EL42A - Circuitos Electrnicos

Clase No. 2: Diodos

Patricio Parada
pparada@ing.uchile.cl
Departamento de Ingeniera Elctrica
Universidad de Chile

3 de agosto de 2009

P. Parada (DIE)

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Introduccin I
El diodo es un dispositivo semiconductor
de dos terminales, cuya caracterstica i v
es
I

exponencial cuando se polariza en forma

directa,
prcticamente cero cuando se polariza
en forma inversa.

Esta propiedad permite pasar de corriente

alterna a continua, e implementar circuitos
lgicos.
Necesitamos un modelo matemtico para
poder analizar circuitos con diodos.

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Introduccin II

Utilizaremos heursticas para poder

simplificar el anlisis ("back of the
envelope") y realizar diseo de orden
cero.
Los diodos se pueden clasificar en seis
tipos:
I
I
I
I
I
I

Diodos de juntura pn o np,

Celdas solares,
Fotodiodos,
Diodos emisores de luz (LED),
Diodos de barrera Schotcky,
Diodos Zener.

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Diodo Ideal
El smbolo para el diodo ideal es:

La caracterstica i v es:

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Aplicacin: Rectificador

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Aplicacin: Compuertas Lgicas

Convencin: una manera alternativa para dibujar fuentes de voltaje es
mediante la equivalencia:

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Aplicacin: Compuertas Lgicas

Ejemplo

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Diodo de Juntura pn

Se distinguen tres regmenes de

operacin del diodo de juntura:
i)

Polarizado en forma directa

ii)

Polarizado en forma inversa

iii)

Regin de ruptura

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Modelo de la Caracterstica del Diodo de Polarizacin

Directa I
El modelo clsico de fsica electrnica es
i = Is (expv/nVT 1),
donde Is es la corriente de saturacin y depende de T , y
VT =

kT
,
q

(1)

que recibe el nombre de voltaje de trmico.

En esta expresin
K = 1,38 1023 [Joules/Kelvin]

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Modelo de la Caracterstica del Diodo de Polarizacin

Directa II

corresponde a las constante de Boltzmann, T = 273 C,

q = 1,6 1019 [Coulomb], que corresponde a la carga del electrn y
n [1, 2], dependiendo del material y la estructura del diodo.

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Modelo Exponencial de Diodo de Juntura pn I

Al considerar el circuito:

Se tiene por LVK:

VDD iD R vD = 0 iD =

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VDD vD
R

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Modelo Exponencial de Diodo de Juntura pn II

y por otro lado la caracterstica i v del diodo:

iD = IS exp(

vD
)
nVT

por lo tanto se obtiene la ecuacin:

vD = n VT log(

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VDD vD
)
RIS

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Modelo Exponencial de Diodo de Juntura pn III

Algoritmo
(0)

Inicializar vD [0, VDD ].

Calcular

(k)

(k+1)

vD
3

(k+1)

Si |vD
Paso 2.

= nVT log(

VDD vD
).
RIS

(2)

(k)

vD | , para algn  << 1 terminar. Si no, volver a

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Mtodo Grfico
Se dibuja la curva:
iD =

VDD vD
R

que corresponde a la curva de carga, y la curva caracterstica del

elemento:
vD
iD = IS exp(
)
nVT
y se busca la interseccin entre ambas.

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Modelo: Fuente + resistencia I

Corresponde a una aproximacin

lineal por segmentos de la curva
exponencial del diodo.
Por lo tanto, se puede reemplazar
el diodo por una fuente de voltaje
de valor VD0 , conectado en serie
con un diodo ideal y una
resistencia rD .

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Modelo: Fuente + resistencia II

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Modelo de cada constante de voltaje

Corresponde al modelo Fuente + Resistencia que hemos simplificado al
asumir rD = 0. Se tiene

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El Modelo de Seal Pequea I

Se considera la ecuacin del diodo en polarizacin directa:

ID = IS exp(

VD
)
nVT

Ella permite determinar el punto de operacin Q.

El voltaje instantneo entre los terminales del diodo es:
vD (t) = VD + vd (t)

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El Modelo de Seal Pequea II

La corriente total por el diodo es:

iD (t) = IS evD (t)/nVT
= IS eVD /nVT evd (t)/nVT
= ID evd (t)/nVT

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El Modelo de Seal Pequea III

Si vd (t) << nVT , se puede obtener un modelo de seal pequea para
iD (t):
1
1
x
exp = 1 + x + 2 x2 + O(x3 )
a
a
2a
Entonces
!
vd (t)
vD (t) = ID 1 +
nVT
para |vd (t)| << nVT
iD (t) = ID +

ID
vd (t)
nVT

Esta ltima ecuacin corresponde al modelo de seal pequea del

diodo.

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El Modelo de Seal Pequea IV

La condicin tpica que se pide a vt para ser considerada seal
pequea es:
1
vt < nVT
5
|{z}

(4)

20 %

(
< 5mV para n = 1
vt =
< 10mV para n = 2.
Definiremos entonces la resistencia dinmica del diodo como
rD =

nVT
.
ID

(5)

La linealidad del modelo nos permite separar el anlisis del circuito en

dos etapas:

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El Modelo de Seal Pequea V

1
2

Clculo del punto de operacin Q.

Determinacin de la respuesta de seal pequea.

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Ejemplo de Anlisis de Circuito con Diodo

Considere en el circuito de la figura para el caso R = 10 k.

V + = 10 + sin(2 50t)[V].
Determine vD (t), asumiendo una cada
de 0,7 [V] a 1 [mA] y n = 2.

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Solucin I

Circuito DC:

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Solucin II

ID =

10 0,7
VDD VD
=
= 0,93 [mA]
R
104

Como ID = 0,93[mA] 1[mA]; podemos asumir VD = 0,7[V].

La resistencia dinmica del diodo en el punto de operacin es:
rd =

nVT
2 25
=
= 53,8[]
ID
0,93

El modelo de seal pequea es:

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Solucin III

El valor mximo de vd = 1 [V]

vD =

vD (peak) = 1

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rd
vd
R + rd
53,8
= 5,35 [mV]
+ 53,8

104

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