicos compuesto por componentes
anlogos como: Resistencias, Bobinas, condensadores, diodos,
transistores, etc.
Multmetro Digital: Este instrumento para procesar una medida utiliza
anlogos como: Resistencias, Bobinas, condensadores, diodos,
transistores, etc. y componentes digitales como: comparadores,
Conversor AD, conversor de pico, Display, etc.
b. Clasificacin Segn el tipo de escala: La escala determina en un

instrumento el valor mximo que puede ser medido por un instrumento:
Multmetros Auto rango: Son aquellos multmetros, donde el que va a

realizar la medida solo el instrumento y este elige de manera automtica
la escala adecuada para realizar la medida.
Multmetros con escala: Son aquellos multmetros, donde el que va a
realizar la medida elige primero el instrumento, en este instrumento elige
la escala adecuada para realizar la medida. Es recomendable si no se
conoce el valor a medir elegir la escala ms alta.
MULTMETRO ANLOGO: Este instrumento para procesar una medida utiliza

de algn componente elctrico o electrnico, utiliza un circuito electrnico
compuesto por componentes anlogos como: Resistencias, Bobinas,
condensadores, diodos, transistores, Galvanmetro, etc.
El galvanmetro utilizado posee una aguja, por este motivo la pantalla donde
se muestra la medida se caracteriza por poseer una aguja y una escala de
medida que impresa y calibrada por el fabricante.
Existen muchos tipos de Galvanmetros utilizados para la fabricacin de

multmetro anlogo, pero el utilizado en la mayora de los instrumentos, se
basan en el diseo que desarroll Arsene DArsonval en el ao de 1,881.

En su forma inicial, el galvanmetro DArsonval presenta desventajas e

inconvenientes, pero dio origen al movimiento Weston, habindose mejorado
en este el diseo original, el principio de funcionamiento es el mismo.
Si se coloca una bobina de tal manera que pueda girar libremente y la

colocamos dentro de un imn, la corriente que fluye por ella formar polos
magnticos en sus extremos o sea, se convertir en un electroimn, bajo esta
circunstancia suceder o siguiente:
El polo N (bobina) ser atrado por el polo S (imn).

El polo S (bobina) ser atrado por el polo N (imn).
Este efecto provocar un movimiento rotativo en la

bobina en el sentido de las agujas del reloj, esto nos
lleva a pensar, que si la intensidad del campo magntico
del imn es fija, la fuerza de rotacin depender de la
intensidad del campo magntico producido por la
corriente en la bobina.
MOVIMIENTO WESTON: Lo anteriormente descrito

es el que se utilizaba en el galvanmetro DArsonval,
mismo que fue posteriormente perfeccionado por el
Dr. Weston, bobina est provista de una aguja mvil,
la cual hace su indicacin sobre una escala graduada,
de la corriente circulante en su bobina.
La bobina posee un resorte que obliga a la aguja a

retornar a su posicin de reposo o sea cero, cuando
no hay corriente circulando por la bobina.
MULTMETRO DIGITAL. Este instrumento para procesar una medida utiliza de

algn componente elctrico o electrnico, utiliza un circuito electrnico
compuesto por componentes digitales: Conversor AD, conversor de pico,
Display, etc.
El DISPLAY utilizado es de baja resolucin, por este motivo la pantalla donde

se muestra la medida de un componente elctrico o electrnico, se caracteriza
por poseer una presentacin numrica fcil de leer.

El circuito interno de los multmetros digitales puede bsicamente dividirse en

dos secciones:
Seccin Anloga: La seccin Analgica est compuesta por los divisores

de voltaje y corriente de entrada, el conversor de corriente alterna a
continua, el conversor de resistencia a voltaje continuo, la voltaje de
referencia para comparacin, la fuente de alimentacin, el detector de pico y
las llaves de seleccin de rango y funciones.
Conectores para puntas de Prueba: Posee dos o ms terminales para

conectar las puntas de prueba que son las que ingresan la seal a medir.
Estos terminales se identifican por una impresin hecha por el fabricante,
la punta de prueba negra se conectan al terminal COMMON=COM
(Comn) y la punta de prueba roja en el terminal que posee la impresin
VmA. .
En serie con el terminal mA, se tiene un fusible de proteccin a fin de

evitar que circule por el shunt una corriente mayor a la que l soporta.
Desde estos terminales, las seales se derivan a los escaladores y llaves

de funciones.
SELECTOR DE RANGOS (Escaladores): Es una llave de cambio de

rangos, son elementos (Generalmente resistencias en serie y/o paralelo)
que toman una muestra reducida de la seal a medir, a fin de poder
procesar esa muestra dentro de los niveles de voltaje que manejan los
circuitos electrnicos. Esta llave de rangos tambin dan el rango de la
escala en uso en ese momento.

Uso del multmetro:
Los milmetros posen valores mnimos y mximos de lectura en un instrumento,

al cual se denomina escala. Segn el tipo de escala que tengan los milmetros
se clasifican en:
Multmetro de escala mltiple: Son los multmetros que poseen para un

instrumento de medida varias escalas, las cuales deben seleccionarse segn
el valor que pensamos obtener de dicha medida. La principal ventaja de este
tipo de instrumentos es su mayor precisin, para medir valores pequeos o
muy grandes dentro del rango que posee el instrumento.
Para utilizar este tipo de multmetro es necesario seleccionar primero el

instrumento a utilizar (voltmetro AC, voltmetro DC, ampermetro,
Ohmmetro, etc.) y luego la escala ms adecuada.
Display o pantalla de
lectura
Voltmetro alterno
Voltmetro
continuo
Ampermetro
Selector de continuo
instrumento y/o
escala Ampermetro continuo de
Ohmmetro 10A
hfe de transistores BJT Terminal para la

conexin de las
puntas de prueba
Continuida
d
Multmetro auto rango: Son los multmetros que no poseen seleccin de

escala solo del instrumento. La seleccin se la escala se realiza de manera
automtica, la principal desventaja de estos instrumentos es su poca presin
para medir valores pequeos o muy grande dentro de su escala auto rango.

Display o pantalla
de lectura
Ohmmetro Ampermetro (10A), mili

ampermetro (mA y micro
Voltmetro alterno ampermetro (A)
Voltmetro continuo
Selector de
instrumento
Terminal para la conexin

de las puntas de prueba
Punta de prueba: Nos permite tomar una muestra y la introduce al

instrumento seleccionado, para tomar una medida o establecer
su estado.
La banana de la punta de prueba color negro debe instalarse en

el borne de nombre COM. La banana de punta de prueba roja
debe instalarse en el borne VmA.
Selector: Es una perilla que nos permite seleccionar el instrumento y/o escala
que utilizaremos para realizar la medida o la prueba de un componente.
Instrumentos de medida: Los instrumentos ms bsicos que incluye todo

milmetro son:
Ampermetro.
Voltmetro.
Ohmmetro.
Otros instrumentos que puede incluir el milmetro son:
Continuidad de diodos.
Ganancia de corriente para transistores BJT (hfe).
Frecuencmetro.
Capacmetro.

NOMBRE DEL DESCRIPCIN

INSTRUMENTO
Ampermetro (A) Este instrumento es utilizado para medir la corriente. La unidad de medida
utilizada son los amperios (A).
Presenta algunas variantes:
A: Microampreimetro, utilizado para medir corrientes muy pequeas.
mA: Miliampermetro, utilizado para medir corriente pequeas o
medias.
A: Utilizado para medir hasta 10A de corriente, el cual obliga a utilizar
la punta de prueba conectada en el borne 10A del instrumento.
Voltmetro (V) Este instrumento es utilizado para medir voltajes. La unidad de medida
utilizada son los voltios (V).
Si est acompaada de este smbolo es un voltmetro de voltaje

continuo, es decir permite medir voltajes en pilas, bateras, en la salida de la
fuente de voltaje.
Si est acompaada de este smbolo es un voltmetro de voltaje

alterno, es decir permite medir voltajes en instalaciones elctricas.
Ohmmetro () Es utilizado para medir el valor de una resistencia. La unidad de medida es el
ohmio()
Ganancia de Mide la relacin entre la corriente de la base y la del colector, el cual debe ser
corriente de mayor que 50.
transistores BJT
(hfe)
Continuidad de Este instrumento es utilizado para establecer el estado de un diodo.
diodos
( )
Capacmetro (C) Este instrumento es utilizado para medir la capacidad de almacenamiento de
un condensador. Utiliza como unidad de medida los faradios (F)
Frecuencmetro Es utilizado para medir la frecuencia de una seal alterna. Su unidad de

(F) medida es el Hertz (Hz)
NODOS, TRAYECTORIAS, LAZOS Y RAMAS. Cuando las redes existen dos

o ms elementos de circuito, estos elementos se conectarn entre s por medio
de cables (algunas veces denominados hilos de conexin), que tienen una
resistencia nula. Debido a que la red aparece entonces como varios elementos
simples y un conjunto de hilos de conexin, se le da el nombre de red de
parmetros concentrados.
a. Nodo: Un punto en el cual dos o ms elementos tienen una conexin comn

se llama. Si en una red se muestran uniones separadas y conectadas por un
conductor (resistencia nula), este se considera como un nico nodo.

En el circuito de la figura los nodos son ABCDE, pero los nodos C y D no

tienen ningn componente electrnico entre ellos por lo tanto se
considera como un solo nodo, es decir C=D.
b. Trayectoria: Recorrido que se hace en un circuito que inicia en un nodo y se

va pasando a travs de un elemento diferente hasta el siguiente, y se
prosigue con este movimiento hasta que se haya pasado por tantos
elementos como se desee y regrese al nodo origen. En el circuito anterior
son trayectorias ABCDEA, ABDE.
c. Lazo: Recorrido que se hace en un circuito que inicia en un nodo y se

pasando a travs de un elemento diferente hasta un nodo deseado, sin
regresar al nodo que inicio el recorrido. En el circuito encontramos los
siguientes lazos: AB, ABC, ABD, AE.
d. Rama: Es una trayectoria nica en una red, compuesta por un elemento

simple y el nodo en cada extremo de ese elemento. En el circuito son ramas
AB, AE, ED, BD, BC.
LEY DE OHM. El cientfico Georg Simon Ohm, mientras experimentaba con

materiales conductores, como resultado de su investigacin, lleg a determinar
que la relacin entre voltaje y corriente era constante y nombr a esta
constante resistencia.
Esta ley fue formulada por Georg Simon Ohm en 1827, en la obra Die
galvanische Kette, mathematisch bearbeitet (Trabajos matemticos sobre los
circuitos elctricos), basndose en evidencias empricas. La formulacin
original, es:

Siendo la densidad de la corriente, la conductividad elctrica y el campo

elctrico, sin embargo se suele emplear frmulas simplificadas para el anlisis
de los circuitos.
La tensin elctrica, diferencia de potencial o voltaje es una magnitud fsica que

impulsa a los electrones a lo largo de un conductor en un circuito cerrado. La
tensin entre dos puntos de un campo elctrico es igual al trabajo que realiza
dicha unidad de carga positiva para transportarla desde el punto A al punto B.
Igual que el potencial, en el Sistema Internacional de Unidades la diferencia de
potencial se mide en voltios (V).
La tensin es independiente del camino recorrido por la carga y depende

exclusivamente del potencial elctrico de los puntos A y B en el campo; se
expresa por la frmula:
Donde,
VA VB: es la diferencia de tensin,
E es la Intensidad de campo en newton/coulomb
r es la distancia en metros entre los puntos A y B.
Si dos puntos que tienen una diferencia de potencial se unen mediante un

conductor, se producir un flujo de corriente elctrica. Parte de la carga que
crea el punto de mayor potencial se trasladar a travs del conductor al punto
de menor potencial y, en ausencia de una fuente externa (generador), esta
corriente cesar cuando ambos puntos igualen su potencial elctrico (Ley de
Henry). Este traslado de cargas es lo que se conoce como corriente elctrica.
Cuando por dos puntos de un circuito puede circular una corriente elctrica, la
polaridad de la cada de tensin viene determinada por la direccin
convencional de la misma, esto es, del punto de mayor potencial al de menor.
Si por una resistencia R circula una corriente de intensidad I, desde el punto A
hacia el B, se producir una cada de tensin en la misma con la polaridad
indicada y se dice que el punto A es ms positivo que el B, tal como muestra la
figura.

Otra de las formas de expresar la tensin entre dos puntos es en funcin de la

intensidad de corriente y la resistencia existentes entre ellos, se obtiene uno de
los enunciados de la ley de Ohm que dice: La intensidad de la corriente es
directamente proporcional al voltaje e inversamente proporcional a la
resistencia en todos los circuitos o elementos elctricos"
De la ley de Ohm se desprende el siguiente enunciado: La intensidad de la

corriente elctrica que circula por un dispositivo es directamente
proporcional a la diferencia de potencial aplicada e inversamente
proporcional a la resistencia del mismo, la cual se expresa en la siguiente
ecuacin:
En donde, empleando unidades del Sistema internacional:

I = Intensidad en amperios (A)
V = Diferencia de potencial en voltios (V)
R = Resistencia en ohmios ().
De la ley de Ohm se desprende el siguiente enunciado: En un conductor

recorrido por una corriente elctrica, el cociente entre la diferencia de
potencial aplicada a los extremos del conductor y la intensidad de la
corriente que por l circula, es una cantidad constante, que depende del
conductor, denominada resistencia, la cual se expresa en la siguiente
ecuacin:
En donde, empleando unidades del Sistema internacional:
I = Intensidad en amperios (A)

V = Diferencia de potencial en voltios (V)
R = Resistencia en ohmios ().

Ejemplo1: Determinemos la Potencia Elctrica existente en una plancha

elctrica que tiene una resistencia de 10, y es alimentada por una fuente de
voltaje de 220V.
Para calcular la potencia usamos la siguiente ecuacin:
Como no sabemos la corriente usamos la ley de Ohm para calcularla:
Reemplazamos la ecuacin 2 en 1
Ejemplo2: Determinar la Corriente y la resistencia elctrica de un Switch de

distribucin de red, si posee una potencia de 12Watts conectada a una fuente
de 220V.
Para calcular la corriente del Switch de distribucin de red usaremos la
ecuacin de la potencia:
Para calcular la resistencia del Switch de distribucin de red usaremos la ley de

Ohm:
LEYES DE KIRCHHOFF: El cientfico Gustav Robert Kirchhoff, profesor

universitario alemn que naci en la poca en que Ohm efectuaba su trabajo
experimental.
a. Ley de Corriente de Kirchhoff: Esta ley axiomtica (experimental) se

denomina ley de Kirchhoff de corriente (LKC), establece que: La suma
algebraica de las corrientes que entran a cualquier nodo es cero.
Esta ley representa un enunciado matemtico del hecho de que la carga no

se acumula en un nodo. Un nodo no es un elemento de circuito, es decir no
puede almacenar, destruir o generar carga. En consecuencia, las corrientes
deben sumar cero. Para lo cual se consideran negativas aquellas corrientes

que salen del nodo y positivas a aquellas corrientes que llegan al nodo.
La suma algebraica de las cuatro

corrientes que entran al nodo debe
ser cero:
Quiz se desee igualar la suma de las corrientes que tienen flechas de

referencia dirigidas hacia el nodo, con la suma de las dirigidas hacia afuera
del mismo
i.
Lo que establece de manera simple que la suma de las corrientes que entran es
igual a la suma de las corrientes que salen. Una expresin compacta de la ley de
Kirchhoff de corriente es:
b. Ley de Voltajes de Kirchhoff: La corriente se relaciona con la carga que

fluye por un elemento del circuito, la tensin constituye una medida de la
diferencia de energa potencial entre los extremos del elemento.
La tensin tiene un valor nico. Por lo tanto, en un circuito, la energa

necesaria para mover una carga unitaria desde el punto A hasta el punto B
debe tener un valor independiente de la trayectoria seguida de A a B (a
menudo existe ms de una trayectoria). Este hecho se puede comprobar por
medio de la ley de Kirchhoff de tensin (abreviada LVK):La suma
algebraica de las tensiones alrededor de cualquier trayectoria cerrada
es cero.

En la figura, si se una fuente en C de calor V2, se genera las polaridades que

se muestran en el componentes 2 y 3.
NOTA: Un mtodo que nos ayude a cometer errores al momento de asignar

la polaridad del voltaje de cada componente de la malla, consiste en: Se
mueve mentalmente alrededor de la trayectoria cerrada en la direccin de
las manecillas de reloj y escribir de manera directa la tensin de cada
componente a cuya terminal (+) se entra, y despus expresar el negativo de
cada tensin que se encuentre primero en el signo ().
En el circuito Se tiene que:
Resulta que si traza una trayectoria cerrada, la suma algebraica de las

tensiones en los elementos individuales, a lo largo de ella, debe ser nula.
As, se podra escribir:
De manera ms compacta
Ejemplo1: En el siguiente circuito calcular el valor de la corriente para cada una de las
resistencias. R1= 1 K;R2= 2 K;R3= 3 K;R4= 4 K; V1= 1V;V2= 2 V.
A B C
F E D
En la malla ABEF, debemos hallar la ecuacin, segn Ley de voltajes de Kirchhoff:

-V1+ I1 * R1 + (I1-I2) * R2 + I1 * R3 = 0
I1 * R1 + (I1-I2) * R2 + I1 * R3 = V1
V1= (R1+ R2 + R3) * I1 - R2 * I2
1= 6000 * I1 2000 * I2(1)
En la malla BCDE, debemos hallar la ecuacin, segn Ley de voltajes de Kirchhoff:

V2 + I2 * R4 + (I2-I1) * R2 = 0
I2 * R4 + (I2-I1) * R2 = - V2
-V2= (R4 + R2) * I2 - R2 * I1
-2 = 2000 * I1 +6000 * I2 (2)
Resolviendo las ecuaciones utilizando matrices
[ ][ ]
Para obtener los resultados en mili amperios usaremos los valores de las
resistencias en K, de tal manera que la matriz se expresa:
[ ][ ]
Calculando el valor de I1
[ ]
[ ]
Calculando el valor de I2
[ ]
[ ]
RESISTENCIAS EN SERIE Y EN PARALELO.A menudo se sustituyen

combinaciones de resistencias relativamente complicadas por una sola
resistencia equivalente. Resulta til cuando no se est interesado de manera
especfica en la corriente, la tensin o la potencia asociadas con cualquiera de
las resistencias individuales de las combinaciones. Todas las relaciones de
corriente, tensin y potencia en el resto del circuito permanecern invariables.
a. Resistencia equivalente en serie: Considere la combinacin en serie de N

resistencias que se muestra en la figura. Es necesario simplificar el circuito
sustituyendo las N resistencias por una sola resistencia a la que se
denomina resistencia equivalentes (Req) de modo que el resto del circuito, en
este caso slo la fuente de tensin, no se percate de que se ha realizado

algn cambio. La corriente, la tensin y la potencia de la fuente deben ser

las mismas antes y despus de la sustitucin.
Primero se aplica la Ley de Voltajes de Kirchhoff:
Ahora aplicamos la ley de Ohm:
Compare ahora este resultado con la ecuacin simple aplicndola al circuito

equivalente de la figura:
Sustituimos el valor de vs de la ecuacin (2) en la ecuacin (1), tendremos:
b. Resistencia equivalente en paralelo: Un circuito que contiene N

resistencias en paralelo, como el de la figura, conduce por medio de la
ecuacin de la ley de Kirchhoff de corriente a lo siguiente.

Aplicamos la ley de Ohm
Simplificando el valor de V, obtenemos el valor de la resistencia equivalente

en serie:
Ejemplo1: En el siguiente circuito calcular la resistencia equivalentes en los

puntos A-B, del circuito.
Asignamos
nombres a los
nodos (C, D):
D
Calculando la resistencias equivalente entre C-D, en la parte superior (Req1) e

inferior (Req2)
C
Calculando Req1, se encuentra en serie con 1.5K y 330:
Calculando Req2, se encuentra en serie con 2.6K y 5.6K:
D
Calculando Req CD, se encuentra en paralelo Req1//Req2:
Calculado la Resistencia equivalente entre los puntos AB, encontramos la Req

CD, en serie con la resistencia de 560.

Ejemplo2: En el siguiente circuito

calcular la resistencia equivalentes en
los puntos A-B, del circuito.

Calculando la resistencias equivalente entre AB en grupos de dos, en la parte

superior (Req1) e inferior (Req2)
Calculando Req1, se encuentra en paralelo8.2K y 5K:
Calculando Req2, se encuentra en paralelo1.5K y 5K:
Calculando Req CD, se encuentra en paralelo Req1//Req2:
Calculado la Resistencia equivalente entre los puntos AB, encontramos la R1-2

en paralelo con la resistencia de 5K.
TEOREMA DE THEVENIN Y NORTON. Dado un circuito lineal cualquiera N,

para un par de terminales A y B de dicho circuito, es posible encontrar un
circuito equivalente formado por una fuente de voltaje ideal en serie con una
resistencia, de manera tal que ese circuito de dos terminales produzca los
mismos valores de voltaje y corriente en esos terminales (conectados o no a

otro circuito) que el circuito original. La fuente de voltaje tendr un valor

conocido como Voltaje de Thvenin VTH y la resistencia tendr un valor
conocido como Resistencia de Thvenin RTH.
Este teorema nos permite introducir un mtodo de anlisis de circuitos
adicional: dividir el circuito original en componentes de dos puertos, que son
equivalentes de Thvenin de una parte del circuito, los cuales se interconecten
entre s. Esto permite realizar clculos ms sencillos que con el circuito
completo.
Otra utilidad, probablemente la ms importante de este concepto, es que

teniendo este modelo es sencillo encontrar la mxima transferencia de potencia
del circuito N a otro circuito conectado a los terminales A y B.
La fuente de voltaje puede transformarse en una fuente de corriente, realizando

esta equivalencia el circuito equivalente de Thvenin se puede convertir
tambin en circuito de dos terminales formado por una fuente de corriente en
paralelo con una resistencia. A este modelo se le conoce como equivalente se
le denomina el Teorema de Norton, el cual se puede calcular transformando el
equivalente de Thvenin o haciendo los clculos directos como se hace para el
equivalente de Norton.

Ejemplo1: En el siguiente circuito calcular el circuito equivalentes de Thvenin

en los puntos A-B, adems del voltaje en dichos puntos.
Para calcular el voltaje de Thvenin, del circuito equivalente de Thvenin

debemos desconectar la resistencia ubicada en los puntos AB (Circuito
Abierto), y calculamos el voltaje entre dichos puntos, tal como muestra la figura.
Calculando el voltaje AC:
Calculando el voltaje BC:
Calculando el voltaje AB o voltaje de

Thvenin (VTH):
Para calcular la resistencia equivalente de Thvenin, del circuito equivalente de

Thvenin, hacemos un corto circuito en la ubicacin de la fuente de voltaje y
calculamos la resistencia equivalente en los puntos AB, tal como muestra la
figura.
Observamos que R1//R2

Observamos que para calcular Rth es el equivalente en serie de Req1//Req2
Entonces el circuito equivalente ser
TEOREMA DE LA MXIMA TRANSFERENCIA DE ENERGA. Cuando una

fuente o un circuito se conectan a una carga cualquiera es deseable que tal
fuente o circuito pueda transmitir la mayor cantidad de potencia a la carga que
la recibe. Al conectar esta carga aparece un voltaje Vc y una corriente Ic entre
los nodos A y B.
En el caso particular de que la carga sea una resistencia Rc. Calculamos el

voltaje en Rc:
Sabemos que la potencia en una resistencia es
La Figura muestra la variacin de la potencia absorbida por la carga Pc en

funcin de Rc.

Como se puede apreciar en la grfica la potencia absorbida es una funcin

cuadrtica, su valor mximo se calcula derivando la potencia e igualando a
cero, con lo cual se encuentra que la potencia tendr un mximo cuando:
Para que haya mxima transferencia de potencia del circuito a los puntos AB
se debe tener que la resistencia de la carga sea igual a la resistencia de
Thvenin.
Como las resistencias son iguales, reemplazamos el valor de las resistencias

en la ecuacin 1, y obtendremos el voltaje mximo para lograr esta mxima
transferencia de potencia:
Como las resistencias son iguales, reemplazamos el valor de las resistencias

en la ecuacin 2, y obtendremos la Potencia mxima que se puede lograr,
segn el teorema de mxima transferencia de potencia:
( )
Ejemplo1: En el siguiente circuito

calcular el valor de R, para obtener en los
puntos AB la mxima transferencia de
potencia.

Para calcular el voltaje de Thvenin, del

circuito equivalente de Thvenin debemos
desconectar la resistencia ubicada en los
puntos AB (Circuito Abierto), y calculamos
el voltaje entre dichos puntos, tal como
muestra la figura.
Calculando el voltaje AB:
Para calcular la resistencia equivalente de Thvenin, del circuito equivalente de

Thvenin, hacemos un corto circuito en la ubicacin de la fuente de voltaje y
calculamos la resistencia equivalente en los
puntos AB, tal como muestra la figura.
( )
( )
El valor de R para lograr la mxima transferencia de energa debe ser 10
TEOREMA DE MILLMAN. Llamado as en honor al electrnico ruso Jacob

Millman. Este teorema se utiliza cuando se tiene un circuito con slo dos nodos
en un circuito, o lo que es lo mismo cuando se tienen varias ramas en paralelo,
y en cada una de dichas ramas se tiene una fuente de voltaje en serie con una
resistencia.

El principio de Millman permite obtener directamente la diferencia de potencial

entre los nodos a y b del circuito. "Este teorema establece que el voltaje Vm
entre los nodos a y b es igual a la suma de los productos que resultan al
multiplicar la fuente de tensin en cada rama, Vk, por la conductancia en
dicha, Gk, para todas las ramas k = 1, 2, ..., n, todo dividido por la suma de
las conductancias", tal como se muestra en la siguiente ecuacin:
Para la demostracin de este teorema, usaremos la ley de ohm, que en este

caso establece que la corriente ik en cada rama k es
Ahora, a partir de la Ley de Corrientes de Kirchhoff, tenemos que la suma

algebraica de las corrientes que entran y salen en el nodo a es
Desarrollando obtenemos que
Dado que vm es una valor constante que puede sacarse como factor en la
sumatoria izquierda de la Ecuacin (9.5), podemos despejar vm, para obtener
Ejemplo1: En el siguiente circuito calcular la corriente y el voltaje en la

resistencia R. Utilizando el teorema de Millman

Calculando el valor de la corriente en

la resistencia R1, aplicando la ley de
Ohm.
Calculando el valor de la corriente en

la resistencia R2, aplicando la ley de
Ohm.
Calculando la corriente total

IT= I1 + I2=5A+1.667A=6.667A
Calculando la Conductancia total
Calculando el voltaje total
Calculando el Resistencia total
El circuito se simplifica de la siguiente manera

Calculamos el valor de la corriente en la
resistencia R:
Calculamos el valor del voltaje en la resistencia

R:

TEOREMA DE SUSTITUCIN. Es un teorema importante ya que es gran

utilidad. Puede originar grandes errores si no se es riguroso con su utilizacin.
Uno de sus enunciados dice as: "Cualquier rama principal a de un circuito
lineal de la que se conozca, por cualquier procedimiento, el valor de su
tensin UA puede ser sustituida por una fuente de tensin cuyo valor y
signo sea E= UA sin que los valores de los restantes elementos del
circuito sufran ninguna variacin"
Si el valor del voltaje de la rama en cuestin es cero, lo cual implica que se

puede sustituir por una fuente de voltaje de valor cero, la cual corresponde a
un conductor de resistencia nula. Dicho corolario se puede enunciar as:
"Cualquier rama principal de un circuito lineal cuyo voltaje es cero puede
ser sustituida por un conductor de resistencia nula, obtenindose un
nico nudo de los dos de dicha rama, sin que el resto de los elementos
del circuito sufran alteracin alguna".
Por idnticas razones matemticas a las expuestas, este teorema tambin se

puede enunciar de forma dual respecto de la intensidad. Por idnticas razones
matemticas a las expuestas, este teorema tambin se puede enunciar de
forma dual respecto de la intensidad: "Cualquier rama principal a de un
circuito lineal de la que se conozca, por cualquier procedimiento, el valor
de su intensidad la puede ser sustituida por una fuente de intensidad
cuyo valor y signo sea J=lA sin que los valores del resto de los elementos
del circuito sufran ninguna variacin"
De este enunciado el valor de la intensidad de la rama en cuestin sea cero, lo

cual implica que se puede sustituir por una fuente de corriente de valor cero, la
cual, en este caso y como ya se vio, corresponde a una rama abierta de
conductancia nula (o resistencia infinita). Dicho corolario se puede enunciar as:
"Cualquier rama principal de un circuito lineal cuya intensidad sea nula

puede ser directamente eliminada (lo que a su vez supone la eliminacin

de una malla) sin que el resto de los elementos del circuito sufran
alteracin alguna"
Finalmente, el teorema tambin puede enunciarse de la siguiente forma:

"Cualquier rama activa a (es decir, que incluya alguna fuente) de un
circuito lineal de la cual se conoce, los valores de voltaje (V a) y su
corriente (la), puede ser sustituida por una resistencia cuyo valor y signo
sean los correspondientes al cociente Va/ la realizado con criterio
receptor, sin que los valores del resto del circuito sufran ninguna
variacin, excepto en el caso de que dicha rama no pueda ser incluida en
ningn bucle que contenga al menos una fuente independiente"
Ejemplo1: En el siguiente circuito calcular los voltajes en R4 y R5, usando el

circuito inicial y luego sustituyndolo por uno equivalente en el punto AB (R2).
Calculando la resistencia
equivalente entre los puntos
AB.
Calculando el voltaje entre los puntos AB.
Calculando el voltaje en R1, por la ley de voltaje de Kirchhoff

V1= VR1+VAB
VR1=V1-VAB=10-3.52= 6.48V

Calculando de la corriente en R1, por la ley de Ohm

IR1= VR1/R1
IR1=6.48/3=2.16A
Calculando el voltaje en R2, por la propiedad de los circuitos en paralelo

VAB= VR2
VR2=3.52V
Calculando de la corriente en R1, por la ley de Ohm
IR1= VR2/R2
IR1=3.52/2=1.76A
Calculando de la corriente en R3 y R4, por la propiedad de los circuitos en
SERIE
IR3=IR4=VAB/(R3+R4)
VR2=3.52V/(4+5)=0.39A
Calculando el voltaje en las resistencias R3 y R4, por la ley de Ohm

VR3= IR3*R3=0.39*4=1.56V
VR4= IR4*R4=0.39*5=1.96V
Ahora sustituimos el valor de voltaje en los puntos AB por una fuente de

voltaje con el mismo valor y comprobamos si los valores de voltaje y
corriente para R3 y R4, son iguales:
Calculando de la corriente en R3 y R4, por

la propiedad de los circuitos en SERIE
IR3=IR4=VAB/(R3+R4)
VR2=3.52V/(4+5)=0.39A
Calculando el voltaje en las resistencias R3

y R4, por la ley de Ohm
VR3= IR3*R3=0.39*4=1.56V
VR4= IR4*R4=0.39*5=1.96V
Ahora observamos que los valores de voltaje y corriente de las resistencias R3
y R4, son iguales, por lo tanto se cumple el teorema de sustitucin.
TEOREMA DE SUPERPOSICIN. El principio de superposicin establece que

en un circuito lineal, se puede determinar la respuesta total calculando la
respuesta a cada fuente independiente por separado y sumando sus
contribuciones.

Para aplicar el teorema de superposicin seguiremos tres pasos:
a. Paso 1.- Anular todas las fuentes independientes excepto una. Como se ha
comentado anteriormente, para anular una fuente de tensin se sustituye por
un cortocircuito y una de intensidad por un circuito abierto.
b. Paso 2.- Se calcula la variable que se pretende determinar, ya sea una
tensin una intensidad, utilizando las leyes de Kirchhoff. Se vuelve al paso 1
para cada una de las fuentes independientes.
c. Paso 3.- Se calcula la tensin o intensidad final sumando todas las
contribuciones obtenidas de realizar el paso 2 para cada una de las fuentes
independientes.
Ejemplo1: En el
siguiente circuito calcular
los voltajes y las
corrientes en cada una
de las resistencias del
circuito, usando el
teorema de
superposicin.
Calculan los valores de voltaje y corriente en cada resistencia (R1, R2. R3, R4),
generado por la fuente de voltaje V2, para lo cual las fuentes de voltaje se
consideran en corto circuito y las de corriente en circuito abierto, tal como se
muestra en el circuito.
Como se muestra el circuito

podemos observar que a las
resistencias R1 y R2 no llega
el voltaje ni la corriente
VR1=VR2=0
IR1=IR2=0
Calculando el valor de la corriente en R3 y R4
Aplicando la ley de Ohm, calculamos los valores del voltaje en R3 y R4

generado por la fuente de corrienteI1, para lo cual las fuentes de voltaje se
Como se muestra el circuito podemos observar que las resistencias R 1, R2, R3

y R4 estn en paralelo. Para calcular la corriente utilizamos el divisor de
corriente.
Calculando el valor de la corriente en R1, R2.
Calculando el valor de la corriente en R3, R4.

generado por la fuente de voltaje V1, para lo cual las fuentes de voltaje se
Como se muestra el
circuito podemos
observar que a las
resistencias R3 y R4
no llega el voltaje ni
la corriente
VR3=VR4=0
IR3=IR4=0
Calculando el valor de la corriente en R3 y R4
Resultado1 Resultado2 Resultado3 Valor segn

teorema
superposicin
VR1 0V 7.5V -5.625V 1.875V
IR1 0A 0.75A -0.5625A 0.187A
VR2 0V 7.5V 3.375V 10.875V
IR2 0A 1.25A 0.5625A 1.812A
VR3 2.666V -3.1V 0V -0.433
IR3 1.333A -1.55A 0A -0.22
VR4 9.333V 3.1V 0V 12.433
IR4 1.333A 0.44A 0A 1.773

TAREA2: IDENTIFICA Y ANALIZA LOS CONDENSADORES.
El aprendiz de Redes y Comunicacin de datos, al trmino de esta tarea, podr

identificar en forma escrita las principales caractersticas de los
condensadores. Adems expresara su comportamiento en frecuencias de los
mismos:
Identifica los condensadores segn el material utilizado en su fabricacin.
Calcula el valor de su capacidad por el cdigo de marca.

Calcula la capacidad equivalente en circuitos en serie.
Implementa filtro pasivos RC pasa bajo, pasa alto, pasa banda y rechaza
banda.
Aunque la tormenta sea muy larga, el sol

siempre volver a brillar entre las nubes.
Khalil Gibran
EQUIPOS Y MATERIALES:
Protoboard.
Cable para puentes.
Milmetro con capacmetro.
Condensadores fijos.
Generador de seales.
Osciloscopio.
Papel semilogartmico.
ORDEN DE EJECUCIN.
Calcula la capacidad equivalente en circuitos en serie.
Utiliza el generador de seales.
Utiliza el osciloscopio.
Implementa filtro pasa bajo RC.
Implementa filtro pasa alto RC.

Implementa filtro pasa banda RC.

Implementa filtro rechaza banda RC..
OPERACIN:
NORMAS DE SEGURIDAD Y PROTECCIN AMBIENTAL.
En caso de producirse un accidente comuncalo inmediatamente al
instructor.
.

El aprendiz realiza el reconocimiento de los diferentes tipos de condensadores
teniendo en cuenta el material utilizado para su fabricacin, siguiendo normas
de seguridad y proteccin ambiental.

Condensadores Fijos.
Para esta operacin el instructor debe proporcionar al aprendiz condensadores
fijos de que estn fabricados de distintos materiales: Cermicos, electrolticos,
polister, Tntalo, plstico, cristal o cuarzo.

1. Identifica condensadores fijos de polister (tipo lenteja y de potencia):

Color de la Cdigo Capacidad de Voltaje de Ruptura
cubierta de marca almacenamiento
.
2. Identifica condensadores fijos electrolticos:
3. Identifica condensadores fijos de polister:

4. Identifica condensadores fijos de Tntalo:

5. Identifica condensadores fijos de plstico:


6. Identifica condensadores fijos de cristal o cuarzo:

Color de la Cdigo Capacidad de Frecuencia de
cubierta de marca almacenamiento Oscilacin

participante 04 condensadores fijos que poseen distintos cdigos de marca.
Llene la siguiente tabla:
Cdigo de Valor de Valor Valor Valor

marca tolerancia Nominal mnimo mximo
Para comprobar el efecto de carga y descarga del condensador implemente el

siguiente circuito electronico:
Calcular el valor del voltaje en el condensador (VC1) despues de 10, 20, 30, 40
y 50 segundos despues de haber aplicado la carga. Repetir el proceso al
desconectar la fuente y se inicie el preceso de descarga.

Proceso 0s 10s 20s 30s 40s 50s

(VC1)
Carga
Descarga
Calcular el valor delacorriente en el condensador (IC1) despues de 10, 20, 30,

40 y 50 segundos despues de haber aplicado la carga. Repetir el proceso al
desconectar la fuente y se inicie el preceso de descarga.
Proceso 0s 10s 20s 30s 40s 50s

(IC1)
Carga
Descarga
Calcula la capacidad equivalente en circuitos en serie-paralelo.

El aprendiz realiza la medida de la capacidad de condensadores asociados en
serie y en paralelo.
Consideraremos dos dispositivos pasivos adicionales denominados: el

capacitor ocondensador. A diferencia de las resistencias, ambos solo presentan
sus caractersticas cuando se hace uncambio en el voltaje o en la corriente del
circuito en el que estn conectados.
Si seconsidera la situacin ideal, no disipan la energa como el resistor sino

que la almacenan enuna forma en que pueda regresar al circuito cuando lo
requiera el diseo de este.
Condensadores en Serie
Condensadores en paralelo

Implementar el siguiente circuito, de capacitores asociados en serie.Utilizando

el capcimetro mida el valor de la capacidad equivalente.
Valor medido(Ceq)=________________________
Calcule el valor (Ceq)=______________________
Implementar el siguiente circuito, de capacitores asociados en

paralelo.Utilizando el capcimetro mida el valor de la capacidad equivalente.
Valor medido(Ceq_1)=________________________
Calcule el valor (Ceq_1)=______________________

Dado un generador de seales, el aprendiz lo utilizar en forma correcta.
1. Botn de Encendido (Power button): Presione este botn para encender

el generador de funciones. Si se presiona este botn de nuevo, el generador
se apaga.
2. Luz de Encendido (Power on light): Si la luz est encendida significa que
el generador esta encendido.
3. Botones de Funcin (Function buttons): Los botones de onda senoidal,
cuadrada o triangular determinan el tipo de seal provisto por el conector en
la salida principal.
4. Botones de Rango (Range buttons) (Hz): Esta variable de control
determina la frecuencia de la seal del conector en la salida principal.
5. Control de Frecuencia (Frecuency Control): Esta variable de control
determina la frecuencia de la seal del conector en la salida principal
tomando en cuenta tambin el rango establecido en los botones de rango.
6. Control de Amplitud (Amplitude Control): Esta variable de control,
dependiendo de la posicin del botn de voltaje de salida (VOLTS OUT),
determina el nivel de la seal del conector en la salida principal.
7. Botn de rango de Voltaje de salida (Volts Outrange button): Presiona
este botn para controlar el rango de amplitud de 0 a 2 Vp-p en circuito
abierto o de 0 a 1 Vp-p con una carga de 50W. Vuelve a presionar el botn
para controlar el rango de amplitud de 0 a 20 Vp-p en circuito abierto o de 0
a 10 Vp-p con una carga de 50W.
8. Botn de inversin (Invert button). Si se presiona este botn, la seal del
conector en la salida principal se invierte. Cuando el control de ciclo de
mquina esta en uso, el botn de inversin determina qu mitad de la forma
de onda a la salida va a ser afectada. La siguiente tabla, muestra esta
relacin.

9. Control de ciclo de mquina (Duty control):Permite controlar el ciclo til

de una seal alterna.
10. Offset en DC (DC Offset): Este control establece el nivel de DC y su
polaridad de la seal del conector en la salida principal.
11. Botn de Barrido (SWEEP button): Presiona el botn para hacer un
barrido interno. Este botn activa los controles de rango de barrido y de
ancho del barrido. Si se vuelve a presionar este botn, el generador de
funciones puede aceptar seales desde el conector de barrido externo
(EXTERNAL SWEEP) localizado en la parte trasera del generador de
funciones.
12. Rango de Barrido (Sweep Rate): Este control ajusta el rango del
generador del barrido interno y el rango de repeticin de la compuerta de
paso.
13. Ancho del Barrido (Sweep Width): Este control ajusta la amplitud del
barrido.
14. Conector de la salida principal (MAIN output connector): Se utiliza un
conector BNC para obtener seales de onda senoidal, cuadrada o
triangular.
15. Conector de la salida TTL (SYNC (TTL) output connector): Se utiliza un
conector BNC para obtener seales de tipo TTL.
Dado un osciloscopio, el aprendiz lo utilizara en forma correcta.
Compensacin de la sonda: Realice este ajuste para que su sonda

coincida con el canal de entrada. Esto debera hacerse cada vez que se
conecta por primera vez una sonda a algn canal de entrada.
Coloque la atenuacin del men Sonda en 10X. Coloque el interruptor de la
sonda en 10X y conecte la sonda al canal 1 del osciloscopio. Si est
utilizando la punta en gancho de la sonda, ejecute una conexin adecuada
insertando con firmeza la punta en la sonda.
Conecte la punta de la sonda al conector PROBE COMP 5V y el cable de
referencia al conector de PROBE COMP de tierra, encienda el canal y pulse
AUTOCONFIGURAR.
Verifique la apariencia de la forma de onda en pantalla

Control de funcionamiento: Realice este breve control de funcionamiento

para asegurarse de que el instrumento funcione correctamente.
- Encienda el instrumento. Coloque el interruptor en 10X en la sonda y

conecte la sonda al canal del osciloscopio que desea comprobar su buen
funcionamiento. Para ello, alinee la ranura del conector de la sonda con la
llave del canal BNC, pulse para conectar y gire hacia la derecha para
bloquear la sonda en su sitio.
- Pulse el botn AUTOCONFIGURAR. En pocos segundos el usuario debe
poder ver una onda cuadrtica en la pantalla (aproximadamente 5 V a 1
KHz. pico a pico).
Controles verticales: El osciloscopio dependiendo del modelo que se utiliza

puede tener diferentes botones siendo los ms frecuentes:
- CH 1 y 2 y CURSOR 1 y 2 de POSICIN: Coloca

verticalmente la forma de onda. Si los cursores estn
activados y el men del cursor est visible, este mando sirve
para situar los cursores.
- VOLTS/DIV (CH1, CH 2): Selecciona los factores de escala
calibrados.
Controles horizontales: El osciloscopio dependiendo del modelo que se

utiliza puede tener diferentes botones siendo los ms frecuentes:
- POSICIN. Ajusta la posicin horizontal de todos los canales y formas de

onda matemticas. La resolucin de este control vara segn sea la base
de tiempo.

- SEC/DIV: Selecciona el tiempo/div (factor

de escala) de la base tiempo principal o de
la ventana. Si se activa la funcin de rea
ampliada, cambia la anchura del rea
ampliada modificando la base de tiempo de
la ventana.
Controles de disparo: El osciloscopio

dependiendo del modelo que se utiliza puede tener
diferentes botones siendo los ms frecuentes:
- NIVEL y TIEMPO RETENCIN. Este control
tiene un doble fin. Como control de nivel de
disparo por flanco, establece el nivel de amplitud
que debe cruzar la seal para provocar una
adquisicin. Comocontrol de lmite, establece el
tiempo de retencin que debe trascurrirantes de poder aceptar otro evento
de disparo.
- NIVEL DISPARO al 50%: El nivel de disparo se establece a medio
caminoentre los picos de la seal de disparo.
- FORZAR DISPARO: Inicia una adquisicin independientemente de si hay
o no una seal de disparo adecuada. Este botn no tiene efectoalguno si
la adquisicin ya se ha detenido.
- VER SEAL DISPARO: Muestra la forma de onda de disparo en lugar de
la forma de onda del canal mientras se mantiene pulsado el botn.
- VER SEAL DISPARO: Puede utilizarlo para ver cmo afectan los
ajustes de disparo afectan a la seal de disparo, como en el acoplamiento
de disparo.
3.7. IMPLEMENTA FILTRO PASA BAJO RC.
Dado un circuito electrnico RC, el aprendiz podr expresar en forma escrita

las principales caracterstica de un filtro pasa bajo.
Los filtros basa bajos, son aquellos que introducen muy poca atenuacin a las
frecuencias que son menores que la frecuencia de corte. Las frecuencias que
son mayores que la de corte son atenuadas fuertemente.

Implementar el siguiente circuito electrnico, en el protoboard. La fuente de

voltaje ser alterna, para lo cual se utilizara el generador de seales, y en la
salida se conectar el Osciloscopio.
Anote los valores nominales del condensador y la resistencia mirando los

cdigoscorrespondientes impresos en ellos, que seran entregados por el
instructor.
R1 (Nominal)
C1 (Nominal)
Mida el valor de la resistentecia con el Ohmimetro y el valor del

condensador con el capcimetro y anote sus valores medidos.
R1 (Medido)
C1 (Medido)
Impementar el circuito en Protoboard. El generador de seales debe

entregar una sealsinusoidal cercana a 2V.
Pruebe la respuesta del circuito frente a distintas ondas. Para esto, fije la
frecuencia dela onda de entrada en cada uno de los valores especificados
en la tabla a continuacin,midiendo para cada valor la amplitud de la onda
de salida.
Frecuencia (Hz) Voltaje de entrada(V) Voltaje de salida (V)
100
500
1K
5K
10K
50K
80K
120K
Utilizando un papel semilogaritmico tabule el valor de la frecuencia y la

amplitud del voltaje de salida, obtenidos de la tabla anterior. Pguelo aqui.

Pega la grfica obtenida con el papel semilogartmico.

El eje X o de la abscisas debe ser ubicada la frecuencia en la cual se
realiza la medida.
El eje Y o de las ordenadas debe ser la magnitud de voltaje obtenido
en cada frecuencia.
Utilizando el papel semilogaritmico y una regla calcule la frecuencia de corte.

La cual se obtiene en el 0.707 del valor mximo del voltaje de salida. Ubique
dicho valor en la grafica anterior y anote.
Fcorte(Hz)
Utilizando la siguiente ecuacion calcule el valor de la
frecuencia de corte nominal y real (con los valores de R y C medidos).

Calcule dichos valores y anote.
Fcorte(Nominal)
Fcorte(Real)
Convierta los valores de la tabla (frecuencia - voltaje de salida) a decibeles,

usando la frmula . Con estos valores construya
manualmente el diagrama de Bode del filtro utilizando el papel

semilogaritmico. Pegue aqui.

realiza la medida.
El eje Y o de las ordenadas debe ser la magnitud de la ganancia de
voltaje en decibelios (dB) obtenido en cada frecuencia.

3.8. IMPLEMENTA FILTRO PASA ALTO RC.

las principales caracterstica de un filtro pasa alto.
Los filtros pasa altos, es aquel circuito electrnico que atena levemente las
frecuencias que son mayores que la frecuencia de corte e introducen mucha
atenuacin a las que son menores que dicha frecuencia.


cdigos correspondientes impresos en ellos, que seran entregados por el
instructor.
R2 (Nominal)
C2(Nominal)

R2 (Medido)
C2(Medido)

entregar una seal sinusoidal cercana a 2V.
frecuencia de la onda de entrada en cada uno de los valores especificados
en la tabla a continuacin, midiendo para cada valor la amplitud de la onda
de salida.


100
500
1K
5K
10K
50K
80K
120K
200K
500K
1M
2M

amplitud del voltaje de salida, obtenidos de la tabla anterior. Pgalo aqu.

El eje X o de la abscisas debe ser ubicada la frecuencia en la cual
se realiza la medida.
El eje Y o de las ordenadas debe ser la magnitud de voltaje
obtenido en cada frecuencia.
Utilizando el papel semilogartmico y una regla calcule la frecuencia de corte.

Fcorte(Hz)

Fcorte(Nominal)
Fcorte(Real)




realiza la medida.
3.9. IMPLEMENTA FILTRO PASA BANDA RC.

las principales caracterstica de un filtro pasa banda.
Los filtros pasa altos, poseen dos frecuencias de corte, una inferior y otra
superior. Este filtro slo atena grandemente las seales cuya frecuencia sea
menor que la frecuencia de corte inferior o aquellas de frecuencia superior a la
frecuencia de corte superior. por tanto, slo permiten el paso de un rango o
banda de frecuencias sin atenuar.
Implementar el siguiente circuito electrnico, en el protoboard. La fuente de de


instructor.

R1 (Nominal)
C1(Nominal)
R2 (Nominal)
C2(Nominal)
Mida el valor de la resistentecia con el Ohmmetro y el valor del

R1 (Medido)
C1(Medido)
R2 (Medido)
C2(Medido)

de salida.
100
500
1K
5K
10K
50K
80K
120K
200K
500K
1M
2M

amplitud del voltaje de salida, obtenidos de la tabla anterior. Pgalo aqui.


realiza la medida.
en cada frecuencia.

Fcorte(Hz) inferior
Fcorte(Hz) superior

Fcorte(Nominal) inferior
Fcorte(Real) inferior
Fcorte(Nominal) superior
Fcorte(Real) superior



realiza la medida.

3.10. IMPLEMENTA FILTRO RECHAZA BANDA RC.

las principales caracterstica de un filtro rechaza banda.
Los filtros rechazan banda, elimina en su salida todas las seales que tengan
una frecuencia comprendida entre una frecuencia de corte inferior y otra de
corte superior. Por tanto, estos filtros eliminan una banda completa de
frecuencias de las introducidas en su entrada


cdigos correspondientes impresos en ellos, que sern entregados por el
instructor.
R1 (Nominal)
C1(Nominal)
R2 (Nominal)
C2(Nominal)

R1 (Medido)
C1(Medido)
R2 (Medido)
C2(Medido)


de salida.
100
500
1K
5K
10K
50K
80K
120K
200K
500K
1M
2M

amplitud del voltaje de salida, obtenidos de la tabla anterior. Pegalo aqui.


La cual se obtieneen el 0.707 del valor mximo del voltaje de salida. Ubique
Fcorte(Hz) inferior
Fcorte(Hz) superior


Fcorte(Nominal) inferior
Fcorte(Real) inferior
Fcorte(Nominal) superior
Fcorte(Real) superior


semilogaritmico. Pegue aqu.

realiza la medida.
4. FUNDAMENTO TERICO.
4.1. CONDENSADORES.
En electricidad y electrnica, un condensador, a veces denominado con el

anglicismo capacitor, es un dispositivo formado por dos conductores o
armaduras, generalmente en forma de placas o lminas separados por un
material dielctrico, que, sometidos a una diferencia de potencial (d.d.p.)
adquieren una determinada carga elctrica.
A esta propiedad de almacenamiento de carga se le denomina capacidad o

capacitancia. En el Sistema internacional de unidades se mide en Faradios (F),
siendo 1 faradio la capacidad de un condensador en el que, sometidas sus
armaduras a una d.d.p. de 1 voltio, stas adquieren una carga elctrica de 1
culombio.
El valor de la capacidad viene definido por la frmula siguiente:
En donde: C: Capacidad
Q: Carga elctrica
V: Diferencia de potencial
Su unidad de medida es el Faradio, pero en la prctica se tienen valores muy

pequeos del orden de los microfaradios ( F = 10-6 F), nanofaradios (F = 10-9
F), y picofaradios (pF = 10-12 F).
Smbolo electrnico.
4.2. CLASIFICACIN.
Para clasificar a los condensadores existen bsicamente dos criterios, el tipo

de material dielctrico utilizado y el valor de la capacidad.
a. Clasificacin segn el material dielctrico utilizado en su contraccin:

Existen muchos materiales dielctricos en la naturaleza, los ms utilizados
en la fabricacin de condensadores son: Mica, electrolitos, aluminio, Tntalo,
polister, plstico, cermico, estado solido
Condensador de mica.
Condensador electroltico.
Condensador de estado slido.
Condensador de aluminio.
Condensador de tantalio (tntalo).
Condensador de polister.
Condensador plstico.
b. Clasificacin segn su valor: En un condensador el valor de su capacidad

representa dos posibles estados, que su valor permanezca contante sin

importar la influencia externa o que pueda variar. De acuerdo a este criterio

los condensadores se denominan:
Condensadores Fijos: Son aquellos cuyos valores permanecen

constantes aunque exista influencia de agentes externo.
Condensadores variables: Se caracterizan por tener una capacidad que
vara al modificar la superficie enfrentada entre sus placas. Podemos
tener tres posibilidades para variar la capacidad:
- Variar la superficie de armaduras enfrentada.
- Variar la separacin de las armaduras.
- Variar el tipo de dielctrico.
Condensadores ajustables: Dentro de los condensadores variables,

podramos realizar otra clasificacin, los condensadores ajustables, en los
que se puede regular la capacidad. Se conocen como trimers y pueden
ser de mica, de aire o cermicos. Generalmente se ajustan una sola vez
para dejarlos fijos en el circuito.
c. Clasificacin montaje en un circuito: De acuerdo a este criterio, podemos

clasificar los condensadores de acuerdo a como sern instalados en un
circuito impreso:
Condensador estndar: Son aquellos que condensadores que requieren

realizar perforaciones en los impresos, para ser fijados elctrica y
mecnicamente en un circuito. La principal desventaja de este tipo de
condensadores es que ocupa mucho espacio en un circuito, adems del
elevado costo y tiempo de las perforaciones de los circuitos.
Condensadores Montados es superficie: En la actualidad, el creciente

proceso de miniaturizacin de los diversos aparatos electrnicos ha hecho
obsoletos los mtodos de montaje y fabricacin convencionales.

El diseo de la tecnologa de montaje superficial, en la que los elementos
van soldados directamente sobre la cara de pistas del circuito impreso;
as se evita la necesidad de realizar perforaciones en los impresos, al
tiempo que puede reducirse notablemente el tamao de los dispositivos
empleados. Los condensadores no podan quedar al margen, por lo que
tambin se desarrollaron versiones en miniatura de acuerdo con la
tecnologa empleada para fabricar los dispositivos cermicos.
Condensadores incorporados en chips: Tan necesarios son los

condensadores en el diseo de circuitos integrados, que incluso se ha
llegado a lmites de miniaturizacin realmente inconcebibles, a tal grado
que para observarlos se necesita un microscopio.
En ciertos circuitos integrados como el popular amplificador operacional

741, es necesario incluir un condensador compensador en la estructura
electrnica.

4.3. PRINCIPALES CARACTERSTICAS DE UN CONDENSADOR.
Las principales caractersticas son:
a. Capacidad de almacenamiento: Es la propiedad de almacenar cargas

elctricas al estar sometidos a una tensin. La capacidad de un condensador
puede variar en funcin de:
La distancia de las placas.
El nmero de placas.
El dielctrico.
La temperatura.
La unidad fundamental de capacidad es el faradio, pero como esta unidad es

muy grande para las capacidades normales de los condensadores, se
emplean los submltiplos del faradio:
Microfaradio(F)= 10-6F Nanofaradio(F)=10-9F Picofaradio(pF) =1012 F
b. Coeficiente de temperatura: Como todos los elementos electrnicos, se ve

afectado por la temperatura, y al aumentar esta, disminuye su capacidad.
c. Tensin de trabajo: Es la mxima tensin que puede aguantar un

condensador sin que sea afectado fsica y en sus caractersticas elctrica, el
cual depende del tipo y grosor del dielctrico con que est fabricado. Si se
supera dicha tensin, el condensador puede perforarse (quedar
cortocircuitado) y/o explotar.
d. Tolerancia: Se refiere al error mximo que puede existir entre la capacidad

real del condensador y la capacidad indicada sobre su cuerpo.
e. Polaridad: Es decir que el fabricante establece el pin positivo y negativo, es

decir se le debe aplicar el voltaje prestando atencin a sus terminales
positivo y negativo. De lo contrario podra ocasionar un dao en el
componente.

4.4. CONDENSADOR ELECTROLTICO.
El principio del condensador electroltico fue descubierto en 1886 por Charles

Pollak, como parte de su investigacin en la anodizacin del aluminio y otros
metales. Pollack descubri que debido a la delgadez de la capa de xido de
aluminio producida, haba mucha capacitancia entre el aluminio y la solucin de
electrolito.
Los condensadores electrolticos deben su nombre a que el material dielctrico

que contienen es un cido llamado electrolito y que se aplica en estado lquido.
La fabricacin de un condensador electroltico comienza enrollando dos
lminas de aluminio separadas por un papel absorbente humedecido con cido
electroltico. Luego se hace circular una corriente elctrica entre las placas para
provocar una reaccin qumica que producir una capa de xido sobre el
aluminio, siendo este xido de electrolito el verdadero dielctrico del
condensador. Para que pueda ser conectado en un circuito electrnico, el
condensador llevar sus terminales de conexin remachados o soldados con
soldadura de punto. Por ltimo, todo el conjunto se insertar en una carcasa
metlica que le dar rigidez mecnica y se sellar hermticamente, en general,
con un tapn de goma, que evitar que el cido se evapore en forma precoz.
El dielctrico es una disolucin electroltica que ocupa una cuba electroltica.

Con la tensin adecuada, el electrolito deposita una capa aislante muy fina
sobre la cuba, que acta como una armadura y el electrolito como la otra.
Consigue capacidades de almacenamiento muy grande, tienen polaridad

determinada, por lo que no son adecuados para funcionar con corriente alterna.
La polarizacin inversa destruye el xido, produciendo una corriente en el
electrolito que aumenta la temperatura, pudiendo hacer arder o estallar el
condensador.
Existen dos presentaciones:
Condensador
electroltico Condensador electroltico
axial

4.5. CONDENSADOR DE ESTADO SLIDO.
Estos condensadores no son ms que una variante de los condensadores

electrolticos, tienen un encapsulado metlico.
Utiliza una combinacin de Polmero orgnico slido (Solid Organic Polymer),

estn recubiertos por una carcasa de aluminio laminado y sellados
hermticamente, tambin son del tipo radial con 2 conectores polarizados
Las principales caractersticas son:

- Resistencia a la impedancia.
- Resistencia a las variaciones de energa.
- Mucho ms durables.
- Resistencia a las Altas temperaturas.
- No se revientan como los condensadores electrolticos.
- Debido a su composicin orgnica son ms amigables para el medio
ambiente.
- Son ms seguros
4.6. CONDENSADOR DE ALUMINIO.
El dielctrico es una capa de xido de aluminio que impregna el papel que

separa las lminas de aluminio. Tiene un elevado factor potencia, alta corriente
de fuga, resistencia de carga alta, tolerancia elevada y se ven fuertemente
afectados por la temperatura. Funciona bien a bajas frecuencias, pero presenta
prdidas grandes a frecuencias medias y altas. Se emplea en fuentes de
alimentacin y equipos de audio.
4.7. CONDENSADOR DE TANTALIO (TNTALO).
Es otro condensador electroltico, pero emplea tantalio en

lugar de aluminio. Consigue corrientes de prdidas bajas,

mucho menores que en los condensadores de aluminio. Suelen tener mejor

relacin capacidad/volumen, pero arden en caso de que se polarizan
inversamente.
4.8. CONDENSADOR DE POLISTER.
Est formado por lminas delgadas de polister sobre las que

se deposita aluminio, que forma las armaduras. Se apilan
estas lminas y se conectan por los extremos. Del mismo
modo, tambin se encuentran condensadores de policarbonato
y polipropileno.
4.9. CONDENSADOR PLSTICO.
Estos condensadores se caracterizan por las altas resistencias de aislamiento y

elevadas temperaturas de funcionamiento.
Segn el proceso de fabricacin podemos diferenciar entre los de tipo k (posee

armadura de metal) y tipo MK (Posee armadura de metal vaporizado).
Segn el dielctrico usado se pueden distinguir estos tipos comerciales:
KS: styroflex, constituidos por lminas de metal y poliestireno como

dielctrico.
KP: formados por lminas de metal y dielctrico de polipropileno.
MKP: dielctrico de polipropileno y armaduras de metal vaporizado.
MKY: dielctrico de polipropileno de gran calidad y lminas de metal
vaporizado.
MKT: lminas de metal vaporizado y dielctrico de teraftalato de polietileno
(polister).
MKC: makrofol, metal vaporizado para las armaduras y policarbonato para el
dielctrico.
4.10. CONDENSADOR CERMICO.
Entre los condensadores ms empleados, debido a su bajo precio y buenas

caractersticas capacitivas, estn los de cermica, los cuales basan su

funcionamiento en dos delgadas placas metlicas separadas entre s por una

delgada lmina de material cermico. El material que ms se emplea en la
actualidad es una cermica con base en Titanatio de bario, y su forma de disco
resulta familiar.
Estos condensadores tienen una estructura muy sencilla, sin embargo, esta
sencillez trae aparejado un problema delicado: a menos que se construyan
dispositivos realmente grandes su capacidad mxima es relativamente
pequea (comercialmente se alcanzan valores de 0.22F).
Para poder compensar parcialmente esta desventaja, se idearon algunas

variantes en la construccin de estos dispositivos, tal como la aplicacin de
varias capas superpuestas conectadas entre s en paralelo.
A estos dispositivos se les llama o conoce con el nombre de condensadores

cermicos multicapa, y gracias a este recurso se pueden encontrar
componentes con una capacidad de hasta 1F. Con este mtodo el disco se
ensancha, pero el tamao del dispositivo sigue siendo relativamente pequeo.
Una ventaja de los condensadores cermicos, es que el material aislante

utilizado es muy resistente al paso de la corriente, pudiendo as encontrar
dispositivos que fcilmente resisten tensiones de 500 1000 volts.
Una de sus principales desventajas de estos tipos de condensadores es su

amplio rango de tolerancia. Existe, por ejemplo, la familia de capacitores Z, la
cual posee una tolerancia de -20% a +80% del valor nominal. No obstante,
gracias a los avances en la construccin de elementos electrnicos, se ha
podido disear una familia de condensadores cermicos que es la familia J,
que posee una tolerancia de 5.

4.11. IDENTIFICACIN DE SU CAPACIDAD.
Para identificar la capacidad de almacenamiento de un condensador podemos

utilizar un cdigo de marca o un cdigo de clores:
a. Cdigo de colores: En la superficie del condensador posee 4 lneas de a

travs de las cuales podemos establecer su valor. Las dos primeras lneas
son las 2 primeras cifras significativas de su capacidad, la tercera lnea
indica el factor de multiplicacin y la cuarta su tolerancia.
Color de la Banda Cifras Significativas Multiplicador Tolerancia

(Primera y Segunda banda) (Cuarta Banda) (Quinta Banda)
Negra 0 1 20%
Marrn 1 10 1%
Rojo 2 100 2%
Naranja 3 1000 3%
Amarillo 4 10000 --------------
Verde 5 100000 5%
Azul 6 -------------- --------------
Violeta 7 0,001 --------------
Gris 8 0,01 --------------
Blanco 9 0,1 10%
Dorado -------------- -------------- --------------
Azul -------------- -------------- --------------
Oscuro
b. Cdigo de marca: Posee tres dgitos y una letra. Los 2 primeros dgitos
representan las 2 primeras cifras de su capacidad, el tercero el nmero de
ceros que debemos agregar y la letra indica la tolerancia, segn el valor de
la tabla.
LETRA TOLERANCIA
B 0.1pF
C 0.25pF
D 0.5%
F 1%
G 2%
H 2.5%
J 5%

K 10%
M 20%
P +10%
R -20%
+30%
S -20%
+50%
Z -20%
+80%
4.12. CAPACITORES SMD (Surface Mounting Device).
En los equipos actuales, se utilizan el armado por componentes SMD (surface

mounting device o componentes de montaje superficial). De todos los
capacitores nombrados hasta aqu los que ms se prestan para el montaje
superficial son los capacitores cermicos.
Los capacitores electrolticos tienen una versin enteramente SMD pero su

costo es casi prohibitivo. Por esa razn simplemente se coloca un electroltico
comn (con sus terminales cortados) en una base cermica y se los utiliza
como SMD.
Estos capacitores se identifican por sus dimensiones; por ejemplo los de tipo
0805 tienen un largo de 8 mm y un ancho de 5mm; el tipo 0604 tiene un largo
de 6mm y un ancho de 4mm. Puede ocurrir que no tengan ninguna marcacin
sobre su cuerpo porque el fabricante los identifica por el tamao y el color.
Otros fabricantes los marcan con un sistema codificado o de cdigo reducido
debido a su pequeo tamao.
La codificacin del valor consiste en una letra seguida por un nmero, la letra
corresponde a la mantisa o valor significativo indicado en la tabla inferior y el
nmero corresponde a la cantidad de ceros que se deben agregar a la mantisa,
obtenindose el resultado en pF.

Letra Mantisa Letra Mantisa Letra Mantisa

A 1.0 J 2.2 S 4.7
B 1.1 K 2.4 T 5.1
C 1.2 L 2.7 U 5.6
D 1.3 M 3.0 V 6.2
E 1.5 N 3.3 W 6.8
F 1.6 P 3.6 X 7.5
G 1.8 Q 3.9 Y 8.2
H 2.0 R 4.3 Z 9.1
Ejemplo1: Si el cdigo de marca es S4, cul es el valor de su capacidad Mi.

Observamos la tabla S=4.7 y 4 es el valor del factor de multiplicacin x10 4.
C=4.7 x 104pF = 47000pF=47F
Ejemplo2: Si el cdigo de marca es A2, cul es el valor de su capacidad Mi.

Observamos la tabla A=1.0 y 2 es el valor del factor de multiplicacin x10 2.
C=1.0 x 102pF = 100pF=0.1F
Ejemplo3:Si el cdigo de marca es J3, cual es el valor de su capacidad. Mi

observamos la tabla J=2.2 y 3 es el valor del factor de multiplicacin x102.
C=2.2 x 103pF = 2200pF=2.2F
4.13. CARGA Y DESCARGA DE UN CONDENSADOR.
Para detallar el proceso de carga y descarga del condensador, nos

apoyaremos en el circuito que se detalla a continuacin.
Disponemos de una fuente de Voltaje, un condensador y una resistencia a la

que llamaremos de carga. Todo ello conectado convenientemente con un
conmutador forma dos circuitos, 1, que ser el circuito de carga y 2, que ser el
circuito de descarga.

a. Carga: Con el conmutador en la posicin 1, llega la corriente a travs de la

resistencia, en el primer instante la intensidad alcanza su valor mximo, y a
medida que se va cargando el condensador, va aumentando la tensin en l
y la intensidad va disminuyendo.
Cuando el voltaje en el condensador alcanza el valor de voltaje de la fuente,

quedan al mismo potencial, por lo tanto deja de circular corriente. Las curvas
de carga de un condensador en funcin del tiempo son curvas
exponenciales. Para poder calcular el valor de la carga almacenada por el
condensador en un instante cualquiera debemos aplicar la relacin:
En realidad nunca llega a cargarse por completo, ya que tienen prdidas de

carga. En teora se considera cargado cuando ha transcurrido un tiempo (t),
que viene determinado por la siguiente frmula:
Siendo:
R = Resistencia empleada para la carga, en ohmios.
C = Capacidad del condensador en faradios.
La constante de tiempo (R*C) es el que tarda el condensador en almacenar

un 63,2% de la carga mxima.
b. Descarga: Para conseguir la descarga, pasaremos el conmutador a la

posicin 2.
En el instante inicial la tensin desciende rpidamente, existe tambin un

gran paso de corriente que aparecer con valores negativos, pues est
circulando en sentido contrario al de carga.

La tensin disminuye hasta hacerse nula, como no existe d. d. p., tambin se

har nula la intensidad.
4.14. ASOCIACION DE CONDENSADORES.
Existen tres tipos de asociaciones de condensadores: serie, paralelo y mixtos.
El condensador resultante de la asociacin recibir el nombre de condensador

equivalente, produciendo por tanto el mismo efecto que dicha asociacin, es
decir misma carga y diferencia de potencial, y a su capacidad la
denominaremos capacidad equivalente.
a. Capacitores en serie: Un circuito serie es aquel en el que estn conectados

dos o ms capacitores formando un camino continuo, como se muestra en el
siguiente circuito.
De esta forma las cargas Q de los sucesivos condensadores unidos en serie

tienen todas el mismo valor, ya que al conectarlas de esta forma si en una
placa de la armadura de uno de los condensadores est con una carga
positiva +Q, sta atrae a otra igual pero de signo contrario, -Q, en la otra
armadura de ese mismo condensador, y rechazar a otra igual y del mismo
signo +Q en la placa del siguiente condensador, y as sucesivamente.

Se observa que la diferencia de potencial U en los extremos de la asociacin

es igual a la suma de las diferencias de potencial existentes entre las
armaduras de los sucesivos condensadores, verificndose:
Sabemos que
Remplazamos las ecuaciones (1) y (3), en la ecuacin (2) y obtendremos:
b. Asociacin en paralelo: Es la que resulta de conectar entre s en el pin del

mismo signo, uniendo por un lado todas las armaduras inductoras
(armaduras cargadas negativamente, es decir electrones), y por otro pin
todas las armaduras inducidas (armaduras cargadas positivamente,
formadas por huecos debidos a la ausencia de electrones), tal como se
muestra en el circuito:
Como el circuito esta en paralelo se cumple:
Por otra parte, las cargas de cada condensador se calculan mediante la

siguiente ecuacin:
El condensador equivalente:
Sumando las cargas de todos los condensadores se obtiene la carga total de

la asociacin:
Remplazando las ecuaciones (1), (2) y (3) en la ecuacin (4)
Ejemplo1:
Hallar la capacitancia del siguiente circuito:
Donde: C1 = 10 F; C2 = 22 F
Ceq= C1+C2= 10 F+22F
Ceq= 10 F+22F= 32F
Ejemplo2:
Donde: C1 = 10 F; C2 = 22 F
Ceq= (C1 * C2)/(C1 + C2)= (10* 22F)/32
Ceq= 6.88F
Ejemplo3:
Donde: C5 = 20F ; C6= 50F; C7 =50F
Ceq= {(C6 * C7)/(C6 + C7)} + C5= {(50*50F)/(50+50)}+20F
Ceq= 25F+ 20F= 45F

4.15. REACTANCIA CAPACITIVA (XC).
La reactancia capacitiva (smbolo Xc)es una medida de la oposicin que

presenta el condensador a la corriente alterna (AC). Es similar a la resistencia y
es medida en ohmios () pero la reactancia es ms compleja que la resistencia
porque su valor depende de la frecuencia (f) de la seal elctrica que pasa a
travs del condensador as como del valor de la capacidad, C.
Al conectar una CA senoidal V(t) a un

condensador circular una corriente i(t),
tambin senoidal, que lo cargar, originando en
sus bornes una cada de tensin, -VC(t), cuyo
valor absoluto puede demostrase que es igual
al de V(t). Al decir que por el condensador
"circula" una corriente, se debe puntualizar que,
en realidad, dicha corriente nunca atraviesa su
dielctrico. Lo que sucede es que el
condensador se carga y descarga al ritmo de la frecuencia de V(t), por lo que la
corriente circula externamente entre sus armaduras.
Entre los 0 y los 90 i(t) va disminuyendo desde su valor mximo positivo a

medida que aumenta su tensin de carga Vc(t), llegando a ser nula cuando
alcanza el valor mximo negativo a los 90, puesto que la suma de tensiones
es cero (Vc(t)+ V(t) = 0) en ese momento. Entre los 90 y los 180 v(t)
disminuye, y el condensador comienza a descargarse, disminuyendo por lo
tanto Vc(t). En los 180 el condensador est completamente descargado,
alcanzando i(t) su valor mximo negativo. De los 180 a los 360 el
razonamiento es similar al anterior.

De todo lo anterior se deduce que la corriente queda adelantada 90 respecto

de la tensin aplicada. Consideremos por lo tanto, un condensador C, como el
de la figura 2, al que se aplica una tensin alterna de valor:
De acuerdo con la ley de Ohm circular una corriente alterna, adelantada 90

( / 2) respecto a la tensin aplicada.
donde . Si se representa el valor

eficaz de la corriente obtenida en forma polar:
Y operando matemticamente:
Por lo tanto, en los circuitos de CA, un condensador ideal se puede asimilar a

una magnitud compleja sin parte real y parte imaginaria negativa:
En el condensador real, habr que tener en cuenta la resistencia de prdidas

de su dielctrico, RC, pudiendo ser su circuito equivalente, o modelo, el que
aparece en la figura dependiendo del tipo de condensador y de la frecuencia a
la que se trabaje, aunque para anlisis ms precisos pueden utilizarse modelos
ms complejos que los anteriores.
4.16. CONCEPTOS PREVIOS PARA FILTROS.
Para comprender mejor las caractersticas de los filtros, definiremos los

siguientes conceptos bsicos:
Octava: Dos frecuencias estn separadas una octava si una de ellas es de

valor doble que la otra.
Dcada: Dos frecuencias estn separadas una dcada si una de ellas es de
valor diez veces mayor que la otra.

Frecuencia de corte: Es la frecuencia para la que la ganancia en tensin

del filtro cae de 1 a 0.707 (esto expresado en decibelios o dB. se dira como
que la ganancia del filtro se reduce en 3dB de la mxima, que se considera
como nivel de 0dB). En los filtros pasa banda y elimina banda existirn dos
frecuencias de corte diferentes, la inferior y la superior.
Banda de paso: Es el rango de frecuencias que el filtro deja pasar desde la
entrada hasta su salida con una atenuacin mxima de 3dB. Toda
frecuencia que sufra una atenuacin mayor quedara fuera de la banda
pasante o de paso.
Banda atenuada: Es el rango de frecuencias que el filtro atena ms de
3dB.
Funcin de transferencia: Se define la funcin de red F(s) como la
transformada de Laplace de la relacin entre la respuesta de un circuito y la
excitacin de sta, con condiciones iniciales nulas. La funcin de red puede
tener dimensiones de: impedancia, admitancia o ser adimensional
dependiendo de las variables utilizadas.
Cuando las variables implicadas pertenece una a la puerta de entrada X(s) y

la otra a la puerta de salida Y(s), la funcin de red se denomina funcin de
transferencia H(s).
La funcin de transferencia se expresar como el cociente de dos polinomios

en s y para quesea realizable prcticamente debe cumplirse que el grado del
numerador (m) debe ser menor o igual que el grado del denominador (n).
Adems, todos los coeficientes de los polinomios deben ser reales, nunca
imaginarios.
Respuesta en amplitud: Una de las formas ms comunes de especificar un

filtro es mediante su respuesta en amplitud. Esta respuesta en amplitud es la
que fijar las bandas de paso y atenuada y las atenuaciones de ambas
bandas. Normalmente se especifica esta respuesta en amplitud y, a partir de
ella, se obtiene la funcin de transferencia. La respuesta en amplitud no es
ms queel mdulo de la particularizacin de la funcin de transferencia en el
eje j.
[ ]
| |

Rizado: Es una medida de lo plana que es la respuesta en amplitud en la

banda de paso y se da como la diferencia entre las atenuaciones mxima y
mnima en la banda de paso. En la figura se muestra grficamente el
significado de los parmetros anteriores
Diagrama de Bode: El diagrama de Bode es la representacin grfica de

H(S) = H(j) y se divide en dos: diagrama de mdulo y diagrama de fase.
- Eje de frecuencias logartmico: Permite observar la respuesta del filtro
sobre varias dcadas de frecuencia.
- Eje de ganancia en dB: Permite visualizar varios rdenes de magnitud.
Factor de calidad o selectividad del filtro (Q):La relacin entre el ancho

de banda del filtro y su frecuencia central.
Octava: Una octava es la diferencia entre dos frecuencias una doble de la

otra. Es decir, se cumple que f2/f1 = 2.
Dcada: Dos frecuencias estn separadas una dcada si f 2/f1 = 10.

4.17. NMEROS COMPLEJOS O IMAGINARIO.
Un nmero imaginario puro es un mltiplo de la unidad imaginaria de la forma

bi, donde b pertenece a los reales e i es la raz cuadrada de menos uno.
Pueden hacerse las 4 operaciones racionales de suma, diferencia, producto y
cociente de dos nmeros imaginarios puros, solo que el producto y el cociente
dan como resultado nmeros reales.
Los nmeros complejos son una extensin de los nmeros reales,

cumplindose que . Los nmeros complejos tienen la capacidad de
representar todas las races de los polinomios, cosa que con los reales no era
posible.
Dado que un nmero real es de distinta naturaleza que un nmero imaginario

puro, se define un nmero complejo z como la suma de un nmero real y uno
imaginario puro de la siguiente forma:
z=a+ib=a+jb
Representacin:
a) La forma ms usada para la representacin de

un nmero complejo es la forma rectangular.

b) Otra forma polar de representar un nmero

complejo es la polar:
Donde: r a 2 b2
b
arctan
a

c) Representacin trigonomtrica, esta es una descomposicin polinmica de

su representacin rectangular.
z r cos irsen r cos jsen
Donde: r a 2 b2
b
arctan
a
d) Representacin fasorial, esta representacin expresa el numero complejo en

funcin de su modulo y el ngulo de desfasaje
e) Z = r
4.18. OPERACIONES CON NMEROS COMPLEJOS.
Con los nmeros complejos se pueden realizar las siguientes operaciones:
a. Suma: Sea;Z1 = a + bi y Z2 = c + di
La suma ser:
Z = Z1 + Z2 = ( a + c ) + ( b + d )i
b. Resta: Sea;Z1 = a + bi y Z2 = c + di
La resta ser:
Z = Z1 - Z2 = ( a c ) + ( b - d )i
c. Producto: Sea; Z1 = a + bi y Z2 = c + di
El producto ser:
Z = Z1 * Z2 = a bi c di ac adi bci bdi ac bd ad bc i
2
Z Z1 * Z 2 r1 * r2 1 +2
d. Divisin: Sea;Z1 = a + bi y Z2 = c + di
El cociente ser:

z1 a bi a bi c di ac bd (ad bc)i ac bd (ad bc)i

z2 c di c di c di c2 d 2 z2
2
Z1 r1
Z 1 - 2
Z 2 r2
e. Raz Cuadrada: Sea:

Z1 = a + bi
Z r1 /2
EJERCICIOS DE APLICACIN.
1.- Sea los siguientes nmeros complejos en forma rectangular, represntelos

en polar y trigonomtrica:
a. Z1 = 4+ 3i d. Z4 = 10 + 12i
b. Z2 = 5 + 12i e. Z5 = 8 + 7i
c. Z3 = 8 + 25i
2.- Calcular la raz cuadrada de todos los nmeros complejos.
3.- Calcular siguientes operaciones

a) Z1 + Z2 g) Z1 * Z3
b) Z3 + Z2 h) Z5 * Z2
c) Z1 + Z5 i) Z1 / Z2
d) Z1 - Z2 j) Z3 / Z2
e) Z3 - Z2 k) Z4 + Z5
f) Z1 * Z2
4.19. CLASIFICACIN DE LOS FILTROS.
Existen muchos criterios para clasificar a los filtros siendo los ms importantes:
a. Clasificacin segn el tipo de funcin de transferencia: La forma de

comportarse de un filtro se describe por su funcin de transferencia. sta
determina la forma en que la seal aplicada cambia en amplitud y en fase al

atravesar el filtro. La funcin de transferencia elegida tipifica el filtro. Algunos

filtros habituales son:
Filtro de Butterworth: Los filtros de Butterworth poseen la propiedad de

tener una curva de respuesta lo ms plana posible en el origen, es decir,
para la frecuencia cero.
La funcin de Butterworth viene definida por las ecuaciones:
| |
| |
( )
| |
| |
( )
Filtro de Chevyshev: Los filtros de Chebyshev tienen una transicin

ms abrupta que las funciones de Butterworth entre la banda de paso y
la banda atenuada (pero a frecuencias altas, ya muy inmersos en la
banda atenuada, todo filtro LP de orden n tiene una atenuacin de
20ndB/dec.). Por el contrario, la banda de paso no es plana, esto es,
presenta rizado.
Es ms eficiente repartir el error de aproximacin de una forma
continua a lo largo de la banda pasante, lo que podemos conseguir
escogiendo:
| |
Donde, C (w) es el polinomio de Chebychev de primera especie y de

n
orden n. Este polinomio oscila entre 1 y 1 para 0[]1
| |
| | { }
Filtros elpticos o filtro de Cauer: Los filtros elpticos se conocen

desde la dcada de 1930 cuando fueron desarrollados por Wilhelm
Cauer en Alemania.
La principal aplicacin de estos filtros es la telefona y
telecomunicaciones para separar canales contiguos de informacin,

una tarea que los filtros elpticos realizan mejor que cualquier otro tipo
de filtro. Una de las razones por la que los filtros elpticos son mejores
que otros filtros es la existencia de rizo tanto en la banda de paso como
de rechazo, como se muestra en la Fig.
Este comportamiento se describe exactamente mediante el uso de

funciones elpticas de Jacob, y estas funciones son las que le dan el
nombre a este tipo de filtros, aunque tambin se les conoce como filtros
Cauer (por su inventor), y como filtros de funciones elpticas. Aunque el
nombre de filtro elptico podra llevar a pensar que tienen forma elptica,
dicho nombre es el ms comn para describir a este tipo de filtros.
| |
De los tipos de funciones de filtros existentes, las funciones elpticas

proporcionan la mejor aproximacin debido al rizo presente en la banda
de paso y en la banda de rechazo, el cual hace que la magnitud se
haga cero en la banda de rechazo logrando una mayor pendiente de la
magnitud en esta banda y por lo tanto aproximndose mejor a la
caracterstica pasa bajos ideal.
Esta mejor aproximacin en magnitud provoca que la aproximacin en

fase no sea la mejor de todas, desafortunadamente.
El objetivo de este trabajo es presentar una transformacin que nos

lleve a reducir el nmero de rizos en la banda de paso de la magnitud
de un filtro elptico pasa bajos para de esta manera mejorar el retardo
de dichos filtros. Adicionalmente, realizaremos la sntesis pasiva
escalera de las nuevas funciones, para finalmente realizar un anlisis
de sensitividad sobre estos circuitos.

Filtro de Bessel: Este filtro tambin es denominado filtro de fase lineal,

ya que presenta una respuesta en amplitud bastante plana en la banda
de paso, para un orden elevado, pero fundamentalmente tiene una
respuesta en fase muy aproximadamente lineal para esa banda. Sin
embargo la pendiente en la zona de transicin es peor que los filtros de
Butterworth o Tchevycheff del mismo orden, por lo que es adecuado
cuando se desea transmitir pulsos sin deformacin, dado su contenido
armnico.
Supongamos tener una funcin de sistema igual a:
Donde, K0 es una constante real y positiva

La respuesta en frecuencia del sistema puede expresarse as. Si la

respuesta en amplitud M() es una constante K0 y una respuesta en
fase
()=T

Si vamos a construir un sistema con elementos que introducen
prdidas, debemos aproximar la funcin H(s)=K0esT, por una funcin
racional en s.
El mtodo de aproximacin se lo debe a Thomson y dice que H(s)

puede expresarse as:
Si sinh s y cosh s son expandidas en serie de potencias, tenemos:
Obtenemos as la serie correspondiente

Donde Bn(s) son los polinomios de Bessel, definidos as:
Polinomio de Bessel
B0 1
B1 (s + 1)
B2 (s2 +3s + 3)
B3 (s3 + 6 s2 + 15s+15)
B4 (s4 + 10s3 + 45s2 +105s +105)
B5 (s5 + 15s4 + 105s3 + 420s2 +945s +945)
B6 (s6 +21s5 + 210s4 + 1260s3 + 4725s2 + 10395s + 10395)
b. Clasificacin segn respuesta frecuencia: Este calcificacin establece la

frecuencia o rangos de frecuencia que se podrn pasar por el filtro.
Filtro paso bajo: En el caso ideal, dejan pasar las seales cuya
frecuencia es inferior a una frecuencia designada como frecuencia de
corte, que se definir ms adelante y, las seales de frecuencias
superiores a sta son rechazadas o atenuadas considerablemente. La
forma ideal de la respuesta en frecuencia y los smbolos utilizados para
los filtros de paso bajo se ilustran en la figura.
Filtro paso alto: En el caso ideal, dejan pasar las seales cuya
frecuencia es superior a la de corte y rechazar las seales de frecuencias
inferiores a sta. La respuesta ideal y los smbolos se ilustran en la figura.

Filtro pasa banda: Rechazan las seales de frecuencia inferior a una

frecuencia mnima de corte y de frecuencia superior a una frecuencia
mxima de corte, permitiendo el paso de seales cuya frecuencia se
encuentra entre las dos frecuencias de corte anteriores, como se ilustra
en la figura.
Filtro elimina banda: Son aquellos que atenan el paso de seales

cuyas frecuencias estn comprendidas entre 2 frecuencias de corte el
resto de frecuencias no son atenuadas.
Filtro multibanda: Es que presenta varios rangos de frecuencias en los

cuales hay un comportamiento diferente.
Filtro variable: Es aquel que puede cambiar sus mrgenes de frecuencia.
c. Clasificacin segn el tipo de componente que utilizan: Determina el tipo

de componentes electrnicos que sern utilizados en el diseo del filtro.
Filtro pasivo: Es el constituido nicamente por componentes pasivos

como condensadores, bobinas y resistencias.

Filtro activo: Son aquellos diseados con elementos pasivos y activos

(BJT, FET Y OP-AMP) Siendo frecuente el uso de amplificadores
operacionales, que permite obtener resonancia y un elevado factor Q sin
el empleo de bobinas.
d. Clasificacin segn el tipo de seal: Determina el tipo de seal que

podrn utilizar para el filtrado, los filtros.
Filtro analgico: Diseado para el tratamiento de seales analgicas.
Filtro digital: Diseado para el tratamiento de seales digitales. Entre

ellos, cabe citar el Filtro Adaptado cuya funcin principal es maximizar la
relacin seal a ruido en la recepcin.
e. Clasificacin segn el orden: Determina el grado de atenuacin de la

seal en la salida del filtro.
Filtro de premier orden: Es aquel cuya frecuencia de corte sea igual a

(F), presentar una atenuacin de 6dB a la primera octava (2F).
Filtro de segundo orden: Es aquel cuya frecuencia de corte sea igual a
(F), presentar una atenuacin de 12dB a la primera octava (4F).
Filtro de tercer orden: Es aquel cuya frecuencia de corte sea igual a (F),
presentar una atenuacin de 24dB a la primera octava (8F).

4.20. ESCALA SEMILOGARTMICA.
En la curva del diagrama de Bode, tanto para el mdulo como para el ngulo
de fase de la funcin de transferencia, se utiliza un eje horizontal logartmico
para la frecuencia, donde en vez de se escala el log.
En la figura se puede observar la diferencia entre un eje lineal y uno

logartmico. Para construir un eje logartmico basta dar valores a y marcar
sobre el eje lineal el correspondiente valor del log. Estas marcas dan lugar al
eje logartmico. Las marcas se numeran con el valor que le corresponde a .
Hay que tener en cuenta que en una escala logartmica no hay valores
negativos.
Se puede observar que mientras la separacin entre las marcas del eje lineal
es regular, en el eje logartmico la separacin es regular entre las marcas de
valores 0.1, 1, 10, 100, 1000, etc. Cada uno de estos intervalos recibe el
nombre de dcada. La separacin entre las marcas dentro de una dcada ya
no es regular, sino que decrece hacia la derecha.
Cuando en una grfica los dos ejes estn escalados de forma logartmica
recibe el nombre de grfica logartmica, pero cuando uno delos ejes es lineal
(el vertical), recibe el nombre de grfica semilogartmica, como la que se
representa en la figura, que tiene seis dcadas en el eje horizontal.
Eje Y o de las
ordenadas ser
utilizado para
graficar los
valores de voltaje
(expresada en
voltios) o de
ganancia
(decibelios)
obtenida en cada
frecuencia.
El eje de las abscisas ser utilizada para medir la frecuencia en

la que se realiza la medida de la seal.

4.21. FILTRO PASA BAJO RC.
Para realizar un filtro pasivo paso bajo, deberemos construir el circuito de la

siguiente figura.
Como se ha citado previamente, a la frecuencia de corte se produce la

resonancia del filtro RC, o lo que es lo mismo, que los valores de la resistencia
y de la reactancia capacitiva a esa frecuencia se igualan.
La grfica obtenida de un filtro paso bajo, indicando la relacin entre la

frecuencia y la amplitud mxima de salida del filtro, en voltios o en decibelios,
se conoce como Diagrama de Bode, en honor a su inventor Hendrik W. Bode.
El diagrama de Bode puede referirse a la magnitud.
Otra forma de calcular cual es la frecuencia de corte de un filtro paso bajo

dados los datos de la atenuacin medida a una frecuencia alejada de la de
corte, es aplicando la siguiente ecuacin. La atenuacin es un valor negativo:

( )
4.22. FILTRO PASA ALTO RC.
Para realizar un filtro pasivo paso alto, deberemos construir el circuito de la

siguiente figura. El cual est conformado por una fuente de energa alterna, un
condensador y una resistencia conectada en serie. La salida del circuito se
realiza a travs de la resistencia (donde conectamos un osciloscopio para ver
la seal de salida) la fuente de voltaje alterno ser el generador de seales
donde podemos obtener distintas frecuencias.
Como se ha citado previamente, a la frecuencia de corte se produce la

resonancia de la clula RC, o lo que es lo mismo, que los valores de la
resistencia y de la reactancia capacitiva se igualan a esa frecuencia. Por tanto,
la ecuacin de clculo de la frecuencia de corte de este filtro es idntica a la del
filtro paso bajo.
La grfica obtenida de un filtro paso alto, indicando la relacin entre la

frecuencia y la amplitud mxima de salida del filtro, en voltios o en decibelios,
se conoce como Diagrama de Bode, en honor a su inventor Hendrik W. Bode.
El diagrama de Bode puede referirse a la magnitud.

4.23. FILTRO PASA BANDA RC.
Para la realizacin de un filtro paso banda existen dos disposiciones posibles.

La construida en torno a la conexin en serie de un filtro paso alto ms un filtro
paso bajo o bien la mostrada en la figura. Existen muchos arreglos RC para
filtros pasa banda RC, en la figura se muestra las dos ms utilizadas
configuracin pasa bajo RC en serie con un pasa alto RC (figura a), la
configuracin RC serie - paralelo (figura b).
En la primera de ellas, al estar formada por la unin de los dos filtros

estudiados anteriormente, los valores de las resistencias y condensadores
sern los obtenidos mediante sus respectivos clculos, es decir, ambas clulas
RC sern diferentes. Mientras que en el segundo caso, los valores de las
resistencias y condensadores son idnticos.
En cuanto a sus procedimientos de clculo y resultados prcticos obtenidos

tambin varan sustancialmente. En el caso de paso alto ms paso bajo,
podemos calcular sin problema las frecuencias de corte inferior y superior (fC1 y
fC2), el factor de calidad del filtro (Q) y el ancho de banda resultante (BW). Para
la figura b, exclusivamente calcularemos una frecuencia de trabajo, la
frecuencia media o central. Tampoco tendremos posibilidad de controlar el Q o
el ancho de banda del filtro resultante.

El diagrama de Bode en magnitud para el filtro paso banda, tanto en modo

lineal como logartmico, se muestran en la figura.
Como se ha comentado anteriormente, la frecuencia media o de corte, segn el

modelo utilizado de disposicin, se obtiene mediante:
Siendo el valor de la fase obtenido mediante:
( )

( )
4.24. FILTRO RECHAZA BANDA RC.
Esta configuracin es especial y poco utilizada, ya que nicamente elimina un

margen de frecuencias de trabajo muy escaso.
Esta disposicin tambin es conocida como de hendidura o de rechazo en

doble T, por la disposicin particular de sus componentes.
Al igual que en algn modelo de filtro paso banda, con esta disposicin no
podremos controlar ni el Q ni el ancho de banda del filtro.

Como se ha comentado anteriormente, la frecuencia media o de corte, segn el

modelo utilizado de disposicin, se obtiene mediante:
El diagrama de Bode en magnitud para el filtro paso

banda, tanto en modo lineal como logartmico, se
muestran en la figura:

TAREA3: IDENTIFICA Y ANALIZA LOS INDUCTORES.
El aprendiz de Redes y Comunicacin de datos, al trmino de esta tarea, podr

identificar en forma escrita las principales caractersticas de los inductores.
Adems expresara su comportamiento en frecuencias de los mismos:
Identifica las bobinas segn el material utilizado en su fabricacin.

Implementa filtro RLC pasa bajo, pasa alto, pasa banda y rechaza banda.
Si una persona es perseverante, aunque sea

dura de entendimiento, se har inteligente; y
aunque sea dbil se transformar en fuerte.
Leonardo Da Vinci
1. EQUIPOS Y MATERIALES.
Protoboard.
Cable para puentes.
Bobinas fijas.
Osciloscopio.
Papel semilogaritmico.
Identifica las bobinas segn el material utilizado en su fabricacin.
Calcula el valor de su inductancia por el cdigo de marca.
Implementa filtro pasa bajo RL.
Implementa filtro pasa alto RL.
Implementa filtro pasa banda RLC.
Implementa filtro rechaza banda RLC.

3. OPERACIN.

instructor.
.

3.2. IDENTIFICA LAS BOBINAS SEGN EL MATERIAL UTILIZADO EN SU

FABRICACIN.
El aprendiz realiza el reconocimiento de los diferentes tipos de bobinas

teniendo en cuenta el material utilizado para su fabricacin, siguiendo normas
de seguridad y proteccin ambiental.
Identifica el tipo de material y sus principales caractersticas de las

bobinas fijas:
Para esta operacin el instructor debe proporcionar al aprendiz bobinas fijas de
que estn fabricados de distintos materiales: Alambre, moldeados o tipo
resistencia, bobinas SMD.

1. Identifica bobinas o inductoresfijos de alambre.
Tipo de ncleo Nmero de vueltas Grosor del alambre
2. Identifica bobinas o inductores fijos de moldeados.
Color de la cubierta Cdigo de colores
3. Identifica bobinas o inductores fijos SMD.
Color de la cubierta Cdigo de marca
3.3. CALCULA EL VALOR DE SU INDUCTANCIA POR EL CDIGO DE

MARCA.
El aprendiz calcular el valor de la autoinductancia, de la bobina utilizando el

cdigo de marca o de colores, siguiendo los estndares de codificacin.
1. Calcula el valor de la autoinductancia, utilizando el cdigo de colores de las

bandas, que posee la bobina en la superficie.

Color de la Cdigo de colores Valor Nominal Valor Valor

cubierta de Inductancia mnimo mximo
2. Calcula el valor de la autoinductancia, utilizando el cdigo de marca, que

posee la bobina en la superficie.
Color de la Cdigo de marca Valor Nominal de Valor Valor

cubierta Inductancia mnimo mximo
3.4. IMPLEMENTA FILTRO PASA BAJO RL.
Dado un circuito electrnico RLC, el aprendiz podr expresar en forma escrita

las principales caracterstica de un filtro pasa bajo.
Los filtros pasa bajos, son aquellos que introducen muy poca atenuacin a las
frecuencias que son menores que la frecuencia de corte. Las frecuencias que
son mayores que la de corte son atenuadas fuertemente.

voltaje ser alterna (Generador de seales 2VP), para lo cual se utilizara el
generador de seales, y en la salida se conectar el Osciloscopio.


instructor.
R1 (Nominal)
L1 (Nominal)
Mida el valor de la resistentecia con el Ohmimetro y anote sus valores

medidos.
R1 (Medido)

de salida.

100
500
1K
5K
10K
50K
80K
120K

amplitud del voltaje de salida, obtenidos de la tabla anterior. Pegelo aqui.

realiza la medida.
en cada frecuencia.


Fcorte(Hz)
Utilizando la siguiente ecuacion calcule el valor de la frecuencia
de corte nominal (Utilizando el codigo de colores de R) y real (Utilizando el

valor medido de R). Calcule dichos valores y anote.
Fcorte(Nominal)
Fcorte(Real)



realiza la medida.
3.5. IMPLEMENTA FILTRO PASA ALTO RL.
Dado un circuito electrnico RL, el aprendiz podr expresar en forma escrita las
principales caracterstica de un filtro pasa alto.
Los filtros pasa altos, es aquel circuito electrnico que atena levemente las
frecuencias que son mayores que lafrecuencia de corte e introducen mucha
atenuacin a las que son menores que dicha frecuencia.


Anote los valores nominales de la resistencia mirando los cdigos

correspondientes impresos en ellos, que seran entregados por el instructor.
R1 (Nominal)
L2(Nominal)
Mida el valor de la resistentecia con el Ohmimetro anote el valor medido.

R2 (Medido)

Pruebe la respuesta del circuito frente a distintas frecuencias. Para esto, fije
la frecuencia de la onda de entrada en cada uno de los valores especificados
de salida.

100
500
1K
5K
10K
50K
80K
120K
200K



realiza la medida.
en cada frecuencia.

Fcorte(Hz)
Utilizando la siguiente ecuacion calcule el valor de la frecuencia

de corte nominal (Utilizando el valor de R y L segun el codigo de colores) y
real (Utilizando el valor medido de R con el Ohmimetro). Calcule dichos
valores y anote.
Fcorte(Nominal)
Fcorte(Real)




realiza la medida.
3.6. IMPLEMENTA FILTRO PASA BANDA RLC.
Dado un circuito electrnico RLC, el aprendiz podr expresar en forma escrita

las principales caracterstica de un filtro pasa banda.
Los filtros pasa altos, poseen dos frecuencias de corte, una inferior y otra
superior. Este filtro slo atena grandemente las seales cuya frecuencia sea
menor que la frecuencia de corte inferior o aquellas de frecuencia superior a la
frecuencia de corte superior. Por tanto, slo permiten el paso de un rango o
banda de frecuencias sin atenuar.


instructor.
R1 (Nominal)
C1 (Nominal)
L1 (Nominal)


R1 (Medido)
C1 (Medido)

Pruebe la respuesta del circuito frente a distintas frecuencias. Para esto, fije
la frecuencia de la onda de entrada en cada uno de los valores especificados
de salida.

100
500
1K
5K
10K
50K
80K
120K
200K
400K
1M
2M


realiza la medida.
en cada frecuencia.


Fcorte(Hz) inferior
Fcorte(Hz) superior
Fm(Hz)
Utilizando la siguienteecuacion calcule el valor de la frecuencia

de maxima nominal y real (con los valores de R y C medidos). Calcule
dichos valores y anote.
Fm(Nominal) inferior
Fm(Real) inferior
Utilizando la siguienteecuacion [ ( ) ], calcule
el valor de la frecuencia de corte superior nominal y real (con los vales de R

y C medidos). Calcule dichos valores y anote.
FCS(Nominal) inferior
FCS(Real) inferior
Utilizando la siguienteecuacion [ ( ) ] ,
calcule el valor de la frecuencia de corte superior nominal y real (con los
vales de R y C medidos). Calcule dichos valores y anote.
FCS(Nominal) inferior
FCS(Real) inferior
3.7. IMPLEMENTA FILTRO RECHAZA BANDA RC.

las principales caracterstica de un filtro rechaza banda.
Los filtros rechaza banda, elimina en su salida todas las seales que tengan
una frecuencia comprendida entre una frecuencia de corte inferior y otra de

corte superior. Por tanto, estos filtros eliminan una banda completa de
frecuencias de las introducidas en su entrada


instructor.
R1 (Nominal)
C1 (Nominal)
L1 (Nominal)

R1 (Medido)
C1 (Medido)

de salida.


100
500
1K
5K
10K
50K
80K
120K
200K
500K
1M
2M



Fcorte(Hz) inferior
Fcorte(Hz) superior
FRESONANCIA(Hz)

4.1. BOBINAS.
Un inductor o bobina es un componente pasivo de un circuito elctrico que,

debido al fenmeno de la autoinduccin, almacena energa en forma de campo
magntico.
Energa almacenada: La bobina almacena energa elctrica en forma de

campo magntico cuando aumenta la intensidad de corriente, devolvindola
cuando sta disminuye. Matemticamente se puede demostrar que la energa,
, almacenada por una bobina con inductancia L, que es recorrida por una
corriente de intensidad I, viene dada por:
Fuerza electromotriz autoinducida: Una variacin de la intensidad de

corriente (i(t)=I/t ) dar como resultado una variacin del campo magntico y,
por lo mismo, un cambio en el flujo que est atravesando el circuito. De
acuerdo con la Ley de Faraday, un cambio del flujo, origina una fuerza
electromotriz auto inducida. Esta fuerza electromotriz, de acuerdo con la Ley de
Lenz, se opondr a la causa que lo origina, esto es, la variacin de la corriente
elctrica, por ello suele recibir el nombre de fuerza contra electromotriz. Su
valor viene dado por la siguiente ecuacin diferencial:
Donde el signo menos indica que se opone a la causa que lo origina.
En un inductor ideal, la fuerza contra-electromotriz auto inducida es igual a la

tensin aplicada al inductor. La frmula precedente puede leerse de esta
manera: Si uno de los bornes del inductor es positivo con respecto al otro, la
corriente que entra por el primero aumenta con el tiempo.
Cuando el inductor no es ideal porque tiene una resistencia interna en serie, la

tensin aplicada es igual a la suma de la cada de tensin sobre la resistencia
interna ms la fuerza contra-electromotriz auto inducida.

La unidad de medida utilizado por las bobinas es el Henrio (H), debido a que su
valor de inductancia de una bobina suele ser pequeo se puede exprese en
miliHenrios (mH) o micro Henrios (H).
Smbolo electrnico:
4.2. CLASIFICACIN DE BOBINAS.
Existen muchos criterios para clasificar las bobinas, siendo los ms

importantes:
a. Clasificacin segn su valor.
Bobinas Fijos: Son aquellos cuyos valores permanecen constantes aunque

exista influencia de agentes externo.
Bobinas Variables: Son aquellos cuyos valores varan por influencia del
movimientos mecnico o algn agente externo adicional.
Smbolo Electrnico:
b. Clasificacin segn el tipo de ncleo.

Bobina de ncleo de aire: El conductor se arrolla sobre un soporte hueco y

posteriormente se retira este quedando con un aspecto parecido al de un
muelle.
Bobina de ncleo de ferrita: Posee un ncleo slido de un material

ferromagnticos. Los materiales ferromagnticos ms usados son la ferrita y
el ferroxcube.
c. Clasificacin segn el tipo de encapsulado.
Bobina de alambre desnudo: Son aquella bobinas cuyos elementos

inductivos estn constituidos por alambres de cobre, enrollados sobre un
ncleo.
Bobina tipo resistencia: El alambre de estas bobinas est cubierta por una
capa de cermica, la cual suele ser color verde claro o celeste, sobre la cual
posee impresa cuatro bandas de colores, que se utilizan para identificar el
valor de la inductancia; de manera similar al de las resistencias o mediante
serigrafa directa.

d. Clasificacin segn el tipo de montado en el circuito impreso.
Bobina montado den circuito impreso: Son bobinas cuyos pines pasan a
travs del circuito impreso, separando las bobinas de los puntos de fijacin
mecnica y elctrica.
Bobina montada sobre la superficie: Son bobinas cuyos pines de fijacin y

la bobina estn ubicada en el mismo lado del circuito impreso.
4.3. BOBINA CON NCLEO DE AIRE.
El conductor se arrolla sobre un soporte hueco y posteriormente se retira este

quedando con un aspecto parecido al de un muelle. Se utiliza en frecuencias
elevadas.
Una variante de la bobina anterior se denomina solenoide y difiere en el

aislamiento de las espiras y la presencia de un soporte que no necesariamente
tiene que ser cilndrico. Se utiliza cuando se precisan muchas espiras. Estas
bobinas pueden tener tomas intermedias, en este caso se pueden considerar
como 2 o ms bobinas arrolladas sobre un mismo soporte y conectadas en
serie. Igualmente se utilizan para frecuencias elevadas.
Existe un mtodo para obtener este valor si se tienen las medidas externas de
la bobina / inductor.
La frmula de Wheel era utilizar es la siguiente:
Donde:
- n: es la cantidad de espiras (vueltas de alambre) del inductor.
- a: es el radio del inductor en centmetros.
- b: es la longitud del arrollado del inductor en centmetros
Esta frmula es una buena aproximacin para inductores de una longitud

mayor o igual a 0.8a. Ver el grfico anterior.
Ejemplo 1:
Se tiene una bobina o inductor de 32 espiras, 13 vueltas por centmetro y 25
mm de dimetro. Cul debe ser el valor dela inductancia?
- a = 25 mm / 2 = 1.25 centmetros
- b = 32 / 13 = 2.46
- n = 32
Entonces:
L = (0.393 x 1.252 x 322) / (9 x 1.25 + 10 x 2.46) = 17.54H
Ejemplo 2:
Se desea construir una bobina o inductor que sea de 10H, que tenga 2.54
centmetros de dimetro y una longitud de 3.175 centmetros. Cuntas espiras
debe tener la bobina?
Entonces:
- a = 2.54 cm / 2 = 1.27cm
- b = 3.175 centmetros
- L = 10H
Se despeja de la ecuacin original la variable "n" en funcin de todas las

dems.
n = [10 x (9a + 10b) / ( 0.393 x a2)]1/2
Reemplazando los valores:

n = [10 x (11.43 + 31.75) / 0.393 x 1.613]1/2 = 6801/2 = 26.1 espiras
4.4. BOBINA CON NCLEO SLIDO.
Posee un ncleo de un material slido como el metal, que le aade a la bobina

caractersticas magnticas especiales.
Cuando se manejan potencias considerables y las frecuencias que se desean

eliminar son bajas se utilizan ncleos parecidos a los de los transformadores
(en fuentes de alimentacin sobre todo). As nos encontraremos con las
configuraciones propias de estos ltimos. Las secciones de los ncleos
pueden tener forma de EI, M, UI y L.
El principal aporte del ncleo de metal con caractersticas magnticas

especiales, es la de poder incrementar el valor de la inductancia de la bobina,
que hacen reforzar el campo magntico.
El magnetismo del material del ncleo depende de la polarizacin de "los

dominios magnticos moleculares", cuando el campo magntico que afecta el
inductor cambia continuamente.
Estos dominios deben poder cambiar su posicin para que el ncleo cumpla su
objetivo. Adems podrn o no seguir las variaciones del campo magntico
dependiendo del material del que est hecho el ncleo.
Dependiendo del material magntico que se utiliza como ncleo de la bobina,

tambin depender la frecuencia a la que trabajar la bobina:
Metal slido: Utilizado para bobinas con frecuencias muy bajas.
Metal laminado: Utilizados para bobinas con frecuencias que varan entre
los 10 hertzio (Hz) a algunos kilohertzio (KHz)
Ncleos de polvo metlico: Utilizados para bobinas con frecuencias arriba

de cientos de Kilohertzios y hasta varios cientos de Megahertzio (MHz).
Ncleo de aire: Utilizados en bobinas con frecuencias superiores a los 500
Megahertzio. En este caso el ncleo metlico se vuelve obsoleto.
Existe un mtodo para obtener este valor si se tienen las medidas externas de
la bobina / inductor.
La frmula de Wheel era utilizar es la siguiente:
Donde:
- N: Es el nmero de espiras (vueltas de alambre) del inductor.
- A: rea del ncleo.
- l: Longitud del ncleo.
- : Permeabilidad del medio.
La permeabilidad: Al introducir el material ferromagntico en el inductor,

modifica la naturaleza del espacio que ocupa produciendo un aumento del flujo
magntico y por lo tanto de la inductancia (tambin de otros parmetros).
Es la propiedad del espacio que se modifica se denomina "permeabilidad

absoluta" o simplemente "permeabilidad", y para designarla se emplea la letra
griega (mu).
Para calcular el valor de la permeabilidad se utilizara, un valor que surge de

realizar el cociente entre la permeabilidad del material y la permeabilidad del
vaco, a este cociente se lo denomina "permeabilidad relativa" (la
permeabilidad relativa del aire es prcticamente 1, casi la misma que la del
vaco). Es importante insistir en que la permeabilidad relativa (r)es un
cociente entre permeabilidad y la permeabilidad del material (0), por ello no
tiene unidades, es una medida de comparacin; tal como se muestra en la
siguiente ecuacin.

Si despejamos obtenemos la siguiente ecuacin:
Ejemplo 1: Se tiene una bobina o inductor de 100 espiras, con un ncleo de

ferrita de 100mm de longitud, 4 mm de dimetro. Cul debe ser el valor dela
inductancia?
- =r0= 200*4*10-7=0.251mWb/Am
- A= r2=3.1416*22mm2=12.57*10-6m2
Entonces:
( )
Smbolo electrnico:
4.5. BOBINA DE NIDO DE ABEJA.
Se utilizan en los circuitos sintonizadores de aparatos de radio en las gamas de

onda media y larga. Gracias a la forma del bobinado se consiguen altos valores
inductivos en un volumen mnimo.
4.6. BOBINA TOROIDAL.
Se caracterizan por que el flujo generado no se dispersa

hacia el exterior ya que por su forma se crea un flujo
magntico cerrado, dotndolas de un gran rendimiento y
precisin.

4.7. ASOCIACIN DE BOBINAS.
Las bobinas se pueden asociar formando circuitos en serie, circuitos en

paralelo y en una combinacin de estos:
a. Asociacin en serie: En estos casos, y siempre que no exista acoplamiento

magntico, la inductancia equivalente para la asociacin serie vendr dada
por:
Sabemos:
Sabemos por las caractersticas del circuito en serie:

V= V1 + V2+V3+ ....+Vn .......(2)
Remplazando (1) en (2):
Calculando el voltaje del circuito equivalente
Igualando las ecuaciones (3) con la (4)
b. Asociacin es paralelo: En estos casos, y siempre que no exista

acoplamiento magntico, la inductancia equivalente para la asociacin serie
vendr dada por:

Por propiedades de circuitos en paralelo sabemos:

El voltaje es constante:
V=V1=V2=....=Vn ......(1)
La corriente de entrada es la suma de las corrientes

en cada bobina:
i= i1 + i2+ ....+in......(2)
La inductancia es igual a:
Calcular el valor del circuito equivalente:
Derivando la ecuacin (2)
Reemplazando las ecuaciones (1), (3), (4) en (5).
4.8. CDIGO DE COLORES.
Las bobinas tipo resistencia, empleadas en circuitos electrnicos, poseen

cuatro o cinco bandas de color rotuladas, los colores utilizados dependiendo de
su posicin definen el valor de la inductancia de una bobina y la tolerancia.
El cdigo de colores de una bobina de cuatro bandas, utilizan la primera y

segunda banda para definir las dos primeras cifras del valor de la inductancia

de la bobina, la cual se expresa en micro Henrios (H). La tercera banda

establece el factor de multiplicacin y la cuarta banda la tolerancia.

Banda (Primera y Segunda banda) (Tercera banda) (Cuarta Banda)
Negra 0 1
Marrn 1 10 1%
Rojo 2 100 2%
Naranja 3 1000
Amarillo 4 10000 4%
Verde 5 100000 0.5%
Azul 6 1000000 0.25%
Violeta 7 10000000 0.1%
Gris 8 100000000 0.05%
Blanco 9 1000000000
Dorado -------------- 0.1 5%
Plateado -------------- 0.01 10%
Ninguno -------------- -------------- 20%
El cdigo de colores de una bobina tipo resistencia de cinco banda, utilizan la

primera, segunda y tercera banda definir las tres primeras cifras del valor de la
inductancia de la bobina expresada en micro Henrios (H). La cuarta banda
establece el factor de multiplicacin. La cuarta banda define el porcentaje de
tolerancia.


Banda (Primera, Segunda y Tercera banda) (Cuarta anda) (Quinta Banda)
Negra 0 1
Marrn 1 10 1%
Rojo 2 100 2%
Naranja 3 1000
Amarillo 4 10000 4%
Verde 5 100000 0.5%
Azul 6 1000000 0.25%
Violeta 7 10000000 0.1%
Gris 8 100000000 0.05%
Blanco 9 1000000000
Dorado -------------- 0.1 5%
Plateado -------------- 0.01 10%
Ejemplo de cdigos de colores:
a. Sea una bobina cuyas bandas son amarillo, violeta, negro, rojo y rojo.
amarillo-violeta-negro--------------- 470
rojo--------------------------------------- 102
rojo--------------------------------------- 2%
L=470x 102H 2%
L=47000 H 2%
L=47mH 2%
b. Sea una bobina cuyas bandas son marrn, negro, naranja y dorado.
marrn - negro --------------- 10
naranja ------------------------- 102
dorado -------------------------- 5%
L=10x 103 H 5%
L=10000 H 5%
L=10mH 5%
c. Sea una resistencia cuyas bandas son rojo, rojo, dorado y dorado.
rojo - rojo ----------------------- 22
dorado -------------------------- 0.1
dorado -------------------------- 5%
L=22x 0.1 H 5%
L=2.2 H 5%
L=2.2 H 5%
d. Sea una resistencia cuyas bandas son rojo, rojo, negro y dorado.
rojo - rojo ----------------------- 22

dorado -------------------------- 1
dorado -------------------------- 5%
L=22 x 1 H 5%
L=22 H 5%
L=22 H 5%
4.9. CDIGO DE MARCA.
El cdigo de marca de una bobina o inductor generalmente se utiliza en

bobinas con encapsulados de montaje superficial, porque son muy pequeas y
no poseen espacio suficiente para colocar bandas de colores, por lo tanto se
emplea una codificacin numrica como. Esta codificacin numrica est
formada por 3 o 4 letras o nmeros, existen diferentes codificaciones en uso.
Los cdigos de marca utilizados en las bobinas es muy similar al utilizado en

las resistencias, con la diferencia que se expresa en el orden de los micro
Henrios (H), siendo los sistemas de codificacin ms utilizados:
Cdigo de Resistores con 3 Dgitos: Es la codificacin ms comnmente

empleada, es muy similar a la codificacin con cuatro bandas de colores.
Los primeros dos nmeros indican los dos primeros dgitos del valor de la
resistencia mientras que el tercero nos indica la cantidad de ceros que
deben agregarse a las cifras significativas (factor de multiplicacin).
10 000000 H = 10H
Cdigo de Resistores con 4 Dgitos: Esta codificacin es muy similar a la

empleada en las resistencias con cdigo de colores de cinco bandas con
bajas. En esta codificacin los primeros 3 dgitos de indican el valor
numrico de la resistencia y el cuarto dgito la cantidad de ceros que se debe
poner a continuacin (factor de multiplicacin).
274 00 H = 27.4mH

Codificacin EIA-96: Esta codificacin es empleada en resistencias con

tolerancias del 1%. Esta codificacin surge para abreviar un cdigo de
resistencias donde intervienen 4 dgitos, al ser las resistencias SMT un poco
pequeas para poder anotarlo y debido a esto surge est codificacin.
Emplea tres caracteres para indicar el valor de la resistencia: los dos

primeros son nmeros e indican los 3 dgitos ms significativos del valor de
resistencia, el tercer carcter es una letra que indica el multiplicador
(cantidad de ceros a agregar). Al usar una letra se evita confusin con la
codificacin de 3 nmeros.
CDIGO FACTOR DE
MULTIPLICACIN
Z 0.001
YoR 0.01
XoS 0.1
A 1
BoH 10
C 100
D 1 000
E 10 000
F 100 000
33 00H = 3.3mH
4.10. RESPUESTA EN FRECUENCIA DE LA BOBINA.
En CA, una bobina ideal ofrece una resistencia al paso de la corriente que
recibe el nombre de reactancia inductiva, XL, cuyo valor viene dado por el
producto de la pulsacin (=2f) por la inductancia, L:
Si la pulsacin est en radianes por segundo (rad/s) y la inductancia en henrios

(H) la reactancia resultar en ohmios.
Al conectar una fuente de corriente alterna (CA) con una seal senoidalv(t) a
una bobina aparecer una corriente i(t) tambin senoidal, esto va a generar una

fuerza contra electromotriz, -e(t), cuyo valor absoluto puede demostrase que es
igual al de v(t).
Cuando la corriente i(t) aumenta, e(t) disminuye para es decir mantienen una
relacin inversamente proporcional; anlogamente, cuando i(t) disminuye, e(t)
aumenta para oponerse a dicha disminucin.
La imagen podemos observar las curvas caractersticas de respuesta en

frecuencia de una bobina o solenoide. En el tramo comprendido entre 0 y 90
la curva i(t) es negativa, disminuyendo desde su valor mximo negativo hasta
cero, observndose que e(t) va aumentando hasta alcanzar su mximo
negativo. En el tramo comprendido entre 90 y 180, la corriente aumenta
desde cero hasta su valor mximo positivo, mientras e(t) disminuye hasta ser
cero. Desde 180 hasta los 360 el razonamiento es similar al anterior.
Dado que la tensin aplicada, v(t)es igual a -e(t), o lo que es lo mismo, est
desfasada 180 respecto de e(t), resulta que la corriente i(t) queda retrasada
90 respecto de la tensin aplicada. Consideremos por lo tanto, una bobina L,
como la de la figura 2, a la que se aplica una tensin alterna de valor:
Donde . Si se representa el valor eficaz de la
corriente obtenida en forma polar:
Y operando matemticamente:

Por lo tanto, en los circuitos de CA, una bobina ideal se puede asimilar a una
magnitud compleja sin parte real y parte imaginaria positiva:
En la bobina real, habr que tener en cuenta la resistencia de su bobinado, R L,

pudiendo ser su circuito equivalente o modelo, el que aparece en la figura b o c
dependiendo del tipo de bobina o frecuencia de funcionamiento, aunque para
anlisis ms precisos pueden utilizarse modelos ms complejos que los
anteriores.
4.11. FILTRO PASA BAJO RL.
Un filtro pasa-baja se puede conseguir tambin con un circuito serie RL,

tomando la tensin de salida en la resistencia.
El voltaje de salida del circuito es:

El voltaje de entrada es:

La ganancia se obtiene reemplazando las ecuaciones (1) y (2) en la ecuacin

de la ganancia:

La magnitud o mdulo de la ganancia es:

| |

( )
La frecuencia de corte se obtiene, cuando | | ; remplazando en la

ecuacin (3), obtenemos:

( )
Elevando al cuadrado la igualdad:
( )

( ( ) )
Resolviendo obtenemos
Si C= 2fC, remplazamos en (4), para calcular la frecuencia de corte
El ngulo de fase de la ganancia es:

( )
4.12. FILTRO PASA ALTO RL.
Un filtro pasa-baja se puede conseguir tambin con un circuito serie RL,

tomando la tensin de salida en la resistencia.




de la ganancia:


| |
( )


( )
( )

( ( ) )
Si C= 2fC, remplazamos en (4), para calcular la frecuencia de corte
El ngulo de fase de la ganancia es:

( )
4.13. FILTRO PASA BANDA RLC.
Un filtro pasa-banda se puede conseguir tambin con un circuito serie RLC,

tomando latensin de salida en la resistencia.

( )



de la ganancia:
(
)

| |

( )

En este tipo de filtros existe un punto mximo en la curva que corresponde a la

frecuencia de resonancia del circuito. A esta frecuencia la tensin de entradaVg
y la intensidad I1 estn en fase, es decir, se anulan las impedancias reactivas
del circuito, en este caso el mdulo de ganancia es .
Si r= 2fr, remplazamos en (4), para calcular la frecuencia de corte:



( )

( )

( )

Resolviendo obtenemos:
Resolviendo la ecuacin cuadrtica (4) obtenemos:
4.14. FILTRO RECHAZA BANDA RLC.
Un filtro rechaza banda se puede conseguir tambin con un circuito serie RLC,
tomando la tensin de salida en la bobina y el condensador conectados en
serie.

( )

[ ( )]


de la ganancia:
(
)

( )

(
)
| |
( )

En este tipo de filtros existe un punto mximo en la curva que corresponde a la

frecuencia de resonancia del circuito. A esta frecuencia la tensin de entrada
Vg y la intensidad I1 estn en fase, es decir, se anulan las impedancias
reactivas del circuito, en este caso el mdulo de ganancia es .
Resolviendo obtenemos:
Si r= 2fr, remplazamos en (4), para calcular la frecuencia de corte



( )

( )

( )

Resolviendo la ecuacin cuadrtica (4) obtenemos:
4.15. TRANSFORMADOR.
El transformador es un dispositivo que permite modificar potencia elctrica de

corriente alterna con un determinado valor de tensin y corriente en otra
potencia de casi el mismo valor pero, generalmente con distintos valores de
tensin y corriente.
Transformador monofsico: Bsicamente est formado por un ncleo

compuesto de lminas de hierro y dosbobinados, a los cuales denominaremos
primario y secundario.
El bobinado primario con N1 espiras es aquel por el cual ingresa la energa y

el secundario con N2 espiras es aquel por el cual se suministra dicha energa.
La bobina conectada a la fuente de energa se llama bobina primaria. Las

dems bobinas reciben el nombre de bobinas secundarias. Un transformador
cuyo voltaje secundario sea superior al primario se llama transformador

elevador. Si el voltaje secundario es inferior al primario este dispositivo recibe

el nombre de transformador reductor.
La razn de transformacin del voltaje entre el bobinado "Primario" y el

"Secundario" depende del nmero de vueltas que tenga cada uno. Esta
caracterstica esta expresada en la siguiente relacin:
Nmero _ de _ espiras _ del _ primario(n p ) Voltaje _ en _ el _ primario(VP )

a
Nmero _ de _ espiras _ del _ sec undario(nS ) Voltaje _ en _ el _ sec undario(VS )
A estas relaciones la llamaremos relacin de transformacin, la cual puede

adoptar los siguientes valores:
a > 1 La tensin aplicada es superior a la tensin en el secundario, el tipo de

transformador es reductor de tensin.
a < 1 La tensin aplicada es inferior a la tensin en el secundario, el tipo de
transformador es elevador de tensin.
a = 1 Las dos tensiones son iguales, y se lo utiliza para aislar tensiones en
sistemas de proteccin o medicin.
Como analizamos un transformador ideal en el cual no hay prdidas, la

potencia que se consume en la carga, es la misma que suministra la fuente, por
lo que se cumple:
4.16. PROTOBOARD.
Proviene de dos palabras compuestas prototipe (prototipo) board (tarjeta), se

utiliza para realizar montajes de circuitos de manera rpida, sencilla y los
componentes se pueden insertarse y extraerse fcilmente.

Los contactos estn separados entre s por una distancia de 0.1 (2,54 mm),
correspondiente ala separacin de los pines o terminales de los circuitos
integrados, principales componentes de los circuitos electrnicos actuales. Esta
disposicin tambin permite instalar fcilmente los dems componentes
electrnicos como transistores, resistencias y condensadores.
Estos tableros estn formados por una base de plstico que tiene una serie de
perforaciones con una disposicin especial. Debajo de estas perforaciones, se
encuentran unas lminas metlicas que forman contactos, en donde se unen
los diferentes terminales de los componentes del circuito. Estas lminas se
fabrican de un metal flexible de berilio-cobre recubierto con plata-nquel y en
algunos casos de oro. El recubrimiento impide que los contactos se oxiden y la
flexibilidad del metal permite utilizar cables y terminales de diferente dimetro,
sin deformarse.

TAREA3: IDENTIFICA Y ANALIZA UN DIODO.
El aprendiz de Redes y Comunicacin de datos, al trmino de esta tarea,

podr identificar en forma escrita las principales caractersticas de los diodos
semiconductores. Adems expresara su comportamiento en frecuencias de los
mismos:
Identifica los diodos segn el material utilizado en su fabricacin.
Identifica las principales caractersticas de un diodo por el cdigo de marca.
Implementa circuitos para comprobar la respuesta de un diodo en seal

continua y alterna.
Si una persona es perseverante, aunque sea

dura de entendimiento, se har inteligente; y
aunque sea dbil se transformar en fuerte.
Leonardo Da Vinci
1. EQUIPOS Y MATERIALES:
Protoboard.
Cable para puentes.
Diodos semiconductores: Diodos emisores de Luz (LED), diodos
rectificadores, Diodos Zener.
Osciloscopio.
Papel milimetrado.
Identifica los principales tipos de diodos.
Identifica los cdigos de marca de diodos.
Implementa circuitos bsicos con diodos.

3. OPERACIN.
instructor.
.
3.2. IDENTIFICA LOS PRINCIPALES TIPOS DE DIODOS.
El aprendiz realiza el reconocimiento de las principales caractersticas de los

diodos LED, Rectificadores, Zener, Cristal, en forma escrita.
Para esta operacin el instructor debe proporcionar al aprendiz Diodos:

Emisores de Luz (LED), rectificadores, Zener, Cristal
Identifica las principales caractersticas de los diodos LED.

Los diodos LED son dispositivos electrnicos de estado slido que convierten
la energa elctrica directamente en luz de un solo color y sin desperdiciar
energa en calor. Debido a que utilizan la tecnologa de generacin de luz
llamada fra, en la que la mayor parte de la energa se entrega en el espectro
visible al ojo humano.

1. Identifica los diodos principales caractersticos de los diodos LED.
Tipo de Color de la Caractersticas del Caractersticas del

encapsulado cubierta pin del nodo pin del Ctodo
Identifica las principales caractersticas de los diodos Rectificador.

Los diodos rectificadores son aquellos que al ser polarizados por una seal de
corriente y voltaje alterno, en una seal de voltaje y corriente unidireccional.
1. Identifica las principales caractersticas de los diodos principales

rectificadores:
Tipo de Color de la Cdigo de Material Caractersticas

encapsulado cubierta del marca semiconductor del pin del
encapsulado utilizado Ctodo
Identifica las principales caractersticas de los diodos Zener.

Es un diodo que se ha construido para que funcione en las zonas de rupturas.
Llamados a veces diodos de avalancha o de ruptura, el diodo Zener es la parte
esencial de losreguladores de tensin casi constantes con independencia de
que se presenten grandes variaciones de voltaje, de la resistencia de carga y
temperatura:
1. Identifica las principales caractersticas de los diodos principales

rectificadores.

Tipo de Color de la Cdigo de Material Caractersticas

encapsulado cubierta del marca semiconductor del pin del
encapsulado utilizado Ctodo
3.3. IDENTIFICA LOS CDIGOS DE MARCA DE DIODOS.
Los sistemas de codificacin ms empleados, al igual que los diodos, son:

EUROPEO (PROELECTRON).
AMERICANO (JEDEC).
JAPONS (JIS).
Identifica cdigos de marca europeo (PROELECTRON).

El sistema europeo queda definido por dos letras maysculas seguidas de tres
nmeros utilizados componente para equipos de consumo y por tres letras y
dos nmeros para aplicaciones profesionales.
dos letras, [letra], nmero de serie, [sufijo]
La primera letra del cdigo indica el tipo de material semiconductor empleado

en la fabricacin (germanio, silicio,...).
Letra Material Semiconductor

A Germanio
B Silicio
C Arseuro de Galio
R Mezcla de materiales
La segunda indica la construccin y/o principal aplicacin.

A Diodo de baja seal
B Diodo Varicap
E Diodo tunel
Y Diodo Rectificador
Z Diodo Zener

La tercera letra indica que el dispositivo est pensado para aplicaciones

industriales o profesionales, ms que para uso comercial. Suele ser una W, X,
Y o Z.
La serie del componente es un nmero que est comprendido entre 100 y 9999
La letra del sufijo cdigo indica la ganancia del componente (Baja, Media, Alta y
no definida).
Letra Ganancia
A Baja
B Media
C Alta
No definida
1. Identifica las principales caractersticas de los diodos con el cdigo de

marca.
Cdigo del Material utilizado Tipo de Aplicacin del Serie Ganancia

componente para su diodo componente
fabricacin
Identifica cdigos de marca americano (JEDEC).

El sistema Americano queda definido por un nmero seguida de letra N, la
serie del componente y una letra de sufijo.
nmero, [letra], nmero de serie, [sufijo]
El nmero se obtiene la resta en uno el nmero de pines del componente.

Numero = (n-1)
La letra ser la ene (N).
no definida).
Letra Ganancia
A Baja
B Media
C Alta
No definida

marca.

fabricacin
Identifica cdigos de marca Japons (JIS).

En el sistema japons el cdigo queda definido por un nmero(nmero de
pines del componente disminuido en 1), dos letras (indican el rea de
aplicacin y tipo de dispositivo), la serie del componente y sufijo.
.
nmero, [dos letras], nmero de serie, [sufijo]

Numero = (n-1)
Lasdos letras indican el rea de aplicacin y tipo de dispositivo.

Letra Aplicacin
SE Diodo
SR Diodo Rectificador
ST Diodo de avalancha
SV Diodo Varicap
SZ Diodo Zener
.

no definida).
Letra Ganancia
A Baja
B Media
C Alta
No definida

marca.

fabricacin
3.4. IMPLEMENTA CIRCUITOS BSICOS CON DIODOS.
El aprendiz implementar en el protoboard circuitos electrnicos bsicos con

diodos, resistencias condensadores, fuentes de voltaje continua y alterno, y
expresara en forma grfica los resultados de dichos circuitos.
Diodos y funcin de rectificacin.

Este es el circuito ms simple que puede convertir corriente alterna en corriente
continua. Estos pueden ser de media onda y de onda completa.
a. Rectificador de media onda:

La funcin de este circuito es eliminar uno de los dos semiperiodos de una
seal alterna senoidal, proveniente de la fuente de voltaje alterno. El
componente electrnico que se usa para este fin es el diodo, que tiene la
propiedad de conducir en un solo sentido.
Utiliza un transformador de con un voltaje de salida de 12V y una corriente

de 1A. Si el laboratorio no cuenta con una fuente utilizar el generador de
Voltaje con una frecuencia de 60Hz, y un voltaje de 2V o superior.

Implementa en el protoboard el siguiente circuito, conecta el canal 1 del

osciloscopio en la fuente de voltaje alterno y el canal 2 del osciloscopio en la
resistencia RL.
Grafica en un papel milimetrado, las

grficas obtenida en el canal 1 y el canal 2
del Osciloscopio.
Pega los resultados obtenidos en el

osciloscopio, en este recuadro.
En la siguiente tabla anote los niveles de voltaje de pico de la fuente alterna

y el nivel de voltaje de pico en la resistencia de carga (RL).
VP (Fuente)
VP(RL)

resistencia RL.

grficas obtenida en el canal 1 y el canal
2 del Osciloscopio.


resistencia RL.

2 del Osciloscopio.



VP (Fuente)
VP(RL)
b. Rectificador de onda completa:

El rectificador de onda completa utiliza ambas mitades de la seal senoidal
de entrada, para obtener una salida unipolar, invierte los semiciclos
negativos de la onda senoidal.


resistencia RL.

grficas obtenida en el canal 1 y el
canal 2 del Osciloscopio.


VP (Fuente)
VP(RL)
En el circuito anterior agrega un condensador electroltico de 100F a 16V, e

implemntalo en el protoboard, conecta el canal 1 del osciloscopio en la
fuente de voltaje alterno y el canal 2 del osciloscopio en la resistencia RL.
Repita el proceso anterior ubicando el canal 2 del osciloscopio en el
condensador C1.


2 del Osciloscopio.

En la siguiente tabla anote los niveles de voltaje de pico de la fuente

alterna y el nivel de voltaje de pico en la resistencia de carga (R1).
VP (Fuente)
VP(R1)
c. Conversor Buck:
Es un conversor conmutado en alta frecuencia, son circuitos de potencia
donde los semiconductores, o llaves de potencia, conmutan a una frecuencia
mucho mayor que la de variacin de las formas de onda de entrada y salida
del conversor. Esto permite emplear filtros pasa-bajos para eliminar los
componentes armnicos no deseados.


resistencia RL.

2 del Osciloscopio.



y el nivel de voltaje de pico en la resistencia de carga (C1).
VP (Fuente)
VP(C1)
d. Circuitos recortadores.
Se emplean cuando se quiere seleccionar parte de una onda, distinguindola
por quedar encima o por debajo, de un determinado nivel de tensin que se
toma como referencia. A los circuitos recortadores tambin se les denomina
limitadores o selectores de amplitud.
Se pueden distinguir dos tipos de circuitos recortadores:

Recortadores a un nivel.
Recortadores a dos niveles.

de 1A, el voltaje de la fuente continua debe ser la mitad de este valor. Si el
laboratorio no cuenta con una fuente utilizar el generador de Voltaje con una
frecuencia de 60Hz, y un voltaje de 2V o superior, el voltaje de la fuente
continua debe ser la mitad de este valor.

resistencia Vo.
Grafica en un papel milimetrado, las grficas

obtenida en el canal 1 y el canal 2 del
Osciloscopio.


VP (Fuente)
VP(RL)


resistencia Vo.

Osciloscopio.


y el nivel de voltaje de pico en la resistencia de carga (v0).
VP (Fuente)
VP(Z1)

resistencia Vo.

del Osciloscopio.


Osciloscopio.



y el nivel de voltaje de pico en la resistencia de carga (v0).
VP (Fuente)
VP(Z1)
e. Circuitos Fijadores.
Son circuitos electrnicos que reproducen la forma de onda en la salida,
pero manteniendo fijo su valor mximo o mnimo.
Fijador mximo Positivo.


resistencia Vo.

Osciloscopio.


VP (Fuente)
VP(RL)

Fijador mnima Positiva.


resistencia Vo.

Osciloscopio.


VP (Fuente)
VP(RL)
Fijador mximo Negativo.


resistencia Vo.


del Osciloscopio.


VP (Fuente)
VP(RL)
Fijador mnimo Negativo.


resistencia Vo.

del Osciloscopio.


VP (Fuente)
VP(RL)

4.1. MATERIALES SEMICONDUCTORES.
En 1940 Russell Ohl, investigador de los Laboratorios Bell, descubri que si a

ciertos cristales se le aada una pequea cantidad de impurezas su
conductividad elctrica variaba cuando el material se expona a una fuente de
luz. Ese descubrimiento condujo al desarrollo de las celdas fotoelctricas o
solares.
En 1947 William Shockley, investigador tambin de los Laboratorios Bell,

Walter Brattain y John Barden, desarrollaron el primer dispositivo
semiconductor de germanio (Ge), al que denominaron transistor y que se
convertira en la base del desarrollo de la electrnica moderna.
Los semiconductores hay dos tipos de portadores de corriente elctrica, los

portadores de electrones con carga negativa y los portadores de huecos con
carga positiva.
A los materiales semiconductores puros se les conoce como semiconductores
intrnsecos. A los que se le aade impurezas se les denomina extrnseco.
Semiconductores extrnsecos: Son materiales semiconductores puros

contaminados con impurezas en mnimas proporciones (una partcula entre un
milln). A este proceso de contaminacin se le denomina dopaje.
Segn el tipo de dopaje que se le realice al material existen dos tipos:
Tipo N: En este caso se contamina el material con tomos de valencia 5,

como son Fsforo (P), Arsnico (As) o Antimonio (Sb). Al introducirlos,
fuerzo al quinto electrn de este tomo a vagar por el material
semiconductor, pues no encuentra un lugar estable en el que situarse. Al
conjunto de estos electrones se les llama electrones mayoritarios.

Tipo P: En este caso se contamina el material semiconductor con tomos de

valencia 3, como son Boro (B), Galio (Ga) o indio (In). Si se introduce este
tomo en el material, queda un hueco donde debera ir un electrn. Este
hueco se mueve fcilmente por la estructura como si fuese un portador de
carga positiva. En este caso, los huecos son portadores mayoritarios.
El Arseniuro de Galio (GaAs), es semiconductor inicialmente diseado para

el uso militar y aeroespacial, hoy en da est siendo utilizado en productos
comerciales. Posee una movilidad de los electrones mayor que en el silicio
o el germanio, y la de los huecos es similar a los del silicio.
Para aadirle impurezas tipo p se utilizan materiales como el zinc, el cadmio

o el cobre. Para aadir impurezas tipo n se utilizan materiales donadores
como el azufre, el selenio, el teluro, etc.
4.2. POLARIZACIN DEL DIODO.
El diodo puede ser polarizado en forma directa e inversa.
a. Polarizacin directa: En este caso, la batera disminuye la barrera de

potencial de la zona de carga espacial, permitiendo el paso de la corriente
de electrones a travs de la unin; es decir, el diodo polarizado directamente
conduce la electricidad.
Para que un diodo est polarizado directamente, tenemos que conectar el

polo positivo de la batera al nodo del diodo y el polo negativo al ctodo. En
estas condiciones podemos observar que:
El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n, con lo
que estos electrones se dirigen hacia la unin p-n.

El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal p,

esto es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unin p-n.
Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor

que la diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los electrones
libres del cristal n, adquieren la energa suficiente para saltar a los huecos
del cristal p, los cuales previamente se han desplazado hacia la unin p-n.
Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la

zona de carga espacial, cae en uno de los mltiples huecos de la zona p
convirtindose en electrn de valencia. Una vez ocurrido esto el electrn es
atrado por el polo positivo de la batera y se desplaza de tomo en tomo
hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en el hilo
conductor y llega hasta la batera.
De este modo, con la batera cediendo electrones libres a la zona n y

atrayendo electrones de valencia de la zona p, aparece a travs del diodo
una corriente elctrica constante hasta el final
b. Polarizacin inversa: En este caso, el polo negativo de la batera se

conecta a la zona p y el polo positivo a la zona n, lo que hace aumentar la
zona de carga espacial, y la tensin en dicha zona hasta que se alcanza el
valor de la tensin de la batera, tal y como se explica a continuacin:

El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de la zona n, los

cuales salen del cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se
desplazan hasta llegar a la batera. A medida que los electrones libres
abandonan la zona n, los tomos pentavalentes que antes eran neutros, al
verse desprendidos de su electrn en el orbital de conduccin, adquieren
estabilidad (8 electrones en la capa de valencia, ver semiconductor y tomo)
y una carga elctrica neta de +1, con lo que se convierten en iones
positivos.
El polo negativo de la batera cede electrones libres a los tomos trivalentes

de la zona p. Recordemos que estos tomos slo tienen 3 electrones de
valencia, con lo que una vez que han formado los enlaces covalentes con
los tomos de silicio, tienen solamente 7 electrones de valencia, siendo el
electrn que falta el denominado hueco. El caso es que cuando los
electrones libres cedidos por la batera entran en la zona p, caen dentro de
estos huecos con lo que los tomos trivalentes adquieren estabilidad (8
electrones en su orbital de valencia) y una carga elctrica neta de -1,
convirtindose as en iones negativos.
Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial
adquiere el mismo potencial elctrico que la batera.
En esta situacin, el diodo no debera conducir la corriente; sin embargo,

debido al efecto de la temperatura se formarn pares electrn-hueco (ver
semiconductor) a ambos lados de la unin produciendo una pequea
corriente (del orden de 1 A) denominada corriente inversa de saturacin.
Adems, existe tambin una denominada corriente superficial de fugas la
cual, como su propio nombre indica, conduce una pequea corriente por la
superficie del diodo; ya que en la superficie, los tomos de silicio no estn
rodeados de suficientes tomos para realizar los cuatro enlaces covalentes
necesarios para obtener estabilidad. Esto hace que los tomos de la
superficie del diodo, tanto de la zona n como de la p, tengan huecos en su
orbital de valencia con lo que los electrones circulan sin dificultad a travs
de ellos. No obstante, al igual que la corriente inversa de saturacin, la
corriente superficial de fugas es despreciable.
4.3. CURVA CARACTERSTICA DEL DIODO.
El diodo posee caractersticas propias, que se pueden representar en curvas, tales

como:
Tensin umbral, de codo o de partida (V): La tensin umbral (tambin

llamada barrera de potencial) de polarizacin directa coincide en valor con la
tensin de la zona de carga espacial del diodo no polarizado. Al polarizar
directamente el diodo, la barrera de potencial inicial se va reduciendo,
incrementando la corriente ligeramente, alrededor del 1% de la nominal. Sin
embargo, cuando la tensin externa supera la tensin umbral, la barrera de
potencial desaparece, de forma que para pequeos incrementos de tensin
se producen grandes variaciones de la intensidad.
Corriente mxima (Imax): Es la intensidad de corriente mxima que puede

conducir el diodo sin fundirse por el efecto Joule. Dado que es funcin de la
cantidad de calor que puede disipar el diodo, depende sobre todo del diseo
del mismo.
Corriente inversa de saturacin (Is ): Es la pequea corriente que se

establece al polarizar inversamente el diodo por la formacin de pares
electrn-hueco debido a la temperatura, admitindose que se duplica por
cada incremento de 10 en la temperatura.
Corriente superficial de fugas: Es la pequea corriente que circula por la

superficie del diodo (ver polarizacin inversa), esta corriente es funcin de la
tensin aplicada al diodo, con lo que al aumentar la tensin, aumenta la
corriente superficial de fugas.
Tensin de ruptura (Vr): Es la tensin inversa mxima que el diodo puede

soportar antes de darse el efecto avalancha.
Efecto avalancha (diodos poco dopados). En polarizacin inversa se

generan pares electrn-hueco que provocan la corriente inversa de
saturacin; si la tensin inversa es elevada los electrones se aceleran
incrementando su energa cintica de forma que al chocar con electrones de

valencia pueden provocar su salto a la banda de conduccin. Estos

electrones liberados, a su vez, se aceleran por efecto de la tensin,
chocando con ms electrones de valencia y liberndolos a su vez. El
resultado es una avalancha de electrones que provoca una corriente grande.
Este fenmeno se produce para valores de la tensin superiores a 6 V.
Efecto Zener (diodos muy dopados). Cuanto ms dopado est el material,

menor es la anchura de la zona de carga. Puesto que el campo elctrico E
puede expresarse como cociente de la tensin V entre la distancia d; cuando
el diodo est muy dopado, y por tanto d sea pequeo, el campo elctrico
ser grande, del orden de 3105 V/cm. En estas condiciones, el propio
campo puede ser capaz de arrancar electrones de valencia incrementndose
la corriente. Este efecto se produce para tensiones de 4 V o menores.
4.4. MODELO MATEMTICO.
El modelo matemtico ms empleado es el de Shockley (en honor a William

Bradford Shockley) que permite aproximar el comportamiento del diodo en la
mayora de las aplicaciones. La ecuacin que liga la intensidad de corriente y la
diferencia de potencial es:
Dnde:
I es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo y VD la diferencia de
tensin entre sus extremos.
IS es la corriente de saturacin.
q es la carga del electrn.
T es la temperatura absoluta de la unin.
k es la constante de Boltzmann.
n es el coeficiente de emisin, dependiente del proceso de fabricacin del
diodo y que suele adoptar valores entre 1 (para el germanio) y del orden de
2 (para el silicio).
El trmino VT = kT/q = T/11600 es la tensin debida a la temperatura, del
orden de 26 mV a temperatura ambiente (300 K 27 C).
Con objeto de evitar el uso de exponenciales (a pesar de ser uno de los

modelos ms sencillos), en ocasiones se emplean modelos ms simples an,
que modelizan las zonas de funcionamiento del diodo por tramos rectos; son

los llamados modelos de continua o de Ram-seal que se muestran en la

figura. El ms simple de todos (4) es el diodo ideal.
4.5. DIODO LASER.
El diodo laser es un dispositivo semiconductor similar a los diodos LED pero

que bajo las condiciones adecuadas emite luz lser. A veces se los denomina
diodos lser de inyeccin, o por sus siglas inglesas LD o ILD.
Construccin: Las capas de los materiales semiconductores estn

dispuestas de modo que se crea una regin activa en la unin p-n, y en la
que aparecen fotones como consecuencia del proceso de recombinacin.
Una capa metlica superpuesta a las caras superior e inferior permite aplicar
un voltaje externo al lser. Las caras del semiconductor cristalino estn
cortadas de forma que se comportan como espejos de la cavidad ptica
resonante.
Curva caracterstica: Si la condicin requerida para la accin lser de

inversin de poblacin no existe, los fotones sern emitidos por emisin
espontnea. Los fotones sern emitidos aleatoria mente en todas las
direcciones, siendo sta la base de los LED - diodo emisor de luz.
La inversin de poblacin slo se consigue con un bombeo externo.

Aumentando la intensidad de la corriente aplicada a la unin p-n, se alcanza
el umbral de corriente necesario para conseguir la inversin de poblacin.

El umbral e corriente para el efecto lser viene determinado por la

interseccin de la tangente de la curva con el eje X que indica la corriente
(esta es una buena aproximacin) Cuando el umbral de corriente es bajo, se
disipa menos energa en forma de calor, con lo que la eficiencia del lser
aumenta. En la prctica, el parmetro importante es la densidad de corriente,
medida en A/cm2, de la seccin transversal de la unin p-n.
Estructura: Hoy en da una estructura habitual es una tira estrecha de la

capa activa (Stripe Geometry - Geometra en tiras), confinada por todos los
lados (tanto por los lados como por arriba y abajo) con otro material.
Esta familia de lseres se denomina Index Guided Lasers - Lseres

orientados al ndice. Se requieren monturas especiales para los lseres de
diodo, debido a su tamao miniaturizado, para poder ser operativos y
cmodos. Existen muchos tipos de monturas, pero quizs el ms estndar
es similar a un transistor, e incluye en la montura las pticas necesarias para
colimar el haz.
4.6. DIODO ZENER.
Tambin llamado diodo de avalancha, es un diodo Zener, es un diodo de silicio

que se ha construido para que funcione en las zonas de rupturas. Llamados a
veces diodos de avalancha o de ruptura, se emplean para producir entre sus
extremos una tensin constante e independiente de la corriente que las
atraviesa segn sus especificaciones. Para conseguir esto se aprovecha la
propiedad que tiene la unin PN cuando se polariza inversamente al llegar a la
tensin de ruptura (tensin de zener), pues, la intensidad inversa del diodo
sufre un aumento brusco. Esta tensin de ruptura depende de las
caractersticas de construccin del diodo, se fabrican desde 2 a 200 voltios.
Curva caracterstica: El efecto zener se basa en la aplicacin de tensiones

inversas que originan, debido a la caracterstica constitucin de los mismos,
fuertes campos elctricos que causan la rotura de los enlaces entre los
tomos dejando as electrones libres capaces de establecer la conduccin.
Su caracterstica es tal que una vez alcanzado el valor de su tensin versa
nominal y superando la corriente a su travs un determinado valor mnimo, la
tensin en pines del diodo se mantiene constante e independiente de la
corriente que circula por l.
Caractersticas Principales: Tres son las caractersticas que diferencian a

los diversos diodos Zener entre s:
- Tensiones de polarizacin inversa, conocida como tensin zener. Es

la tensin que el zener va a mantener constante.
- Corriente mnima de funcionamiento. Si la corriente a travs del zener

es menor, no hay seguridad en que el Zener mantenga constante la
tensin en sus pines.
- Potencia mxima de disipacin. Puesto que la tensin es constante,

nos indica el mximo valor de la corriente que puede soportar el Zener.
Por tanto el Zener es un diodo que al polarizarlo inversamente mantiene
constante la tensin en sus pines a un valor llamado tensin de Zener,
pudiendo variar la corriente que lo atraviesa entre el margen de valores
comprendidos entre el valor mnimo de funcionamiento y el
correspondiente a la potencia de zener mxima que puede disipar. Si
superamos el valor de esta corriente el zener se destruye.

El diodo zener tambin se emplea en circuitos estabilizadores o reguladores

de la tensin.
Smbolo electrnico:
4.7. DIODO LED.
Un LED (Light Emitting Diode- Diodo Emisor de Luz), es un dispositivo

semiconductor que emite radiacin visible, infrarroja o ultravioleta cuando se
hace pasar un flujo de corriente elctrica a travs de este en sentido directo.
Esencialmente es una unin PN cuyas regiones P y regiones N pueden estar
hechas del mismo o diferente semiconductor. El color de la luz emitida est
determinado por la energa del fotn, y en general, esta energa es
aproximadamente igual a la energa de salto de banda del material
semiconductor en la regin activa del LED.
Los elementos componentes de los LED's son transparentes o coloreados, de

un material resina-epoxy, con la forma adecuada e incluye el corazn de un
LED: el chip semiconductor.
Los terminales se extienden por debajo de la cpsula del LED o foco e indican
cmo deben ser conectados al circuito. El lado negativo est indicado de dos
formas:
El chip tiene dos regiones separadas por una juntura. La regin P est
dominada por las cargas positivas, y la N por las negativas. La juntura acta
como una barrera al paso de los electrones entre la regin P y la N; slo
cuando se aplica el voltaje suficiente al chip puede pasar la corriente y
entonces los electrones pueden cruzar la juntura hacia la regin P.

Si la diferencia de potencial entre los terminales del LED no es suficiente, la

juntura presenta una barrera elctrica al flujo de electrones.
El material que compone el diodo LED, es importante ya que el color de la luz

emitida por el LED depende nicamente del material y del proceso de
fabricacin principalmente de los dopados y por ende el color. Como se
muestra a continuacin:
Color Tensin en directo

Infrarrojo 1,3v
Rojo 1,7v
Naranja 2,0v
Amarillo 2,5v
Verde 2,5v
Azul 4,0v
Clasificacin:
LED monocolor: Posee un diodo que puede ser de color rojo, naranja,
amarillo, verde o azul.
Smbolo electrnico:
LED bicolor: Estn formados por dos diodos conectados en paralelo e

inverso. Se suele utilizar en la deteccin de polaridad.
Smbolo electrnico:
LED tricolor: Formado por dos diodos LED (verde y rojo) montado con el
ctodo comn. El terminal ms corto es el nodo rojo, el del centro, es el
ctodo comn y el tercero es el nodo verde.
Smbolo electrnico:

4.8. DIODO DE CRISTAL.

Los primeros diodos semiconductores se comenzaron a utilizar desde
principios del siglo 20. Eran de punta de contacto los cuales se construan a
partir de una piedra de galena, que se empleaban como detectora de
emisiones radiales en los primitivos receptores llamados tambin radios de
galena.
Varios aos despus, en 1946, la firma estadounidense Sylvania introdujo el

primer diodo de seal de punta de contacto, que empleaba como elemento
semiconductor un pequeo cristal germanio (Ge) en contacto con la punta de
un fino alambre de wolframio (tungsteno).
Esos pequeos diodos se destinaron en un inicio a ser utilizados como

rectificadores de corriente alterna y como detectores de corrientes de alta
frecuencia en los circuitos electrnicos, manteniendo an los mismos usos. En
la actualidad se producen tambin diodos de punta de contacto que emplean
silicio (Si) como elemento semiconductor, construyndose de forma parecida a
los de germanio.
Los diodos de punta de contacto slo admiten corrientes de muy baja

intensidad pero, sin embargo, al contrario de lo que ocurre con los diodos de
unin p-n, pueden soportar corrientes de frecuencias muy altas, o sea, de
radiofrecuencia. Estos diodos se emplean, fundamentalmente, como
rectificadores de corrientes alternas (C.A.) de muy poco amperaje para
convertirlas en pulsante o en directa (C.D.), o como detectores de las corrientes
de radiofrecuencia moduladas con los sonidos que se emiten por las antenas
de las estaciones de radio. La funcin del diodo como detector es separar los
sonidos contenidos en las ondas de baja frecuencia (o audiofrecuencia)
eliminando la onda portadora de radiofrecuencia al ser captada por los
receptores de radio. La onda de audiofrecuencia, una vez detectada, se
amplifica para hacerla audibles a travs del altavoz de los receptores de radio,
de televisin, telfonos mviles, amplificadores de sonido, etc.
Todos los diodos de punta de contacto son de pequeo tamao (no llegan a
superar los 5 mm de longitud). En el caso del diodo de germanio los elementos

que lo constituyen se protegen dentro de una cpsula de cristal, mientras que

los de silicio se encapsulan tanto en cristal como en plstico. Al igual que los
diodos de unin p-n, los de punta de contacto cuentan con sus
correspondientes alambres conductores fijados a cada uno de los extremos
para facilitar su conexin al circuito electrnico a la hora de utilizarlos.
Smbolo electrnico:
4.9. DIODO DE CORRIENTE CONSTANTE.
Realmente es un JFET, con su compuerta conectada a la fuente, y funciona

como un limitador de corriente de dos terminales anlogo al diodo Zener, el
cual limita el voltaje. Ellos permiten una corriente a travs de ellos para
alcanzar un valor adecuado y as estabilizarse en un valor especfico. Tambin
suele llamarse CLDs (por sus siglas en ingls) o diodo regulador de corriente.
Smbolo electrnico:
4.10. DIODO TNEL O ESAKI.
En 1958, el fsico japons Esaki, descubri que los diodos semiconductores

obtenidos con un grado de contaminacin del material bsico mucho ms
elevado que lo habitual exhiben una caracterstica tensin-corriente muy
particular.
La corriente comienza por aumentar de modo casi proporcional a la tensin

aplicada hasta alcanzar un valor mximo, denominado corriente de cresta. A
partir de este punto, si se sigue aumentando la tensin aplicada, la corriente
comienza a disminuir y lo siga haciendo hasta alcanzar un mnimo, llamado
corriente de valle, desde el cual de nuevo aumenta. El nuevo crecimiento de la
corriente es al principio lento, pero luego se hace cada vez ms rpido hasta
llegar a destruir el diodo si no se lo limita de alguna manera. Este
comportamiento particular de los diodos muy contaminados se debe a lo que
los fsicos denominan efecto tnel, del que no nos ocuparemos aqu debido a
su complejidad.
Para las aplicaciones prcticas del diodo tnel, la parte ms interesante de su

curva caracterstica es la comprendida entre la cresta y el valle. En esta parte
de la curva a un aumento de la tensin aplicada corresponde una disminucin
de la corriente; en otros trminos, la relacin entre un incremento de la tensin
y el incremento resultante de la corriente es negativa y se dice entonces que
esta parte de la curva representa una resistencia incremental negativa.
Una resistencia negativa puede compensar total o parcialmente una resistencia

positiva. As, por ejemplo, las prdidas que se producen en un circuito
resonante a causa de la presencia siempre inevitable de cierta resistencia en
l, se compensa asociando al circuito una resistencia negativa de valor
numrico conveniente y realizada por ejemplo, mediante un diodo tnel. En tal
caso el circuito oscilante se transforma en un oscilador.
Smbolo electrnico:
4.11. DIODO GUNN.
El efecto fue descubierto por John B. Gunn en 1963. El efecto Gunn es un

instrumento eficaz para la generacin de oscilaciones en el rango de las
microondas en los materiales semiconductores.

Gunn observ esta caracterstica en el Arseniuro de Galio (GaAs) y el Fsforo

de Indio (InP). El efecto Gunn es una propiedad del cuerpo de los
semiconductores y no depende de la unin misma, ni de los contactos,
tampoco depende de los valores de voltaje y corriente y no es afectado por
campos magnticos.
Cuando se aplica un pequeo voltaje continuo a travs de una plaquita delgada

de Arseniuro de Galio (GaAs), sta presenta caractersticas de resistencia
negativa. Todo esto bajo la condicin de que el voltaje en la plaquita sea mayor
a los 3.3 voltios / cm. Ahora, si esta plaquita es conectada a un circuito
sintonizado (generalmente una cavidad resonante), se producirn oscilaciones
y todo el conjunto se puede utilizar como oscilador.
Este efecto Gunn slo se da en materiales tipo N (material con exceso de

electrones) y las oscilaciones se dan slo cuando existe un campo elctrico.
Estas oscilaciones corresponden aproximadamente al tiempo que los

electrones necesitan para atravesar una plaquita de material tipo N cuando se
aplica el voltaje en continua.
Resistencia negativa en el diodo Gunn: El Arseniuro de Galio (GaAs) es uno

de los pocos materiales semiconductores que en una muestra con dopado tipo
N, tiene una banda de energa vaca ms alta que la ms elevada de las que se
encuentran ocupadas parcial o totalmente.
Funcionamiento de resistencia positiva: Cuando se aplica un voltaje a la

plaquita (tipo N) de Arseniuro de Galio (GaAs), los electrones, que el
material tiene en exceso, circulan y producen una corriente al terminal
positivo.

Si se aumenta la tensin, la velocidad de la corriente aumenta.

Comportamiento tpico y el grfico tensin-corriente es similar al que dicta la
ley de Ohm.
Funcionamiento de resistencia negativa: Si a plaquita anterior se le sigue

aumentando el voltaje, se les comunica a los electrones una mayor energa,
pero en lugar de moverse ms rpido, los electrones saltan a una banda de
energa ms elevada, que normalmente est vaca, disminuyen su velocidad
y por ende la corriente.
De esta manera una elevacin del voltaje en este elemento causa una
disminucin de la corriente.
Eventualmente, el voltaje en la plaquita se hace suficiente para extraer

electrones de la banda de mayor energa y menor movilidad, por lo que la
corriente aumentar de nuevo con el voltaje.
La caracterstica voltaje contra corriente se parece mucho a la del diodo

Tunnel.
La aplicacin ms comn es la del oscilador Gunn
Smbolo electrnico:
4.12. DIODO OLED (ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE).
En corriente continua (CC), todos los diodos emiten cierta cantidad de radiacin
cuando los pares electrn-hueco se recombinan; es decir, cuando los
electrones caen desde la banda de conduccin (de mayor energa) a la banda
de valencia (de menor energa), emitiendo fotones en el proceso. Su color
depender de la altura de la banda prohibida (diferencias de energa entre las
bandas de conduccin y valencia), es decir, de los materiales empleados.
Los diodos convencionales, de silicio o germanio, emiten radiacin infrarroja

muy alejada del espectro visible. Sin embargo, con materiales especiales
pueden conseguirse longitudes de onda visibles. Los leds e IRED, adems
tienen geometras especiales para evitar que la radiacin emitida sea

reabsorbida por el material circundante del propio diodo, lo que sucede en los
convencionales.
Compuesto Color
Arseniuro de galio (GaAs) Infrarrojo

Arseniuro de galio y aluminio (AlGaAs) Rojo e infrarrojo
Arseniuro fosfuro de galio (GaAsP) Rojo, anaranjado y amarillo
Fosfuro de galio (GaP) Verde
Nitruro de galio (GaN) Verde
Seleniuro de zinc (ZnSe) Azul
Nitruro de galio e indio (InGaN) Azul
Carburo de silicio (SiC) Azul
Diamante (C) Ultravioleta
Silicio (Si) En desarrollo
Los primeros diodos construidos fueron los diodos infrarrojos y de color rojo,
permitiendo el desarrollo tecnolgico posterior la construccin de diodos para
longitudes de onda cada vez menores. En particular, los diodos azules fueron
desarrollados a finales de los aos noventa por Shuji Nakamura, lo que
permiti por combinacin de los mismos la obtencin de luz blanca.
El diodo de seleniuro de zinc puede emitir tambin luz blanca si se mezcla la

luz azul que emite con la roja y verde creada por fotoluminiscencia. La ms
reciente innovacin en el mbito de la tecnologa led son los diodos ultravioleta,
que se han empleado con xito en la produccin de luz negra para iluminar
materiales fluorescentes.
Los leds comerciales tpicos estn diseados para potencias del orden de los
30 a 60mW. En torno a 1999 se introdujeron en el mercado diodos capaces de
trabajar con potencias de 1W para uso continuo; estos diodos tienen matrices
semiconductoras de dimensiones mucho mayores para poder soportar tales
potencias e incorporan aletas metlicas para disipar el calor (vase
conveccin) generado por efecto Joule.
Nichia Corporation ha desarrollado leds de luz blanca con una eficiencia

luminosa de 150 lm/W, utilizando para ello una corriente de polarizacin directa
de 20 miliamperios (mA). Esta eficiencia, comparada con otras fuentes de luz
en trminos de rendimiento slo, es aproximadamente 1,7 veces superior a la

de la lmpara fluorescente con prestaciones de color altas (90 lm/W) y

aproximadamente 11,5 veces la de una lmpara incandescente (13 lm/W). Su
eficiencia es incluso ms alta que la de la lmpara de vapor de sodio de alta
presin (132 lm/W), que est considerada como una de las fuentes de luz ms
eficientes.
El comienzo del siglo XXI ha visto aparecer los diodos OLED (ledes orgnicos),
fabricados con materiales polmeros orgnicos semiconductores. Aunque la
eficiencia lograda con estos dispositivos est lejos de la de los diodos
inorgnicos, su fabricacin promete ser considerablemente ms barata que la
de aquellos, siendo adems posible depositar gran cantidad de diodos sobre
cualquier superficie empleando tcnicas de pintado para crear pantallas en
color.
4.13. FOTODIODOS.
El fotodiodo se parece mucho a un diodo semiconductor comn, pero tiene una

caracterstica que lo hace muy especial: es un dispositivo que conduce una
cantidad de corriente elctrica proporcional a la cantidad de luz que lo incide (lo
ilumina).
Esta corriente elctrica fluye en sentido opuesto a la flecha del diodo y se llama
corriente de fuga.
4.14. DIODO CON PUNTAS DE CONTACTO.
Funcionan igual que los diodos semiconductores de unin mencionados

anteriormente aunque su construccin es ms simple.
Este diodo posee una punta de contacto en forma de muelle (1) que se hay
conectada con un cristal de tipo P (2), el cual se haya a su vez en contacto con
un cristal de tipo N (3). En la parte baja, una base metlica hace de soporte y
asegura la rigidez del conjunto. Exactamente igual que ocurre con los diodos

de unin, el diodo de punta de contacto se comporta dejando pasar la corriente

en un solo sentido.
Smbolo electrnico:
4.15. DIODO PIN.
Un diodo PIN tiene una seccin central sin doparse o en otras palabras una
capa intrnseca formando una estructura p-intrnseca-n.
Son usados como interruptores de alta frecuencia y atenuadores. Tambin son

usados como detectores de radiacin ionizante de gran volumen y como
fotodetectores. Los diodos PIN tambin se usan en la electrnica de potencia y
su capa central puede soportar altos voltajes. Adems, la estructura del PIN
puede encontrarse en dispositivos semiconductores de potencia, tales como
IGBTs, MOSFETs de potencia y tiristores.
Smbolo electrnico:
4.16. DIODO SCHOTTKY.
El diodo Schottky est construido de un metal a un contacto de semiconductor.

Tiene una tensin de ruptura mucho menor que los diodos PN. Su tensin de
ruptura en corrientes de 1mA est en el rango de 0.15V a 0.45V, lo cual los
hace tiles en aplicaciones de fijacin y prevencin de saturacin en un
transistor.
Tambin se pueden usar como rectificadores con bajas prdidas aunque su

corriente de fuga es mucho ms alta que la de otros diodos. Los diodos
Schottky son portadores de carga mayoritarios por lo que no sufren de
problemas de almacenamiento de los portadores de carga minoritarios que
ralentizan la mayora de los dems diodos (por lo que este tipo de diodos tiene
una recuperacin inversa ms rpida que los diodos de unin pn. Tienden a
tener una capacitancia de unin mucho ms baja que los diodos pn que
funcionan como interruptores veloces y se usan para circuitos de alta velocidad
como fuentes conmutadas, mezclador de frecuencias y detectores.
Smbolo electrnico:
4.17. CIRCUITOS LIMITADORES.
Es frecuente encontrar como primera etapa de otros circuitos y cuya misin es

impedir que las seales que los atacan alcancen cierto valor.
Recortador positivo de nivel: Se utiliza para eliminar una porcin del

semiperodo positivo de la seal. El semiciclo negativo queda inalterado. Slo
indicar la disminucin de la tensin debido a la prdida sufrida por el divisor
formado por R1 y RLoad.
La ecuacin est formada por un sumando aproximadamente constante, ms

otro sumando que aade una perturbacin. Atenuada por la relacin de la
resistencia dinmica del diodo y la resistencia limitadora del mismo.
Recortador negativo de nivel: Esta disposicin es similar al anterior solo que

elimina la parte del semiperodo negativo.

La ecuacin est formada por un sumando aproximadamente constante, ms

otro sumando que aade una perturbacin. Atenuada por la relacin de la
resistencia dinmica del diodo y la resistencia limitadora del mismo.
Elevador de nivel. Este montaje eleva con un nivel de continua el valor de

comienzo de la seal alterna introducida. Tngase en cuenta la necesidad de
una resistencia de alto valor para evitar la descarga rpida de la carga
almacenada en del condensador.
Fijador positivo de nivel: Este montaje es til para fijar un pedestal de tensin
a partir del cual se dejar pasar toda la seal que apliquemos al circuito
El valor de la tensin inicial de conduccin de la seal de salida viene definida

por:
Vinicial= V2-V

Fijador negativo de nivel: Este circuito tiene un funcionamiento contrario al

anterior
El valor de la tensin inicial de conduccin de la seal de salida viene definida

por:
Vinicial= V2-V
4.18. RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA.
La rectificacin es un proceso por el cual se obtiene corriente y tensin

unidireccional, partiendo de una tensin alterna.
Para dicho proceso se utilizan diodos, ya que los mismos conducen corriente
en un solo sentido.
En todo circuito rectificador interesa definir:

La forma de onda de la corriente y la tensin sobre la carga.
La eficiencia del sistema rectificador, que es la relacin de la potencia de
salida, a la potencia tomada de la fuente.
El valor mximo o de cresta de la corriente por el diodo.
El valor mximo de la tensin a travs del elemento rectificador en el sentido
inverso(Tensin de pico cresta inversa).

Podemos observar que durante el intervalo de 0 - , el borne u es ms

positivo, con lo cual el diodo D conduce, y sobre la resistencia de carga RC ,
circula una corriente cuyo valor est dado por:
En el intervalo - 2 , la polaridad de u es negativa con respecto a v (v es

positiva con respecto a u), por lo tanto no hay circulacin de corriente (Diodo
bloqueado). Situacin que se muestra en la figura.

4.19. RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA.
Es un circuito que est formado por cuatro diodos. A esta conexin especial se
la conoce como puente de Graetz o puente de diodos. En relacin al
rectificador de media onda, su mejor ventaja sera la tensin inversa soportada.
Cuando el nodo u del secundario del transformador es ms positivo que l v,

los diodosD1 y D2 estn en condiciones de conduccin y los diodos D3 y D4 se
bloquean. Es decir luego en el semiciclo positivo la corriente circula saliendo
desde el borne u pasa por el diodo D1, por la carga RC y a travs del diodo D2
retorna al transformador por el borne v. Esto se puede observar en la figura.
En el siguiente semiciclo el borne v es ms positivo que l u, con lo cual el

proceso es similar, pero los diodos que conducen son los D3 y D4 y se bloquean
los diodos D1 y D2, siendo el sentido de circulacin de la corriente en la carga
igual en ambos casos, segn lo mostrado en la figura.

4.20. CODIFICACIN.
A continuacin se detallan los sistemas de codificacin ms utilizados en los

componentes semiconductores.

AMERICANO (JEDEC).
JAPONS (JIS).
a. PROELECTRON (SISTEMA EUROPEO). El sistema europeo queda

definido por dos letras maysculas seguidas de tres nmeros utilizados
componente para equipos de consumo y por tres letras y dos nmeros
para aplicaciones profesionales.
dos letras, [letra], nmero de serie, [sufijo]
La primera letra del cdigo indica el tipo de material semiconductor

empleado en la fabricacin (germanio, silicio,...).

A Germanio
B Silicio
C Arseuro de Galio
R Mezcla de materiales
La segunda indica la construccin y/o principal aplicacin.


A Diodo de baja seal
B Diodo Varicap
E Diodo tnel
Y Diodo Rectificador
Z Diodo Zener
La tercera letra indica que el dispositivo est pensado para aplicaciones

industriales o profesionales, ms que para uso comercial. Suele ser una W,
X, Y o Z.
La serie del componente es un nmero que est comprendido entre 100 y

9999.
La letra del sufijo cdigo indica la ganancia del componente (Baja, Media,
Alta y no definida).
Letra Ganancia
A Baja
B Media
C Alta
No definida
b. Identifica cdigos de marca americano (JEDEC): El sistema

Americano queda definido por un nmero seguida de letra N, la serie del
componente y una letra de sufijo.
Nmero, [letra], nmero de serie, [sufijo]

Numero = (n-1)
La letra ser la ene (N).

9999.

Letra Ganancia
A Baja
B Media
C Alta
No definida
c. Identifica cdigos de marca japons(JIS). En el sistema japons el

cdigo queda definido por un nmero(nmero de pines del componente
disminuido en 1), dos letras (indican el rea de aplicacin y tipo de
dispositivo), la serie del componente y sufijo.
.
nmero, [dos letras], nmero de serie, [sufijo]

Numero = (n-1)
Las dos letras indican el rea de aplicacin y tipo de dispositivo.
Letra Aplicacin
SE Diodo
SR Diodo Rectificador
SV Diodo Varicap
SZ Diodo Zener
.
9999
Letra Ganancia
A Baja
B Media
C Alta
No definida

4.21. ENCAPSULADO DE DIODOS.
Existen muchos tipos de encapsulado de diodos que se utilizan en la industria

electrnica domestica e industrial. Los tipos de encapsulados definen algunas
caractersticas importantes de los componentes, como por ejemplo: nmero de
pines, dimetro, ancho, etc.
DO 35 DO 41 DO 15 DO 201

DO 5
B 44
4.22. DIODOS SMD.
La evolucin de los encapsulados de componentes electrnicos y su marcada

tendencia a la miniaturizacin est ligada tanto a cuestiones tcnicas como al
gusto de los consumidores, vidos por obtener sistemas cada da ms
compactos, livianos y porttiles, sin que esto vaya en detrimento de la
funcionalidad y la alta performance.

Los diodos en todas sus presentaciones no han sido la excepcin por este
motivo se han desarrollado distintos tipos de encapsulado. Siendo los ms
utilizados:
Encapsulado MELF. Existen componentes pasivos de forma cilndrica,

conocidos como MELF y sus variantes maxi, mini y micro-MELF. Sus
terminales de conexin consisten en extremos metalizados y estaados.
Cdigos Micro-MELF Mini-MELF MELF Maxi-MELF
Largo 2,0 3,5 3,6 5,9
Dimetro 1,2 1,4 2,0 2,2
Encapsulado Small Outline Diode(SOD).Es un encapsulado para

condensadores pequeos montados en superficie, tiene distintas versiones:
SOD123, SOD323 y SOD87.

TAREA4: IDENTIFICA Y ANALIZA UN TRANSISTOR.

podr identificar en forma escrita las principales caractersticas de los
transistores bipolares de Juntura (BJT) y Transistores de Efecto de Campo
(FET). Adems implementara circuitos electrnicos bsicos con transistores:
Identifica los transistores segn el material utilizado en su fabricacin.

Identifica las principales caractersticas de un transistor por el cdigo de
marca.
Implementa circuitos para comprobar la respuesta de los Transistores en
seal continua y alterna.
Estar preparado es importante, saber esperar lo

es an ms, pero aprovechar el momento
adecuado es la clave de la vida.
Arthur Schnitzler
Protoboard.
Cable para puentes.
Transistores Bipolares de Juntura (BJT), Transistores de Efecto de Campos
(FET).
Osciloscopio.
Papel milimetrado.
2. ORDEN DE EJECUCIN.
Identifica los principales tipos de transistores BJT.
Identifica los cdigos de marca de transistores BJT.
Identifica los principales tipos de transistores FET.
Identifica los cdigos de marca de transistores FET.
Implementa circuitos bsicos con transistores.
Implementa filtro pasa bajo activo.
Implementa filtro pasa alto activo.

Implementa filtro pasa banda activo.
Implementa filtro rechaza banda activo.
3. OPERACIN.
instructor.
.
3.2. IDENTIFICA LOS PRINCIPALES TIPOS DE TRANSISTORES

BIPOLARES DE JUNTURA (BJT).
El transistor bipolar es el ms comn de los transistores, y como los diodos,

puede ser de germanio o silicio.
Existen dos tipos transistores: el Transistor NPN y el Transistor PNP, y la

direccin del flujo de la corriente en cada caso, lo indica la flecha que se ve en
el grfico de cada tipo de transistor.

Tipo de Numero Como se Como se Como se

encapsulado de pines denomina el denomina el denomina el
Pin1 Pin2 Pin2
2. De los valores obtenidos en la tabla anterior determine qu tipo de transistor

es cada uno de los utilizados.
3.3. IDENTIFICA LOS CDIGOS DE MARCA DE UN TRANSISTOR BJT.

AMERICANO (JEDEC).
JAPONS (JIS).
El procedimiento de identificacin del cdigo utilizado por los transistores BJT

es similar al utilizado por los Diodos. Lo cual fue tratado en la tarea anterior.

marca.

Cdigo del Material utilizado Tipo de hfe Frecuencia Ganancia

componente para su Transistor
fabricacin
3.4. IDENTIFICA LOS PRINCIPALES TIPOS DE TRANSISTORES DE

EFECTO DE CAMPO (FET).
Transistor de efecto de campo (FET) son dispositivos semiconductores donde

el control de la corriente se realiza mediante un campo elctrico. Tienen las
siguientes caractersticas:
Dispositivo unipolar: un nico tipo de portadores de carga.

Ocupa menos espacio en un circuito integrado que el bipolar, lo que supone
una gran ventaja para aplicaciones de microelectrnica.
Tienen una gran impedancia de entrada (del orden de M).
Existen dos tipos de transistores de efecto campo:

a. De unin:
FET.
MESFET
b. De puerta aislada:
IGFET
MOS
MOST o MOSFET

Tipo de Numero Como se Como se Como se

encapsulado de pines denomina el denomina el denomina el
Pin1 Pin2 Pin2
2. De los valores obtenidos en la tabla anterior determine qu tipo de transistor

es cada uno de los utilizados.
3.5. IDENTIFICA LOS CDIGOS DE MARCA DE UN TRANSISTOR FET.

EUROPEO (PROELECTRON)
AMERICANO (JEDEC)
JAPONS (JIS)
El procedimiento de identificacin del cdigo utilizado por los transistores FET

es similar al utilizado por los Diodos. Lo cual fue tratado en la tarea anterior.

marca.
Cdigo del Material Tipo de Voltajes Frecuencia Ganancia

componente utilizado para Transistor
su fabricacin

3.6. IMPLEMENTA CIRCUITOS BSICOS CON TRANSISTORES.
El aprendiz implementar en el protoboard circuitos electrnicos bsicos con

Transistores, diodos, resistencias condensadores, fuentes de voltaje continua y
alterno, y expresara en forma grfica los resultados de dichos circuitos.
Encendido por ausencia de luz:

Cuando la LDR recibe luz, disminuye su resistencia, por lo que en el divisor de
tensin formado por R1 y LDR, prcticamente toda la tensin de la fuente o
batera estar en extremos de R1 y casi nada en extremos de la LDR, en estas
condiciones no le llega corriente a la base, el transistor estar en corte yel
diodo no lucir.
Cuando la luz disminuye, la resistencia de la LDR aumenta por lo que la cada

de tensin en la LDR aumenta lo suficiente para que le llegue corriente a la
base del transistor, conduzca y se encienda el diodo LED.
El participante debe contar con los siguientes materiales:

R1 = 100 KW R4 = 330 W D1 = Diodo LED
R2 = LDR Q1 = Transistor
R3 = 2K2 NPN BC547
Implementar el siguiente circuito en el protoboard:
Antes de conectar la fuente o batera de 9V llena

la siguiente Tabla:
Cdigo de colores Valor Valor
Nominal medido
R1
R3
R4
SIN CARGA
LDR
Utilizando el multmetro identifica los pines de transistor BJT y llena la siguiente

tabla:
Funcin del PIN1 Funcin del PIN2 Funcin del PIN3
Q1 BC547

Conecta la fuente o batera de 9V, llena la siguiente tabla:
Voltaje del LDR Corriente del LDR Valor de Resistencia

LDR
Describe brevemente cmo funciona el circuito que has implementado:

_______________________________________________________________
_______________________________________________________________
_______________________________________________________________
__________________
Encendido por presencia de luz:

Cuando la LDR recibe luz, disminuye su resistencia, por lo que en la R1 habr
una cada de tensin suficiente como para hacer que circule corriente por la
base del transistor, que conduzca y se encienda el LED.
Cuando la luz disminuye, la resistencia de la LDR aumenta, en estas

condiciones toda la tensin estar prcticamente en la LDR y casi nada en
R1con lo que no circular suficiente corriente por la base del transistor y ste
permanecer encorte y diodo LED apagado.

R1 = 100 KW R4 = 330 W
R2 = LDR Q1 = Transistor NPN BC547
R3 = 2K2 D1 = Diodo LED

Antes de conectar la fuente o batera de 9V llena la siguiente Tabla:

Nominal medido
R1
R3
R4
SIN CARGA
LDR

Utilizando el multmetro identifica los pines de transistor BJT y llena la siguiente tabla:

Q1 BC547
Conecta la fuente o batera de 9V, llena la siguiente tabla:
Voltaje del LDR Corriente del LDR Valor de Resistencia

LDR
Describe brevemente cmo funciona el circuito que has implementado:

_____________________________________________________________________
_____________________________________________________________________
_____________________________________________________________________
Memoria:
A este circuito le llamamos memoria ya que es capaz de recordarnos lo ltimo que ha
sucedido.
Al principio uno de los diodos est apagado (supongamos que es D1); no obstante por
D1 pasa una pequea corriente que activa T2, por lo que D2 estar iluminado.
Si pulsamos P2, la corriente deja de llegar a la base de T2, ste se bloquea y se

apaga D2;sin embargo sigue pasando una pequea corriente a travs de R4 y R3 por
lo que se activaT1 y se enciende D1. Aunque soltemos P2 sigue sin llegar corriente a
la base de T2 (toda la corriente baja a travs de T1) por lo que D1 permanece
encendido.
Si pulsamos P1, la corriente deja de llegar a la base de T1, por lo que D1 se apaga y
se enciende D2.Este circuito recibe el nombre de biestable o flip-flop

T1, T2 = Transistor NPN BC547 D1, D2 = Diodo LED
R2, R3 = 100 K P1, P2 = Pulsador NA
R1, R4 = 330 W



Nominal medido
R1
R3
R4
Utilizando el multmetro identifica los pines de transistor BJT y de los diodos LED.
Llena la siguiente tabla:

Q1 BC547
Q2 BC547
Funcin del PIN1 Funcin del PIN2
D1
D2
Conecta la fuente o batera de 9V, llena la siguiente tabla, indicando el estado de los
diodos LED (D1 y D2) y de los transistores (T1 y T2), al presionar los pulsadores (P1 y
P2) :
D1 D2 T1 T2
P2
P1
P1-P2
Describe brevemente cmo funciona el circuito que has implementado, cuando

cambias la secuencia mostrada en la tabla anterior al presionar los pulsadores:
_____________________________________________________________________
_____________________________________________________________________
_____________________________________________________________________
Intermitente (oscilador)
Los dos transistores trabajan en conmutacin es decir cuando uno conduce
(saturacin) elotro no (corte) y viceversa.
Al conectar la alimentacin supongamos que D1 se enciende y D2 est apagado, no

obstante por D2 circula una pequea corriente (insuficiente para encenderlo) que pasa
por R4atraviesa C1 y llega a la base de T1, por lo que D1 sigue encendido y C1
cargndose.
Cuando C1 est cargado impide el paso de la corriente, bloquea T1 y D1 se apaga.

Ahora circula una pequea corriente a travs de D1 (insuficiente para encenderlo) y
R1 hasta la base deT2 por lo que ste conduce, se enciende D2 y comienza a
cargarse C2.
Mientras C2 se carga C1 se descarga a travs de R3. Despus el proceso se repite.

T1, T2 = Transistor NPN BC547 R1, R4 = 330 W
R2, R3 = 22K C1, C2 = C. electroltico 100F.


Nominal medido
R1
R2
R3
R4
Utilizando el multmetro identifica los pines de transistor BJT y de los diodos

LED. Llena la siguiente tabla:

Q1 BC547
Q2 BC547
D1
D2

Cambia los valores de resistencias R2 y R3, por valores de menor y luego de

mayor resistencia, explica brevemente que sucede:
_______________________________________________________________
_______________________________________________________________
_______________________________________________________________
__________________
Cambia los valores de resistencias C1 y C2, por valores de menor y luego de

mayor capacidad, explica brevemente que sucede:
_______________________________________________________________
_______________________________________________________________
_______________________________________________________________
__________________
Probador de Lnea Telefnica en uso

El puente de diodos est formado por cuatro diodos (D1, D2, D3 y D4), los
cuales reciben los 48V que generalmente posee una lnea telefnica usada por
una central telefnica local, la convierte en voltaje continuo para polarizar el
resto de componentes del circuito.
Cuando se polariza el transistor Q2, encender el diodo LED D6, indicando que
la lnea esta libre. Si se polariza el transistor Q1 se encender el diodo LED D5,
indicando que la lnea est siendo utilizada por un telfono anexo.

D1, D2, D3, D4 = 1N4004 R5 = 4.7K
R1 = 3.3K Q1, Q2 = 2N3904
R2 = 33K D5, D6 = Diodos LED 5mm de
R3 = 56K colores diferentes.
R4 = 22K
Antes de implementar el circuito en el protoboard llena la siguiente Tabla:
Cdigo de Valor Valor

colores Nominal medido
R1
R2
R3
R4

Utilizando el multmetro identifica

los pines de transistor BJT y de los
diodos LED. Llena la siguiente
tabla:

Q1 2N39004
Q2 2N39004
D1
D2
D3
D4
D5
D6
Con la ayuda del instructor prepara un cable con un conector Plug RJ11 en un
extremo, y el otro extremo lo conectas al circuito implementado en el
protoboard. Realiza las pruebas con el circuito implementado, en una lnea
telefnica.
Sirena con cuatro transistores.

Se puede variar la cadencia del sonido cambiando los condensadores de 15F
por otros de valor diferente.
Los transistores T1 y T2 conforman un biestable. Este circuito biestable oscila

entre estos dos estados, alto y bajo, que se pueden medir en el colector del
transistor T2.Estos dos niveles son entregados al grupo de elementos
conformados por las resistores de 10K, 27K y el condensador de 4.7F que
dan la cadencia del sonido conforme se carga el capacitor y descarga el
capacitor.
T3 y T4 que conforman un oscilador que hace sonar el parlante de 8.

2 Transistores BC559 o equivalentes.

1 Transistor BC547 o equivalente.
1 Transistores BC636 o equivalente.
Resistencias: 2 de 15 K , 2 de 3.3 K, 1 de 10 K, 1 de 27 K
Condensadores: 2 electrolticos de 15uF, 1 electroltico de 4.7uF, 1 de 0.1uF
Parlante (bocina) comn de 8 ohmios.
Implementa en el protoboard el siguiente circuito.
Cambia los valores los condensadores de 15uF, por valores de menor y luego
de mayor capacidad, explica brevemente que sucede:
_______________________________________________________________
_______________________________________________________________
_______________________________________________________________
__________________
3.7. IMPLEMENTA FILTRO PASA BAJO ACTIVO.
Los filtros juegan un importante rol en la electrnica actual, tanto en reas de

comunicaciones y procesamiento de imgenes. Los filtros activos estn
construidos en base a resistencias, bobinas, condensadores, Amplificadores
Operacionales, los que adems tienen las siguientes caractersticas:
Pequeo en tamao y peso.
Uso en el rango de las frecuencias de audio (20KHz).
Valores de resistencias y condensadores razonables a frecuencias muy
bajas.
Tiene elevadas caractersticas de aislamiento.

Puede proveer ganancia si se requiere.
Los Filtros basa bajo activo, son aquellos que tienen ganancia a frecuencias
menores que la frecuencia de corte c. As, la banda de paso estd ada para 0
< <c, donde c se expresa en [rad/seg] o Hertz y corresponde a la
frecuencia en la cual la ganancia es dividida por 2 (cae en 3dB). La ganancia
disminuye a medida que se supera a dicha frecuencia, esta zona se conoce
como banda de rechazo.

salida se conectar el Osciloscopio. Los valores R1=10K, R=1K, C=10F

instructor.
R1 (Nominal)
R(Nominal)
C(Nominal)

R1 (Medido)
R2 (Medido)

de salida.
Frecuencia (Hz) Voltaje de salida (V) Frecuencia (Hz) Voltaje de salida (V)
100 120K
500 200K
1K 500K
5K 700K
10K 800K
50K 1M
80K 2M



Fcorte(Hz)

Fcorte(Nominal)
Fcorte(Real)




realiza la medida.

salida se conectar el Osciloscopio. Los valores R=1K, C2=10F

instructor.
R1 (Nominal)
R2(Nominal)
RF(Nominal)
C1(Nominal)
C2(Nominal)


R1 (Medido)
R2 (Medido)
RF (Medido)

de salida.
100 120K
500 200K
1K 500K
5K 700K
10K 800K
50K 1M
80K 2M


El eje X o de la abscisas debe ser ubicada la frecuencia en la
cual se realiza la medida.

Fcorte(Hz)


Fcorte(Nominal)
Fcorte(Real)



El eje Y o de las ordenadas debe ser la magnitud de la ganancia
de voltaje en decibelios (dB) obtenido en cada frecuencia.
3.8. IMPLEMENTA FILTRO PASA ALTO ACTIVO.
Los Filtros basa alto activo, son aquellos que tienen ganancia a frecuencias
mayores que la frecuencia de corte c. As, la banda de paso est dada para 0
< <c, donde c se expresa en [rad/seg] o Hertz y corresponde a la
frecuencia en la cual la ganancia es dividida por 2 (cae en 3dB). La ganancia
disminuye a medida que se supera a dicha frecuencia, esta zona se conoce
como banda de rechazo.

salida se conectar el Osciloscopio. Los valores R=1K, C=10F


instructor.
R1 (Nominal)
RF(Nominal)
C(Nominal)

R1 (Medido)
RF (Medido)

de salida.
100 120K
500 200K
1K 500K
5K 700K
10K 800K
50K 1M
80K 2M




La cual se obtieneen el 0.707 del valor mximo del voltaje de salida. Ubique
Fcorte(Hz)

Fcorte(Nominal)
Fcorte(Real)



realiza la medida.


salida se conectar el Osciloscopio. Los valores R1=10K, R2=2R1,
C1=C2=10F.

instructor.
R1 (Nominal)
R2 (Nominal)
C1(Nominal)
C2(Nominal)

R1 (Medido)
R2 (Medido)

de salida.

100 120K
500 200K
1K 500K
5K 700K
10K 800K
50K 1M
80K 2M



La cual se obtiene en el 0.707 del valor maxion del voltaje de salida. Ubique
Fcorte(Hz)

Fcorte(Nominal)
Fcorte(Real)




3.9. IMPLEMENTA FILTRO PASA BANDA ACTIVO.
Tambin llamados Filtros selectores de frecuencia, son aquellos que permiten

elegir o pasar solo una banda de frecuencias. Por este motivo cuenta con dos
frecuencias de cortes las cuales esta ubicadas cundo el voltaje de salida est
en 0.707Vi, una denominada frecuencia de corte inferior (Fcl=Fl) y la otra
denominada frecuencia de corte superior (Fch=Fh).
Posee una frecuencia de resonancia (Fr) que se obtiene cuando el voltaje de

salida es mximo Vo=Vi.

salida se conectar el Osciloscopio. Los valores R1=10K, R2=1K, C1=10F,
C2=2.2F.


instructor.
R1 (Nominal)
R2 (Nominal)
C1(Nominal)
C2(Nominal)

R1 (Medido)
R2 (Medido)

de salida.
100 120K
500 200K
1K 500K
5K 700K
10K 800K
50K 1M
80K 2M



Utilizando el papel semilogaritmico y una regla calcule la frecuencia de corte

y la frecuencia de resonancia.
La frecuencia de corte inferior y superior seobtiene en el 0.707 del valor
mximo del voltaje de salida. Ubique dicho valor en la grafica anterior y
anote.
La frecuencia de resonancia se obtiene cuando con el valor maximo de
salida.
Fcorte inferior(Hz)
Fcorte superior(Hz)
Fresonancia(Hz)

frecuencia de resonancia nominal y real (con los valores de R y C medidos).
Fresonancia(Nominal)
Fresonancia(Real)
frecuencia de corte inferiror nominal y real (con los valores de R y C

medidos). Calcule dichos valores y anote.
Fcl(Nominal)
Fcl(Real)
frecuencia de corte inferiror nominal y real (con los valores de R y C

medidos). Calcule dichos valores y anote.

Fch(Nominal)
Fch(Real)



3.10. IMPLEMENTA FILTRO RECHAZABANDA ACTIVO.
Tambin llamados Filtros elimina banda, son aquellos que permiten elegir la
banda de frecuencias que deseamos eliminar. Por este motivo cuenta con dos
frecuencias de cortes las cuales esta ubicadas cundo el voltaje de salida est
en 0.707Vi, una denominada frecuencia de corte inferior (Fcl=Fl) y la otra
denominada frecuencia de corte superior (Fch=Fh).

salida se conectar el Osciloscopio. Los valores R=10K, C=10F, R0=100K.


instructor.
R1 (Nominal)
R2 (Nominal)
R3 (Nominal)
C1(Nominal)
C2(Nominal)
C3 (Nominal)

R1 (Medido)
R2 (Medido)
R3 (Medido)

de salida.
100 120K
500 200K
1K 500K
5K 700K
10K 800K
50K 1M
80K 2M



Utilizando el papel semilogaritmico y una regla calcule la frecuencia de corte

y la frecuencia de resonancia.
La frecuencia de corte inferior y superior se obtiene en el 0.707 del valor
mximo del voltaje de salida. Ubique dicho valor en la grafica anterior y
anote.
La frecuencia de resonancia se obtiene cuando con el valor maximo de
salida.
Fcorte inferior(Hz)
Fcorte superior(Hz)



realiza la medida.
Utilizando la grafica de Boode de los pasos anteriores, obtenga la

frecuencia de corte superior e inferior. Para lo cual buscamos la ganancia de
3dB y trace una paralela para obtener la frecuencia de corte inferior y
frecuencia de corte superior.

Fcl
Fch
4. FUNDAMENTO TERICO:
4.1. TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTUTA (BJT).
El trmino "transistor" es la contraccin en ingls de transfer resistor

("resistencia de transferencia"), es un componente electrnico semiconductor
que puede ser utilizado en muchas aplicaciones como por ejemplo
amplificador, oscilador, conmutador o rectificador, etc.
Actualmente se encuentran prcticamente en todos los aparatos domsticos de

uso diario: radios, televisores, grabadoras, reproductores de audio y video,
hornos de microondas, lavadoras, automviles, equipos de refrigeracin,
alarmas, relojes de cuarzo, ordenadores, calculadoras, impresoras, lmparas
fluorescentes, equipos de rayos X, tomgrafos, ecgrafos, reproductores mp3,
telfonos mviles, etc.
Resea Histrica: El transistor de efecto de campo fue descubierto antes que

el transistor (1930), pero no se encontr una aplicacin til ni se dispona de la
tecnologa necesaria para fabricarlos masivamente.
El transistor bipolar fue inventado en los Laboratorios Bell de EE. UU. en

diciembre de 1947 por John Bardeen, Walter Houser Brattain y William
Bradford Shockley, quienes fueron galardonados con el Premio Nobel de Fsica
en 1956. Fue el sustituto de la vlvula termoinica de tres electrodos, o triodo.
Estructura: Un transistor de unin bipolar consiste en tres regiones

semiconductoras dopadas: la regin del emisor, la regin de la base y la regin
del colector. Estas regiones son, respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un
PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en un transistor NPN. Cada regin del
semiconductor est conectada a un terminal, denominado emisor (E), base (B)
o colector (C), segn corresponda.

Corte
transversal simplificado de un transistor de unin bipolar NPN. Donde se puede
apreciar como la unin base-colector es mucho ms amplia que la base-
emisor. La base est fsicamente localizada entre el emisor y el colector y est
compuesta de material semiconductor ligeramente dopado y de alta
resistividad. El colector rodea la regin del emisor, haciendo casi imposible
para los electrones inyectados en la regin de la base escapar de ser
colectados, lo que hace que el valor resultante de se acerque mucho hacia la
unidad, y por eso, otorgarle al transistor un gran .
El transistor de unin bipolar, a diferencia de otros transistores, no es

usualmente un dispositivo simtrico. Esto significa que intercambiando el
colector y el emisor hacen que el transistor deje de funcionar en modo activo y
comience a funcionar en modo inverso. Debido a que la estructura interna del
transistor est usualmente optimizada para funcionar en modo activo,
intercambiar el colector con el emisor hacen que los valores de y en modo
inverso sean mucho ms pequeos que los que se podran obtener en modo
activo; muchas veces el valor de en modo inverso es menor a 0.5. La falta de
simetra es principalmente debido a las tasas de dopaje entre el emisor y el
colector. El emisor est altamente dopado, mientras que el colector est
ligeramente dopado, permitiendo que pueda ser aplicada una gran tensin de
reversa en la unin colector-base antes de que esta colapse. La unin colector-
base est polarizada en inversa durante la operacin normal. La razn por la
cual el emisor est altamente dopado es para aumentar la eficiencia de
inyeccin de portadores del emisor: la tasa de portadores inyectados por el
emisor en relacin con aquellos inyectados por la base. Para una gran
ganancia de corriente, la mayora de los portadores inyectados en la unin
base-emisor deben provenir del emisor.
El bajo desempeo de los transistores bipolares laterales muchas veces

utilizados en procesos CMOS es debido a que son diseados simtricamente,
lo que significa que no hay diferencia alguna entre la operacin en modo activo
y modo inverso.

Pequeos cambios en la tensin aplicada entre los terminales base-emisor

genera que la corriente que circula entre el emisor y el colector cambie
significativamente. Este efecto puede ser utilizado para amplificar la tensin o
corriente de entrada. Los BJT pueden ser pensados como fuentes de corriente
controladas por tensin, pero son caracterizados ms simplemente como
fuentes de corriente controladas por corriente, o por amplificadores de
corriente, debido a la baja impedancia de la base.
Los primeros transistores fueron fabricados de germanio, pero la mayora de

los BJT modernos estn compuestos de silicio. Actualmente, una pequea
parte de stos (los transistores bipolares de heterojuntura) estn hechos de
arseniuro de galio, especialmente utilizados en aplicaciones de alta velocidad.
FUNCIONAMIENTO: En una configuracin normal, la unin emisor-base se

polariza en directa y la unin base-colector en inversa. Debido a la agitacin
trmica los portadores de carga del emisor pueden atravesar la barrera de
potencial emisor-base y llegar a la base. A su vez, prcticamente todos los
portadores que llegaron son impulsados por el campo elctrico que existe entre
la base y el colector.
Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la regin del
nodo compartida. En una operacin tpica, la unin base-emisor est
polarizada en directa y la unin base-colector est polarizada en inversa. En un
transistor NPN, por ejemplo, cuando una tensin positiva es aplicada en la
unin base-emisor, el equilibrio entre los portadores generados trmicamente y
el campo elctrico repelente de la regin agotada se desbalancea, permitiendo
a los electrones excitados trmicamente inyectarse en la regin de la base.
Estos electrones "vagan" a travs de la base, desde la regin de alta
concentracin cercana al emisor hasta la regin de baja concentracin cercana
al colector. Estos electrones en la base son llamados portadores minoritarios
debido a que la base est dopada con material P, los cuales generan "huecos"
como portadores mayoritarios en la base.
La regin de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada, para

que los portadores puedan difundirse a travs de esta en mucho menos tiempo
que la vida til del portador minoritario del semiconductor, para minimizar el
porcentaje de portadores que se recombinan antes de alcanzar la unin base-
colector. El espesor de la base debe ser menor al ancho de difusin de los
electrones.

Control de tensin, carga y corriente La corriente colector-emisor puede ser

vista como controlada por la corriente base-emisor (control de corriente), o por
la tensin base-emisor (control de voltaje). Esto es debido a la relacin tensin-
corriente de la unin base-emisor, la cual es la curva tensin-corriente
exponencial usual de una unin PN (es decir, un diodo).
En el diseo de circuitos analgicos, el control de corriente es utilizado debido

a que es aproximadamente lineal. Esto significa que la corriente de colector es
aproximadamente veces la corriente de la base. Algunos circuitos pueden ser
diseados asumiendo que la tensin base-emisor es aproximadamente
constante, y que la corriente de colector es veces la corriente de la base. No
obstante, para disear circuitos utilizando BJT con precisin y confiabilidad, se
requiere el uso de modelos matemticos del transistor como el modelo Ebers-
Moll.
El Alfa y Beta del transistor Una forma de medir la eficiencia del BJT es a
travs de la proporcin de electrones capaces de cruzar la base y alcanzar el
colector. El alto dopaje de la regin del emisor y el bajo dopaje de la regin de
la base pueden causar que muchos ms electrones sean inyectados desde el
emisor hacia la base que huecos desde la base hacia el emisor. La ganancia
de corriente emisor comn est representada por F o por hfe. Esto es
aproximadamente la tasa de corriente continua de colector a la corriente
continua de la base en la regin activa directa y es tpicamente mayor a 100.
Otro parmetro importante es la ganancia de corriente base comn, F. La
ganancia de corriente base comn es aproximadamente la ganancia de
corriente desde emisor a colector en la regin activa directa. Esta tasa
usualmente tiene un valor cercano a la unidad; que oscila entre 0.98 y 0.998. El
Alfa y Beta estn ms precisamente determinados por las siguientes relac iones
(para un transistor NPN):
4.2. TIPOS DE TRANSISTOR DE UNIN BIPOLAR.
a. Transistor NPN: Es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los

cuales las letras "N" y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios
dentro de las diferentes regiones del transistor. La mayora de los
transistores bipolares usados hoy en da son NPN, debido a que la movilidad
del electrn es mayor que la movilidad de los "huecos" en los

semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de

operacin.
Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor

dopado P (la "base") entre dos capas de material dopado N. Una pequea
corriente ingresando a la base en configuracin emisor-comn es
amplificada en la salida del colector.
La flecha en el smbolo del transistor NPN est en la terminal del emisor y

apunta en la direccin en la que la corriente convencional circula cuando el
dispositivo est en funcionamiento activo.
b. Transistor PNP: El otro tipo de transistor de unin bipolar es el PNP con las
letras "P" y "N" refirindose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes
regiones del transistor. Pocos transistores usados hoy en da son PNP,
debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeo en la mayora de las
circunstancias.
El smbolo de un transistor PNP. Los transistores PNP consisten en una

capa de material semiconductor dopado N entre dos capas de material
dopado P. Los transistores PNP son comnmente operados con el colector a
masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentacin
a travs de una carga elctrica externa. Una pequea corriente circulando
desde la base permite que una corriente mucho mayor circule desde el
emisor hacia el colector.
La flecha en el transistor PNP est en el terminal del emisor y apunta en la

direccin en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo
est en funcionamiento activo.
Transistor Bipolar de Heterounin El transistor bipolar de heterounin (TBH)

es una mejora del BJT que puede manejar seales de muy altas frecuencias,
de hasta varios cientos de GHz. Es un dispositivo muy comn hoy en da en
circuitos ultrarrpidos, generalmente en sistemas de radiofrecuencia.

Los transistores de heterojuntura tienen diferentes semiconductores para los

elementos del transistor. Usualmente el emisor est compuesto por una
banda de material ms larga que la base. Esto ayuda a reducir la inyeccin
de portadores minoritarios desde la base cuando la unin emisor-base est
polarizada en directa y esto aumenta la eficiencia de la inyeccin del emisor.
La inyeccin de portadores mejorada en la base permite que esta pueda

tener un mayor nivel de dopaje, lo que resulta en una menor resistencia. Con
un transistor de unin convencional, tambin conocido como transistor
bipolar de homojuntura, la eficiencia de la inyeccin de portadores desde el
emisor hacia la base est principalmente determinada por el nivel de dopaje
entre el emisor y la base. Debido a que la base debe estar ligeramente
dopada para permitir una alta eficiencia de inyeccin de portadores, su
resistencia es relativamente alta.
4.3. REGIONES DE OPERACIN DE UN TRANSISTOR BJT.
Los transistores de unin bipolar tienen diferentes regiones operativas,

definidas principalmente por la forma en que son polarizados:
a. Regin activa: En esta regin la corriente de colector (Ic) depende

principalmente de la corriente de base (Ib), de (ganancia de corriente, es
un dato del fabricante) y de las resistencias que se encuentren conectadas
en el colector y emisor. Esta regin es la ms importante si lo que se desea
es utilizar el transistor como un amplificador de seal.
b. Regin de corte: Un transistor BJT est en corte cuando: Corriente de

colector = corriente de emisor = 0,(Ic = Ie = 0).
En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje

de alimentacin del circuito. (Como no hay corriente circulando, no hay cada
de voltaje, ver Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la
corriente de base = 0 (Ib =0).
c. Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando: Corriente de

colector = corriente de emisor = corriente mxima, (Ic = Ie = Imaxima).

En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentacin

del circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en
ambos, ver Ley de Ohm. Este caso normalmente se presenta cuando la
corriente de base es lo suficientemente grande como para inducir una
corriente de colector veces ms grande. (Recordar que Ic = * Ib).
d. Regin de ruptura: Las tensiones mximas que pueden soportar las

uniones PN inversamente polarizadas se denominan tensiones de ruptura.
Cuando se alcanza estas tensiones

existe peligro de ruptura del
transistor debido a dos fenmenos:
ruptura por avalancha y ruptura por
perforacin.
4.4. TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO (FET).
El trmino "transistor" es la contraccin en ingls de transfer resistor

("resistencia de transferencia"), es un componente electrnico semiconductor
que controla un flujo de corriente por un canal semiconductor, aplicando un
campo elctrico perpendicular a la trayectoria de la corriente.
Resea Histrica: El transistor de efecto de campo fue descubierto antes que

el transistor (1930), pero no se encontr una aplicacin til ni se dispona de la
tecnologa necesaria para fabricarlos masivamente.
El transistor bipolar fue inventado en los Laboratorios Bell de EE. UU. en

diciembre de 1947 por John Bardeen, Walter Houser Brattain y William
Bradford Shockley, quienes fueron galardonados con el Premio Nobel de Fsica
en 1956. Fue el sustituto de la vlvula termoinica de tres electrodos, o triodo.

4.5. TIPOS DE TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO.
a. Transistor FET: Es uno de los tipos de transistores de efecto de campo,

est compuesto de una parte de silicio tipo N, a la cual se le adicionan dos
regiones con impurezas tipo P que estn unidas entre s a la cual se le
denomina FET de canal P. Otra de sus presentaciones posee una parte se
silicio tipo P y dos regiones con impurezas tipo N que unidas entre s, a la
cual se le denomina transistor FET de canal N
Los terminales de este tipo de transistor se llaman Drenador (Drain), Fuente

(Source) y el tercer terminal es la compuerta (Gate) que ya se conoce. La
regin que existe entre el drenador y la fuente y que es el camino obligado
de los electrones se llama "canal". La corriente circula de Drenaje (D) a
Fuente (S).
Este tipo de transistor se polariza de manera diferente al transistor bipolar. El

terminal de drenaje se polariza positivamente con respecto al terminal de
fuente (Vdd) y la compuerta o gate se polariza negativamente con respecto a
la fuente (-Vgg).
A mayor voltaje -Vgg, ms angosto es el canal y ms difcil para la corriente

pasar del terminal drenador (drain) al terminal fuente o source. La tensin -
Vgg para la que el canal queda cerrado se llama "punch-off" y es diferente
para cada FET.
El FET es controlado por tensin y los cambios en tensin de la compuerta

(gate) a fuente (Vgs) modifican la regin de rarefaccin y causan que vare el
ancho del canal.

b. Transistor JFET: Un JFET rene las caractersticas ms interesantes de las

vlvulas electrnicas, con las grandes ventajas de los componentes
semiconductores. Segn su composicin, existen dos tipos de transistores
JFET, los JFET de canal N y los de canal P.
Este componente est formado por una delgada capa de material

semiconductor tipo N denominado canal. A los lados de sta aparecen dos
regiones de material semiconductor tipo P. En cada uno de los extremos del
canal se sita un terminal. As, tenemos un terminal de fuente o surtidor (del
ingls source) y otro de sumidero o drenador (drain). Las dos regiones P se
interconectan entre s, y hacia el exterior, constituyendo el terminal de puerta
o graduador (gate).
Los JFET los podemos clasificar en dos grandes grupos:

JFET de canal n.
JFET de canal p.
Podemos observar como la mayor parte de la estructura es de material tipo n

ligeramente dopado formando un canal con contactos hmicos en ambos
extremos (terminales de Drenador y Fuente). Este canal se encuentra inserto
entre dos regiones de compuerta tipo p+ (material tipo p fuertemente dopado)
con sendos contactos hmicos que constituyen los terminales de puerta. En
algunos casos los dos terminales de puerta estn accesibles (JFET de doble
puerta) aunque lo ms habitual es que ambos terminales estn cortocircuitados
teniendo un nico terminal de puerta (dispositivo de tres terminales).
En ausencia de potencial aplicado, las dos uniones p-n que aparecen estn sin
polarizar. El resultado es una regin de vaciamiento o zona de deplexin
(regin carente de portadores libres) de forma similar a la que se vio en su da
al analizar en el diodo la unin p-n en ausencia de polarizacin.

D =Drenador: (Del ingls Drain). Es el terminal por al que salen

los portadores del dispositivo (los electrones en el JFET de canal
n y los huecos en el de canal p)
S = Fuente: (Del ingls Source). Es el terminal por el que entran
los portadores.
G = Puerta: (Del ingls Gate). Es el terminal mediante el que se
controla la corriente de portadores a travs del canal.
4.6. ZONAS DE TRABAJO DEL FET.
Zona de corte o de no conduccin: Se corresponde con el eje horizontal

de la grfica. En esta zona la corriente ID = 0 con independencia del valor
VDS. Esto se da para valores de VGS VGSoff, donde el canal est
completamente cerrado.
Zona hmica o de no saturacin: Se da para valores de VDS inferiores al

de saturacin, es decir, cuando VDS VGS - VGSoff. Para estos valores de
tensin el canal se va estrechando de la parte del drenador, principalmente,
hasta llegar al estrangulamiento completo para VDSsat.
En esta zona el transistor se comporta aproximadamente como una

resistencia variable controlada por la tensin de puerta, sobre todo para
valores pequeos de VDS, ya que a medida que nos aproximamos al valor
de VDSsat, y para cada valor de VGS se va perdiendo la linealidad debido al
estrechamiento del canal que se aproxima al cierre.
Zona de saturacin o de corriente constante: Esta zona se da para

valores VDS >VDSsat. Ahora la corriente ID permanece invariante frente a
los cambios de VDS (suponiendo la hiptesis de canal largo) y slo depende
de la tensin VGS aplicada. En esta zona el transistor se comporta como
una fuente de corriente controlada por la tensin de puerta VGS.

La relacin entre la tensin VGS aplicada y la corriente ID que circula por el

canal en esta zona viene dada por la siguiente ecuacin:
Zona de ruptura: En un transistor JFET tenemos dos uniones p-n

polarizadas en inversa, tanto ms cuanto menor sea el valor de VGS. Sin
embargo, esta tensin inversa no se puede aumentar indefinidamente, ya
que si se supera un determinado valor (tensin de ruptura, caracterstico de
cada unin y que suele ser proporcionado por el fabricante en sus hojas de
caractersticas) la unin se perfora, producindose la ruptura del dispositivo.
4.7. TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO METAL XIDO

SEMICONDUCTOR (MOSFET).
Visto el transistor JFET vamos ahora a ver el otro gran grupo de transistores de
efecto de campo: Los transistores MOSFET. Vamos a ver que existen dos tipos
de transistores MOSFET.
MOSFET de acumulacin o de enriquecimiento.

MOSFET de deplexin o empobrecimiento.
MOSFET de Acumulacin: El MOSFET de canal n, posee una zona de

material semiconductor tipo p en la que aparecen dos zonas tipo n+ con
contactos metlicos a los terminales de drenador y fuente. La zona roja
representada corresponde a una capa de material aislante, en este caso xido
de silicio. Por tanto, si nos fijamos en el terminal de puerta, vemos como

tenemos una zona metlica (correspondiente al contacto hmico) una zona de
xido y una zona de semiconductor. Es precisamente debido a esta estructura
de dnde le viene el nombre al dispositivo de Metal xido Semiconductor
(MOS). Adems, este dispositivo tendra un cuarto terminal, el terminal del
Sustrato (SS), aunque habitualmente ste se encuentra conectado a la fuente.
Es preciso que notemos una caracterstica fundamental de este dispositivo y es

que la puerta est aislada elctricamente del dispositivo, es decir, no hay
conexin elctrica entre la puerta y el sustrato.
Por otra parte, indicar que en este caso y en las sucesivas representaciones de
los transistores MOSFET a lo largo de este captulo no se han representado las
zonas de carga de espacio que evidentemente aparecern en las uniones pn
por simplificar los dibujos, ya que en este caso, y a diferencia del JFET, las
zonas de carga de espacio no juegan un papel primordial en el funcionamiento
del dispositivo.
MOSFET de Deplexin: Vamos a continuar con el siguiente gran grupo de

transistores MOSFET, en este caso, el MOSFET de deplexin o
empobrecimiento.
Al igual que en el caso anterior el terminal de puerta no tiene conexin con el

resto de terminales, ya que tal y como hemos visto anteriormente, est aislado
elctricamente del resto del dispositivo. Pero, a diferencia del caso anterior, en
el MOSFET de acumulacin los terminales de drenador y fuente estn unidos a
travs de una lnea continua, esta lnea hace referencia al canal que ahora si
que existe desde un principio. De nuevo, la flecha indica el sentido en que
circulara la corriente en el caso de que la unin pn estuviera polarizada en
directa.

En este caso, si aplicamos una tensin VGS > 0, se atraern ms electrones

hacia la zona de la puerta y se repelern ms huecos de dicha zona, por lo que
el canal se ensanchar. Por lo tanto, el efecto que tenemos es el mismo que en
el caso del MOSFET de acumulacin, es decir, para valores VGS > 0 el
MOSFET de deplexin tiene un comportamiento de acumulacin. Si por el
contrario damos valores VGS < 0 el efecto ser el contrario, disminuyndose la
anchura del canal. En definitiva, volvemos a tener de nuevo un efecto de
modulacin de la anchura de un canal en funcin de una tensin aplicada VGS.
Sin embargo, si seguimos disminuyendo el valor de VGS podr llegar un
momento en que el canal desaparezca por completo, esto suceder cuando
VGS disminuya por debajo de un valor VGSoff.
4.8. ZONAS DE TRABAJO MOSFET.
Zona de corte o de no conduccin: Se corresponde con el eje horizontal

de la grfica. En esta zona la corriente ID = 0 con independencia del valor
VDS. Esto se da para valores de VGS VT, donde el canal no est
completamente formado.
Zona hmica o de no Saturacin: Se da para valores de VDS inferiores al
de saturacin, es decir, cuando VDS VGS - VT. Para estos valores de
tensin el canal se va estrechando de la parte del drenador, principalmente,
hasta llegar al estrangulamiento completo para VDSsat.
En esta zona el transistor se comporta aproximadamente como una

resistencia variable controlada por la tensin de puerta, sobre todo para
valores pequeos de VDS, ya que a medida que nos aproximamos al valor
de VDSsat, y para cada valor de VGS se va perdiendo la linealidad debido al
estrechamiento del canal que se aproxima al cierre.
Zona de saturacin o de corriente constante: Esta zona se da para

valores VDS >VDSsat. Ahora la corriente ID permanece invariante frente a

los cambios de VDS y slo depende de la tensin VGS aplicada. En esta

zona el transistor se comporta como una fuente de corriente controlada por
la tensin de puerta VGS.
La relacin entre la tensin VGS aplicada y la corriente ID que circula por el

canal en esta zona viene dada por la siguiente ecuacin:
Zona de ruptura: Un transistor MOSFET puede romper por dos motivos.

Bien porque se perfora el dielctrico cuando la tensin VGS supera una
determinado valor que vendr determinado por el aislante, o bien porque en
la unin pn del lado del drenador (polarizada en inversa) se supera el valor
de la tensin de ruptura de dicha unin, dado que esta unin est polarizada
con una tensin inversa de valor VDS la ruptura se producir cuando VDS
Vr con independencia del valor de VGS, por tanto en la zona de ruptura
todas las distintas curvas en funcin de VGS se juntan en una nica.
4.9. ENCAPSULADO DE LOS TRANSISTORES.
Es la manera como se representa un transistor, los ms utilizados son:
TO-92: Este transistor pequeo es muy utilizado para la amplificacin de

pequeas seales.
La asignacin de patitas (emisor - base - colector) no est estandarizado,

por lo que es necesario a veces recurrir a los manuales de equivalencias
para obtener estos datos.
TO-18: Es un poco ms grande que el encapsulado TO-92, pero es metlico.

En la carcasa hay un pequeo saliente que indica que la patita ms cercana
es el emisor.
Para saber la configuracin de patitas es necesario a veces recurrir a los

manuales de equivalencias.

TO-39: Tiene el mismo aspecto que es TO-18, pero es ms grande.

Al igual que el anterior tiene una saliente que indica la cercana del emisor,
pero tambin tiene la patita del colector pegado a la carcasa, para efectos de
disipacin de calor.
TO-126: Se utiliza mucho en aplicaciones de pequea a mediana potencia.

Puede o no utilizar disipador dependiendo de la aplicacin en se est
utilizando.
Se fija al disipador por medio de un tornillo aislado en el centro del transistor.

Se debe utilizar una mica aislante.

TO-220: Este encapsulado se utiliza en aplicaciones en que se deba de

disipar potencia algo menor que con el encapsulado TO-3, y al igual que el
TO-126 debe utilizar una mica aislante si va a utilizar disipador, fijado por un
tornillo debidamente aislado.
El TO-3: Este encapsulado se utiliza en transistores de gran potencia. Como

se puede ver en el grfico es de gran tamao debido a que tiene que disipar
bastante calor. Est fabricado de metal y es muy normal ponerle un
"disipador" para liberar la energa que este genera en calor.
4.10. CDIGO EN EL ENCAPSULADO DE LOS COMPONENTES

SEMICONDUCTORES.
Son cdigos normalizados de designacin para componentes electrnicos

semiconductores. Los cdigos normalizados de designacin pretenden
identificar de una manera unificada, todos y cada uno de los componentes
usados en la electrnica que existen en el mercado.
Los cdigos normalizados de designacin pretenden identificar de una manera

unificada, todos y cada uno de los componentes usados en la electrnica que
existen en el mercado. Los principales cdigos normalizados son:
PROELECTRON
JEDEC
JIS
El sistema Proelectrn se utiliza principalmente en Europa, mientras que el

JEDEC es usado por los fabricantes norteamericanos y el JIS por los
japoneses.

PROELECTRN: Este sistema se utiliza principalmente en Europa. El

componente se designa de dos formas, segn el tipo de aplicacin al que
est destinado (comercial o profesional):
3letras, Numero de serie, Sufijo (Opcional)
La primera letra indica el tipo de material semiconductor utilizado para la

fabricacin del componente, para lo cual utilizaremos la siguiente tabla:
Letra Material semiconductor al que representa

A Material con anchura de banda prohibida de 0.6 a 1.0 eV, como el Ge
B Material con anchura de banda prohibida de 1.0 a 1.3 eV, como el Si.
C Material con anchura de banda prohibida mayor que 1.3 eV, como el
NaAs
D Material con anchura de banda prohibida menor que 0.6 eV, como el
InSb
E Material compuesto como el empleado en generadores Hall y
fotoconductores
La segunda letra indica la aplicacin principal y construccin si se hace

necesaria una diferenciacin mayor, para lo cual usaremos la siguiente tabla:

A Diodo de deteccin, de conmutacin, mezclador
B Diodo de sintona (capacidad variable).
C Transistor para aplicaciones de audio (Rthj-a > 15 K/W).
D Transistor de potencia para aplicaciones de audio (Rthj-a 15 K/W)
E Diodo Tnel
F Transistor para aplicaciones de alta frecuencia (Rthj-a > 15 K/W)
G Multichips, etc
H Sonda campo de efecto Hall
K Generador Hall en circuito magntico abierto
L Transistor de potencia para aplicaciones de alta frecuencia (Rthj-a 15
K/W).
M Modulador o multiplicador Hall
N Optoacoplador.
P Componente sensible a la radiacin (p. ej. fotodiodo).
Q Componente emisor de radiacin
R Componente de control o de conmutacin con disparo elctrico
poseyendo una caracterstica de ruptura (Rthj-a > 15 K/W),
S Transistor para aplicaciones de conmutacin (Rthj-a > 15 K/W).
T Componente de control o de conmutacin con disparo elctrico o por
incidencia de la luz poseyendo una caracterstica de ruptura (Rthj-a 15
K/W)
U Transistor de potencia para aplicaciones de conmutacin (Rthj-a 15
K/W).
X Diodos mltiples: varactor, diodo "steprecovery".
Y Diodo rectificador, diodo de potencia, diodo "booster".
Z Diodo estabilizador de tensin

La tercera letra indica en qu tipo aplicacin en que se est utilizando en el

componente electrnico. Estas aplicaciones pueden ser industriales o
profesionales o comerciales.
Letra Tipo de aplicacin

W Utilizado en aplicaciones industriales
X Utilizado en aplicaciones profesional
YoZ Utilizado en aplicaciones comercial
Luego sigue la serie del componente, el cual puede tomar valor numrico
tomado desde 100 a 9999.
Finalmente se aade el sufijo el cual indica con una letra el nivel de potencia
del componente.
Letra Nivel de Potencia del componente

A Ganancia Baja
B Ganancia media
C Ganancia alta
No est definida
JIS: (Japanese Industrial Standard committee): Es un comit encargado

de realizar estndares para la industria japonesa.
digito, dos letras, nmero de serie, sufijo (opcional)
La cifra indica el nmero de uniones del componente, la cual vara segn el

tipo de componente electrnico utilizado, los valores ms utilizados son:
Letra Tipo de componente

1 Diodo
3 Transistor BJT
3 Transistor FET
4 Optoacoplador
La segunda letra indica la aplicacin principal y construccin si se hace

necesaria una diferenciacin mayor, para lo cual usaremos la siguiente tabla:

SA PNP HF transistor
SB Diodo de sintona (capacidad variable).
SC PNP AF transistor
SD Transistor NPN AF
SE Diodos
SF Tiristores
SG Dispositivos de disparo
SH UJT
SJ FET/MOSFET canal P
SK FET/MOSFET canal N

SM Triac
SQ LED
SR Rectificador
SS Diodo de seal
SZ Diodo zener
del componente

A Ganancia Baja
B Ganancia media
C Ganancia alta
No est definida
JEDEC: Este sistema es usado principalmente por los fabricantes

americanos. Est definido por el estndar EIA RS-236-B, Junio de 1963. El
cdigo de designacin se presenta bsicamente como:
digito, dos letras, nmero de serie, sufijo (opcional)
La cifra indica el nmero de uniones del componente, la cual vara segn el

tipo de componente electrnico utilizado, los valores ms utilizados son :
Letra Tipo de componente

1 Diodo
3 Transistor BJT
3 Transistor FET
4 Optoacoplador
A la secuencia alfanumrica le sigue la letra N.

del componente

A Ganancia Baja
B Ganancia media
C Ganancia alta
No est definida

4.11. ENCAPSULADOS PARA CIRCUITOS INTEGRADOS.
Es una pastilla (o "chip") muy delgada en la que se encuentran miles o millones

de dispositivos electrnicos interconectados, principalmente transistores,
aunque tambin componentes pasivos como resistencias o capacitores. Su
rea puede ser de 1cm2 o incluso ms pequeos. La funcin que cumplen
estos componentes es muy variada.
DIP (Dual In-Line Package): Los pines se extienden a lo largo del

encapsulado (en ambos lados) y tiene como todos los dems una muesca
que indica el pin nmero 1. Este encapsulado bsico fue el ms utilizado
hace unos aos y sigue siendo el preferido a la hora de armar plaquetas por
partes de los amantes de la electrnica casera debido a su tamao lo que
facilita la soldadura. Hoy en da, el uso de este encapsulado
(industrialmente) se limita a UVEPROM y sensores.
SOP (Small Out-Line Package): Los pines se disponen en los 2 tramos

ms largos y se extienden en una forma denominada gullwing formation,
este es el principal tipo de montaje superficial y es ampliamente utilizado
especialmente en los mbitos de la microinformtica, memorias y IC
analgicos que utilizan un nmero relativamente pequeo de pines.
SOP (Think Small Out-Line Package): Simplemente una versin ms

delgada del encapsulado SOP.
QFP (Quad Flatpack Package): Es la versin mejorada del encapsulado

SOP, donde los pines de conexin se extienden a lo largo de los cuatro
bordes. Este es en la actualidad el encapsulado de montaje superficial ms
popular, debido que permite un mayor nmero de pines.

SOJ (Small Outline J-Lead): Las puntas de los pines se extienden desde
los dos bordes ms largos dejando en la mitad una separacin como si se
tratase de 2 encapsulados en uno. Recibe ste nombre porque los pines se
parecen a la letra J cuando se lo mira desde el costado. Fueron utilizados
en los mdulos de memoria SIMM.
QFJ: Al igual que el encapsulado QFP, los pines se extienden desde los 4
bordes.
QFN: Es similar al QFP, pero con los pines situados en los cuatro bordes de
la parte inferior del encapsulado. Este encapsulado puede hacerse en
modelos de poca o alta densidad.
BGA (BallGridArray): Los terminales externos, en realidad esferas de

soldadura, se sitan en formato de tabla en la parte inferior del encapsulado.
Este encapsulado puede obtener una alta densidad de pines, comparado
con otros encapsulados como el QFP, el BGA presenta la menor
probabilidad de montaje defectuoso en las plaquetas. Mtodo casero para
desoldar un encapsulado BGA.

4.12. REGULADORES DE VOLTAJE.
Los circuitos electrnicos para su funcionamiento necesitan de una fuente de

energa, podemos decir que la fuente de alimentacin ser la encargada de
suministrar la energa elctrica, en la cantidad y calidad que necesitan los
circuitos, equipos o sistemas electrnicos conectados a ella.
REGULADOR DE VOLTAJE INTEGRADO 78XX: Una serie de reguladores

monolticos muy utilizados es la familia 78XX, esta serie comprende
reguladores de 5, 6, 8, 12, 15 y 24V, con corriente de salida mxima de 1A.
Los dos ltimos dgitos de este cdigo corresponden al valor del voltaje de
salida que mantendr estabilizado el regulador, por ejemplo el 7805 es de 5V
de salida.
La conexin tpica de este tipo de circuitos integrados est formado por: el

capacitor conectado en la entrada (C1) que generalmente es de 0,33mF
suprime los efectos inductivos que pudieran aparecer en estos terminales
debido a la relativa lejana del estabilizador respecto a la seccin de
rectificacin y filtraje, mientras que el capacitor en la salida (C2) de 1mF
garantiza la estabilidad del circuito en estado transitorio. Para su correcto
funcionamiento requiere una corriente mxima (IQ mx) de 8mA saliendo en el
terminal de polarizacin y un voltaje VNR al menos 3V mayor que el voltaje de
salida.
REGULADOR DE VOLTAJE INTEGRADO 79XX: Una serie de reguladores

monolticos muy utilizados es la familia 79XX, esta serie comprende
reguladores de -5, -6, -8, -12, -15 y -24V, con corriente de salida mxima de
1A.
Los dos ltimos dgitos de este cdigo corresponden al valor del voltaje
negativo en la salida que mantendr estabilizado el regulador, por ejemplo el
7905 es de -5V de salida.

La conexin tpica de este tipo de circuitos integrados est formado por: el

capacitor conectado en la entrada (C1) que generalmente es de 0,33mF
suprime los efectos inductivos que pudieran aparecer en estos terminales
debido a la relativa lejana del estabilizador respecto a la seccin de
rectificacin y filtraje, mientras que el capacitor en la salida (C2) de 1mF
garantiza la estabilidad del circuito en estado transitorio. Para su correcto
funcionamiento requiere una corriente mxima (IQ mx) de 8mA saliendo en el
terminal de polarizacin y un voltaje VNR al menos 3V mayor que el voltaje de
salida.
4.13. AMPLIFICADOR OPERACIONAL.
El trmino amplificador operacional fue introducido en 1947 por John Ragazzini

y sus colegas en su trabajo sobre computadoras analgicas, realizado para el
Consejo de Investigacin de la Defensa Nacional de los Estados Unidos
durante la Segunda Guerra Mundial. Los primeros amplificadores
operacionales utilizaron tubos de vaco (vlvulas), en vez de transistores.
Un amplificador operacional como lo conocemos hoy en da es un circuito

electrnico que tiene dos entradas y una salida, la salida es la diferencia de las
dos entradas multiplicada por un factor de ganancia.
Bsicamente el Amplificador operacional es un dispositivo amplificador de la

diferencia de sus dos entradas, con alta ganancia, una impedancia de entrada
muy alta y una baja impedancia de salida, con estas caractersticas se deduce
que las corrientes de entrada son prcticamente nulas.
Los amplificadores operacionales se pueden conectar segn dos circuitos

amplificadores bsicos: las configuraciones inversora y no inversora. Casi
todos los dems circuitos con amplificadores operacionales estn basados, de
alguna forma, en estas dos configuraciones bsicas.

Las caractersticas funcionales que describen su comportamiento son:

Dispositivo analgico lineal.
Ganancia (de tensin) prcticamente infinita.
Una entrada inversora, produce en el terminal de salida una seal en
contratase (180) respecto de la seal aplicada a la entrada.
Una entrada no-inversora, produce en la salida una seal en fase con
aquella aplicada en la entrada.
Impedancia de salida casi nula (cero).
Impedancias de entrada infinitas.
Los amplificadores operacionales se consiguen comercialmente en paquetes

de circuitos integrados en varias formas. El encapsulado mas bsico de un
Amplificador Operacional es un encapsulado DIP de 8 terminales, el ms
bsico y popular de los amplificadores operacionales es el de cdigo es 741
PIN2: Entrada Inversora (-)

PIN3: Entrada no inversora (+).
PIN4: Tierra (GND)
PIN7: Alimentacin (VCC)
PIN6: Salida (Vo)
Amplificador inversor: El circuito amplificador con ganancia constante que se

utiliza comnmente es el amplificador inversor, que se muestra en la figura.
Toda la tensin de entrada V1, deber aparecer en R1, obteniendo una
corriente en Rf igual a:
Como las corrientes son iguales entonces:
Entonces la ganancia ser:

Amplificador no-inversor: El circuito amplificador con ganancia constante que

se utiliza comnmente es el amplificador no inversor, que se muestra en la
figura. Toda la tensin de entrada Vi, deber aparecer en Ri obteniendo una
corriente en Rf igual a:
Amplificador sumador (e inversor): El circuito amplificador con ganancia

constante que se utiliza comnmente es el amplificador sumador inversor, que
se muestra en la figura. Toda las tensiones o voltajes de entrada V1,V2,V3,
deber aparecer en R1,R2,R3, obteniendo una corriente en Rf igual a:
Conocemos los valores de V1,V2,V3, adems conocemos los valores de

R1,R2,R3, aplicando la ley de Ohm en cada una de las entradas, obtenemos la
corriente I1, I2, I3.
Como las lneas de entrada est en la entrada inversora del amplificador

operacional se cumple:
Tambin se cumple que

Reemplazando las ecuaciones 1, 2 y 3 en 4 obtenemos
( )
Filtro pasa baja de primer orden: La colocacin de un resistor en paralelo con

el capacitor de retroalimentacin, como en la figura, convierte al integrador en
un filtro pasa bajas con ganancia.
Obtenemos la ganancia con la ecuacin:
Obtenemos el valor de la frecuencia de corte:
Filtro pasa alta de primer orden: Si al circuito inversor se coloca un capacitor

en serie con el resistor de entrada, se convierten un filtro pasa altas con
ganancia.
Obtenemos el valor de la frecuencia de corte:

Filtro pasa banda de segundo orden: Los ltimos dos circuitos pueden unirse
como en la figura para obtener una respuesta pasa banda.
Obtenemos el valor de la frecuencia de corte,

para este tipo de filtro se cuenta con dos
frecuencias de corte:
Calculando la frecuencia de corte inferior:
Calculando la frecuencia de corte superior del filtro:

TAREA 4: UTILIZA SOFTWARE DE ELECTRNICA.

podr utilizar programas de simulacin electrnica para implementar circuitos
electrnicos antes de implementarlos.
Identifica los diodos segn el material utilizado en su fabricacin.

Identifica las principales caractersticas de un diodo por el cdigo de marca.
Implementa circuitos para comprobar la respuesta de un diodo en seal

continua y alterna.
Estar preparado es importante, saber esperar lo

es an ms, pero aprovechar el momento
adecuado es la clave de la vida.
Arthur Schnitzler
Computadora Core 2 Duo, RAM de 2GB, Disco Duro 250GB o superior.
Computadoras con sistema operativo Windows XP o superior.
Programa de simulacin electrnica.
2. ORDEN DE EJECUCIN.
Utiliza programas se simulacin electrnica.
Utiliza programas para creacin de circuitos impresos.
Elabora simulacin de circuitos electrnicos bsicos.
Elabora los circuitos impresos de circuitos electrnicos bsicos.

3. OPERACIN.
instructor.
.
3.3. UTILIZA PROGRAMAS SE SIMULACIN ELECTRNICA.
El programa de simulacin elctrica y electrnica Multisim se puede utilizar

para simulacin de circuitos electrnicos de electrnica analgica y digital.
El Multisim, es un programa que simula todos los componentes e instrumentos

necesarios para analizar, disear y verificar circuitos en remplazo de los
componentes e instrumentos reales.
El circuito ensamblado y verificado con el Multisim, se puede enviar a un

programa llamado Ultiboard, tambin de la empresa Electronics Workbench,
que se encarga de desarrollar el dibujo para el circuito impreso con lo que el
proyecto quedara completo.
1. Para abrir el programa buscamos Multisim. Al cargar el programa

tendremos acceso a las principales barras de trabajo, que a continuacin
mencionamos:
1. Menu bar = Barra de Men.

2. Design tool bar= Barra de diseo.

3. Componente tool bar = Barra de componentes.
4. Standard toolbar = Barra Estandar.
5. View tool bar= Barra de visualizacion.
6. Simulation toolbar = Barra de simulacin.
7. Main toolbar = Barra Principal
8. In use list = Lista en uso
9. Active bar = Esquema activo
10. Circuit window = Ventana del esquema del circuito
11. Spread sheet view= Vista de hoja de calculo
12. Scrollleft/right = Barra de desplazamiento de izquierda a derecha.
13. Instruments toolbar = Barra de Instrumentos

2. Los componentes electrnicos a utilizar se encontrarn en la barra de

componentes.
3. Selecciones el smbolo Place Basic tal como se muestra, se desplegar

una segunda ventana con el detalle de cada elemento, en este caso
seleccionaremos una resistencia de 1KOhm. Para aceptar presionamos OK.
4. Para posicionar el componente lo llevamos con el mouse y luego para soltar

hacemos un clic con el botn izquierdo.
5. Si queremos cambiar sus propiedades, como por ejemplo: orientacin,

copiarlo, eliminarlo, etc., hacemos un clic con el botn derecho del mouse y
se desplegar el siguiente men:
Los ms utilizados son:

a. Cut: Quitar el elemento.
b. Copy: Copiar el elemento.
c. Delete: Borrar el elemento.
d. Flip Horizontal: Girar
Horizontalmente el elemnto.
e. FlipVerticar: Girar verticalmente
el elemento.
f. 90 Clockwise: Gira 90 el
elemento en sentido horario.
g. 90 CounterCW: Gira el
elemento en sentido antihorario
6. Siguiendo el mismo procedimiento podemos ir insertando los componentes

necesarios para simular un circuito. Hasta obtener el circuito deseado.
7. Para comprobar el funcionamiento del circuito implementado, en la barra de

herramientas encontrar un botn verde RUN que le permitir iniciar la
simulacin. Compruebe presionando la tecla indicada en el interruptor el
comportamiento del circuito
8. Si deseamos realizar alguna medida o utilizar algn instrumento de

laboratorio, hacemos uso de la barra de instrumentos donde podemos
encontrar: Voltmetro, Ampermetro, Ohmmetro, Osciloscopios, Generador
de Seales, etc.
9.
3.4. UTILIZA PROGRAMAS PARA CREACIN DE CIRCUITOS IMPRESOS.
El programa de creacin de circuitos impresos que puede utilizar el programa

ORCAD, que nos permite crear circuitos impresos de circuitos electrnicos
analgicos y digitales.
3.4.1. OSCILADOR COLPITTS.

El objetivo de este trabajo es relacionarse ms con el uso de orcad capture y
orcad layout, utilizando sus libreras propias.
ESQUEMATICO:
1) Abrir el Orcad: inicio-programas-Orcad -Capture CIS-enter.
2) Crear un esquemtico:
a) Ir a File en la barra de mens.
b) Seleccionarla opcin new, luego de las opciones que se muestran
escoger proyect.
Aparecer una pantalla, de las cuatro opciones que se muestran

seleccionar Schematic, luego seleccione la carpeta donde guardar todo
el proyecto y dale un nombre al proyecto, finalmente clic en OK

3) Debers dibujar un circuito similar a este:
Sobre las libreras: para que se haga ms fcil la bsqueda se puede agregar
las librera ingresando en place part y luego en add library empezaremos a
abrir todas las carpetas y solo se van agregando as cuando hagas otro
proyecto ya estar listo.
4) Para Este circuito usaremos dos libreras.

a) Clic en Place Part en la barra de herramientas, se abrir el
siguiente cuadro:
b) Aqu se muestran todas las libreras que estn en uso as

como los componentes de cada librera.
c) Seleccionar Add library, que mostrar todas las libreras del

Orcad Capture, se deber escoger las libreras Pspice-
ANALOG; TRANSISTOR; IEC-DEVICE

5) Componentes que pegaremos en nuestro esquemtico son:
Nombre de los componente Librera Nombres

CONDENSDOR PSPICE ANALOG C_ELEC
INDUCTOR IRON IEC DEVICE
RESISTENCIA PSPICE ANALOG R
TRANSISTOR TRANSISTOR TRANSISTOR
6) Asegurarse de que ningn componente tenga la mismo identificacin, por

ejemplo no puede haber dos resistencias con la identificacin R1.
7) Acomodar los componentes y unirlos con Place Wire que est en la barra de
herramientas.
8) Para la tierra escoger Place Ground en la barra de herramientas,

seleccionar CAPSYM, luego GND, y clic en OK.

9) Debers tener cuidado en la numeracin de los terminales pondremos como

ejemplo al condensador:
a) Haga click derecho sobre el condensador, luego clic en Editpart.

Aparece la pantalla del editor del componente.
b) Haga doble clic en una terminal o patita, en el cuadro que aparece la

opcin number es lo importante, tal vez diga 1 o 2 si escogi el otro
terminal; o tal vez P o N. Si fuera un transistor puede ser 1,2 o 3 o E,B, C.
Esto es muy importante porque los Footprints de layout deben tener el
mismo nmero o letra y en el mismo orden en sus terminales, con los
componentes del esquemtico.
c) Como en este ejemplo utilizaremos libreras propias del Layout, entonces

escogeremos las nominaciones P y N para el condensador, donde P es la
entrada positiva.
d) Para salir del Edit Part, hacer un clic en la (x) de cerrar, que est a la
altura de la barra de mens. En el cuadro que aparece guardar los
cambios seleccionando Update Current.

DANDO FOOTPRINTS A LOS COMPONENTES.
1) PRECIONE CLICK SOBRE CADA COMPONENTE. SALDRA EL

SIGUIENTE CUADRO: Poner nombre donde dice PCB FOOTPRINT y si
son varios componentes iguales como en este trabajo el condensador se
poner un solo nombre a todos como por ejemplo C1 SIEMPRE TRATANDO
DE QUE EL NOMBRE SE PEQUEO y as sucesivamente a todos los
componentes menos a tierra ni Vcc.
2) A cada componente en el esquemtico le corresponde un footprint, si uno de

ellos no lo tuviera entonces no se podr entrar al Layout. Escoja los
siguientes Footprints.
Componente Footprint
CONDENSADOR C1
RESISTENCIA R1
INDUCTOR L1
Crear la correccin DRC.

1. Para hacer la correccin o saber si est bien se debe minimizar el trabajo y
poner en schematic y luego hacer clic en DRC como se ve en la imagen y
te saldr el siguiente cuadro. hacer lo que est en el cuadro, buscando el
lugar donde guardo el proyecto.

2. Y deber salirte este cuadro que significa que est bien, pues si es que hay
algn error abre el proyecto donde te saldrn las fallas y empieza a
corregirlas.
CREANDO EL ARCHIVO MNL.
Para Crear el archive MNL debemos hacer click como se muestra en la

imagen
En la siguiente ventana
aparecer el siguiente cuadro:
Se debe poner other y
Luego
PCBII. DLL .como se muestra en

la imagen
Luego deber salir el siguiente cuadro que nos permitir seguir a layout plus.

TRABAJANDO CON EL LAYOUT PLUS.
1) Abrir el LAYOUT PLUS.

Botn de Inicio / Programas-ORCAD-LAYOUT PLUS
a) FILE-IMPORT-PCB II NETLIST
Guardar el trabajo en una carpeta, que debes crear.
2) PONER: nuevo y te saldr un cuadro darle abrir y luego guardar. Luego

se abrir automticamente el siguiente cuadro donde debes de escoger
todos los componentes de capture cis con sus respectivo footprint que nos
ayudara a identificarlos.
3) Elegimos un FOOTPRINT para cada uno de los componentes del circuito,

para nuestro ejemplo utilizaremos:

Componente Denominacin librera FOOTPRINT

Condensador C1 TM_CYLIN CYL/D.225/LS 125.
031
Resistencia R1 JUMPER JUMPER 200
INDUCTOR L1 JUMPER JUMPER 300
TRANSISTOR TR VRES VRES 24
Por ejemplo L1 COMO YA SABEMOS ES EL INDUCTOR. Y as para todos los

componentes y darle OK.
4) ORDENANDO DE COMPONENTES.
a) Seleccione Component en la barra de herramientas o anda a Tool en la
barra de mens y selecciona Component, luego escoja la opcin Select
tool.
b) Seleccione un componente y arrstralo presionando siempre el
mouse, una vez ubicado presione Esc.
Acomoda los dems componentes como mejor le parezca, por ejemplo

se muestra en la figura
5) PARA EMPEZAR A HACER LAS

PISTAS se coloca en la barra de
men como se ve en la figura y
luego se hace clic en cada punto y
se va arrastrando hasta llegar al otro
punto.

Tambin se puede hacer automticamente en AUTORUTE-BOARD pero se

debe de prefijar los colores antes de autorutear en padstack como muestra la
figura y de una cara en TOP-ROUND.
En undefined. Y autorutear.
6) LMITES DE LA PLACA.
a) Ahora procederemos a dibujar el lmite de la placa. Seleccionar Obstacle
en la barra de herramientas o en la barra de mens seleccionar Tool, ir a
Obstacley seleccionar la opcin SelectTool.
b) Haz clic derecho y en las opciones escoge new, luego volver a hacer
clic derecho y escoger properties, aparecer un cuadro, selecione Board
Outline como tipo de obstculo, Global layer como capa y un ancho de
20 milsimas de pulgada, clic en OK.
c) Dibuje un cuadro como en la figura.

Este obstculo delimita la placa, ningn componente podr situarse fuera de l,

ni ninguna pista.
7) NODOS DE FIJACION o HUEQUITOS PARA LOS TORNILLOS.
a) Seleccionar Component en la barra de herramientas, luego has un clic

derecho en una parte vaca del rea de trabajo, escoger la opcin New,
aparecer el cuadro Add Component.
b) Hacer clic en la pestaa Footprint, se abre la ventana Select Footprint,

escoger la librera Layout y seleccionar el footprint MTHOLE1,
tambin puede ser MTHOLE 2 o MTHOLE3, clic en Ok, se vuelve al
cuadro anterior otra vez, escoger aqu No electrical, esto lo asla de
todos los componentes de la tarjeta, clic en OK.
c) Por lo general los huequitos para los tornillos se ponen en las esquinas,
aunque en algunas tarjetas por falta de espacio se colocan en la parte
superior e inferior central. Para este ejemplo colocar 4 MTHOLE1 en las
esquinas, como se muestra en la figura.

8) COLOCANDO Y BORRANDO TEXTOS.
a) Como se puede ver hay muchos textos intiles que no nos servirn salvo
las designaciones de resistencias, condensadores, resistencias, etc.
b) Seleccionar Text Tool en la barra de herramientas, selecciona los textos
que se desee borrar y presiona Suprimir, no borrar los nmeros de los
componentes como R1, R2 o C1.
c) Aada textos adicionales como su nombre, nombre del proyecto, de la
universidad o de la empresa, fecha, etc.
d) Para crear textos haga Clic en New, en Text String escribir el texto,
Pngale el alto y ancho en Width (ancho) y Height (alto), seleccionar la
capa SST y clic en OK.

3.5. ELABORA SIMULACIN DE CIRCUITOS ELECTRNICOS BSICOS.
Utilizando el programa Multisim elabora los siguientes circuitos:
1. Fuente de alimentacin variable que entrega voltajes que varan entre +1.5V
y +25V.
Lista de componentes:
6 Diodos 1N4004 2 Fusibles
1 Diodo Led Rojo 1 SWITCH
1 Transformador de 220V a 24 /1A 1 Resistencia 1.5K
1 Resistencia de 240 1 Potencimetro de 5K
1 LM317T 1 Condensador 1F/25V
2. Probador audible de continuidad.
Lista de componentes:
3 Resistencias de 22K (R13, R17, R19) 2 Resistencias de 1K (R14, R16)
1 Resistencia de 10 (R15) 1 Resistencia de 680K (R18)
1 Resistencia de 56K (R20) 1 Resistencia de 8.2K (R21)
1 Resistencia de 1.5K (R22) 1 Trimmer de 5K (P2)
1 LM358 1 Diodo 1N4148 (D2)

3. rgano Electrnico: Este circuito genera tonos similares a los que se obtiene
en una octava de un piano, est basado ntegramente en un timer 555, que
configurado a distintas frecuencias genera las notas musicales, estas notas
o frecuencias lo generan con pulsadores y un juego de resistencias.
3.6. ELABORA SIMULACIN DE CIRCUITOS ELECTRNICOS BSICOS.
Utilizando el programa Orcad elabora los circuitos impresos de los circuitos

dela operacin anterior:
1. Fuente de alimentacin variable que entrega voltajes que varan entre +1.5V
y +25V.
2. Probador audible de continuidad.
3. rgano Electrnico: Este circuito genera tonos similares a los que se obtiene
en una octava de un piano, est basado ntegramente en un timer 555, que
configurado a distintas frecuencias genera las notas musicales, estas notas
o frecuencias lo generan con pulsadores y un juego de resistencias.

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SERVICIO NACIONAL DE ADIESTRAMIENTO EN TRABAJO INDUSTRIAL

ESCUELA DE TECNOLOGAS DE LA INFORMACIN 5

ESCUELA DE TECNOLOGAS DE LA INFORMACIN 6

4.2. CLASIFICACIN DE BOBINAS......................................................................... 160

ESCUELA DE TECNOLOGAS DE LA INFORMACIN 7

3.2. IDENTIFICA LOS PRINCIPALES TIPOS DE TRANSISTORES BIPOLARES

ESCUELA DE TECNOLOGAS DE LA INFORMACIN 8

TAREA1: IDENTIFICA Y ANALIZA RESISTENCIAS.

No basta saber, se debe tambin aplicar. No

Johann Wolfgang Goethe

ESCUELA DE TECNOLOGAS DE LA INFORMACIN 9

Utiliza la ley de Ohm.

3.1. NORMAS DE SEGURIDAD Y PROTECCIN AMBIENTAL.

Normas de proteccin ambiental:

ESCUELA DE TECNOLOGAS DE LA INFORMACIN 10

Los desechos txicos, generados en la tarea deben recolectados y

Identifica las resistencias segn el material utilizado para su

Identifica el tipo de material y sus principales caractersticas de

1. Identifica resistencia fija de aglomerados.

2. Identifica resistencia fija de hilo bobinado.

3. Identifica resistencia fija de carbn prensado.

ESCUELA DE TECNOLOGAS DE LA INFORMACIN 11

4. Identifica resistencia fija de pelcula de carbn.

5. Identifica resistencia fija de pelcula de xido metlico.

6. Identifica resistencia fija de pelcula metlica.

7. Identifica resistencia fija de metal vidriado.

Identifica el tipo de material y sus principales caractersticas de

ESCUELA DE TECNOLOGAS DE LA INFORMACIN 12

1. Identifica resistencia variable por movimientos mecnicos o potencimetros.

2. Identifica resistencia variable por temperatura.

En una resistencia NTC (Negative Temperatura Coefficient), llamada tambin

La tpica curva caracterstica de una resistencia NTC tiene una forma

Para comprender la funcin Resistencia NTC debemos implementar el

ESCUELA DE TECNOLOGAS DE LA INFORMACIN 13

Voltaje de la 2V 4V 7V 10V 15V 18V

En una resistencia PTC (Positive Temperatura Coefficient), llamada tambin

Para comprender la funcin de la Resistencia NTC debemos implementar el

Voltaje de la 2V 4V 7V 10V 15V 18V

3. Identifica resistencia variable por intensidad de luz.

La resistencia fotoelctrica (LDR= Light Dependent Resistor), es un elemento

es decir, que aumenta la resistencia cuando disminuye la intensidad de

El cambio de la resistencia se basa en el efecto interior fotoelctrico. Por medio

La resistencia fotoelctrica se emplea a menudo en circuitos electrnicos:

Para comprender la funcin Fotoelctrica debemos implementar el siguiente

Identifica y calcula el valor nominal de una resistencia por cdigo de

El participante podr identificar y calcular el valor de una resistencia teniendo

ESCUELA DE TECNOLOGAS DE LA INFORMACIN 15

Identifica el cdigo de colores de cuatro bandas de una resistencia fija y

1. Llene la siguiente tabla:

Color Color Color Color Valor Valor Valor

Identifica el cdigo de colores de cinco bandas de una resistencia fija y

1. Llene la siguiente tabla:

Color Color Color Color Color Valor Valor Valor

ESCUELA DE TECNOLOGAS DE LA INFORMACIN 16

Identifica y calcula el valor nominal de una resistencia por cdigo de

Para el desarrollo de esta operacin el instructor debe proporcionar al

1. Llene la siguiente tabla:

Cdigo de Valor de Valor Valor Valor

Calcula resistencias equivalentes en circuitos en serie.

Para comprobar las caractersticas de los circuitos en serie, implemente el

ESCUELA DE TECNOLOGAS DE LA INFORMACIN 17

Comprobando el comportamiento del voltaje en un circuito en serie, vamos a