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TESIS
QUE PARA OBTENER EL GRADO DE:
MAESTRO EN CIENCIAS EN INGENIERA ELECTRNICA
PRESENTA:
ING. DIAN CRDENAS GUILLN
ASESOR:
DR. RAL PEA RIVERO
__Junio_____ del ao
Los usuarios de la informacin no deben reproducir el contenido textual, grficas o datos del
trabajo sin el permiso expreso del autor y/o director del trabajo. Este puede ser obtenido
escribiendo a la siguiente direccin ___cardenas_diane@hotmail.com___. Si el permiso se
otorga, el usuario deber dar el agradecimiento correspondiente y citar la fuente del mismo.
AGRADECIMIENTOS
A mi compaero de vida por su invaluable ayuda en este trabajo y su apoyo constante, ahora y
siempre. Te amo Christopher Garca Parra
A mis pequeos bebes Oliver y Dian que a diario iluminan mi vida con sus sonrisas. Son mi
orgullo y mi motivo.
A mi madre por su apoyo en mi desarrollo profesional y en especial para concluir este trabajo de
tesis
A mam Guille por su paciencia y esmerada atencin que ha tenido en el cuidado de mis
pequeos traviesos, siendo pieza clave en la realizacin de este trabajo de tesis
Al Instituto Politcnico Nacional y al Consejo Nacional de Ciencia y Tecnologa por los apoyos
recibidos para la realizacin de este trabajo de tesis.
Al Dr. Ral Pea Rivero, Dr. Roberto Linares y Miranda y al M en C. Jos Hctor Caltenco
Franca, por brindarme un nuevo panorama de conocimientos y por su disposicin y apoyo
durante la elaboracin de este trabajo de tesis.
Al Dr. Luis Manuel Rodrguez Mndez, por su apoyo en la etapa experimental de este trabajo de
tesis.
INDICE
RESUMEN .................................................................................................................................................. 1
ABSTRACT.................................................................................................................................................. 2
INTRODUCCIN......................................................................................................................................... 3
OBJETIVO................................................................................................................................................... 3
JUSTIFICACIN .......................................................................................................................................... 4
ORGANIZACIN DEL TRABAJO DE TESIS ................................................................................................... 5
ABREVIATURAS ......................................................................................................................................... 7
CAPITULO 1. ESTUDIO DE LAS RESONANCIAS DEBIDAS A LAS PISTAS EN UNA TARJETA DE CIRCUITO
IMPRESO ......................................................................................................................................... 10
1.1 LNEAS DE TRANSMISIN .................................................................................................................. 10
1.1.1. Lneas Planas ............................................................................................................................. 10
1.2. LNEA DE MICROCINTA .................................................................................................................... 11
1.2.2. Frecuencia de resonancia en una microcinta ........................................................................... 13
1.4.1. Parmetros primarios de la lnea de transmisin ..................................................................... 20
1.4.2. Parmetros secundarios de una lnea de transmisin .............................................................. 21
1.5. LONGITUD ELCTRICA DE UNA LNEA DE TRANSMISIN ................................................................ 23
1.6. REDES DE 2 PUERTOS ....................................................................................................................... 25
1.6.1. Parmetros S ............................................................................................................................. 25
1.6.2. Parmetros de Impedancia ....................................................................................................... 27
1.6.3. Parmetros de transmisin ABCD ............................................................................................. 29
1.6.3.1. Parmetros ABCD de una lnea de transmisin ................................................................. 32
1.6.4. Conversin entre parmetros. .................................................................................................. 34
ii
iii
INDICE DE FIGURAS
Figura 1. 1. Diferentes lneas de transmisin planas. a) Stripline, b) Coplanar, C) Microcinta [1.1] .......... 11
Figura 1. 2 Lnea de microcinta [1.2]- ......................................................................................................... 12
Figura 1.3 Distribucin del campo elctrico y magntico dentro de una microcinta [1.3] ........................ 12
Figura 1. 4 Evolucin de un resonador de cavidad a un circuito LC [1.4] ................................................... 14
Figura 1. 5 Resonador que consiste de a) una lnea de transmisin abierta de 2 conductores y b) lnea
coaxial contenida [1.4] ................................................................................................................................ 14
Figura 1. 6 Vista en perspectiva de una gua de onda [1.4] ........................................................................ 15
Figura 1. 7 Comportamiento de la frecuencia de resonancia en una microcinta de dimensiones
cuadradas al incrementar o disminuir las mismas...................................................................................... 18
Figura 1. 8 Circuito elctrico equivalente para una lnea de transmisin [1.7] ........................................... 19
Figura 1. 9 Elemento infinitesimal de una lnea de transmisin [1.7] ........................................................ 21
Figura 1. 10 a) Red de un puerto, b) Red de dos puertos [1.15]................................................................. 25
Figura 1. 11 Esquema de una red de dos puertos ...................................................................................... 26
Figura 1. 12. Red lineal de dos puertos. a) Alimentadas por fuentes de tensin, b)Alimentadas por
fuentes de corriente [1.15] ......................................................................................................................... 28
Figura 1. 13 Variables utilizadas en las terminales, para definir los parmetros ABCD ............................. 30
Figura 1. 14 Red de dos puertos conectados en cascada [1.15] ................................................................. 31
Figura 1. 15. Lnea de transmisin. ............................................................................................................. 32
Figura 2. 1 Tendencias del crecimiento de la frecuencia de operacin del transistor, del
microprocesadores y de los datos .............................................................................................................. 36
Figura 2. 2 Contenidos espectrales de dos seales digitales de 1V a 10 MHz, con tiempos de subida y
bajada iguales a: (a) 20ns y (b) 5ns [2.13]................................................................................................... 38
Figura 2. 3 Rebotes de tierra debidas a seales digitales ........................................................................... 39
Figura 2. 4 Empleo de capacitores de desacoplamiento [2.1] .................................................................... 41
Figura 2. 5 Representacin real de un capacitor de desacoplamiento de 22nF [2.2] ................................ 41
Figura 2. 6 Representacin real del sistema de capacitores de desacoplamiento 22nF100Pf [2.2] ..... 42
Figura 2. 7 Curva del comportamiento real de la impedancia de los capacitores de desacoplamiento,
22nF, 100pF y 22nF100nF [2.2].............................................................................................................. 42
Figura 2. 8 A) Impedancia del diseo sin utilizar capacitores de desacoplamiento, B) Impedancia al
adicionar un capacitor de 240 pF entre las terminales de alimentacin de un dispositivo, C) Impedancia
al adicionar un capacitor de 240 pF mas uno de 2 nF entre las terminales de alimentacin de un
dispositivo [2.4]........................................................................................................................................... 44
Figura 2. 9 Proceso de elaboracin de los capacitores embebidos usando el mtodo de sand blasing
[2.12] ........................................................................................................................................................... 46
Figura 2. 10 Visin lateral de la TCI adicionando las estructuras HIS conectadas al plano de energa [2.8]
.................................................................................................................................................................... 48
iv
Figura 2. 11 Intervalos efectivos de frecuencia para diferentes mtodos de reduccin de ruido digital [8]
.................................................................................................................................................................... 48
Figura 2. 12 Onda de voltaje propagndose por la TCI [2.9] ...................................................................... 49
Figura 2. 13 Barrera de capacitores alrededor de un circuito integrado que puede excitar el GNB [2.9] . 50
Figura 2. 14 Circuito elctrico equivalente de una lnea de transmisin [2.14] ......................................... 51
Figura 2. 15 Modelos de segmentacin e intercalado de materiales con diferentes permitividades [2.15].
a) modelo 3x3, b) modelo 5x5, c)modelo 7x7 ............................................................................................ 52
Figura 2. 16 Barreras de vias empleadas para reducir el crosstalk [2.16]. ................................................. 53
Figura 2. 17 Simulacin de los parmetros
y
de la tcnica de barreras de vias [2.16]. ................. 54
Figura 2. 18 Simulacin electromagntica de la tcnica de barreras de vias en parmetros Z, utilizando
los resultados presentados en [16]............................................................................................................. 54
Figura 2. 19 Modelo de lnea de transmisin [2.17]. .................................................................................. 55
Figura 2. 20 Tarjetas de circuito impreso. (a) Vista superior, (b) Seccin transversal [2.17] ..................... 55
Figura 2. 21 Graficas de la magnitud y fase del parmetro
para las TCIs sin capacitores [2.17] ......... 56
Figura 2. 22 Graficas de la magnitud y fase del parmetro
para las TCIs con 2 capacitores [2.17] ..... 58
Figura 2. 23 Modelo para calcular el parmetro
[17] ........................................................................... 58
Figura 2. 24 Graficas de la magnitud y fase del parmetro
para las tarjetas A,B y C [2.17]................. 60
Figura 3. 1. Tarjeta de Circuito Impreso tipo microcinta utilizada como referencia. ................................. 64
Figura 3. 2. Respuesta natural de la microcinta en parmetros S. (a) Prdidas por retorno del puerto de
entrada
, (b) Prdidas por insercin
................................................................................................ 65
Figura 3. 3. Simulacin de la fase del parmetro
de la microcinta sin vias. ......................................... 65
Figura 3. 4. Respuesta natural de la microcinta en parmetro
. ........................................................... 66
Figura 3. 5. Estructura EBG propuesta para modificar la resonancia de la TCI. ......................................... 66
Figura 3. 6. Variacin del dimetro del via. ................................................................................................ 67
Figura 3. 7. Resultados de la simulacin de la TCI variando el dimetro del via. (a) Prdidas por retorno
del puerto de entrada
, (b) Prdidas por insercin
......................................................................... 68
Figura 3. 8. Parmetro
de la simulacion cuando se vara el diametro del via. ..................................... 69
Figura 3. 9. Variacin de la distancia entre el via y la microcinta ............................................................... 71
Figura 3. 10. Distribucin de corriente en el plano de tierra [3.2] ............................................................. 71
Figura 3. 11. Resultados de la simulacin de la TCI variando la separacin entre via y microcinta. (a)
Prdidas por retorno del puerto de entrada
, (b) Prdidas por insercin
...................................... 72
Figura 3. 12. Parmetro
de la simulacin cuando se vara la separacin entre via y microcinta. ....... 73
Figura 3. 13. Ubicacin del nmero de vias a lo largo de la microcinta ..................................................... 75
Figura 3. 14. Resultados de la simulacin de la TCI variando en nmero de vias. (a) Prdidas por retorno
del puerto de entrada
, (b) Prdidas por insercin
. ........................................................................ 76
Figura 3. 15.Parmetro
de la simulacin cuando se vara el nmero de vias en la microcinta. .......... 76
Figura 3. 16. Ubicacin de tres vias al cambiar su ubicacin a lo largo de la microcinta. .......................... 79
Figura 3. 17. Resultado de la simulacin de la TCI variando la ubicacin de tres vias en la TCI. (a) Prdidas
por retorno del puerto de entrada
, (b) Prdidas por insercin
. .................................................... 80
v
vi
Figura A. 1. Parmetro
obtenido de la simulacin cuando se vari el dimetro del via.................... 127
Figura A. 2. Parmetro
obtenido de la simulacin cuando se vari la distancia del via a la microcinta.
.................................................................................................................................................................. 127
Figura A. 3. Parmetro
obtenido de la simulacin cuando se vari el nmero de vias en la TCI. ..... 128
Figura A. 4. Parmetro
simulado cuando se vari la ubicacin de tres vias en la TCI........................ 128
Figura A. 5. Parmetro
de la medicin cuando se vari el nmero de vias en la TCI. ....................... 129
Figura A. 6. Parmetro
de la medicin cuando se varin la posiscin de 3 vias a lo largo de la TCI. 129
Figura A. 7. Parmetro
del modelo elctrico para una TCI sin vias. ................................................... 130
Figura A. 8. Parmetro
del modelo elctrico para una TCI con 1 via. ................................................ 130
Figura A. 9. Parmetro
del modelo para la TCI CASO 1. ..................................................................... 131
Figura A. 10. Parmetro
del modelo para la TCI CASO 2. ................................................................... 131
Figura A. 11. Parmetro
del modelo para la TCI CASO 3. ................................................................... 132
vii
INDICE DE FOTOGRAFIAS
Fotografa 3. 1. Vista superior de la TCI tipo microcinta sin vias ................................................................ 82
Fotografa 3. 2. Vista superior de las TCIs empleadas en experimentacin cuando se modific el nmero
de vias. a) 1 via, b) 3vias, c) 11 vias............................................................................................................. 84
Fotografa 3. 3. Vista superior de las TCIs que se utilizaron en la experimentacin, al modificar la posicin
de 3 vias. ..................................................................................................................................................... 88
viii
INDICE DE TABLAS
ix
RESUMEN
En este trabajo de tesis se presenta una solucin para reducir la magnitud de impedancia que se
presenta a las frecuencias de resonancia de una tarjeta de circuito impreso tipo microcinta, la
cual, consiste en utilizar tres vias a un costado de la pista que conduce la seal de informacin;
con esto se reduce la posibilidad de radiar el ruido por la conmutacin simultnea que se presenta
al utilizarse dispositivos digitales de tecnologa reciente. La reduccin de la magnitud de la
impedancia fue del 12.47 % tomando como referencia una microcinta sin vias. Se presentan
resultados obtenidos mediante la utilizacin de programas de simulacin electromagntica as
como tambin los que se obtuvieron en forma experimental. Para comprobar que la solucin
propuesta no afecta a la seal que se conduce por la microcinta, se presenta un estudio de la
integridad de la seal mediante la tcnica de diagrama de ojo.
ABSTRACT
This thesis presents a solution to reduce the magnitude of impedance presented to the resonance
frequencies of a printed circuit board type microstrip, which is to use three vias to one side of the
track leading signal of information, with this reduces the possibility of radiating the simultaneous
switching noise that occurs when used recent technology digital device. Reducing the magnitude
of the impedance was 12.47% with reference to a microstrip without vias. We present results
obtained using electromagnetic simulation software as well as those obtained experimentally. To
verify that the solution does not affect the signal that leads to the microstrip, we present a study
of signal integrity through the eye diagram technique.
INTRODUCCIN
OBJETIVO
Reducir la magnitud de las impedancias que se presentan en las frecuencias de resonancia de una
lnea de transmisin tipo microcinta para aplicaciones en sistemas digitales.
JUSTIFICACIN
CAPITULO 1. En este captulo se presentan los conceptos bsicos relacionados con las lneas
de transmisin tipo microcinta, considerando sus principales parmetros.
CAPITULO 2. Con el fin de ubicar lo que hasta la fecha se ha desarrollado en torno al control
de las resonancias propias de la TCI, en este captulo se hace una revisin a los estudios
relacionados, citando sus principales aportaciones y alcances. Basndose en lo anterior se
desarrolla la propuesta del control de las resonancias existentes en una TCI.
CAPITULO 6. En este captulo se describen las conclusiones derivadas del trabajo de tesis. As
mismo se da una serie de recomendaciones para trabajo a futuro.
ABREVIATURAS
BER
CMOS
CST
EBG
EMC
FR4
GBN
HIS
IE
ISI
RLCG
SI
SMA
SSN
SWR
TCI, PCB
Via
Vnoise
F
c
Nmero de bits errneos divididos entre total de bits transferidos (Bit Error Rate)
Semiconductor complementario de xido metlico (Complementary Metal Oxide
Semiconductor)
Siglas en ingles de Computer Simulation Technology
Banda electromagntica prohibida (Electromagnetic Bandgap)
Compatibilidad electromagntica (Electromagnetic Compatibility)
Dielctrico de las TCI con nivel de flamabilidad 4 (Flamabilily Rate 4)
Ruido de rebote a tierra (Ground Bounce Noise)
Superficie de alta impedancia (High Impedance Surface)
Interferencia electromagntica (Interferencia Electromagntica)
Interferencia intersimbolica
Resistencia, Inductancia, Capacitancia y Conductancia por unidad de longitud
Integridad de seal
Conector para alta frecuencia (Subminiature versin A )
Ruido de conmutacin simultanea (Simultaneous Switching Noise)
Relacin de onda estacionaria
Tarjeta de circuito impreso (Printed Circuit Board)
Cilindro de cobre solido colocado entre los planos de energa de la TCI
Voltaje de ruido de conmutacin simultanea
Impedancia caracterstica
Inductancia mutua
Inductancia equivalente
Inductancia de interconexin
Resistencia de Interconexin
Resistencia a C.D.
Capacitancia de interconexin
Capacitancia mutua
Frecuencia de resonancia
Velocidad de la luz
Permitividad dielctrica del espacio libre
Permitividad dielctrica efectiva
Permitividad dielctrica relativa
Permeabilidad magntica del espacio libre
Permeabilidad magntica efectiva
7
L
W
H
T
l, m, n
x, z
N
RF
E
H
TE
TEM
D
D
S
V
I
S11
S21
Z11
Z12
A
B
C
D
dB
Gbps
GHz
MHz
kHz
ps
ns
pF
Una lnea de transmisin se define como un sistema conductor que es usado para transferir
energa elctrica de un punto a otro. Siendo ms especficos podemos decir que una lnea de
transmisin consiste de dos o ms conductores separados por un dielctrico. Algunos tipos de
lneas de transmisin son el par trenzado, cable coaxial, las microcintas etc.
Esta tipo de lnea de transmisin tiene como principales ventajas el bajo costo, el amplio ancho
de banda que se puede manejar, las sencillas tcnicas de fabricacin, lo ligero y compacto de los
circuitos que se fabrican con ellas.
10
La lnea de microcinta est formada por un plano conectado a tierra y una cinta conductora
descubierta separada por un sustrato dielctrico, como se muestra en la Figura 1.2. La lnea de
microcinta tiene la ventaja de estar abierta (til para realizar circuitos activos) y su simplicidad
de fabricacin. Es la lnea de transmisin plana ms utilizada para la realizacin de circuitos de
filtros, acopladores, resonadores, antenas, etc. y, su uso, a frecuencias de microondas, ha
revolucionado la tecnologa [1.2].
Tal como se observa en la Figura 1.2, las pistas en configuracin microcinta estn expuestas a
ambos dielctricos, aire y el material dielctrico de la tarjeta de circuito impreso (TCI), el cual
comnmente est hecho de fibra de vidrio o FR4 para aplicaciones de frecuencias bajas a medias,
mientras que para altas frecuencias se pueden usar dielctricos de bajas prdidas como lo son la
Alumina y el Duroid. En este tipo de lnea de transmisin se puede fabricar con tcnicas
fotolitogrficas e inclusive mediante tcnicas mecnicas
11
Donde:
W = Ancho de la cinta conductora.
h = Grosor del sustrato dielctrico.
l= Longitud de la microcinta.
t = Espesor de la microcinta.
= Constante dielctrica del sustrato.
Figura 1.3 Distribucin del campo elctrico y magntico dentro de una microcinta [1.3]
12
es la anchura de la lnea y
Analizando la expresin anterior podemos ver que la impedancia caracterstica de una cinta
ancha suele ser baja, mientras que la de una cinta angosta es alta [1.2].
Figura 1. 5 Resonador que consiste de a) una lnea de transmisin abierta de 2 conductores y b) lnea coaxial contenida [1.4]
14
Como se mencion anteriormente la lnea de transmisin tipo microcinta puede ser considerada
como una gua de onda y en el caso de esta ltima, para encontrar su frecuencia de resonancia
podemos considerar que una onda en modo
conductora en
la gua. Esta onda estacionaria es la resultante de dos ondas viajeras de igual amplitud viajando
en la direccin
Los signos
y en los exponentes indican la direccin en la que viajan las ondas. Sumando los
15
requiere que
, donde
Si procedemos de igual forma con las componentes del campo magntico, tenemos
la onda es atrapada en el
recinto rectangular formando un resonador de cavidad. Observamos que los campos elctrico y
magntico estn en cuadratura de fase del tiempo ( en el exponente para
pero no para
Ahora
, pero
en la direccin
, donde
y
en
. Por consiguiente,
16
La frecuencia de resonancia es
definidos por
, donde
donde
4 x10-7 [H/m]
(8.85x10-12) [F/m]
Puesto que
Donde:
= velocidad de la luz =
= permitividad relativa o constante dielctrica del material
= modos de propagacin
=largo y ancho de la microcinta[m]
De lo anterior se deduce que una microcinta es una cavidad resonante rectangular donde el
comportamiento de la frecuencia de resonancia se puede observar de la siguiente manera
El modo de una onda TE en una cavidad rectangular es, en general, designado como un modo
TElmn donde
direccin ,
) la frecuencia
18
Se considera que, en un circuito, los parmetros son concentrados cuando las dimensiones fsicas
de sus componentes, incluyendo los hilos de conexin, son mucho menores que la longitud de
onda de la energa manejada por el circuito. Si las dimensiones del circuito y sus componentes
son comparables a la longitud de onda o mayores que sta, el circuito debe considerarse como de
parmetros distribuidos y su tratamiento requiere de la teora de lneas de transmisin, derivada
de la teora del campo electromagntico. As en una lnea de transmisin, la resistencia,
inductancia, capacitancia o conductancia no pueden considerarse concentradas en un punto
determinado de la lnea, sino distribuidos uniformemente a lo largo de ella, por lo tanto, se les
llama comnmente parmetros distribuidos [1.7]. Para simplificar el anlisis, los parmetros
distribuidos comnmente se agrupan, por una longitud unitaria dada, para formar un modelo
elctrico de la lnea. (Figura 1.8).
En este trabajo de tesis se emplea este modelo de lnea de transmisin para implementar un
modelo que nos permita conocer el efecto de la estructura EBG que se propone en esta tesis, por
lo que es necesario explicar los parmetros primarios y secundarios de la lnea de transmisin.
19
20
Supngase un elemento infinitesimal de una lnea abierta de dos conductores paralelos, con
parmetros primarios , ,
los parmetros del circuito puedan considerarse concentrados en la forma que se muestra en la
Figura 1.9
es
e
y la corriente
, respectivamente y a la salida,
e .
la capacitancia.
21
Donde
, la
donde,
Que se define como la constante de propagacin y se representa como un nmero complejo que
puede escribirse como [1.11]
Donde
es la constante de fase
expresada en rad/m
22
valores resultan de aplicar las condiciones de frontera a la solucin de las ecuaciones de la lnea.
Tales condiciones de frontera estn representadas aqu por la impedancia de carga y el voltaje
aplicado a la lnea. De estas cuatro constantes, solamente dos son independientes, ya que:
donde,
Que se define como la impedancia caracterstica de la lnea que, junto con la constante de
propagacin, se designan como parmetros secundarios de la lnea y son independientes de la
longitud de sta. La impedancia caracterstica de una lnea depende de la permitividad,
permeabilidad, frecuencia y geometra de la lnea. Como se ve en la Ecuacin (1.24), la
impedancia caracterstica es, en general, compleja, es decir:
La longitud elctrica
y la longitud de onda
propagan.
23
Este parmetro indica si el retardo que sufren las seales propagndose por la lnea implica
desfases importantes y por tanto, si este retardo se tiene que tener en cuenta en el anlisis de
circuitos.
Si
Para trminos prcticos una lnea de transmisin de longitud , puede dividirse en un nmero de
bloques de lnea de transmisin mnimos
donde:
24
Se conoce como puerto a una pareja de terminales a travs de las cuales es posible que entre o
salga corriente de una red, en general una red puede tener n puertos. En consecuencia una red
de dos puertos cuenta con dos pares de terminales que actan como puntos de acceso. Como se
muestra en la Figura 1.10, la corriente que entra en una terminal por un par sale por la otra
terminal.
El estudio de las redes de dos puertos se usa para conocer los parmetros que la conforman, lo
cual permite tratarla como una caja negra cuando est incrustada dentro de una red mayor. La
caracterizacin de una red de dos puertos requiere que se relacionen voltajes y corrientes
e
en los puertos de la red, Figura 1.10. Los diversos trminos que relacionan estas tensiones
1.6.1. Parmetros S
En altas frecuencias, se utiliza el modelo de redes de dos puertos los cuales son descritos por su
matriz de parmetros de dispersin (scattering matrix), de ah su nombre, parmetros de
25
dispersin o parmetros S. Con estos parmetros es posible manipular cantidades de onda y nos
sirven para caracterizar el comportamiento en frecuencia de circuitos de RF y microondas.
Para entender este concepto es importante mencionar que a frecuencias muy bajas, la longitud de
onda de la seal es mucho mayor que la de los elementos del circuito, pero conforme se
incrementa la frecuencia, dicha longitud de onda se va haciendo cada vez ms pequea, por lo
que las leyes de Kirchhoff dejan de tener validez. Adems, trabajar con tensiones y corrientes se
hace ms difcil cada vez, ya que dependiendo de la frecuencia en la que estemos, se hace
imposible hacer cortocircuitos y circuitos abiertos estables, as que aunque el concepto de tensin
y corriente persiste en lneas de transmisin a estas, se suman otros efectos como la reflexin y la
onda estacionaria, y se le da ms importancia a nuevas magnitudes como la potencia que son
elementos vitales para el tratamiento terico y prctico de los circuitos de alta frecuencia. Entre
las herramientas imprescindibles que surgen para el anlisis, el diseo y la interpretacin de lo
que le ocurre a las seales elctricas en una lnea de transmisin estn los parmetros S, como se
ilustran en la Figura 1.11.
En la matriz de parmetros-S para la definicin de una red de dos puertos, se considera que los
puertos salvo el que se encuentra bajo consideracin tienen una carga conectada a ellos idntica a
la impedancia del sistema. Para un puerto
respectivamente.
26
La matriz de parmetros-S para una red de dos puertos est dada por:
Por lo tanto
De las ecuaciones 1.32 se obtiene cada parmetro S de una red de dos puertos, los cuales tiene
las siguientes descripciones genricas:
27
Figura 1. 12. Red lineal de dos puertos. a) Alimentadas por fuentes de tensin, b)Alimentadas por fuentes de corriente [1.15]
Una red de dos puertos puede alimentarse por medio de una tensin como se muestra en la
Figura 1.12 a) o por una corriente como se muestra en la Figura 1.12 b). A partir de cualquiera de
estas dos figuras es posible relacionar las tensiones con las corrientes en las terminales, como en
las expresiones.
28
Puesto que los parmetros Z se obtienen poniendo en circuito abierto el puerto de entrada o de
salida, como se observa en la Ecuacin 1.36, entonces se les denomina parmetros de
impedancia en circuito abierto. Especficamente
Se tiene otro conjunto de parmetros que relacionan las variables en el puerto de entrada con
aquellas en el puerto de salida como se indica en la ecuacin
o sea
en lugar de
, ya que se considera
que la corriente sale de la red, como en la Figura 1.13. Esto se hace solamente por convencin,
puesto que cuando se conectan en cascada dos puertos (salida con entrada), resulta ms lgico
pensar que
29
Figura 1. 13 Variables utilizadas en las terminales, para definir los parmetros ABCD
Los parmetros de dos puertos de la Ecuacin 1.37 y 1.38 proporcionan una medida de la forma
en que un circuito transmite la tensin y la corriente de una fuente a una carga. Resultan tiles en
el anlisis de lneas de transmisin que expresan variables del extremo emisor (
trminos de las variables del extremo receptor (
) en
Donde
son adimencionales,
est en ohms, y
est en siemens.
30
Puesto que los parmetros de transmisin ofrecen una relacin directa entre las variables de
entrada y salida, son muy tiles en el anlisis de redes en cascada de circuitos de dos o ms
puertos, ya que
Algunas conexiones de bipuertos para las cuales los parmetros ABCD de cada una de las redes
que lo integran pueden usarse para encontrar la matriz de transmisin total, como en el caso de la
Figura 1.14.
De la Figura 1.14,
y
transmisin del bipuerto formado por los bipuertos A y B est dada por
31
Donde
En la entrada se considera
32
En la salida se considera
considerando
Puesto que
y de la Ecuacin 1.46 y
1.48 obtenemos
Puesto que
y de la Ecuacin 1.46 y
1.49 tenemos
33
Puesto que
y de la Ecuacin 1.47 y
1.48 tenemos
Puesto que
y de la Ecuacin 1.47 y
1.48 tenemos
No todos los analizadores de redes proporcionan los parmetros Z de una red; slo proporcionan
los parmetros S; por tal motivo, y puesto que las resonancias se muestran en trminos de los
parmetros Z, fue necesario realizar la conversin de los parmetros S a parmetros Z. As
34
mismo puesto que una lnea de transmisin es posible representarla por medio de parmetros
ABCD empleando la constante de propagacin e impedancia caracterstica, en este trabajo de
tesis tambin fueron necesarias las conversiones entre parmetros ABCD y S. La Tabla 1.1
muestra las formulas empleadas para estas conversiones.
Conversin de Parmetros S a Z
Conversin de Parmetros Z a S
35
2.1. INTRODUCCIN
Figura 2. 1 Tendencias del crecimiento de la frecuencia de operacin del transistor, de microprocesador y de los datos.
36
La mayora de los dispositivos digitales hechos con tecnologa CMOS, tienen la caracterstica de
trabajar a altas frecuencias y a su vez conmutar de un estado a otro en unas cuantas unidades de
nanosegundos, lo que tiene consecuencias en el diseo de sistemas electrnicos.
El espectro en frecuencia de una seal digital, nos indica la capacidad que tiene la seal a ser
radiada, causando problemas de interferencia electromagntica (EMI) que es uno de los
principales retos en el diseo de circuitos integrados. Para hacer un anlisis del contenido
espectral de la seal digital, se toma como referencia una seal trapezoidal con tiempos finitos en
la transicin de 0 a 1 (tiempo de subida) y de 1 a 0 (tiempo de bajada). Como se ha mencionado
existe la tendencia hacia el aumento de la frecuencia de reloj de los sistemas con el fin de
aumentar la velocidad del procesamiento, esto ha implicado la utilizacin de seales digitales
con tiempos de conmutacin cada vez ms reducidos, lo que se conoce como seales de alta
velocidad. Al analizar un tren de pulsos trapezoidal en el dominio de la frecuencia se puede ver
que los pulsos que tienen menores tiempos en la transicin de los estados lgicos presentan
mayor amplitud en su contenido espectral que las seales que tienen tiempos de subida y bajada
largos, por lo que al reducir los tiempos de conmutacin en la frecuencia de reloj y transmisin
de datos se tendr mayor contenido espectral en estas seales, lo cual har al sistema ms
vulnerable a problemas de interferencia.
En la Figura 2.2 se muestra el espectro en frecuencia de dos seales digitales, una con un tiempo
de conmutacin de 20 ns, Figura 2.2a, y otra con el tiempo de conmutacin de 5 ns, Figura 2.2b.
En esta figura observamos que la seal con un tiempo de conmutacin menor, Figura 2.2b, tiene
mayor amplitud en las componentes espectrales de alta frecuencia. Alguna de estas componentes
de alta frecuencia puede coincidir con la frecuencia de resonancia propia de la TCI y generar
radiacin causando problemas de interferencia electromagntica.
37
Figura 2. 2 Contenidos espectrales de dos seales digitales de 1V a 10 MHz, con tiempos de subida y bajada iguales a: (a)
20ns y (b) 5ns [2.13]
Para entender la problemtica que existe en los circuitos digitales es importante definir el ruido
de conmutacin simultnea el cual es causado por las seales de alta velocidad y la variacin de
corriente en el tiempo, lo que provoca falsos disparos en los dispositivos electrnicos [2.9].
El ruido de conmutacin simultnea SSN (Simultaneous Switching Noise) llamado tambin
Delta I Noise o ruido de rebote a tierra (Ground Bounce Noise) es un ruido inductivo que se
38
origina cuando muchas de las salidas de un circuito digital conmutan al mismo tiempo. Este tipo
de ruido, es considerado un problema crtico en el diseo de TCI de alta velocidad [2.11], por el
continuo incremento en la frecuencia del reloj.
En la parte superior de la Figura 2.3 se ilustra una tpica seal digital con sobre
amortiguamientos en las transiciones de estados lgicos y en la parte inferior de la figura se
muestran los rebotes de tierra que genera la seal digital debida a las conmutaciones, como se
observa la conmutacin simultanea eleva el nivel de tensin de tierra alejndolo de la referencia
de 0 volts, este incremento de voltaje puede ser lo suficientemente elevado para ser interpretado
como un pulso propio del dispositivo, por lo que se generan falsos disparos que provocan errores
en la interpretacin de la informacin.
El SSN no puede ser cuantificado en una medida exacta ya que este depende de la geometra de
la tarjeta y las trayectorias de corriente [2.10]. Una manera simple para describir el SSN es por
medio de la Ecuacin 2.1
39
Donde
simultneamente,
. La
El trabajo de tesis est enfocado a la reduccin de la magnitud de las resonancias en las TCI, con
la finalidad de mitigar las emisiones radiadas causadas al coincidir las frecuencia de resonancia
propia de la TCI con alguna de las frecuencias del espectro en frecuencia de las seales de alta
velocidad, o con la frecuencia de los rebotes a tierra del SSN.
A continuacin se citaran las tcnicas ms comunes de reduccin de SSN, al igual que se citaran
algunas publicaciones donde se realiza la reduccin de las frecuencias de resonancia de la TCI e
investigacin de stas.
40
(SSN) presente al utilizar seales de alta velocidad. Debido a que la principal fuente de ruido de
conmutacin se encuentra en la alimentacin, se recomienda el empleo de capacitores de
desacoplamiento lo ms cercanos a las terminales de alimentacin de los dispositivos, Figura 2.4,
para reducir las corrientes transitorias que se originan cuando el dispositivo cambia de estado
41
Dado que al utilizar un capacitor de desacoplamiento de 22nF se presenta una baja impedancia
en un intervalo limitado de frecuencias es comn el adicionar un segundo capacitor de 100pF en
paralelo, con lo que se pretende extender el intervalo de frecuencia. En el circuito de la derecha
de la Figura 2.6 se tiene una representacin clara del sistema, incluyendo la inductancia y
resistencia parsitas.
Como se puede apreciar, el circuito contiene las componentes de un circuito resonante, por lo
que a frecuencias medias y altas el sistema presenta un comportamiento indeseado debido a sus
efectos parsitos asociados. La grfica de la Figura 2.7 muestra el intervalo de frecuencias donde
el sistema con dos capacitores presenta una alta impedancia superior a la que se presenta con un
slo capacitor, el intervalo de frecuencias va de 15 MHz a 175MHz y se observa un pico en la
reactancia a 150MHz debido a la resonancia en paralelo del sistema con dos capacitores, la
amplitud del pico varia inversamente con la resistencia en serie de 30miliohms asociada al
capacitor. La forma y localizacin del pico puede variar en cada sistema dependiendo del diseo
de la tarjeta de circuito impreso y el valor de los capacitores.
Figura 2. 7 Curva del comportamiento real de la impedancia de los capacitores de desacoplamiento, 22nF, 100pF y
22nF100nF [2.2]
42
43
Figura 2. 8 A) Impedancia del diseo sin utilizar capacitores de desacoplamiento, B) Impedancia al adicionar un capacitor de
240 pF entre las terminales de alimentacin de un dispositivo, C) Impedancia al adicionar un capacitor de 240 pF mas uno de
2 nF entre las terminales de alimentacin de un dispositivo [2.4].
De lo anterior, se puede concluir que si se realiza un diseo apropiado del plano de distribucin
de energa, en el sistema para adicionar los capacitores de desacoplamiento adecuados, los
problemas debidos a la Interferencia electromagntica (EMI) y la integridad de la seal se
reducen considerablemente.
La principal desventaja de los capacitores de desacoplamiento es que no son efectivos en un
intervalo superior a los 600MHz debido a sus efectos parsitos asociados.
44
Como se he mencionado uno de los principales problemas que se tienen en el diseo de circuitos
de alta velocidad es el SSN, fenmeno que provoca falsos disparos. El mtodo tradicional para la
reduccin del SSN es el empleo de capacitores de desacoplamiento, mtodo que como ya se ha
mencionado, no resulta adecuado por la cantidad de componentes discretos que se requieren en
un diseo y debido a la inductancia intrnseca de estos, slo operan en un reducido intervalo de
frecuencia, como una mejora a esta tcnica se utilizan los capacitores embebidos que proveen
una baja impedancia y reducen los efectos del SSN, y al ser elaborados aprovechando la
capacitancia que existe entre el plano de alimentacin y retorno de energa (tierra), se logra
reducir la inductancia, lo que contribuye a ampliar el intervalo de frecuencia de operacin[2.12].
Para el clculo del valor de los capacitores embebidos se consideran los siguientes parmetros:
espesor del dielctrico entre los planos de energa, la constante dielctrica
y el grosor del
cobre (t).
Los materiales para la fabricacin de los capacitores embebidos tienen diferentes espesores en el
dielctrico, que van de 8 a 24m y una constante dielctrica
muestran las caractersticas elctricas de los materiales fabricados por la marca Faradflex.
Propiedades
Unidades
Faradflex
BC24 BC16 BC12
C @ 1 kHz
@ 1 kHz
@ 1 kHz
-----
BC8
BC12TM BC16T
24
16
12
12
16
190
260
310
500
660
1700
4.4
4.4
4.4
4.4
10
30
10.019
0.019
45
En la Figura 2.9 se ilustra el mtodo de sand blasing para la elaboracin de los capacitores
embedidos
Figura 2. 9 Proceso de elaboracin de los capacitores embebidos usando el mtodo de sand blasing [2.12]
46
Los continuos decrementos en el voltaje de la fuente de alimentacin reducen los niveles del
voltaje de umbral en los dispositivos CMOS que son la base de los circuitos digitales, de esta
manera se incrementa su vulnerabilidad a la interferencia electromagntica. Al mismo tiempo, la
frecuencia de reloj y la velocidad en que se transmite la informacin se incrementan potenciando
la aparicin de efectos indeseables en los circuitos. Por lo anterior el ruido de conmutacin
simultanea es uno de los principales problemas para los diseos modernos en compatibilidad
electromagntica (EMC) [5] [6] [7].
Para reducir este tipo de radiacin se emplean un tipo de estructuras de banda prohibida, por sus
siglas en ingles EBG (electromagnetic bandgap) conocida como superficies de alta impedancia
HIS (high- impedance surfaces)
Las estructuras HIS son estructuras peridicas capaces de prevenir la propagacin de las ondas
electromagnticas en un mayor intervalo de frecuencia, estas estructuras han sido empleadas
inicialmente en aplicaciones de antenas, y diseo de filtros de microondas, pero tambin se han
utilizado en la reduccin de la EMI existentes en los planos de distribucin de energa de las
tarjetas de circuito impreso (TCI).
Shahparnia y Ramahi en [2.8] emplean una estructura EBG con el propsito de reducir la EMI en
TCI. Aplicando una franja de estructuras HIS conectadas a uno de los planos de distribucin de
energa se previene la generacin de ondas entre los planos paralelos, de este modo se brinda una
proteccin efectiva a los bordes de las tarjeta de circuito impreso con lo cual se reduce el nivel de
radiacin. La Figura 2.10 muestra como se emplea este concepto en una vista lateral de la TCI
47
Figura 2. 10 Visin lateral de la TCI adicionando las estructuras HIS conectadas al plano de energa [2.8]
Figura 2. 11 Intervalos efectivos de frecuencia para diferentes mtodos de reduccin de ruido digital [8]
48
Los planos de energa y tierra en una TCI tipo microcinta constituyen una gua de onda de planos
paralelos. Un cambio brusco de corriente en algn punto de la gua, debida a la conmutacin de
algn dispositivo, excita uno o ms modos de propagacin de ondas ocasionando una onda de
voltaje que se propaga alrededor del punto de excitacin como lo muestra la Figura 2.12.
de la tarjeta y causa
principalmente dos efectos, uno, puede hacer caer el voltaje de alimentacin del propio
dispositivo y hacerlo conmutar por s mismo, o dos, la forma de onda de voltaje puede afectar a
otros dispositivos cercanos, especialmente circuitos que empleen seales de reloj para funcionar.
Este fenmeno es asociado al ruido de rebote a tierra (GNB).
Para reducir el ruido de rebote a tierra se pueden emplear capacitores de montaje superficial
entre los planos de energa y tierra alrededor de los dispositivos cuya conmutacin pueda excitar
el GNB. Estas capacitancias, tratarn de nulificar las fluctuaciones de la forma de onda de voltaje
resonante. La Figura 2.13 muestra la barrera de capacitores alrededor de un circuito integrado
que puede excitar el GNB. La ubicacin de esta barrera deber estar en funcin de la longitud de
onda.
49
Figura 2. 13 Barrera de capacitores alrededor de un circuito integrado que puede excitar el GNB [2.9]
Otra forma de reducir el GNB alrededor de un circuito integrado con tiempos de conmutacin
que puedan generar GNB es realizar una ranura alrededor del CI a la misma distancia que se
deberan poner la barrera de capacitores con lo que el circuito queda aislado de los dems
componentes[2.9].
La principal desventaja de esta tcnica es que an cuando se combinan las ranuras con los
capacitores de montaje superficial el intervalo de frecuencias en el que operan es del orden de los
kHz hasta los 600 MHz.
En [2.14] se presenta un estudio donde sugieren el incremento del nmero de columnas en las
esquinas de la TCI y la reduccin de la separacin entre las mismas, logrando un incremento en
la inductancia equivalente que forma dicha cavidad, para reducir la frecuencia de resonancia.
La tcnica presentada en esta publicacin hace un estudio de las resonancias que se forman entre
la cavidad que existe entre la TCI y el chasis en el que se fija la tarjeta, haciendo un anlisis del
circuito equivalente de lnea de transmisin, se encuentra que dependiendo de la geometra de la
TCI, existe una reduccin de las resonancias al incrementar los postes de los soportes, esta
tcnica muestra un mtodo eficiente para la reduccin de resonancias.
Esta tcnica no est enfocada a la cavidad que se forma entre los conductores del las TCI que es
el propsito de ste trabajo de tesis.
51
Las placas paralelas que forman los planos de energa y tierra de una TCI a bajas frecuencias se
comportan como un capacitor de desacoplamiento de valor alto, sin embargo, a altas frecuencias
estos planos se comportan como una antena de tipo parche para la frecuencia de resonancia.
Para reducir estas resonancias, en [2.15] los autores propone emplear el mtodo de
segmentacin, el cual consiste en practicar ranuras a lo largo del plano de energa con la
finalidad de crear islas con diferentes frecuencias de resonancia, como se muestra en la Figura
2.15 y al mismo tiempo intercalar materiales con diferentes permitividades dielectricas para
anular las resonancias de la TCI.
a)
b)
c)
Figura 2. 15 Modelos de segmentacin e intercalado de materiales con diferentes permitividades [2.15]. a) modelo 3x3, b)
modelo 5x5, c)modelo 7x7
Los tres modelos publicados [2.15], figura 2.15, mostraron una reduccin en la magnitud de la
frecuencia de resonancia de la TCI, siendo el modelo de 7x7 el que present mejor resultado,
haciendo considerar que al aumentar el nmero de islas, la magnitud de la frecuencia de
resonancia disminuir an ms.
52
Una tcnica empleada para reducir el efecto crosstalk es emplear una barra de vias para evitar
que la seal se propague alrededor de la TCI generando interferencia con otras pistas. La Figura
2.16 muestra como se emplea esta tcnica.
En [2.16] se presenta el estudio de este arreglo y se reporta que al aumentar el nmero de vias en
la barrera, las frecuencias de resonancia se presentan a mas altas frecuencias como se ve en a
travs del parmetro
La Figura 2.17 muestra los resultados obtenidos en [2.16] mediante simulacin de esta tcnica
utilizando una tarjeta de 5 cm x 2.5 cm que contiene dos microcintas de 3 mm y 5cm de largo,
separadas por una barrera con 3 vias de 0.762 mm de dimetro, en un caso y otro con 12 vias.
53
En la Figura 2.17 se muestra el comportamiento de los parmetro S1,1 y S2,1 con 3 y 12 vias,
donde se aprecia una respuesta ms lineal en el parmetro de transmisin S2,1 con 12 vias.
La tcnica reportada en este artculo utiliza una barrera de vias para evitar el efecto indeseable
del crosstalk, se tom como referencia este trabajo para el desarrollo de la presente tesis por que
se observa que es posible desplazar las frecuencias de resonancia que se presentan en una TCI a
frecuencias ms altas. Para verificar el efecto de las resonancias en su amplitud se realizaron las
simulaciones de los parmetros S presentes en la publicacin y se paso a parmetros Z,
obtenindose la grfica de la Figura 2.18 la cual muestra la magnitud de la impedancia conforme
se incrementa la frecuencia. En esta se observa que existe una reduccin en la primera y segunda
resonancia al aumentar el nmero de vias presentes en la barrera.
Figura 2. 18 Simulacin electromagntica de la tcnica de barreras de vias en parmetros Z, utilizando los resultados
presentados en [16]
54
En [2.17] se presenta el estudio de las resonancias en una tarjeta de circuito impreso (TCI)
utilizando el modelo de lnea de transmisin, que se muestra en la Figura 2.19, el cual consiste en
capacitancias conectadas en serie con inductancias distribuidas a lo largo de la TCI.
Se estudian tres TCIs las cuales se muestran en la Figura 2.20, las tarjetas tienen un espesor de
1.6mm, estas tarjetas tienen pares de pads para capacitores de montaje superficial usados para
interconectar los planos de energa y tierra por medio de vias. Los pads estn colocados a
intervalos de 40 mm en las direcciones de
vista superior de las tarjetas y la Figura 2.20 (b) la seccin transversal de las mismas. Se usan dos
conectores SMA para conectar las tarjeas al equipo de medicin, los cuales estn a 10 mm del
extremo de las tarjetas.
Figura 2. 20 Tarjetas de circuito impreso. (a) Vista superior, (b) Seccin transversal [2.17]
55
En la Figura 2.21 se muestra las mediciones de la magnitud y fase del parmetro S21 realizadas
en las tres tarjetas, sin que exista ningn capacitor entre el plano de tierra y energa. Se observan
picos en cada tarjeta aproximadamente a 270 y 540 MHz. La fase pasa de
en esas
Las resonancias para estas tarjetas pueden calcularse con la ecuacin (2.2).
Donde
respectivamente y
representa el
modo en la direccin de
el
modo en la direccin de . Los resultados de los clculos de las tres tarjetas tomando en cuenta
un
56
Tabla 2. 2.Frecuencias de resonancia en las TCI, en funcin de los modos de propagacin [2.17].
La primera y segunda resonancia ocurre a los 270 y 540MHz encontradas en la medicin de cada
una de las tarjetas, coinciden con las calculada cuando
. Con
se indica
), por lo que las
marcados
. Empleando un analizador de
interconexin del circuito de desacoplamiento se hizo en el mismo punto para las tres tarjetas, sin
57
embargo, las resonancias de lnea ocurrieron en lugares diferentes dependiendo del ancho de la
tarjeta.
En la Figura 2.23 se muestra el modelo empleado para calcular la resonancia de las tarjetas A, B
y C del artculo reportado en [2.17].
[17]
En este caso no se toman en cuenta los conectores por lo que se descont la longitud de los
mismos (20 mm) de la longitud de la tarjeta. De esta manera la longitud de la tarjeta se divide en
3 lneas.
58
Donde
es el ancho de la tarjeta,
es la permitividad
relativa del dielctrico. Entonces empleando la ecuacin 2.3 se encuentra que la impedancia
caracterstica para las tarjetas A, B y C son 0.7, 1.7 y 7.0 ohms respectivamente. En la Figura
2.23 los dos circuitos formados por la inductancia
los puntos
La inductancia de interconexin
capacitancia de desacoplamiento
La resistencia
conectados en
y se calcula empleando la
.
frecuencia de inters para el anlisis de las resonancias est por arriba de la frecuencia de
resonancia serie, la capacitancia de desacoplamiento
El parmetro
Donde
puede despreciarse.
F.
Donde
punto
Las matrices
, el punto
y el punto
y el
59
Donde
es la distancia entre el
conector y el final de la tarjeta. Se observa, en el esquema de la Figura 2.23 que los conectores
estn colocados a 10 mm del borde de la tarjeta. Por simplicidad se considera que las lneas
tienen prdidas, por lo que [2.17]
Donde
De acuerdo con la teora de las lneas de transmisin las resonancias dependen slo de la
longitud de la TCI. Las resonancias ocurren cuando la longitud de la lnea es mltiplo de la mitad
de longitud de onda. La primera resonancia ocurre cuando la longitud de la lnea coincide con
media longitud de onda, la fase en la parte derecha de esta lnea es . Agregando interconexiones
60
61
En este captulo se aborda el diseo y construccin de las tarjetas de circuito impreso en las que
se estudia el efecto de la estructura EBG modificada. Se analizan los efectos de los diferentes
parmetros que afectan a la estructura como son el dimetro del via, la distancia con respecto a la
microcinta as como el nmero de vias y la posicin de estos a lo largo de la microcinta.
Que la fabricacin de la TCI con la estructura sea posible en sustratos comerciales (FR-4)
de dos caras y con procedimientos de bajo costo.
Para cumplir con los requisitos establecidos en la seccin anterior, se hizo el diseo de varias
tarjetas basadas en un EBG pero sin parches, es decir, se propuso solamente utilizar el "via",
62
debido a que durante el desarrollo de otra tesis [3.1] se observ que el utilizar solamente el via
no afecta la forma de onda que viaja por la microcinta.
Con el objeto de reducir los tiempos dedicados a la experimentacin y eficientar el diseo de las
tarjetas, se utiliz un simulador electromagntico, denominado Microwave Studio de la empresa
CST.
Para verificar que los resultados que se obtuvieron de los diseos de la simulacin son correctos,
se procedi a llevar a cabo la construccin de las tarjetas de circuito impreso utilizadas en la
experimentacin, para ello se utilizaron placas de circuito impreso de la marca Kingboard, las
cuales cumplen con el estndar IPC-4101B, el cual establece los requisitos que deben cumplir las
TCI utilizadas en la elaboracin de circuitos impresos. Las especificaciones dadas por el
fabricante se encuentran descritas en la Tabla 3.1.
Tabla 3. 1. Caractersticas del laminado empleado en la fabricacin de la TCI.
CARACTERISTICA
VALOR TPICO
1.6 mm
0.034mm
Constante dielctrica
4.2 @ 1 MHz
Con estas caractersticas y empleando las Ecuacin 1.2, obtenemos que para lograr una
impedancia caracterstica de 50 ohms, el ancho de la microcinta debe ser de 2.8 mm.
El intervalo de frecuencias del analizador de redes que se emplea para la medicin de las tarjetas
es de 10 MHz a 9 GHz, por lo que si se desea ver el efecto de la estructura en las resonancias de
la tarjeta, la frecuencia de resonancia natural de la microcinta debe ser tal que se puedan observar
varios picos resonantes. Por este motivo, las dimensiones fsicas de la tarjeta de circuito impreso
fueron de 50 mm x 50 mm, pues empleando la Ecuacin 1.11 para estas dimensiones y con las
caractersticas del sustrato de la Tabla 3.1, la frecuencia de resonancia natural de la microcinta
fue de 1.414 GHz.
63
En la figura 3.1 se muestra la tarjeta que se emplear para el anlisis de las resonancias.
En las Figuras 3.2, 3.3 y 3.4 se muestran las grficas de los parmetros S y Z respectivamente
obtenidos al simular la tarjeta de la Figura 3.1. Estas corresponden a la respuesta natural de la
microcinta.
En la Figura 3.2a se muestran las prdidas por retorno del puerto de entrada,
, se observa que
a lo largo de todo el intervalo de frecuencias se mantiene por debajo de -10 dB, lo cual indica un
buen acoplamiento de la microcinta. En la Figura 3.2b se muestran las prdidas por
insercin,
posicin que ocupan las resonancias propias de la TCI en el intervalo de frecuencia, pues es en
los cambios de fase del parmetro
no muestra las
en los que se
64
Figura 3. 2. Respuesta natural de la microcinta en parmetros S. (a) Prdidas por retorno del puerto de entrada
, (b)
65
La estructura EBG modificada con la que se pretende afectar las resonancias de la microcinta,
consiste en un via, o varios vias, que se colocarn a lo largo de la microcinta. Estos vias, de
cobre, estarn conectados al plano de tierra y atravesarn todo el dielctrico del laminado y
variarn en cuanto a su dimetro, distancia a la microcinta y ubicacin a lo largo de ella. En la
Figura 3.5 se muestra una configuracin general de la Tarjeta de Circuito Impreso con la
estructura EBG propuesta.
66
En las Figuras 3.7 y 3.8 se muestran las respuestas obtenidas mediante simulacin al variar el
dimetro del via.
En la Figura 3.7 se muestran las grficas de los parmetros S de las simulaciones obtenidas
cuando se varo el dimetro del via, en esta observamos que al igual que en la microcinta sin vias
el acoplamiento es bueno pues en todas las curvas del parmetro
prdidas por retorno del puerto uno son inferiores a
la Tabla 3.2 se indican la magnitud de cada resonancia y el porcentaje que varia con respecto a la
tarjeta sin vias. Aqu observamos que la reduccin de la magnitud del primer pico resonante se
consigue con cualquier dimetro del via y se observa que esta magnitud se desplaza hacia los
picos de ms alta frecuencia; tambin se observa, que en el caso del via con dimetro de 0.82
mm la reduccin que se consigue en los dos primeros picos resonantes es mayor que con los
dems dimetros.
Figura 3. 7. Resultados de la simulacin de la TCI variando el dimetro del via. (a) Prdidas por retorno del puerto de entrada
, (b) Prdidas por insercin
68
Figura 3. 8. Parmetro
En la Tabla 3.3 se indica a que frecuencia se da cada pico resonante de la grfica de la Figura
3.8, tambin se muestra el desplazamiento en Megahertz de estos picos cuando se coloca un via a
la microcinta y se vara el dimetro del mismo. En general, los desplazamientos son similares
cuando se vara el dimetro del via y se ve que en el caso del primer, tercer y quinto pico
resonante, estos se desplazan hacia ms altas frecuencias, mientras que el segundo y cuarto picos
se desplazan hacia una frecuencia menor que la de la referencia sin vias.
Tabla 3. 2. Comparacin de magnitudes del parmetro
RESONANCIA
TARJETA
PRIMERA
SEGUNDA
TERCERA
CUARTA
QUINTA
MAGNITUD
%de
MAGNITUD
%de
MAGNITUD
%de
MAGNITUD
%de
MAGNITUD
%de
[Ohms]
variacin
[Ohms]
variacin
[Ohms]
variacin
[Ohms]
variacin
[Ohms]
variacin
Sin vias
1117
Via de 0.52 mm
1088
-2.20
918.4
0.38
600.9
0.25
462.8
1.60
367.1
2.14
Via de 0.82 mm
1089
-2.51
921.1
-0.09
601.3
0.32
462.4
1.51
366.4
1.95
Via de 1 mm
1090
-2.42
924.7
0.30
601.7
0.38
461.5
1.32
365.5
1.70
Via de 1.02 mm
1089
-2.51
923.5
0.17
601.7
0.38
461.8
1.38
365.7
1.75
599.4
921.9
455.5
359.4
69
RESONANCIA
PRIMERA
TARJETA
SEGUNDA
Frecuencia Variacin
[GHz]
[MHz]
TERCERA
CUARTA
QUINTA
Frecuencia
Variacin
Frecuencia
Variacin
Frecuencia
Variacin
Frecuencia
Variacin
[GHz]
[MHz]
[GHz]
[MHz]
[GHz]
[MHz]
[GHz]
[MHz]
Sin vias
1.673
3.3305
4.954
6.552
8.116
Via de 0.52 mm
1.673
3.3135
-17
4.9625
8.5
6.5265
-25.5
8.15
34
Via de 0.82 mm
1.6815
8.5
3.3135
-17
4.971
17
6.5265
-25.5
8.15
34
Via de 1 mm
1.6815
8.5
3.3135
-17
4.971
17
6.5265
-25.5
8.15
34
Via de 1.02 mm
1.6815
8.5
3.3135
-17
4.971
17
6.5265
-25.5
8.15
34
Por los resultados de las tablas 3.2 y 3.3 vemos que el continuar las simulaciones con vias de
0.82 mm de dimetro nos proporcionara mayores efectos en la curva de impedancia de la
microcinta.
Una vez que se estudi el efecto del dimetro del via a las resonancias de la microcinta, se
continu el estudio variando la distancia que existe entre la microcinta y el via (variable
centro1). En la figura 3.9 se muestra la configuracin que se emple para realizar la simulacin.
Para determinar la distancia mxima a la que se colocar el via se consider la distribucin de
corriente en una microcinta, la cual se puede calcular utilizando la Ecuacin 3.1 [3.2]. En la
Figura 3.10 podemos observar, en un corte de seccin transversal, cmo se va distribuyendo la
corriente a todo lo largo de la microcinta.
70
la distribucin de corriente, y es as que sabemos que a una distancia mayor a 2H, tomando como
referencia el centro del ancho de la microcinta, la distribucin de corriente ya no es significativa.
Tomando en cuenta la consideracin anterior, se determin que la distancia mnima a la que debe
colocarse el via depender de las limitaciones tecnolgicas que se tengan para poder lograr tener
la menor separacin y la mxima de 3.2 mm puesto que es espesor del dielctrico empleado es de
1.6 mm.
71
En la Figura 3.11 se muestran las grficas de los parmetros S de las simulaciones obtenidos
cuando se vari la distancia del via a la microcinta, en estas observamos que al igual que en la
microcinta sin vias el acoplamiento es bueno dado que en todas las curvas del parmetro
(Figura 3.11a) los niveles de prdidas por retorno del puerto uno son inferiores a
. As
Figura 3. 11. Resultados de la simulacin de la TCI variando la separacin entre via y microcinta. (a) Prdidas por retorno del
puerto de entrada
, (b) Prdidas por insercin
.
72
RESONANCIA
CENTRO1
PRIMERA
SEGUNDA
TERCERA
CUARTA
QUINTA
[mm]
MAGNITUD
%de
MAGNITUD
%de
MAGNITUD
%de
MAGNITUD
%de
MAGNITUD
%de
[Ohms]
variacin
[Ohms]
variacin
[Ohms]
variacin
[Ohms]
variacin
[Ohms]
variacin
sin vias
1117
921.9
599.4
455.5
359.4
3.2
1094
-2.06
916.90
-0.54
600.00
0.10
457.40
0.42
365.10
1.59
2.9
1094
-2.06
914.20
-0.84
601.70
0.38
459.00
0.77
365.40
1.67
2.6
1093
-2.15
914.00
-0.86
602.40
0.50
459.90
0.97
366.10
1.86
2.3
1094
-2.06
917.60
-0.47
601.10
0.28
458.10
0.57
364.70
1.47
1093
-2.15
915.20
-0.73
602.40
0.50
459.80
0.94
365.90
1.81
1.7
1093
-2.15
921.50
-0.04
599.30
-0.02
459.10
0.79
364.50
1.42
1.4
1092
-2.24
921.80
-0.01
602.20
0.47
460.60
1.12
365.60
1.73
1.1
1095
-1.97
923.60
0.18
602.40
0.50
460.20
1.03
364.80
1.50
0.8
1090
-2.42
916.40
-0.60
601.70
0.38
459.90
0.97
365.00
1.56
0.5
1089
-2.51
921.1
-0.09
601.3
0.32
462.4
1.51
366.4
1.95
73
En la Tabla 3.5 se indica a que frecuencia se da cada pico resonante de la Figura 3.12, tambin se
muestra el desplazamiento en Megahertz de estos picos cuando se vara la distancia entre el via y
la microcinta. Al igual que en la Tabla 3.4 observamos que mientras menor sea la distancia entre
el via y la microcinta, los desplazamientos de las frecuencias de resonancia son ms
significativos.
RESONANCIA
CENTRO1
PRIMERA
SEGUNDA
TERCERA
CUARTA
QUINTA
[mm]
Frecuencia
Variacin
Frecuencia
Variacin
Frecuencia
Variacin
Frecuencia
Variacin
Frecuencia
Variacin
[GHz]
[MHz]
[GHz]
[MHz]
[GHz]
[MHz]
[GHz]
[MHz]
[GHz]
[MHz]
sin vias
1.673
3.3305
4.954
6.552
8.116
3.2
1.673
3.322
-8.5
4.9625
8.5
6.552
8.133
17
2.9
1.673
3.322
-8.5
4.9625
8.5
6.552
8.1415
25.5
2.6
1.673
3.3305
4.9625
8.5
6.552
8.1415
25.5
2.3
1.673
3.322
-8.5
4.9625
8.5
6.5435
-8.5
8.1415
25.5
1.673
3.322
-8.5
4.9625
8.5
6.552
8.1415
25.5
1.7
1.673
3.322
-8.5
4.9625
8.5
6.5435
-8.5
8.133
17
1.4
1.673
3.322
-8.5
4.9625
8.5
6.5435
-8.5
8.1415
25.5
1.1
1.673
3.3135
-17
4.954
6.5265
-25.5
8.1245
8.5
0.8
1.673
3.3135
-17
4.9625
8.5
6.5265
-25.5
8.1415
25.5
0.5
1.6815
8.5
3.3135
-17
4.971
17
6.5265
-25.5
8.15
34
74
Para conocer el efecto que tiene el nmero de vias, se simularon las tarjetas que se muestran en
la Figura 3.13. Como se observa en esta figura, se simul una TCI con un slo via colocado al
centro de la trayectoria de la microcinta, otra con 3 vias distribuidos a lo largo de la trayectoria
de la microcinta y otra con 11 vias igualmente distribuidos a lo largo de la trayectoria.
En la Figura 3.14 se muestran las grficas de los parmetros S de las simulaciones, obtenidas
cuando se varo el nmero de vias en la TCI, en estas observamos que, al igual que en la
microcinta sin vias, el acoplamiento es bueno pues en todas las curvas del parmetro
3.14a) los niveles de prdidas por retorno del puerto uno son inferiores a
atenuacin que presentan estas simulaciones, Figura 3.14b, no disminuye de
demuestra las prdidas por insercin del parmetro
(Figura
. As mismo, la
como lo
75
Figura 3. 14. Resultados de la simulacin de la TCI variando en nmero de vias. (a) Prdidas por retorno del puerto de
entrada
, (b) Prdidas por insercin
.
Figura 3. 15.Parmetro
76
colocados a lo largo del la microcinta. En la Tabla 3.6 se indica la magnitud de cada resonancia y
el porcentaje que varia con respecto a la tarjeta sin vias. Aqu observamos que al incrementar el
nmero de vias colocados a lo largo de la trayectoria de la microcinta el efecto de estos es mayor
obteniendo una mayor reduccin de las magnitudes.
En la Tabla 3.7 se indica a que frecuencia se da cada pico resonante de la grfica de la Figura
3.15, tambin se muestra el desplazamiento en Megahertz de estos picos cuando se vara el
nmero de vias colocados a lo largo de la microcinta. Al igual que en la Tabla 3.6 observamos
que al aumentar el nmero de vias colocados a lo largo de la trayectoria de la microcinta los
desplazamientos que se logran de las frecuencias de resonancia son mayores.
RESONANCIA
TARJETA
PRIMERA
SEGUNDA
TERCERA
CUARTA
QUINTA
MAGNITUD
%de
MAGNITUD
%de
MAGNITUD
%de
MAGNITUD
%de
MAGNITUD
%de
[Ohms]
variacin
[Ohms]
variacin
[Ohms]
variacin
[Ohms]
variacin
[Ohms]
variacin
sin vias
1117
921.9
599.4
455.5
359.4
1 VIA
1089
-2.51
921.1
-0.09
601.3
0.32
462.4
1.51
366.4
1.95
3 VIAS
677.5
-39.35
700.40
-24.03
523.50
-12.66
410.80
-9.81
349.70
-2.70
11 VIAS
744.7
-33.33
699.40
-24.13
511.10
-14.73
407.40
-10.56
344.20
-4.23
77
RESONANCIA
PRIMERA
TARJETA
SEGUNDA
TERCERA
CUARTA
QUINTA
Frecuencia
Variacin
Frecuencia
Variacin
Frecuencia
Variacin
Frecuencia
Variacin
Frecuencia
Variacin
[GHz]
[MHz]
[GHz]
[MHz]
[GHz]
[MHz]
[GHz]
[MHz]
[GHz]
[MHz]
sin vias
1.673
3.3305
4.954
6.552
8.116
1 VIA
1.6815
8.5
3.3135
-17
4.971
17
6.5265
-25.5
8.15
34
3 VIAS
1.673
3.288
-42.5
4.9285
-25.5
6.4755
-76.5
8.099
-17
11 VIAS
1.6305
-42.5
3.2285
-102
4.8095
-144.5
6.365
-187
7.9035
-212.5
Las simulaciones que posteriormente se llevaron a cabo fueron cambiando la ubicacin de los
tres vias colocados a lo largo de la microcinta, como lo muestra la Figura 3.16, para conocer los
efectos que tiene la estructura propuesta.
78
En la Figura 3.17 se muestran las grficas de los parmetros S de las simulaciones obtenidas
cuando se varo la ubicacin de tres vias en la TCI, en esta grfica vemos que al igual que en la
microcinta sin vias el acoplamiento es bueno pues en todas las curvas del parmetro
3.17a) los niveles de prdidas por retorno del puerto uno son inferiores a
atenuacin que presentan estas simulaciones, Figura 3.17b, no disminuye de
demuestra las prdidas por insercin del parmetro
(Figura
. As mismo, la
como lo
79
Figura 3. 17. Resultado de la simulacin de la TCI variando la ubicacin de tres vias en la TCI. (a) Prdidas por retorno del
puerto de entrada
, (b) Prdidas por insercin
.
80
RESONANCIA
PRIMERA
TARJETA
SEGUNDA
TERCERA
CUARTA
QUINTA
MAGNITUD
%de
MAGNITUD
%de
MAGNITUD
%de
MAGNITUD
%de
MAGNITUD
%de
[Ohms]
variacin
[Ohms]
variacin
[Ohms]
variacin
[Ohms]
variacin
[Ohms]
variacin
sin vias
1117
921.9
599.4
455.5
359.4
CASO 1
677.5
-39.35
700.40
-24.03
523.50
-12.66
410.80
-9.81
349.70
-2.70
CASO 2
1071
-4.12
954.00
3.48
609.70
1.72
479.30
5.23
401.30
11.66
CASO 3
1694
51.66
1095.00
18.78
677.00
12.95
496.60
9.02
359.60
0.06
En la Tabla 3.9 se indican las frecuencias a las que ocurren las resonancias en estas simulaciones
as como el desplazamiento que sufren con respecto a la referencia de la microcinta sin vias.
Conforme los vias de los extremos de la tarjeta se acercan al centro el desplazamiento de las
frecuencias es menor, pues slo cuando los vias se colocan a un cuarto del centro de la
microcinta (CASO 3) y en el quinto pico resonante, el desplazamiento es mayor que cuando los
vias estn a los extremos (CASO 1).
Tabla 3. 9. Comparacin de frecuencias del parmetro
RESONANCIA
TARJETA
PRIMERA
SEGUNDA
TERCERA
CUARTA
QUINTA
Frecuencia
Variacin
Frecuencia
Variacin
Frecuencia
Variacin
Frecuencia
Variacin
Frecuencia
Variacin
[GHz]
[MHz]
[GHz]
[MHz]
[GHz]
[MHz]
[GHz]
[MHz]
[GHz]
[MHz]
sin vias
1.673
3.3305
4.954
6.552
8.116
CASO 1
1.673
3.288
-42.5
4.9285
-25.5
6.4755
-76.5
8.099
-17
CASO 2
1.6815
8.5
3.305
-25.5
4.9285
-25.5
6.5605
8.5
8.082
-34
CASO 3
1.6815
8.5
3.322
-8.5
4.954
6.4585
-93.5
8.1415
25.5
Observando los datos anteriores la microcinta con tres vias a los extremos (CASO 1) es la mejor
opcin para disminuir la magnitud y desplazar las frecuencias de resonancia de una TCI .
81
Las tarjetas se construyeron en placas comerciales de doble cara de la marca Kingboard que
cumplen con la norma IPC-4101B. El mtodo empleado para la construccin de estas tarjetas fue
el fotolitogrfico.
Las mediciones se llevaron a cabo utilizando un analizador de redes vectorial marca ANRITSU,
modelo MS4624B, en un intervalo de frecuencias de 500 MHz a 9 GHz.
Las tarjetas que se construyeron, cumplieron con las dimensiones fsicas de la tarjeta que se
muestra en la Figura 3.1. Los vias que se colocaron en las tarjetas son de cobre calibre 20 (0.82
mm de dimetro). Para acoplar las tarjetas al analizador de redes se emplean conectores SMA
con una impedancia de 50 ohms y que trabajan hasta 18 GHz.
Las tarjetas que se construyeron fueron la de la microcinta sin vias, cuando se vara el nmero de
vias colocados a lo largo de la trayectoria de la microcinta y cuando se vara la posicin de tres
vias.
82
En la Figura 3.19 se muestran las grficas obtenidas por medicin de los parmetros S medidos.
En esta se observa el comportamiento natural de la microcinta, los cuales, como se mencion con
anterioridad en el Captulo 3 son un buen acoplamiento, que se observa en la Figura 3.19a con el
parmetro
muestra los picos de las resonancias natural y sus armnicos de la microcinta. Para el caso de las
mediciones esta curva servir de referencia para comparar el efecto que tiene la estructura EBG
propuesta en la respuesta de la microcinta.
Figura 3. 19. Resultado de la medicin de la TCI sin vias. (a) Prdidas por retorno del puerto de entrada
insercin
.
83
Figura 3. 20.Parmetro
En la Fotografa 3.2 se muestra la vista superior de las tarjetas construidas para realizar
mediciones cuando se vara el nmero de vias colocados en la tarjeta de circuito impreso, las
dimensiones de las TCIs son la mismas que las de la Figura 3.6. Al igual que para la simulacin,
las tarjetas que se construyeron fueron, con un via colocado al centro de la trayectoria, con tres
vias, uno al centro y dos en los extremos, y con 11 vias distribuidos uniformemente a lo largo de
la pista de la microcinta.
Fotografa 3. 2. Vista superior de las TCIs empleadas en experimentacin cuando se modific el nmero de vias. a) 1 via, b)
3vias, c) 11 vias.
84
En la Figura 3.21 se muestran las grficas de los parmetros S de las mediciones obtenidos
cuando se modific el nmero de vias en la TCI, en estas observamos que al igual que en la
microcinta sin vias el acoplamiento es bueno dado que en todas las curvas del parmetro
(Figura 3.21a) los niveles de prdidas por retorno del puerto uno son inferiores a
. As
Figura 3. 21.Comparacin de los parmetros S obtenidos durante las mediciones, al modificar el nmero de vias en la TCI. (a)
Prdidas por retorno del puerto de entrada
, (b) Prdidas por insercin
.
85
vias colocados a lo largo del la microcinta. En la Tabla 3.10 se indica la magnitud de cada
resonancia y el porcentaje que varia con respecto a la tarjeta sin vias. Observamos que en el caso
de la tarjeta con un slo via, se logran reducir las magnitudes de las cuatro primeras resonancias
en un porcentaje mayor que con 3 y 11 vias, siendo este un comportamiento diferente al que se
esperaba despus de la simulacin. Con respecto a las tarjetas de 3 y 11 vias el resultado de las
mediciones arroja que, mientras se incrementa el nmero de vias, la reduccin de las magnitudes
se incrementa en la primera resonancia.
Tabla 3. 10. Comparacin de magnitudes del parmetro
RESONANCIA
TARJETA
PRIMERA
SEGUNDA
TERCERA
CUARTA
QUINTA
MAGNITUD
%de
MAGNITUD
%de
MAGNITUD
%de
MAGNITUD
%de
MAGNITUD
%de
[Ohms]
variacin
[Ohms]
variacin
[Ohms]
variacin
[Ohms]
variacin
[Ohms]
variacin
sin vias
1235
479.2
358.7
341.3
296.8
1 VIA
738.9
-40.17
230.8
-51.84
173.5
-51.63
315.9
-7.44
952.8
221.02
3 VIAS
1081
-12.47
309.60
-35.39
290.30
-19.07
353.40
3.55
325.30
9.60
11 VIAS
913.8
-26.01
384.60
-19.74
288.70
-19.51
324.60
-4.89
319.30
7.58
86
RESONANCIA
TARJETA
PRIMERA
Frecuencia Variacin
[GHz]
[MHz]
SEGUNDA
TERCERA
CUARTA
QUINTA
Frecuencia
Variacin
Frecuencia
Variacin
Frecuencia
Variacin
Frecuencia
Variacin
[GHz]
[MHz]
[GHz]
[MHz]
[GHz]
[MHz]
[GHz]
[MHz]
sin vias
1.658
3.305
4.963
6.577
8.15
1 VIA
1.605
-53
3.225
-80
4.928
-35
6.567
-10
8.033
-117
3 VIAS
1.6263
-31.7
3.2466
-58.4
4.9041
-58.9
6.5403
-36.7
8.0491
-100.9
11 VIAS
1.6316
-26.4
3.2997
-5.3
4.9572
-5.8
6.5403
-36.7
8.0756
-74.4
En la tabla 3.11 se muestra una comparacin de las frecuencias de resonancia que se obtienen al
variar el nmero de vias que se utilizan en la tarjeta de experimentacin., as como el
desplazamiento que sufren. La tarjeta con un slo via logro mayores desplazamientos en las
primeras tres resonancias y la quinta. En cuanto a la de tres vias, los desplazamientos obtenidos
fueron mayores que los conseguidos con 11 vias.
87
Fotografa 3. 3. Vista superior de las TCIs que se utilizaron en la experimentacin, al modificar la ubicacin de 3 vias.
En la Figura 3.23 se muestran las grficas de los parmetros S de las mediciones obtenidas
cuando se modific la posicin de tres vias en la TCI, en estas grficas observamos que al igual
que en la microcinta sin vias el acoplamiento es bueno ya que en todas las curvas del parmetro
(Figura 3.23a) los niveles de prdidas por retorno del puerto uno son inferiores a
Figura 3. 223. Comparacin de los parmetros S obtenidos durante las mediciones, al modificar la ubicacin de los tres vias
utilizados.. (a) Prdidas por retorno del puerto de entrada
, (b) Prdidas por insercin
.
88
Figura 3. 234.Parmetro
RESONANCIA
TARJETA
PRIMERA
SEGUNDA
TERCERA
CUARTA
QUINTA
MAGNITUD
%de
MAGNITUD
%de
MAGNITUD
%de
MAGNITUD
%de
MAGNITUD
%de
[Ohms]
variacin
[Ohms]
variacin
[Ohms]
variacin
[Ohms]
variacin
[Ohms]
variacin
sin vias
1235
479.2
358.7
341.3
296.8
CASO 1
1081
-12.47
309.60
-35.39
290.30
-19.07
353.40
3.55
325.30
9.60
CASO 2
1141
-7.61
492.40
2.75
321.00
-10.51
323.30
-5.27
299.40
0.88
CASO 3
1145
-7.29
289.50
-39.59
242.30
-32.45
357.70
4.81
604.50
103.67
89
En la Tabla 3.13 se indican las frecuencias a las que ocurren las resonancias en estas mediciones,
as como el desplazamiento con respecto a la referencia de la microcinta sin vias. Los
desplazamientos son similares en las tres tarjetas sin observarse una tendencia que indique que
sucede cuando se acercan los vias al centro de la trayectoria de la microcinta.
Tabla 3. 13. Comparacin de frecuencias del parmetro
RESONANCIA
TARJETA
PRIMERA
Frecuencia Variacin
[GHz]
[MHz]
SEGUNDA
TERCERA
CUARTA
QUINTA
Frecuencia
Variacin
Frecuencia
Variacin
Frecuencia
Variacin
Frecuencia
Variacin
[GHz]
[MHz]
[GHz]
[MHz]
[GHz]
[MHz]
[GHz]
[MHz]
sin vias
1.658
3.305
4.963
6.577
CASO 1
1.6263
-31.7
3.2466
-58.4
4.9041
-58.9
6.5403
-36.7
8.0491
-100.9
CASO 2
1.6209
-37.1
3.2466
-58.4
4.8509
-112.1
6.4819
-95.1
7.9375
-212.5
CASO 3
1.6209
-37.1
3.2413
-63.7
4.8563
-106.7
6.4766
-100.4
7.9959
-154.1
8.15
en
escala logartmica.
Como se observa en las secciones 3.3 y 3.4 del captulo, las simulaciones y mediciones tienen
diferencias entre s, que aunque no son significativas, si es necesario mencionar, que en el caso
de las simulaciones, el programa no considera diferentes parmetros propios de la construccin
como son conectores, soldaduras, etc. Por otro lado, aunque el sustrato empleado cumple con
normas internacionales de fabricacin de PCBs, este no es homogneo en todas sus
caractersticas como en la permitividad relativa, ancho del sustrato, espesor de cobre, etc.
90
91
y una resistividad del cobre ; el dielctrico tendr una altura , una permitividad relativa
como unas prdidas tangenciales
as
92
[4.2] y [4.3].
donde
donde
)y
propagacin se puede escribir como en la Ecuacin 4.3 tomando en cuenta la velocidad de la luz
en el vacio .
93
con
Conociendo
unidad de longitud
,
,
siguientes ecuaciones:
donde
respectivamente y
es la
frecuencia angular.
donde
es la permeabilidad en el vaco.
94
Empleando estas ecuaciones es posible encontrar la respuesta de una lnea de transmisin tipo
microcinta y estudiar el efecto de la estructura propuesta.
La Figura 4.2 muestra las grficas del comportamiento de estas ecuaciones a lo largo del
intervalo de 0.5 a 9 GHz, tomando en cuenta las caractersticas del sustrato descritas en la Tabla
3.1. En esta se observa como la resistencia y la conductancia distribuidas de la TCI se
incrementan al aumentar la frecuencia, con respecto a la capacitancia e inductancia distribuidas
permanecen constantes a lo largo del intervalo.
Figura 4. 2. Comportamiento de los parmetros RLCG de una Lnea de Transmisin tipo microcinta al incrementar la
frecuencia..
95
Y por lo tanto, segn la Ecuacin 1.29, el nmero mnimo de elementos que se requieren para
representar la microcinta, como una lnea de parmetros distribuidos es:
Del modelo elctrico en parmetros distribuidos de una lnea de transmisin sabemos que
mientras ms elementos se tengan en el modelo, mejor ser la aproximacin. Para el caso de la
microcinta sin vias se tomara este valor como 32.
En la Figura 4.3 muestra como quedara el circuito equivalente de la lnea de transmisin tipo
microcinta con las consideraciones anteriores.
Para el caso de una lnea de transmisin como la mostrada en la Figura 4.1 sabemos que la
matriz de parmetros ABCD es (Seccin 1.6.3.1 del Captulo 1)
96
Las ecuaciones correspondientes a cada uno de los segmentos utilizados se resolvieron con la
ayuda del programa MatLab utilizando la propiedad del producto de matrices en cascada en una
red de dos puertos. La matriz en parmetros ABCD de cada elemento queda
La estructura EBG que se propone en este trabajo consiste como, ya se mencion en captulos
anteriores, en vias colocados a lo largo de la trayectoria de la microcinta que estn unidos al
plano de tierra como se muestra en la Figura 4.4. Este via puede ser modelado como un inductor
en serie con una resistencia que est en serie con la capacitancia que se forma entre el via y la
microcinta.
97
, su radio
y la
donde
Donde
Empleando las ecuaciones 4.21 a 4.25 y con los valores de la estructura EBG propuesta que son
1.532 mm para la altura del via , 0.41 mm para el radio
), y 0.5 mm para
la separacin entre el via y la microcinta , los valores de los componentes del circuito de
interconexin son:
Para obtener la matriz en parmetros ABCD del circuito equivalente del via se proceder a
obtener las componentes A, B, C y D del circuito de la Figura 4.5 empleando las Ecuaciones
1.52.
99
Con el par de matrices 4.20 y 4.26 y la propiedad de matrices en cascada es posible encontrar la
respuesta de la microcinta y cmo se ven afectadas las resonancias cuando se agregan vias a lo
largo de la trayectoria de la microcinta
Por ltimo en este captulo se muestra la respuesta que se obtiene empleando el modelo y los
parmetros calculados en el apartado 4.2 y 4.3. Se empleo Matlab para realizar los productos de
las matrices 4.20 y 4.26. El nmero de elementos del modelo se incremento a 208 para obtener
las respuestas de 3 y 11 vias, pues de esta manera es posible colocar la matriz del circuito de
interconexin en la posicin que le corresponde fsicamente en la tarjeta.
100
PARMETRO Z12
1400
Z12 Simulado sin Vias
Z12 Medido sin vias
Z12 Modelo sin vias
1200
[Ohms]
1000
800
600
400
200
0
FRECUENCIA[GHz]
Figura 4. 6. Parmetro
101
102
Figura 4. 9. Circuito elctrico equivalente de la TCI con tres vias en diferentes ubicaciones
103
104
Como se observa, el modelo se ajusta ms con los resultados de la simulacin aunque en los tres
procedimientos (simulacin, medicin y modelo) se observan tendencias similares cuando se
agrega el via.
105
En este captulo se aborda el estudio de la integridad de una seal digital al hacerla pasar por la
estructura propuesta para observar si sta sufre de alguna alteracin. El estudio se basa en la
utilizacin de la tcnica del diagrama de ojo para lo cual en las siguientes secciones se da una
breve explicacin del mismo, as como al final, se presentan los resultados que se obtuvieron al
analizar dicha seal cuando pasa por una microcinta y cuando pasa por la estructura propuesta.
En la figura 5.1 se muestra un pulso digital real. Tiempo de subida ( ) es el tiempo requerido
para que la seal pase de nivel bajo a nivel alto. Tiempo de bajada ( ) es el tiempo requerido
para la transicin de nivel alto a nivel bajo. En la prctica, el tiempo de subida se mide como el
tiempo que tarda en pasar del 10% al 90% de la amplitud del pulso, y el tiempo de bajada como
el tiempo que tarda en pasar del 90% al 10% de la amplitud del mismo. La razn de que el 10%
superior y el 10% inferior no se incluyan en los tiempos de subida y bajada se debe a la no
linealidad de la seal en estas reas.
La anchura del impulso (
intervalo de tiempo que transcurre entre los puntos en los que el valor de la seal es el 50% de la
amplitud en el flanco de subida y el de bajada.
106
La integridad de seal digital se puede definir en forma general como el estudio de la distorsin
del pulso. Comnmente las seales digitales son medidas empleando osciloscopios; sin embargo,
estas seales digitales actualmente tienen tasas de transferencia de Gigabits por segundo (Gbps)
lo que hace que el osciloscopio sea insuficiente para analizarlas. Este incremento en la velocidad
de comunicacin hace que los diseadores de sistemas digitales deban resolver los problemas de
seales analgicas para obtener mediciones de SWR (relacin de onda estacionaria), prdidas
por insercin, relaciones entre el ancho de las pistas de los PCBs y los tiempos de retraso en la
seales que transportan, es decir, parmetros que permitan evaluar la fidelidad de un pulso.[5.1],
[5.2], [5.3], [5.4], [5.5], [5.6]
107
considerable de la seal. En la Figura 5.3 se muestra la atenuacin que se presenta en una tarjeta
de computadora cuando se incrementa la frecuencia [5.1].
Debido al empleo de sustratos a base FR4 en la construccin de PCBs, se emplea una tecnologa
de prenfasis en los pulsos digitales para evitar la distorsin de seal causada por atenuacin
como se muestra en la Figura 5.4. Esta tecnologa de prenfasis sirve para evitar distorsiones
predecibles, como la atenuacin, sin embargo no es aplicable para distorsiones no predecibles
como el ruido, crosstalk.
108
109
5.1.1.6. Jitter.
El Jitter corresponde bsicamente a una desviacin de fase respecto de la posicin ideal en el
tiempo de una seal digital que se propaga en un canal de transmisin. El Jitter es un efecto
completamente indeseable en cualquier sistema de comunicaciones y por ende introduce una
serie de problemas al canal, que de no ser tratado adecuadamente puede degradar completamente
la calidad y desempeo del enlace. El Jitter puede causar errores en la recepcin de bits (BER),
ya que si no es controlado confundir al receptor y ste no podr recobrar el reloj de sincronismo
en el extremo receptor, adems puede producir interferencia intersimblica (ISI), entre los pulsos
110
que se propagan por el canal, ya que el jitter producir un desplazamiento de las seales que
componen el pulso y por ende se mezclarn, imposibilitando de esta manera el reconocimiento
de los niveles respectivos de la seal en el receptor. Dicho efecto puede ser observado en la
Figura 5.7 que muestra un diagrama de ojo cerrado completamente por el efecto del Jitter. El
receptor se ver imposibilitado para recobrar el reloj de sincronismo y por ende para recibir
adecuadamente la seal transmitida.
5.1.1.7. Crosstalk
El crosstalk es un acoplamiento electromagntico que se da entre dos lneas de transmisin
adyacentes debido a las capacitancias e inductancias mutuas, Figura 5.8, lo que puede originar
falsos disparos en pistas vctimas.
111
Existen dos tipos de anlisis de los diagramas de ojo. El primero se refiere fundamentalmente al
anlisis de las distintas caractersticas de la forma de onda del pulso como son el tiempo de
subida, el tiempo de bajada, los sobreimpulsos positivos y negativos y el jitter, Figura 5.9, que
estn referidas a cuatro propiedades fundamentales del ojo, el nivel cero, nivel uno, cruce de
amplitud y cruce en el tiempo. Mientras que el segundo mtodo consiste en la comparacin de la
mscara medida directamente en el patrn de ojo con una mscara preestablecida
112
Nivel uno; Corresponde a la medicin del valor promedio del nivel de un uno lgico. Esto se
debe a que el diagrama de ojo utiliza mtodos estadsticos en la construccin del patrn, es decir,
se genera un histograma con los distintos valores del pulso y luego se considera una angosta zona
del ancho del pulso, con lo que se logra obtener el promedio del nivel uno de dicho pulso.
Nivel cero; Corresponde a la medida del valor promedio del nivel cero lgico
Cruce de ojo: Consiste de dos partes, tiempo del cruce y amplitud del cruce. El tiempo del cruce
se refiere al tiempo en el que se produce la apertura del ojo y su posterior cierre, mientras que la
amplitud del cruce, est referido al nivel de voltaje en el cual se produce la apertura del ojo y su
posterior cierre. Considerando estos dos parmetros se define el Perodo del bit, que corresponde
al perodo entre la apertura y cierre del ojo.
La Figura 5.10 muestra un diagrama de ojo con los parmetros descritos.
113
Las mscaras preestablecidas definen regiones especficas en el diagrama de ojo, dentro de las
cuales los pulsos no deben introducirse. Estas mscaras son muy tiles, ya que se utilizan en el
diseo de canales de transmisin, especificando por medio de ellas zonas no permitidas para las
seales. De esta forma se logra preestablecer un diseo ptimo de enlaces que cumplan ciertas
caractersticas, ya que si la seal digital que se propaga por el canal se introduce en dichas
regiones, se observan errores en la transmisin. La Figura 5.11 muestra un diagrama de ojo con
la mscara preestablecida.
Para analizar la integridad de la seal de las Tarjetas de Circuito Impreso propuestas en esta
tesis, se empleo el programa de simulacin Advanced Design System 2008, el cual proporciona
las herramientas suficientes para obtener este diagrama y sus diferentes parmetros.
114
de circuito impreso tipo microcinta sin vias, existen intervalos de frecuencia en los que la
resonancia no est presente. Es en estos intervalos donde se puede estudiar la integridad de seal
de la tarjeta puesto que si se analiza en intervalos de frecuencia cercanos a o en las frecuencias
de resonancia la respuesta de la simulacin tendr mucha distorsin, pues an cuando con la
estructura propuesta se ha logrado disminuir la magnitud y desplazar la frecuencia de las
resonancias, estas siguen presentes. De esta forma si revisamos la respuesta del parmetro
de
todas las tarjetas simuladas, medidas, o del circuito equivalente, vemos que a una frecuencia de 4
GHz es posible obtener el diagrama de ojo para todas las tarjetas.
Es importante resaltar que el estudio de Integridad de Seal que se realiza a la estructura
propuesta no tiene la finalidad de mostrar que la integridad de seal mejora con la estructura, si
no la de mostrar que la estructura no afecta la seal que se hace pasar por la microcinta sin vias.
La fuente que se empleo para generar los diagramas de ojo de las TCIs de esta tesis es la
VtBitSeq (Voltage Source, Pseudo Random Pulse Train Defined at Continuous Time by Bit
Sequence) que es una fuente de voltaje que genera un tren de pulsos definidos por una secuencia.
115
El diagrama de ojo de la seal que entrega esta fuente se muestra en la Figura 5.12.
116
Los circuitos equivalentes obtenidos en el Captulo 4, figuras 4.3, 4.7 y 4.9, fueron
implementados en ADS 2008.
En la Figura 5.13 se muestran los diagramas de ojo de la salida de las TCIs presentadas en el
Captulo 4. En esta figura se puede apreciar que la integridad de seal es similar para todas las
tarjetas lo que podra demostrar que la estructura EBG propuesta en este trabajo no distorsiona la
integridad de seal de la microcinta en modo normal. Sin embargo en la Tabla 5.1 se muestra
una comparacin de los diferentes parmetros de los diagramas de ojo obtenidos mediante
simulacin.
117
RESULTADO DE LA
SIMULACIN
FUENTE
SIN VIAS
1 VIA
CASO 1
CASO 2
CASO 3
Nivel Cero
0.012715367
0.11156936
0.11130038
0.11139138
0.11104211
0.07370546
Nivel Uno
0.9970730204
1.01809699
1.01832303
1.01830773
1.01814361
0.89282822
Nivel promedio
0.499722785
0.56483318
0.56481171
0.56484955
0.56459286
0.48326684
0.995801488
0.90652763
0.90702265
0.90691636
0.9071015
0.81912275
0.98504673
0.64886981
0.65159382
0.65542171
0.65498088
0.63800904
13.70342033
8.01186376
8.13826487
8.17580901
8.22229172
10.2187719
Tiempo de subida
4.16E-11
4.51E-11
4.39E-11
4.26E-11
4.24E-11
4.22E-11
Tiempo de bajada
4.16E-11
4.49E-11
4.37E-11
4.31E-11
4.29E-11
4.20E-11
1.76E-11
1.58E-11
1.58E-11
1.46E-11
1.13E-11
3.51E-12
3.41E-12
3.44E-12
3.26E-12
2.60E-12
En la Tabla 5.1 se muestran los parmetros del diagrama de ojo obtenidos por simulacin de las
tarjetas de circuito impreso construidas. Aqu se observa la similitud de los diferentes parmetros
de las TCIs que tienen el via y la referencia sin vias, por lo que de esta forma se demuestra que la
integridad de seal de la microcinta no se afecta al agregar vias a lo largo de su trayectoria.
La funcin de correlacin de dos seales, nos permite identificar que tanto se parece una seal a
la otra y si existe algn defasamiento entre ellas. Mientras mayor sea la magnitud de esta
funcin, mayor ser el parecido entre las dos seales. Esta funcin, por lo tanto, nos permiti
conocer si las seales digitales, de las tarjetas construidas en este trabajo de tesis, se parecan
entre si y as identificar que efectos tienen los vias al ser colocados en la TCI.
En la Figura 5.14 se muestran las graficas de las seales en el puerto 2 de las TCIs, que se
obtuvieron empleando el modelo elctrico que se desarrollo en el Captulo 4. La Figura 5.15
118
contiene las graficas obtenidas de la funcin de correlacin entre la seal digital de salida de la
referencia sin vias y las seal digital de salida de cada tarjeta.
TARJETA CON UN VIA
TARJETA CASO1
1.4
1.4
TCI CON UN VIA
TCI CASO1
1.2
1.2
[V]
1
0.8
[V]
1
0.8
0.6
0.6
0.4
0.4
0.2
0.2
0.2
0.4
0.6
0.8
1.2
TIEMPO[s]
1.4
0.2
0.4
0.6
0.8
1.2
1.4
TIEMPO[s]
-7
x 10
TARJETA CASO2
-7
x 10
TARJETA CASO3
1.4
1.4
TCI CASO2
TCI CASO3
1.2
1.2
[V]
1
0.8
[V]
1
0.8
0.6
0.6
0.4
0.4
0.2
0.2
0.2
0.4
0.6
0.8
1.2
TIEMPO[s]
1.4
0.2
0.4
0.6
0.8
1.2
1.4
TIEMPO[s]
-7
x 10
-7
x 10
Figura 5. 14. Graficas de las seales digitales de salida de las TCIs de modelo elctrico.
CORRELACIN CRUZADA
CORRELACIN CRUZADA
15000
15000
Correlacin cruzada con 1 via
X: 0
Y: 1.354e+004
5000
-5000
-1
5000
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0.2
0.4
0.6
0.8
Tiem po[s]
-5000
-1
-0.8
-0.6
-0.2
0.2
0.4
0.6
0.8
Tiem po[s]
CORRELACIN CRUZADA
1
-7
x 10
CORRELACIN CRUZADA
15000
X: 0
Y: 1.354e+004
5000
X: 0
Y: 1.354e+004
10000
Correlacin
10000
Correlacin
-0.4
-7
x 10
15000
-5000
-1
X: 0
Y: 1.354e+004
10000
Correlacin
Correlacin
10000
5000
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0
Tiem po[s]
0.2
0.4
0.6
0.8
1
-7
x 10
-5000
-1
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0
Tiem po[s]
0.2
0.4
0.6
0.8
1
-7
x 10
Figura 5. 15. Grafica de la correlacin cruzada de la seal digital de salida sin vias con las seales digitales de salida de las TCIs
del modelo
119
Se observa en la Figura 5.15, que en los cuatro casos la correlacin mxima se da en el punto 0
de las abscisas, lo que indica que en ese punto las seales se encuentran en fase, en este mismo
punto, la amplitud de la funcin correlacin es mxima en las cuatro graficas lo que indica que
las seales no sufren distorsin al agregarse vias a la TCI.
que la seal que se transmite no sufre atenuacin (prdida de potencia), pues en todos los casos
el valor de este parmetro no disminuyo de
ojo permitieron verificar que la seal no sufre distorsin cuando se agregan vias a las TCIs; por
ltimo, la funcin correlacin de la seal digital de salida sin vias con las seales digitales de
salida de las TCIs con vias, demostraron el parecido de las seales cuando se agregan vias a las
TCI. Por lo tanto, la seal digital que se transmite por una TCI, a la que se le han agregado vias
para afectar las resonancias propias de una TCI, no se ve afectada por los vias.
120
121
6.1. CONCLUSIONES
En este trabajo de tesis se propuso una estructura que consiste en el empleo de vias a un costado
de una microcinta con la finalidad de reducir el nivel de la magnitud de la resonancias propias de
la tarjeta de circuito impreso, con lo cual se logra reducir las emisiones radiadas que se propagan
entre los planos de distribucin de energa y provoca fallas en el funcionamiento de los
dispositivos, circuitos o sistemas electrnicos cuando se trabaja con seales de alta velocidad.
Los resultados obtenidos muestran un porcentaje de reduccin de un 12.47% en la magnitud de
la amplitud de la impedancia de la frecuencia de resonancia, alcanzando una reduccin de hasta
35.39% en la segunda resonancia, adems de que esta tcnica es de bajo costo y fcil
implementacin ya que es elaborado en una tarjeta de FR4 de doble cara, su grabado emplea el
mtodo fotogrfico y los vias son cilindros de cobre solido de calibre 20.
Fue posible comprobar la influencia que tiene la permitividad dielctrica del sustrato empleado y
las dimensiones de la estructura para determinar la frecuencia de resonancia, encontrndose que
para una tarjeta de circuito impreso de estructura rectangular sin circuitos de interconexin, la
frecuencia de resonancia slo depende de la longitud de la pista en la tarjeta y no de la geometra
de la misma, debido a que slo se considera la direccin donde hay propagacin del campo
elctrico.
As como tambin se realizaron diversas simulaciones y mediciones con diferentes estructuras
variando el dimetro del via, la separacin entre el via y la microcinta, el nmero de vias, la
distancia entre los vias, entre otros. De todos estos casos estudiados se lleg a la conclusin de
que el ms efectivo es el uso de de tres vias conectados al plano de referencia (tierra) en la
122
estructura, uno de ellos colocado a la mitad de la longitud de la pista y los otros dos en sus
extremos, separados de la microcinta y de los bordes exteriores 0.5mm, en el cual fue posible
reducir la magnitud de la impedancia en las frecuencias de resonancia sin afectar la respuesta
natural de la microcinta. Del mismo modo se encontr que al variar la posicin de los vias a lo
largo de la microcinta se producen efectos diferentes en las magnitudes, as como
desplazamientos en la frecuencia de resonancia y sus armnicos, dichos efectos pueden
modificar las caractersticas de la seal que se conduzca por la misma.
Uno de los factores importantes dentro del diseo electrnico es el garantizar la integridad de la
seal que se conduce, es decir que al emplear la tcnica propuesta, la seal no sufra deterioro,
para lo cual se realiz un anlisis del diagrama de ojo de la seal empleando la estructura
propuesta y comparando la respuesta con una estructura libre de vias, el resultado fue positivo y
se logr comprobar que al emplear vias distribuidos de la manera antes sealada la seal no sufre
degradacin, por lo cual se comprueba que el mtodo empleado para la reduccin de la
resonancia es satisfactorio.
123
124
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[4.3] Pucel, R. A., D. J. Masse, and C. Hartwing, Losses in microstip, IEEE Trans. MTT, Vol.
16, No. 6, 342-350, 1968.
127
[4.4] Marc E. Goldfarb and Robert A. Pucel, Modeling Via Hole Grounds in Microstrip, IEEE
microwave and guided wave letters, Vol. 1, No. 6, June 1991
CAPITULO 5
[5.1] Anritsu, Anritsu Field Application Engineers, Signal Integrity Basics, Signal Integrity
Basics White Paper_2009-04134.
[5.2] Davis M. Pozar, Microwave Engineering, Third Edition, John Willey & Sons, New
Yory, 2005.
[5.3] Sthephen H. Hall and all, HighSpeed Digital Systems Design, a Handbook of
Interconnect Theory and Design Practices, John Willey & Sons, Ney York, 2000.
[5.4] Dallas Semiconductor, Maxim-ic, Introduction to Common Printed Circuit Transmission
Lines, Application Note 2093, June 02, 2003.
[5.5] Howard Johnson and Martin Graham, High-Speed Signal Propagation, Advanced Black
Magic, Prentice Hall, NJ, 2003
[5.6] Agilent Technologies, Eric Bogatin, GigaTest Labs, Understanding Signal Integrity,
April 18, 2002.
128
LOGARTMICA
Con el objeto de mostrar con mayor detalle las frecuencias de resonancia y sus magnitudes, en
este apndice, se tienen las curvas del parmetro
Figura A. 1. Parmetro
Figura A. 2. Parmetro
127
Figura A. 3. Parmetro
Figura A. 4. Parmetro
128
10
[Ohms]
10
10
10
FRECUENCIA[GHz]
Figura A. 5. Parmetro
10
[Ohms]
10
10
10
Figura A. 6. Parmetro
4
5
FRECUENCIA[GHz]
129
PARMETRO Z12
10
[Ohms]
10
10
10
FRECUENCIA[GHz]
Figura A. 7. Parmetro
PARMETRO Z12
10
[Ohms]
10
10
10
FRECUENCIA[GHz]
Figura A. 8. Parmetro
130
PARMETRO Z12
10
[Ohms]
10
10
10
FRECUENCIA[GHz]
Figura A. 9. Parmetro
PARMETRO Z12
10
[Ohms]
10
10
10
FRECUENCIA[GHz]
131
PARMETRO Z12
10
[Ohms]
10
10
10
FRECUENCIA[GHz]
132