Tecnologa de Memoria USB

Carlos Galn R.
Jimmy Fernndez
Nayib Gelo

Introduccin
La memoria USB fue inventada en 1998 por IBM,
pero no fue patentada por l. Su objetivo era
sustituir a los disquetes con mucha ms capacidad
y velocidad de transmisin de datos. Aunque
actualmente en un CD o DVD se puede almacenar
memoria para luego borrarla y manipularla, lo ms
cmodo y usado son las memorias USB.

Introduccin
Una memoria USB (de Universal Serial Bus; en
ingls pendrive, USB flash drive) es un dispositivo
de almacenamiento que utiliza memoria flash para
guardar la informacin que puede requerir y no
necesita bateras (pilas). La batera era necesaria
en los primeros modelos, pero los ms actuales ya
no la necesitan. Estas memorias son resistentes a
los rasguos (externos), al polvo, y algunos al
agua (que han afectado a las formas previas de
almacenamiento porttil), como los disquetes,
discos compactos y los DVD.

Funcionamiento
Los sistemas operativos actuales pueden leer y
escribir en las memorias sin ms que enchufarlas
a un conector USB del equipo encendido,
recibiendo la energa de alimentacin a travs del
propio conector que cuenta con 5 voltios y 2,5
vatios como mximo. En equipos algo antiguos
(como por ejemplo los equipados con Windows
98) se necesita instalar un controlador de
dispositivo (driver) proporcionado por el fabricante.
Linux tambin tiene soporte para dispositivos de
almacenamiento USB desde la versin 2.4 del
ncleo.

Funcionamiento
Las memorias USB pueden ser configuradas con
la funcin de autoarranque (autorun) para
Microsoft Windows, con la que al insertar el
dispositivo arranca de forma automtica un
archivo especfico. Para activar la funcin autorun
es necesario guardar un archivo llamado
autorun.inf con el script apropiado en el directorio
raz del dispositivo. La funcin autorun no funciona
en todos los ordenadores. En ocasiones esta
funcionalidad se encuentra deshabilitada para
dificultar la propagacin de virus y troyanos que se
aprovechan de este sistema de arranque.

Componentes Primarios
Un conector USB macho tipo A (1): Provee la interfaz
fsica con la computadora.
Controlador USB de almacenamiento masivo (2):
Implementa el controlador USB y provee la interfaz
homognea y lineal para dispositivos USB seriales
orientados a bloques, mientras oculta la complejidad de
la orientacin a bloques, eliminacin de bloques y
balance de desgaste. Este controlador posee un
pequeo microprocesador RISC y un pequeo nmero
de circuitos de memoria RAM y ROM.
Circuito de memoria Flash NAND (4): Almacena los
datos.
Oscilador de cristal (5): Produce la seal de reloj
principal del dispositivo a 12 MHz y controla la salida de
datos a travs de un bucle de fase cerrado (phaselocked loop)

Componentes Primarios

Componentes internos de un llavero USB tpico

1

Conector USB

Dispositivo de control de almacenamiento masivo USB

Puntos de Prueba

Circuito de Memoria flash

Oscilador de cristal

LED

Interruptor de seguridad contra escrituras

Espacio disponible para un segundo circuito de memoria flash

Funcionamiento
Como la memoria de un flash drive no tiene partes
mviles ni bobinas, el almacenamiento no puede
ser magntico (ya que, segn la Ley de FaradayLenz, requerira la variacin de flujo magntico
para inducir voltaje). Por lo tanto, las unidades
integradas que guardan la informacin en el
interior del chip, lo hacen en forma elctrica: son
condensadores integrados.

Funcionamiento
Un condensador es un dispositivo simple
esencialmente formado por dos conductores
separados por un aislante, a los que se puede
aplicar un voltaje para generar un campo elctrico
que electrice el dielctrico interior. De este modo
se puede guardar carga elctrica. Mientras ms
electrizable sea el dielctrico, menor campo
elctrico habr en el interior, y ms carga podr
acumularse en el condensador. Segn cul sea la
aplicacin, se disean para acumular "energa
elctrica" o para guardar "informacin".

Funcionamiento
Una vez guardada la (carga) informacin, hay que
poder leerla sin eliminarla. Para evitar que se
descarguen los condensadores, se usa un tipo de
transistores por efecto de campo (field effect
transistors, FETs) integrados, que actan como
interruptores de altsima aislacin elctrica.

Funcionamiento
En particular, en su interior se distinguen 3 piezas
principales: un componente metlico alargado,
que es un cristal de cuarzo y dos circuitos
integrados
planos
("chips")
con
muchos
terminales. Uno de ellos es un tipo de
microprocesador, y el otro es la unidad de
almacenamiento de informacin, la "memoria"
propiamente dicha

Funcionamiento
1) La celda de memoria NAND se carga de una
corriente elctrica media cundo indica el valor
1.
2) La celda de memoria NAND se carga de una
corriente elctrica baja cundo indica el valor 0.
3) Al apagar la computadora, las cargas se
quedan activas debido a un efecto de campo
integrado que las mantiene cautivas y tardan
hasta 10 aos en descargarse totalmente.

La memoria Flash que almacena un solo bit por celda (por

ejemplo, el valor de 0 1 por celda), se llama Flash de
celda de un solo nivel (SLC).

Tecnologa Memoria Flash

Hay dos tecnologas importantes de memoria
Flash: NOR y NAND. Cada tecnologa tiene sus
fortalezas, lo que las hace ideales para diferentes
clases de aplicaciones, tal como se resume en la
tabla a continuacin:

Memoria FLASH NOR

NOR, as llamada en consideracin a la tecnologa de
asignacin de datos especficos (No OR), es una
tecnologa Flash de alta velocidad. La memoria Flash NOR
proporciona capacidades de acceso aleatorio de alta
velocidad, pudiendo leer y escribir datos en ubicaciones
especficas de la memoria sin tener que acceder a la
memoria en modo secuencial. A diferencia de la memoria
Flash NAND, Flash NOR permite la recuperacin de datos
de tamao tan pequeo como el de un solo byte. Flash
NOR es excelente en aplicaciones donde los datos se
recuperan o se escriben de manera aleatoria. NOR se
encuentra ms frecuentemente integrada en telfonos
celulares (para almacenar el sistema operativo del
telfono) y PDA; tambin se usa, en computadoras para
almacenar el programa de BIOS que se ejecuta para
proporcionar la funcionalidad de arranque.

Memoria Flash - NAND

Es una tecnologa desarrollada en la empresa
Toshiba; se basa en celdas de memoria NAND
de tipo no voltil. Este tipo de celdas permiten
conservar guardada informacin sin necesidad de
alimentacin elctrica hasta por 10 aos y
dependiendo el tipo de chip instalado, soportan
como mnimo 10,000 ciclos de escritura y borrado
de datos.

Memoria Flash - NAND

Este chip puede tener integrado un controlador
"driver" del fabricante (LG, Kingston, Sony,
Transcend, Sandisk, etc.) un chip con un
controlador genrico (Adata, Apacer, PNY,
Kingmax, etc.). Esto es visible al momento de
conectar la memoria y al instalarse el controlador,
se muestra el tipo de chip localizado. No hay
prcticamente ventajas o desventajas en el tipo de
chip, siempre y cuando la memoria no sea pirata
ya que en esos casos, muchas computadoras no
lo reconocern.

Memoria Flash - NAND

Este tipo de tecnologa, soporta un aproximado de 100,000
borrados, y al encontrarse los circuitos protegidos por la
cubierta plstica, hay un mnimo riesgo de prdida de
datos, lo que un CD-ROM y disquetes no garantizan. Una
vez desconectadas del equipo, almacenan los datos de
manera permanente sin necesidad de bateras.
Esta tecnologa se esta utilizando para sustituir al disco
duro magntico tradicional; a esta nueva tecnologa se le
denomina: Unidades SSD lo que significa ("Solid State
Drive") su traduccin al espaol significa unidad de
estado slido" y por supuesto esta basada en celdas de
memoria tipo NAND.

Figura 3. Memoria USB con chip genrico, siendo

reconocida por el sistema operativo Microsoft Windows
XP.

Versin de
puerto
USB 1.1
USB 2.0
USB 3.0

Figura 4. Memoria USB con chip Kingston, siendo

reconocida por el sistema operativo Microsoft Windows
XP.

Velocidad de transferencia (Megabits/segundo)

(Megabytes/segundo)
1.5 Mbps a 12 Mbps

187.5 Kb/s a 1.5 Mb/s

Tericamente hasta 480 Mbps

60 Mb/s

Prximo a lanzarse al mercado hasta 3.2 Gbps - 400 Mb/s

Demostraciones

Fabricacin

Funcionamiento

Gracias por su atencin