Monografia Tiristores

UNIVERSIDAD NACIONAL DE MOREN
Ingeniera
Electrnica
Monografa Tiristores, Dispositivos Electrnicos, Ing. Electrnica
Indice
Introduccin..............................................................................................3
Un poco de historia...................................................................................4
Dispositivos semiconductores de potencia............................................4
El Tiristor...................................................................................................7
Estructura y Simbologia.........................................................................8
Funcionamiento del Tiristor en bloqueo o polarizacin inversa.......9
Modelo de SCR de dos transistores:.....................................................10
Funcionamiento del Tiristor en conduccin o polarizacin directa 11
Principio de Encendido por Compuerta (Gate).....................................12
Activacin del SCR...............................................................................14
Accin de la Compuerta (Gate)............................................................15
Curva caracterstica del SCR................................................................16
Definicin de los smbolos....................................................................17
Tipos de Tiristores................................................................................20
Algunas aplicaciones tpicas................................................................28
Hojas de Datos........................................................................................31
Bibliografia..............................................................................................47
El Tiristor o SCR (Rectificador Controlado de

Silicio)
Introduccin
Durante muchos aos ha existido la necesidad de controlar la potencia
elctrica de los sistemas de traccin y de los controles industriales
impulsados por motores elctricos; esto ha llevado a un temprano
desarrollo del sistema Ward-Leonard con el objeto de obtener un voltaje
de corriente directa variable para el control de los motores e impulsores.
La electrnica de potencia ha revolucionado la idea del control para la
conversin de potencia y para el control de los motores elctricos.
La electrnica de potencia combina la energa, la electrnica y el control.
El control se encarga del rgimen permanente y de las caractersticas
dinmicas de los sistemas de lazo cerrado. La energa tiene que ver con
el equipo de potencia esttica y rotativa o giratoria, para la generacin,
transmisin y distribucin de energa elctrica. La electrnica se ocupa
de los dispositivos y circuitos de estado slido requerido e el
procesamiento de seales para cumplir con los objetivos de control
deseados. La electrnica de potenciase puede definir como la aplicacin
de la electrnica de estado slido para el control y la conversin de
energa elctrica.
La electrnica de potencia se basa, en primer termino, en la
conmutacin de dispositivos semiconductores de potencia. Con el
desarrollo de la tecnologa de los semiconductores de potencia, las
capacidades del manejo de la energa y la velocidad de conmutacin de
los dispositivos de potencia han mejorado tremendamente. El desarrollo
de la tecnologa de los microprocesadores - microcomputadoras tiene un
gran impacto sobre el control y la sntesis de la estrategia de control
para los dispositivos semiconductores de potencia.
El equipo de electrnica de potencia moderno utiliza (1)
semiconductores de potencia, que puede compararse con el msculo, y
(2) microelectrnica, que tiene el poder de la inteligencia del cerebro.
Un poco de historia
La historia de la electrnica de potencia empez e el ao 1900, con la
introduccin del rectificador de arco de mercurio. Luego aparecieron
gradualmente, el rectificador de tanque metlico, el rectificador de tubo
al alto vacio de rejilla controlada, el fanotron y el tiratron. Estos
dispositivos se aplicaron al control de la energa hasta la dcada de
1950.
La primera revolucin electrnica inicia en1948 con la invencin del
transistor de silicio en los Bell Telephone Laboratories por los seores
Bardeen, Brattain y Shockley. La mayor parte de las tecnologas
electrnicas avanzadas actuales tienen su origen en esta invencin. A
travs de los aos la microelectrnica moderna ha evolucionado a partir
de los semiconductores de silicio. El siguiente gran parte aguas, en
1956, tambin provino de los Bell Telephone Laboratories: la invencin
del transistor de disparo PNPN, que se defini como un tiristor o
rectificador controlado de silicio (SCR) por sus siglas en ingles.
La segunda revolucin electrnica empez en 1958 con el desarrollo del
tiristor comercial por General Electric Company. Ese fue el principio de
una nueva era en la electrnica de potencia. Desde entonces, se han
introducidos muy diversos tipos de dispositivos semiconductores de
potencia y tcnicas de conversin. La revolucin de microelectrnica nos
dio la capacidad de procesar una gran cantidad de informacin a una
velocidad increble. La revolucin de la electrnica de potencia nos esta
dando la capacidad de dar forma y controlar grandes cantidades de
energa con una eficiencia cada vez mayor.
Debido a la fusin de la electrnica de potencia que es el msculo, con
la microelectrnica, que es el cerebro, se han descubierto muchas
aplicaciones potenciales de la electrnica de potencia, y se descubrirn
ms. Dentro de los siguientes 30 aos, la electrnica de potencia
formara y condicionara la electricidad, en alguna parte de la lnea de
transmisin, entre el punto de generacin y todos los usuarios.
La revolucin de la electrnica de potencia ha ganado inercia, desde el
fin de los aos 80 y principios de los 90.
Dispositivos semiconductores de potencia

Desde que se desarroll el primer tiristor de rectificador controlado de
silicio (SCR), a fines de 1957, ha habido grandes adelantos en los
dispositivos semiconductores de potencia. Hasta 1970, los tiristores
convencionales se haban utilizado en forma exclusiva para el control de
la energa en aplicaciones industriales. A partir de 1970, se desarrollaron
varios tipos de dispositivos semiconductores de potencia que quedaron
disponibles en forma comercial. stos se pueden dividir en cinco tipos
principales: (1) diodos de potencia, (2) tiristores, (3) transistores
bipolares de juntura de potencia (BJT), (4) MOSFET de potencia, y (5)
transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT) y transistores de
induccin estticos (SIT). Los tiristores se pueden subdividir en ocho
tipos: (a) tiristor de conmutacin forzada, (b) tiristor conmutado por
lnea, (e) tiristor desactivado por compuerta (GTO), (d) tiristor de
conduccin inversa (RCT), (e) tiristor de induccin esttico (SITH), (o
tiristor desactivado con asistencia de compuerta (GATT), (g) rectificador
controlado de silicio foto activado (LASCR), y (h) tiristores controlados
por MOS(MCT).
Los transistores de induccin estticos tambin estn disponibles en
forma comercial.
Los diodos de potencia son de tres tipos: de uso general, de alta
velocidad (o de recuperacin rpida) y Schottky. Los diodos de uso
general estn disponibles hasta 3000 V, 3500 A, y la especificacin de
los diodos de recuperacin rpida puede llegar hasta 3000 V, 1000 A. El
tiempo de recuperacin inversa vara entre 0.1 y 5s. Los diodos de
recuperacin rpida son esenciales para la interrupcin de los
convertidores de potencia a altas frecuencias. Un diodo tiene dos
terminales: un ctodo y un nodo. Los diodos Schottky tienen un voltaje
bajo de estado activo y un tiempo de recuperacin muy pequeo,
tpicamente en nanosegundos. La corriente de fuga aumenta con el
voltaje y sus especificaciones se limitan a 100 V, 300 A. Un diodo
conduce cuando el voltaje de su nodo es ms alto que el de su ctodo;
siendo la cada de voltaje directa de un diodo de potencia muy baja,
tpicamente 0.5 y 1.2 V. Si el voltaje de ctodo es ms alto que el voltaje
de nodo, se dice que el diodo est en modo de bloqueo.
Existen varias configuraciones de diodos de uso general, mismos que se
agrupan bsicamente en dos tipos. Uno se conoce como de perno o
montado en perno y el otro como de disco empacado a presin o de
disco de hockey. En el de perno, tanto el nodo como el ctodo podran

ser el perno.
Un tiristor tiene tres terminales: un nodo, un ctodo, y una compuerta.
Cuando una pequea corriente pasa a travs de la terminal de la
compuerta hacia el ctodo, el tiristor conduce, siempre y cuando la
terminal del nodo est a un potencial ms alto que el ctodo. Una vez
que el tiristor est en un modo de conduccin, el circuito de la
compuerta no tiene ningn control y el tiristor continuara conduciendo.
Cuando un tiristor est en un modo de conduccin, la cada de potencial
en directa es muy pequea, tpicamente 0.5 a 2 V.
Un tiristor que conduce se puede desactivar haciendo que el potencial
del nodo sea igual o menor que el potencias de ctodo. Los tiristores
conmutados en lnea se desactivan en razn de la naturaleza senoidal
del voltaje de entrada, y los tiristores conmutados en forma forzada se
desactivan mediante un circuito adicional conocido como circuitera de
conmutacin. Existen varias configuraciones de tiristores de control de
fase (o de conmutacin de lnea): tipo perno, tipo disco de hockey, tipo
plano, y tipo de aguja.
Los tiristores naturales o conmutados en lnea estn disponibles con
especificaciones de hasta 6000V, 3500 A. El tiempo de desactivacin de
los tiristores de bloqueo inverso de alta velocidad ha mejorado en forma
sustancial y es posible obtener de 10 a 20 s con un tiristor de 1200-V,
2000-A. El tiempo de desactivacin se define como el intervalo de
tiempo entre el instante en que la corriente principal se reduce a cero
despus de la interrupcin externa del circuito de voltaje principal, y el
instante en que el tiristor es capaz de aceptar un voltaje principal
especificado, sin activarse. Los RCT y los GATT se utilizan en gran
medida para la interrupcin de alta velocidad, en especial en
aplicaciones de traccin. Un RCT se puede considerar como un tiristor
que incluye un diodo inverso en paralelo. Los RCT estn disponibles
hasta 2500 V, 1000 (y 400 A de conduccin inversa) con un tiempo de
interrupcin de 40 s. Los GATT estn disponibles hasta 1200 V, 400 A
con una velocidad de interrupcin de 8 s. Los LASCR, que se fabrican
hasta 6000V, 1500 A, con una velocidad de interrupcin de 200 a 400
s, son adecuados para sistemas de energa de alto voltaje,
especialmente en HVDC. Para aplicaciones de corriente, alterna de baja
potencia los TRIAC, se utilizan ampliamente en todo tipo de controles
sencillos de calor, de iluminacin, de motor, as como interruptores de
corriente alterna. Las caractersticas de los TRIAC son similares a dos
6
tiristores conectados en inverso paralelo con una sola terminal de

compuerta. El flujo de corriente a travs de un TRIAC se puede controlar
en cualquier direccin. Los GTO y los SITH son tiristores auto
desactivados. Los GTO y los SITH se activan mediante la aplicacin de un
pulso breve positivo a las compuertas, y se desactivan mediante la
aplicacin de un pulso corto negativo a las mismas. No requieren de
ningn circuito de conmutacin. Los GTO resultan muy atractivos para la
conmutacin forzada de convertidores y estn disponibles hasta 4000 V,
3000A.
Los SITH, cuyas especificaciones pueden llegar tan alto como 1200 V,
300A, se espera que puedan ser aplicados a convertidores de mediana
potencia con una frecuencia de varios cientos de Khz. y ms all del
rango de frecuencia de los GTO. Existen varias configuraciones de GTO.
Los transistores bipolares de alta potencia son comunes en los
convertidores de energa a frecuencias menores que 10 Khz. y su
aplicacin es eficaz en las especificaciones de potencia de hasta 1200 V,
400 A. Un transistor bipolar tiene tres terminales: base, emisor y
colector. Por lo general, se opera en forma de interruptor en la
configuracin de emisor comn. Mientras que la base de un transistor
NPN est a un potencial ms alto que el emisor, y la corriente de base
sea lo suficientemente grande como para excitar al transistor en la
regin de saturacin, el transistor se conservar activado, siempre que
la unin del colecto ral emisor est correctamente polarizada. La cada
directa de un transistor en conduccin est en el rango de 0.5 a 1.5 V. Si
el voltaje de excitacin de la base es retirado, el transistor se conserva
en modo de no conduccin (es decir desactivado).
Los MOSFET de potencia se utilizan en convertidores de potencia de alta
velocidad y estn disponibles en una especificacin de relativamente
poca potencia en rango de 1000 V, 50 A, en un rango de frecuencia de
varias decenas de Khz. Los IGBT son transistores de potencia
controlados por voltaje. Por naturaleza, son ms rpidos que los BJT,
pero an no tan rpidos como los MOSFET. Sin embargo, ofrecen
caractersticas de excitacin y de salida muy superiores a las de los BJT.
Los IGBT son adecuados para altos voltajes, altas corrientes y
frecuencias de hasta20 Khz. Los IGBT estn disponibles hasta 1200 V,
400 A.
El Tiristor
En la industria hay numerosas operaciones, las cuales requieren se
entregue una cantidad de potencia elctrica variable y controlada. La
iluminacin, el control de velocidad de un motor, la soldadura elctrica y
el calentamiento elctrico, son las cuatro operaciones ms comunes.
Siempre es posible controlarla cantidad de potencia elctrica que se
entrega a una carga si se utiliza un transformador variable para
proporcionar un voltaje de salida variables. Sin embargo, para grandes
potencias, los transformadores variables son fsicamente grandes y
costosos y necesitan un mantenimiento frecuente, estos tres factores
hacen que los transformadores variables sean poco utilizados.
Otro mtodo para controlar la potencia elctrica que se entrega a una
carga, es intercalar un restato en serie con la carga, para as controlar
y limitar la corriente. Nuevamente para grandes potencias, los restatos
resultan de gran tamao, costosos, necesitan mantenimiento adems,
desperdician una cantidad apreciable de energa. Los restatos no son la
alternativa deseable frente a los transformadores variables en el control
de potencia industrial.
Desde 1960 est disponible un dispositivo electrnico, el cul no adolece
de las fallas antes mencionadas. El SCR es pequeo y relativamente
barato, no necesita mantenimiento y su consumo de potencia es muy
pequeo. Algunos SCR modernos pueden controlar corrientes del orden
de cientos de amperios en circuitos que operan a voltajes tan elevados
como 1000 volts. Por estas razones, los SCR son muy importantes en el
campo del control industrial moderno.
Dentro de la familia de dispositivos pnpn, el rectificador controlado de
silicio (SCR) es, sin duda, el de mayor inters hoy en da, y fue
presentado por primera vez en 1956 por los Bell Telephone
Laboratories. Algunas de las reas ms comunes de aplicacin de los
SCR son controles de relevador, circuitos de retardo de tiempo, fuentes
de alimentacin reguladas, interruptores estticos, controles de motores,
recortadores, inversores, ciclo-conversores, cargadores de bateras,
circuitos de proteccin, controles de calefaccin y controles de fase.
En aos recientes han sido diseados SCR para controlar potencias tan
altas de hasta 10 MW y con valores individuales tan altos como de 2000
A a 1800 V. Su rango de frecuencia de aplicacin tambin ha sido
8
extendido a cerca de 50 kHz, lo que ha permitido algunas aplicaciones

de alta frecuencia.
Estructura y Simbologia
El tiristor es un nombre genrico de una serie de dispositivos
semiconductores de potencia. Uno de ellos llamado SCR (rectificador
controlado de silicio) es un semiconductor slido de silicio formado por
cuatro capas P y N alternativamente, dispuestas como se ve en la
Figura 1, donde tambin se representa su smbolo.
Figura 1 Smbolo y circuito equivalente del SCR
Figura 2 Seccin longitudinal del

SCR
El dispositivo cumple varias misiones que podemos clasificar un poco

arbitrariamente como sigue:
Rectificacin: consiste en usar la propiedad de funcionamiento

unidireccional del dispositivo, el cual realiza entonces la misma
funcin de un diodo.
Interrupcin de corriente: usado como interruptor, el tiristor

puede reemplazar a los contactores mecnicos.
Regulacin: la posibilidad de ajustar el momento preciso del

encendido permite emplear el tiristor para gobernar la potencia o
la corriente media de salida.
9
Amplificacin: puesto que la corriente de mando puede ser muy

dbil en comparacin con la corriente principal, se produce un
fenmeno de amplificacin en corriente o en potencia. En ciertas
aplicaciones esta "ganancia" puede ser de utilidad.
Funcionamiento del Tiristor en bloqueo o polarizacin

inversa
Para simplificar el siguiente anlisis admitiremos que el ctodo del
tiristor est siempre a tierra y que la puerta no est conectada
("flotando").
En estas condiciones, se puede comparar el tiristor a tres diodos
conectados en oposicin.
En efecto, las capas P2N2 y P1N2 forman diodos que aseguran el
aguante en tensin del dispositivo. De esta forma:
Si el nodo es positivo, el elemento est polarizado

directamente, pero el diodo P1N2 bloquea la tensin aplicada.
Si, por el contrario, el nodo es negativo, los diodos P2N2
y P1N1 tienen polarizacin inversa. Por ser dbil la tensin de
avalancha de P1N1, su papel es despreciable y es P2N2 el que ha
de limitar la corriente inversa de fuga.
La tensin mxima viene limitada, prcticamente, por la tensin de

avalancha de los diodos P2N2 y P1N2 en serie.
10

Figura 3 - Las tres uniones del
tiristor pueden representarse
mediante tres diodos
equivalentes
Figura 4 El SCR polarizado en
Inversa
Modelo de SCR de dos transistores:

La accin regenerativa o de enganche debido a la retroalimentacin
directa se puede demostrar mediante un modelo de un SCR de dos
transistores. Un SCR se puede considerar como dos transistores
complementarios, un transistor PNP, T1, y un transistor NPN, T2 :
Figura 5 A) SCR simplificado. B) SCR como dos Transistores. C)

Circuito Equivalente
Funcionamiento del Tiristor en conduccin o polarizacin

directa
Se comprender mejor el funcionamiento del tiristor si nos
referimos al montaje con dos transistores, PNP y NPN, de la Figura
5, que resulta equivalente. Estos dos transistores estn conectados
de forma que se obtenga una realimentacin positiva.
Supongamos que sea positiva la regin P2 con relacin a la N1. Las
uniones J3 y J1 emiten portadores positivos y negativos respectivamente
hacia las regiones N2 y P1. Estos portadores, tras su difusin en las
bases de los transistores, llegan a la unin J2, donde la carga espacial
crea un intenso campo elctrico.
11
Siendo 0.3 la ganancia de corriente que da la fraccin de la corriente de

huecos inyectada en el emisor y que llega al colector del PNP, y siendo
por otro lado a la ganancia de corriente que da lafraccin de la corriente
de electrones inyectada en el emisor que llega al colector del NPN,
podemos escribir:
I K =I A
I c 2= 2 . I A
I c 1= 1 . I K
La corriente total de nodo IA es evidentemente la suma de lc1 e lc2, a

la que hay que sumar la corriente de fuga residual que pasa por la unin
central J2 y a la que llamaremos Icx. Se tiene entonces:
I A = 2 . I A + 1 I A + I CX
Lo que nos queda:

I A=
I CX
1( 1 + 2)
Ahora bien, en muchos transistores de silicio la ganancia es baja para

valores reducidos de corriente, aumentando cuando crece la corriente.
Luego, si Icx es reducida, el denominador de la fraccin anterior se
acerca a 1 (para corrientes dbiles) y la corriente IA es apenas mayor
que la corriente de fuga.
Aunque polarizada directamente, la estructura PNPN permanece
pues bloqueada presentando una elevada impedancia. Cuando
aumenta, por cualquier motivo, la corriente de fuga lcx, aumentan la
1+ 2
corriente y la ganancia. La suma
tiende entonces a 1 y la
corriente IA tiende a infinito. En realidad, esta corriente toma un valor
muy alto, limitado slo porel circuito externo.
12
El tiristor est entonces en estado conductor (tambin se dice que

est desbloqueado o disparado).
Hagamos observar que este tipo de encendido por aumento de la
corriente de fuga esto es, en general, por aumento de la tensin
aplicada entre nodo y ctodo del elemento es desaconsejable en la
mayora de los casos.
Figura 6 El SCR en polarizacin Directa
Principio de Encendido por Compuerta (Gate)

El encendido por puerta es el mtodo ms usual de disparo de
tiristores. El razonamiento siguiente aparecer mucho ms claro si nos
referimos a la Figura 7.
Una vez polarizado directamente el tiristor se inyecta un impulso
positivo de mando en su puerta (este ataque es en corriente,
denominndose lG a esta ltima). El transistor NPN designado T1 recibe
una corriente de base lG, pasando a ser su corriente de colector de
13
IG . 1
, donde
es la ganancia de corriente de este transistor
(montaje en emisor comn).

Esta corriente se inyecta a su vez en la base del transistor T2 (PNP) que
I . .
2
entrega entonces una corriente de G 1 2 (siendo
la ganancia
de corriente de T2). Esta corriente, que aparece en el colector de T2,
vuelve a aplicarse a la base de T1.
Hay que considerar entonces dos casos:
1. El producto
1. 2
es inferior a 1, en cuyo caso el elemento no se
enciende
2. El producto
1. 2
tiende a la unidad, con lo que se realiza el
proceso de amplificacin y el elemento pasa al estado de

conduccin.
Estas dos condiciones (
1. 2
< 1 y
1. 2
= 1) caracterizan el
estado del tiristor en funcin de la corriente. En efecto, la ganancia

de un transistor de silicio crece normalmente, por lo general, en
funcin de la corriente (Figura 8). As pues:
Si la corriente de puerta es dbil, el producto
1. 2
es inferior
a la unidad y no se enciende el dispositivo
Si el impulso de mando es suficiente, las corrientes de emisor

1. 2
son lo bastante elevadas para que el producto
tienda a
1.
En cuanto se produce el encendido, la realimentacin hace que los

dos transistores conduzcan a saturacin (por cuanto la corriente de
colector de uno se inyecta sistemticamente en la base del otro).
Una vez en conduccin, los transistores se mantienen ya en ese
estado, incluso aunque desaparezca el impulso inicial de puerta,
hasta que el circuito exterior deje de mantener la corriente IA.
14
Figura 7 Modelo SCR con

transistores
Figura 8 Curva Beta en funcin de la

IE
Activacin del SCR

Como ya hemos visto, el tiristor puede adoptar uno de estos estados:
De bloqueo, cuando est polarizado en sentido inverso;
De bloqueo o de conduccin, cuando la polarizacin es directa,

segn que est encendido o no.
En este ltimo caso, para hacerlo pasar del estado de bloqueo al de

conduccin se recurre, como se ha dicho ya, a la propiedad esencial del
transistor de silicio: la de poseer una ganancia de corriente que crece
con la corriente de emisor, le.
Por tanto, se pueden usar todos los medios capaces de provocar un
aumento de la corriente IE. Los ms importantes son:
15
LA TENSIN: Cuando aumenta la tensin nodo-ctodo del tiristor,

llega un momento en que la corriente de fuga es suficiente para
producir un brusco aumento de la corriente IE. Esta forma de
disparo se usa sobre todo con los diodos de 4 capas (diodostiristores).
LA DERIVADA DE LA TENSIN: Ya se sabe que una unin PN

presenta una cierta capacidad. As, pues, si se hace crecer
bruscamente la tensin nodo-ctodo, esta capacidad se carga
con una corriente: Y, si esta corriente I es suficientemente
elevada, provocar el encendido del tiristor.
LA TEMPERATURA: La corriente inversa de fuga de un

transistor de silicio aumenta al doble, aproximadamente, cada
14 C (al aumentar la temperatura). Cuando la corriente alcanza
un valor suficiente, se produce el disparo del tiristor por los
mismos fenmenos ya vistos.
EL EFECTO TRANSISTOR: Es la forma clsica de gobernar un

tiristor. En la base del transistor equivalente se inyectan
portadores suplementarios que provocan el fenmeno de disparo
(la base es la puerta del tiristor).
EL EFECTO FOTOELCTRICO: La luz, otra de las formas de

energa, puede tambin provocar el encendido del tiristor al
crear pares electrn-hueco. En este caso se emplea un fototiristor,
que es un tiristor con una "ventana" (esto es una lente
transparente que deja pasar los rayos luminosos) en la regin de
puerta.
Accin de la Compuerta (Gate)

Si se aplica una seal de mando a la puerta del tiristor se modifica la
tensin de encendido de ste, tal como muestra las curvas de la Figura
9.
Cuando es nula la corriente lG de puerta, el tiristor no se ceba hasta
que se alcanza la tensin de disparo entre nodo y ctodo del
elemento. A medida que aumenta la corriente de puerta lG,
disminuye el valor de la tensin de disparo del tiristor. En el
lmite, el tiristor se comporta como un diodo, esto es, para una
16
corriente de puerta suficientemente elevada, la menor tensin de nodo

provoca la conduccin en el tiristor.
Para prevenir los posibles encendidos espordicos del tiristor se puede
conectar un resistor en paralelo con la unin puerta-ctodo (siguiente
figura). Esto es especialmente interesante cuando la ganancia del
transistor NPN (del par equivalente) es elevada. (Por lo general
suele ser ms elevada que la ganancia del PNP.)
Por otra parte, casi todos los fabricantes integran ya un resistor de
difusin entre la puerta y el ctodo del tiristor; esta tecnologa es
la que se conoce como "shorted emitter", con un cortocircuito
puerta-emisor.
Al aumentar el valor de la corriente de puerta necesaria para el
encendido del tiristor, este resistor en paralelo mejora las
caractersticas del elemento en bloqueo, y aumenta la inmunidad
ante transitorios parsitos. La resistencia depende de la temperatura y
de las tolerancias de fabricacin, y vara entre los valores extremos
RG, (mn.) y RG (mx.).
Figura 9 Curva IA en funcin

de la IG
Figura 10 Tecnologa Shorted

Emitter
Curva caracterstica del SCR

En la Figura 11 se presenta la curva caracterstica tpica de un
tiristor (elemento unidireccional), representndose la corriente IA en
funcin de la diferencia de tensin nodo-ctodo.
17
Cuando es nula la tensin V, lo es tambin la corriente IA. Al crecer la

tensin V en sentido directo se la designar como VF, siendo F la
inicial de "forward" (directo, en ingls) se alcanza un valor mnimo
(Vd) que provoca el encendido; el tiristor se hace entonces
conductor y cae la tensin nodo-ctodo mientras aumenta la
corriente IA. Por lo mismo que hemos dicho de la tensin, a esta
corriente directa la llamaremos IF.
Si se polariza inversamente el tiristor, aplicndole una tensin
VR(donde R es la inicial de "reverse", esto es, inverso en ingls)
observaremos la existencia de una dbil corriente inversa de fuga
(esta corriente inversa recibir el smbolo IR) hasta que se alcanza
un punto de tensin inversa mxima que provoca la destruccin del
elemento.
El tiristor es pues conductor slo en el primer cuadrante. El disparo
ha sido provocado en este caso por aumento de la tensin directa. La
aplicacin de una corriente de mando en la puerta desplaza, como
veremos, hacia la derecha el punto de disparo Vd.
Figura 11 Curva caracterstica del

SCR
Figura 12 Zonas de Trabajo del SCR
18
Definicin de los smbolos

La curva caracterstica del tiristor puede pues dividirse en 6
regiones, de las que 4 estn situadas en el primer cuadrante. A
continuacin definiremos los smbolos principales relativos a puntos
notables de esta curva.
Debido a que la mayor parte de la bibliografa existente sobre tiristores
procede de Estados Unidos, se han conservado aqu las designaciones
simblicas del ingls. Las magnitudes directas llevarn el ndice F (de
forward) y las inversas R (de reverse). El siguiente cuadro resume
el significado de las abreviaturas usadas:
CORRIENTE DIRECTA MEDIA

Se define as el valor medio de los valores instantneos de
corriente directa nodo-ctodo en el tiristor, para un intervalo dado de
tiempo. Su smbolo es IF(AV).
CORRIENTE ACCIDENTAL DE PICO

Es el valor que puede alcanzar un pico de corriente nodo-ctodo
en forma accidental, esto es transitoriamente y no de modo
recurrente. Su smbolo es IFSM y define pues el valor mximo
admisible de las extracorrientes, en el curso de regmenes transitorios
aleatorios. Normalmente se especifica para , 1, o 10 ciclos a una
frecuencia dada.
CORRIENTE MXIMA DE PUERTA

La corriente mxima de puerta se simboliza IGFS, y es el valor
mximo instantneo que puede alcanzar un pico de corriente en el
electrodo de mando del tiristor. Este valor define tambin el valor
mximo de la corriente de mando en rgimen de impulsos de muy corta
duracin.
TENSIN DIRECTA DE DISPARO

La tensin directa de disparo Vd (o tambin VBO) es la tensin
directa por encima de la cual se enciende el tiristor por disparo
directo.
19
TENSIN INVERSA DE RUPTURA

La tensin inversa que produce la ruptura del elemento se designa como
VRR.
TENSIN INVERSA REPETITIVA

La tensin inversa recurrente es VRWM. Se define as el valor mximo
que puede tomar la amplitud de la tensin inversa peridica aplicada
entre el nodo y ctodo del tiristor.
TENSIN INVERSA REPETITIVA DE PICO

La tensin inversa recurrente de pico es VRPM y es el valor mximo que
pueden alcanzar las punas recurrentes de tensin inversa. Este valor es
numricamente superior al valor mximo de tensin inversa del tiristor
(valor de pico mximo).
TENSIN INVERSA TRANSITORIA O ACCIDENTAL

La tensin inversa transitoria o accidental es VRSM. Este valor limita la
tensin inversa ctodo-nodo a la que puede someterse el tiristor,
durante un intervalo dado de tiempo.
TENSIN DIRECTA DE PICO EN BLOQUEO

La tensin directa de pico en estado de bloqueo es VDWM (o tambin
VFDM). Su valor fija un lmite a la tensin mxima aplicable entre nodo
y ctodo del tiristor, con puerta flotante, sin riesgo de disparo. Esta
tensin es pues ligeramente inferior a la tensin de disparo en ausencia
de seal de mando.
POTENCIA TOTAL DISIPADA

La potencia total disipada en el tiristor es Pav. En ella se consideran
todas las corrientes: directa, media e inversa (IFAV e IRR); de fuga,
20
directa e "inversa (IFD e IR); de mando (IG); corriente capacitiva, etc. Su

valor permite calcular el radiador, si es que el tiristor precisa de uno.
POTENCIA MEDIA DISIPABLE DE PUERTA

La potencia media disipable de puerta es PGAV. Es el valor de la
potencia disipada en la unin puerta-ctodo.
POTENCIA DE PICO DE PUERTA
La potencia de pico de puerta es PGFS. Corresponde a la potencia
mxima disipada en la unin puerta-ctodo, en el caso de aplicarse
una seal de disparo no continua. Su valor es superior al de PGAV y su
lmite depende de las condiciones de encendido.
CORRIENTE DE ENGANCHE
La corriente de enganche IL es la corriente IA mnima que hace
bascular el tiristor del estado de bloqueo al de conduccin. Su
valor es por lo general de dos o tres veces la corriente de
mantenimiento, definida a continuacin.
CORRIENTE DE MANTENIMIENTO
Para conservar su estado de conduccin el tiristor debe suministrar
una comente de nodo, IA, mnima que recibe el nombre de corriente
de mantenimiento, IH. A veces se denomina tambin a esta corriente,
corriente hipo-esttica.
TENSIN DE ENGANCHE
A la corriente LI , de enganche le corresponde una tensin de enganche
VL.
TENSIN DE MANTENIMIENTO
Del mismo modo, se podra definir una tensin de mantenimiento
VH que sera la tensin que, aplicada al nodo, permitira el paso de
la corriente In de mantenimiento.
21
CORRIENTE DE PUERTA
La corriente de puerta se designa GI . En una serie dada de
tiristores teniendo en cuenta la dispersin de las caractersticas
el valor mximo necesario para asegurar el encendido de
cualquier elemento se designa lGT.
TENSIN DE ENCENDIDO
A esta corriente IGT le corresponde una tensin de encendido VGD (que
en los dispositivos de uso corriente se aproxima a 1 V).
TENSIN MXIMA EN LA PUERTA SIN DISPARO

Finalmente, la tensin mxima aplicable a la puerta s n provocar el
disparo se simboliza por VGD. Esta tensin se define a la temperatura
mxima y es siempre muy inferior a la tensin de encendido (puede ser,
por ejemplo, de 0,3 V).
Tipos de Tiristores
Los tiristores se fabrican casi exclusivamente por difusin. La corriente
del nodo requiere de un tiempo finito para propagarse por toda el rea
de la unin, desde el punto cercano a la compuerta cuando inicia la
seal de la compuerta para activar el tiristor. Para controlar el di/dt, el
tiempo de activacin y el tiempo de desactivacin, los fabricantes
utilizan varias estructuras de compuerta.
Dependiendo de la construccin fsica y del comportamiento de
activacin y desactivacin, en general los tiristores pueden clasificarse
en ocho categoras:
1.
2.
3.
4.
5.
6.
Tiristores de control de fase o de conmutacin rpida (SCR).

Tiristores de desactivacin por compuerta (GTO).
Tiristores de triodo bidireccional (TRIAC).
Tiristores de conduccin inversa (RTC).
Tiristores de induccin esttica (SITH).
Rectificadores controlados por silicio activados por luz
(LASCR).
7. Tiristores controlados por FET (FET-CTH).
8. Tiristores controlados por MOS (MCT).
22
TIRISTORES DE CONTROL DE FASE O DE CONMUTACIN RPIDA (SCR)

El miembro ms importante de la familia de los tiristores es el tiristor de
tres terminales, conocido tambin como el rectificador controlado de
silicio o SCR. Este dispositivo lo desarroll la General Electric en 1958 y
lo denomin SCR. El nombre de tiristor lo adopt posteriormente la
Comisin Electrotcnica Internacional (CEI). En la figura siguiente se
muestra el smbolo de un tiristor de tres terminales o SCR.
Tal como su nombre lo sugiere, el SCR es un rectificador controlado o
diodo. Su caracterstica voltaje-corriente, con la compuerta de entrada
en circuito abierto, es la misma que la del diodo PNPN.
Lo que hace al SCR especialmente til para el control de motores en sus
aplicaciones es que el voltaje de ruptura o de encendido puede ajustarse
por medio de una corriente que fluye hacia su compuerta de entrada.
Cuanto mayor sea la corriente de la compuerta, tanto menor se vuelve
VBO. Si se escoge un SCR de tal manera que su voltaje de ruptura, sin
seal de compuerta, sea mayor que el mayor voltaje en el circuito,
entonces, solamente puede activarse mediante la aplicacin de una
corriente a la compuerta. Una vez activado, el dispositivo permanece as
hasta que su corriente caiga por debajo de IH. Adems, una vez que se
dispare el SCR, su corriente de compuerta puede retirarse, sin que
afecte su estado activo. En este estado, la cada de voltaje directo a
travs del SCR es cerca de 1.2 a 1.5 veces mayor que la cada de voltaje
a travs de un diodo directo-oblicuo comn.
Los tiristores de tres terminales o SCR son, sin lugar a dudas, los
dispositivos de uso ms comn en los circuitos de control de potencia.
Se utilizan ampliamente para cambiar o rectificar aplicaciones y
actualmente se encuentran en clasificaciones que van desde unos pocos
amperios hasta un mximo de 3,000 A.
Un SCR:
23
Se activa cuando el voltaje VD que lo alimenta excede VBO

Tiene un voltaje de ruptura VBO, cuyo nivel se controla por la
cantidad de corriente iG, presente en el SCR
Se desactiva cuando la corriente iD que fluye por l cae por debajo
de IH
Detiene todo flujo de corriente en direccin inversa, hasta que se
supere el voltaje mximo inverso.
Figura 13 Simbolo del SCR
TIRISTORES DE DESACTIVACIN POR COMPUERTA (GTO)

Entre las mejoras ms recientes que se le han hecho al tiristor est el
apagado por compuerta (GTO). Un tiristor GTO es un SCR que puede
apagarse por una pulsacin suficientemente grande en su compuerta de
entrada, aun si la corriente iD excede IH. Aunque los tiristores GTO se han
venido usando desde 1960, solamente se volvieron prcticos para las
aplicaciones de control de motores, al final de los aos setenta. Estos
dispositivos se han vuelto ms y ms comunes en las unidades de
control de motores, puesto que ellos eliminaron la necesidad de
componentes externos para apagar los SCR en circuitos de cc.
Un tiristor GTO requiere una mayor corriente de compuerta para
encendido que un SCR comn. Para grandes aparatos de alta potencia
se necesitan corrientes de compuerta del orden de 10 A o ms. Para
apagarlos se necesita una gran pulsacin de corriente negativa de entre
20 y 30 s de duracin. La magnitud de la pulsacin de corriente
negativa debe ser de un cuarto a un sexto de la corriente que pasa por
el aparato.
24
Figura 14
Simbolo del
GTO
TIRISTORES DE TRIODO BIDIRECCIONAL (TRIAC)

Es un dispositivo que se comporta como dos SCR conectados en
contraposicin, con una compuerta de paso comn; puede ir en
cualquier direccin desde el momento en que el voltaje de ruptura se
sobrepasa. El smbolo del TRIAC se ilustra en la figura siguiente. El
voltaje de ruptura en un TRIAC disminuye si se aumenta la corriente de
compuerta, en la misma forma que lo hace en un SCR, con la diferencia
que un TRIAC responde tanto a los impulsos positivos como a los
negativos de su compuerta. Una vez encendido, un TRIAC permanece as
hasta que su corriente cae por debajo de IH.
Figura 15 Simbolo
del TRIAC
TIRISTORES DE CONDUCCIN INVERSA (RTC)

En muchos circuitos pulsadores e inversores, se conecta un diodo
antiparalelo a travs de un SCR, con la finalidad de permitir un flujo de
corriente inversa debido a una carga inductiva, y para mejorar el
requisito de desactivacin de un circuito de conmutacin. El diodo fija el
voltaje de bloqueo inverso del SCR a 1 2v por debajo de las
condiciones de rgimen permanente. Sin embargo, bajo condiciones
transitorias, el voltaje inverso puede elevarse hasta 30v debido al voltaje
inducido en la inductancia dispersa del circuito dentro del dispositivo.
25
Un RCT es un intercambio entre caractersticas del dispositivo y

requisitos del circuito; puede considerarse como un tiristor con un diodo
antiparalelo incorporado, tal y como se muestra en la figura siguiente.
Un RCT se conoce tambin como tiristor asimtrico (ASCR). El voltaje de
bloqueo directo vara de 400 a 2000v y la especificacin de corriente
llega hasta 500 A. El voltaje de bloqueo inverso es tpicamente 30 a 40v.
Dado que para un dispositivo determinado est preestablecida la
relacin entre la corriente directa a travs de un tiristor y la corriente
inversa del diodo, sus aplicaciones se limitarn a diseos de circuitos
especficos.
TIRISTORES DE INDUCCIN ESTTICA (SITH)

Por lo general, un SITH es activado al aplicrsele un voltaje positivo de
compuerta, como los tiristores normales, y desactivado al aplicrsele un
voltaje negativo a su compuerta. Un SITH es un dispositivo de
Figura 16
portadores minoritarios. Como consecuencia,
Tiristor de el SITH tiene una baja
resistencia en estado activo as como
una baja cada de potencial, y se
conduccin
inversa
puede fabricar con especificaciones de voltaje y corriente ms altas.
Un SITH tiene velocidades de conmutacin muy rpidas y capacidades
altas de dv/dt y di/dt. El tiempo de conmutacin es del orden de 1 a
6m s. La especificacin de voltaje puede alcanzar hasta 2500v y la de
corriente est limitada a 500 A. Este dispositivo es extremadamente
sensible a su proceso de fabricacin, por lo que pequeas variaciones en
el proceso de manufactura pueden producir cambios de importancia en
sus caractersticas.
RECTIFICADORES CONTROLADOS DE SILICIO ACTIVADOS POR

LUZ (LASCR)
Este dispositivo se activa mediante radiacin directa sobre el disco de
silicio provocada con luz. Los pares electrn-hueco que se crean debido
a la radiacin producen la corriente de disparo bajo la influencia de un
campo elctrico. La estructura de compuerta se disea a fin de
proporcionar la suficiente sensibilidad para el disparo, a partir de fuentes
26
luminosas prcticas (por ejemplo, LED y para cumplir con altas

capacidades de di/dt y dv/dt).
Los LASRC se utilizan en aplicaciones de alto voltaje y corriente [por
ejemplo, transmisin de cd de alto voltaje (HVDC) y compensacin de
potencia reactiva esttica o de volt-amperes reactivos (VAR)]. Un LASCR
ofrece total aislamiento elctrico entre la fuente de disparo luminoso y el
dispositivo de conmutacin de un convertidor de potencia, que flota a un
potencial tan alto como unos cuantos cientos de kilovoltios. La
especificacin de voltaje de un LASCR puede llegar tan alto como 4 kv a
1500 A, con una potencia de disparo luminoso de menos de 100mw. El
di/dt tpico es 250 A/m s y el dv/dt puede ser tan alto como 2000v/m s.
Figura 17 - LASCR
TIRISTORES CONTROLADOS POR FET (FET-CTH)

Un dispositivo FET-CTH combina un MOSFET y un tiristor en paralelo, tal
y como se muestra en la figura siguiente. Si a la compuerta del MOSFET
se le aplica un voltaje suficiente, tpicamente 3v, se genera
internamente una corriente de disparo para el tiristor. Tiene una alta
velocidad de conmutacin, un di/dt alto y un dv/dt alto.
Este dispositivo se puede activar como los tiristores convencionales,
pero no se puede desactivar mediante control de compuerta. Esto
servira en aplicaciones en las que un disparo ptico debe utilizarse con
el fin de proporcionar un aislamiento elctrico entre la seal de entrada
o de control y el dispositivo de conmutacin del convertidor de potencia.
27
Figura 18
Estructura FETCTH
TIRISTORES CONTROLADOS POR MOS (MCT)

Un tiristor controlado por MOS (MCT) combina las caractersticas de un
tiristor regenerativo de cuatro capas y una estructura de compuerta
MOS. El circuito equivalente se muestra en la figura siguiente (b) y el
smbolo correspondiente en la (a). La estructura NPNP se puede
representar por un transistor NPN Q1 y con un transistor Q2. La
estructura de compuerta MOS se puede representar por un MOSFET de
canal p M1 y un MOSFET de canal n M2.
Debido a que se trata de una estructura NPNP, en vez de la estructura
PNPN de un SCR normal, el nodo sirve como la terminal de referencia
con respecto a la cual se aplican todas las seales de compuerta.
Supongamos que el MCT est en estado de bloqueo directo y se aplica
un voltaje negativo VGA. Un canal, p (o una capa de inversin) se forma
en el material dopado n, haciendo que los huecos fluyan lateralmente
del emisor p E2 de Q2 (fuente S1 del MOSFET M1 del canal p) a travs del
canal p hacia la base p B1 de Ql (que es drenaje D1 del MOSFET M1, del
canal p). Este flujo de huecos forma la corriente de base correspondiente
al transistor npn Q1. A continuacin e1 emisor n+ E1 de Q1, inyecta
electrones, que son recogidos en la base n B2 (y en el colector n C1) que
hace que el emisor p E2 inyecte huecos en la base n B2, de tal forma que
se active el transistor PNP Q2 y engancha al MCT. En breve, un VGA de
compuerta negativa activa al MOSFET M1 canal p, proporcionando as la
corriente de base del transistor Q2.
Supongamos que el MCT est en estado de conduccin, y se aplica un
voltaje positivo VGA. Se forma entonces un canal n en el material
contaminado p, haciendo que fluyan lateralmente electrones de la base
28
n B2 de Q2 (fuente S2 del MOSFET M2 del canal n) a travs del canal n del

emisor n+ fuertemente contaminado de Ql (drenaje D2 del MOSFET
M2 del canal n+). Este flujo de electrones desva la corriente de base del
transistor PNP Q2 de tal forma que su unin base-emisor se desactiva, y
ya no habr huecos disponibles para recoleccin por la base p B1 de
Q1 (y el colector p C2de Q2). La eliminacin de esta corriente de huecos
en la base p B1, hace que se desactive el transistor NPN Q1, y el MCT
regresa a su estado de bloqueo. En breve, un pulso positivo de
compuerta VGA, desva la corriente que excita la base de Ql, desactivando
por lo tanto el MCT.
El MCT se puede operar como dispositivo controlado por compuerta, si
su corriente es menor que la corriente controlable pico. Intentar
desactivar el MCT a corrientes mayores que su corriente controlable pico
de especificacin, puede provocar la destruccin del dispositivo. Para
valores ms altos de corriente, el MCT debe ser conmutado como un
SCR estndar. Los anchos de pulso de la compuerta no son crticos para
dispositivos de corrientes pequeas. Para corrientes mayores, el ancho
del pulso de desactivacin debe ser mayor. Adems, durante la
desactivacin, la compuerta utiliza una corriente pico. En muchas
aplicaciones, incluyendo inversores y pulsadores, se requiere, de un
pulso continuo de compuerta sobre la totalidad del perodo de
encendido/apagado a fin de evitar ambigedad en el estado.
Un MCT tiene:
Una baja cada de voltaje directo durante la conduccin;

Un tiempo de activado rpido, tpicamente 0.4m s, y un tiempo de
desactivado rpido, tpicamente 1.25m s, para un MCT de 300A,
500v;
Bajas perdidas de conmutacin;
Una baja capacidad de bloqueo voltaje inverso.
Una alta impedancia de entrada de compuerta, lo que simplifica
mucho los circuitos de excitacin. Es posible ponerlo
efectivamente en paralelo, para interrumpir corrientes altas, con
slo modestas reducciones en la especificacin de corriente del
dispositivo. No se puede excitar fcilmente a partir de un
29
transformador de pulso, si se requiere de una polarizacin

continua a fin de evitar ambigedad de estado.
Figura 19 Estructura MCT
Algunas aplicaciones tpicas

REGULACIN DE LUZ
Una de las aplicaciones ms tpicas de uso domestico es el regulador de
luz. La figura 183 muestra un esquema de este circuito basado en el
TRIAC MAC218A de Motorola y cuyo control de disparo se realiza a travs
de un SBS. La resistencia R1+R2 carga el condensador C1 a travs de la
propia tensin de alimentacin en alterna y cuando se alcanza la tensin
de ruptura del SBS, este dispara el TRIAC haciendo circular la corriente
por la carga (lmpara). El uso de TRIAC y SBS permite el control de
potencia en semiperiodos positivos y negativos.
El ngulo de conduccin se controla a travs de la resistencia variable
R1; contra mas pequeo sea su valor el ngulo de conduccin ser
mayor, y viceversa. Las ecuaciones de funcionamiento del circuito son
difciles de extraer pero en la Figura 20 se indican los valores tpicos de
los diferentes componentes. Los diodos, la resistencia de R 4 y el
condensador C2 actan como elementos de proteccin.
30
Figura 20 Regulador de Luz
Un segundo ejemplo de circuito de regulador de luz se indica en la

Figura 21. En este caso, el UJT 2N4870 es el encargado de disparar al
TRIAC. El circuito de polarizacin del UJT est constituido por un circuito
rectificador de diodos, una resistencia y el diodo zener 1N4871 de 22V;
con ello se consigue obtener la seal VS indicada en la parte inferior de
la figura. Esta seal seria prcticamente una onda cuadrada si no
existiese el TRIAC. El disparo del TRIAC hace que la cada de tensin en
sus terminales sea muy baja (~1 a 2V) anulando el
circuito de polarizacin (VS~ 0V). El UJT acta como oscilador de

relajacin cuya frecuencia est determinada por R1 y C1. La activacin
del UJT dispara a su vez el TRIAC a travs de un pequeo transformador.
El ngulo de conduccin del TRIAC oscila entre =0 a 170 en cada
semiperiodo.
31
Figura 22 Regulador de Luz con UJT
CONTROL DE VELOCIDAD DE MOTORES

El control de velocidad de los motores se ha realizado en base a SCR en
mayor medida que en TRIAC. A primera vista, el TRIAC presenta mayores
ventajas debido a su simetra, lo que le confiere ciertas ventajas frente
al SCR que nicamente conduce en un semiperiodo. Sin embargo, el
TRIAC tiene unas caractersticas dv/dt inadecuadas para el control de
motores y es difcil la realizacin de circuitos de control simtricos. Por
otra parte, el SCR puede conducir en todo el periodo si se rectifica la
seal de red. Las figuras 185a y 185b muestran dos ejemplos sencillos
de control realizados a travs de SCR de un motor universal (Figura 23a)
y un motor de imn-permanente (Figura 23b).
Figura 23 Control de velocidad de motores - a)Motor universal

b)Motor de imn permanente
CONTROL DE CALOR CON SENSOR DE TEMPERATURA
32
El circuito de control de calor mostrado en la Figura 24 ha sido

concebido para controlar la temperatura de una habitacin, bien
utilizando una fuente de calor (por ejemplo, una resistencia elctrica o
un horno) o bien utilizando un ventilador (o cualquier dispositivo
refrigerador). El circuito de disparo se realiza a travs de un UJT que
introduce un ngulo de conduccin de los TRIAC que va a depender de la
temperatura de la habitacin medida a travs de una resistencia trmica
(termistor) RT cuyo valor es de 2 k a 25 C; el rectificador de puente de
diodos y el diodo zener 1N5250A alimentan a este circuito de disparo.
R2 se ajusta para que el transistor bipolar 2N3905 este en corte a una
temperatura dada. Cuando el 2N3905 est en corte ninguna corriente
carga el condensador C y, por consiguiente, el UJT y los TRIAC estn
cortados. Si el 2N3905 esta a ON, este carga el condensador C y dispara
el UJT cuando alcanza la tensin VP. El tiempo que tarda en alcanzar la
tensin VP del UJT depende de RT. Un incremento en la temperatura
disminuye el valor de RT, y por consiguiente, disminuye el valor de
corriente de colector del transistor aumentando a su vez el tiempo de
carga del condensador (disminuye el ngulo de conduccin). Por el
contrario, al disminuir temperatura aumenta el ngulo de conduccin. El
modo de operar con la temperatura se invierte si se intercambia RT con
R2.
Figura 24 Circuito de control de calor
33
Hojas de Datos
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Bibliografia
Apuntes
Academia de Instrumentacion - CECyTEM - Unidad I: Tiristores
Rashid - Capitulo 7 - Teoria del Tiristor
Universidad del Salvador Dispositivos Electronicos Tiristores y Triacs
Sitios Web
http://www.dte.uvigo.es/recursos/potencia/dc-ac/tiristor.htm#lascr
http://www.datasheetcatalog.net
49

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Siendo 0.3 la ganancia de corriente que da la fraccin de la corriente de

La corriente total de nodo IA es evidentemente la suma de lc1 e lc2, a

Lo que nos queda:

Ahora bien, en muchos transistores de silicio la ganancia es baja para

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El tiristor est entonces en estado conductor (tambin se dice que

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Principio de Encendido por Compuerta (Gate)

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es la ganancia de corriente de este transistor

(montaje en emisor comn).

es inferior a 1, en cuyo caso el elemento no se

tiende a la unidad, con lo que se realiza el

proceso de amplificacin y el elemento pasa al estado de

Estas dos condiciones (

estado del tiristor en funcin de la corriente. En efecto, la ganancia

Si la corriente de puerta es dbil, el producto

a la unidad y no se enciende el dispositivo

Si el impulso de mando es suficiente, las corrientes de emisor

En cuanto se produce el encendido, la realimentacin hace que los

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Figura 8 Curva Beta en funcin de la

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