TV

AUDIO
VIDEO
MICROPROCESADORES

SABER

EDICION ARGENTINA

ELECTRONICA

Enciclopedia
V isual
de la
Electrnica
INDICE DEL
CAPITULO 10
PRIMERAS REPARACIONES EN EQUIPOS
TRANSISTORIZADOS
Prueba de transistores con el tster................147
Anlisis de montajes electrnicos ...................148
Lo que puede estar mal...................................149
Defectos y comprobaciones...........................149
Mediciones en pequeos amplificadores .....150
Sustitucin del componente............................151
Equivalencias .....................................................152
MEDICIONES QUE REQUIEREN PRECISION
Mtodo de compensacin de
Dubois-Reymond ...............................................153
Mtodo de compensacin de Poggendorf.......154
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS DE MEMORIA
Dispositivos de memoria ...................................155
Aplicaciones de los circuitos de memoria.....155
Tcnicas de fabricacin de las
memorias digitales ............................................156
Cmo trabaja una memoria digital ...............156
Memorias de la familia ROM ...........................156

Memorias ROM ..................................................157

Memorias PROM ................................................157
Memorias EEPROM ............................................157
Memorias UV-EPROM ........................................157
Memorias de la familia RAM............................157
Memorias SRAM .................................................158
Memorias DRAM ................................................158
Memorias VRAM ................................................158
Memorias NOVRAM ..........................................158
Memorias en equipos de audio y video ........158
Memorias en computadoras PC .....................159
RAM, Cach, ROM............................................159
Memoria Flash....................................................159
CMOS-RAM.........................................................159
Memoria de video.............................................159
SCORPION 2: MICROTRANSMISOR DE FM
El Circuito............................................................159
Cupn N 10
Guarde este cupn: al juntar 3 de
stos, podr adquirir uno de los videos
de la coleccin por slo $5
Nombre: ________________________
para hacer el canje, fotocopie este cupn y
entrguelo con otros dos.

Captulo 10

Captulo 10

Primeras Reparaciones en
Equipos Transistorizados
PRUEBA DE
TRANSISTORES
CON EL T STER
Es de mucha utilidad,
especialmente cuando no
se tienen los datos t cnicos del componente, saber medir transistores,
tanto dentro como fuera
de un circuito electr nico,
contando con la sola ayuda de un mult metro. En
este art culo se explican
las t cnicas de prueba de
transistores bipolares fuera del circuito y c mo localizar los
terminales cuando el componente
est en buen estado, queda para
otra entrega la prueba de transistores dentro del circuito (sin quitarlo de
ste).
E n general, los transistores bipolares (NPN o PNP) estn en
buen estado o no sirven, es decir,
no admiten condiciones intermedias que podran hacer presumir
que el elemento est agotado,
por lo que pueden probarse sencillamente si se tiene un multmetro. En principio, para hacer la
prueba, se debe conocer la polaridad (ya sea NPN o PNP) y la ubicacin de los terminales como as
tambin la ubicacin de los terminales de la batera del multmetro respecto de sus puntas de
prueba.

Fig. 2

En la mayora de los multmetros analgicos (a aguja) el borne

marcado con (+) corresponde al
() de la batera interna que alimenta el hmetro. Esta es la convencin que adoptamos en el artculo.
Primero se debe comprobar el
estado de la juntura base-emisor
y base-colector del transistor, las
cuales se comportan como diodos, o sea de un lado conducen
(baja resistencia) y polarizados en
sentido inverso acusan alta resistencia.
Si el transistor es NPN, con la
punta conectada al borne (+) del
tster (que corresponde al negativo de la batera interna) tocamos el emisor del transistor y con
la otra punta (negra del tster) tocamos la base, el multmetro debe acusar baja resistencia, luego,

con la punta roja en

base y la punta negra
en emisor, la aguja no
deflexionar, lo que indica una resistencia alta. El tster debe estar
en la posicin R x 10 o R
x 100 como indica la figura 1.
La misma prueba
debe efectuar para la
verificacin de la juntura base-colector, o sea,
con la punta roja en baFig. 1 se y la negra en colector no debe conducir e,
invirtiendo las puntas, la resistencia debe ser baja.
Esta prueba es vlida tanto
para transistores de silicio como
de germanio, ya sean de poder o
de baja seal (recuerde que el
tster debe estar en el rango R x
10 o R x 100).
Para transistores de germanio,
la resistencia inversa de las junturas no es tan elevada como en el
caso de los de silicio y, por lo tanto, podra producirse una pequea deflexin de la aguja cuando
se realiza la medicin.
Cuando se miden las junturas
de un transistor PNP se sigue el
mismo procedimiento, slo que
ahora la aguja deflexionar
cuando la punta roja est en la
base y la negra en cualquiera de
los otros dos terminales, como
muestra la figura 2.
Si al hacer la medicin de las
junturas, ambas lecturas dan baja
resistencia el transistor est en
corto y si en las dos medidas se
lee alta resistencia est abierto.
En los dos casos el componente
no sirve.
Una vez medidas las junturas
se debe comprobar que no haya
cortocircuito entre colector y
emisor, por lo tanto, la lectura de
resistencia entre estos terminales

147

Primeras Reparaciones en Equipos Transistorizados

Fig. 3
debe ser muy alta sin importar cmo se conecten los terminales.
La figura 3 muestra esta medicin para un transistor NPN.
Si tenemos un transistor del
cual suponemos que est en
buen estado y no sabemos si es
NPN o PNP y ni siquiera conocemos la ubicacin de los terminales, debemos primero identificar
la base. Con el tster en R x 10 o
R x 100 colocamos una punta en
un terminal y con la otra punta tocamos alternativamente los otros
dos. Hacemos esto con los tres

Fig. 4

terminales; luego, la base ser

aqulla en que la aguja haya deflexionado, tanto si la punta restante est en un terminal como
en el otro.
Como ejemplo, supongamos
que colocamos la punta roja del
tster (negativo de la batera interna) en lo que creemos que es
la base, y se presentan los casos
de la figura 4. Analizando la misma se llega a la conclusin de
que en ningn caso hubo deflexin como se plante inicialmente; por lo tanto, buscando la base
con la punta negra (positivo de la
batera interna)
invertimos las puntas.
En la figura 5 se
ve que con una
punta en la base
y con la otra tocando alternativamente los otros
terminales,
se
consigue defleFig. 5 xin en ambos

sentidos. Luego, el transistor es

NPN.
Si encontramos la base, cuando en sta colocamos la punta
roja (marcada con + y correspondiente al negativo de la batera interna), el transistor es PNP.
Slo resta ahora localizar el
emisor o el colector del transistor;
luego por descarte tambin sabremos cul es el tercer terminal.
Para la localizacin del emisor
colocamos el tster en la escala
ms alta del hmetro, el cual se
comporta como un medidor de
corriente (el tster como hmetro
en realidad es un microampermetro) conectado entre emisor y
colector del transistor con la punta de polaridad correcta en el
emisor. Por ejemplo, si el transistor
es NPN, la punta roja (negativo de
la batera) la colocamos en el
que creemos que es el emisor.
De esta manera el transistor queda preparado para conducir en
polarizacin fija si se le coloca
una resistencia entre base y colector. Para la prueba empleamos
la resistencia de los dedos de
nuestra mano como elemento de
polarizacin, como se ve en la figura 6.
En esta figura se supone que el
terminal (1) es el emisor de un
transistor NPN y el (2) es el colector, luego la aguja deflexiona. Si el
terminal elegido como emisor no
lo fuera, entonces la aguja no deflexionara, o lo hara muy poco.
Le recomendamos repetir varias veces esta prueba con transistores identificados con el objeto de adquirir
prctica.
Los
conceptos dados son vlidos
para todos los
transistores y son
muy tiles, tanto
a la hora del armado como de
la reparacin.

AN LISIS DE
MONTAJES
ELECTR NICOS
El an lisis de
un prototipo que
no funciona o que

148

Captulo 10
misor de FM con micrfono de
electret alimentado por una tensin de 6V. Los puntos indicados
son puntos de medida, en los que
apoyaremos la punta de prueba
roja del multmetro en la escala
de tensiones hasta 6 volt.
El punto A es para la conexin
de la punta de prueba negra y
pasa a ser la referencia para las
tensiones que se midan.
Con el circuito normal se constatan las tensiones siguientes:

Fig. 6

presenta un comportamiento deficiente o tambi n de un aparato comercial que no funciona bien, es algo
que muchos armadores no saben c mo hacer.
C mo encontrar los problemas
en un aparato armado? C mo interpretar las indicaciones de un mult metro o los s ntomas que se constatan y llegar a la ra z del problema?
Ese es el tema que trataremos ahora
en una serie de art culos en los que
nos dedicaremos a circuitos t picos
en los que incluiremos distintas clases de defectos mostrando lo que
ocurre con las tensiones que se miden en cada caso.
Iniciamos el artculo con un circuito que es bastante comn y
que tambin, en gran parte de
los casos, resulta ser el primer
montaje que realiza un estudiante aficionado: un pequeo transmisor de FM (figura 7).
Es comn que haya fallas en
un circuito de esa clase cuando
diversos problemas pueden hacer que no oscile o que lo efecte de manera deficiente.
Es claro que el armador inexperto no siempre tiene la facilidad de descubrir con un simple
anlisis visual lo que est mal y no
es raro que le eche la culpa a la
revista o al autor del proyecto.
Tan importante como armar
es saber lo que est mal en un
montaje cuando el equipo no
funciona.
Por eso damos, en este artculo y otros subsiguientes, informaciones de gran utilidd para la formacin del tcnico reparador,
del tcnico que logra analizar y
reparar sus montajes as como los
de otros.

Puntos ........................Tensiones
Lo que puede estar mal
1 ...........................................2,95
Varias son las posibilidades de
2 ...........................................1,72
error en un montaje que pueden
3 ...........................................1,14
conducir a un funcionamiento
4 ...........................................5,98
deficiente. Podemos dividir esas
5 ...........................................5,98
posibilidades en dos grupos: las
6 ...........................................5,98
que se deben al armador y las
que se deben a los componentes
Es claro que estas tensiones
usados.
pueden variar hasta un 10% segn la tolerancia de los compoErrores del armador:
nentes y las caracterstics del ins- Inversi n de conexiones
trumento usado. Tomamos como
- Inversi n de componentes
base un multmetro de 10.000
- Cambio de valores
por volt en la escala DC usada.
Podemos explicar fcilmente
Problemas con los
esas tensiones en un buen aparacomponentes:
to. En el punto 1 tenemos la ten- Componentes da ados
sin de polarizacin del electret,
- Soldaduras fr as
que es aproximadamente la mi- Cortocircuitos
tad de la tensin de alimentacin
dada por R1. El valor de R1 tambin puede variar bastante cuanNUESTRO CIRCUITO
do la tensin en el micrfono
quede entre 2 y 89 volt.
El circuito que se propone paEn el punto 2 tenemos la tenra analizar se ve en la figura 7.
sin de base del transistor oscilaSe trata de un pequeo trans- dor que es aproximadamente

Fig. 7

149

Primeras Reparaciones en Equipos Transistorizados

0,6V mayor que la tensin del
3 ...........................................0,05
emisor constatada en el punto 3.
4 ...........................................0,06
En los puntos 4, 5 y 6, dada la
5 ...........................................5,98
baja resistencia del bobinado de
6 ...........................................5,98
LI, encontramos prcticamente la
tensin de la fuente, o sea: cerca
La tensin anormalmente baja
de 6,0V.
del colector (4) es lo que ms llama la atencin. Sin duda se debe
1er. defecto
a una interrupcin en la bobina o
El primer defecto que analiza- a una soldadura fra. La tensin
remos nos lleva a la siguiente ta- de base del transistor, de 0,77V, indica que este componente est
bla de medidas:
aparentemente bien, as como el
Punto .......................Tensin (V) divisor formado por R2 y R3.
Como la falta de polarizacin
1 ...........................................2,43
2 ...........................................2,18 del colector no recibe la corrien3 ...........................................1,43 te principal del transistor, la ten4 ...........................................5,98 sin en el punto 3 cae prctica5 ...........................................5,98 mente a cero. Es suficiente resol6 ...........................................5,98 dar la bobina para que el transmisor funcione bien.
En este caso el aparato no os3er. defecto
cila y por consiguiente no emite
Este defecto tambin impide
seal alguna. Como podemos
ver, tenemos una tensin de base la oscilacin. Las tensiones medidel emisor anormalmente alta das son:
(puntos 2 y 3). Pero mientras su diPunto .......................Tensin (V)
ferencia se mantenga cerca de
1 ...........................................2,58
0,6V, significa en principio que el
2 ...........................................2,69
transistor est bien. Tambin est
3 ...........................................2,23
bien el divisor de tensin formado
4 ...........................................5,98
por R2 y R3, lo que nos lleva a las
5 ...........................................5,98
siguientes posibilidades de falla:
6 ...........................................5,98
capacitor C2 o C3. Vea que la
bobina tiene continuidad ya que
Medimos en este caso una
la tensin en el punto 4 es igual a
la de la batera. Por eliminacin tensin anormalmente alta en la
llegamos a C3, pues con C2 con base del transistor.
La diferencia entre la tensin
problemas an tendramos oscilacin, a no ser que estuviese en en el punto 2 y la tensin del emicorto. En caso de corto la tensin sor 3 es menor de 0,6V por lo que
en el punto 2 debera ser de 6V, lo prcticamente no circula corriente entre esos dos elementos.
que no sucede.
La tensin anormalmente alta
Sustituyendo C3, el aparato
vuelve a funcionar normalmente. del emisor 3 indica tambin que
Vea que ese capacitor debe ser no hay pasaje de corriente por el
cermico, de buena calidad (de punto a tierra (A).
Sospechamos de inmediato
placa, por ejemplo), pues la humedad o una pequea induc- de R4, que puede tener mal el
tancia impiden la realimentacin valor o haberse alterado aumeny, por consiguiente, la oscilacin. tando o est totalmente abierta.
Los capacitores inductivos, como Las tensiones de los puntos 4, 5 y 6
los tubulares o los de polister, no se mantienen normales cuando
existe este defecto.
sirven para esta funcin.

2 ...........................................0,00
3 ...........................................0,00
4 ...........................................5,98
5 ...........................................5,98
6 ...........................................5,98
Es evidente la falta de polarizacin de la base de Q1, ya que
en el colector hay tensin y, por
consiguiente, la batera est en
buenas condiciones. Eso nos lleva
de inmediato a R2 que est abierta. Un corto entre el emisor y la
base del transistor tambin disminuira esa tensin pero a un valor
mayor que cero.
Otros defectos
El capacitor C2 abierto no
produce muchas alteraciones en
la tensin, pero disminuye el rendimiento del circuito. C1 abierto
no influye en las tensiones pero
produce falta de modulacin (sonido).

MEDICIONES EN
PEQUE OS
AMPLIFICADORES
Cuando se queman los transistores de salida de amplificadores de
audio, el equipo "enmudece". Si bien
la localizaci n del problema es casi
inmediata, la sustituci n representa
la mayor dificultad ya que muchas f bricas usan c digos propios para ese
componente y eso impide que se
identifiquen las caracter sticas y, por
consiguiente, el empleo de equivalentes que puedan conseguirse en el
mercado con facilidad. Damos a continuaci n, algunos datos para sustituci n de esos componentes con un
buen margen de seguridad.

La mayora de los amplificadores de audio de equipos de sonido comerciales, tales como receptores, tres en uno, etc., utilizan
etapas de potencia en simetra
complementaria, como la configuracin que se muestra en la figura 8.
4 defecto
2 defecto
En este circuito, cada uno de
Sin oscilacin, se constatan las
En este caso tampoco tene- los transistores de salida amplifica
tensiones siguientes:
mos oscilaciones. Las tensiones la mitad del ciclo de la seal, de
manera que la unin posterior de
medidas fueron:
las dos mitades en el altoparlante
Punto .......................Tensin (V)
1 ...........................................2,58
Punto .......................Tensin (V) reproduce el ciclo completo. Los
2 ...........................................0,77
1 ...........................................2,56 semiciclos positivos son conduci-

150

Captulo 10
Fig. 8

do no hay seal amplificada, lleva la salida a

una tensin igual a la mitad de la tensin de alimentacin (figura 10). En
funcionamiento, esa tensin oscilar para ms o
para menos, segn la polaridad de la seal reproducida, es decir, segn
que conduzca uno u otro
transistor. Estos transistores
de salida son justamente
los que trabajan en el rgimen ms "pesado" en
un amplificador, debiendo soporFig. 10
tar toda la corriente especificada
para la potencia mxima.
Cuanto mayor es la potencia
del amplificador, mayor es la corriente mxima soportada por estos transistores.
En funcin de la tensin proporcionada por la fuente del amplificador y de la corriente mxima que soportan los transistores
en esta etapa, el tcnico puede
evaluar su potencia sonora con
facilidad. Y en el caso de que alguno se haya quemado puede
indicar equivalentes que debedos por uno de los transistores y rn funcionar tan bien como los
los negativos por otro como originales.
muestra la figura 9.
El transistor "driver" (excitador)
polariza esta etapa de modo que
SUSTITUCI N DEL COMPONENTE
haya una distribucin de la seal
(semiciclos) entre los transistores,
Cuando uno de los transistores
en forma equitativa para que en de la etapa de salida se quema
la amplificacin no haya distor- (o los dos) suelen "arrastrar" tamsin.
bin los resistores del emisor que
En los circuitos comunes, el se habrn recalentado. Tambin
punto de reposo, es decir, cuan- es conveniente verificar el elec-

Fig. 9

troltico en serie con el altoparlante para ver si el quemado no se

produjo por su entrada en corto
(figura 11).
Teniendo en cuenta el esquema se verifica si el transistor quemado es el NPN o el PNP y si es del
tipo Darlington o comn (figura
12).
En principio podemos sustituir
el transistor quemado por uno del
mismo tipo con la corriente mxima de colector (IC) igual o mayor.
La tensin mxima entre el colector y el emisor del sustituto
(VCE mx.) debe ser igual o mayor que la del transistor sustituido.
La polaridad del transistor es
muy importante pues no podemos sustituir un PNP por un NPN y
la disposicin de los terminales
debe verificarse. Debe darse preferencia a un transistor con la misma disposicin de terminales que
el original, pues eso normalmente
facilitar su colocacin en funcin de la necesidad de un contacto con el disipador.
Vea que estos transistores se
montan en disipadores con un
aislador, como muestra la figura
13. El aislador, untado con pasta
de silicona, asla la electricidad,
es decir, evita el contacto elctrico de la aleta (conectada al colector) con el disipador pero no
impide el pasaje de calor. La
eleccin del sustituto puede ha-

Fig. 11

Fig. 12

151

Primeras Reparaciones en Equipos Transistorizados

Fig. 13

Tabla 1
Potencia del amplificador

cerse fcilmente a partir de las sugerencias que damos en la tabla.

EQUIVALENCIAS
Las equivalencias mostradas
en la tabla 1, se dan para transistores en funcin de la potencia
del amplificador y la tensin de la
fuente.

NPN

hasta 5W.........................................BD135
.........................................................BD137
.........................................................BD139
de 5 a 10 watts ..............................BD233
.........................................................BD329
..........................................................TIP29
de 10 a 15 watts............................BD433
.........................................................BD435
.........................................................BD437
de 15 a 25 watts............................BD675
..........................................................TIP31
.........................................................BD677
..........................................................TIP41

PNP
BD136
BD138
BD140
BD234
BD330
TIP30
BD434
BD436
BD438
BD676
TIP32
BD678
TIP42

Vce
45
60
80
45
20
40
22
32
45
45(D)
40
60(D)
40

(D) Darlington
Los valores dados son por canal.
Para potencias mayores siempre es aconsejable usar los originales.

Mediciones que Requieren Precisin

l potencimetro es un instrumento para la medida de

fuerzas electromotrices desconocidas o de una diferencia
de potencial comparada en un
todo o en parte con una diferencia de potencial conocida, producida por el flujo de una corriente conocida en una red circuital de caractersticas conocidas.
Bsicamente estn constituidos por divisores resistivos de ten-

Fig. 1

sin y una tensin estable y conocida con precisin, la que est

dada por una pila patrn.
Veamos un circuito simple, fig.
1, se logra la compensacin
cuando un galvanmetro conectado en el circuito del elemento E
no da desviacin alguna.
Entonces la f.e.m. del elemento compensado es igual a
la tensin U entre los puntos A y
B. Si R es la resistencia existente
entre dichos puntos, e I la inten-

sidad de la corriente, se sigue IR

= E (en volt).
Ahora bien, esta ecuacin
puede aprovecharse de diversos modos, por ejemplo, partiendo de E y R, se podra determinar la intensidad I, es decir:
podra aprovecharse la conexin para contrastar un ampermetro, o bien, midiendo I y R determinar E.
Sin embargo, en la medida de
fuerzas electromotrices se procede generalmente as: se conectan sucesivamente el elemento a
estudiar E y el normal de f.e.m. E,
y se compensan.
Entonces se obtienen dos
ecuaciones:
Ex = Ix . Rx y En = In . Rn
de las cuales se deduce:
Ex
Ix . Rx
=
En
In . Rn
En la prctica se deja I o R
constante durante las dos compensaciones y entonces se tiene:

152

Captulo 10
Ex
Rx
=
En
Rn

Fig. 2

Si el contacto C se encuentra
despus de la primera compensacin en la divisin 1, y despus de
la segunda, en la 1, las resistencias
R y R, comprendidas entre los
puntos de derivacin, sern proporcionales a las longitudes del hilo 1 y 1, es decir:
Rx
1x
=
Rn
1n

Ex
Rx
=
En
Rn
tambin:
Ex
Ix
=
En
In
En el primer supuesto est fundado el mtodo de compensacin de Dubois-Reymond y en el
segundo, el de Poggendorf.
Finalmente, ambos mtodos
pueden emplearse sucesivamente en una misma medida, como
se hace con los aparatos de compensacin.

M
DE

COMPENSACI N
DUBOIS-REYMOND

TODO DE

Los dos elementos, E y E, variando la resistencia colocada entre los puntos de derivacin y dejando constante la intensidad I de
la corriente, deben compensarse
uno despus del otro.
Al variar la resistencia R no debe introducirse variacin alguna
en la resistencia total del circuito
A E B A, fig. 2. El modo ms cmodo para conseguir eso es efectuar
la medicin con un puente de hilo, suponiendo que el punto de
corredera sea el punto de derivacin.
Desplazando el contacto vara
la resistencia R, sin variar la resistencia total. Segn lo dicho, se
conectar un elemento constante E, normalmente un acumulador, a los extremos del hilo calibra-

do, y se conecta el elemento a

medir E o el normal E entre uno de
los extremos del hilo y el contacto
de corredera C.
En el circuito de compensacin se conecta, adems, un galvanmetro GD y una resistencia
de proteccin RA; desplazando el
contacto C, los dos elementos se
compensan.
El cambio de E por E puede
conseguirse por medio de un conmutador c. La corriente I, que pasa por el hilo en las dos posiciones
del contacto, correspondientes a
las dos compensaciones, debe
ser la misma, porque las lecturas
se hacen solamente cuando por
el galvanmetro no pasa corriente.
Segn lo dicho anteriormente,
las dos fuerzas electromotrices E y
E son proporcionales a las resistencias r y R, comprendidas entre los
puntos de derivacin A y C o C,
respectivamente; por tanto:

y, por consiguiente, se tendr

tambin,
Ex
Ix
=
En
In
o sea:
Ix
Ex = . En
In
En este mtodo, ni la resistencia interna del acumulador E, ni 1
de las conexiones tienen influencia alguna, ya que intervienen en
las frmulas.
Supongamos que tenemos
una pila patrn de 1,01874V, y en
las medidas se ha encontrado
que 1 = 84 cm y que 1 = 62 cm.
Aplicando la ltima frmula tenemos:
84
Ex = . 1,01874 = 1,38023V
62

Fig. 3

153

Primeras Reparaciones en Equipos Transistorizados

M
DE

COMPENSACI N
POGGENDORF

TODO DE

E1
En
Ix = =
Rx + R
R

tensin sobre una resistencia de

bajo valor y de valor conocido
con exactitud. Fig. 4.
Las medidas de resistencia se
Dividiendo ambas ecuaciones efectan por comparacin de
obtenemos:
tensiones, medidas con el potencimetro. Fig. 5. La resistencia a
1x
Rn + R
Ex
medir se conecta en serie con
= =
una resistencia normal R, del misIn
Rx + R
En
mo orden de magnitud y se enva
por ambas una corriente de intende donde deducimos:
sidad I adecuada.
Rn + R
Medimos con el potencimeEx = . En (volt)
tro, la cada de tensin sobre caRx + R
da una y obtenemos:

En este mtodo se deja invariable la resistencia R entre los

puntos de derivacin y la compensacin se efecta variando la
intensidad de la corriente.
Para ello se conecta entre dichos puntos una resistencia cuyo
valor simplifique los clculos, por
ej. de 1.000 ohm y en el circuito
del acumulador una caja de resistencias de precisin (vea la figura
3 de la pgina anterior). Al compensar el elemento normal En, la
Los resultados obtenidos por
resistencia que se encuentra en el
este procedimiento no son indecircuito principal ser:
pendientes de la resistencia del
acumulador E ni de las conexioE1
En
nes, porque ellas se encuentran
In = =
incluidas en Rn y R. Sin embargo,
Rn + R
R
cuanto mayor sea el valor de R,
Al compensar E se ha obteni- tanto mayores habr que hacer
do una resistencia r; conservando que sean los valores de Rn y R. Si
la misma resistencia r de antes, se stos son lo bastante grandes, en
comparacin con los de aquellas
tendr:
resistencias, puede despreciarse
su influencia.
Fig. 4
Estos mtodos
tambin pueden
utilizarse en la medida de corriente
continua y de resistencias. En el
caso de corriente
lo que se hace es
medir la cada de

Fig. 5

154

U = IR y U = IR
Dividiendo ordenadamente,
deducimos:
Ux
Rx
=
Un
Rn
o sea
Ux
Rx = . Rn
Un
Como elemento indicador de
equilibrio es necesario usar instrumentos de bobina mvil de muy
alta sensibilidad; para ello se utilizan imanes muy potentes y bobinas mviles, suspendidas por medio de cinta tensa, para eliminar
la friccin de los pivotes. Adems,
en muchos casos se obtiene un
aumento muy grande de la sensibilidad, si se reemplaza la aguja
por un pequeo espejo, sobre el
cual se proyecta un haz de luz, el
que se refleja sobre una escala
translcida. Esto es equivalente a
una aguja de ms de un metro de
longitud.
Si bien no es probable que nos
encontremos con estos tipos de
instrumentos de medicin, y a
pesar de ser mtodos desarrollados hace muchos aos, estos
aparatos an se encuentran en
uso en los laboratorios de grandes empresas y, si bien hoy es posible conseguir voltmetros digitales de seis cifras o siete, debemos
tener en cuenta que no existe
otra posibilidad que el potencimetro y la pila patrn para su calibracin.

Captulo 10

Dispositivos Electrnicos de Memoria

DISPOSITIVOS DE MEMORIA

Fig. 1

A los elementos que permiten

retener informacin para su posterior uso o reproduccin, se les
llama dispositivos de memoria.
En este sentido, cualquier medio
que permita registrar informacin, como una hoja de papel,
una tarjeta perforada, una cinta
magntica, un disco compacto o
un circuito electrnico son, por
ese hecho, dispositivos de memoria.
En la tecnologa electrnica, datos que le permiten a este r- te ligado al desarrollo de los sistelos dispositivos de memoria se gano vital tomar decisiones.
mas de cmputo, aunque el pripueden clasificar en dos grupos:
mer elemento de memoria conocido tena ms bien una funcin
1) Los que se utilizan para graAPLICACIONES DE LOS CIRCUITOS
de control; nos referimos a las tarbar y reproducir informaci n de
DIGITALES DE MEMORIA
jetas de madera perforadas, un
uso final.
invento del francs J. Marie Jac2) Los que se emplean para
En la electrnica moderna, los quard que permita controlar el
grabar y reproducir informaci n circuitos de memoria cada vez patrn de tejido de los telares
de uso intermedio.
tienen mayor presencia. Se los mecnicos, y el cual data de
aplica en computadoras, televi- 1805.
En el primer grupo encontra- sores, videograbadoras, reproA finales del siglo XIX, el normos al disco compacto de audio ductores de CD, videojuegos, e teamericano Hermann Hollerith
digital, al CD-ROM, a los video- incluso en lavadoras automti- aprovech el principio de tarjetas
cassettes en sus diversas modali- cas, calculadoras de bolsillo y re- perforadas para manejar las cidades, al disco lser de video, lojes de cuarzo. Su funcin con- fras del censo de Estados Unidos
etc. En el segundo grupo se inclu- siste en almacenar instrucciones, de 1890, tarea que pudo llevar a
yen a las memorias electrnicas operaciones, resultados de ope- cabo en tan slo dos aos y meen circuito integrado, a los discos raciones aritmticas y lgicas, dio, cuando antes tomaba ocho
duros de computadora, etc.
etc., ya sea de manera temporal o ms aos. Con el paso del tiemY aunque sta no es una clasi- o definitiva, para luego reutilizar po, Hollerith particip en la creaficacin muy tcnica, la emplea- esta informacin en la ejecucin cin de la Computing Tabulating
mos para distinguir entre el tipo de alguna instruccin subsecuen- Recording Company, empresa que
de informacin de usuario pro- te. Fundamentalmente, la aplica- en 1957 dio origen a la Internatiopiamente dicha, de la informa- cin de circuitos de memoria tie- nal Business Machines Corporation,
cin que se utiliza para apoyar la ne que ver con sistemas electr- mejor conocida por sus siglas:
operacin de sistemas electrni- nicos donde se procesan datos, IBM.
cos que procesan datos para un se toman decisiones lgicas, se
A principios del siglo XX se dedeterminado fin. Por ejemplo, es lleva un control de determinados sarrollaron las primeras calculadistinta la informacin musical eventos, se guarda cierto estado doras elctricas, cuya operacin
que se graba en un CD, de la in- de las cosas como referencia fu- se basaba en la apertura y cierre
formacin correspondiente al sis- tura, etc. Es decir, se emplean en de un gran nmero de relevadotema operativo que se almacena registros de control y de almace- res, cada uno de los cuales funen los circuitos de memoria RAM namiento que apoyan el funcio- cionando como unidad de mede una computadora, aunque namiento de circuitos y subsiste- moria de un dato elemental. Ya
en ambos casos se trate de datos mas especficos en computado- en los aos 40s, con la aparicin
en forma de bits.
ras, audio, video, sistemas de de la ENIAC, la primera computaDesde esta perspectiva, po- control, etc. (figura 1).
dora completamente electrnidramos comparar a los dispositica, surgieron las primeras memovos que se emplean para grabar
rias construidas con vlvulas de
y reproducir informacin de uso
NOTA HIST RICA
vaco (bulbos). Pero como la inintermedio, con aquellas porcioformacin almacenada se pernes del cerebro humano que alEl surgimiento de los dispositi- da irremediablemente en cuanto
macenan los recuerdos u otros vos de memoria est ntimamen- se apagaba la mquina, los da-

155

Primeras Reparaciones en Equipos Transistorizados

Fig. 2
tos se almacenaban en una cinta
perforada de papel como un
medio de memoria permanente.
Es importante mencionar que
los dispositivos de memoria tuvieron un impulso en su desarrollo,
precisamente en los aos 40s,
cuando se sent el modelo terico en el que se basaran los diseos de las computadoras. En
efecto, en 1944 John Von Neumann propuso la idea de introducir en la memoria de trabajo de la
mquina tanto el programa a
ejecutar como los datos a procesar. Desarrollos posteriores permitieron disear memorias ms
compactas , como la de anillos
magnticos, basada en una red
de conductores elctricos en forma de matriz, con sendos anillos
de material ferromagntico en
cada unin. Sin embargo, fue
con el advenimiento de los transistores que se pudo disear una
nueva generacin de memorias
electrnicas, significativamente
ms pequeas, con una mayor
velocidad de respuesta y una
operacin general mucho ms
confiable.
A fines de los aos 50s, con el
desarrollo de la tecnologa planar
por parte de la compaa Fairchild, fabricante de semiconductores, surgieron los primeros circuitos integrados, en los cuales se
empaquet una gran cantidad
de componentes en una sola
pastilla de silicio con un encapsulado sencillo.
Las capacidades actuales de
los circuitos de memoria son realmente sorprendentes; por ejemplo, se han anunciado chips capaces de almacenar hasta 16 mi-

156

llones de bytes, lo que significa

que un mdulo de 32MB de RAM
se podra construir con tan slo
dos de estos integrados; y todo
parece indicar que los desarrollos
en este campo seguirn por tiempo indefinido.

T CNICAS DE FABRICACI N
MEMORIAS DIGITALES

DE LAS

Las tcnicas de fabricacin

de las memorias digitales, no difieren sensiblemente de las que
se utilizan en cualquier otro circuito integrado, incluidos los modernos microprocesadores. En efecto, se utiliza tecnologa MOS grabando millones de minsculos
transistores en grandes obleas de
silicio, utilizando para ello mtodos de fotograbado muy similares
a los de la litografa (figura 2). Esto ha permitido la fabricacin de
memorias de capacidad creciente sin que por ello su costo se
incremente (al contrario, tiende a
disminuir considerablemente);
por lo tanto, en la actualidad podemos hablar fcilmente de sistemas de cmputo que poFig.
seen varios millones de bytes de memoria instalada
sin que eso implique un
precio excesivo.

C M O TRABAJA UNA
MEMORIA DIGITAL
Una memoria digital es
un dispositivo que almacena estados lgicos, es decir, 1s y 0s. Para ello, requiere de un sistema de en-

trada de datos, un sistema de direccionamiento de los datos hacia localidades de memoria especficas y un mtodo para recuperar o dar lectura a la informacin ya grabada. Para llevar a
cabo estas funciones, es necesaria la presencia de tres buses independientes, pero que interacten estrechamente entre s: el
bus de datos, el de direcciones y
el de control. Vea en la figura 3
una explicacin grfica de para
qu sirve cada uno de ellos.
Por ejemplo para guardar un
dato especfico en una memoria,
la informacin correspondiente
se coloca en el bus de datos,
mientras que en el de direcciones
se identifica la casilla especfica
donde ser almacenada dicha
informacin; por su parte, en el
bus de control se indica qu se va
a hacer con ese dato (guardarlo,
dejarlo pasar, etc.) Una vez almacenada la informacin, sta permanece en dicha localidad de
memoria tanto tiempo como est
energizado el sistema, y si en un
momento dado se desea leer los
datos, simplemente en el bus de
control se enva una orden de
lectura, en el de direcciones la
ubicacin de la casilla de inters,
y la memoria coloca su informacin en el bus de datos. Este proceso puede repetirse millones de
veces por segundo.

MEMORIAS DE LA FAMILIA ROM

Las primeras memorias semiconductoras que se utilizaron fueron del tipo ROM (Read Only Memory o memoria de s lo lectura).
Como su nombre lo indica, estos

Captulo 10

Fig. 4

dispositivos se disearon para almacenar datos que slo pueden

ser ledos por el usuario, pero no
modificados, lo cual resulta de
gran utilidad en aparatos que
siempre trabajan con las mismas
rutinas o principios; de esta manera, el programa requerido para la operacin de los circuitos involucrados, se graba en una
ROM para que el microprocesador lo ejecute sin variaciones.
A su vez, dentro de la familia
de memorias ROM se encuentran varias categoras. ROM,
PROM, EEPROM y UV-EPROM.
Memorias ROM
Estrictamente hablando, stas fueron las ROM originales. Su
caracterstica principal es que la
informacin queda grabada por
medios fsicos en la pastilla de silicio (por lo general, en forma de
un diodo conectado a un par de
lneas cruzadas).
En la figura 4 se muestra la
configuracin bsica de este
elemento de memoria; observe
que se trata de un arreglo resistencia-diodo en el que se almacena un dato, consistente de

una tensin alta o baja

(bit), dependiendo de si
existe o no un diodo entre
ambas lneas.

Memorias PROM
En este tipo de memorias se utiliza una configuracin similar a la anterior
(resistencias y diodos),
con la diferencia de que
todos los diodos tienen
asociado un fusible, el
cual puede ser fundido
mediante pulsos elctricos en las celdas convenientes, para definir el
arreglo de unos y ceros
correspondientes a la informacin que va a ser almacenada. Ver figura 5.
Por esta capacidad
de programaci n , a tales elementos se les conoce con el nombre de
PROM
(Programmable
Read Only Memory o memoria de s lo lectura proFig. 5 gramable). Y no obstante
que ofrecen un cierto
grado de flexibilidad, una vez
que estas memorias son programadas su informacin ya es permanente, quedando como una
ROM convencional, lo cual es
una desventaja cuando llega a
cometerse algn error en el programa o llega a requerirse determinado cambio funcional, puesto que el circuito ya no puede
reutilizarse.
Memorias EEPROM
El siguiente paso en el desarrollo de las memorias digitales, fue
un elemento capaz de ser programado por el usuario, pero con
la posibilidad de modificaciones
posteriores en la informacin almacenada. A dicho elemento se
le llam EEPROM, por las siglas
de Electrically Eraseable PROM, o
PROM borrable elctricamente.
Como su nombre lo indica, este tipo de memorias estn constituidas por celdas cuya informacin
digital puede ser grabada o borrada por el usuario mediante un
pulso de tensin de caractersticas adecuadas, lo cual es una
gran ventaja en actividades diversas donde se requiere hacer

cambios en los datos o en los programas de trabajo.

Memorias UV-EPROM
El desarrollo ms reciente en
el terreno de las memorias digitales de la familia ROM, es un circuito capaz de ser programado y
posteriormente borrado con extrema facilidad, pero no mediante un pulso elctrico (lo cual en
ocasiones llega a destruir algunas
celdas, dejando inutilizado por
completo al chip), sino mediante
una radiacin intensa de luz ultravioleta, de ah precisamente el
nombre de UV-EPROM (Ultra-Violet Erasable PROM o PROM borrable por ultravioleta).
Este tipo de memorias son las
ms empleadas actualmente en
aplicaciones donde se requiere
un dispositivo de slo lectura, pero lo suficientemente flexible como para poder ser modificado el
programa o los datos contenidos.
Usted las puede identificar por
una ventana en la parte superior, justamente por donde se expone al chip a las emisiones ultravioleta cuando va a ser borrada.

MEMORIAS DE LA FAMILIA RAM

Las memorias ROM satisfacen
una buena parte de las necesidades de tipo informtico y electrnico, pero no todas, especialmente aqullas en las que se requiere almacenar datos o un
programa de manera temporal.
Precisamente, las memorias que
cubren esta necesidad son las
RAM (Random Access Memory o
memoria de acceso aleatorio), de
las cuales existen diversas categoras, a saber: SRAM, DRAM,
VRAM y NOVRAM.
En una memoria RAM es posible escribir, leer, modificar y borrar informacin cuantas veces
se requiera, sin necesidad de recurrir a tcnicas especiales y en
tiempo real , o sea, sin tener que
retirar el circuito para volverlo a
programar, como sucede con las
ROM. La nica desventaja derivada de su propia flexibilidad, es
que slo puede servir de almacn de datos binarios si se encuentra energizada (con su ten-

157

Primeras Reparaciones en Equipos Transistorizados

sin de alimentacin convenientemente aplicado), de tal manera que si se produce un fallo de
energa la informacin se pierde
irremediablemente, lo que no pasa con las ROM.

da y otro para los de salida, permitiendo as que una porcin de

la memoria realice la funcin de
lectura al tiempo que otra lleva a
cabo la funcin de escritura.
Este tipo de memorias se utilizan especialmente en computadoras y otros sistemas donde es
necesario el manejo de video digitalizado, ya que en dichas funciones se requiere una alta velocidad en la transmisin de datos;
y como es muy costosa la fabricacin de memorias convencionales capaces de trabajar a tales
velocidades, los diseadores prefieren aprovechar el recurso de
doble bus.

Memorias SRAM
SRAM corresponde a las siglas
de Static RAM o RAM est tica. Este es un tipo de memoria que almacena la informacin suministrada durante todo el tiempo de
operacin del sistema, sin necesidad de confirmacin o refrescamiento de ella. Este tipo de memorias se utiliza en muy diversas
aplicaciones, sobre todo aquellas
en las que la falta de energa o la
Memorias NOVRAM
rapidez de respuesta sean factoNOVRAM corresponde a las sires crticos (las memorias tipo
SRAM son significativamente ms glas de No-Volatile RAM o RAM no
rpidas que las DRAM).
vol til. Su principal caracterstica
es que combinan el comportaMemorias DRAM
miento dinmico de una RAM
DRAM corresponde a las siglas con la rigidez elctrica de una
de Dinamic RAM o RAM din mica. ROM; esto es, ofrecen la funcin
Es un tipo de memoria que com- de escritura con la posibilidad de
parte muchas caractersticas con retener la informacin almacela SRAM, aunque en este caso s nada una vez que es suspendido
se requieren pulsos de refresco el suministro de energa elctrica,
para confirmar constantemente con la opcin posterior de modifila informacin almacenada en car los datos una y otra vez. Este
tipo de memorias se utilizan en
sus celdas.
La caracterstica principal de muchos aparatos electrnicos de
estas memorias es, adems de su consumo, tal es el caso de algunecesidad de pulsos de refres- nas marcas y modelos de televisoc o , su baja necesidad de transis- res, que a pesar de permanecer
tores para construirlas; slo como apagados y desconectados por
referencia, para almacenar un un tiempo prolongado, al conecsolo bit con una memoria tipo tarlos y encenderlos nuevamente
SRAM es necesario utilizar seis recuerdan el canal en que estatransistores, mientras que para ban sintonizados y el volumen figuardar el mismo bit en una me- nal al que se apag el aparato.
moria tipo DRAM slo se necesita Esto se logra guardando toda esun transistor; por tal razn, este ti- ta informacin precisamente en
po de memoria RAM es la ms una memoria NOVRAM.
empleada en aplicaciones donde se requieran cantidades signiMEMORIAS EN EQUIPOS
ficativas de memoria.
DE AUDIO Y VIDEO
Memorias VRAM
Todos los equipos modernos
VRAM corresponde a las siglas
de Video RAM o RAM de video. Es de audio y video incluyen sisteun tipo de memoria que trabaja mas digitales, ya sea para el conde manera idntica a las memo- trol de funciones, la activacin de
rias DRAM, con la diferencia de bloques de circuitos o para el moque en lugar de utilizar un solo bus vimiento de mecanismos compara la escritura y lectura de da- plejos, etc. A su vez, como base
tos (a fin de ahorrar costos de en- de los microcontroladores, estn
capsulado) disponen de un bus los circuitos de memoria, que
exclusivo para los datos de entra- pueden estar interconstruidos en

158

el propio microcontrolador o alojados de manera externa.

En audio y video, el uso de
memorias tanto del tipo ROM como del tipo RAM es intensivo. Las
primeras almacenan informacin
que nunca vara, mientras que en
las del segundo tipo se almacenan datos que, por su naturaleza,
deben variar; por ejemplo, c m o
es que un radio digital recuerda la
ltima estaci n en que estaba sintonizada al momento de apagar el aparato?
Esto se logra precisamente por
el uso de memorias RAM que graban los datos de la estacin sintonizada, para lo cual una batera
o condensador de respaldo la
mantiene alimentada mientras el
equipo est apagado. Por lo tanto, cuando nos enfrentemos a un
radio, un televisor o cualquier otro
aparato que cada vez que es
apagado olvida la informacin
previa, lo ms probable es que se
trate de algn problema en el dispositivo de respaldo a la alimentacin de la memoria RAM.
Pero existen casos especiales
que deben mencionarse, debido
a que se han convertido en un
problema para muchos tcnicos
en electrnica.
Quien se dedica a esta actividad, seguramente ya est familiarizado con la nueva generacin de televisores, videograbadoras y equipos modulares, en los
que se les han eliminado por
completo los tradicionales ajustes
por potencimetros, reemplazndolos por ajustes digitales realizados ya sea con el control remoto
o con el teclado del panel frontal.
Pues bien, todos estos ajustes
suelen almacenarse en una memoria del tipo EEPROM, en la que
se graba un nuevo valor que cada vez que se modifica un ajuste,
informacin que permanece aun
si se apaga el equipo o es desconectado de la lnea de alimentacin. Sin embargo, en el caso de
los televisores, como se manejan
altas tensiones, este tipo de memorias con frecuencia resultan
daadas, perdiendo su informacin o modificando algn parmetro fuera de sus lmites de operacin normal.

Captulo 10
MEMORIAS EN COMPUTADORAS PC
Por su funcin en una computadora PC, los tipos de memoria
que podemos encontrar son:
RAM
Siempre que se habla genricamente de la memoria RAM de
un sistema, se est hablando especficamente de aquella memoria que ser utilizada como
medio de almacenamiento temporal principal para el microprocesador. Es decir, el lugar donde
las aplicaciones y los archivos de
trabajo se cargan desde disco
duro y quedan a disposicin del
CPU para su utilizacin inmediata.
A este tipo de memoria tambin
se le llama DRAM o RAM dinmica, debido a que para mantener
su informacin por perodos prolongados de tiempo, es necesario
aplicar unos pulsos de refresco
peridicamente, ya que de lo
contrario los bits se desvaneceran.
Cach
Se llama as a un pequeo bloque de memoria de rpido acceso, que sirve como puente entre
una memoria RAM lenta y un microprocesador rpido. Esta memoria es muy costosa, y de forma

tpica un sistema tiene tan slo

entre 256 y 512kB de cach. A este tipo de memoria tambin se le
denomina SRAM, siglas de Static
RAM o RAM esttica; y su diferencia principal con la RAM comn
es que esta memoria no necesita
de pulsos de refresco peridicos
para mantener su informacin.

CMOS-RAM
Se trata de un tipo de memoria RAM construida con una tecnologa especial, tpica por su bajsimo consumo de potencia. Este
bloque se aadi a la plataforma
PC a partir del estndar AT, donde se introdujo un reloj de tiempo
real, adems de la utilera de Setup o configuracin, la cual tambin debe mantenerse al cortar
la alimentacin. Esta memoria se
mantiene con energa de forma
permanente gracias a una pequea batera recargable o a
una pila de litio, que le enva
energa mientras la computadora
Fig. 2
est apagada.

ROM
Memoria de slo lectura, donde se almacenan las rutinas bsicas de entrada y salida (el BIOS),
adems de las pruebas y cdigos
POST. La caracterstica principal
de este tipo de memoria es que
pueden mantener por tiempo indefinido una informacin, incluso
despus de que se ha retirado la
Memoria de video
alimentacin al sistema; lo cual la
Desde la aparicin del estnhace idnea para guardar informacin que por su naturaleza no dar VGA, fue necesario incorporar a la tarjeta encargada del
precise cambios.
despliegue una cierta cantidad
Memoria Flash
de RAM, para facilitar el manejo
Este es un nuevo desarrollo de los grficos en el monitor, al
que ha permitido la produccin tiempo que se descarga a la mede una memoria que para fines moria principal del trabajo de
prcticos se comporta como una manejar los datos de video. Esta
RAM y una ROM al mismo tiempo; memoria se encuentra adosada
esto es, puede variarse la infor- en la tarjeta respectiva, y de formacin que contiene, pero es ma tpica encontramos desde
capaz de mantenerla incluso 256kB hasta las modernas tarjetas
cuando se ha retirado la alimen- con 2,4MB o ms de RAM de vitacin al sistema.
deo.

Scorpion 2: Microtransmisor de FM de Gran Alcance

on muy conocidos los circuitos

transmisores de FM de reducido tama o, utilizados como
elementos de vigilancia (esp a), los
cuales deben tener un alcance considerable y estabilidad en frecuencia aceptable. Sin embargo, estos
dispositivos suelen emplear circuitos integrados que a veces no son
f ciles de conseguir. Presentamos
un transmisor que combina las caracter sticas del Scorpion , publicado en la revista Saber Electr nica
N 1, con las del Tx de FM de Saber
Electr nica N 102, lo que da como
resultado un aparato confiable y de
bastante buena estabilidad, con un
alcance promedio de 70 metros.
En la revista Saber Electrnica

N 1 se public el microtransmisor
Scorpion , un circuito que puede armarse dentro de una caja

de fsforos y que tiene un alcance de unos 50 metros. Luego, en

Saber N 102 dimos el circuito de

Fig. 1

159

Primeras Reparaciones en Equipos Transistorizados

un transmisor que
puede ser empleado
en conferencias, como micrfono sin cables con etapa mezcladora.
En este tomo brindamos el esquemtico de un micrfono
de FM que pueda
transmitir a distancia
diferentes fuentes de
seal, como si fueran
varios micrfonos direccionales, cercanos a nuestro microtransmisor, que apuntan a diferentes ngulos con el objeto
de cubrir los 360 de
una habitaci n .
El circuito es muy sencillo y
puede incluir ms fuentes de seal. Slo basta con ampliar el esquema de la figura 1, con el
agregado de tantos conectores,
potencimetros y resistencias como sean necesarias (siempre respetando el esquema propuesto).
La bobina L1 consiste en 4 espiras de alambre esmaltado de
0,5 mm de dimetro, bobinadas
sobre una forma de 1 cm sin ncleo.
El trimer Cv puede tener capacidades mximas comprendidas entre 30 y 80pF (trimer comn).
El potencimetro conectado
en el colector de Q1 permite ajustar el nivel de modulacin, en
funcin de las fuentes de seal.
Dicho componente debe ajustarse para que no existan distorsiones e interferencias que puedan
perjudicar la calidad de la transmisin.
Por otra parte, el potencimetro conectado entre colector de
Q1 y la etapa mezcladora, permite regular el nivel de realimentacin con el objeto de asegurar

macin. Dicho transistor cumple las funciones combinadas de

modulador y amplificador de RF.
Si posee dificultades en conseguir una
oscilacin
estable,
puede bajar el valor
de C8 e, incluso, retirarlo del circuito.
Construido el aparato, se debe colocar
una antena formada
por un cable de unos
10 cm de largo y se
debe proceder al ajuste, se variar la posiFig. 2 cin de Cv hasta captar la seal en un sintouna oscilacin estable para la fre- nizador, en la frecuencia.
cuencia con que se ajuste el
transmisor.
Cabe aclarar que este circuito
fue probado en toda la banda LISTA DE MATERIALES
de FM comercial, para obtener el
mejor desempeo en frecuencias Q1 - BC548C - Transistor NPN.
cercanas a los 85MHz. Para fre- Q2 - BF494B - Transistor NPN de RF.
cuencias del orden de los P2 - Pot. logar tmicos de 100k
100MHz, la mejor estabilidad se R2 - 100k
consigui cuando la bobina L1 R5 - 1M5
tena 3 vueltas y media bobina- R6 - 1k
das sobre una forma de cartn R7 - 33k
de 1 cm de dimetro (en realidad R8 - 18k
sin forma) con una longitud total R9 47
de 7 mm.
R10 - Pot. de 2M2
Si la transmisin es ruidosa , P5 Pot.de 10k
conviene retocar el valor de C7, L1 - Ver texto
se colocar, en su lugar, otro C1 - 220nF
componente de 22nF.
C2 - 10 F x 12V
El funcionamiento del circuito C3 - 10 F x 12V
es sencillo; las diferentes fuentes C4 - 4,7nF - Poli ster.
de seal se aplican a la base del C5 - 4,7nF NPO
transistor Q1 con un nivel que C6 - 100nF - Cer mico
puede ajustarse por medio de C7 - 10nF - Poli ster
cada potencimetro de entrada. C8 - 1nF - Poli ster (opcional)
Q1 cumple la funcin de am- Cv - Trimer com n de 80pF
plificar y ecualizar las seales entrantes para ser aplicadas al tran- Varios
sistor BF494B que cumple la fun- Placas de circuito impreso, gabicin de generar la portadora que nete para montaje, estao, caser modulada en FM por la infor- bles, etc. *******************

Es una publicacin de Editorial Quark, compuesta de 24 fascculos, preparada por el Ing. Horacio D. Vallejo, contando con la colaboracin de docentes y escritores destacados en el mbito de la electrnica internacional.
Los temas de este captulo fueron escritos por Horacio Vallejo y la colaboracin de Leopoldo Parra Reynada.

Editorial Quark SRL - Herrera 761, (1295), Bs. As. - Argentina - Director: H. D. Vallejo

Captulo 10

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