INSTITUTO POLITECNICO NACIONAL

ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERIA MECANICA Y

ELECTRICA

MEDICIONES

PROFESOR:
Delgado Fernndez Agustn

PRACTICA 4: TRANSISTOR BIPOLAR

Acua Barrera Jos David.

Cruz Santiago Erika.

Garca Godnez Eduardo.

Ortiz Snchez Luis Alberto.

GRUPO: 4CM11

FECHA DE ENTREGA: 21/MAYO/2012

TRANSISTOR BIPOLAR
OBJETIVOS.
1.
2.
3.
4.

Identificar las terminales del transistor bipolar

Comprobar el efecto transistor
Medir la corriente de fuga y su variacin con la temperatura
Obtener y medir el voltaje de ruptura de la unin base-emisor y de la unin colectorbase de un transistor bipolar de silicio de tecnologa plana
5. Obtener las curvas caractersticas de entrada del transistor bipolar en configuracin
de emisor comn. Observar y reportar su variacin con la temperatura. Identificar las
regiones de operacin corte, saturacin activa y directa.
6. Contestar y entregar cuestionario, hacer conclusiones y reportar los datos, graficas y
mediciones llevadas a cabo durante la realizacin de esta prctica.
MATERIAL Y EQUIPO EMPLEADO
-

Osciloscopio de doble trazo y puntas de prueba

Generador de seales
Multimetro analgico o digital
Resistencias: Cuatro de 1k y una de 100k
Cuatro transistores de silicio NPN BC547
Un transistor de germanio NPN AC127
Pinza de punta, de corte y desarmador
Cables: 6 caimn-caimn, 6 caimn-banana, 6 banana-banana
Protoboard
4 puntas de prueba de osciloscopio
DESARROLLO EXPERIMENTAL

1. Identificar las terminales del transistor bipolar.

Existen diversas formas que nos permiten identificar las terminales de un transistor
bipolar y si este es NPN o PNP, sin embargo, se recomienda que siempre se consulten
las hojas de especificaciones que proporciona el fabricante y que nos indican cmo
est ubicada las terminales de emisor, colector y base.
En el laboratorio es conveniente comprobar que esta ubicacin es correcta y que el
dispositivo est en buen estado.
2. Usar el multmetro en su funcin hmetro y aplicar la prueba conocida como prueba
del amplificador e identificar las terminales del transistor.
a) Use un multmetro analgico en su funcin de hmetro. Mida el efecto rectificante
entre las uniones emisor-base y colector-base (para el caso de un transistor NPN,
cuando se coloca el positivo de la fuente interna del hmetro en la base (P) y el
negativo en cualquiera de otras dos terminales deber medirse baja resistencia, al
invertir esta polaridad, la resistencia medida deber ser alta (use la misma escala
del multmetro para la realizacin de estas pruebas). Entre las terminales de

colector-emisor se observar alta resistencia sin importar como se coloque la

polaridad en las terminales del hmetro. Con estas mediciones se comprueba la
existencia de las uniones rectificantes del transistor bipolar y el tipo de transistor
NPN o PNP. Para distinguir la terminal de colector de la de emisor, ser necesario
aplicar la prueba del amplificador o alguna otra que se proponga.
3. Otra forma que permite identificar las terminales de este dispositivo, es mediante el
uso de un multmetro digital que nos permita medir la beta del transistor. Esto es;
elegimos en el multmetro digital la funcin de medicin de la beta, colocamos las
terminales del transistor como creamos que estn correctas y midamos las betas,
cuando el dispositivo est correctamente colocado, la beta medida generalmente es
grande (en la mayora de estos casos mayor a 50), cuando no est bien colocado la
beta que se mide es pequea (en la mayora de estos menos a 20 y en algunos
multmetros en esta situacin marca circuito abierto).

Comprobar el efecto transistor.

Se arm el circuito de la figura y se comprob el efecto transistor, en el cual se hace

evidente la inyeccin de portadores de la regin de emisor hasta la regin de colector,
debiendo estar la unin emisor-base polarizada directa, independientemente de la
polarizacin que se presente en la unin colector-base. Se comprob que el valor de la
corriente medida en el colector, prcticamente es igual a la que se tiene en el emisor.
IC= 0.9 A

Medir la corriente de fuga ICBO y su variacin con la temperatura.

Al igual que en los diodos (uniones rectificantes) se tuvo la presencia de corriente de fuga
(generadas por los portadores minoritarios), en los transistores bipolares tambin se
presentan, de tal forma que si polarizamos inversamente en cualquier par de terminales del
transistor, se podrn medir estas corrientes. Segn el par de terminales que se elija, la
corriente tendr valores diferentes aunque del mismo orden de magnitud, es importante
recordar que estas corrientes son muy pequeas comparadas con las corrientes de
operacin del dispositivo y que adems para el caso de silicio son mucho menores que para
el germanio. En la expresin matemtica que se una para la corriente de colector del
transistor bipolar, se presenta el trmino ICBO=ICO, conocido como corriente de saturacin
inversa colector-base con el emisor abierto.

En la figura se propone un circuito para medir esta corriente y observar como vara con la
temperatura. Para esta medicin se us el transistor de germanio AC127.
ICBO=ICO= 0.001 A a temperatura ambiente
ICBIO=ICOI= 0.003 A a temperatura mayor que la ambiente
Para lograr que la temperatura fuera mayor a la del ambiente, se acerc un encendedor al
transistor bipolar por cinco segundos.

Observar y medir el voltaje de ruptura en la unin base-emisor y de la unin

colector-base de un transistor bipolar de tecnologa plana

Se arm el circuito de la figura y se obtuvo la curva del diodo emisor-base, posteriormente

se desconect el emisor, se conect el colector y se obtuvo la curva del diodo colector-base.
Se us seal senoidal con voltaje pico entre 10 y 12 V y frecuencia entre 60 y 1KHz.

VEB= 3.86 V
VCB= 3.67 V
VEC (conectado en emisor)= 0.47 V
VEC (conectado en colector)= 3.3 V
-

Obtener las curvas caractersticas de entrada del transistor bipolar en

configuracin de emisor comn. Observar la variacin con el voltaje
colector-emisor.

Se arm el circuito propuesto en la figura, el cual permite obtener el comportamiento de la

unin emisor-base del transistor bipolar y se observ su variacin con el voltaje de colectoremisor.

Valores medidos de corriente en la base para los diferentes voltajes de baseemisor

Vbe(V) medido
sobre la curva
del diodo
emisor-base
cuando Vce=0V

Vbc(V) medido
sobre la curva
del diodo
emisor-base
cuando
Vce=1.2V

Vbe(V) medido
sobre la curva
del diodo
emisor-base
cuando Vce=5V

3.578 V

4.056 V

0.364 V

6.6.1.Armar el circuito de la figura 6.7 y obtener una a una las curvas caractersticas
de salida del transistor bipolar en emisor-comn, para diferentes corrientes en la
base.

Figura 6.7.a) Circuito propuesto para obtener las curvas caractersticas de

salida del transistor bipolar.
b) Ejemplo de las curvas caractersticas de salida del transistor bipolar
ubicando las regiones de corte, saturacin y activa directa.
Reporte los valores medidos de corriente de colector para los valores de voltaje colectoremisor solicitados en la tabla 6.2, elija los valores adecuados para la corriente de base, tal
que la IB1 haga que el transistor bipolar trabaje en la regin de corte, los valores de IB2 y
IB3 lo hagan trabajar en la regin activa directa (de amplificacin) y la corriente IB4 lo lleve
a la regin de saturacin.

Tabla 6.2
Corriente
en la
base
( A )

IB =

Medir los valores de corriente de colector Ic (mA), para cada uno de

los valores de voltaje colector-emisor abajo indicados (use la curva
que se obtiene en el osciloscopio para cada uno de los diferentes
valores de la corriente de base).
Vce = 0

Vce =
2V

Vce =
4V

Vce =
6V

Vce=8V

Vce=10
V

Vce=12
V

0 mA

315mA

785mA

870mA

880mA

880mA

880mA

Figura 6.8.Curva caracterstica de salida en configuracin de emisor-comn

para el transistor bipolar a dos diferentes temperaturas y
considerando la corriente en la base constante.
6.6.3.Usando el accesorio trazador de curvas para osciloscopio, tal como se indica en
la figura 6.9, obtenga la familia de curvas caractersticas de salida del transistor
bipolar, dibjelas en la figura 6.10.

Al ubicar el punto de referencia para nuestras curvas (0, 0), la primera curva corresponder
a la corriente de base cero, por lo que si elegimos incrementos de corriente de base de 10
A, entonces la segunda curva que se observara corresponder a una corriente de base de
10 A, la tercera a una corriente de base de 20 A, la cuarta a una corriente de base 30 A y
as sucesivamente. Usted puede elegir la corriente de base que sea adecuada a su
dispositivo y que le permita observar las seis graficas que s pueden tener con el trazador de
curvas.

Figura 6.9.Forma en que se debe usar el accesorio trazador de curvas para

el osciloscopio, para obtener la curva caracterstica de salida del
transistor bipolar.

Figura 6.10.a) Ejemplo de una familia de curvas caractersticas de salida (V

I) del transistor bipolar.
b) Familia de curvas caractersticas del transistor bipolar que se
obtiene usando el trazador de curvas.
CUESTIONARIO:
6.7.1.-Dibuje el diagrama de bandas de un transistor bipolar en el cual la unin
emisor base este polarizada directamente y la unin colector base presente
polarizacin cero.

6.7.2.- Determine el valor de para las lecturas que se realizaron en el circuito de

la figura 6.2.
Indica la relacin entre las corrientes de colector y emisor, su valor es algo
inferior a la unidad

4610 mA
=2.19 x 103
210 A

6.7.3.- Escriba la expresin matemtica que se usa para determinar el aumento

de la corriente de fuga en una unin rectificante cuando aumenta la temperatura,
hgalo tanto para el caso del silicio como para el germanio.
R=Los transistores presentan ciertas corrientes de fuga, debidas al efecto de los portadores
I CBO . (La letra I significa
minoritarios. Una de las corrientes de fuga se designa
intensidad de corriente, CB representa la unin colector-base, y O indica que el
emisor est abierto.) Esta corriente es la que atraviesa la unin colector-base en
condiciones de polaridad inversa y con el terminal del emisor abierto. Otra corriente de fuga

es I CEO . ( I significa intensidad de corriente, CE representa la unin colector-emisor,

y O indica que el emisor est abierto.) Esta corriente de fuga es la ms intensa; es una
forma amplificada de I CBO :

I CEO = I CBO

Con el terminal de base abierto, toda corriente que se infiltre a travs de la unin colectorbase polarizada inversamente producir sobre la unin base-emisor el mismo efecto que
una corriente base aplicada externamente. Con el terminal de base abierto, la corriente de
fuga no puede seguir otro camino. Esta fuga la amplifica el transistor como cualquier
corriente de base:

I c = I B

En los transistores de silicio, las corrientes de fuga son muy dbiles. Los transistores de
germanio tienen unas corrientes de fuga mucho ms intensas, lo que posiblemente se
manifieste en una resistencia inversa elevada, pero no infinita.

6.7.4.-Defina que otras corrientes de fuga pueden obtenerse entre las terminales
de un transistor bipolar e indique con que literales se conocen.
R=
1) La tensin inversa colector-base con el emisor abierto (U CBO).
Suele ser elevada (de 20 a 300 voltios) y provoca una pequea corriente de fugas
(ICBO).

2) La tensin inversa colector-emisor con la base abierta (V CEO).

Tambin provoca una corriente de fugas (I CEO).
6.7.5.-Proponga un circuito que permita obtener la corriente de fuga en la unin
emisor base con el colector en corto circuito.
6.7.6.- De qu orden es el voltaje de ruptura de voltaje colector en el transistor
de silicio BC547?

R=La VCES define la tensin mxima del colector, estando la base en cortocircuitada al
emisor, antes de que la anchura de la regin de transicin alcance el emisor perforando la
regin de base.

Grficamente, en la figura 1.7 se muestra la definicin de ambas tensiones. El transistor

BC547 tiene VCES=50 V, y es una de las tensiones mximas de alimentacin.

6.7.7.-A partir de la tabla 6.2 obtenga las curvas caractersticas de salida del
transistor bipolar en emisor comn.

6.7.8.-Proponga el circuito equivalente de parmetros h para el transistor bipolar

en emisor comn y defina cada uno de los parmetros.
R= El modelo hbrido o equivalente hbrido del transistor es un modelo circuital que
combina impedancias y admitancias para describir al dispositivo, de all el nombre de
hbrido.

La obtencin de los parmetros hbridos involucrados dentro del modelo se hace en base a
la teora de cuadripolos o redes de dos puertos.
La sustitucin del smbolo BJT por su modelo hbrido durante el anlisis en c.a. permite la

obtencin de ciertos valores de inters como son: La ganancia de voltaje, ganancia de

corriente, impedancia de entrada y la impedancia de salida.
Estos valores dependen de la frecuencia y el smbolo circuital por s solo no considera este
aspecto, de all la utilidad del modelo hbrido quien si lo considera
NOTA: Los parmetros h, se denominan parmetros hbridos y son componentes de un
circuito equivalente de un circuito equivalente de pequea seal que se describir en breve.
Los parmetros que relacionan las cuatro variables de denominan parmetros h debido a
la palabra hbrido. El parmetro hbrido se seleccion debido a la mezcla de variables V e I
en cada ecuacin, ocasiona un conjunto hbrido de unidades de medicin para los
parmetros h
Una red de dos puertos en general, se describe por el siguiente juego de ecuaciones:
La variables involucradas dentro de la red son vi, ii, v0 e i0 y los parmetros que relacionan
estas variables son los parmetros hbridos, h.
6.7.9.-A partir de las curvas caractersticas que se obtienen en el punto 6.7.7
obtenga los parmetros hoe, hfe para la grfica que obtuvo con la corriente de
Ib3 y un Vce=4V.

R=

h fe=

iC

iB V

hoe =

iC

V CE i =0

CE

=0

6.7.10.-Para la familia de curvas que obtuvo con el trazador de curvas determine

el valor de la hfe en los puntos en que Vce=4v y Vce=6v.

h fe=

iC

iB V

CE

=0

6.7.11.- Cuando la corriente en la base es cero, cunto debe valer la corriente de

colector?
R= Cero, debido a que la corriente de colector es proporcional a la corriente de base.
6.7.12.- Usando los datos de la tabla 6.1, obtenga las curvas caractersticas de
entrada del transistor bipolar en emisor comn.

6.7.13.- Determine los parmetros hbridos hie y hre

punto 6.7.12, para una corriente de base de 40A.

usando las grficas del

R=

hie =
h =

V BE

iB V

=0

CE

V BE
40 106

V BE
comoib 0 no se puede determinar h
V ce i =0
B

POLARIZACION, REGIONES DE OPERACIN Y CIRCUITOS

REGULADORES CON TRANSISTORES BIPOLARES

INTRODUCCION TEORICA
TRANSISTORES DE UNION BIPOLAR

El transistor de union bipolar esta formado por 3 capas de silicio (o de germanio) de gran
pureza, a las cuales se han aadido pequeas cantidades de boro (tipo p) o de fosforo (tipo
n). El limire entre cada capa forma una union, que solo permite el flujo de corriente desde p
hacia n. Las conexiones a cada capa se efectuan evaporando aluminio sobre la superficie. El
revestimiento de dioxido de silicio protege las superficies no metalicas. Una pequea
corriente que pasa a traves de la union base-emisor genera una corriente entre 10 y 1000
veces supeior entre el conductor y el emisor. (Las flechas muestran una corriente positiva.
No deben tomarse literalmente los nombres de las capas). El transistor de union tiene
numerosas aplicaciones, que van desde los detectores electronicos sensibles hasta los
amplificadores de alta fidelidad de gran potencia. Todos ellos dependen de esta
amplificacion de corriente.

EQUIPO PROPORCIONADO POR EL LABORATORIO

Multimetro digital.
Fuente de voltaje c.d. (variable).
Material:
o 2 diodos transistores de silicio npn BC547.
o 2 resistencias de 2.2 K, 2 de 1 K, 100 K, 4.7 K, 330, 220, 100, 820
K, 880 .
1 Transistor TIP 41.
1 diodo zener.
Desarrollo de la prctica
Para el buen desarrollo experimental de esta prctica y la obtencin de los objetivos de la
misma, ser requisito indispensable que el alumno presente por escrito, en forma concisa y
breve: el anlisis, funcionamiento, operacin y comportamiento matemtico de cada uno de
los circuitos propuestos.
El profesor deber revisar que el alumno cumpla con la tarea previa marcada en el punto
anterior, as como se indica en el desarrollo de esta prctica, de no satisfacer estas
indicaciones el alumno no tendr derecho a quedarse en el rea de laboratorio y se le
considera como falta de asistencia al mismo.
1.- Medir los voltajes y corrientes (punto de operacin) del circuito de polarizacin con
divisor de voltaje independiente de beta para el transistor y comparar estos valores con los
calculados tericamente. Observar, medir y reportar como se modifica el punto de
operacin cuando se usan transistores de diferente beta.

Armar el circuito de polarizacin independiente de la beta, el cual se muestra en la figura

7.1, medir los valores de voltaje y corriente que se solicitan en la tabla 7.1 y compararlos
con los valores calculados tericamente (el alumno antes de realizar esta prctica deber
haber calculado los valores de voltaje y los resultados debern anotarse en la columna
correspondiente a la tabla 7.1).
Estas mediciones se realizaran con dos transistores BC547 con el fin de comparar el punto
de operacin en cada caso y comprobar si efectivamente este circuito depende o no del
valor de la beta que tenga el transistor (en los transistores bipolares aun teniendo el mismo
nmero de fabricacin, el valor de la beta no siempre estn independientes de la beta de
polarizacin que sean independientes de la beta de polarizacin que sean independientes
de la beta me polarizacin que sean independientes de la beta, como es el caso que nos
atae).
1.1.-Colocar el transistor 1 (con beta 1) y realizar las mediciones indicadas, luego quitar
este y colocar el transistor 2 (con beta 2) y repetir las mediciones, llenar la tabla con estos
valores.
Figura 7.1 circuito con divisor de voltaje independiente de beta.

IC =

V CC V CE
R C + RE

I B=

IC

I E =I B+ I C

Parmetro a
medir

Valor
tericamente

Valor medido en
el laboratorio

Valor medido en
el laboratorio

calculado

para transistor 1

para transistor 2

V CE (V)

11.7 v

10.24 v

8.95 v

V BE (V)

.592 v

0.583v

81mv

V CB (V)

11.17 v

9.67 v

8.15 v

I B (uA)

5.85uV

6uV

1Ma

I C (mA)

1.106.mA

1.12mA

3mA

IE (ma)

1.11mA

1.106mA

2mA

BETA

189

186

178

2.0.- Observar y distinguir el comportamiento del transistor bipolar en sus tres regiones de
operacin, corte, activa directa y saturacin. Medir los voltajes y corrientes (punto de
operacin) en cada una de estas regiones.
2.1.- Armar el circuito de la figura 7.2 y variar el voltaje de la fuente V BB, para llevar el
transistor a las diferentes regiones de operacin ((Corte, activa directa y saturacin), medir
los valores de voltajes y corrientes (punto de operacin) para las tres regiones de trabajo,
llenar la tabla 7.2 en la que se ha indicado los valores aproximados de las corrientes del
colector que se debe tener en la regin de corte y voltaje de colector emisor para las
regiones de saturacin y activa directa.

Figura 7.2 Circuito propuesto para llevar transistor bipolar a trabajar en sus diferentes
regiones de operacin. El diodo LED se usa para observar visualmente estas regiones (el
LED estar apagado cuando el transistor este en la regin de corte, el LED presentara poca
intensidad luminosa en la regin activa directa y mayor intensidad luminosa cuando se
encuentre en la regin de saturacin.

REGION DE
OPERACIN

V CE (V)

V BE (V)

V CB (V)

IB (uA)

IC (mA)

REGION DE
CORTE

15

1.74

1.25

REGION
ACTIVA
DIRECTA

14.9

6.73

6.25

1.766

1.77

REGION DE
SATURACIO
N

14.8

11.12

10.61

1.50

1.65

3.1.-Armar el circuito regulador de corriente con transistor bipolar que se muestra en la

figura 7.3, realizar las mediciones de voltaje y corriente a la salida necesarios para llenar la
tabla 7.3, ajustar el potencimetro de 10 k, de tal manera que cuando la carga est en corto
circuito la corriente que se lea sea de 30 mA, la variacin de la resistencia del
potencimetro entre cero y 10 k, permite que la corriente en el emisor del transistor
(corriente regulada y por consecuencia en la carga RL, vare entre 50 mA y 0.5 mA
aproximadamente. Habiendo ajustado el potencimetro de 10 k al valor necesario para que
la corriente y voltaje para las diferentes resistencias de carga y observar para que valores
de la RL se mantiene la regulacin.

Figura 7.3 Circuito regulador de corriente con transistor bipolar.

Valores de corriente y voltaje en la salida del regulador, medidos para diferentes valores de
Valor de la
resistencia de 1000
la carga
voltaje(V)
corriente (mA)

560

220

150

100

56

10

12.19

11.07

6.94

4.783

3.184

1.764

0.315

0.002

12.2

20.4

32

31.9

31.9

31.8

31.6

31.5

RL a una corriente regulada de 30 mA

3.2.-Armar el circuito regulador de voltaje con transistores bipolares que se muestra en la

figura 7.4, realizar las mediciones de voltaje y corriente, necesarias para llenar la tabla 7.4
ajustar el valor del potencimetro 10 K para que el voltaje sea de 10 V, cuando la carga est
en circuito abierto (RL= infinito). La variacin de la resistencia del potencimetro entre cero
y 10 K, permite que el voltaje de salida o voltaje regulado (en R L), vare entre 6.7 y 13.72 V
aproximadamente, habiendo ajustado el valor de la resistencia del potencimetro de 10 K
para que el voltaje regulado sea de 10 V, realizar los cambios de resistencia de carga y
observar para que los valores de la RL se mantiene la regulacin

DESARROLLO
Se armo el siguiente circuito:

SIMULACION
Para el voltaje y la corriente en la resistencia de 100K.

Para el voltaje y la corriente en la resistencia de 1K.

Para el voltaje y la corriente en la resistencia de 4.7K.

Para el voltaje y la corriente en la resistencia de 880.

Para el voltaje y la corriente en la resistencia de 330.

Para el voltaje y la corriente en la resistencia de 220.

Para el voltaje y la corriente en la resistencia de 100.

Para infinito.

MEDICIONES DE LA SIMULACION
Valor de la
resistencia
de carga.

Infinito
.

Vs(V)

9.88V

I s(A)

100 K

4.7 K

1K

880

330

220

100

9.88

9.88

9.87

9.87

9.86

9.86

9.83

.0021

.009

.0112

.023

.044

.098

98.83

Para el reglador de voltaje de la figura 7.4, medimos los valores de resistencia de carga
mnima y mxima se mantiene el voltaje a la salida prcticamente sin variar.
Valores de corriente y voltaje en la salida prcticamente sin variar.

Estos son los valores de corriente y voltaje en la salida del regulador de voltaje, medidos
para distintas resistencias de carga en un voltaje de salida regulado de 10 V.
Valor de la
resistencia

Infinito
.

de carga.

100 K

4.7 K

1K

880

330

220

100

Vs(V)

9.98

9.98

9.98

9.96

9.93

9.9

9.85

9.63

I s(mA)

0.1

0.2

0.3

0.4

4.0.- Reportamos los datos mediante estas graficas, y las mediciones se reportan en la tabla
anterior.
12
10
8
Vs(v)

Is(mA)
4
2
0
infinito 10 k

4.7k

1k

560

330

220

CIRCUITO ARMADO

100

Variacin de la resistencia del potencimetro de entre 0 y 10 k, permite que el

voltaje en la salida o voltaje regulado (en RL), vari entre 6.7 y 13.72 V,
aproximadamente.

Voltaje y corriente cuando el valor en la resistencia es de 10K.

Voltaje y corriente cuando el valor en la resistencia es de 100 .

CONCLUSIONES
Para el desarrollo de esta prctica en primer lugar fue necesario que revisramos el valor de
la de la beta de los transistores de prueba por lo que nos percatamos de que nuestros
transistores equivalentes no eran npn, sino pnp por lo que el anlisis como se indica en la
introduccin terica lo hicimos conectando inversamente las fuentes con respecto a los
circuitos de la practica (diseados para npn).
Habiendo visto lo anterior procedimos a iniciar el armado del primer circuito, el cual tena la
finalidad de mostrarnos que para esa configuracin, las betas de los transistores son
independientes. Al comparar las mediciones de la tabla 7.1 vemos que los valores tienen
variaciones importantes y considerables, estos tericamente deberan ser despreciables, sin
embargo en la prctica suceden por diversos factores como el medio, la temperatura
aunada a los posibles errores de paralaje humanos en las mediciones.
A continuacin hicimos el anlisis para el segundo circuito propuesto cuyo propsito era el
llevar el transistor a sus diferentes regiones (corte, saturacin y activa directa) para poder
as medir el punto de operacin voltaje y corriente). Y pudimos observar que para las 3
regiones la corriente de colector era superior a la corriente de base excepto para la regin
de saturacin que el efecto era inverso. Tambin observamos que para los tres casos el
voltaje registrado entre el colector y la base era mayor al registrado entre el emisor y el
colector y muy superior en los casos de la regin activa directa y de saturacin.
Para el tercer circuito que se trataba de un regulador de corriente y al hacer variar la
resistencia de carga pudimos ver que la regulacin se mantena o por lo menos tenia
variaciones muy pequeas para los valores de 100, 5, y 10 ohm, es decir a medida de que
las variaciones entre resistir y resistor se hacan ms pequeas la regulacin se
estandarizaba.
Por ltimo armamos el circuito regulador de voltaje, el cual pudimos observar que no era tan
sensible como el regulador de corriente puesto que aunque las variaciones hmicas de un
resistor a otro fueran considerables la regulacin se mantena con un error del +-3%
As que en esta prctica pudimos comprender la manera de llevar un transistor a sus
diferentes tipos de regiones, y observar su efectividad como regulador ya sea de corriente o
de voltaje.