Documentos de Académico
Documentos de Profesional
Documentos de Cultura
Problemas Resueltos Electronica PDF
Problemas Resueltos Electronica PDF
Introduccin a la Electrnica
Juan A. Carrasco
Departament dEnginyeria Electrnica
Universitat Politcnica de Catalunya
II
Prefacio
La presente coleccin de problemas resueltos abarca todos los contenidos tericos de la asignatura Introduccin a la Electrnica, tal y como es impartida en la Escuela Tcnica Superior de
Ingeniera Industrial de Barcelona, de la Universidad Politcnica de Catalua relacionados con el
anlisis de circuitos. Se espera que la coleccin sea un instrumento til para el estudio de dicha
asignatura y que pale el dficit crnico de resolucin de problemas en clase, que siempre ha
existido en dicha asignatura, debido el reducido nmero de horas lectivas disponibles.
En la resolucin de todos los problemas de anlisis de circuitos se usa, por defecto, el habitual
sistema consistente de unidades V, mA, k, que hace que los valores numricos que tpicamente
aparecen en la resolucin de dichos problemas no disten muchos rdenes de magnitud de la
unidad.
Unos ltimos comentarios. Es sabido que los circuitos lineales pueden no tener solucin o tener
infinitas soluciones. Todos los circuitos lineales comprendidos en los problemas de la coleccin
tienen solucin nica.
De modo similar, los circuitos con diodos modelados con modelos lineales a tramos pueden no
tener solucin o tener infinitas soluciones. Un ejemplo de circuito con diodos sin solucin es:
3V
2V
donde el diodo se supone ideal. En efecto, la hiptesis diodo en ON conduce a un circuito sin
solucin, pues la fuente de tensin de valor 3 V queda conectada a la fuente de tensin de valor 2 V. Por otro lado, la hiptesis diodo en OFF conduce a una tensin nodo-ctodo positiva
(1 V), no cumplindose la condicin de estado del diodo. Un ejemplo de circuito con infinitas
soluciones es el circuito del problema 25 con vi = 2 V. Tal y como se razona en la resolucin
de dicho problema, con esa vi la corriente i vale 0 y los dos diodos estn en OFF. El valor de
la tensin nodo-ctodo de D1 puede tomar, sin embargo, cualquier valor dentro del intervalo
[2,7, 0,7], pues, siendo vAK1 y vAK2 las tensiones nodo-ctodo de, respectivamente, D1 y
D2, cualquiera de esos valores es compatible con vAK1 0,7, 4,7 vAK2 0,7 y vAK1
vAK2 = 2. Todos los circuitos con diodos considerados, con la excepcin antes comentada,
tienen solucin nica. Los problemas correspondientes, sin embargo, son resueltos suponiendo
Prefacio
IV
que el circuito puede no tener solucin. Es decir, se da por terminado el anlisis del circuito
cuando se determina una combinacin de estados para los diodos para la que el circuito lineal
resultante tiene solucin y se cumplen las condiciones de estado de cada diodo.
Los circuitos con transistores presentan una problemtica ms rica. Dichos circuitos admiten un
nmero finito de soluciones. Esa posibilidad es de hecho aprovechada para disear biestables,
circuitos con dos soluciones (estados). La siguiente figura muestra un biestable constituido por
dos BJTs.
5V
R
Q1
R
Q2
Es fcil comprobar que con VBE ,u = VBE ,act = VBE ,sat = 0,7, VCE ,sat = 0,2 y un valor
suficientemente elevado del parmetro de los BJTs, caben dos soluciones: en una de ellas Q1
est en CORTE y Q2 est en SATURACIN; en la otra Q1 est en SATURACIN y Q2 est
en CORTE. Todos los circuitos con transistores analizados en los problemas de la coleccin
tienen solucin nica dentro del dominio para el comportamiento en continua de los dispositivos
cubierto por los modelos utilizados para los transistores (VCE 0 para los BJTs npn, VEC 0
para los BJTs pnp, VDS 0 para los MOSFETs de canal n, y VDS 0 para los MOSFETs
de canal p). Sin embargo, al igual que en los problemas de anlisis de circuitos con diodos,
la resolucin de problemas de anlisis de circuitos con transistores se hace aceptando que el
circuito pudiera no tener solucin dentro del dominio para el comportamiento en continua de
los dispositivos cubierto por los modelos utilizados para los transistores. Es decir, se da por
concluido el anlisis del circuito cuando se encuentra una combinacin para los estados (zonas
de trabajo) de los transistores para la que el circuito lineal resultante tiene solucin y se cumplen
las condiciones de estado de cada dispositivo.
Captulo 1
+
V
I
V = VT ln 1 +
IS2
109
= (0,0259) ln 1 +
2 108
= 0,001264 = 1,264 mV .
Resulta 5 V = 5 0,001264 = 4,999, que es 0,0259. As pues, los valores calculados para
V e I son correctos.
Problema 2: Los diodos D1 y D2 del siguiente circuito tienen corrientes inversas de saturacin
IS1 = 1012 A e IS2 = 8 1012 A, respectivamente, y un parmetro = 1. Analice el circuito
y determine I1 e I2 .
I1
1 A
I2
D1
D2
Solucin: Llamando VAK a la tensin ando-ctodo comn a los dos diodos, tenemos
I1 = IS1 eVAK /VT 1 ,
I2 = IS2 eVAK /VT 1 ,
de donde,
IS1
109
I1
=
=
= 0,125 .
I2
IS2
8 109
Aplicando la primera ley de Kirchoff al nodo al que estn conectados los nodos de los dos
diodos, obtenemos 103 = I1 + I2 , y usando la relacin anterior entre I1 e I2 ,
103 = 0,125I2 + I2 = 1,125I2 ,
de donde
I2 =
103
= 8,889 104 = 0,8889 A .
1,125
D2 +
V
V
V
= IS2 eV /VT 1 + ,
R
R
y, sustituyendo valores,
V
3 108 = 109 eV /0,0259 1 + 4 ,
10
que da
3 104 = 105 eV /0,0259 1 + V ,
V = 3 104 105 eV /0,0259 1 .
Dicha ecuacin trascendente tiene la forma V = f (V ). Para resolverla, usamos una iteracin
de punto fijo Vk+1 = f (Vk ). Con V1 = 3 104 , se obtiene V2 = 2,999 104 , V3 =
2,999 104 . As pues, una solucin de la ecuacin es V = 2,999 104 V = 0,2999 mV. Se
puede argumentar que dicha solucin es nica observando que
df
105 V /0,0259
=
e
= 3,861 106 eV /0,0259 < 0 .
dV
0,0259
Entonces, al hacerse V mayor a 2,999 104 , f (V ) se har menor, haciendo imposible que
para valores mayores a 2,999 104 se pueda verificar V = f (V ). De modo similar se puede
razonar que no se podr verificar V = f (V ) para valores menores a 2,999 104 . La solucin
encontrada para V verifica 5 V = 5,000, que es 0,0259, como se haba supuesto. Falta
calcular I. Usando la ecuacin del diodo D2 se obtiene
4
I = IS2 eV /VT 1 = 109 e2,99910 /0,0259 1
= 1,165 1011 mA = 1,165 1014 A .
Problema 4: Utilizando para el diodo el modelo diodo ideal, analice el siguiente circuito y
determine I1 , I2 y V .
10 V
10 k
V
I1
I2
9,9 k
10 V
Solucin: Supondremos que los dos diodos estn en ON. Se obtiene el circuito
10 V
10 k
A
I2
K
I1
I1 + I2
A
K
9,9 k
10 V
10 9,9 I2
10 (9,9)(1)
=
= 0,01010 ,
9,9
9,9
que tambin es 0. As pues, los estados supuestos para los diodos son correctos, I1 =
0,01010 mA, I2 = 1 mA y V = 0.
Problema 5: Utilizando para el diodo el modelo diodo ideal, analice el siguiente circuito y
determine los valores de I1 , I2 , I3 y V .
30 V
I1
10 k
I2
V
I3
20 k
20 k
Solucin: Calculando el equivalente de Thvenin del dipolo formado por la fuente de tensin de
valor 30 V y las resistencias de la izquierda, que tiene como salidas los extremos de la resistencia
de valor 20 k, se obtiene una tensin de Thvenin
Vth =
20
30 = 20 V
10 + 20
(10)(20)
= 6,667 k .
10 + 20
20 V
20 k
Analizando dicho circuito es fcil deducir que el diodo estar en ON y calcular el valor de la corriente I2 . En efecto, el punto de trabajo (VAK , I2 ) del diodo estar en la interseccin del modelo
lineal a tramos del diodo y la recta de carga cuya ecuacin se obtiene aplicando la segunda ley
de Kirchoff:
20 = 6,667I2 + VAK + 20I2 = 26,67I2 + VAK .
Grficamente, tenemos:
I2
20
= 0,7499 mA
26,67
20 V VAK
I1
10 k
I2
A K
I3
20 k
V
20 k
Por simetra,
I3 = I2 = 0,7499 mA .
Finalmente, aplicando la primera ley de Kirchoff al nodo conectado al nodo del diodo,
I1 = I2 + I3 = 0,7499 + 0,7499 = 1,500 mA .
Problema 6: Utilizando para el diodo el modelo con tensin nodo-ctodo nula para corrientes directas y tensin ctodo-nodo igual a 5 V para corrientes inversas, determine la funcin de
transferencia vo = F (vi ) del siguiente cuadripolo.
10 k
+
vi
10 k
vo
Solucin: Supondremos cada uno de los tres estados posibles para el diodo Zener y determinaremos, para cada uno de ellos, el intervalo de tensiones vi para el cual el diodo est en el estado y
la relacin entre vo y vi .
Para el estado ON, se obtiene el circuito
i1 + i2
10 k
+
i1
vi
i2
10 k
vo
vi
.
10
vi
0,
10
vi 0 .
As pues, para vi (, 0], el diodo est en ON y vo = 0
Para el estado OFF, se obtiene el circuito
10 k
+
+
vi
vAK
K
+ A
10 k
vo
vi
10
vi = .
10 + 10
2
5V
i2
10 k
vo
vi 10
.
10
10
vi
Problema 7: Utilizando para el diodo el modelo con tensin umbral VD0 = 0,7 V, analice el
circuito de la figura y determine los valores de la corriente directa I y la tensin nodo-ctodo
VAK del diodo.
5 k
5V
1 k
5 k
5V
1 k
+
VAK
La condicin a verificar es VAK 0,7. Aplicando la frmula del divisor de tensin, se obtiene
VAK =
1
5 = 0,8333 ,
1+5
que es > 0,7. Por lo tanto, el diodo no est en OFF. Supongamos que el diodo est en ON. Ello
conduce al circuito
I + I
5 k
I
5V
+
I
A
1 k
0,7 V
VAK
Problema 8: Utilizando para el diodo el modelo con tensin umbral VD0 = 0,7 V y resistencia
incremental en conduccin directa rD = 1 , analice el circuito de la figura y determine los
valores de la corriente directa I y de la tensin nodo-ctodo VAK del diodo.
100 mA
10
Solucin: Empezaremos suponiendo que el diodo est en OFF. Ello conduce al circuito
100 mA
10
A+
K
VAK
10
VAK = (0,01)(100) = 1, que es > 0,7. Por tanto, el diodo no est en OFF. Supongamos que el
diodo est en ON. El circuito resultante es
N
I
A
I
100 mA
1
10
K
0,7 V
100 1
700 10
300
=
= 27,27 ,
11
1
1
1 10
que es 0. As pues, el diodo est en ON e I = 27,27 mA. La tensin nodo-ctodo resulta valer
VAK = 0,7 + 0,001 I = 0,7 + (0,001)(27,27) = 0,7273 V.
Problema 9: Utilizando para los diodos el modelo con tensin umbral VD0 = 0,7 V, analice el
siguiente circuito y determine I.
10 k
D1
5V
1 k
D2
11
VAK1 = 5, que no es 0,7 V. As pues, el diodo D1 no est en OFF. Supongamos que el diodo
D1 est en ON y que el diodo D2 est en OFF. Se obtiene el circuito
I
10 k
A
0,7 V
5V
K
+
VAK2
K
1 k
5 = 11I + 0,7 ,
I=
5 0,7
= 0,3909 ,
11
10 V
I1
10 k
1 k
D1 I2
D2
12
diodos por los circuitos equivalentes correspondientes a esos estados, se obtiene el circuito
I1 + I2
1 k
I1
10 V
10 k
1 k
K I2
10
0,7 V
K
20
5V
A
I1 =
11,01
1
1
2,02
I2 =
13,79
=
= 0,6492 ,
21,24
5 I1
5 0,6492
=
= 2,154 .
2,02
2,02
Tanto I1 como I2 son 0. As pues, el diodo D1 est en ON, el diodo D2 est en RUPTURA,
I1 = 0,6492 mA e I2 = 2,154 mA.
Problema 11: Utilizando para el diodo D1 el modelo con tensin umbral VD0 = 0,7 V y para
el diodo D2 el modelo con tensin umbral VD0 = 0,7 V y tensin ctodo-nodo igual a 5 V para
13
1 k
D1 I1
200
D2 I2
10 mA
Solucin: Por cada conjunto formado por un diodo y la resistencia que tiene en paralelo ha de
circular una corriente de valor 10 mA. Ello permite el anlisis independiente de esos dos grupos
de elementos. Supongamos que el diodo D1 est en ON. Se obtiene el circuito
I
I1
A
10 mA
1 k
0,7 V
K
I2
K
10 mA
200
5V
A
5
= 25 .
0,2
14
Aplicando la primera ley de Kirchoff al nodo conectado al ctodo del diodo, se obtiene
10 = I + I2 = 25 + I2 ,
I2 = 10 25 = 15 ,
K
VAK2
A
+
I
10 mA
200
Se ha de verificar 5 VAK2 0,7. Por inspeccin, I2 = 0 e I = 10. Por otro lado, aplicando
la ley de Ohm a la resistencia, se obtiene
VAK2 = 0,2 I = (0,2)(10) = 2 ,
que es 5 y 0,7. As pues, el diodo D2 est en OFF e I2 = 0.
Problema 12: Utilizando para el diodo D1 el modelo con tensin umbral VD0 = 0,7 V y para
el diodo D2 el modelo con tensin umbral VD0 = 0,7 V y tensin ctodo-nodo igual a 5 V para
corrientes inversas, analice el circuito de la figura y determine los valores de I y V .
D1
10 k
D2
10 V
+
V
1 k
Solucin: Supongamos que el diodo D1 est en ON. Con el diodo D2 en ON, todas las corrientes
entrantes al nodo al que estn conectados los ctodos de los diodos seran 0, con al menos una
de ellas (la procedente de la resistencia) > 0, lo cual es imposible. Supongamos que el diodo D2
est en OFF. Se obtiene el circuito
0,7 V
A
10 V
K
10 k
I
K
A
VAK2
+
1 k
+
V
15
10 0,7
9,3
=
= 0,8455 ,
11
11
I + I
I
K
K
10 k
5V
A
10 V
I +I
+
V
1 k
5
= 0,5 .
10
Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensin de valor 10 V,
la fuente de tensin de valor 0,7 V, la fuente de tensin de valor 5 V y la resistencia de valor 1 k,
se obtiene
10 = 0,7 + 5 + (1)(I + I ) = 5,7 + I + I = 5,7 + I + 0,5 = 6,2 + I ,
I = 10 6,2 = 3,8 ,
que es 0. Adems, I+I = 3,8+0,5 = 4,3, que tambin es 0. As pues, los estados supuestos
para los diodos son correctos e I = 3,8 mA. La tensin V puede ser calculada aplicando la ley
de Ohm a la resistencia de valor 1 k. Se obtiene
V = (1)(I + I ) = I + I = 3,8 + 0,5 = 4,3 V .
Problema 13: Utilizando para el diodo D1 el modelo con tensin umbral VD0 = 0,7 V y para
el diodo D2 el modelo con tensin umbral VD0 = 0,7 V y tensin ctodo-nodo 5 V en ruptura,
16
1 mA
I1
10 k
I2
2 k
D2
D1
Solucin: Supongamos que el diodo D1 est en estado OFF. Tenemos I2 = 1 mA, implicando
que D2 estar en estado RUPTURA. Entonces, aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla
formada por los diodos y las resistencias, se obtiene
VAK1 = 5 + 2I2 = 5 + (2)(1) = 7 ,
que no es 0,7. As pues el diodo D1 no estar en OFF. Supongamos que el diodo D1 est en
ON y que el diodo D2 est en RUPTURA. Se obtiene el circuito
I1
10 k
1 mA
I2
2 k
K
0,7 V
5V
A
I1 + I2 = 1
10I1 2I2 = 4,3 ,
cuya solucin es
I1 =
1
1
4,3 2
6,3
=
= 0,5250 ,
12
1
1
10 2
I2 = 1 I1 = 1 0,5250 = 0,4750 .
Dado que tanto I1 como I2 son 0, los estados supuestos para los diodos son correctos, I1 =
0,5250 mA e I2 = 0,4750 mA.
17
Problema 14: Utilizando para los diodos el modelo con tensin umbral VD0 = 0,7 V, analice el
circuito de la figura y determine I1 e I2 .
4 k
5V
1 k
I1
1 k
2 k
D1 I2
D2
Solucin: Calculando el equivalente de Thvenin del dipolo constituido por la fuente de tensin
de valor 5 V y las dos resistencias de la izquierda, que tiene como salidas los extremos de la
resistencia de 1 k, se obtienen una tensin de Thvenin
Vth =
1
5=1
4+1
Rth = 4 k 1 =
(4)(1)
= 0,8 .
4+1
2 k
D1 I2
D2
1V
I1
18
I1 + I2
I1
1V
1 k
A
K
I2
2 k
A
0,7 V
0,7 V
I2 =
0,3 0,8
0,3 2,8
0,6
=
= 0,1364 ,
4,4
1,8 0,8
0,8 2,8
1,8 0,3
0,8 0,3
0,3
=
= 0,06818 .
4,4
1,8 0,8
0,8 2,8
Dado que tanto I1 como I2 son 0, los estados supuestos para los diodos son correctos, I1 =
0,1364 mA e I2 = 0,06818 mA.
Problema 15: Utilizando para el diodo D1 el modelo con tensin umbral VD0 = 0,7 V y para el
diodo D2 el modelo con tensin umbral VD0 = 0,7 V y tensin ctodo-nodo igual a la tensin
de ruptura indicada para corrientes inversas, determine la funcin de transferencia vo = F (vi )
19
+
D1
vi
vo
4,7 V
D2
Solucin: Una forma sencilla de analizar el circuito es considerar los posibles valores de la
corriente i:
1 k
+
+
i
D1
4,7 V
D2
vi
vo
El diodo D1 impide que i tome valores < 0. As pues, i 0. Determinemos los valores de vi
para los cuales i > 0 y la relacin entre vo y vi en ese caso. D1 slo podr estar en ON y D2 slo
podr estar en RUPTURA, obtenindose el circuito
1 k
+
i
vi
0,7 V
vo
4,7 V
A
Por inspeccin, obtenemos vo = 4,7 + 0,7 = 5,4. Aplicando la segunda ley de Kirchoff, se
obtiene
vi = (1)i + 0,7 + 4,7 = 5,4 + i ,
i = vi 5,4 .
Imponiendo la condicin i > 0, se obtiene vi > 5,4. As pues, vo = 5,4 para vi > 5,4. Para
vi 5,4, i = 0 y siendo nula la diferencia de tensin en la resistencia de 1 k, se obtiene
20
5,4
vi
Problema 16: Utilizando para el diodo D1 el modelo con tensin umbral VD0 = 0,7 V y para
el diodo D2 el modelo con tensin umbral VD0 = 0,7 V y tensin ctodo-nodo igual a 5 V para
corrientes inversas, analice el circuito de la figura y: 1) determine la funcin de transferencia
vo = F (vi ); 2) suponiendo vi senoidal con amplitud 15 V, determine el valor medio V o y el
valor eficaz Vo,eff de la tensin de salida vo .
D1 10 k
+
vi
+
D2
10 k
vo
21
A
+
vi
vAK1
vAK2
10 k
vo
Se ha de imponer vAK1 0,7 y 5 vAK2 0,7. Las corrientes por todas las ramas del
circuito son nulas y, aplicando la ley de Ohm a la resistencia de la derecha, se obtiene vAK2 = 0,
que es 5 y 0,7. Adems, vo = 0. Por otro lado, aplicando la segunda ley de Kirchoff a la
malla formada por la fuente de tensin de valor vi , los diodos y la resistencia de la izquierda, se
obtiene
vi = vAK1 + 0 vAK2 ,
de donde vAK1 = vi + vAK2 = vi . La condicin vAK1 0,7 se traduce en vi 0,7. As pues,
para vi (, 0,7], los diodos D1 y D2 estn en OFF y vo = 0. Al hacerse vi > 0,7, falla
la condicin de estado del diodo D1, que pasa a ON. En el siguiente intervalo, que empieza en
vi = 0,7, D1 est en ON y D2 en OFF. Se obtiene el circuito
0,7 V
A
K 10 k
i
vi
vAK2
10 k
vo
22
D1 est en ON, D2 est en OFF, y vo = (1/2)vi 0,35. Al hacerse vi > 10,7 el diodo D2
pasa a RUPTURA. En el siguiente intervalo, que empieza en vi = 10,7, D1 est en ON y D2 en
RUPTURA. Se obtiene el circuito
0,7 V
A
K 10 k
i2
i1
vi
+
i
K
10 k
5V
vo
vo
1
vi 0,35
2
0,7
10,7
vi
23
1
=
T
1
vo (t) dt =
2
2
vo ()2 d .
0
Empecemos determinando la forma de vo () usando la forma de vi () y la funcin de transferencia. La siguiente figura la ilustra.
1
vo () = vi () 0,35 = 7,5 sen 0,35
2
15
vi () = 15 sen
10,7
5
0,7
1
/2
= t
(1.1)
De modo similar,
2
Vo,eff
1
=
/2
vo ()2 d .
/2
vo () d ,
I2 =
/2
vo ()2 d .
(1.2)
24
1 = arc sen
0,7
15
10,7 = 15 sen 2 ,
10,7
= arc sen(0,7133) = 0,7942 .
2 = arc sen
15
Evaluemos la integral I1 . Se obtiene
I1 =
=
vo () d +
1
Z 0,7942
/2
vo () d
2
0,04669
Z 0,7942
= 7,5
0,04669
2
0,7942
vo () d +
1
0,7942
0,04669
0,7942
0,04669
= 56,25
/2
vo ()2 d
2
0,7942
56,25 sen2 5,25 sen + 0,1225 d + 19,41
0,7942
0,04669
sen2 d 5,25
0,7942
0,04669
+19,41
sen 2 0,7942
= 56,25
I1
5,856
=
= 1,864 V ,
I2
26,22
=
= 8,346 ,
p
= 8,346 = 2,889 V .
2
Vo,eff
=
Vo,eff
25
Problema 17: Utilizando para los diodos los modelos con tensin nodo-ctodo nula para corrientes directas y tensin ctodo-nodo igual a la tensin de ruptura indicada para corrientes
inversas, analice el circuito de la figura y determine la funcin de transferencia vo = F (vi ).
1 k
+
+
1 k
7V
vi
5V
D2
vo
D1
Solucin: Intuitivamente, parece que para vi el diodo D2 deber estar en ON. Supuesto
D2 en ON, vo valdr 0, implicando que D1 estar en OFF. As pues, supongamos que para
vi , D1 est en OFF y D2 est en ON. Se obtiene el circuito
1 k
+
i
vi
i
1 k
K
A
vo
1 k
vAK1
+
vAK2
+
vo
26
circuito
1 k
+
i
vi
1 k
vAK2
5V
A +
A
K
vo
vi 5
1
5
= vi + .
2
2
2
Utilizando vAK2 = vo , la condicin 7 vAK2 0 se traduce en 7 vo 0, 0 vo
7, y utilizando vo = vi /2 + 5/2, en la condicin 0 vi /2 + 5/2 7, 0 vi + 5 14, 5
vi 9. As pues, para vi [5, 9], D1 estar en RUPTURA, D2 estar en OFF y vo = vi /2 + 5/2.
Al hacerse vi > 9, el diodo D2 pasar a RUPTURA, pues fallar la desigualdad vAK2 7 de
la condicin de estado de D2, permaneciendo D1 en RUPTURA. En el siguiente intervalo, que
empieza en vi = 9, los dos diodos estarn en RUPTURA. Se obtiene el circuito
vo = 5 + (1)i = 5 + i = 5 +
i1 + i2
1 k
+
vi
i1
1 k
vo
K
A
i2
5V
7V
i1 + i2 = vi 7 ,
27
cuya solucin es
vi 5
vi 7
i1 =
2 1
1 1
1
1
2
= = 2,
1
i2 = vi 7 i1 = vi 7 2 = vi 9 .
Las condiciones i1 0 e i2 0 no dejan de cumplirse al aumentar vi dentro del intervalo,
implicando que para vi [9, ) D1 y D2 estarn en RUPTURA y vo = 7. La siguiente figura
representa grficamente la funcin de transferencia vo = F (vi ).
vi 5
+
2
2
vo
vi
7
5
vi
Problema 18: Utilizando para el diodo D1 el modelo diodo ideal y para el diodo D2 el modelo
con tensin nodo-ctodo nula en conduccin directa y tensin ctodo-nodo igual a 7 V para
corrientes inversas, analice el circuito de la figura y determine la funcin de transferencia vo =
F (vi ).
2 k
D1
vi
D2
5 mA
vo
Solucin: Supondremos que para vi , los dos diodos estn en ON. Se obtiene el circuito
2 k
i1
vi
5 mA
i2
K
A
vo
28
2 k
i1
vi
5 mA
vAK2 vo
A
i1
vi
+
i2
K
7 V vo
5 mA
A
29
i1 =
7 vi
.
2
7 vi
3 vi
= + ,
2
2
2
vi
i2
vAK1
K
7 V vo
5 mA
A
vo = vi + 10
10
vi
Problema 19: Utilizando para el diodo D1 el modelo diodo ideal y para el diodo D2 el modelo
con tensin nodo-ctodo nula para corrientes directas y tensin ctodo-nodo igual a la tensin
de ruptura indicada para corrientes inversas, analice el circuito de la figura y determine la funcin
30
de transferencia vo = F (vi ).
1 k
D1
+
2 k
5 k
vo
vi
3V
5V
D2
Solucin: Intuitivamente, parece que para vi los dos diodos estarn en OFF. Supongmoslo. Se obtiene el circuito
1 k
A K
vAK1
vi
5 k
2 k
3V
K
A
vAK2
+
vo
A K
i
5 k
2 k
vi
3V
K
A
vAK2
+
vo
Se ha de imponer i 0 y 5 vAK2 0. Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensin de valor vi , la resistencia de valor 1 k, el diodo D1, la resistencia
de valor 2 k y la fuente de tensin de valor 3 V, se obtiene
vi = (1)i + 2i + 3 = 3i + 3 ,
i=
vi 3
1
= vi 1 .
3
3
1
2
vi 1 = vi + 1 ,
3
3
31
vi
A K
i1 i2
2 k
3V
i2
5 k
K
A
vo
5V
i1 + 5i2 = vi 5 ,
cuya solucin es
vi 3 2
vi 5 5
i1 =
3 2
1 5
3 vi 3
1 vi 5
i2 =
3 2
1 5
7vi 25
= 0,4118vi 1,471 ,
17
2vi 12
= 0,1176vi 0,7059 .
17
32
9,403
vi
Problema 20: Utilizando para los diodos el modelo con tensin umbral VD0 = 0,7 V, analice el
circuito de la figura con R = 20 k y determine la funcin de transferencia vo = F (vi ). Cul
es la funcin de transferencia para R ? Es una buena aproximacin de ella la funcin de
transferencia obtenida con R = 20 k? Cmo se podra reducir el error de la aproximacin?
D1
+
2 k
D2
+
vi
2 k
2,5 mA
vo
+
2 k
v1
+
2 k
2 k
v2
v1 =
2,5 mA
2
vi
vi = .
2+2
2
33
El de la derecha es un divisor de corriente. Las corrientes por las dos resistencias son, por
simetra, iguales y, por tanto,
1
v2 = (2) (2,5) = 2,5 ,
2
obtenindose
vi
vth = v1 + v2 =
+ 2,5 .
2
Anulando la fuente de tensin de valor vi y la fuente de corriente de valor 2,5 mA, las resistencias
de 2 k quedan asociadas en paralelo y conectadas a la salida del dipolo, por lo que la resistencia
de Thvenin valdr
Rth = 2 k 2 = 1 k .
Sustituyendo el dipolo por su equivalente de Thvenin y teniendo en cuenta que el nodo de D1
est conectado directamente al extremo positivo de la fuente de tensin de valor vi , resulta que
el cuadripolo que hay que analizar en el problema es equivalente al circuito
D1
vi
1 k
D2
+
vi
+ 2,5
2
vo
Parece claro que para vi los dos diodos debern estar en OFF. Supongamos pues los dos
diodos en OFF. Se obtiene el circuito
A K
+
vi
1 k
vi
+ 2,5
2
vAK1
A K
+ v
AK2
+
R
vo
Hemos de imponer vAK1 0,7 y vAK2 0,7. La corriente por la resistencia de valor R es nula
y, aplicando la ley de Ohm a dicha resistencia, vo = 0. Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la
malla externa, se obtiene
vi = vAK1 + vo = vAK1 .
La condicin vAK1 0,7 se traduce pues en vi 0,7. Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la
malla interna, se obtiene
vi
+ 2,5 = 0 + vAK2 + vo = vAK2 .
2
La condicin vAK2 0,7 se traduce en vi /2 + 2,5 0,7, vi 3,6. As pues, para vi
(, 3,6], D1 y D2 estn en OFF y vo = 0. Al hacerse vi > 3,6, fallar la condicin
34
vAK2 0,7 y el diodo D2 pasar a ON. En el siguiente intervalo, que empieza en vi = 3,6, el
diodo D1 est en OFF y el diodo D2 est en ON. Se obtiene el circuito
A K
+
vi
1 k
vi
+ 2,5
2
vAK1
K
0,7 V
+
R
vo
vo = Ri = 20
vi + 3,6
= 0,4762vi + 1,714 .
42
1 k
vi
+ 2,5
2
0,7 V
A
i2
0,7 V
i1 + i2
+
R
vo
35
vi
+ 2,5 .
2
vo
vi 0,7 vi
i2 =
+ 2,5 = 0,55vi 2,535 .
20
20
2
1 k
vi
+ 2,5
2
0,7 V
A K
+
vAK2
i1
+
R
vo
vo
vi 0,7
=
,
R
20
vi
vi
vi
+ 2,5 vo =
+ 2,5 vi + 0,7 = + 3,2 ,
2
2
2
36
vi 0,7
3,909
0,4762vi + 1,714
3,6
vi
4,609
vi
+
vi
+
+ 2,5
2
vo
Dicho circuito es un selector de mximo. Con el modelo para los diodos con tensin umbral
VD0 , la salida de un selector de mximo con entradas v1 , v2 , . . . , vN vale m
ax{0, v1 VD0 , v2
VD0 , . . . , vN VD0 }. As pues, para R , vo = m
ax{0, vi 0,7, vi /2 + 1,8}. La siguiente
figura representa grficamente la funcin de transferencia para R
vo
vi 0,7
4,3
vi
+ 1,8
2
3,6
vi
Comparndola con la obtenida para R = 20 k, podemos observar que sta es una buena aproximacin de la funcin de transferencia para R , con un error mximo del orden de 0,2 V.
37
38
Captulo 2
10 k
1 k
1 k
IB
B
50IB
0,7 V
E
Las condiciones a verificar son IB 0 y VCE 0,2. Para calcular IB aplicamos la segunda
ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensin de valor 10 V, la resistencia de valor
40
IB =
10 0,7
= 0,93 ,
10
que es 0. Para calcular VCE conociendo IB aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla
formada por la fuente de tensin de valor 10 V , la resistencia de valor 1 k y la fuente controlada
de corriente, obteniendo
10 = (1)(50IB ) + VCE = 50IB + VCE ,
1 k
IB
B
0,7 V
I = IC
0,2 V
E
IC = 10 0,2 = 9,8 ,
que es 0 y IB = (50)(0,93) = 46,5. As pues, el BJT est en SATURACIN e I = IC =
9,800 mA.
Problema 22: Usando para el BJT el modelo con parmetros = 100, VEB0 = 0,7 V y
41
500 k
1 k
1 k
E
0,7 V
B
500 k
V
100IB
IB
1 k
Las condiciones a verificar son IB 0 y VEC 0,2 V. Para calcular IB aplicamos la segunda
ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensin de valor 24 V, la resistencia de valor
1 k conectada al emisor, la fuente de tensin de valor 0,7 V y la resistencia de valor 500 k,
obteniendo
24 = (1)(101IB ) + 0,7 + 500IB = 601IB + 0,7 ,
24 0,7
IB =
= 0,03877 ,
601
que es 0. Para calcular VEC conociendo IB aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla
formada por la fuente de tensin de valor 24 V, las dos resistencias de valor 1 k y la fuente de
corriente controlada, obteniendo
24 = (1)(101IB ) + VEC + (1)(100IB ) = VEC + 201IB ,
VEC = 24 201IB = 24 (201)(0,03877) = 16,21 ,
que es 0,2. As pues, el estado supuesto para el BJT es correcto, I resulta valer
I = 101IB = (101)(0,03877) = 3,916 mA ,
y V resulta valer
V = 24 (1)I = 24 3,916 = 20,08 V .
42
Problema 23: Usando para el LED el modelo con tensin umbral VD0 = 1,7 V, usando para el
BJT el modelo con parmetros , VBE0 = 0,7 V y VCE ,sat = 0,2 V, y sabiendo que el parmetro
del BJT puede variar entre 20 y 100, analice el circuito de la figura y: 1) determine el valor
que ha de tener R2 para que, suponiendo el BJT en saturacin, I valga 20 mA; 2) para el valor
de R2 calculado anteriormente, determine el valor mximo que puede tener R1 para que, cuando
el interruptor est en OFF, el BJT est en saturacin; 3) para el valor mximo de R1 calculado
anteriormente, determine el valor de la corriente por el interruptor cuando ste est en ON.
5V
R2
R1
Solucin: 1) Dado que I > 0, el LED slo podr estar en ON. Sustituyendo el LED por el
circuito equivalente correspondiente a ON y utilizando el circuito equivalente entre colector y
emisor del BJT para SATURACIN, se obtiene el circuito
5V
I
R2
A
1,7 V
K
C
0,2 V
E
5 1,9
= 0,155 k = 155 .
20
2) Se exige que el BJT est en SATURACIN. Entonces, de acuerdo con el apartado anterior,
I = 20 mA y el LED estar en ON. Con el valor de R2 calculado en el apartado anterior y
43
155
R1
I = IC
A
1,7 V
K
C
0,2 V
IB
B
0,7 V
E
4,3
5 0,7
=
,
R1
R1
4,3
,
R1
4,3
= 0,215 .
20
La condicin ms estricta sobre R1 se obtiene para el valor mnimo de . Por tanto, se deber
cumplir
R1 (0,215)(20) = 4,300 k .
R1
5
5
=
= 1,163 mA .
R1
4,3
Problema 24: Usando para el BJT el modelo con parmetros = 100, VEB0 = 0,7 V y
VEC ,sat = 0,2 V, analice el circuito de la figura y: 1) determine el valor de I cuando el in-
44
terruptor est en ON; 2) determine el valor de la corriente por el interruptor cuando ste est en
ON.
10 V
I
50
10 k
50
I
10 k
IB
0,7 V
E
100IB
C
B
I
45
Problema 25: Usando para el BJT el modelo con parmetros = 50, VBE0 = 0,7 V y VCE ,sat =
0,2 V, determine el mximo valor de R para el cual el BJT est en activo y determine la corriente
I en ese caso.
10 V
I
10 k
5 k
100
Vth =
Rth
3,333 k
3,333 V
100
R
IB 3,333 k
3,333 V
0,7 V
50IB
E
100
51IB
46
R1
10 k
100
R2
47
que tiene como salidas la base del BJT y masa. La tensin de Thvenin, Vth , y la resistencia de
Thvenin, Rth , valen
10
100
10 =
,
R1 + 10
R1 + 10
10R1
= R1 k 10 =
.
R1 + 10
Vth =
(2.1)
Rth
(2.2)
100
Rth
Vth
R2
100
E
Rth
0,7 V
50IB
C
B
Vth
IB
R2
I
20
=
= 0,4 .
50
50
48
10R1
100
+
= 7,26 ,
R1 + 10 R1 + 10
100
4R1
+
= 7,26 ,
R1 + 10 R1 + 10
4R1 + 100 = 7,26(R1 + 10) ,
4R1 + 100 = 7,26R1 + 72,6 ,
3,26R1 = 27,4 ,
R1 =
27,4
= 8,404 k .
3,26
2) Podemos utilizar el ltimo circuito del apartado anterior con el valor calculado para R1 , R1 =
8,404 k, que hace IB = 0,4 mA e I = 20 mA. Se ha de imponer IB 0 y VEC 0,2. Dado
que IB = 0,4, la primera condicin se cumple. Para calcular VEC conociendo IB e I, aplicamos
la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensin de valor 10 V, la resistencia
de valor 100 , la fuente de corriente controlada y la resistencia de valor R2 , obteniendo
10 = (0,1)(51IB ) + VEC + R2 I = 5,1IB + VEC + R2 I ,
VEC = 10 5,1IB R2 I = 10 (5,1)(0,4) 20R2 = 7,96 20R2 .
E imponiendo VEC 0,2, obtenemos
7,96 20R2 0,2 ,
20R2 7,76 ,
R2
7,76
= 0,3880 k = 388,0 .
20
As pues, con el valor de R1 calculado en el apartado 1), el mximo valor de R2 para el cual el
BJT est en ACTIVO es 388,0 .
Problema 27: Usando para el diodo Zener el modelo con tensin ctodo-nodo igual a 5,1 V
para corrientes inversas y para el BJT el modelo con parmetros = 50, VEB0 = 0,7 V y
VEC ,sat = 0,2 V, analice el circuito de la figura y: 1) determine el valor que ha de tener R2
para que, suponiendo que el diodo Zener est en ruptura y el BJT est en activo, I = 50 mA; 2)
para el valor de R2 calculado en el apartado anterior y suponiendo el BJT en activo, determine
el mximo valor que puede tener R1 para que el diodo est en ruptura con una corriente inversa
0.5 mA; 3) para el valor de R2 calculado en el apartado 1) y un valor de R1 menor o igual al
49
mximo calculado en el apartado 2), determine el mximo valor de R3 para el cual el BJT est
en activo.
20 V
R2
R1
R3
R2
5,1 V
51IB
E
IZ
0,7 V
50IB
IB
B
R1
IZ + IB
C
R3
I
50
=
= 1.
50
50
4,4
= 0,08627 k = 86,27 .
51
2) Dado que el BJT est en ACTIVO y el diodo Zener ha de trabajar en RUPTURA, podemos
utilizar el circuito del apartado anterior con el valor calculado para R2 , que hace IB = 1 mA.
50
14,9 R1
,
R1
14,9
= 9,933 k .
1,5
15,4
= 0,3080 k = 308,0 .
50
51
Problema 28: Usando para el diodo Zener el modelo con tensin ctodo-nodo igual a 4,7 V
para corrientes inversas y para el BJT el modelo con parmetros = 100, VBE0 = 0,7 V y
VCE ,sat = 0,2 V, analice el circuito de la figura y: 1) determine el valor que ha de tener R3 para
que, suponiendo que el diodo Zener est en ruptura y que el BJT est en activo, I = 10 mA; 2)
para el valor de R3 calculado en el apartado anterior y suponiendo el BJT en activo, determine
el mximo valor que puede tener R1 para que el diodo Zener est en ruptura con una corriente
inversa 0.5 mA; 3) para el valor de R3 calculado en el apartado 1) y un valor de R1 menor o
igual al mximo calculado en el apartado 2), determine el mximo valor de R2 para el cual el
BJT est en activo.
20 V
R2
R1
R3
IZ + IB
R2
R1
IB
B
IZ
C
100IB
0,7 V
4,7 V
E
R3
101IB
Dado que, por inspeccin I = 100IB , para que I = 10 mA, IB deber valer
IB =
I
10
=
= 0,1 .
100
100
Para calcular el valor necesario para R3 conociendo IB aplicamos la segunda ley de Kirchoff a
la malla formada por la fuente de tensin de valor 4,7 V, la fuente de tensin de valor 0,7 V y la
resistencia de valor R3 , obteniendo
4,7 = 0,7 + R3 (101IB ) = 0,7 + (101)(0,1)R3 = 0,7 + 10,1R3 ,
R3 =
4,7 0,7
= 0,3960 k = 396,0 .
10,1
52
2) Dado que el BJT est en ACTIVO y el diodo Zener ha de estar en RUPTURA, podemos
utilizar el circuito del apartado anterior con el valor calculado de R3 , R3 = 396,0 , que hace
IB = 0,1 mA. Para calcular IZ conociendo IB , aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla
formada por la fuente de tensin de valor 20 V, la resistencia de valor R1 y la fuente de tensin
de valor 4,7 V, obteniendo
20 = R1 (IZ + IB ) + 4,7 = R1 IZ + R1 IB + 4,7 = R1 IZ + 0,1R1 + 4,7 ,
15,3 = R1 IZ + 0,1R1 ,
IZ =
e, imponiendo IZ 0,5,
15,3 0,1R1
,
R1
15,3 0,1R1
0,5 ,
R1
15,3 0,1R1 0,5R1 ,
15,3 0,6R1 ,
R1
15,3
= 25,50 k .
0,6
As pues, el mximo valor que ha de tener R1 para que con el valor de R3 calculado en el apartado
anterior y suponiendo el BJT en ACTIVO, el diodo Zener est en RUPTURA con una corriente
inversa 0,5 mA es 25,50 k.
3) Dado que el BJT ha de estar en ACTIVO y R1 tiene un valor menor o igual al mximo
calculado en el apartado 2), el diodo Zener estar en RUPTURA y podemos utilizar el circuito
del apartado 1) con el valor calculado de R3 , R3 = 396,0 , que hace IB = 0,1 mA e I = 10 mA.
Dado que IB 0, basta imponer VCE 0,2. Para calcular VCE en funcin de R2 conociendo
IB e I, aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensin de valor
20 V, la resistencia de valor R2 , la fuente de corriente controlada y la resistencia de valor R3 ,
obteniendo
20 = R2 I + VCE + R3 (101IB ) = 10R2 + VCE + (0,396)(101)(0,1) = 10R2 + VCE + 4 ,
VCE = 16 10R2 .
Imponiendo VCE 0,2, obtenemos
16 10R2 0,2 ,
15,8 10R2 ,
R2
15,8
= 1,580 k .
10
53
Problema 29: Usando para el diodo Zener el modelo con tensin ctodo-nodo igual a 6 V
para corrientes inversas y para el BJT el modelo con parmetros = 100, VBE0 = 0,7 V y
VCE ,sat = 0,2 V, analice el circuito de la figura y determine el valor de I.
24 V
1 k
10 A
Solucin: La fuente de corriente hace IB = 0,01 mA > 0. Eso descarta que el BJT est en
CORTE. Supongamos que el BJT est en ACTIVO y que el diodo est en RUPTURA. Se obtiene
el circuito
24 V
1 k
IB
C
10 A
100IB
0,7 V
E
K
I = 101IB
6V
Dado que IB > 0, las nicas condiciones a verificar son VCE 0,2 V e I 0. Por inspeccin,
I = 101IB = (101)(0,01) = 1,010 mA ,
que es 0. Para calcular VCE conociendo IB aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla
formada por la fuente de tensin de valor 24 V, la resistencia, la fuente de corriente controlada y
la fuente de tensin de valor 6 V, obteniendo
24 = (1)(100IB ) + VCE + 6 = 100IB + VCE + 6 ,
VCE = 18 100IB = 18 (100)(0,01) = 17 ,
que es 0,2. As pues, los estados supuestos para los dispositivos son correctos e I = 1,010 mA.
Problema 30: Determine para el circuito de la figura el valor que ha de tener R para que I valga
20 mA. Para el LED use el modelo con tensin umbral VD0 = 2 V. Para el BJT use el modelo
54
Solucin: Dado que I > 0, el LED slo podr estar en ON. Supongmoslo. La tensin de
colector, VC , del BJT valdr 2 V. Adems, la tensin de emisor, VE , del BJT vale 5 V. La tensin
VEC del BJT resulta, por tanto, valer
VEC = VE VC = 5 2 = 3 ,
que es > 0,2. Todo parece indicar que el BJT estar en ACTIVO. Supongmoslo. Slo se ha de
comprobar IB 0. Con el BJT en ACTIVO, se obtiene el circuito
5V
E
0,7 V
50IB
IB
R
C
A
2V
K
I
20
=
= 0,4 ,
50
50
que es 0. As pues, efectivamente el BJT est en ACTIVO. Para calcular el valor necesario
de R conociendo IB , aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de
tensin de valor 5 V, la fuente de tensin de valor 0,7 V y la resistencia, obteniendo
5 = 0,7 + RIB ,
R=
5 0,7
4,3
=
= 10,75 k .
IB
0,4
Problema 31: Determine para el circuito de la figura el valor que ha de tener R para que I valga
20 mA. Para el LED use el modelo con tensin umbral VD0 = 2 V. Para el BJT use el modelo
55
Solucin: Dado que I > 0, el LED slo podr estar en ON. Ello implica que la tensin de
emisor del BJT, VE , valdr 2 V. Adems, la tensin de colector, VC , del BJT vale 5 V. La tensin
VCE del BJT resulta, por tanto, valer
VCE = VC VE = 5 2 = 3 ,
que es > 0,2. Todo parece indicar que el BJT estar en ACTIVO. Supongmoslo. Slo se ha de
comprobar IB 0. Con el BJT en ACTIVO, se obtiene el circuito
5V
IB
50IB
0,7 V
E
A
I = 51IB
2V
20
I
=
= 0,3922 ,
51
51
que es 0. As pues, efectivamente el BJT est en ACTIVO. Para calcular el valor necesario
de R conociendo IB , aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de
tensin de valor 5 V, la resistencia, la fuente de tensin de valor 0,7 V y la fuente de tensin de
valor 2 V, obteniendo
5 = RIB + 0,7 + 2 = RIB + 2,7 ,
5 2,7
2,3
R=
=
= 5,864 k .
IB
0,3922
Problema 32: Determine para el circuito de la figura el valor de I. Para el diodo Zener use
el modelo con tensin ctodo-nodo igual a 4,7 V para corrientes inversas. Para el LED use el
56
modelo con tensin umbral VD0 = 1,5 V. Para el BJT use el modelo con parmetros = 100,
VBE0 = 0,7 V y VCE ,sat = 0,2 V.
10 V
5 k
200
IB + IZ
A
1,5 V
K
5 k
IB
100IB
0,7 V
K
IZ
4,7 V
101IB
200
4,7 0,7
= 0,1980 ,
20,2
5,3 5IB
5,3 (5)(0,198)
=
= 0,862 ,
5
5
57
que es 0. Para calcular VCE conociendo IB , aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla
formada por la fuente de tensin de valor 10 V, la fuente de tensin de valor 1,5 V, la fuente de
corriente controlada y la resistencia de valor 200 , obteniendo
10 = 1,5 + VCE + (0,2)(101IB ) = 1,5 + VCE + 20,2IB ,
VCE = 8,5 20,2IB = 8,5 (20,2)(0,198) = 4,5 ,
que es 0,2. As pues, los estados supuestos para los dispositivos son correctos. Por inspeccin,
I = 100IB = (100)(0,198) = 19,80 mA .
Problema 33: Determine para el circuito de la figura el valor que ha de tener R para que I valga
20 mA. Para el LED use el modelo con tensin umbral VD0 = 2 V. Para el BJT use el modelo
con parmetros = 50, VEB0 = 0,7 V y VEC ,sat = 0,2 V. Suponga, a continuacin, que puede
variar entre 20 y 200. Entre qu valores variar I con el R calculado anteriormente?
5V
I
1 k
Solucin: Siendo I > 0, el LED slo podr estar en ON. El BJT slo puede estar en ACTIVO
o en SATURACIN. En cualquiera de esos dos estados, VEC = VEB + (1)IB = 0,7 + IB
0,7 > 0,2. Por tanto, todo parece indicar que el BJT estar en ACTIVO. Con el LED en ON y el
BJT en ACTIVO, se obtiene el circuito
5V
I = 51IB
R
A
2V
K
E
IB
0,7 V
B
50IB
C
1 k
Slo se ha de comprobar IB 0. Dado que I = 51IB , para que I = 20 mA, IB deber valer
IB =
I
20
=
= 0,3922 ,
51
51
58
que es 0. As pues, el BJT estar efectivamente en ACTIVO. Para calcular el valor necesario
de R conociendo I e IB aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente
de tensin de valor 5 V, la resistencia de valor R, la fuente de tensin de valor 2 V, la fuente de
tensin de valor 0,7 V y la resistencia de valor 1 k, obteniendo
5 = RI + 2 + 0,7 + (1)IB = 20R + 2,7 + 0,3922 = 3,092 + 20R ,
5 3,092
= 0,09540 k = 95,40 .
20
Para resolver la segunda parte del problema expresemos, para R = 95,4 , I en funcin de .
Supondremos que el LED est en ON y que el BJT est en ACTIVO. El razonamiento realizado
anteriormente que conduce a VEC > 0,2 sigue siendo vlido con independencia del valor de ,
por lo que bastar comprobar IB 0 e I 0. Con el LED en ON, el BJT en ACTIVO y con
R = 95,4 , se obtiene el circuito
R=
5V
I = ( + 1)IB
95,4
A
2V
K
E
IB
0,7 V
B
IB
C
1 k
Para calcular IB en funcin de , aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la
fuente de tensin de valor 5 V, la resistencia de valor 95,4 , la fuente de tensin de valor 2 V, la
fuente de tensin de valor 0,7 V y la resistencia de valor 1 k, obteniendo
5 = (0,0954)( + 1)IB + 2 + 0,7 + (1)IB = 2,7 + (0,0954 + 1,095)IB ,
IB =
2,3
,
0,0954 + 1,095
2,3 + 2,3
,
0,0954 + 1,095
que es 0 para todo valor posible de . As pues, el LED est en ON y el BJT est en ACTIVO
para todo valor posible de e I tiene en funcin de la expresin anterior. La derivada de I
respecto de para 0,0954 + 1,095 6= 0 vale
dI
2,3(0,0954 + 1,095) 0,0954(2,3 + 2,3)
2,299
=
=
,
2
d
(0,0954 + 1,095)
(0,0954 + 1,095)2
59
que es > 0 para todo valor posible de , ninguno de los cuales verifica 0,0954 + 1,095 = 0.
As pues, I es una funcin creciente de en [20, 200] y variar entre un valor mnimo
(2,3)(20) + 2,3
= 16,08 mA
(0,0954)(20) + 1,095
Imin = I(20) =
y un valor mximo
Imax = I(200) =
(2,3)(200) + 2,3
= 22,91 mA .
(0,0954)(200) + 1,095
Problema 34: El BJT del circuito de la figura tiene un parmetro comprendido entre 20 y
150. Usando para el BJT el modelo con parmetros , VBE0 = 0,7 V y VCE ,sat = 0,2 V, analice
el circuito y: 1) determine el valor de R2 para el cual, suponiendo el BJT en activo y = 50,
I = 10 mA; 2) para el valor de R2 calculado en el apartado anterior y suponiendo el BJT en
activo, determine entre qu valores puede variar I debido al rango posible de valores para ; 3)
para el valor de R2 calculado en el apartado 1), determine el mximo valor que puede tener R1
de modo que para cualquier valor posible para , el BJT trabaje en activo.
20 V
3 k
R1
1 k
R2
Vth =
Rth
R1
0,75 k
5V
R2
60
B
IB
R1
0,75 k
C
IB
0,7 V
5V
E
R2
( + 1)IB
I
10
=
= 0,2 .
50
(2.3)
4,15
= 0,4069 k = 406,9 .
10,2
4,3
,
0,4069 + 1,157
y, usando I = IB ,
I() =
4,3
.
0,4069 + 1,157
(2.4)
(2.5)
61
que es > 0 para todos valor posible de , ninguno de los cuales verifica 0,4069 + 1,157 = 0.
As pues, I es una funcin creciente de en [20, 150] y variar entre un valor mnimo
Imin = I(20) =
(4,3)(20)
= 9,252 mA
(0,4069)(20) + 1,157
y un valor mximo
Imax = I(150) =
(4,3)(150)
= 10,37 mA .
(0,4069)(150) + 1,157
3) La expresin (2.4) pone de manifiesto que IB es > 0 para todo valor posible de . As pues,
para asegurar el trabajo del BJT en ACTIVO bastar imponer VCE 0,2. Calculemos, pues,
VCE en funcin de suponiendo que el BJT est en ACTIVO. Podemos usar el ltimo circuito
del apartado 1) con R2 = 406,9 . Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por
la fuente de tensin de valor 20 V, la resistencia de valor R1 , la fuente de corriente controlada y
la resistencia de valor R2 , obtenemos
20 = R1 I + VCE + R2 ( + 1)IB = R1 I + VCE + (0,4069)( + 1)IB .
Usando (2.4) y (2.5), obtenemos
20 = R1
4,3
4,3
+ VCE + (0,4069)( + 1)
,
0,4069 + 1,157
0,4069 + 1,157
20 =
4,3R1
1,75 + 1,75
+ VCE +
,
0,4069 + 1,157
0,4069 + 1,157
VCE = 20
4,3R1
1,75 + 1,75
,
0,4069 + 1,157 0,4069 + 1,157
VCE = 20
19,8
6,307 + 21,16
= F () .
4,3
4,3
62
que es < 0 para todos los valores posibles de , que no incluyen = 0. As pues, F es una
funcin decreciente de en [20, 150], la condicin ms restrictiva para R1 se obtiene para =
150, y R1 deber satisfacer
R1
(6,307)(150) + 21,16
= 1,500 k .
(4,3)(150)
As pues, para el valor de R2 calculado en el apartado 1), el mximo valor que puede tomar R1
de modo que el BJT trabaje en estado ACTIVO para todos los valores posibles de es 1,500 k.
Problema 35: El BJT del circuito de la figura tiene un parmetro comprendido entre 20 y 150.
Usando para el diodo Zener el modelo con tensin ctodo-nodo igual a 4,7 V para corrientes
inversas y para el BJT el modelo con parmetros , VEB0 = 0,7 V y VEC ,sat = 0,2 V, analice el
circuito y: 1) determine el valor de R2 para el cual, con = 50 y suponiendo el diodo Zener en
ruptura y el BJT en activo, I = 20 mA; 2) para el valor de R2 calculado en el apartado anterior
y suponiendo el diodo Zener en ruptura y el BJT en activo, determine entre qu valores puede
variar I debido al rango posible de valores para ; 3) para el valor de R2 calculado en el apartado
1), determine los mximos valores que pueden tener R1 y R3 de modo que para cualquier valor
posible para , el diodo Zener trabaje en ruptura con una corriente inversa 0,5 mA y el BJT
trabaje en activo.
20 V
R2
R1
R3
R2
C
4,7 V
IZ
IB
0,7 V
IB
B
IB + IZ
R1
E
R3
63
I
20
=
= 0,4 .
50
(2.6)
4
= 0,1961 k = 196,1 .
20,4
2) Dado que el diodo Zener est en RUPTURA y el BJT est en ACTIVO, podemos utilizar
los resultados del apartado anterior que no usan el valor de , con el valor calculado para R2 ,
R2 = 196,1 . Calculemos I en funcin de . De (2.6),
4,7 = (0,1961)( + 1)IB + 0,7 ,
IB =
4
,
0,1961 + 0,1961
y, usando I = IB ,
I() =
4
.
0,1961 + 0,1961
(2.7)
(2.8)
(4)(20)
= 19,43 mA
(0,1961)(20) + 0,1961
y un valor mximo
Imax = I(150) =
(4)(150)
= 20,26 mA .
(0,1961)(150) + 0,1961
64
4R1
+ R1 IZ ,
0,1961 + 0,1961
4R1
+ R1 IZ ,
0,1961 + 0,1961
3 + 3 4R1
,
(0,1961 + 0,1961)R1
3 + 3 4R1
0,5 ,
(0,1961 + 0,1961)R1
3 + 3 4R1 0,5(0,1961 + 0,1961)R1 ,
3 + 3 (0,09805 + 4,098)R1 ,
R1
3 + 3
= F1 () .
0,09805 + 4,098
(3)(20) + 3
= 10,40 k .
(0,09805)(20) + 4,098
La expresin (2.7) para IB en funcin de pone de manifiesto que IB 0 para todo valor
posible de . Calculemos VCE en funcin de e impongamos VCE 0,2. Para calcular VCE
conociendo IB e I aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de
tensin de valor 20 V, la resistencia de valor R2 , la fuente de corriente controlada y la resistencia
de valor R3 , obteniendo, usando (2.7) y (2.8),
20 = R2 ( + 1)IB + VCE + R3 I ,
20 = (0,1961)( + 1)
4
4R3
+ VCE +
,
0,1961 + 0,1961
0,1961 + 0,1961
20 = 4 + VCE +
4R3
,
0,1961 + 0,1961
65
VCE = 16
4R3
,
0,1961 + 0,1961
4R3
0,2 ,
0,1961 + 0,1961
4R3
15,8 ,
0,1961 + 0,1961
4R3 15,8(0,1961 + 0,1961) ,
4R3 3,098 + 3,098 ,
R3
3,098 + 3,098
= F2 () .
4
(3,098)(150) + 3,098
= 0,7797 k = 779,7 .
(4)(150)
As pues, para que para cualquier valor posible de , el diodo Zener trabaje en RUPTURA con
una corriente inversa 0,5 mA y el BJT trabaje en estado ACTIVO, el valor de R1 no deber
superar 10,40 k y el valor de R3 no deber superar 779,7 .
Problema 36: Usando para el BJT el modelo con parmetros = 50, VBE0 = 0,7 V y VCE ,sat =
0,2 V, analice el circuito de la figura y determine el valor que ha de tener R para que I valga 2 mA.
12 V
25 k
2 k
200
Solucin: Con el BJT en CORTE, I sera 0. Todo parece indicar que el BJT debe estar en
ACTIVO o en SATURACIN. Supongamos que est en ACTIVO. Con el BJT en dicho estado,
66
se obtiene el circuito
12 V
I3
R
2 k
C
I1
25 k
I2
0,7 V
IB
I = 51IB
50IB
E
200
Las condiciones a verificar son IB 0 y VCE 0,2. Dado que I = 51IB , para que I = 2 mA,
IB deber valer
2
= 0,03922 ,
IB =
51
que es 0. Calculemos la tensin de la base, VB :
VB = 0,7 + 0,2I = 0,7 + (0,2)(2) = 1,1 .
Calculemos la corriente I1 :
1,1
VB
=
= 0,044 .
25
25
I2 puede ser calculada a partir de I1 e IB aplicando la primera ley de Kirchoff a la base del BJT:
I1 =
VC VB
7,912 1,1
=
= 81,86 k .
I2
0,08322
67
Problema 37: Determine para el circuito de la figura el valor de IL cuando el interruptor est en
OFF y cuando est en ON. Use para los BJTs el modelo con parmetros = 50, VBE0 = 0,7 V
y VCE ,sat = 0,2 V.
5V
5 k
200
10
IL
Solucin: Sea Q1 el BJT de la izquierda, sea Q2 el BJT de la derecha y denotemos con los subndices 1 y 2 las tensiones y corrientes de, respectivamente, Q1 y Q2. Empezaremos analizando
el circuito para el caso interruptor en OFF. Supondremos que Q1 est en SATURACIN y que
Q2 est en CORTE. Para esos estados, se obtiene, teniendo en cuenta que el interruptor est en
OFF, el circuito
5V
IL
200
5 k
B
IC1 C
IB1
10
B
C
0,7 V
0,2 V
Se ha de verificar IB1 0, IC1 0, IC1 50IB1 , VBE 2 0,7 y VCE 2 0. Por inspeccin,
IL = 0 y VBE 2 = 0,2, que es 0,7. Tambin por inspeccin, teniendo en cuenta IL = 0,
VCE 2 = 5, que es 0. As pues, basta verificar IB1 0, IC1 0 e IC1 50IB1 . Para calcular
IB1 , aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensin de valor
5 V, la resistencia de valor 5 k y la fuente de tensin de valor 0,7 V, obteniendo
5 = 5IB1 + 0,7 ,
5 0,7
= 0,86 ,
5
que es 0. Para calcular IC1 aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la
fuente de tensin de valor 5 V, la resistencia de valor 200 y la fuente de tensin de valor 0,2 V,
obteniendo
5 = 0,2IC1 + 0,2 ,
IB1 =
68
IC1 =
5 0,2
= 24 ,
0,2
que es 0 y 50IB1 = (50)(0,86) = 43. As pues, los estados supuestos para los BJTs son
correctos y, con el interruptor en OFF, IL = 0.
Analizaremos por ltimo el circuito para el caso interruptor en ON. Con I en ON, VBE 1 =
0 0,7 y, suponiendo VCE 1 0, Q1 estar en CORTE. Supondremos Q1 en CORTE y Q2 en
SATURACIN. Para esos estados, se obtiene, teniendo en cuenta que el interruptor est en ON,
el circuito
5V
200
5 k
IB2
IB2
10
IL = IC2
0,7 V
0,2 V
Se ha de verificar VCE 1 0, IB2 0, IC2 0, e IC2 50IB2 . Por inspeccin, VCE 1 = 0,7 V,
que es 0. Para calcular IB2 , aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la
fuente de tensin de valor 5 V, la resistencia de valor 200 y la fuente de tensin de valor 0,7 V,
obteniendo
5 = 0,2IB2 + 0,7 ,
IB2 =
5 0,7
= 21,5 ,
0,2
que es 0. Para calcular IC2 , aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la
fuente de tensin de valor 5 V, la resistencia de valor 10 y la fuente de tensin de valor 0,2 V,
obteniendo
5 = 0,01IC2 + 0,2 ,
IC2 =
5 0,2
= 480 ,
0,01
que es 0 y 50IB2 = (50)(21,5) = 1.075. As pues, los estados supuestos para los BJTs son
correctos y, con el interruptor en ON, IL = IC2 = 480 mA.
Problema 38: Determine para el circuito de la figura los valores de I, V1 y V2 . Use para los
69
BJTs el modelo con parmetros = 50, VBE0 = 0,7 V y VCE ,sat = 0,2 V.
24 V
82 k
1 k
100 k
I
V1
10 k
V2
100
Solucin: Sea Q1 el BJT de la izquierda, sea Q2 el BJT de la derecha, y denotemos con los
subndices 1 y 2 las tensiones y corrientes de, respectivamente, Q1 y Q2. Empezaremos determinando el equivalente de Thvenin del dipolo formado por la fuente de tensin de valor 24 V y las
resistencias de valores 82 , 10 k y 100 k, que tiene como salidas la base de Q1 y masa. La
tensin de Thvenin, Vth , y la resistencia de Thvenin, Rth , valen
Vth =
10
24 = 2,609 V ,
10 + 82
(10)(82)
= 108,9 k .
10 + 82
1 k
108,9 k
Q1
2,609 V
V1
Q2
V2
100
I = IC2
108,9 k
C
2,609 V
IB1
1 k
50IB1
0,7 V
E
B
IB2 = 51IB1
C
0,7 V
V2
51IB1 + IC2
V1
0,2 V
100
70
Las condiciones a verificar son IB1 0, VCE 1 0,2, IB2 0, IC2 0, e IC2 50IB2 . Dado
que IB2 = 51IB1 , IB2 0 queda reducida a IB1 0. As pues, basta verificar IB1 0, VCE 1
0,2 V, IC2 0 e IC2 50IB2 . Empezaremos calculando IB1 e IC2 . Aplicando la segunda ley
de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensin de valor 2,609 V, la resistencia de valor
108,9 k, las fuentes de tensin de valor 0,7 V y la resistencia de valor 100 y a la malla formada
por la fuente de tensin de valor 24 V, la resistencia de valor 1 k, la fuente de tensin de valor
0,2 V y la resistencia de valor 100 , se obtiene
2,609 = 108,9IB1 + 0,7 + 0,7 + 0,1(51IB1 + IC2 ) ,
24 = (1)IC2 + 0,2 + (0,1)(51IB1 + IC2 )
y el sistema de ecuaciones lineales
114IB1 + 0,1IC2 = 1,209
5,1IB1 + 1,1IC2 = 23,8
cuya solucin es
1,209 0,1
23,8 1,1
1,05
=
IB1 =
= 0,008407 ,
114 0,1
124,9
5,1 1,1
114 1,209
5,1 23,8
2.707
=
IC2 =
= 21,67 .
114 0,1
124,9
5,1 1,1
Dado que IB1 no es 0, el par de estados supuesto para los BJTs no es correcto. Supongamos
que los dos BJTs estn en ACTIVO. Con esos estados, se obtiene el circuito
24 V
108,9 k
C
2,609 V
IB1
1 k
50IB1
0,7 V
E
IB2 = 51IB1
V1
50IB2
0,7 V
V2
51IB2
100
Las condiciones a verificar son IB1 0, VCE 1 0,2, IB2 0 y VCE 2 0,2. Dado que
IB2 = 51IB1 , la condicin IB2 0 queda reducida a IB1 0. As pues, basta verificar IB1 0,
71
VCE 1 0,2 V y VCE 2 0,2 V. Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por
la fuente de tensin de valor 2,609 V, la resistencia de valor 108,9 k, las fuentes de tensin de
valor 0,7 V y la resistencia de valor 100 , se obtiene
2,609 = 108,9IB1 + 0,7 + 0,7 + (0,1)(51IB2 ) = 108,9IB1 + 5,1IB2 + 1,4
y, usando IB2 = 51IB1 ,
2,609 = 108,9IB1 + (5,1)(51IB1 ) + 1,4 = 369IB1 + 1,4 ,
IB1 =
2,609 1,4
= 0,003276 ,
369
que es 0. Usando de nuevo IB2 = 51IB1 , la tensin VCE 1 puede ser calculada de la forma
VCE 1 = VC1 VE1 = 24 (0,7 + (0,1)(51IB2 )) = 23,3 5,1IB2 = 23,3 (5,1)(51IB1 )
= 23,3 260,1IB1 = 23,3 (260,1)(0,003276) = 22,45 ,
que es 0,2. Usando IB2 = 51IB1 , la tensin VCE 2 puede ser calculada de la forma
VCE 2 = VC2 VE2 = (24 (1)(50IB2 )) (0,1)(51IB2 ) = 24 55,1IB2
que es 0,2. As pues, los estados supuestos para los BJTs son correctos. Usando IB2 = 51IB1 ,
la corriente I resulta valer
I = 50IB2 = (50)(51IB1 ) = 2.550IB1 = (2.550)(0,003276) = 8,354 mA .
La tensin V1 vale
V1 = 24 (1)I = 24 8,354 = 15,65 V .
Finalmente, usando IB2 = 51IB1 , la tensin V2 vale
V2 = (0,1)(51IB2 ) = 5,1IB2 = (5,1)(51IB1 ) = 260,1IB1 = (260,1)(0,003276) = 0,8521 V .
Problema 39: Los BJT del circuito de la figura tienen un parmetro comprendido entre 20
y 150. Usando para los BJT el modelo con parmetros , VBE0 = 0,7 V y VCE ,sat = 0,2 V,
analice el circuito de la figura y: 1) determine el mximo valor que puede tener R2 para que, con
el interruptor en ON, el BJT Q2 est en saturacin; 2) para el valor mximo de R2 calculado en el
apartado anterior, determine el valor mximo que puede tener R1 para que, con el interruptor en
OFF, Q1 est en saturacin; 3) para los valores mximos de R1 y R2 calculados anteriormente,
72
10
R2
R1
Q2
Q1
10
R2
IB2
B
0,7 V
IC2
C
0,2 V
Para calcular IB2 , aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de
tensin de valor 10 V, la resistencia de valor R2 y la fuente de tensin de valor 0,7 V, obteniendo
10 = R2 IB2 + 0,7 ,
IB2 =
10 0,7
9,3
=
,
R2
R2
que es 0 para todo R2 . Para calcular IC2 , aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla
formada por la fuente de tensin de valor 10 V, la resistencia de valor 10 y la fuente de tensin
de valor 0,2 V, obteniendo
10 = 0,01IC2 + 0,2 ,
IC2 =
10 0,2
= 980 ,
0,01
73
9,3
,
R2
9,3
= 0,00949 .
980
R2
189,8
R1
IB1
B
0,7 V
IC1
C
0,2 V
Para calcular IB1 , aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de
tensin de valor 10 V, la resistencia de valor R1 y la fuente de tensin de valor 0,7 V, obteniendo
10 = R1 IB1 + 0,7 ,
IB1 =
10 0,7
9,3
=
,
R1
R1
que es 0 para todo R1 . Para calcular IC1 , aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla
formada por la fuente de tensin de valor 10 V, la resistencia de valor 189,8 y la fuente de
tensin de valor 0,2 V, obteniendo
10 = 0,1898IC1 + 0,2 ,
IC1 =
10 0,2
= 51,63 ,
0,1898
74
9,3
,
R1
9,3
= 0,1801 .
51,63
La condicin ms restrictiva se obtiene para = 20, dando
R1
R1 (0,1801)(20) = 3,602 k .
As pues, para el valor mximo calculado en el apartado anterior para R2 y con el interruptor en
OFF, el valor mximo de R1 para el cual Q1 estar en SATURACIN es 3,602 k.
3) Con el interruptor en ON y con el valor mximo para R2 calculado en el apartado 1), tal y
como se ha visto en ese apartado, Q1 estar en CORTE. Ello implica IB1 = 0 y que la corriente
por el interruptor sea igual a la corriente por la resistencia de valor R1 , que, con el interruptor en
ON, ve una tensin de valor 10 V. As pues, la corriente por el interruptor valdr
10
10
=
= 2,776 mA .
R1
3,602
Problema 40: Los BJT Q1, Q2 y Q3 del circuito de la figura tienen un parmetro comprendido
entre 20 y 150. Las tensiones v1 y v2 pueden variar entre 0 y 5 V. Usando para Q1 y Q2 el modelo
con parmetros , VEB0 = 0,7 V y VEC ,sat = 0,2 V, y para Q3 el modelo con parmetros ,
VBE0 = 0,7 V y VCE ,sat = 0,2 V, analice el circuito de la figura y: 1) demuestre que, con
v1 > v2 , I = 0; 2) determine el mximo valor de R para el cual con v1 < v2 , Q3 est en
saturacin. Ayuda: para el apartado 1), suponga que Q2 est en activo o en saturacin, determine
los estados de Q1 y Q3, y luego demuestre que efectivamente Q2 est en activo o en saturacin,
dependiendo del valor de R.
10 V
R
v1
10 V
Q1
I
Q2
v2
50
Q3
100 k
100 k
10 V
Solucin: Denotaremos mediante los subndices 1, 2 y 3 las tensiones y corrientes correspondientes a, respectivamente, Q1, Q2 y Q3.
75
1) Empecemos suponiendo que Q2 est en ACTIVO o en SATURACIN. En ambos casos tenemos VEB 2 = 0,7 y una tensin de emisor de Q2, VE2 = v2 + 0,7. La tensin VEB 1 resulta
valer
VEB 1 = VE2 v1 = v2 + 0,7 v1 = 0,7 + v2 v1 ,
que para v1 > v2 es < 0,7. Ello implica que Q1 estar en CORTE, debindose nicamente
verificar VEC 1 0. Hagmoslo y, de paso, determinemos el estado de Q3. Con Q1 en corte,
IC1 = 0. Puede verse que eso implica que Q3 estar en CORTE. Se ha de verificar VBE 3 0,7
y VCE 3 0. Con Q3 en CORTE, IB3 = 0. Siendo IC1 = 0, ello implica que la corriente por la
resistencia de valor 100 k conectada a la base de Q3 sea 0 y que VBE 3 = 0, que es 0,7. Con
Q3 en CORTE, I = IC3 = 0, implicando VCE 3 = 10 (10) = 20, que es 0,2. As pues,
Q1 en CORTE implica Q3 en CORTE. Hemos de comprobar VEC 1 0 sabiendo que Q3 est en
CORTE. Dado que la corriente por la resistencia de valor 100 k conectada a la base de Q3 es 0,
la tensin de colector de Q1 valdr 10 y
VEC 1 = VE2 (10) = VE2 + 10 = v2 + 0,7 + 10 = 10,7 + v2 ,
que es 0 para todos los valores posibles de v2 .
En resumen, supuesto Q2 en ACTIVO o en SATURACIN, Q1 y Q3 estarn en CORTE e I = 0.
Falta comprobar que Q2 est en ACTIVO o en SATURACIN. Podemos usar el hecho de que
Q1 y Q3 estn en CORTE.
Se ha visto antes que VE2 = v2 + 0,7. Estando Q1 en CORTE, la corriente por la resistencia de
valor R ser la corriente de emisor de Q2, IE2 , y tendremos
10 VE2
10 (v2 + 0,7)
9,3 v2
=
=
,
R
R
R
que, para todos los valores posibles de v2 es > 0. Supongamos Q2 en ACTIVO. Se ha de verificar
IB2 0 y VEC 2 0,2. Dado que en ACTIVO IB2 = IE2 /(2 + 1), tendremos IB2 > 0,
verificndose la primera condicin. La condicin VEC 2 0,2 puede o no cumplirse dependiendo
del valor de R. En efecto, con Q2 en ACTIVO, la corriente de colector de Q2 valdr IC2 =
2 /(2 + 1)IE2 , la tensin de colector de Q2 valdr VC2 = 10 + 100IC2 , y VEC 2 = VE2
VC2 = v2 + 0,7+ 10 100IC2 = v2 + 10,7 100IC2 . Para R suficientemente pequea, IE2 e IC2
sern suficientemente grandes y VEC 2 ser < 0,2, en contradiccin con Q2 en estado ACTIVO.
Vamos a ver que en ste caso, Q2 estar en SATURACIN. En ese estado, VEC 2 = 0,2. Adems,
IC2 < (2 /(2 + 1))IE2 , pues VEC 2 = v2 + 10,7 100IC2 y IC2 = 2 /(2 + 1)IE2 conducen
a VEC 2 < 0,2. De hecho, IC2 valdr
IE2 =
VC2 (10)
VC2 + 10
VE2 VEC 2 + 10
v2 + 0,7 0,2 + 10
v2 + 10,5
=
=
=
=
.
100
100
100
100
100
Hemos de verificar IB2 0, IC2 0 y IC2 IB2 . Dado que IB2 = IE2 IC2 e IC2 <
(2 /(2 + 1))IE2 , tendremos IB2 > IE2 (2 /(2 + 1))IE2 = IE2 /(2 + 1) > 0. De la
expresin de IC2 en funcin de v2 se deduce que para todos los valores posibles de v2 , IC2 0.
Finalmente, usando IC2 < (2 /(2 + 1))IE2 e IB2 > IE2 /(2 + 1) > 0, teniendo en cuenta
IB2 > 0, obtenemos
2
IE2
IC2
+1
< 2
= 2 ,
IE2
IB2
2 + 1
IC2 =
76
que, con IB2 > 0, implica IC2 < 2 IB2 . As pues, cuando Q2 no est en estado ACTIVO, est
en estado SATURACIN y Q2 est necesariamente en uno de esos dos estados. Ello concluye
la demostracin.
2) Con Q3 en SATURACIN y v1 < v2 , Q1 est en estado ACTIVO y Q2 est en CORTE.
Veamos primero que con Q2 en CORTE, Q1 est en estado ACTIVO. Con Q1 en estado ACTIVO,
VEB 1 = 0,7 y la tensin de emisor de Q1 vale VE1 = v1 + 0,7. Adems, la corriente por la
resistencia de valor R ser la corriente de emisor de Q1 y valdr
10 (v1 + 0,7)
9,3 v1
=
,
R
R
que es > 0 para todos los valores posibles de v1 . Hemos de comprobar IB1 0 y VEC 1 0,2.
Como en estado ACTIVO IB1 = IE1 /(1 + 1), tenemos IB1 > 0, comprobando la primera
condicin. Para la segunda, con Q3 en SATURACIN, VBE 3 = 0,7 y VC1 = 10 + 0,7 = 9,3,
dando
VEC 1 = VE1 VC1 = v1 + 0,7 (9,3) = v1 + 10 ,
IE1 =
que es 0,2 para todos los valores posibles de v1 . Acabamos de comprobar que con Q2 en
CORTE, Q1 est en estado ACTIVO. Comprobemos que Q2 est en CORTE, sabiendo que Q1
est en estado ACTIVO. La tensin VEB 2 vale
VEB 2 = VE2 v2 = VE1 v2 = v1 + 0,7 v2 = 0,7 + v1 v2 ,
que con v1 < v2 es < 0,7. Basta comprobar VEC 2 0. Con Q2 en corte, IC2 = 0 y la tensin
de colector de Q2 vale VC2 = 10. Ello da
VEC 2 = VE2 VC2 = VE1 VC2 = v1 + 0,7 (10) = v1 + 10,7 ,
que para todos los valores posibles de v1 es 0.
En resumen, con Q3 en SATURACIN y v1 < v2 , Q1 est en ACTIVO y Q2 est en CORTE.
Con esos estados, obtenemos el circuito
10 V
(1 + 1)IB1
R
E
IB1
B
v1
10 V
1 IB1
0,7 V
C
100 K
IB3
I1
IC3
50
C
B
0,7 V
0,2 V
E
10 V
Hemos de imponer las condiciones del estado SATURACIN de Q3, es decir IB3 0, IC3 0,
e IC3 3 IB3 . Calculemos IB3 e IC3 .
77
Para calcular IC3 , aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de
tensin de valor 10 V, la resistencia de valor 50 , la fuente de tensin de valor 0,2 V y la fuente
de tensin de valor 10 V, obteniendo
10 = 0,05IC3 + 0,2 10 = 0,05IC3 9,8 ,
IC3 =
19,8
= 396 ,
0,05
(2.9)
que es 0. Para calcular I1 , aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la
fuente de tensin de valor 0,7 V del circuito equivalente de Q3 y la resistencia de valor 100 k,
obteniendo
0,7 = 100I1 ,
0,7
= 0,007 .
(2.10)
100
Para calcular IB1 , aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de
tensin de valor 10 V, la resistencia de valor R, la fuente de tensin de valor 0,7 V del circuito
equivalente de Q1 y la fuente de tensin de valor v1 , obteniendo
I1 =
9,3 v1
.
R(1 + 1)
(2.11)
Por ltimo, para calcular IB3 conociendo I1 e IB1 , aplicamos la primera ley de Kirchoff al nodo
conectado al colector de Q1, obteniendo
1 IB1 = I1 + IB3 ,
y, usando (2.10) y (2.11),
1 9,3 v1
= 0,007 + IB3 ,
1 + 1
R
IB3 =
1 9,3 v1
0,007 .
1 + 1
R
(2.12)
1 9,3 v1
.
1 + 1 0,007
Dado que el miembro de la derecha es una funcin creciente de 1 y decreciente de v1 , la condicin ms restrictiva se alcanza para el menor valor posible de 1 y el mayor valor posible de v1 ,
y es
20 9,3 5
R
= 585,0 k .
20 + 1 0,007
78
1 9,3 v1
0,0073 ,
1 + 1
R
1 9,3 v1
396 + 0,0073 ,
1 + 1
R
3
1
(9,3 v1 ) .
0,0073 + 396 1 + 1
El miembro de la derecha es creciente con 1 y 3 y decreciente con v1 , la condicin ms restrictiva se alcanza con los menores valores posibles para 1 y 3 y con el mayor valor posible para
v1 , y es
20
20
R
(9,3 5) = 0,2068 k = 206,8 .
(0,007)(20) + 396 20 + 1
Dicha condicin para R es ms restrictiva que la condicin R 585,0 k obtenida imponiendo
IB3 0, por lo que el mayor valor de R para el cual, con v1 < v2 , Q3 estar en SATURACIN
es 206,8 .
Captulo 3
2 k
Vt = 1 V
K = 2 mA/V2
1 M
Solucin: Con el interruptor en ON, VGS = 0 < Vt = 1, el transistor trabajar en la zona corte
e I = 0. nicamente se ha de verificar VDS 0. Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la
malla formada por la fuente de tensin de valor 5 V, la resistencia de valor 2 k y el MOSFET,
obtenemos
5 = 2I + VDS = VDS ,
VDS = 5 ,
que es 0.
Con el interruptor en OFF, teniendo en cuenta que la corriente por la puerta del transistor es
nula, la fuente de tensin de valor 5 V y las dos resistencias de valor 1 M forman un divisor de
tensin, y
1 M
VGS =
5 = 2,5 ,
1 M + 1 M
que es > Vt = 1. Ello implica que el transistor no trabajar en la zona corte. Supongamos que
trabaja en la zona saturacin. La nica condicin a verificar es VDS VGS Vt = 2,5 1 = 1,5.
80
La corriente I vale
I = K(VGS Vt )2 = (2)(2,5 1)2 = (2)(1,5)2 = 4,5 .
Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensin de valor 5 V, la
resistencia de valor 2 k y el MOSFET, obtenemos
5 = 2I + VDS ,
VDS = 5 2I = 5 (2)(4,5) = 4 ,
que no es 1,5. Supongamos que el transistor trabaja en la zona hmica. Las condiciones a
verificar son VDS 0 y VDS VGS Vt = 2,5 1 = 1,5. La corriente I valdr, en funcin de
VDS ,
2
2
2
I = K 2(VGS Vt )VDS VDS
= 2 (2)(2,5 1)VDS VDS
= 6VDS 2VDS
. (3.1)
Por otro lado, aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensin
de valor 5 V, la resistencia de valor 2 k y el MOSFET, se obtiene
5 = 2I + VDS ,
que, combinada con (3.1), da la ecuacin de segundo grado en VDS
2
5 = 12VDS 4VDS
+ VDS ,
2
4VDS
13VDS + 5 = 0 ,
cuyas soluciones son VDS = 2,804 y VDS = 0,4458. La solucin VDS = 0,4458 verifica VDS
0 y VDS 1,5. As pues, el transistor trabaja en la zona hmica, VDS = 0,4458 y, usando (3.1),
I = (6)(0,4458) (2)(0,4458)2 = 2,277 mA .
Problema 42: Analice el circuito de la figura y determine los valores de la corriente I cuando el
interruptor est en ON y cuando el interruptor est en OFF.
5V
1 M
Vt = 1 V
K = 2 mA/V2
1 M
5 k
81
1 M
5 = 2,5 .
1 M + 1 M
Siendo VS la tensin de la fuente, la tensin VGS vale VGS = VG VS = 2,5 5 = 2,5 <
Vt = 1. Ello implica que el transistor no trabajar en la zona corte. Supongamos que trabaja en
la zona saturacin. Tenemos
I = K(VGS Vt )2 = (2)(2,5 (1))2 = 4,5 .
Se ha de verificar VDS VGS Vt = 2,5 (1) = 1,5. La tensin de drenador, VD , vale
VD = 5I = (5)(4,5) = 22,5 .
La tensin VDS resulta, por tanto, valer VDS = VD VS = 22,5 5 = 17,5, que no es 1,5.
Supongamos que el transistor trabaja en la zona hmica. Se ha de verificar VDS 0 y VDS
VGS Vt = 1,5. La corriente I, en funcin de VDS , vale
2
2
I = K 2(VGS Vt )VDS VDS
= 2 (2)(2,5 (1))VDS VDS
2
= 6VDS 2VDS
.
(3.2)
cuyas soluciones son VDS = 0,1707 y VDS = 2,929. La solucin VDS = 0,1707 verifica
las condiciones VDS 0 y VDS 1,5. As pues, el transistor trabaja en la zona hmica,
VDS = 0,1707 V y, utilizando (3.2), la corriente I vale
I = (6)(0,1707) (2)(0,1707)2 = 0,9659 mA .
82
Problema 43: Se utiliza el circuito de la figura para caracterizar un MOSFET de enriquecimiento de canal n. Cuando el interruptor est en OFF, la lectura del ampermetro es 6,5 mA y, cuando
est en ON, 4 mA. Qu valores tienen los parmetros Vt y K del transistor?
10 V
1 k
1 M
1 M
A
(3.4)
Con el interruptor en ON, siendo nula la corriente por la puerta del transistor, las resistencias de
valor 1 M forman un divisor de tensin, y
VGS =
1 M
VDS
VDS =
,
1 M + 1 M
2
VDS = 2VGS ,
y el transistor tambin trabajar en la zona saturacin, pues se tendr VDS > VGS > VGS Vt .
Obtenemos
4 = K(VGS Vt )2 .
(3.5)
83
10 4
= 3.
2
La corriente por las resistencias de 1 M resulta valer, por tanto, VGS /(2 M) = 3/2.000 =
0,0015 mA, que, efectivamente, es despreciable frente a 4 mA. Sustituyendo el valor de VGS en
(3.5), obtenemos
4 = K(3 Vt )2 .
(3.6)
VGS =
Los parmetros Vt y K del MOSFET pueden ser determinados resolviendo el sistema de ecuaciones formado por (3.4) y (3.6). Dividindolas, obtenemos
6,5
3,5 Vt 2
,
=
4
3 Vt
y, considerando que Vt < 3, pues, con el interruptor en OFF, VGS > Vt y VGS = 3, obtenemos
r
3,5 Vt
6,5
= 1,275 ,
=
3 Vt
4
3,5 Vt = 3,825 1,275Vt ,
3,825 3,5
Vt =
= 1,182 V .
1,275 1
Sustituyendo ese valor en (3.6), obtenemos
4
= 1,21 mA/V2 .
3,305
Problema 44: El circuito de la figura se comporta como una fuente de corriente para ciertos
valores de R. Cules?
5V
5 k
R
Vt = 1 V
K = 1 mA/V2
10 k
Solucin: Dado que la corriente por la puerta del transistor es nula, la fuente de tensin de valor
84
10
5 = 3,333 .
5 + 10
Siendo VGS > Vt = 1, el transistor trabajar en la zona hmica o en la zona saturacin. El que
trabaje en una zona u otra depender del valor de R. Ello se puede ver grficamente considerando
que el punto de trabajo del transistor estar en la interseccin de la recta de carga
5 = RID + VDS
con la caracterstica ID = f (VDS ) del transistor para VGS = 3,333 V. Con VGS = 3,333,
ID,sat = K(VGS Vt )2 = (1)(3,333 1)2 = 5,443 mA
y la transicin entre la zona hmica y la zona saturacin se producir para VDS = VDS ,sat =
VGS Vt = 3,333 1 = 2,333 V. As pues, la situacin ser:
ID (mA)
5
R
5
Rmax
5,443
VGS = 3,333 V
2,333
VDS (V)
5 2,333
= 0,49 k = 490 .
5,443
Problema 45: El MOSFET del circuito de la figura tiene una Vt = 1 V y un parmetro K que
puede variar entre 10 y 40 mA/V2 . Analice el circuito y: 1) determine el valor que ha de tener
R1 para que, suponiendo el MOSFET trabajando en saturacin y K = 20 mA/V2 , I = 10 mA;
2) con la R1 obtenida en el apartado anterior y suponiendo el MOSFET trabajando en saturacin,
determine los valores entre los que puede variar I debido al rango posible de valores para K; 3)
para el valor de R1 calculado en el apartado 1), determine el mximo valor que puede tener R2
85
para que, para cualquier valor posible para K, el MOSFET trabaje en saturacin.
12 V
R2
10 k
R1
10 k
10
= 1,707 .
20
Siendo nula la corriente por la puerta del transistor, la fuente de tensin de valor 12 V y las dos
resistencias de valor 10 k forman un divisor de tensin, y la tensin de puerta, VG , vale
VGS = 1 +
VG =
10
12 = 6 .
10 + 10
Para calcular el valor necesario de R1 conociendo VGS y VG , aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la resistencia inferior de valor 10 k, el MOSFET y la resistencia
de valor R1 , obteniendo
VG = VGS + R1 I ,
(3.7)
6 = 1,707 + 10R1 ,
R1 =
6 1,707
= 0,4293 k = 429,3 .
10
I
.
K
(3.8)
86
Dicha relacin pone de manifiesto que I es una funcin creciente de K para K > 0. Por
tanto, al variar K entre 10 mA/V2 y 40 mA/V2 , el valor mnimo de I, Imin , se obtiene para
K = 10 mA/V2 y el valor mximo, Imax , para K = 40 mA/V2 . Para determinar Imin e Imax ,
expresemos I en funcin
de K usando (3.8). Podemos reescribir (3.8) en forma de ecuacin de
1/ K 1/K + 8,586
I=
.
0,8586
1/K + 8,586 1/ K
I=
0,8586
e
2
1/K + 8,586 1/ K
I=
p
Imin =
p
2
1/10 + 8,586 1/ 10
Imax =
p
que da
0,7372
0,7372
2
1/40 + 8,586 1/ 40
0,7372
= 9,368 mA
= 10,43 mA .
3) Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensin de valor
12 V, las resistencias de valores R1 y R2 y el MOSFET, obtenemos
12 = R2 I + VDS + R1 I ,
y, usando R1 = 0,4293,
12 = VDS + 0,4293I + R2 I ,
VDS = 12 0,4293I R2 I .
Por otro lado, de (3.7) con VG = 6 y R1 = 0,4293,
VGS = VG R1 I = 6 0,4293I .
Imponiendo, entonces, VDS VGS Vt = VGS 1, se obtiene
12 0,4293I R2 I 5 0,4293I ,
R2 I 7 ,
87
7
.
I
La condicin ms estricta se obtiene para el valor mximo de I y, por tanto, R2 deber verificar
R2
R2
7
= 0,6711 k = 671,1 .
10,43
As pues, el valor mximo que deber tener R2 para que, con el valor de R1 obtenido en el
apartado 1) y para cualquier valor posible de K, el MOSFET trabaje en saturacin es 671,1, .
Problema 46: El MOSFET del circuito de la figura tiene una Vt = 1 V y un parmetro K que
puede variar entre 5 y 20 mA/V2 . Analice el circuito y: 1) determine el valor que ha de tener R1
para que, suponiendo el MOSFET trabajando en saturacin y K = 10 mA/V2 , I = 10 mA; 2)
con la R1 obtenida en el apartado anterior y suponiendo el MOSFET trabajando en saturacin,
determine los valores entre los que puede variar I debido al rango posible de valores para K; 3)
para el valor de R1 calculado en el apartado 1), determine el mximo valor que puede tener R2
para que, para cualquier valor posible para K, el MOSFET trabaje en saturacin.
12 V
R1
4 k
8 k
R2
10
= 2 .
10
Siendo nula la corriente por la puerta del transistor, la fuente de tensin de valor 12 V, la resistencia de valor 4 k y la resistencia de valor 8 k forman un divisor de tensin, y la tensin
de puerta vale
8
VG =
12 = 8 ,
4+8
que implica que la resistencia de valor 4 k ver una tensin de valor 4 V. Para calcular el valor
necesario de R1 conociendo VGS y la tensin que ve la resistencia de valor 4 k, aplicamos la
segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la resistencia de valor 4 k, el MOSFET y la
resistencia de valor R1 , obteniendo
4 = R1 I VGS ,
(3.9)
88
4 = 10R1 + 2 ,
R1 =
42
= 0,2 k = 200 .
10
I
.
K
I
,
K
I
.
(3.10)
K
Dicha relacin pone de manifiesto que I es una funcin creciente de K para K > 0. Por tanto, al
variar K entre 5 mA/V2 y 20 mA/V2 , el valor mnimo de I, Imin , se obtiene para K = 5 mA/V2
y el valor mximo, Imax , para K = 20 mA/V2 . Para determinar Imin e Imax , expresemos I en
funcin
de K usando (3.10). Podemos reescribir (3.10) en forma de ecuacin de segundo grado
en I. Se obtiene
1
I 3 = 0.
0,2I +
K
3 = 0,2I +
1/ K 1/K + 2,4
I=
.
0,4
1/K + 2,4 1/ K
I=
0,4
e
I=
p
que da
Imin =
e
Imax =
p
2
1/K + 2,4 1/ K
0,16
2
1/5 + 2,4 1/ 5
0,16
p
2
1/20 + 2,4 1/ 20
0,16
= 8,486 mA
= 11,25 mA .
89
3) Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensin de valor
12 V, las resistencias de valores R1 y R2 y el MOSFET, obtenemos
12 = R1 I VDS + R2 I ,
y, usando R1 = 0,2,
12 = VDS + 0,2I + R2 I ,
VDS = 12 + 0,2I + R2 I .
Por otro lado, de (3.9) con R1 = 0,2,
VGS = 4 + 0,2I .
Imponiendo, entonces, VDS VGS Vt = VGS + 1, se obtiene
12 + 0,2I + R2 I 3 + 0,2I ,
R2 I 9 ,
9
.
I
La condicin ms estricta se obtiene para el valor mximo de I y, por tanto, R2 deber verificar
R2
R2
9
= 0,8 k = 800 .
11,25
As pues, el valor mximo que deber tener R2 para que, con el valor de R1 calculado en el
apartado 1) y para cualquier valor posible de K, el MOSFET trabaje en saturacin es 796 .
Problema 47: Analice el circuito de la figura y determine el valor de la tensin Vo en funcin
de K1 /K2 . Entre qu valores puede variar Vo ?
5V
Q2
Q1
Vt = 1 V
K = K2 mA/V2
Vo
Vt = 1 V
K = K1 mA/V2
Solucin: Denotemos con los subndices 1 y 2 las tensiones y corrientes de, respectivamente,
Q1 y Q2. Dado que VDS 1 = VGS 1 > VGS 1 Vt1 = VGS 1 1 y VDS 2 = VGS 2 > VGS 2 Vt2 =
VGS 2 1, supuesto VGS 1 > Vt1 = 1 y VGS 2 > Vt2 = 1, los dos transistores trabajarn en la
zona saturacin. Supongmoslo. Tenemos
ID1 = K1 (VGS 1 1)2 ,
ID2 = K2 (VGS 2 1)2 .
90
Por otro lado, por inspeccin ID1 = ID2 , obtenindose, usando VGS 1 > 1 y VGS 2 > 1,
K1 (VGS 1 1)2 = K2 (VGS 2 1)2 ,
VGS 2 1
VGS 1 1
2
K1
,
K2
r
VGS 2 1
K1
=
,
VGS 1 1
K2
r
K1
(VGS 1 1) ,
VGS 2 1 =
K2
r
K1
VGS 2 = 1 +
(VGS 1 1) .
K2
(3.11)
VGS 1
Obviamente, VGS 1 > 1, y utilizando (3.11), VGS 2 > 1. As pues, los dos transistores trabajan en
la zona saturacin y el anlisis realizado es correcto. Dado que Vo = VGS 1 , obtenemos
r
K1
4+
K
r 2 .
Vo =
K1
1+
K2
p
Tanto K1 /K2 como K1 /K2 toman valores en el intervalo (0, ). Por otro lado, la funcin
f (x) = (4 + x)/(1 + x) es decreciente con x en (0, ), como puede ser comprobado fcilmente
calculando df /dx,
df
1 + x (4 + x)
3
=
=
< 0.
2
dx
(1 + x)
(1 + x)2
As pues, Vo puede tomar valores en el intervalo (Vo,min , Vo,max ) con
Vo,min = lm f (x) = lm
x
4+x
4/x + 1
= lm
= 1,
x
1+x
1/x + 1
91
5V
R
I
Vt = 1 V
K = K2 mA/V2
Q2
Q3 Q1
Vt = 1 V
K = K1 mA/V2
I
Vt = 1 V
K = K1 mA/V2
Solucin: Denotaremos usando los subndices 1, 2 y 3 los valores de las tensiones, corrientes y
parmetros Vt de, respectivamente, Q1, Q2 y Q3.
1) Por inspeccin, VDS 1 = VGS 1 y VDS 2 = VGS 2 . Supongamos que tanto Q1 como Q2 trabajan
en la zona saturacin. Las condiciones a verificar son VGS 1 Vt1 = 1, VGS 2 Vt2 = 1,
VDS 1 VGS 1 Vt1 = VGS 1 1 y VDS 2 VGS 2 Vt2 = VGS 2 1. Las dos ltimas quedan
aseguradas por VDS 1 = VGS 1 y VDS 2 = VGS 2 . As pues, las nicas condiciones a verificar son
VGS 1 1 y VGS 2 1. Con Q1 y Q2 en saturacin, tenemos
ID1 = K1 (VGS 1 1)2 ,
ID2 = K1 (VGS 2 1)2 .
Entonces, VGS 1 = VGS 2 es consistente con ID1 = ID2 = I. Por otro lado, VGS 1 + VGS 2 = 5.
As pues, VGS 1 = VGS 2 = 2,5, que es 1. Las zonas de trabajo supuestas para Q1 y Q2 son,
por tanto, correctas, VGS 1 = 2,5 V e
I = ID1 = K1 (2,5 1)2 = 2,25K1 mA .
2) Por inspeccin, obtenemos VGS 3 = VGS 1 = 2,5 Vt3 = 1. Para que Q3 trabaje en la zona
saturacin, se deber cumplir VDS 3 VGS 3 Vt3 = 2,5 1 = 1,5. En esa zona, la corriente I
valdr
I = ID3 = K2 (VGS 3 1)2 = K2 (2,5 1)2 = 2,25K2 mA .
Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensin de valor 5 V, la
resistencia de valor R y Q3, obtenemos
5 = RI + VDS 3 ,
VDS 3 = 5 RI = 5 2,25K2 R ,
e, imponiendo VDS 3 1,5, obtenemos
5 2,25K2 R 1,5 ,
R
5 1,5
1,556
=
k .
2,25K2
K2
92
5V
R2
I
Vt = 1 V
K = K1
R1
Q2 Q1
I
Vt = 1 V
K = K1
Solucin: Denotaremos con los subndices 1 y 2 las tensiones, corrientes y parmetros Vt de,
respectivamente, Q1 y Q2.
1) Por inspeccin, VDS 1 = VGS 1 y VDS 1 > VGS 1 Vt1 = VGS 1 1. Ello implica que Q1 estar
en saturacin con VGS 1 > Vt1 = 1, pues VGS 1 Vt1 conduce a I = 0. La corriente I valdr,
por tanto,
I = K1 (VGS 1 Vt1 )2 = 10(VGS 1 1)2 ,
e, imponiendo I = 1, obtenemos, usando VGS 1 > 1,
1 = 10(VGS 1 1)2 ,
r
1
VGS 1 = 1 +
= 1,316 .
10
Para calcular el valor necesario de R1 conociendo VGS 1 , aplicamos la segunda ley de Kirchoff a
la malla formada por la fuente de tensin de valor 5 V, la resistencia de valor R1 y Q1, obteniendo
5 = R1 I + VGS 1 ,
(3.12)
5 = R1 + 1,316 ,
R1 = 5 1,316 = 3,684 k .
2) Determinemos, primero, el rango de valores posibles para I. El razonamiento del apartado
anterior que ha conducido a que Q1 trabaje en saturacin y a que VGS 1 > 1 es independiente
del valor de R1 , siempre y cuando I 6= 0. Pero I = 0 slo es posible con Q1 en corte y, con
93
I = 0, tenemos VGS 1 = 5 > Vt1 = 1, una contradiccin. Por tanto, Q1 trabaja en saturacin con
VGS 1 > 1 para todo valor posible de K1 e
I = K1 (VGS 1 Vt1 )2 = K1 (VGS 1 1)2 ,
(3.13)
I
,
K1
I
,
K1
I
+ 3,684I .
K1
(3.14)
Dicha relacin pone de manifiesto que I es una funcin creciente de K1 para K1 > 0. Por tanto,
al variar K1 entre 5 mA/V2 y 20 mA/V2 , I vara entre un valor mnimo, Imin , correspondiente a
K1 = 5 mA/V2 , y un valor mximo, Imax , correspondiente a K1 = 20 mA/V2 . Para determinar
Imin e Imax , expresemos I en funcin
de K1 usando (3.14). Podemos reescribir (3.14) en forma
de ecuacin de segundo grado en I. Se obtiene
1
3,684I +
I 4 = 0.
K1
Las soluciones de dicha ecuacin de segundo grado son
p
1/ K1 1/K1 + 58,94
I=
.
7,368
1/K1 + 58,94 1/ K1
,
I=
7,368
e
I=
p
que da
Imin =
p
e
Imax =
p
2
1/K1 + 58,94 1/ K1
54,29
2
1/5 + 58,94 1/ 5
54,29
= 0,9663 mA
2
1/20 + 58,94 1/ 20
54,29
Por otro lado, con Q2 en saturacin y siendo VGS 2 = VGS 1 ,
= 1,024 mA .
94
Imin
= 0,9663 mA
y un valor mximo
Imax
= 1,024 mA .
3) Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensin de valor 5 V,
la resistencia de valor R2 y Q2, obtenemos, usando I = I,
5 = R2 I + VDS 2 = R2 I + VDS 2 ,
VDS 2 = 5 R2 I .
5 R2 I 4 3,684I ,
R2 I 1 + 3,684I ,
1 + 3,684I
1 + 3,684I
1
R2
=
=
+ 0,1842 .
I
20I
20I
La condicin ms estricta se obtiene para I = Imax y es
1
R2
+ 0,1842 = 0,233 k = 233 .
(20)(1,024)
Por tanto, para que con el valor de R1 calculado en el apartado 1) y con = 20, Q2 trabaje en
saturacin para cualquier valor posible de K1 , R2 no deber superar 233 .
Problema 50: Analice el circuito de la figura y: 1) determine el valor de la corriente I cuando el
interruptor est en ON; 2) determine el valor que ha de tener R1 para que, cuando el interruptor
est en OFF y suponiendo que el MOSFET trabaja en saturacin, I = 10 mA; 3) para el valor de
R1 calculado en el apartado anterior y con el interruptor en OFF, determine el mximo valor que
puede tener R2 de modo que el MOSFET trabaje en saturacin.
12 V
10 k
R2
I
Vt = 1 V
K = 5 mA/V2
10 k
R1
Solucin: 1) Con el interruptor en ON, la tensin de puerta del MOSFET, VG , vale 0. Vamos
a ver que ello implica que el MOSFET estar en corte. Se ha de verificar VGS Vt = 1 y
95
6 2,414
= 0,3586 k = 358,6 .
10
96
10 k
I
Q2
Q1
Vt = 1 V
K = 0,2 mA/V2
10
Vt = 1 V
K = 100 mA/V2
vi +
(3.15)
Por otro lado, aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensin
de valor 5 V, la resistencia de valor 10 y Q2, obtenemos
5 = 0,01ID2 + VDS 2 .
Combinando (3.15) y (3.16) obtenemos la ecuacin de segundo grado en VDS 2
2
5 = 8VDS 2 VDS
2 + VDS 2 ,
(3.16)
97
2
VDS
2 9VDS 2 + 5 = 0 ,
cuyas soluciones son VDS 2 = 8,405 y VDS 2 = 0,5949. La solucin VDS 2 = 0,5949 verifica
VDS 2 0 y VDS 2 4. As pues, el transistor Q2 trabaja en la zona hmica y VDS 2 = 0,5949.
Usando (3.15) obtenemos
I = ID2 = (800)(0,5949) (100)(0,5949)2 = 440,5 mA .
Para vi = 5 V, VGS 1 = 5 > Vt1 = 1 y Q1 no estar en corte. Supongamos que trabaja en la zona
hmica. Se ha de verificar VDS 1 0 y VDS 1 VGS 1 Vt1 = 5 1 = 4. Tenemos
2
2
ID1 = K1 [2(VGS 1 Vt1 )VDS 1 VDS
1 ] = 0,2[(2)(5 1)VDS 1 VDS 1 ]
2
= 1,6VDS 1 0,2VDS
1.
(3.17)
Por otro lado, aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensin
de valor 5 V, la resistencia de valor 10 k y Q1, teniendo en cuenta que la corriente por la puerta
de Q2 es nula, obtenemos
5 = 10ID1 + VDS 1 .
(3.18)
Combinando (3.17) y (3.18) obtenemos la ecuacin de segundo grado en VDS 1
2
5 = 16VDS 1 2VDS
1 + VDS 1 ,
2
2VDS
1 17VDS 1 + 5 = 0 ,
2
VDS
1 8,5VDS 1 + 2,5 = 0 ,
cuyas soluciones son VDS 1 = 8,195 y VDS 1 = 0,3051. La solucin VDS 1 = 0,3051 verifica
VDS 1 0 y VDS 1 4. As pues, el transistor Q1 trabaja en la zona hmica y VDS 1 = 0,3051 V.
Dado que VGS 2 = VDS 1 = 0,3051 < Vt1 = 1, el transistor Q2 trabajar en la zona corte. Slo
hay que verificar VDS 2 0. Pero, con Q2 en corte, I = 0 y VDS 2 = 5 0,01I = 5 0. La
corriente I valdr, por tanto, I = 0.
Problema 52: Analice el circuito de la figura y determine el valor de la corriente I para vi = 0
y para vi = 5 V.
5V
Q1
+
vi
Vt = 1 V
K = 0,1 mA/V2
Q2
50 k
30
Vt = 1 V
K = 50 mA/V2
I
98
Para vi = 0, VGS 1 = 5 < Vt1 = 1 y Q1 no estar en corte. Supongamos que est en la zona
hmica. Se ha de verificar VDS 1 0 y VDS 1 VGS 1 Vt1 = 5 + 1 = 4. Con Q1 en la zona
hmica,
2
2
ID1 = K1 [2(VGS 1 Vt1 )VDS 1 VDS
1 ] = 0,1[(2)(5 + 1)VDS 1 VDS 1 ]
2
= 0,8VDS 1 0,1VDS
1.
(3.19)
Por otro lado, aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensin
de valor 5 V, Q1 y la resistencia de valor 50 k, teniendo en cuenta que la corriente por la puerta
de Q2 es nula, obtenemos
5 = VDS 1 + 50ID1 ,
que, combinada con (3.19), conduce a la ecuacin de segundo grado en VDS 1
2
5 = VDS 1 40VDS 1 5VDS
1,
2
5VDS
1 + 41VDS 1 + 5 = 0 ,
cuyas soluciones son VDS 1 = 0,1238 y VDS 1 = 8,076. La solucin VDS 1 = 0,1238 verifica
VDS 1 0 y VDS 1 4. As pues, con vi = 0, Q1 est en la zona hmica y VDS 1 = 0,1238.
Por inspeccin, VGS 2 = VDS 1 y VGS 2 = 0,1238 > Vt2 = 1, implicando que Q2 estar en
corte, debindose nicamente verificar VDS 2 0. Con Q2 en corte, I = 0 y, aplicando la segunda
ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensin de valor 5 V, Q2 y la resistencia de
valor 30 , obtenemos
5 = VDS 2 + 0,03I = VDS 2 ,
VDS 2 = 5 ,
que es 0. As pues, con vi = 0, Q2 est en corte e I = 0.
Para vi = 5, VGS 1 = 0 > Vt1 = 1, implicando que Q1 estar en corte, debindose nicamente
verificar VDS 1 0. Con Q1 en corte, ID1 = 0 y, aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla
formada por la fuente de tensin de valor 5 V, Q1 y la resistencia de valor 50 k, teniendo en
cuenta que la corriente por la puerta de Q2 es nula, obtenemos
5 = VDS 1 + 50ID1 = VDS 1 ,
VDS 1 = 5 ,
que es 0. As pues, para vi = 5, Q1 est en corte y VDS 1 = 5. Por inspeccin, VGS 2 =
VDS 1 = 5 y VGS 2 < Vt2 = 1, implicando que Q2 no estar en corte. Supongamos que est
en la zona hmica. Se ha de verificar VDS 2 0 y VDS 2 VGS 2 Vt2 = 5 + 1 = 4. Con Q2
en hmica, la corriente I vale
2
2
I = K2 [2(VGS 2 Vt2 )VDS 2 VDS
2 ] = 50[(2)(5 + 1)VDS 2 VDS 2 ]
2
= 400VDS 2 50VDS
2.
(3.20)
Por otro lado, aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensin
de valor 5 V, Q2 y la resistencia de valor 30 , obtenemos
5 = VDS 2 + 0,03I ,
99
cuyas soluciones con VDS 2 = 0,4034 y VDS 2 = 8,263. La solucin VDS 2 = 0,4034 verifica
VDS 2 0 y VDS 2 4. As pues, para vi = 5, Q2 est en la zona hmica y VDS 2 = 0,4034.
La corriente I puede ser calculada utilizando (3.20):
I = (400)(0,4034) (50)(0,4034)2 = 153,2 mA .
Problema 53: Con Vt = 1 V, K = 1 mA/V2 y R = 10 k, determine la funcin de transferencia vo = F (vi ), 0 vi 5 V del circuito de la figura para: 1) vc = 0, 2) vc = 5 V. Suponga, a
continuacin, Vt < 5 V y, para vc = 5 V, 3) obtenga vo = F (vi ), 0 vi 5 V en funcin de
K, Vt y R, 4) demuestre que dvo /dR es > 0 para todo vi , 0 < vi 5 V, 5) obtenga vo = F (vi ),
0 vi 5 V para R .
vc
Vt , K
vi
vo
R
100
= 8vi 8vo 2vi vo + 2vo2 vi2 + 2vi vo vo2 = vo2 8vo + 8vi vi2 .
vo =
8,1
= 4,05
3) Una generalizacin de los razonamientos realizados en 2) lleva a las conclusiones de que, para
0 vi 5 Vt , el transistor trabajar en la zona hmica y de que, al hacerse vi > 5 Vt ,
el transistor pasar a trabajar a la zona saturacin y vo mantendr el valor correspondiente a
vi = 5 Vt .
Para determinar la funcin de transferencia vo = F (vi ), 0 vi 5 bastar analizar el circuito
para 0 vi 5 Vt , sabiendo que el transistor trabaja en la zona hmica. Teniendo en cuenta
que VGS = 5 vo y VDS = vi vo , la corriente ID valdr
2
ID = K 2(VGS Vt )VDS VDS
= 2K(5 Vt vo )(vi vo ) K(vi vo )2
= 2K(5 Vt )vi 2K(5 Vt )vo 2Kvi vo + 2Kvo2 Kvi2 Kvo2 + 2Kvi vo
= Kvo2 2K(5 Vt )vo + 2K(5 Vt )vi Kvi2 .
101
vo2
1
2(5 Vt ) +
vo + 2(5 Vt )vi vi2 = 0 .
KR
2KR
vi2
1
2(5 Vt )vi + 5 Vt +
2KR
2
Como en 2), hay que discutir el signo. Para vi = 0, el signo + da vo = 2(5 Vt ) + 1/(KR) y el
signo da vo = 0. Como vo ha de ser 0, el signo correcto para vi = 0 es el . El discriminante
de la ecuacin vi2 2(5 Vt )vi + [5 Vt + 1/(2KR)]2 = 0 vale
1
4(5 Vt ) 4 5 Vt +
2KR
2
2
< 0.
(5 Vt )2 .
vo = 5 Vt +
5 Vt +
2KR
2KR
4) Basta demostrar el resultado para 0 vi 5 Vt . Calculando dvo /dR usando (3.21), se
obtiene
1
1
2 5 Vt +
dvo
1
1
2KR
2KR2
s
=
2
dR
2KR2 2
1
2
vi 2(5 Vt )vi + 5 Vt +
2KR
s
2
1
1
2
5 Vt +
vi 2(5 Vt )vi + 5 Vt +
2KR
2KR
1
s
=
.
2
2KR
2
1
vi2 2(5 Vt )vi + 5 Vt +
2KR
Dado que, como se ha visto en 3), vi2 2(5 Vt )vi + [5 Vt + 1/(2KR)]2 es > 0, basta verificar
que
s
2
1
1
2
5 Vt +
> vi 2(5 Vt )vi + 5 Vt +
.
2KR
2KR
102
Pero vi2 2(5 Vt )vi = vi [vi 2(5 Vt )], que, para 0 < vi 5 Vt , es < 0.
5) Calculando el lmite para R de (3.21) se obtiene, para 0 vi 5 Vt ,
q
lm vo = 5 Vt vi2 2(5 Vt )vi + (5 Vt )2
R
p
= 5 Vt [vi (5 Vt )]2
= 5 Vt [(5 Vt ) vi ] = vi .
Q1
Solucin: Sea K el parmetro de escala de corriente de los dos MOSFETs y denotemos con
los subndices 1 y 2 las tensiones, corrientes y parmetros Vt y K de, respectivamente, Q1 y
Q2. Supongamos Q1 y Q2 en saturacin. Dado que, por inspeccin, VGS 2 = VDS 2 , tenemos
VDS 2 < VGS 2 Vt2 = VGS 2 + 1, por lo que para determinar los valores de vi para los cuales Q1
y Q2 estn en saturacin bastar imponer VGS 1 Vt1 = 1, VDS 1 VGS 1 Vt1 = VGS 1 + 1
y VGS 2 Vy2 = 1. Por inspeccin, VGS 1 = vi vo y VGS 2 = vo 5. Con Q1 y Q2 en
saturacin, tenemos
ID1 = K1 (VGS 1 Vt1 )2 = K1 (vi vo + 1)2
e
ID2 = K2 (VGS 2 Vt2 )2 = K2 (vo 4)2 .
103
vo =
vi + 5
.
2
vi
104
Captulo 4
Problemas de Anlisis de
Amplificadores de Pequea Seal
Problema 55: Analice el circuito de la figura y determine la ganancia de tensin A = vo /vi
para frecuencias suficientemente grandes sabiendo que la del BJT vale = 200 y que las
resistencias del circuito valen RS = 10 k, R1 = 10 k, RC = 500 , RE = 1 k y RL =
1 k. Para el BJT use el modelo lineal a tramos con parmetros , VBE0 = 0,7 V y VCE ,sat =
0,2 V. Use VT = 25,9 mV.
5V
RS
C1
RC
R1
vo
C3
+
R1
vi
C2
RE
RL
10 k
10 k
500
1 k
106
Determinemos el equivalente de Thvenin del dipolo formado por la fuente de tensin de valor
5 V y las dos resistencias de valor 10 k que tiene como salidas la base del BJT y masa. Se
obtiene
10
5 = 2,5 V ,
Vth =
10 + 10
10
Rth = 10 k 10 =
= 5 k .
2
Sustituyendo el dipolo por su equivalente de Thvenin, obtenemos el circuito
5V
IC
500
5 k
2,5 V
1 k
Comprobemos que el BJT est en estado activo y calculemos IC . Con el BJT en estado activo,
obtenemos el circuito
5 k
2,5 V
IB
200IB
0,7 V
500
5V
IC
201IB
1 k
Hemos de verificar IB 0 y VCE 0,2. Para calcular IB , aplicamos la segunda ley de Kirchoff
a la malla formada por la fuente de tensin de valor 2,5 V, la resistencia de valor 5 k, la fuente
de tensin de valor 0,7 V y la resistencia de valor 1 k, obteniendo
2,5 = 5IB + 0,7 + (1)(201IB ) ,
1,8 = 206IB ,
1,8
= 0,008738 ,
206
que es 0. Para calcular VCE conociendo IB , aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla
formada por la fuente de tensin de valor 5 V, la resistencia de valor 500 , la fuente de corriente
controlada y la resistencia de valor 1 k, obteniendo
IB =
107
VT
(200)(0,0259)
=
= 2,963 k .
IC
1,748
El condensador de capacidad C3 hace que la tensin en la salida del circuito vo tenga slo componente de pequea seal. La ganancia A = vo /vi puede ser, pues, determinada haciendo el
anlisis de pequea seal. Para frecuencias suficientemente grandes, los condensadores pueden
ser sustituidos por cortocircuitos en el circuito de pequea seal y ste es
ib
RS
+
R1
vi
R1 r
vo
ib
RC
RL
ib
5 k
i1 2,963 k
vo
200 ib
0,3333 k
(4.1)
108
vo = (0,3333)(200 ib ) = 66,66 ib .
(4.2)
vo
66,66 ib
=
= 3,529 .
vi
18,89 ib
C2
RE
C1
C3
vo
+
vi
R1
RC
RL
50 k
2 k
50 k
1 k
Determinemos el equivalente de Thvenin del dipolo formado por la fuente de tensin de valor
5 V y las dos resistencias de valor 50 k que tiene como salidas la base del BJT y masa.
Vth =
50
5 = 2,5 V ,
50 + 50
Rth = 50 k 50 =
50
= 25 k .
2
109
2 k
25 k
IC
2,5 V
1 k
Comprobemos que el BJT est en estado activo y calculemos IC . Con el BJT en estado activo,
obtenemos el circuito
5V
201IB
2 k
E
0,7 V
IB
25 k
B
200IB
IC
2,5 V
C
1 k
Hemos de verificar IB 0 y VEC 0,2. Para calcular IB , aplicamos la segunda ley de Kirchoff
a la malla formada por la fuente de tensin de valor 5 V, la resistencia de valor 2 k, la fuente
de tensin de valor 0,7 V, la resistencia de valor 25 k y la fuente de tensin de valor 2,5 V,
obteniendo
5 = (2)(201IB ) + 0,7 + 25IB + 2,5 ,
1,8 = 427IB ,
IB =
1,8
= 0,004215 ,
427
que es 0. Para calcular VEC cononociendo IB , aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla
formada por la fuente de tensin de valor 5 V, la resistencia de valor 2 k, la fuente de corriente
controlada y la resistencia de valor 1 k, obteniendo
5 = (2)(201IB ) + VEC + (1)(200IB ) ,
5 = VEC + 602IB ,
VEC = 5 602IB = 5 (602)(0,004215) = 2,463 ,
110
que es 0,2. As pues, en el circuito de polarizacin el BJT est en estado activo, la componente
de polarizacin de la corriente de colector vale
IC = 200IB = (200)(0,004215) = 0,843 mA ,
y el parmetro r del circuito de pequea seal del BJT vale
r =
VT
(200)(0,0259)
= 6,145 k .
=
IC
0,843
El condensador de capacidad C3 hace que la tensin en la salida del circuito vo tenga slo componente de pequea seal. La ganancia A = vo /vi puede ser, pues, determinada haciendo el
anlisis de pequea seal. Para frecuencias suficientemente grandes, los condensadores pueden
ser sustituidos por cortocircuitos en el circuito de pequea seal y ste es
ib
RS
+
R1
vi
R1 r
vo
ib
RC
RL
25 k
ib
i1 6,145 k
vo
200 ib
0,9091 k
(4.3)
vo = (0,9091)(200 ib ) = 181,8 ib .
(4.4)
111
A=
181,8 ib
vo
=
= 9,769 .
vi
18,61 ib
R1
C1
RS
C2
+
vi
vo
R1
RE
RL
1 M
1 M
10 k
Determinemos el equivalente de Thvenin del dipolo formado por la fuente de tensin de valor
10 V y las resistencias de valor 1 M que tiene como salidas la base del BJT y masa. Se obtiene
Vth =
1 M
10 = 5 V ,
1 M + 1 M
Rth = 1 M k 1 M =
1 M
= 500 k .
2
112
10 k
5V
0,7 V
IC
10 V
100IB
E
101IB
10 k
Hemos de verificar IB 0 y VCE 0,2. Para calcular IB , aplicamos la segunda ley de Kirchoff
a la malla formada por la fuente de tensin de valor 5 V, la resistencia de valor 500 k, la fuente
de tensin de valor 0,7 V y la resistencia de valor 10 k, obteniendo
5 = 500IB + 0,7 + (10)(101IB ) ,
4,3 = 1.510IB ,
IB =
4,3
= 0,002848 ,
1.510
que es 0. Para calcular VCE conociendo IB , aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla
formada por la fuente de tensin de valor 10 V, la fuente de corriente controlada y la resistencia
de valor 10 k, obteniendo
10 = VCE + (10)(101IB ) ,
10 = VCE + 1.010IB ,
VCE = 10 1.010IB = 10 (1.010)(0,002848) = 7,124 ,
que es 0,2. La componente de polarizacin de la corriente de colector vale
IC = 100IB = (100)(0,002848) = 0,2848 mA ,
y el parmetro r del modelo de pequea seal del BJT vale
r =
VT
(100)(0,0259)
=
= 9,094 k .
IC
0,2848
113
El condensador de capacidad C2 hace que la tensin en la salida del circuito vo tenga slo componente de pequea seal. La ganancia A = vo /vi puede ser, pues, determinada haciendo el
anlisis de pequea seal. Para frecuencias suficientemente grandes, los condensadores pueden
ser sustituidos por cortocircuitos en el circuito de pequea seal y ste es
B ib
RS
+
vi
R1
R1
ib
E
vo
RL
RE
R1
1 M
=
= 500 k
2
2
y
RE k RL =
RE RL
(10)(10)
=
= 5 k ,
RE + RL
10 + 10
100 k
+
vi
i2
500 k 9,094 k
i1
100 ib
E
vo
101 ib
5 k
(4.5)
vo = (5)(101 ib ) = 505 ib .
(4.6)
114
vo
505 ib
=
= 0,7044 .
vi
716,9 ib
C2
C1
vo
RL
RB
500 k
IC
10 k
E
0,7 V
IB
100IB
B
500 k
IC
115
Hemos de verificar IB 0 y VEC 0,2. Para calcular IB , aplicamos la segunda ley de Kirchoff
a la malla formada por la fuente de tensin de valor 10 V, la resistencia de valor 10 k, la fuente
de tensin de valor 0,7 V y la resistencia de valor 500 k, obteniendo
10 = (10)(101IB ) + 0,7 + 500IB ,
1.510IB = 9,3 ,
9,3
= 0,006159 ,
1.510
que es 0. Para calcular VEC conociendo IB , aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla
formada por la fuente de tensin de valor 10 V, la resistencia de valor 10 k y la fuente de
corriente controlada, obteniendo
IB =
10 = (10)(101IB ) + VEC ,
10 = 1.010IB + VEC ,
VEC = 10 1.010IB = 10 (1.010)(0,006159) = 3,779 ,
que es 0,2. El BJT est, pues, en estado activo, la componente de polarizacin de la corriente
de colector vale
IC = 100IB = (100)(0,006159) = 0,6159 mA ,
y el parmetro r del modelo de pequea seal del BJT vale
r =
VT
(100)(0,0259)
=
= 4,205 k .
IC
0,6159
El condensador de capacidad C2 hace que la tensin en la salida del circuito vo tenga slo componente de pequea seal. La ganancia A = vo /vi puede ser, pues, determinada haciendo el
anlisis de pequea seal. Para frecuencias suficientemente grandes, los condensadores pueden
ser sustituidos por cortocircuitos en el circuito de pequea seal y ste es
RS
ib B
+
vi
RB
ib
E
vo
RE
RL
RE RL
(10)(20)
=
= 6,667 k ,
RE + RL
10 + 20
116
200 k
+
i2
vi
i1
100 ib
500 k 4,205 k
E
vo
101ib
6,667 k
(4.7)
vo = (6,667)(101 ib ) = 673,4 ib .
(4.8)
673,4 ib
vo
=
= 0,5856 .
vi
1.149 ib
Problema 59: Suponiendo que los BJTs trabajan en el estado activo y que las frecuencias de
las tensiones v1 y v2 son suficientemente grandes, analice el circuito de la figura y exprese vo
en funcin de v1 , v2 , los parmetros r y de los modelos de pequea seal de los BJTs y las
resistencias del circuito.
Vcc
RC
C3
vo
RL
RS
C1
R1
R1
RS
+
+
v1
C1
R1
RE
C2
C2
R1
RE
v2
Solucin: El condensador de capacidad C3 hace que la tensin de salida vo tenga slo componente de pequea seal. Para frecuencias suficientemente grandes, las capacidades pueden ser
117
RC
= RC k RL =
RC RL
,
RC + RL
(4.9)
RS
i1
ib1
R1 /2
B1
C1
B2
C2
ib1 ib2
E1
ib2
RS
+
R1 /2
E2
v2
Para analizar el circuito, empezaremos calculando ib1 en funcin de v1 . Para ello, lo ms fcil es
calcular v1 en funcin de ib1 e invertir la relacin.
vb1 = r ib1 ,
vb1
r ib1
2r
=
=
ib1 ,
R1 /2
R1 /2
R1
2r
2r
R1 + 2r
i1 = i1 + ib1 =
ib1 + ib1 = 1 +
ib1 =
ib1 ,
R1
R1
R1
R1 + 2r
R1 + 2r
v1 = RS i1 + vb1 = RS
ib1 + r ib1 =
RS + r ib1 ,
R1
R1
i1 =
ib1 =
Por simetra,
ib2 =
v1
.
R1 + 2r
RS + r
R1
v2
.
R1 + 2r
RS + r
R1
Finalmente,
vo = RC
(ib1 + ib2 ) ,
(4.10)
(4.11)
118
Problema 60: Analice el circuito de la figura y determine la ganancia de tensin A = vo /vi para
frecuencias suficientemente grandes sabiendo que los parmetros Vt y K del MOSFET valen
Vt = 1 V y K = 50 mA/V2 y que las resistencias del circuito valen RI = 10 k, R1 = 300 k,
R2 = 500 k, RD = 2 k, RS = 1 k y RL = 1 k.
10 V
C1
RI
R2
RD
vo
C2
R1
vi
RS
RL
500 k
300 k
2 k
ID
1 k
(4.12)
119
2
50VGS
99VGS + 46,25 = 0 ,
cuyas soluciones son VGS = 1,225 y VGS = 0,7553. Slo la solucin VGS = 1,225 verifica
VGS 1. Retengmosla y verifiquemos VDS VGS 1 = 1,225 1 = 0,225. De (4.12),
ID = 50(1,225 1)2 = 2,531 .
Calculemos la tensin de fuente, VS , y la tensin de drenador, VD :
VS = (1)ID = 2,531 ,
VD = 10 2ID = 10 (2)(2,531) = 4,938 .
Resulta
VDS = VD VS = 4,938 2,531 = 2,407 ,
que es 0,225. As pues, el MOSFET trabaja en saturacin e ID = 2,531 mA. El parmetro gm
del modelo de pequea seal del MOSFET resulta valer
p
p
gm = 2 KID = 2 (50)(2,531) = 22,5 mA/V .
El condensador de capacidad C2 hace que la tensin vo tenga slo componente de pequea seal.
As pues, la ganancia A = vo /vi puede ser calculada analizando el circuito de pequea seal.
Para frecuencias suficientemente grandes, los condensadores pueden ser sustituidos por cortocircuitos y el circuito de pequea seal resulta ser
RI
vo
+
R1
vi
gm vgs
R2
RD
RL
RS
R1 R2
(300)(500)
=
= 187,5 k ,
R1 + R2
300 + 500
RD k RL =
RD RL
(2)(1)
=
= 0,6667 k ,
RD + RL
2+1
120
vo
22,5 vgs
187,5 k
vi
0,6667 k
1 k
187,5
vi = 0,9494 vi ,
10 + 187,5
0,9494 vi
= 0,0404 vi .
23,5
Finalmente,
vo = (0,6667)(22,5 vgs ) = (0,6667)(22,5)(0,0404 vi ) = 0,606 vi ,
y
A=
vo
= 0,606 .
vi
Problema 61: Analice el circuito de la figura y determine la ganancia de tensin A = vo /vi para
frecuencias suficientemente grandes sabiendo que los parmetros Vt y K del MOSFET valen
Vt = 1 V y K = 1 mA/V2 y que las resistencias del circuito valen RI = 10 k, RG = 500 k,
RS = 20 k y RL = 1 k.
5V
RG
RI
C1
C2
+
vi
vo
RS
RL
121
drenador, ID , y el parmetro gm del modelo de pequea seal del MOSFET. El circuito de polarizacin es
5V
500 k
ID
20 k
(4.13)
cuyas soluciones son VGS = 1,423 y VGS = 0,527. Slo la solucin VGS = 1,423 verifica
VGS 1. Retengmosla y verifiquemos VDS VGS 1 = 1,423 1 = 0,423. De (4.13),
obtenemos
ID = (1,423 1)2 = 0,179 .
Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensin de valor 5 V, el
MOSFET y la resistencia de valor 20 k, obtenemos
5 = VDS + 20 ID ,
de donde,
VDS = 5 20 ID = 5 (20)(0,179) = 1,42 ,
que es 0,423. As pues, el MOSFET trabaja en saturacin e ID = 0,179 mA. El parmetro gm
del modelo de pequea seal del MOSFET vale
p
p
gm = 2 KID = 2 (1)(0,179) = 0,846 mA/V .
El condensador de capacidad C2 hace que la tensin vo tenga slo componente de pequea seal.
As pues, la ganancia A = vo /vi puede ser calculada analizando el circuito de pequea seal.
122
Para frecuencias suficientemente grandes, los condensadores pueden ser sustituidos por cortocircuitos y el circuito de pequea seal resulta ser
RI
gm vgs
RG
vi
vo
RS
RL
RS RL
(20)(1)
=
= 0,9524 k ,
RS + RL
20 + 1
0,846 vgs
500 k
vi
vo
0,9524 k
500
vi = 0,9804 vi ,
10 + 500
0,9804 vi
= 0,5429 vi .
1,806
Finalmente,
vo = vs = 0,8057 vgs = (0,8057)(0,5429 vi ) = 0,4374 vi ,
y
A=
vo
= 0,4374 .
vi
123
R1
C1
RI
C2
+
vo
vi
R2
RS
RL
ID
500 k
2 M
50 k
Determinemos el equivalente de Thvenin del dipolo formado por la fuente de tensin de valor
5 V, la resistencia de valor 500 k y la resistencia de valor 2 M que tiene como salidas la puerta
del MOSFET y masa. Se obtiene
Vth =
2.000
5 = 4V
500 + 2.000
y
(500)(2.000)
= 400 k .
500 + 2.000
Sustituyendo el dipolo por su equivalente de Thvenin, se obtiene el circuito
Rth = 500 k 2.000 =
5V
400 k
4V
ID
50 k
124
VGS Vt = VGS 1. Siendo nula la corriente por la puerta del MOSFET, la tensin de puerta
vale VG = 4 V. Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensin
de valor 4 V, las dos resistencias y el MOSFET, obtenemos
4 = VGS + 50ID ,
por otro lado, con el MOSFET en saturacin,
ID = K(VGS Vt )2 = 10(VGS 1)2 .
(4.14)
cuyas soluciones son VGS = 1,076 y VGS = 0,9215. Slo la solucin VGS = 1,076 verifica
VGS 1. Retengmosla y verifiquemos VDS VGS 1 = 1,076 1 = 0,076. De (4.14),
obtenemos
ID = (10)(1,076 1)2 = 0,05776 .
Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensin de valor 5 V, el
MOSFET y la resistencia de valor 50 k, obtenemos
5 = VDS + 50ID ,
de donde,
VDS = 5 50ID = 5 (50)(0,05776) = 2,112 ,
El condensador de capacidad C2 hace que la tensin vo tenga slo componente de pequea seal.
As pues, la ganancia A = vo /vi puede ser calculada analizando el circuito de pequea seal.
Para frecuencias suficientemente grandes, los condensadores pueden ser sustituidos por cortocircuitos y el circuito de pequea seal resulta ser
RI
+
vi
R1
gm vgs
R2
vo
RS
RL
R1 R2
(500)(2.000)
=
= 400 k ,
R1 + R2
500 + 2.000
125
RS RL
(50)(10)
=
= 8,333 k ,
RS + RL
50 + 10
y utilizndolos obtenemos el circuito de pequea seal
RS k RL =
100 k
1,52vgs
400 k
vi
vo
8,333 k
400
vi = 0,8 vi ,
100 + 400
Finalmente,
vo = vs = 12,67 vgs = (12,67)(0,05852 vi ) = 0,7414 vi ,
y
A=
vo
= 0,7414 .
vi
Problema 63: Analice el circuito de la figura y determine la ganancia de tensin A = vo /vi para
frecuencias suficientemente grandes sabiendo que los parmetros Vt y K del MOSFET valen
Vt = 1 V y K = 5 mA/V2 y que las resistencias del circuito valen RI = 50 k, RG = 1 M,
RS = 20 k y RL = 10 k.
5V
RS
RI
+
vi
C2
C1
vo
RG
RL
126
20 k
1 M
ID
(4.15)
cuyas soluciones son VGS = 0,7949 y VGS = 1,195. Slo la solucin VGS = 1,195 verifica
VGS 1. Retengmosla y verifiquemos VDS VGS + 1 = 1,195 + 1 = 0,195. De (4.15),
obtenemos
ID = (5)(1,195 + 1)2 = 0,1901 .
Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensin de valor 5 V, la
resistencia de valor 20 k y el MOSFET, obtenemos
5 = 20ID VDS ,
de donde,
VDS = 5 + 20 ID = 5 + (20)(0,1901) = 1,198 ,
que es 0,195. As pues, el MOSFET trabaja en saturacin e ID = 0,1901 mA. El parmetro
gm del modelo de pequea seal del MOSFET vale
p
p
gm = 2 KID = 2 (5)(0,1901) = 1,95 mA/V .
El condensador de capacidad C2 hace que la tensin vo tenga slo componente de pequea seal.
As pues, la ganancia A = vo /vi puede ser calculada analizando el circuito de pequea seal.
127
Para frecuencias suficientemente grandes, los condensadores pueden ser sustituidos por cortocircuitos y el circuito de pequea seal resulta ser
RI
gm vgs
RG
vi
vo
RS
RL
RS RL
(20)(10)
=
= 6,667 k ,
RS + RL
20 + 10
1,95 vgs
1 M
vi
vo
6,667 k
1.000
vi = 0,9524 vi ,
50 + 1.000
0,9524 vi
= 0,06803 vi .
14
Finalmente,
vo = vs = 13 vgs = (13)(0,06803 vi ) = 0,8844 vi ,
y
A=
vo
= 0,8844 .
vi
128
Problema 64: Suponiendo que el MOSFET trabaja en la zona saturacin, analice el circuito
de la figura y, para frecuencias suficientemente grandes, exprese vo en funcin de v1 , v2 , el
parmetro gm del modelo de pequea seal del MOSFET y las resistencias del circuito.
VDD
C1
RI
RD
v1
C3
R2
vo
RL
C1
RI
R1
C2
RS
v2
Solucin: El condensador de capacidad C3 hace que la tensin de salida vo tenga slo componente de pequea seal, por lo que vo puede ser determinada analizando el circuito de pequea
seal. Para frecuencias suficientemente grandes, las capacidades pueden ser sustituidas por cor = R k R , ste es
tocircuitos en el circuito de pequea seal y, con R = R1 k R2 y RL
D
L
RI
+
v1
RI
vo
gm vgs
RL
v2
Obtenemos
vg1 =
R
v1 .
RI + R
129
Por simetra,
vg2 =
R
v2 ,
RI + R
y
vg =
R
(v1 + v2 ) .
RI + R
Finalmente,
vo = RL
gm vgs = RL
gm vg = RL
gm
y, usando
R
1
(v1 +v2 ) = RL
gm
(v1 +v2 ) ,
RI + R
1 + RI /R
1
1
1
1
=
+
+
R
RI
R1 R2
=
RL
vo =
RD RL
,
RD + RL
RD RL
1
gm
(v1 + v2 ) .
RD + RL
2 + RI /R1 + RI /R2
130
Captulo 5
5 k
vi
vo
+
RL
1
10
vo =
= 1,667 ,
1+5
6
132
y v+ > v para vi > 1,667. Para vi < 1,667, el amplificador operacional estar saturado negativamente y vo = 10. Para comprobarlo, hemos de verificar que v+ < v . Por inspeccin, v+ =
vi y, usando el hecho de que la corrientes por la entrada inversora del amplificador operacional
es nula, obtenemos
1
10
v =
vo =
= 1,667 ,
1+5
6
y v+ < v para vi < 1,667. La siguiente figura muestra la funcin de transferencia vo = F (vi )
vo
10
1,667
1,667
vi
10
2
Vo,ef
RL
10
vi
3
1,667
1,667
3
10
Determinemos :
1,667 = 3 sen() ,
0 < < /2 ,
133
= arc sen
2 vale
Vo,ef
1,667
3
1
=
T /4
1
T
2
Vo,ef
=
vo2 (t) dt .
T /4
0
vo2 (t) dt .
(5.1)
t
t
6 vi (t) = 18 sen 2
, 0 2
T
T
vo (t) =
10 , 2 .
T
2
Haciendo el cambio de variable = 2t/T en (5.1), obtenemos
"Z
#
Z /2
Z /2
1
1
2
2
2
2
Vo,ef =
vo () d =
(18 sen ) d +
10 d
/2 0
/2 0
"
Z /2 #
Z
1
sen2 d + 100
d
=
324
/2
0
(
)
1
sen(2)
=
324
+ 100
/2
2
4
2
0
=
1
(62 81 sen(2) + 50) ,
/2
obtenindose
P =
2
Vo,ef
RL
75,61 V2
75,61
=
W = 0,03781 W = 37,81 mW .
2.000
2.000
Problema 66: Suponiendo que vo est comprendida entre la tensiones de saturacin del amplificador operacional, analice el circuito de la figura y determine vo en funcin de v1 , v2 y las
resistencias R1 , R2 , R y R . Se escoge R = R1 = 1 k. Qu valores debern tener R2 y R
para que vo = 4v1 + v2 ?
R
R1
v1
R2
vo
v2
Solucin: Usando el hecho de que la corriente por la entrada no inversora del amplificador
134
R2
+
v1
+ v
2
R2
R1
v1 +
v2 ,
R1 + R2
R1 + R2
R
1+
R
v+ =
R
1+
R
R
R2
R1
v1 + 1 +
v2 .
R1 + R2
R R1 + R2
Con R = R1 = 1 k,
vo = (1 + R )
R2
1
v1 + (1 + R )
v2 .
R2 + 1
R2 + 1
135
y R4 /R3 para que vo = 3vi para el mayor rango de valores posible para vi ?
R1
R2
+
R3
vi
R4
vo
Solucin: Llamemos vo1 a la tensin en la salida del amplificador operacional superior y vo2 a
la tensin en la salida del amplificador operacional inferior. De vi a vo1 tenemos un amplificador
inversor y de vi a vo2 tenemos un amplificador no inversor. Entonces, suponiendo que vo1 y
vo2 estn comprendidas entre las tensiones de saturacin de los amplificadores operacionales
respectivos, tendremos
R2
vo1 = 1 +
vi ,
R1
vo2 =
R4
,
R3
y
vo = vo1 vo2 =
R2 R4
1+
+
R1 R3
vi .
R2 R4
+
= 3,
R1 R3
R2 R4
+
= 2.
R1 R3
Para que el amplificador operacional superior no se sature, vi deber satisfacer
R2
1+
|vi | V ,
R1
|vi |
V
.
1 + R2 /R1
(5.2)
136
V
.
R4 /R3
Por tanto, para que vo = 3vi , vi deber satisfacer
V
V
1
1
,
,
|vi | mn
= V mn
,
1 + R2 /R1 R4 /R3
1 + R2 /R1 R4 /R3
|vi |
y el rango de valores para vi para los cuales vo = 3vi ser [VI , VI ], con
1
1
VI = V mn
,
.
1 + R2 /R1 R4 /R3
1 = 2x ,
1
x= .
2
As pues, el rango de valores de vi para los cuales vo = 3vi se maximiza para R2 /R1 = 1/2 y
R4 /R3 = 2 R2 /R1 = 2 1/2 = 3/2.
Problema 68: Analice el circuito de la figura suponiendo R > 0 y a) demuestre que la realimentacin es negativa; b) suponiendo que el amplificador operacional trabaja en la zona lineal,
demuestre que i = vi /R; c) con R = 5 k y RL = 1 k, obtenga el intervalo para vi en el
cual i(mA) = vi (V)/5 sabiendo que las tensiones de saturacin del amplificador operacional
son 10 V y 10 V.
10 k
10 k
+
R
vi
i
RL
137
10
vo
vo =
10 + 10
2
y que la tensin de la entrada no inversora, v+ , puede ser evaluada en funcin de vi y vo analizando el circuito
v+
R
+
vi
+ v
o
RL
Utilizando el principio de superposicin para analizar este ltimo circuito obtenemos, con R =
R k RL = RRL /(R + RL ),
R
R
+
v
vo = vi + vo ,
i
R + R
R + R
v+ =
RRL
RRL
1
R + RL
=
=
=
< .
RRL
R +R
2RRL + R2
2
+R
R + RL
Llamando A a la ganancia diferencial del amplificador operacional, las ecuaciones obtenidas para
v y v+ en funcin de vi y vo conducen al diagrama de bloques
R
1/2
+
vi
138
b) Analizaremos el circuito usando el hecho de que las corrientes por las entradas del amplificador
operacional son nulas y usando el teorema del cortocircuito virtual. Sean i1 e i2 las corrientes y
sea vo la tensin indicadas en la figura
10 k
10 k
vo
+
R
vi
i2
i
i1
RL
Utilizando el hecho de que la corriente por la entrada inversora del amplificador operacional es
nula, la tensin en dicha entrada vale
v =
10
vo
vo =
.
10 + 10
2
vo
.
2
vo v+
vo vo /2
vo
=
=
R
R
2R
y la corriente i2
v+ vi
vo /2 vi
vo
vi
=
=
.
R
R
2R R
Finalmente, aplicando la primera ley de Kirchoff al nodo donde se conectan las dos resistencias R y la resistencia RL , teniendo en cuenta que la corriente por la entrada no inversora del
amplificador operacional es nula,
i1 = i2 + i ,
vi
i = i1 i2 = .
R
i2 =
RL
vi .
R
vo
.
2
Combinndolas obtenemos
vo = 2 v+ = 2
RL
vi .
R
139
Para R = 5 k y RL = 1 k,
vo =
2
vi = 0,4 vi .
5
R2
+
RL
vi
i
1+
R2
R1
vi .
(5.3)
i=
vo vi
(1 + R2 /R1 )vi vi
R2 vi
=
=
.
RL
RL
R1 RL
140
vi
vo
R
i
A K
vi
vo
R
1+
R
vi = 2 vi .
2vi vi
vi
vo v
=
= ,
R
R
R
vi
A K
vo
Siendo nula la corriente por la entrada inversora del amplificador operacional, la corriente i ser
nula y la tensin de la entrada inversora, v , valdr v = Ri = 0, que, para vi < 0, es > v+ = vi ,
verificando que el amplificador operacional est saturado negativamente. La tensin vo valdr
v + Ri = 0 y la tensin nodo-ctodo del diodo ser negativa, verificando que el diodo est en
141
vi
Sea T el periodo de la tensin senoidal vi (t). La tensin vo (t) tambin tendr periodo T y valdr
en [0, T ]
2 vi (t) = 10 sen 2
,
T
vo (t) =
0, 2 t 2 .
T
0 2
1
Vo =
T
1
vo (t) dt =
T
T /2
t
10 sen 2
T
dt ,
Vo =
1
2
10 sen d =
10
2
sen d =
0
10
10
10
[ cos ]0 =
(1 + 1) =
= 3,18 V .
2
2
R
R
R
R
R
vi
vo
142
+
vi
R
+
vo
vi +
R
R
R
v1
=
=
vi
R + R
v2
v4
R
R
i1 i2
i3 i
4
i5
+
vo
El anlisis se puede realizar fcilmente aplicando la ley de Ohm y la segunda ley de Kirchoff a
nodos apropiados
v2
i1 =
,
R
v3 = 2Ri1 = 2v2 ,
i2 =
v3
2v2
=
,
R
R
143
i3 = i1 + i2 =
v2 2v2
3v2
+
=
,
R
R
R
i4 =
i5 = i3 + i4 =
3v2 5v2
8v2
+
=
,
R
R
R
8
vo
vi +
.
13
13
Llamando A a la ganancia diferencial del amplificador operacional, el circuito puede ser representado por el diagrama de bloques
1/13
vi
8/13
vo
vi
8/13
vo
13
13 = 8 .
Problema 72: Suponiendo que los dos amplificadores operacionales trabajan en la zona lineal,
analice el circuito de la figura y demuestre que i = vi /R. Suponga, a continuacin, que las
tensiones de saturacin de los amplificadores operacionales son 10 V y 10 V. Para qu valores
144
de vi se cumplir i = vi /R?
R1
R1
vi
R1
+
R1
+
i
RL
Solucin: El circuito formado por el amplificador operacional de la izquierda y las cuatro resistencias R1 es un amplificador diferencial bsico. Por tanto, siendo vo la tensin diferencial
indicada en la siguiente figura
R1
R1
vi
R1
R1
+
vo
i1
+
i
RL
se tendr vo = (R1 /R1 )vi = vi . Siendo i1 la corriente indicada en la figura anterior y, aplicando
el teorema del cortocircuito virtual al amplificador operacional de la derecha y la ley de Ohm, se
tendr
vo
vi
i1 =
= .
R
R
Por ltimo, usando el hecho de que la corriente por la entrada no inversora del amplificador
operacional de la derecha es nula, se tendr
i = i1 =
vi
.
R
145
RL
vi .
R
RL
vi + vi =
= vo2 + vo =
R
RL
1+
R
vi .
o, lo que es lo mismo,
R
R
vi 10
,
RL
RL
R
R
10
vi 10
.
R + RL
R + RL
10
As pues, los valores de vi para los cuales i = vi /R son los comprendidos en el intervalo
[10(R/(R + RL )), 10(R/(R + RL ))].
Problema 73: Suponiendo que el amplificador operacional trabaja en la zona lineal, analice el
circuito de la figura y demuestre que vo = (vP 1 vN 1 ) + (vP 2 vN 2 ) + + (vP k vN k ).
R
vN 1
R
...
vN 2
vN k
vo
vP 1
...
vP 2
vP k
Solucin: Siendo el circuito lineal, la tensin de la salida vo ser funcin lineal de las tensiones vN 1 , vN 2 , . . . , vN k , vP 1 , vP 2 , . . . , vP k . Adems, por simetra, los coeficientes asociados
146
vN 1
R
k1
vo
R
k+1
Siendo nula la corriente por la entrada no inversora del amplificador operacional, la tensin de
dicha entrada valdr v+ = 0. Aplicando el teorema del cortocircuito virtual, la tensin en la entrada inversora valdr v = 0. La corriente i ser nula, y el circuito es esencialmente equivalente
a un amplificador inversor, resultando vo = (R/R)vN 1 = vN 1 y BN = 1. Para determinar
BP , podemos analizar el circuito con vN 1 = vN 2 = = vN k = vP 2 = = vP k = 0.
Calculando los equivalentes de las resistencias que quedan en paralelo, obtenemos el circuito
R
R
k
R
vP 1
vo
R
k
Teniendo en cuenta que la corriente por la entrada no inversora del amplificador operacional es
nula, la tensin de dicha entrada resulta valer
v+ =
R/k
vP 1
vP 1 =
.
R + R/k
k+1
147
R2
R2
v2
RG
vo
+
v1
R1
R2
R2
Solucin: 1) Sea vd = v+ v la tensin diferencial que ve el amplificador operacional. Claramente, vd es una funcin lineal de v1 , v2 y vo . Para demostrar que la realimentacin es negativa
con una ganancia de realimentacin , basta demostrar que la parte de vd proporcional a vo tiene
la forma vo . Dicha parte puede ser obtenida haciendo v1 = v2 = 0, y, por tanto, es la dada
por el circuito
R2
R2
R1
+
vo
RG
R2
R1
+
R2
v+
Demostremos, sin calcular , que la parte de vd proporcional a vo es vo con 0 < < 1. Sean
148
las resistencias
R = R2 k (R1 + R2 ) ,
R = RG + R
y
R = R k (R1 + R2 ) .
Tenemos
v+ =
R
R
R1
vo
R2 + R RG + R R1 + R2
y
v =
R
R1
vo .
R2 + R R1 + R2
De donde, obtenemos
vd
R
R1
R
= v+ v =
1
vo
R2 + R R1 + R2
RG + R
R
RG
R1
=
vo ,
R2 + R RG + R R1 + R2
R2
i1 + i2 + i3
vo
i2 + i3
R1
+
i1
RG
R2
v
i2
R1
+
i3
R2
v+
Calculando v por las dos ramas a masa e igualando los valores, obtenemos
R2 i3 = (R1 + R2 )i2 ,
R1
i3 = 1 +
i2 ,
R2
i2 + i3 =
R1
2+
R2
i2 .
(5.4)
(5.5)
149
Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensin de valor vo y
las tres resistencias superiores y usando (5.5), obtenemos
vo = R2 (i1 + i2 + i3 ) + (R1 + R2 )i1 = (R1 + 2R2 )i1 + R2 (i2 + i3 )
= (R1 + 2R2 )i1 + (R1 + 2R2 )i2 .
(5.6)
Calculando v por dos caminos a masa distintos apropiados e igualando los valores, obtenemos
(R1 + R2 )i1 = RG (i2 + i3 ) + (R1 + R2 )i2 ,
(R1 + R2 )i1 = (R1 + R2 + RG )i2 + RG i3 ,
y, usando (5.4),
(R1 + R2 )i1 =
i2 =
R1 RG
R1 + R2 + 2RG +
R2
i2 ,
R1 + R2
i1 .
R1 + R2 + 2RG + R1 RG /R2
(5.7)
2R12
R1 + R2 + 2RG + R1 RG /R2
vo .
+ 6R1 R2 + 4R1 RG + 4R22 + 4R2 RG + R12 RG /R2
(5.8)
2R12
R1 + R2
vo .
+ 6R1 R2 + 4R1 RG + 4R22 + 4R2 RG + R12 RG /R2
2R12
R12 + R1 R2
vo .
+ 6R1 R2 + 4R1 RG + 4R22 + 4R2 RG + R12 RG /R2
Finalmente,
vd = v+ v =
(5.9)
150
dando
=
R2
i2
i2 iG
RG
iG
vc
i1
R2
v2
vo
+
v1
v1
R1
R2
R2
i1 + iG
v1 vc
R1
(5.10)
vc
.
R1
(5.11)
y
i2 =
Calculemos v1 en funcin de v1 y vc :
v1
R2
R2
= vc R2 i1 = vc
v1 +
vc =
R1
R1
R2
R2
1+
vc
v1 .
R1
R1
(5.12)
De modo similar,
v2
= vc R2 i2 =
R2
1+
R1
vc .
(5.13)
v2 v1
R2
=
v1 .
RG
R1 RG
(5.14)
151
R2
R22
R2
= R2 (i1 + iG ) = R2 i1 + R2 iG =
(v1 vc ) +
v1 =
R1
R1 RG
R1
R2
1+
RG
v1
R2
vc .
R1
R2
1+
RG
R2
v1
vc =
R1
2R2
1+
R1
vc =
R2
vc =
R1
R2
1+
R1
R2
2+
RG
vc
R2
v1 ,
R1
v1 ,
(5.15)
1 + R2 /R1 R2
=
1 + 2R2 /R1 R1
R2
2+
RG
v1 =
(5.16)
(5.17)
R2
1+
RG
152
v1
v2
vo
El valor de fue determinado en el apartado 2). Falta determinar el valor de . Es fcil. Basta
considerar que, de acuerdo con el diagrama de bloques, para A , vo = (/)(v1 v2 ). Ello
da = / y
R2
R2
2R1 RG + R12 RG /R2
1+
= = 2
RG
2R12 + 6R1 R2 + 4R1 RG + 4R22 + 4R2 RG + R12 RG /R2 R1
=
2 + 4R R2 R + 4R R R2
2R12 R2 RG + 2R12 RG
1 2 G
1 2 G
3
2
2
2
2
2 + R3 R2 /R .
2R1 RG + 6R1 R2 RG + 4R1 RG + 4R1 R2 RG + 4R1 R2 RG
2
1 G
6) Con respecto al amplificador diferencial bsico, el circuito analizado tiene la ventaja de que
la ganancia de tensin diferencial puede ser ajustada actuando solamente sobre una resistencia
(la de valor RG ). Con respecto al amplificador de instrumentacin, el circuito analizado tiene el
inconveniente de que las corrientes por las entradas no son, en general, nulas. Dependiendo de
la aplicacin, ste ltimo inconveniente puede no ser grave. Por ejemplo, si v1 y v2 son las tensiones dadas por dos fuentes de seal con idntica resistencia de salida RS , el circuito analizado
amplificar la diferencia de las tensiones que proporcionaran las dos fuentes de seal en vaco
con una ganancia dada por la expresin para obtenida en el apartado 4), con R1 sustituido por
R1 + RS , es decir
R2
R2
2
1+
.
R1 + RS
RG
En ese caso, el circuito analizado es una alternativa atractiva, por su mayor sencillez, al amplificador de instrumentacin.