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UNIVERSIDAD MAYOR DE SAN SIMON

FACULTAD DE CIENCIAS Y TECNOLOGA

FAMILIAS
LOGICAS
DOCENTE
MATERIA

: URRUTIA MEDRANO JOSE A.


: DIGITAL ii

NOMBRES :Anagua Montalvo Sergio Alejandro


Fecha
GESTION

: 19 DE OCTUBRE
: 1-2015

Cochabamba-Bolivia

FAMILIAS LOGICAS
Caractersticas generales de una familia lgica
Una familia lgica es un conjunto de circuitos integrados que implementan
distintas operaciones lgicas compartiendo la tecnologa de fabricacin y en
consecuencia, presentan caractersticas similares en sus entradas, salidas y
circuitos internos. La similitud de estas caractersticas facilita la
implementacin de funciones lgicas complejas al permitir la directa
interconexin entre los chips pertenecientes a una misma familia.
Teniendo en cuenta el tipo de transistores utilizados como elemento de
conmutacin, las familias lgicas pueden dividirse en dos grandes grupos:
las que utilizan transistores bipolares y las que emplean transistores MOS.
La primera familia lgica en aparecer en el
mercado, a principios de la dcada del 60,
fue
implementada con lgica de transistores
bipolares acoplados por emisor (ECL,
Emitter Coupled Logic). A fin de
desarrollar
circuitos
de
alta
velocidad
los
transistores conducen en zona activa y de esta
manera
se minimiza el tiempo de conmutacin entre
conduccin y
corte. Casi inmediatamente aparecieron otras familias lgicas basadas en
transistores bipolares conmutando entre corte y saturacin a fin de
reproducir dentro de un chip los circuitos que hasta ese momento se
realizaban utilizando componentes discretos. La primera de estas familias
fue implementada con resistencias y transistores bipolares y se la identifica
como lgica RTL (Resistor Transistor Logic). La integracin de resistencias
demanda gran cantidad de rea de silicio, reduciendo la cantidad de
compuertas que se podan incluir dentro de un mismo chip. Para mejorar el
aprovechamiento del rea algunas resistencias de los circuitos comenzaron a
ser reemplazadas por diodos, principalmente en las etapas de entrada,
dando lugar a la aparicin de la lgica de diodos y transistores identificada
como DTL (Diode Transistor Logic). Finalmente, los transistores multiemisor
reemplazaron los diodos y se lleg a una topologa circuital que dio lugar a
una familia lgica basada fundamentalmente en transistores bipolares y una
mnima cantidad de resistencias. Esta familia, denominada lgica TTL
(Transistor Transistor Logic), se populariz rpidamente y mantiene, an en
la actualidad, su vigencia.

Con el correr del tiempo la familia TTL se convirti en un conjunto de familias


lgicas que si bien entre s difieren en velocidad, consumo de energa y
costo, mantienen caractersticas de entrada y salida compatibles de manera
que en un sistema digital pueden mezclarse componentes de distintas
familias TTL.
Los principales inconvenientes de los circuitos con transistores bipolares son
el alto consumo y, como consecuencia, la baja escala de integracin
admisible (cantidad de dispositivos posibles de integrar en un mismo chip)
que se relaciona directamente con una baja complejidad del circuito.
Como alternativa para soslayar estos inconvenientes y facilitar el aumento
del nivel de integracin surgieron las familias basadas en transistores de
efecto de campo de compuerta aislada (MOS, metal oxide semiconductor) de
enriquecimiento. En esta tecnologa, los circuitos lgicos pueden ser
implementados ntegramente con transistores MOS evitando la presencia de
resistencias, en consecuencia, para implementar una funcin lgica dada se
ocupa menor rea de silicio con un proceso de fabricacin ms simple.
Adems del hecho que, dado que los transistores MOS son controlados por
tensin y no permiten la circulacin de corriente en sus entradas, requieren
menos potencia para su funcionamiento facilitando el aumento de la escala
de integracin.
Teniendo en cuenta que los transistores MOS tienen un nico tipo de
portadores, y en el caso de los transistores con canal tipo N (NMOS) los
portadores son electrones que tienen una movilidad considerablemente
mayor que la de los huecos responsables de la conduccin en los de canal P
(PMOS), las primeras familias lgicas de transistores MOS se basaban en
transistores de canal tipo N, siendo conocida como familia NMOS.
A fines de los setenta surgieron procesos tecnolgicos que permitan integrar
transistores canal N y canal P simultneamente en una misma pastilla. De
esta manera surge la tecnologa de transistores MOS complementarios
(CMOS, complementary MOS). El conjunto de familias CMOS posee ventajas
indudables sobre la TTL, y an sobre la misma NMOS; sobre todo en cuanto
al mnimo consumo de potencia haciendo que rpidamente se estableciera
como el estndar dando lugar a un aumento vertiginoso de la escala de
integracin hasta llegar a poner cientos de millones de transistores en un
mismo chip.
Las familias TTL no han experimentado cambios importantes en los ltimos
aos, mientras que la permanente evolucin de la tecnologa CMOS puso a

disposicin familias CMOS capaces de reemplazar en forma directa los


integrados TTL incluso con mejor rendimiento. Las familias TTL siguen
estando presentes en el mercado si bien a partir de mediados de los ochenta
los circuitos CMOS fueron ganando rpidamente el primer lugar en
preferencias.
El importante y permanente desarrollo de la tecnologa CMOS llev a la
aparicin de circuitos con cada vez mayor velocidad de respuesta y nivel de
complejidad, imponindose como la preferida en el diseo de
microprocesadores y microcontroladores. En los ochenta, la sistematizacin
del diseo de circuitos integrados CMOS abri la posibilidad de implementar
circuitos integrados a medida del usuario surgiendo importantes lneas de
trabajo alrededor del desarrollo de circuitos integrados de aplicacin
especfica (ASIC, Application Specific Integrated Circuits), con esta tecnologa
surgen y se desarrollan los dispositivos de lgica programable en campo, y
procesos que permiten integrar un sistema complejo completo dentro de un
nico chip. Hoy la tecnologa CMOS ha reemplazado casi totalmente a las
tecnologas basadas en transistores bipolares no slo en circuitos digitales
sino tambin en circuitos analgicos.
Elementos de Anlisis de las Familias Lgicas
o Caractersticas.-Su
diseo,
condiciones
de
uso,
ventajas,
desventajas.
o Subfamilias.-Son las derivadas de las familias principales como las
TTL y CMOS, las cuales poseen caractersticas especiales propias.
o Velocidad.-La rapidez de respuesta de las salidas de un circuito digital
a cualquier cambio en las entradas. La velocidad es una consideracin
importante en el diseo de sistemas que deben realizar clculos
numricos o en circuitos que trabajan con seales de alta frecuencia.
o Potencia.- El consumo de potencia mide la cantidad de corriente o de
potencia que consume un circuito digital en operacin. El consumo de
potencia es una consideracin importante en el diseo de sistemas
operados por bateras.
o Voltaje de Alimentacin.- Los circuitos digitales deben tener un nivel
adecuado de alimentacin para un buen desempeo.
o Capacidad de Carga.- En general se requiere que la salida de un
circuito lgico controle varias entradas lgicas. La capacidad de carga
se define como el nmero mximo de entradas lgicas que puede
controlar una salida de manera confiable.(Fan outFan In)

o Tiempos de Propagacin.- Una seal lgica siempre experimenta un


retraso al pasar a travs de un circuito. Se definen como:
t PLH Tiempo que tarda la compuerta en cambiar del estado de 0 lgico al
de 1 (de BAJO a ALTO).
t PHL

Tiempo que tarda la compuerta en cambiar del estado de 1 lgico

al de 0 (de ALTO a BAJO).


o Inmunidad al ruido.- En un circuito lgico se refiere a la habilidad de
ese circuito para tolerar el ruido sin producir cambios espurios en el
voltaje de salida.
FAMILIAS DE TECOLOGIA BIPOLAR
Familia RTL Resistor-Transistor Logic (Lgica de Resistencia a
Transistor)
La primera familia de circuitos integrados digitales comercialmente
disponible fue la serie 900 de Fairchild Semiconductor, introducida en 1961.
Los chips de esta familia, denominada RTL, operaban a 3.2V y utilizaban
internamente resistencias y transistores para realizar operaciones lgicas.
Actualmente son practicamente obsoletas pero fueron muy populares en su
aparicion.
Familia DTL Diode-Transistor Logic (Lgica de Diodo a Transistor)
La familia RTL dio paso a otra familia de circuitos integrados digitales
construidos a base de diodos y transistores. A esta nueva familia se le
denomino DTL. Actualmente son practicamente obsoletas pero representaron
una mejora a los RTL.
Familia IL Integrated Injection Logic
La tecnologa IL por su parte, se utiliza en aplicaciones de alta integracin,
como relojes, sintetizadores de sonidos, microprocesadores, etc., combinada
generalmente con circuiteria analoga. Se caracteriza por su bajo consumo de
potencia.
Familia TTL Transistor-Transistor Logic
Introducida originalmente por Texas Instruments en 1964. La familia TTL esta
disponible en dos versiones: la serie 54 y serie 74. La primera se destina a
aplicaciones militares y la segunda a aplicaciones industriales y de proposito

general. Los dispositivos de la serie 54 tienen rangos de operacin de


temperatura y voltaje mas flexibles (desde -55 hasta 125C contra 0 a 70C
de la serie 74 ).
Se tienen en presentaciones de variedad de compuertas y flip-flops en la
linea de integracion
a pequea escala (SSI), y contadores, registros,
multiplexores, decodificadores/codificadores y demas funciones logicas en su
linea de integracion a mediana escala (MSI).
Subfamilias de TTL:
Subfamilia TTL Estndar 74XX
Se designan como 74xx (7400, 7447, etc). 74xxx (74123, 74193, etc.),
8xxx (8370, 8552, etc.) y 96xx (9601, 9615, etc).
Las ms utilizadas son las series 74xx y 74xxx. Estos dispositivos siguen
disponibles, pero en la mayora de los casos no son una opcin razonable
para los nuevos diseos, ya que ahora estn disponibles otros
dispositivos con un rendimiento mucho mayor y a un menor costo. Esta
familia opera mediante el uso de la conmutacin saturada. Esta
operacin produce un retraso en el tiempo de almacenamiento ts cuando
los transistores cambian de ENCENDIDO a APAGADO y limita la velocidad
de conmutacin del circuito.

Subfamilia TTL Baja Potencia 74LXX


Se designan como 74Lxx (74L00, 74L47, etc). 74Lxxx (74123, 74193,
etc.), Consumen 10 veces menos potencia que los dispositivos TTL
estndares correspondientes pero son 4 veces ms lentos.
Subfamilia TTL Alta Velocidad 74HXX
Se designan como 74Hxx (74H05, etc). 74Hxxx (74H123, etc.),
Consumen 2.5 veces ms potencia que los dispositivos TTL estndares
pero son 2 veces ms rpidos.
Subfamilia TTL Schottky 74SXX

Se designan como 74Sxx (74S00, etc). 74Sxxx (74S181, etc.),


Consumen 1.8 veces ms potencia que los dispositivos TTL estndares
pero son 4 veces ms rpidos. Se reduce el retraso en el tiempo de
almacenamiento al no permitir que el transistor caiga tanto en
saturacin. Para ello utiliza un diodo de barrera Schottky (SBD), el cual se
conecta entre la base y el colector de cada transistor. Los circuitos 74S
tambin utilizan un par Darlington para proveer un tiempo de elevacin
de salida ms corto cuando cambian de ENCENDIDO a APAGADO.
Subfamilia TTL Schottky de Baja Potencia 74LSXX
Se designan como 74LSxx (74LS83, etc). 74LSxxx (74LS121, etc.).
Consumen 5 veces menos potencia que los dispositivos TTL estndares y
son igual de rpidos. Esta es la subfamilia ms utilizada entre todas las
divisiones de la familia TTL. Es una versin de menor velocidad y
potencia que la serie 74S. Utiliza el transistor Schottky-clamped, pero
con valores de resistencia ms grandes que la serie 74S. Estos valores
de resistencia mayores reducen el requerimiento de energa del circuito,
pero a expensas de un incremento en los tiempos de conmutacin.

Subfamilia TTL Schottky Avanzada de Baja Potencia 74ALSXX


Se designan como 74ALSxx (74ALS00, 74ALS47, etc). 74ALSxxx.
Consumen la mitad de la potencia requerida por los dispositivos LS
equivalentes y son el doble de rpidos. Esta es una versin mejorada de
la serie 74LS, en tanto en velocidad como en disipacin de potencia.
Subfamilia TTL Schottky Avanzada 74ASXX
Se designan como 74ASxx (74AS00, 74AS93, etc). 74ASxxx. Proporciona
los ms cortos tiempos de propagacin que el estado actual de

tecnologa bipolar puede ofrecer y su consumo es intermedio entre TTL


estndar y LS. Las innovaciones en el diseo de circuitos integrados
condujeron al desarrollo de la serie Schottky avanzado (74AS) los cuales
proporcionan una mejora considerable en velocidad, en comparacin con
la serie 74S, con un requerimiento mucho menor de energa, tambin se
tiene requerimientos menores de corriente de entrada, lo cual produce
una capacidad de carga mayor que la serie 74S.
Subfamilia TTL Rpida 74FXX
Se designan como 74Fxx (74F74, 74F93, etc). 74Fxxx. Esta serie utiliza
una nueva tcnica de fabricacin de circuitos integrados para reducir las
capacitancias entre dispositivos y por ende se logra reducir los tiempos
de propagacin.
CARACTERISTICAS:
Niveles lgicos
Existen cuatro especificaciones diferentes para los niveles lgicos: VIL, VIH,
VOL y VOH.

Voltaje de Alimentacion
Las compuertas de la familia TTL utilizan un voltaje de alimentacion nominal
(Vcc) de 5V, pero pueden tolerar una variacion de esta de 4.5 a 5.5V

Disipacion
de
Potencia
Una compuerta NAND
TTL ALS disipa una
potencia promedio de
2.4mW. Esto se
debe
a
que
IccH=0.85mA
e
IccL=3mA,
lo
cual
produce
Icc
(prom)=1.93
mA
y
Pd(prom)=1.93mA*5V=9.65mW. Estos son la potencia total requerida por las
cuatro compuertas en el chip. Por ende, una compuerta NAND requiere una
potencia promedio de 2.4mW.
Tiempos de Propagacion
La hoja de datos proporciona los tiempos de propagacion minimo y maximo.
Suponiendo que el valor tipico es una cantidad intermedia, tenemos que
t PLH =7 ns
t PHL=5 ns
y
El retraso de propagacion promedio total
t pd (prom)=6 ns .
Circuito de salida en forma de totem
El arreglo en forma de totem de circuito TTL Es importante ya que mantiene
la disipacion de energia del circuito en un nivel bajo. Una desventaja del
arreglo de salida en forma de totem se produce durante la transicion de BAJO
a ALTO.
Accin de Drenado y Suministro de Corriente
Una salida TTL acta como un drenador o sumidero de corriente en el estado
BAJO, ya que recibe corriente de la entrada de la compuerta que est
controlando.
En el estado ALTO, una salida TTL acta como un suministro de corriente o
fuente de corriente. Como es de notar en un anlisis ms profundo se puede
notar que la corriente en estado alto es una pequea corriente de fuga con
polarizacin inversa (por lo general 10uA).

Anlisis de la capacidad de carga de la familia TTL

El fan-out es el nmero mximo de entradas de carga que se pueden


conectar sin afectar adversamente a las caractersticas de operacin
especificadas de la puerta.
En TTL, la capacidad de la corriente de sumidero (estado de salida a nivel
BAJO) es el factor ms crtico en la determinacin del fan-out.
El fan-out es el nmero mximo de entradas de carga que se pueden
conectar sin afectar adversamente a las caractersticas de operacin
especificadas de la puerta. Por ejemplo, las TTL Schottky de bajo consumo
(LS) tienen un fan-out de 20 unidades de carga. Una entrada de la misma
familia lgica que la puerta excita- dora se llama unidad de carga. La

corriente total de sumidero tambin aumenta con cada entrada de carga que
se aade, como muestra la Figura 14.14. Al aumentar esta corriente, la cada
de tensin interna de la puerta excitadora aumenta, haciendo que VOL
aumente. Si se aade un nmero demasiado grande de cargas, VOL se har
mayor que VOL(mx), reducindose el margen de ruido para el nivel BAJO.
En TTL, la capacidad de la corriente de sumidero (estado de salida a nivel
BAJO) es el factor ms crtico en la determinacin del fan-out.

Transitorios de Corriente
Los circuitos lgicos TTL sufren transitorios o picos de corriente generados
en forma interna debido a la estructura en forma de ttem. Pues hay un
intervalo corto de tiempo (cerca de 2ms) durante la transicin de
conmutacin cuando ambos transistores estn conduciendo y se drena
bastante corriente de la alimentacin Vcc +5. La duracin de este transitorio
de corriente se extiende por los efectos de cualquier capacitancia de carga
en la salida del circuito. Por tanto cada vez que una salida TTL en forma de
ttem cambia de BAJO a ALTO, se drena un pico de corriente de alta amplitud
de Vcc.
COMPARACION DE CARACTERISTICAS DE LAS SERIES TTL
Clasificaciones de Rendimiento

74

Tiempo de Propagacin (ns)


9
Disipacion de Potencia (mW)
10
Frecuencia mxima de reloj (MHz)
35
Capacidad de carga (misma serie) Fan-out
10
Parmetros de Voltaje
V OH (min ) (V ) voltaje de salida de nivel 2.4

74S
3
20
125
20

74L
S
9.5
2
45
20

74A
S
1.7
8
200
40

2.7

2.7

74ALS 74F
4
1.2
70
20

3
6
100
33

2.5

2.5

2.5

alto
V OL(max) (V )

voltaje de salida nivel 0.4

0.5

0.5

0.5

0.5

0.5

bajo
V IH (min) (V )

voltaje de entrada nivel 2.0

2.0

2.0

2.0

2.0

2.0

alto
V IL (max ) (V )

voltaje de entrada nivel 0.8

0.8

0.8

0.8

0.8

0.8

bajo
Parmetros de Corriente
I OH (mA ) corriente de entrada nivel 0.4

0.4

0.4

alto
I OL (mA )

corriente de entrada nivel

16

20

20

20

bajo
I IH (uA)

corriente de entrada nivel

40

50

20

20

20

20

alto
I IL (mA )

corriente de salida nivel

1.6

0.4

0.5

0.1

0.6

bajo

Familia ECL (Emitter-Coupled Logic)


Esta es otra familia lgica bipolar que evita la saturacin del transistor,
con lo que se incrementa la velocidad de conmutacin en general. A esta
familia lgica en general se le conoce como lgica de acoplamiento por
emisor (ECL), la cual opera en base al principio de conmutacin de corriente,
en el cual una corriente de polarizacin fija menor que I C ( sat) se cambia
del colector de un transistor a otro. Debido a esta operacin en modo de
corriente, a esta forma lgica tambin se las conoce como lgica en modo de
corriente (CML)
Esta serie lgica presume de un tiempo de propagacin mximo de las
compuertas de 500 ps (que equivale a las mitad de un nanosegundo) y
velocidades de conmutacin de los FFs de 1.4 GHz. Algunos dispositivos en
esta serie tienen tiempos en las compuertas de solo 100ps a una potencia
promedio de 5mW. A continuacin se listan las caractersticas ms
importantes:
- La velocidad de conmutacin es muy alta. El tiempo de propagacin
tpico es de 360 ps con lo cual ECL es ms rpida que cualquiera de los
miembros de las familias TTL o CMOS
- Los niveles lgicos nominales son -0.8 y -1.7 para el 1 y 0 lgicos,
respectivamente. La serie ECLin PS es total mente compatible en
voltajes son las series de anteriores de ECL
- Los mrgenes de ruido de ECL para el peor de los caos son de
aproximadamente 150 mV. Estos mrgenes de ruido tan bajos hacen
que ECL sea poco confiable para usarse en ambientes industriales
pesados

Por lo general, un bloque lgico ECL produce una salida y su


complemento. Esto elimina la necesidad de inversor. El control
complementario de alta corriente tambin hace de ECL un excelente
reforzador de lneas para conductor de par trenzado
- Por lo general, las capacidad de carga es un valor cercano a 25, debido
a las salidas de seguidor de emisor de baja impedancia
Familia Lgica ---------------- 74A 74F 74AHC 74AVC 74ALVT 74ALB ECL
S
Tiempo de Propagacin (ns)
1.7
3.8
3.7
2
2.4
2.2
0.3
Disipacin de Potencia (mW)
8
6
0,006 0.006
0.33
1
25
100KHz
Margen de ruido para el peor 300 300
550
250
400
400
150
caso mV
Velocidad mxima de reloj (MHz)
200 100
130
*
*
*
140
0
- La disipacin de potencia tpica es de 25 mW un poco ms alta que la
de la serie 74 AS

Familia CMOS:
Las siglas CMOS corresponden a Complementary Metal-Oxide Semiconductor
(metal-xido semiconductor complementario). El trmino complementario se
refiere a la utilizacin de dos tipos de transistores en el circuito de salida. Se

usan MOSFET (MOS Field-Effect Transistor, transistor de efecto de campo


MOS) de canal-n y de canal-p.
Esta tecnologa fue utilizada inicialmente en aplicaciones aeroespaciales y
militares, debido a su bajo consumo. No se comenz a utilizar a nivel de
usuario hasta 1968. A pesar de encontrarse inicialmente con una serie de
dificultades, como que era una tecnologa desconocida (frente a la popular
TTL) y que apenas haba informacin sobre ella. En la actualidad, es tan
popular y utilizada e incluso ms que la lgica TTL, debido principalmente a
las siguientes caractersticas:
Muy bajo consumo.
Amplio margen de tensin de alimentacin.
Alta inmunidad al ruido.
La tecnologa MOS (Metal Oxido Semiconductor) deriva su nombre de la
estructura MOS bsica de un electrodo metlico sobre un aislante de xido,
sobre un sustrato semiconductor. Los transistores de la tecnologa MOS son
transistores de efecto de campo, a los cuales se les conoce como MOSFETs.
Esto significa que el campo elctrico en el lado del electrodo metlico del
aislante de xido tiene un efecto sobre la resistencia del sustrato. La mayora
de los CIs digitales MOS estn construidos en su totalidad a partir de
MOSFETs y de ningn otro componente. Adems, los dispositivos MOS
ocupan mucho menos espacio en un chip que los transistores bipolares, lo
que es ms importante los CIs digitales MOS, por lo general, no utilizan los
elementos tipo resistencia de los CIs, que ocupan la mayor parte del rea del
chip de los CIs bipolares.
Todo esto significa que los CIs MOS pueden alojar un nmero mucho mayor
de elementos de circuito en un solo chip, en comparacin con los CIs
bipolares. Esta ventaja se ilustra mediante el hecho de que los CIs MOS han
dominado a los CIs bipolares en el rea de la integracin a gran escala (LSI,
VLSI).

Familia

CMOS

Complementary
Metal
Oxide
Semiconductors
La familia CMOS es, junto con la TTL,
una de las familias lgicas ms
populares. Utiliza transistores MOSFET
complementarios (canal N y canal P)
como
elementos
bsicos
de
conmutacin.
CMOS es en espaol Semiconductores complementarios de xido metlico.
Los circuitos integrados se pueden agrupar en las siguientes categoras o
subfamilias bsicas:

CT==Compatibilidad de terminales
EF==Equivalente Funcional
CE==Compatible Elctricamente
Subfamilia CMOS Estndar 4000/14000
La serie CMOS ms antigua es las serie 4000, introducida por primera vez
por RCA, y su equivalente funcional, la serie 14000 de Motorola. Los
dispositivos en las series 4000/14000 tienen una disipacin de potencia muy
baja y pueden operar sobre un amplio intervalo de voltajes de alimentacin
de energa (de 3 a 15 V). Son muy lentos si se comparan con los dispositivos
TTL y las dems series CMOS, y tienen una capacidad de corriente de salida

muy baja. No compatibles en las terminales ni compatibles elctricamente


con las series TTL. Los dispositivos de las series 4000/14000 raras veces se
utilizan en nuevos diseos, excepto cuando hay un CI de propsito especial
disponible, que no encuentra disponibles en otras series.
Son NCT, EF, NCE.
Subfamilia CMOS
De Alta Velocidad y/o compatible con TTL
74HC/HCT
Su mejora radica en un aumento de diez veces en la velocidad de
conmutacin (comparable con la de los dispositivos de la serie 74LS). Otra
mejora es una mayor capacidad de corriente en las salidas mucho mayor
que los primeros CIs de las serie 7400 CMOS. Los CIs 74HC/HCT son
compatibles en las terminales y equivalentes funcionales de los CIs TTL son
el mismos nmero de dispositivos. Los dispositivos 74HCT son compatibles
elctricamente con los TTL, pero los dispositivos 74HC no.
Por ejemplo, esto significa que un chip INVERSOR hexadecimal 74HCT04
puede sustituir un chip 74LS04, y viceversa. Tambin significa que un CI
74HCT puede conectarse directamente a cualquier CI TTL.
74HC son CT, EF, NCE. 74HCT son CT, EF, CE.
Subfamilia CMOS Equivalente a TTL 74C
Comprende los dispositivos designados como 74CXX y 74CXXX (74C14,
74C164, etc). Son pin por pin y funcin por funcin equivalentes a los
dispositivos TTL correspondientes (especialmente los de la serie 74L).
Conservan todas las caractersticas comunes a los dispositivos CMOS
estndares: baja disipacin de potencia, buena velocidad de operacin,
amplios mrgenes de voltaje, alta inmunidad al ruido, etc.
Son CT, EF, NCE
Subfamilia CMOS Avanzado 74AC/ACT
A esta serie se le conoce por lo comn como ACL, por lgica CMOS
avanzada. La serie es equivalente funcional de las diversas series TTL, pero
no es compatible en terminales con TTL ya que las disposiciones de las
terminales en los chips 74AC o 74ACT se eligieron de manera que se
mejorara la inmunidad al ruido, por lo que las entradas de los dispositivos
son menos sensibles a los cambios de seal que ocurren en las terminales de
otros CIs. Los dispositivos 74AC no son compatibles elctricamente con TTL;
los dispositivos 74ACT pueden conectarse directamente a los dispositivos
TTL.

La numeracin de los dispositivos para esta serie difiere un poco de la


correspondiente para las series TTL, 74C, y 74HC/HCT, ya que utiliza un
numero de dispositivo de cinco dgitos, el cual comienza con los dgitos 11.
Los siguientes ejemplos ilustran esto:
74AC11 004 == 74HC 04
74ACT11 293 == 74HCT 293
74AC son NCT, EF, NCE
74ACT son NCT, EF, CE
Subfamilia CMOS Avanzado de Alta Velocidad 74AHC/AHCT
Esta serie de dispositivos CMOS ofrece un ruta de migracin natural de las
serie HC a las aplicaciones ms rpidas, de menos potencia y de bajo
control. Los dispositivos en esta serie son tres veces ms rpidos y pueden
utilizarse como reemplazo directos para los dispositivos de las serie HC.
Ofrecen una inmunidad al ruido similar a la serie HC, sin los problemas de
sobredisparo/subdisparo que a menudo se asocian son las caractersticas de
control ms altas requeridas para una velocidad comparable.
74AHC son NCT, EF, NCE

74AHCT son NCT, EF, CE

ANALISIS DE SUBFAMILIAS CMOS


Niveles lgicos

Voltaje

de

Alimentacion
Los dispositivos de las series 4000/14000 y 74C operan con valores de VDD
que varian entre 3 y 15V, lo cual los hace muy versatiles. Pueden utilizarse
en circuitos en los que se utiliza un voltaje de alimentacion mas alto para
obtener los margenes de ruido requeridos para su operacin en un ambiente
con mucho ruido. Las series 74HC/HCT, 74AC/ACT y 74AHC y AHCT operan a
traves de un intervalo mucho mas estrecho de voltajes de alimentacion, por
lo general entre 2 y 6V.
Tambien hay disponibles series logicas que estan diseadas para operar a
voltajes menores (por ejemplo, 2.5 o 3.3V). Cada vez que se interconectan
dispositivos que utilizan distintos voltajes de alimentacion en el mismo
sistema digital, hay que tomar medidas especiales.
Disipacion de Potencia
La disipacion de potencia en un circuito TTL es esencialmente constante
dentro de su rango de operacin. Sin embargo, la disipacion de potencia en
CMOS depende de la frecuencia. En condiciones de estatica (DC) es
extremadamente baja y aumenta cuando aumenta la frecuencia. En las
curvas generales de la siguiente figura se muestran estas caracteristicas. Por
ejemplo, la disipacion de potencia de una puerta TTL Schotty de bajo

consumo es 2.2 mW siempre (constante). La disipacion de potencia de una


puerta HCMOS es 2,75uW bajo condiciones estaticas y 170uW a 100KHz.

Velocidad de conmutacion
Aunque los dispositivos CMOS al igual que N-MOS y P-MOS, tienen que
controlar capacitancias de carga relativamente grandes, su velocidad de
conmutacion es un poco mas rapida debido a su baja resistencia de salida en
cada estado. Una salida N-MOS debe cargar la capacitancia de carga a
traves de una resistencia relativamente grande (100K). En el circuito
CMOS, la resistencia de salida en el estado ALTO es la Renc del P-MOSFET,
que por lo general, es de 1K o menor. Esto permite una carga mas rapida
de la capacitancia de carga.
Una compuerta NAND ordinaria en la serie 74HC o 74HCT tiene un t pd
promedio aproximado de 8ns cuando se opera a VDD= 5V. Una compuerta
t pd
NAND 74AC/ACT tiene un
promedio aproximado de 4,7ns. Una
compuerta NAND 74AHC tiene un

t pd

promedio aproximado de 4.3ns.

Operacin del circuito CMOS NOT

Margenes

de Ruido

Margen de ruido a nivel bajo (VNIL): VNIL = VILmx - VOLmx


Margen de ruido a nivel alto (VNIH): VNIH = VOHmn - VIHmn
Los mrgenes de ruido son los mismos en ambos estados y dependen de
VDD. En VDD = 5 V, los mrgenes de ruido son 1.5 V. Observamos una
mayor inmunidad al ruido que las TTL, siendo CMOS una atractiva alternativa
para aplicaciones que estn expuestas a un medio con mucho ruido.
Evidentemente, los mrgenes ruido pueden mejorarse utilizando un valor
mayor de VDD a expensas de un mayor consumo de potencia debido al
mayor voltaje de alimentacin. Supongamos que trabajamos a un nivel bajo
de VOL = 0,4 V con VIL mx = 0,8 V. En estas condiciones tendremos un
margen de ruido para nivel bajo de: VNIL = 0,8 0,4 = 0,4.
Puertas CMOS en drenador abierto
Puesto que las salidas del CMOS convencionales nunca deben conectarse
juntas. Entonces surgen las compuertas de drenador abierto, si las salidas se
conectan a un cable comun debe conectarse una resistencia hacia Vcc y el
conector comun debe estar conectado a esta resistencia. De este modo se
conforma una AND alambrada usando las compuertas inversoras.
Accin de Drenado, Suministro de Corriente y Capacidad de carga (fan-out)

La carga CMOS difiere de la TTL en que en la lgica CMOS se utiliza


transistores de efecto de campo (FET), que presentan una carga
predominante capacitiva a la puerta excitadora, como se ilustra en la imagen
siguiente. En este caso, las limitaciones vienen dadas por los tiempos de
carga y descarga asociados con la resistencia de salida de la puerta
excitadora y la capacitancia de entrada de las puertas de carga. Cuando la
salida de la puerta excitadora est a nivel ALTO, la capacitancia de entrada
de la puerta de carga se carga a travs de la resistencia de salida de la

puerta excitadora. Cuando la salida de la puerta excitadora esta en nivel


BAJO, la capacidad se descarga.
Cuando se aaden ms entradas de puertas a la salida de la puerta
excitadora, la capacitancia total aumenta, puesto que las capacitancias de
entrada estn en paralelo. Este aumento de la capacitancia aumenta los
tiempos de carga y descarga, por lo que se reduce la frecuencia mxima a la
que la puerta puede funcionar. Por tanto, el fan-out de una puerta CMOS
depende de la frecuencia de operacin.
As, la capacidad de carga CMOS depende del mximo tiempo de
propagacin permisible. Por lo general, las salidas CMOS estn limitadas a
una capacidad de carga de 50 para la operacin en baja frecuencia
(1MHz). Desde luego que para la operacin a frecuencia ms alta, la
capacidad de carga tendra que ser menor.
Entradas CMOS desconectadas (flotantes)
Las entradas CMOS nunca se deben dejar desconectadas. Todas las entradas
CMOS deben conectarse ya sea a un nivel de voltaje fijo (0V o Vdd) o a otra
entrada.
Esta regla se aplica incluso a las entradas de las compuertas lgicas
adicionales que no se utilicen en un chip. Una entrada CMOS desconectada
esta susceptible al ruido y las cargas estticas que podran polarizar
fcilmente los MOSFETs de canal P y canal N en el estado conductivo, lo cual
producira un aumento en la disipacin de potencia y un posible
sobrecalentamiento.
Una entrada desconectada de una puerta TTL acta como un nivel lgico
ALTO, ya que una entrada en abierto da lugar a una unin de emisor
polarizada en inversa en el transistor de entrada, al igual que un nivel ALTO.
Sin embargo, debido a la sensibilidad al ruido, es mejor no dejar las entradas
no utilizadas desconectadas.
Sensibilidad esttica
Todos los dispositivos electrnicos, en mayor o menor grado, son sensibles al
dao debido a la electricidad esttica. El cuerpo humano es un excelente
almacn de cargas electrostticas.
Las familias lgicas MOS (y todos los MOSFETs) son en especial susceptibles
al dao por la carga electrosttica. Toda esta diferencia de potencial que se
aplica a travs de la pelcula de xido sobrepasa la capacidad de aislamiento
dielctrico de la pelcula. Cuando se rompe, el flujo de corriente resultante

(descarga) es como un golpe de rayo, el cual hace un hoyo en la capa de


xido y daa el dispositivo en forma permanente.
Efecto de cierre
Debido a la existencia inevitable de transistores PNP y NPN parsitos
(indeseables) integrados en el sustrato de los CIs CMOS, puede producirse
una condicin como efecto cierre bajo ciertas circunstancias. Si estos
transistores parsitos en un chip se disparan y empiezan a conducir, se
cerraran (permanecern encendidos en forma permanente) y podra fluir una
corriente muy grande, con lo que se destruira el CI.

COMPARACION DE CARACTERISTICAS DE LAS SERIES CMOS


Clasif. De 4000
Rendimien B
to
3,5
V IH (min) (V )

74H
C

74HC
T

74A
C

74AC
T

74AH
C

74AH
CT

3,5

2,0

3,5

2,0

3,85

2,0

74

74L
S

74AS

74A
LS

2,0

2,0

2,0

2,0

V IL (max ) (V )

1,5

1,0

0,8

1,5

0,8

1,65

0,8

0,8

0,8

0,8

0,8

V OH (min ) (V )

4,95

4,9

4,9

4,9

4,9

4,4

3,15

2,4

2,7

2,7

2,5

V OL(max) (V )

0,05

0,1

0,1

0,1

0,1

0,44

0,1

0,4

0,5

0,5

0,5

V NH (uA)

1,45

1,4

2,9

1,4

2,9

0,55

1,15

0,4

0,7

0,7

0,7

V NL (mA )

1,45

0,9

0,7

1,4

0,7

1,21

0,7

0,4

0,3

0,3

0,4

Familia NMOS
Los dispositivos NMOS se han desarrollado a
medida que la tecnologa de procesamiento
mejoraba, y ahora la mayora de las memorias y microprocesadores utilizan
NMOS. En los circuitos NMOS se utiliza el transistor MOS de canal-n.
Familia PMOS
Una de las primeras tecnologas para producir circuitos MOS de alta densidad
fue la PMOS. Utilizaba transistores MOS de canal-p en modo de acumulacin
para producir los elementos de puerta bsicos.
El funcionamiento de la puerta PMOS es el siguiente: la tensin de
alimentacin Vgg es una tensin negativa y Vcc es una tensin positiva o
masa (0V). El transistor Q3 esta polarizado permanentemente para crear una
resistencia de drenador-fuente constante. Su nico propsito es funcionar
como resistencia limitadora de corriente.

Si se aplica un nivel ALTO (Vcc) a la entrada A o B, entonces Q1 o Q2 no


conducen, y la salida se fuerza a una tensin prxima a Vgg, lo que
representa un nivel BAJO.
Familia ECMOS
La tecnologa ECMOS est basada en una combinacin de las tecnologas
CMOS y NMOS y se utiliza en los dispositivos GAL (Generis Array Logic). Una
celda ECMOS se construye a partir de un transistor MOS con una puerta
flotante, que se carga o descarga externamente por medio de una pequea
corriente de programacin.
Cuando la puerta flotante se carga a un potencial positivo eliminando
electrones, el transistor se activa, almacenando un cero binario.
Familia BiCMOS
La serie 74LVT (Tecnologa BiCMOS de bajo voltaje) contiene piezas BiCMOS
que estn diseadas para aplicaciones de interface de bus de 8 bits y de 16
bits. Al igual que en la serie LVC, las entradas pueden manejar niveles
lgicos de 5V y sirven como un traductor de 5V a 3V. Como los niveles de
salida son equivalentes a los niveles TTL, son totalmente compatibles
elctricamente con TTL.
La serie 74ALVT (Tecnologa BiCMOS avanzada de bajo voltaje) es una mejora
en relacin con la serie LVT. Ofrece la operacin con 3.3V o 2,2V a 3ns y sus
terminales son compatibles con las de las series ABT y LVT existentes.
Tambin est diseada para aplicaciones de interface de bus.
Entre otras series 74ALB (BiCMOS avanzada de bajo voltaje), 74VME (Modulo
VERSA Eurocard) est diseada para operar con la tecnologa de bus VME
estndar.