Transistores

de efecto de campo
Son transistores que funcionan controlando la corriente que circula por el
cuerpo del semiconductor, mediante un campo elctrico distribuido en toda su
extensin. La magnitud del campo elctrico es determinada por el voltaje
externo de control aplicado al dispositivo.

- Porque utilizar un
FET ?
- Que diferencias
existen con un
BIPOLAR ?

Ventajas de los Fets

Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.

Los FET son ms estables con la temperatura que los BJT.

Los FET son ms fciles de fabricar que los BJT pues precisan
menos pasos y permiten integrar ms dispositivos en un CI.

Los FET se comportan como resistencias controlados por tensin
para valores pequeos de tensin drenaje-fuente.

La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener
carga el tiempo suficiente para permitir su utilizacin como
elementos de almacenamiento.

Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y
conmutar corrientes grandes.

Desventajas que limitan la utilizacin de los Fets

Los FET presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la

alta capacidad de entrada.

Los FET presentan una linealidad muy pobre, y en general son
menos lineales que los BJT.

Los FET se pueden daar debido a la electricidad esttica

Clasificacin general de los FETs

Simbologa de los FETs

Transistor efecto de campo de juntura - JFET

El J-FET es un dispositivo de tres estados:

Zona de corte si :
entonces: ID=IS=0
Zona hmica si : VD VG VP VDG VP
Zona de conduccin: vGS VP
Zona activa si : VD VG VP VDG VP

El lmite entre la zona hmica y la activa viene marcada en viene

marcada por la igualdad VDG=-VP

Curva caractersticas de un JFET

Ecuaciones del JFET

Transistor de metal oxido semiconductor- MOSFET

Forma de
funcionamiento

Curvas caractersticas del Mosfet de acumulacin.

Las curvas ms importantes que describen en funcionamiento del MOSFET
son las de transferencia y las de salida.
Curva de transferencia: Esta curva describe la dependencia de la corriente de
salida (ID) con la tensin de entrada (VGS). En las figuras siguientes se
observa para los transistores de canal N y P respectivamente.

Vt = Vth = Tension umbral

Curvas de salida: Estas curvas forman una familia, una para cada valor de
VGS y relacionan la corriente de salida (ID) versus la tensin de salida
(VDS).
Son tiles para ver las zonas de operacin del dispositivo y definir los
conceptos de punto de operacin y rectas de carga esttica y dinmica.
ID
VDS

VGS

VTH
VGS4

OHMICA

VGS3
SATURACION O
CORRIENTE CONSTANTE
VGS2

VGS1
CORTE
VDS

Ecuaciones del Mosfet

(Acumulacin)