2014 - II SEPARATA N 05 DIRECCIONES Y PLANOS CRISTALOGRFICOS

DE APOYO CURSO DE METALURGIA FSICA I FECHA

CONTENIDO
DIRECCIONES Y PLANOS CRISTALOGRFICOS
3.8 DIRECCIONES CRISTALOGRFICAS
3.9 PLANOS CRISTALOGRFICOS
3.10 DENSIDADES ATMICAS LINEAL Y PLANAR
3.11 ESTRUCTURAS CRISTALINAS COMPACTAS
DESARROLLO

DIRECCIONES Y PLANOS CRISTALOGRFICOS

En materiales cristalinos, conviene especificar algn plano cristalogrfico de tomos

particular o alguna direccin cristalogrfica. Convencionalmente se ha establecido que
para designar las direcciones y planos se utilicen tres enteros o ndices. El valor de los
ndices se determinan basndose en un sistema de coordenadas cuyo origen est
situado en un vrtice de la celdilla unidad y cuyos ejes (x, y y z) coinciden con las
aristas de la celdilla unidad, como indica la Figura 3.4.

Figura 3.4 Celdilla unidad con los ejes x, y y z mostrando las longitudes de las aristas (a, b y c) y los
ngulos interaxiales (, , y )

En sistemas cristalinos hexagonal, rombodrico, monoclnico y triclnico, los tres ejes no

son perpendiculares entre s, como ocurre en el familiar sistema de coordenadas
cartesianas.
3.8 DIRECCIONES CRISTALOGRFICAS

Una direccin cristalogrfica se define por una lnea entre dos puntos o por un vector.
Reglas
1. En el origen de coordenadas del sistema se traza un vector de longitud conveniente.
Todo vector se puede trasladar a travs de la red cristalina sin alterarse, si se mantiene
el paralelismo.
2. Se determina la longitud del vector proyeccin en cada uno de los tres ejes; en
funcin de las dimensiones a, b y c de la celdilla unidad.
3. Estos tres nmeros se multiplican o se dividen por un factor comn para reducirlos al
valor entero menor.
4. Los tres ndices, sin separacin, se encierran en un corchete, as: [uvw]. Los nmeros
enteros u, v y w corresponden a las proyecciones reducidas a lo largo de los ejes x,
y y z, respectivamente.
Para cada uno de los tres ejes existen coordenadas positivas y negativas. Los ndices
negativos tambin son posibles y se representan mediante una lnea sobre el ndice.
Ejemplo, la direccin [11] tiene un componente en la direccin -y. Cambiando los
signos de todos los ndices se obtiene una direccin antiparalela; Ejemplo, [1]
significa la direccin directamente opuesta a [11]. Si en una estructura cristalina
1
Mg. ING. METALURGISTA CIP N 144416
NICANOR MANUEL VEGA PEREDA

particular se deben especificar una direccin o un plano, conviene, para mantener la

coherencia, que la conversin positiva-negativa no se cambie una vez establecida.
Las direcciones [100], [110] y [111] son nicas y estn dibujadas en la celdilla unidad
mostrada en la Figura 3.5.

x
Fig.3.5 las direcciones [100], [110] y [111] en una celda unidad.
TABLA 3.2 RELACIONES ENTRE PARMETROS DE RED Y LAS GEOMETRIAS DE LAS CELDILLAS
UNIDAD DE LOS SIETE SISTEMAS CRISTALINOS

Sistema cristalino

Longitudes
y
ngulos
3 ejes iguales y
ngulos rectos
a=b=c;
3 ejes en ngulo
recto, 2 de ellos
iguales
a=b c;
3 ejes desiguales y
ngulos rectos
a b c;

Cbico

Tetragonal

Ortorrmbico

Rombodrico
trigonal

3 ejes iguales, e
igualmente
inclinados
2 ejes coplanares a
120,
el
3
en
ngulo recto
a=b=c;

Hexagonal

a=b c;

Monoclnico

3 ejes desiguales,
un
par
no
en
ngulo recto
a b c;
3 ejes desiguales,
inclinados
desigualmente
y
ninguno en ngulo
recto
a b c;

Triclnico

Retculo de Bravais

Smbolo reticular

Simple
Body centered
Face centered

P
I
F

Simple
Body centered

P
I

Simple
Body centered
Base centered
Face centered
Simple

P
I
C
F
R

Simple

Simple
Base centered

P
C

Simple

PROBLEMA

Determinar los ndices de la direccin mostrada en la figura adjunta.

x
y
Z
2
b MANUEL
Proyecciones
a/
Oc
Mg. ING. METALURGISTA
CIP N 144416 NICANOR
VEGA PEREDA
Proyecciones (en
1/2
2
1 0
funcin
de a, b y c)
Reduccin
1
2 0
Encerrar entre
[120

SOLUCIN

El vector dibujado pasa por el origen del sistema de coordenadas y, por lo tanto, no necesita
traslacin. Las proyecciones de este vector en los ejes x, y y z son, respectivamente, a/2, b
y 0c, que se convierten en 1/2, 1 y 0 en trminos de los parmetros de la celdilla unidad
(por ejemplo, cuando a, b y c desaparecen). La reduccin de estos nmeros al menor de los
enteros se consigue multiplicando cada uno de ellos por el factor 2. El conjunto de estos
enteros 1, 2 y 0 se encierra dentro de un parntesis como [120]. Este procedimiento se
puede resumir as:
x
y
Z
b Oc
a/
Proyecciones
Proyecciones (en funcin de a, b y c) 1/2
2
1 0
Reduccin
1
2 0
[120
Encerrar entre parntesis
]

PROBLEMA

Dibujar una direccin [10] dentro de una celdilla unidad cbica.

SOLUCIN

En primer lugar se dibuja una celdilla unidad adecuada y el sistema de ejes coordenados.
En la figura adjunta la celdilla unidad es cbica y el punto 0, origen del sistema de
coordenadas, est localizado en un vrtice del cubo.

En algunas estructuras cristalinas, varias direcciones no paralelas con diferentes ndices

son equivalentes; esto significa que el espaciado atmico a lo largo de cada direccin es
el mismo. Ejemplo, en cristales cbicos, todas las direcciones representadas por los
siguientes ndices son equivalentes: [100], [00], [010], [00], [001] y [00 ].
3.8.1

CRISTALES HEXAGONALES

Los planos en esta celda se identifican con cuatro ndices en vez de tres, llamados
ndices Miller-Bravais, y representados por las letras h, k, i, l encerrados entre
parntesis (h, k, i, l). Estos ndices hexagonales estn basados en un sistema
coordenado de cuatro ejes, tres ejes bsicos a1, a2, a3 que forman 120 entre s, el
3
Mg. ING. METALURGISTA CIP N 144416
NICANOR MANUEL VEGA PEREDA

cuarto eje o eje c es el eje vertical y est localizado en el centro de la celdilla unidad. Los
ndices de esta celda se obtienen igual de forma que para las celdas cbicas, donde los
recprocos de las intersecciones que un plano determina con los ejes a1, a2, a3
proporcionan los ndices h, k e i mientras que el reciproco de la interseccin con el eje c
da el ndice l. Figura 3.6.

Figura 3.6 Sistema de ejes de coordenadas para una celdilla unidad hexagonal
(esquema Miller-Bravais).

Fig.3.7

En el sistema cristalino hexagonal, (a) las direcciones [0001], [1 1

00] y [11 2 0] y (b) los planos (0001), (10 1 1) y ( 1 01 0).

3.9 PLANOS CRISTALOGRFICOS

Determinacin de los ndices de Miller de un plano cristalogrfico:

Determinar los interceptos del plano con los ejes del sistema de coordenadas en
trminos de los parmetros de red a, b y c. Si el plano pasa por el origen, se debe
trasladar el plano a una nueva posicin en el sistema de coordenadas.
Obtener los recprocos de esos tres interceptos. Si el plano es paralelo a uno de los
ejes, el intercepto se considera en el infinito y el su recproco ser cero.
Representar los ndices de Miller en la forma ( h k l )
Nota: A veces es necesario multiplicar o dividir esos tres recprocos por un factor
comn, tal que los tres nmeros resultantes sean los menores enteros posibles.
PROBLEMAS

Determinar los ndices de Miller del plano mostrado en la figura adjunta (a).

4
Mg. ING. METALURGISTA CIP N 144416
NICANOR MANUEL VEGA PEREDA

Intersecciones

Y
-b

Z
c/2

-1

1/2

-1

a
Intersecciones (en
funcin
del
parmetro de red)
Recprocos
Reduccin
(innecesaria)
Encerrar
entre
parntesis

(0

12
)

SOLUCIN

1. Debido a que el plano pasa por el origen O, se debe escoger un nuevo origen en el vrtice
de la celdilla unidad adyacente, llamado O' y mostrado en la figura (b). Este plano es paralelo
al eje x y su interseccin tiene lugar en a. Las intersecciones de los ejes y y z, referidos al
nuevo origen O', son -b y c/2, respectivamente. En trminos de los parmetros de la red a, b
y c, estas intersecciones valen , -1 y 1/2. Los recprocos de estos nmeros son 0, -1 y 2.
Porque todos son enteros no es necesaria ninguna reduccin. Finalmente se escriben entre

parntesis (0 1 2).
PROBLEMA

Dibujar un plano (0 1 1) dentro de una celdilla unidad cbica.

SOLUCIN

El procedimiento para solucionar este problema puede ser el inverso del problema
anterior. En primer lugar se elimina el parntesis de los nmeros y se escriben los
recprocos: , -1 y 1. Esto significa que el plano es paralelo al eje x, mientras que corta
a los ejes y y z en -b y c, respectivamente, como indica la figura (a). Este plano se ha
dibujado en la figura (b). El plano se indica mediante segmentos que representan sus
intersecciones con las caras de la celdilla unidad o sus prolongaciones. Ejemplo, en la

figura, el segmento ef es la interseccin entre el plano (0 1 1) y la base superior de la

celdilla unidad: el segmento gh representa la interseccin entre este mismo plano (0 1

5
Mg. ING. METALURGISTA CIP N 144416
NICANOR MANUEL VEGA PEREDA

1) y la prolongacin de la base inferior. Los segmentos fh y eg son las intersecciones

entre (0 1 1) y las prolongaciones de las caras laterales frontal y opuesta,

respectivamente.

(a)
(b)
Figura 3.9 (a) Celdilla unidad FCC con esferas reducidas y con el plano (110). (b)
Empaquetamiento atmico de un plano (110) FCC, cuyas posiciones atmicas se
indican en (a).
3.9.1 DISPOSICIN ATMICA

La disposicin atmica de los planos cristalogrficos depende de la estructura cristalina.

Los planos atmicos (110) para las estructuras FCC y BCC estn representados en las
Figuras 3.9 y 3.10, donde tambin se incluyen las celdillas unidad con esferas
reducidas. Obsrvese que el empaquetamiento atmico es distinto en cada caso. Los
crculos representan tomos en los planos cristalogrficos obtenidos cortando por el
centro las esferas rgidas.
El empaquetamiento atmico puede ser idntico para varios planos cristalogrficos que
tienen diferentes ndices, los cuales dependen de la simetra de la estructura cristalina;
tales planos constituyen una familia de planos equivalentes. Una familia de planos se
designa encerrando los nmeros con unas llaves.

Por ejemplo, los planos (111), ( 1 1 1 ), ( 1 11), (1 1 1 ), (11 1 ), ( 1 1 1), ( 1 1 1 ) y

(1 1 1) de los cristales cbicos pertenecen a la familia (111). Slo en el sistema cbico,

los planos que tienen los mismos ndices, independientemente del orden y del signo, son

equivalentes. Por ejemplo, (1 2 3) y (3 1 2) pertenecen a la familia {123}.

3.9.2 CRISTALES HEXAGONALES

En los cristales con simetra hexagonal es deseable que los planos y las direcciones
equivalentes tengan los mismos ndices, lo cual se consigue mediante el sistema de
Miller-Bravais mostrado en la Figura 3.6. y 3.7 Esta conversin conduce al esquema
de cuatro ndices (hkil) que clasifica la orientacin de los
6
Mg. ING. METALURGISTA CIP N 144416
NICANOR MANUEL VEGA PEREDA

planos en el sistema cristalino hexagonal. Hay alguna redundancia, pues i equivale a la

suma de h y k:
I = - (h + k)
Los tres ndices h, k y i son idnticos para ambos sistemas. La Figura 3.7b recoge
varios de los planos ms comunes de los cristales con simetra hexagonal.

Nota: una familia de planos, como por ejemplo (111), (111), (111),(111), (111),
(111), (111) y (111) es representada por {111}
DENSIDAD VOLUMTRICA

Con el mismo principio que se usa para el factor de acomodamiento, usando la masa
del slido en vez del volumen, se puede obtener un valor para la densidad volumtrica
usando la ecuacin:
Considerando el modelo de las esferas rgidas
masa ce lda unidad
N tomos celdilla unidad x masa tomica
V =
=
volumen celdaunidad
volumen celdilla unidad

n.M
VC NA

n = N tomos /celda unidad

M = peso atmico
VC =Volumen celda unidad
NA = N Avogadro 6,023x1023atomos/mol
3.10 DENSIDADES ATMICAS LINEAL Y PLANAR

Densidad atmica Lineal:

7
Mg. ING. METALURGISTA CIP N 144416
NICANOR MANUEL VEGA PEREDA

l=

N tomos diametral intersectados por lalnea tomos

=
Long .lnea
m

Ejemplo: metal BCC

1 tomo centro+ 2.1/2 2 3 tomos
[ 111 ]=
=
3a
m
3 a
DENSIDAD ATMICA PLANAR:

p=

N tomos intersectados por el rea tomos

=
rea seleccionada
m2

Ejemplo BCC

1 tomos centro+ 4.
p=

a 2 a

PROBLEMAS

Calcular
lineal
de
[100] en BCC.

1
vrtices
4

2 tomos
a2 m 2

la
la

8
Mg. ING. METALURGISTA CIP N 144416
NICANOR MANUEL VEGA PEREDA

densidad
direccin

Figura 3.11 (a) Celdilla unidad BCC con esferas reducidas y con la direccin [100]
indicada. (b) Distancia interatmica en la direccin [100] de una estructura
cristalina BCC: entre los tomos M y N de (a).

SOLUCIN
En la Figura 3.11a estn representadas la celdilla unidad BCC (esferas reducidas) y en su
interior la direccin [100]. En la Figura 3.11b est representado el empaquetamiento lineal
en esta direccin. La base para el clculo es la longitud de la lnea dentro de la celdilla unidad,
Ll
que en este caso es el parmetro de red a: la distancia entre los centros de los
tomos M y N. En funcin del radio atmico R,
4R
Ll=a=
3
La longitud de la lnea intersectada por los crculos (tomos M y N), Lc, es igual a 2R. La
densidad lineal DL es la siguiente relacin:
L
2R
DL= c =
=0,866
Ll 4 R 3
PROBLEMA

Calcular la densidad del plano (110) del FCC.

SOLUCIN

(b)
Figura 3.9 (b) Empaquetamiento atmico de un plano (110) FCC, cuyas posiciones
atmicas se indican en (a).

El empaquetamiento atmico de este plano se representa en la Figura 3.9b.

Considrese que la posicin del plano que interseca la celdilla unidad (Figura 3.9b) y
luego calclese el rea de este plano y el rea total de los crculos en funcin del radio
atmico R. La densidad del plano es la relacin de estas dos reas.
El rea del plano de la celdilla unidad, A p, es la del rectngulo definido por los centros de
los tomos A, C, D y F (Figura 3.9b). La longitud del rectngulo (AC) y la anchura (AD )
son, respectivamente
AC= 4 R
(ver ecuacin 3.1)
AD = 2 R 2
De donde se deduce:
Ap = (AC) (AD) = (4R) (2 R 2 ) = 8R 2

El rea total de los crculos es la suma de un cuarto correspondiente a los tomos A, C, D

y F y la mitad de los tomos B y E, lo que da un total de 2 crculos equivalentes. El rea
total encerrada en los crculos de los tomos es:
Ac = (2)R 2
La densidad del plano es:
9
Mg. ING. METALURGISTA CIP N 144416
NICANOR MANUEL VEGA PEREDA

DP=

A c 2 R2
=
=0,555
A P 8 R2 2

Las densidades lineales y planares tienen gran importancia para explicar los
deslizamientos, que son el fundamento del mecanismo de la plasticidad, de los
metales. Los deslizamientos ocurren en la mayora de los planos cris talogrficos
de mximo empaquetamiento a lo largo de las direcciones que tienen el mayor
empaquetamiento atmico.
3.11 ESTRUCTURAS CRISTALINAS COMPACTAS

De la discusin de las estructuras cristalinas de los metales se deduce que las

estructuras cbica centrada en las caras y hexagonal compacta tienen un factor de
empaquetamiento de 0,74, que es el ms eficiente empaquetamiento de tomos o
esferas de igual tamao. Adems, las representaciones de la celdilla unidad de estas
estructuras cristalinas se pueden describir en funcin de planos compactos de tomos
(p. ej., planos con la mxima densidad de tomos o esferas rgidas); una parte de uno de
estos planos est representada en la Figura 3.12 a. Ambas estructuras cristalinas se
generan colocando planos compactos uno encima del otro; la diferencia entre las dos
estructuras radica en la secuencia de apilamiento.
Si a los centros de los tomos que forman un plano compacto los marcamos con A, al
representar ese plano aparecen dos conjuntos de depresiones triangulares equivalentes,
constituidas por tres tomos adyacentes, en los que se sitan los tomos del siguiente
plano compacto de tomos. Los tringulos que tienen el vrtice situado hacia arriba se
designan arbitrariamente como B, mientras que los que lo tienen dirigido hacia abajo se
denominan C, tal como se indica en la Figura 3.12a.

Figura 3.12(a) Un conjunto de planos atmicos empaquetados. Se indican las

posiciones A, B y C. (b) Secuencia de apilamiento AB de planos atmicos
empaquetados.

El segundo plano compacto puede hacer coincidir los centros de los tomos con las
posiciones B o C; ambas son equivalentes. Supongamos que las posiciones escogidas
arbitrariamente son las B; la secuencia de apilamiento se denomina AB y est ilustrada
en la Figura 3.12b. La diferencia entre FCC y HC radica en la colocacin del tercer plano
compacto. Para HC los centros atmicos del tercer plano coinciden con las posiciones A.
La secuencia de apilamiento, ABABAB..., se repite. Desde luego la secuencia ACACAC...
es equivalente. Los planos compactos del HC son del tipo (0001) y su relacin con la
celdilla unidad se muestra en la Figura 3.13.
10
Mg. ING. METALURGISTA CIP N 144416
NICANOR MANUEL VEGA PEREDA

Figura 3.13 secuencia de apilamiento de planos atmicos empaquetados de la

estructura hexagonal compacta.

Figura 3.14 (a) Secuencia de apilamiento de planos empaquetados de la

estructura cbica centrada en las caras. (b) Se ha eliminado un vrtice para
mostrar la relacin entre el apilamiento de planos atmicos empaquetados y la
estructura cristalina FCC. El tringulo trazado corresponde a un plano (111).
(Figura (b)

En los cristales de estructura cbica centrada en las caras, los centros de los tomos del
tercer plano se alinean con las posiciones C del primer plano (Figura 3.14a). La
secuencia de apilamiento es ABCABCABC; es decir, se repite el alineamiento atmico
despus del tercer plano compacto. Es menos evidente relacionar el apilamiento de
11
Mg. ING. METALURGISTA CIP N 144416
NICANOR MANUEL VEGA PEREDA

estos planos compactos con la celdilla unidad FCC. Pero, esta relacin se indica en la
Figura 3.14b; estos planos son del tipo (111).

12
Mg. ING. METALURGISTA CIP N 144416
NICANOR MANUEL VEGA PEREDA