Qu es un diodo semiconductor?

El diodo semiconductor es el dispositivo semiconductor ms sencillo y se puede encontrar,

prcticamente en cualquier circuito electrnico.
Los diodos se fabrican en versiones de silicio (la
ms utilizada) y de germanio.
Viendo el smbolo del diodo en el grfico se
observan: A - nodo, K - ctodo. Imgen original de
Wikipedia
Los diodos constan de dos partes, una llamada N y la otra llamada P, separados por una juntura
llamada barrera o unin. Esta barrera o unin es de 0.3 voltios en el diodo de germanio y de
0.6 voltios aproximadamente en el diodo de silicio.

Principio de operacin de un diodo

El semiconductor tipo N tiene electrones libres (exceso de electrones) y el semiconductor
tipo P tiene huecos libres (ausencia o falta de electrones)
Cuando una tensin positiva se aplica al lado P y una negativa al lado N, los electrones en el lado
N son empujados al lado P y los electrones fluyen a travs del material P mas all de los lmites
del semiconductor. De igual manera los huecos en el material P son empujados con una
tensin negativa al lado del material N y los huecos fluyen a travs del material N.
En el caso opuesto, cuando una tensin positiva se aplica al lado N y una negativa al lado P, los
electrones en el lado N son empujados al lado N y los huecos del lado P son empujados al lado P.
En este caso los electrones en el semiconductor no se mueven y en consecuencia no
hay corriente
El diodo se puede hacer trabajar de 2 maneras diferentes:

Polarizacin directa
Es cuando la corriente que circula por el diodo sigue la ruta de
la flecha (la del diodo), o sea del nodo al ctodo.
En este caso la corriente atraviesa el diodo con mucha facilidad
comportndose prcticamente como un corto circuito.

Polarizacin inversa
Es cuando la corriente en el diodo desea circular en sentido
opuesto a la flecha (la flecha del diodo), o sea del ctodo al
nodo.
En este caso la corriente no atraviesa el diodo, y se comporta
prcticamente como un circuito abierto.
Nota: El funcionamiento antes mencionado se refiere al diodo ideal, sto quiere decir que el
diodo se toma como un elemento perfecto (como se hace en casi todos los casos), tanto en
polarizacin directa como en polarizacin inversa.

Aplicaciones del diodo

Los diodos tienen muchas aplicaciones, pero una de la ms comunes es el proceso de conversin
de corriente alterna (C.A.) acorriente continua (C.C.). En este caso se utiliza el diodo
como rectificador
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Enlaces relacionados
Diodo Zener
Diodo LED
Diodo Schottky
Diodo Tunnel
Diodo varactor
Diodo Gunn
Lgica con diodos
Como probar diodos y transistores

Caractersticas del diodo Zener

El diodo zener es un tipo especial de diodo, que siempre se utiliza polarizado inversamente.
Recordar que los diodos comunes, como el diodo rectificador (en donde se aprovechan sus
caractersticas de polarizacin directa y polarizacin inversa), conducen siempre en el sentido de
la flecha.
En este caso la corriente circula en contra de la flecha que representa el diodo. Si el diodo
zener se polariza en sentido directo se comporta como un diodo rectificador comn. Cuando
el diodo
zener funciona
polarizado
inversamente
mantiene
entre
sus
terminales
un voltaje constante.
En el grfico se ve el smbolo de diodo zener (A - nodo, K - ctodo) y
el sentido de la corriente para que funcione en la zona operativa
Se analizar el diodo Zener, no como un elemento ideal, si no como un
elemento real y se debe tomar en cuenta que cuando ste se polariza
en modo inverso si existe una corriente que circula en sentido contrario a la flecha del diodo,
pero de muy poco valor.

Curva caracterstica del diodo Zener

Analizando la curva del diodo zener se ve que conforme se va aumentando negativamente el
voltaje aplicado al diodo, la corriente que pasa por el aumenta muy poco.

Pero una vez que se llega a un determinado voltaje, llamada voltaje o tensin de Zener (Vz), el
aumento del voltaje (siempre negativamente) es muy pequeo, pudiendo considerarse
constante.
Para este voltaje, la corriente que atraviesa el diodo zener, puede variar en un gran rango de
valores. A esta regin se le llama la zona operativa. Esta es la caracterstica del diodo
zener que se aprovecha para que funcione como regulador de voltaje, pues el voltaje se
mantiene practicamente constante para una gran variacin de corriente. Ver el grfico.

Qu hace un regulador con Zener?

Un regulador con diodo zener ideal mantiene un voltaje predeterminado fijo a su salida, sin
importar las variaciones de voltaje en la fuente de alimentacin y/o las variaciones de corriente
en la carga.
Nota: En las fuentes de voltaje ideales (algunas utilizan, entre otros elementos el diodo zener),
el voltaje de salida no vara conforme vara la carga. Pero las fuentes no son ideales y lo normal
es que el voltaje de salida disminuya conforme la carga va aumentado, o sea conforme la
demanda de corriente de la carga aumente. (ver: resistencia interna de las fuentes de tensin)

Funcionamiento del Diodo Zener

Cuando lo polarizamos inversamente y llegamos a Vz el diodo conduce y
mantiene la tensin Vz aunque la aumentemos. La corriente que pasa por el
diodo zener en estas condiciones se llama corriente inversa (Iz).

Se llama zona de ruptura por encima de Vz.

Como ves es un regulador de voltaje o tensin.
Cuando est polarizado directamente el zener se comporta como un diodo
normal.
Pero OJO mientras la tensin inversa sea inferior a la tensin zener, el diodo
no conduce, solo conseguiremos tener la tensin constante Vz, cuando est
conectado a una tensin igual a Vz o mayor. Aqu puedes ver una la curva
caracterstica de un zener:

Para el zener de la curva vemos que se activara para una Vz de 5V (zona de

ruptura), lgicamente polarizado inversamente, por eso es negativa. En la
curva de la derecha vemos que sera conectado directamente, y conduce
siempre, como un diodo normal.
Sus dos caractersticas ms importantes son su Tensin Zener y la
mxima Potencia que pueden disipar= Pz (potencia zener).
La relacin entre Vz y Pz nos determinar la mxima corriente inversa,
llamada Izmx. OJO si sobrepasamos esta corriente inversa mxima el diodo
zener puede quemarse, ya que no ser capaz de disipar tanta potencia.
Un ejemplo: Tenemos un diodo zener de 5,1V y 0,5w. cual ser la mxima
corriente inversa que soportar?
Recordamos P = V x I; I = P/V. En nuestro caso Izmx = Pz/Vz = 0,5/5,1 =
0,098A.
Para evitar que nunca pasemos de la corriente inversa mxima, los diodos
zener se conectan siempre con una resistencia en serie que llamamos
"Resistencia de Drenaje".
Vamos a ver como sera la conexin bsica de un diodo zener en un
circuito:

La Rs sera la resistencia de drenaje y la Rl la Carga a la salida del zener. Te

das cuenta que la conexin es inversa?. As se conectan siempre el zener
diodo.
En el circuito anterior la tensin de salida se mantendr constante, siempre
que sea superior a la Vz, y adems ser independiente de la tensin de entrada
Vs. Esto nos asegura que la carga siempre estar a la misma tensin.
Si aumentamos por encima de Vz la tensin de entrada Vs a la salida
tendremos siempre la tensin constante igual a Vz.
La Rs absorbe la diferencia de tensin entre la entrada y la salida. Cmo se
calcula la Rs?
Rs = (Vs- Vo)/ (Il + Iz)
Siendo Vs la tensin de entrada del regulador, Vo la tensin de salida, que
ser igual a Vz, Il es la intensidad de carga mxima e Iz la intensidad o
corriente a travs del diodo zener.
Esta ltima se escoge siempre de un valor del 10% o del 20% de la corriente
mxima.
tambin tenemos que decir que estos diodos se utilizan como reguladores de
tensin para determinadas tensiones y resistencias de carga, por encima de
ellos el zener puede bloquearse e incluso destruirse. Vamos a poner un
ejemplo.
Se desea disear un regulador zener de 5,1V para alimentar una carga de 5
ohmios, a partir de una entrada de 9V. Para ello utilizaremos un zener de 5,1V y
1w. Calcular:
a) La resistencia necesario de drenaje, asumiendo una corriente de zener del
10% de la corriente mxima.
b) Los lmites de variacin del voltaje de entrada dentro de los cuales se
mantiene la regulacin. Se asume que la carga es constante.

c) La potencia nominal de la resistencia de drenaje.

Vamos a resolver el problema:
Para calcular la resistencia de drenaje ya sabemos que es:
Rs = (Vs- Vo)/ (Il + Iz); en nuestro caso:
Vs = 9V; Vo = 5,1V;
Il = Vo / Rl = 5,1/5 = 1,02A;
Iz = Il / 10 = 1,2 /10 = 0,102A (el 10%)
Si ponemos estos valores en la frmula de la Rs tendremos:
Rs = (9V-5,1V)/(1,02A-0,102A)= 3,48.
como este valor de resistencia no existe en la realidad escogeremos el valor
de una resistencia de 3,3 que si existe en la realidad y se comercializa.
Vamos ahora a resolver el apartado b).
Los valores mximos y mnimos de la tensin de entrada entre los cuales el
circuito mantiene regulada la tensin de salida, podemos despejarlos de la
frmula anterior, despejando Vs y teniendo en cuenta que la Iz, corriente a
travs del zener, no puede ser superior a su valor mximo Izmx ni inferior a
cero. Despejamos Vs:
Vs = (Il + Iz) x Rs + Vo;
El valor mnimo para Vs ser cuando Iz es igual a cero.
Vsmnimo= Il x Rs + Vo;
El valor mximo ser cuando Iz es igual a Izmx.
Vs = (Il + Izmx) x Rs + Vo;
Los valores para nuestro ejercicio son:
Il = 1,02A; Rs = 3,3; Vo = 5,1V y la Izmx ser:
Izmxima= Pz/Vz = 1/5,1= 0,196A. Si ponemos los valores en las frmulas
anteriores, tenemos:
Vsminimo = 1,02 x 3,3 + 5,1 = 8,47V

Vmxima = (1,02 + 0,196) x 3,3 + 5,1 = 9,11V.

Qu significa esto? Pues que la tensin de entrada puede ser entre 8,47V y
9,11V para que exista regulacin de tensin del diodo zener.
Si el zener tiene una tensin inferior a 8,47V deja de conducir y si es superior
a 9,11V se destruye por sobrecalentamiento. Este ser el rango del que
hablamos anteriormente y por lo que los zener no se pueden usar para todos
los casos.
En ambos casos no habr regulacin de tensin y el circuito se comportar
como un divisor de tensin normal.
Conclusin a esto es que los diodos zener solo se pueden utilizar para un
rango limitado de tensiones de carga o corrientes de carga.
Para manejar tensiones elevadas se debe utilizar junto con un transistor, que
se encargar de transportar la corriente d carga sin alterar la tensin aplicada
a ella. Pero para eso tendramos que entender el transistor. Si te interesa aqu
tienes el enlace: Transistor.
Por ltimo calculemos el apartado c).
La potencia nominal mnima de la resistencia de drenaje se calcula con la
frmula:
Ps = (9,11V -5,1V)/3,3= 4,87w.
Segn esto debe escogerse como mnimo una resistencia d 3,3 y que
aguante una potencia de 5w. En la prctica, por seguridad se elegir una de
3,3 y de 10w de potencia.
Tipos de Diodos Zener
Actualmente se pueden encontrar diodos zener de valores Vz desde 0,2V
hasta 200V y de Pz hasta los 50 vatios.
Hay principalmente dos variedades de zener, los ZD o ZDP que son los
europeos y los 1N que son americanos.
Los ZDP por ejemplo el ZPD12 significa que tienen una tensin zener de 12V.
Para el resto tendremos que mirar sus caractersticas en la tabla de fabricante,
aunque normalmente su tensin de ruptura viene impreso sobre el mismo
diodo zener.
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Los diodos Zener son diodos especialmente diseados para trabajar en la zona de
ruptura, comportndose en polarizacin directa como diodos rectificadores y en
polarizacin inversa como referencias de voltaje. Su principal aplicacin es en
circuitos reguladores de voltaje ofreciendo referencias de voltajes muy estables
para ser usado en fuentes de alimentacin, voltmetros y muchos ms
instrumentos.
La figura 22 muestra los smbolos utilizados en los esquemas electrnicos para
representar un diodo Zener.

Figura. 22 Smbolo del Diodo Zener

El ctodo se identifica generalmente mediante una banda de color marcada
alrededor
del
cuerpo
del
dispositivo.
Los fabricantes entregan un numero de referencia, digamos 1N750 con el cual se
puede buscar la hoja de especificaciones del dispositivo, los parmetros
principales que se especifican para un diodo Zener son el voltaje de ruptura o
Zener (Vz), la Corriente mxima soportada (Izmax) y la potencia mxima que
pueden
absorber
en
forma
segura
sin
destruirse
(Pz).
Actualmente Variando el nivel de dopaje de los diodos de silicio, el fabricante
puede producir diodos Zener con voltajes de ruptura que van desde 2 hasta 200 V.
A continuacin se har el anlisis de la representacin grfica del funcionamiento
de un diodo Zener llamada curva caractersticaV - I (voltaje vs corriente).

Figura. 23 Curva caracterstica del Diodo Zener

Donde:
El subndice "F" (forward) representa las condiciones en polarizacin directa
El
subndice
"R" (reverse) las
condiciones
en
polarizacin
inversa.
Vz = El voltaje Zener.
En un diodo Zener polarizado inversamente la corriente inversa (I R) es
prcticamente insignificante, hasta que el voltaje inverso (V R) alcanza un cierto
valor Vz, llamado voltaje Zener o de referencia. Cuando se llega a este punto, el

diodo entra en conduccin, permitiendo la circulacin de una corriente importante.

A partir de entonces, la tensin entre sus terminales permanece prcticamente
constante e igual a Vz para una amplia gama de valores de I R. Esta propiedad es
la que permite utilizar los diodos Zener como reguladores de voltaje y/o
referencias de tensin en un gran nmero de usos.

CIRCUITO EQUIVALENTE DEL DIODO ZENER

Un diodo Zener ideal polarizado en inversa es representado como una fuente de
corriente continua (CC) indicando el valor del voltaje Zener (Vz) que posee el
dispositivo.
En la practica el diodo Zener no es ideal, polarizado en inversa y al conducir en la
zona de ruptura tiene una impedancia (Zz) por esto el circuito equivalente
aproximado tiene una resistencia en serie con la fuente CC.

Figura. 24 (a) Diodo Zener Ideal (b) Diodo Zener en la prctica.

La consecuencia de dicha impedancia se nota en la pequea variacin que existe
del voltaje Zener (Vz) cuando cambia la corriente Zener (Iz). Dicha variacin
hace que la curva de funcionamiento real de un diodo Zener no sea una lnea
totalmente vertical.

Figura. 25 Curva Real de un diodo Zener.

Izmin: Es la corriente mnima necesitada para que el diodo Zener entre en
conduccin
polarizado
en
inversa.
Izmax: Es la mxima corriente soportada por el diodo Zener antes de destruirse.

REGULADOR DE VOLTAJE CON DIODO ZENER

Un circuito regulador de voltaje mantiene constante el voltaje de salida contra

variaciones en el voltaje de entrada y la resistencia de carga.

Figura. 26 Circuito regulador de voltaje con diodo Zener

VIN provee el voltaje que se necesita estabilizar, este voltaje siempre debe ser
superior al valor VZ del diodo Zener. A Vz lo encontramos en la hoja del fabricante.
El diodo Zener esta polarizado en Inversa y se debe buscar que IZ sea superior a
la corriente minina Izmin e inferior a la corriente mxima Izmax.
Izmn < IZ < Izmx
El valor de la Izmax lo entrega la hoja del fabricante y la Izmin se puede calcular
utilizando la siguiente frmula:
Izmn = Izmx 0,15
Rs es la resistencia limitadora de corriente que se utiliza para no exponer al diodo
Zener a corrientes superiores a la mxima soportada (Izmax) y as evitar la
destruccin del mismo; Rs no puede tener un valor hmico tan alto que evite que
el diodo conduzca en inversa y no puede tener un valor tan bajo que el diodo
reciba una corriente excesiva que lo destruya. Por esto el Valor de RS es un
promedio de una resistencia mxima y una mnima:
RSmn < RS < RSmx
RS = (RSmn + RSmx) / 2
Donde:
RSmn = (VIN - Vz) / Izmx

RSmx = (VIN - Vz) / (Izmn + IL)

RL es la Resistencia de carga la cual est conectada en paralelo con el diodo
Zener y es alimentada por el voltaje de salida regulado.
Vz = VL
Encontramos Tres valores de corriente en el circuito:
IS es la corriente en Rs que es la misma corriente total del circuito.
IZ es la corriente Zener.
IL es la corriente de carga.
Por ley de Kirchhoff tenemos que:
IS = IZ + IL
Iz = IS IL
Por ley de Ohm:
IS = (VIN - Vz) / RS
I L = VL / R L
Finalmente se calcula el valor de la potencia que absorbe el diodo Zener, dato que
a la hora de comprar el dispositivo es de utilidad.
Pz = Vz Iz

LIMTADOR DE VOLTAJE CON DIODO ZENER

Figura. 27 Limitador Combinado Zener

El circuito de la figura es un limitador combinado el cual recorta picos de seal
superiores al voltaje Zener de los diodos.
Durante los semiciclos Positivos D2 limita a su valor de voltaje Zener y D1 esta
polarizado en directa. Durante los semiciclos D1 limita a su valor de voltaje Zener
y D2 esta polarizado en directa.
La siguiente grafica es la arrojada por una simulacin usando el diodo
Zener 1N750.

Figura. 28 Simulacion
Como se aprecia la salida es una onda cuadrada, por esto este tipo de circuitos
son aplicados en equipos generadores de seales para la conformacin de ondas.

Caractersticas, relacin tensin-capacitancia

Ver el smbolo del diodo varactor o varicap en el grfico de la derecha
Todos los diodos cuando estn polarizados en sentido opuesto tienen
una capacitancia que aparece entre sus terminales.
Los diodos varactores o varicap han sido diseados de manera que su
funcionamiento sea similar al de un capacitor y tengan una caracterstica
capacitancia-tensin dentro de lmites razonables.
En el grfico inferior se muestran las similitudes entre un diodo y un capacitor.
Debido a la recombinacin de los portadores en el diodo, una zona de
agotamiento se forma en la juntura.
Esta zona de agotamiento acta como un dielctrico (aislante), ya que no hay
ninguna carga y flujo de corriente.

Las reas exteriores a la zona de agotamiento si tienen portadores de carga (rea

semiconductor). Se puede visualizar sin dificultad la formacin de un capacitor
en el diodo (dos materiales semiconductores deparados por un aislante).
La amplitud de la zona de agotamiento se puede ampliar incrementando la
tensin inversa aplicada al diodo con una fuente externa. Esto causa que se
aumente la separacin (aislante) y separa ms las reas semiconductoras. Este
ltimo disminuye la capacitancia.
Entonces la capacitancia es funcin de la tensin aplicada al diodo.
- Si la tensin aplicada al diodo aumenta la capacitancia disminuye
- Si la tensin disminuye la capacitancia aumenta

s un dispositivo semiconductor que puede controlar su valor de capacidad en trminos de la

tensin aplicada en polarizacin inversa. Esto es, cuando el diodo se polariza inversamente
no circula corriente elctrica a travs de la unin; la zona de deplexin acta como el
dielctrico de un capacitor y las secciones de semiconductor P y N del diodo hacen las veces
de las placas de un capacitor.
La capacidad que alcanza el capacitor que se forma, es del orden de los pico o
nanofaradios.
Cuando vara la tensin de polarizacin inversa aplicada al diodo, aumenta o disminuye de
igual forma la zona de deplexin. En un diodo, esto equivale a acercar o alejar las placas de
un capacitor.
Los diodos varicap se controlan mediante la tensin que se les aplica; por lo que el cambio
de capacidad se puede hacer mediante otro circuito de control, ya sea digital o analgico.
Las aplicaciones de los varicap son la mayora de las veces en circuitos resonantes, los
cuales permiten seleccionar una seal de una frecuencia especfica, de entre muchas
seales de diferentes valores.

Diodo Varicap
Un diodo varicap (varactor), utiliza una unin pn con polarizacin inversa, y tiene una
estructura tal que la capacidad del diodo vara
con el voltaje inverso. Una capacidad
controlada por voltaje es til enaplicaciones de
sintonizacin.
La capacidad se controla por el mtodo de
dopar la capa de deplecin. Los valores tpicos
van de decenas a cientos de picofaradios.

Sintonizador con Diodo Varicap

Una aplicacin popular del diodo varicap est en los circuitos de sintonizacin
electrnica, como los sintonizadores de televisin. El voltaje de control DC varia
la capacidad del diodo varicap, resintonizando elcircuito resonante.

Diodo Schottky
A diferencia del diodo semiconductor normal que tiene una unin PN, el diodo
schottky tiene una unin Metal-N.

Estos diodos se caracterizan por su velocidad de conmutacin, una baja cada

de voltaje cuando estn polarizados en directo (tpicamente de 0.25 a 0.4
voltios).
El diodo Schottky est ms cerca del diodo ideal que el diodo semiconductor
comn pero tiene algunas caractersticas que hacen imposible su utilizacin en
aplicaciones de potencia.
Estas son:
- El diodo Schottky tiene poca capacidad de conduccin de corriente en
directo (en sentido de la flecha).
Esta caracterstica no permiten que sea utilizado como diodo rectificador. Hay
procesos de rectificacin (por ejemplo fuentes de alimentacin) en que la

cantidad de corriente que tienen que conducir en sentido directo es bastante

grande.
- El diodo Schottky no acepta grandes voltajes que lo polaricen inversamente
(VCRR).
El proceso de rectificacin antes mensionado tambin requiere que la tensin
inversa que tiene que soportar el diodo sea grande.

Smbolo del diodo Schottky

Sin embargo el diodo Schottky encuentra gran cantidad de aplicaciones en
circuitos de alta velocidad como en computadoras.
En estas aplicaciones se necesitan grandes velocidades de conmutacin y su
poca cada de voltajeen directo causa poco gasto de energa.
El diodo Schottky o diodo de barrera Schottky, se llama as en honor del fsico
alemn Walter H. Schottky.

Fotodiodo. Diodo detector de luz

El fotodiodo se parece mucho a un diodo semiconductor comn, pero tiene una caracterstica
que lo hace muy especial: es un dispositivo que conduce una cantidad de corriente elctrica
proporcional a la cantidad de luz que lo incide (lo ilumina).
Luz incidente

Sentido de la corriente generada

Esta corriente elctrica fluye en sentido opuesto a la flecha del diodo y se llama corriente de
fuga.

El fotodiodo se puede utilizar como dispositivo detector de luz, pues convierte la luz
en electricidad y esta variacin de electricidad es la que se utiliza para informar que hubo un
cambio en el nivel de iluminacin sobre el fotodiodo.

Imagen original de Wikipedia

Si el fotodiodo quedara conectado, de manera que por l circule la corriente en el sentido de la
flecha (polarizado en sentido directo), la luz que lo incide no tendra efecto sobre l y se
comportara como un diodo semiconductor normal.
La mayora de los fotodiodos vienen equipados con un lente que concentra la cantidad de luz
que lo incide, de manera que su reaccin a la luz sea ms evidente.
A diferencia del LDR o fotorresistencia, el fotodiodo responde a los cambios de oscuridad a
iluminacin y viceversa con mucha ms velocidad, y puede utilizarse en circuitos con tiempo de
respuesta ms pequeo.
Si se combina un fotodiodo con una transistor bipolar, colocando el fotodiodo entre el colector
y la base del transistor (con el ctodo del diodo apuntado al colector del transistor), se obtiene el
circuito equivalente de un fototransistor.

Fotodiodo
Un fotodiodo es un tipo de fotodetector capaz de convertir la luz en funcin ya sea de
corriente o tensin, en el modo de funcionamiento. La clula solar comn, tradicional
utilizado para generar energa elctrica solar es una gran rea de fotodiodo.
Fotodiodos son similares a los diodos semiconductores regulares, excepto que
pueden ser o bien expuestos o empaquetados con una ventana o conexin de fibra
ptica para permitir que la luz para llegar a la parte sensible del dispositivo. Muchos
diodos diseados especficamente para su uso como un fotodiodo PIN utilizan una
unin en lugar de una unin pn, para aumentar la velocidad de respuesta. Un
fotodiodo est diseado para operar en polarizacin inversa.

Principio de funcionamiento
Un fotodiodo es una unin p-n o estructura PIN. Cuando un fotn de energa suficiente
golpea el diodo, se excita un electrn, creando de ese modo un electrn libre. Este
mecanismo tambin se conoce como el efecto fotoelctrico interno. Si la absorcin se
produce en la regin de agotamiento de la unin, o una longitud de difusin de
distancia de ella, estos portadores son barridas de la unin por la incorporada en el
campo elctrico de la regin de agotamiento. Por lo tanto agujeros se mueven hacia el
nodo, y los electrones hacia el ctodo, y se produce una fotocorriente. La corriente
total a travs del fotodiodo es la suma de la corriente oscura y la fotocorriente, por lo
que la oscuridad corriente debe reducirse al mnimo para maximimze la sensibilidad
del dispositivo.

El modo fotovoltaico
Cuando se utiliza en modo de polarizacin cero o fotovoltaica, el flujo de fotocorriente
fuera del dispositivo est restringido y una tensin se acumula. Este modo explota el
efecto fotovoltaico, que es la base para las clulas solares - una clula solar
tradicional es slo una gran rea de fotodiodo.

Modo Photoconductive
En este modo, el diodo est polarizado inversamente a menudo. En comparacin con
la polarizacin directa, esto reduce drsticamente el tiempo de respuesta a expensas
de un aumento del ruido, debido a que aumenta la anchura de la capa de
agotamiento, lo que disminuye la capacitancia de la unin. La polarizacin inversa
induce slo una pequea cantidad de corriente a lo largo de su direccin, mientras
que la fotocorriente sigue siendo prcticamente la misma. Para una distribucin
espectral dada, la fotocorriente es linealmente proporcional a la iluminancia.
Aunque este modo es ms rpido, el modo de fotoconductora tiende a exhibir ruido
ms electrnico. La corriente de un buen diodo PIN fuga es tan baja que el ruido de
Johnson-Nyquist de la resistencia de carga en un circuito tpico menudo domina.

Otros modos de operacin

Los fotodiodos de avalancha tienen una estructura similar a fotodiodos regulares, pero
son manejados con mucho mayor polarizacin inversa. Esto permite que cada
portador de foto-generado para ser multiplicado por avalancha avera, lo que resulta
en ganancia interna dentro del fotodiodo, lo que aumenta la capacidad de respuesta
eficaz del dispositivo.
Un fototransistor es, en esencia, un transistor bipolar dentro de una caja transparente,
de modo que la luz puede llegar a la unin base-colector. Fue inventado por el Dr.
John N. Shive en los Laboratorios Bell en 1948: 205, pero no se anunci hasta 1950.
Los electrones que se generan por los fotones en la unin base-colector se inyectan
en la base, y esta corriente fotodiodo es amplificada por la ganancia de corriente del
transistor. Si el emisor se deja sin conectar, el fototransistor se convierte en un
fotodiodo. Mientras fototransistores tienen una capacidad de respuesta ms alta para
la luz que no son capaces de detectar niveles bajos de luz mejor que fotodiodos.
Fototransistores tambin tienen tiempos de respuesta significativamente ms largos.

Materiales
El material utilizado para hacer un fotodiodo es crtico para la definicin de sus
propiedades, debido a que slo los fotones con energa suficiente para excitar
electrones a travs de la banda prohibida del material de producirn fotocorrientes
significativas.
Los materiales comnmente utilizados para producir fotodiodos incluyen:
Debido a su mayor banda prohibida, fotodiodos de silicio basados generan menos
ruido que los fotodiodos basados en germanio.

Fotodiodos no deseados
Cualquier unin pn, si ilumina, es potencialmente un fotodiodo. Dispositivos
semiconductores como transistores y circuitos integrados contienen uniones pn, y no
funcionarn correctamente si se les ilumina con radiacin electromagntica no
deseada de longitud de onda adecuada para producir una fotocorriente, lo que se
evita por medio de dispositivos en carcasas opacos encapsulacin. Si estas viviendas

no son completamente opacos a la radiacin, transistores y circuitos integrados de

alta energa puede funcionar mal debido a las corrientes inducidas por foto-. Estuches
de plstico son ms vulnerables que los de metal.

Caractersticas
Los parmetros crticos de rendimiento de un fotodiodo incluyen:
Responsividad La responsividad espectral es una relacin de la fotocorriente
generada para alimentar la luz incidente, expresada en A/W cuando se utiliza en modo
de fotoconductora. La longitud de onda de la dependencia tambin puede ser
expresado como una eficiencia cuntica, o la relacin entre el nmero de portadores
fotogenerados a fotones incidentes, una cantidad sin unidades. Oscuro corriente La
corriente a travs del fotodiodo en ausencia de luz, cuando se opera en el modo de
foto-. La corriente oscura incluye fotocorriente generada por la radiacin de fondo y la
corriente de saturacin de la unin semiconductora. Corriente oscura debe tenerse en
cuenta por la calibracin si un fotodiodo se utiliza para hacer una medicin precisa de
la potencia ptica, y tambin es una fuente de ruido cuando se utiliza un fotodiodo en
un sistema de comunicacin ptica. Tiempo de respuesta Un fotn absorbido por el
material semiconductor va a generar un par electrn-hueco que a su vez comenzar a
moverse en el material bajo el efecto del campo elctrico y por lo tanto generar una
corriente. La duracin finita de esta corriente se conoce como la propagacin de
tiempo de trnsito y se puede evaluar mediante el uso de teorema de Ramo. Tambin
se puede mostrar con este teorema de que la carga total generado en el circuito
externo es bien E y no 2e como podra parecer por la presencia de los dos portadores.
De hecho, la integral de la corriente debido tanto electrn y el hueco en el tiempo
debe ser igual a e. La resistencia y la capacitancia del fotodiodo y la circuitera externa
dan lugar a otro tiempo de respuesta conocido como constante de tiempo RC. Esta
combinacin de R y C integra la fotorrespuesta lo largo del tiempo y por lo tanto se
alarga la respuesta de impulsos del fotodiodo. Cuando se utiliza en un sistema de
comunicacin ptica, el tiempo de respuesta determina el ancho de banda disponible
para la modulacin de la seal y por lo tanto la transmisin de datos. Potencia de

ruido equivalente de entrada El mnimo de potencia ptica para generar fotocorriente,

igual a la corriente en un ancho de banda de 1 Hz ruido rms. NEP es esencialmente la
potencia mnima detectable. El detectividad caracterstica relacionada es la inversa de
la NEP, 1/NEP. Tambin existe la detectividad especfica que es la detectividad
multiplicado por la raz cuadrada del rea de la clula fotoelctrica, para un ancho de
banda de 1 Hz. El detectividad especfica permite que diferentes sistemas para ser
comparados independiente del rea del sensor y ancho de banda del sistema;
detectividad un valor ms alto indica un dispositivo de bajo nivel de ruido o del
sistema. Aunque es tradicional dar en muchos catlogos como una medida de la
calidad del diodo, en la prctica, casi nunca es el parmetro clave.
Cuando un fotodiodo se utiliza en un sistema de comunicacin ptica, todos estos
parmetros contribuyen a la sensibilidad del receptor ptico, que es la potencia de
entrada mnima requerida para el receptor de lograr una tasa de error de bit
especificado.

Aplicaciones
Fotodiodos PN se utilizan en aplicaciones similares a otros fotodetectores, como
fotoconductores, dispositivos de acoplamiento de carga, y tubos fotomultiplicadores.
Ellos se pueden utilizar para generar una salida que depende de la iluminacin, o para
cambiar el estado de los circuitos.
Fotodiodos se utilizan en dispositivos de electrnica de consumo como reproductores
de discos compactos, detectores de humo, y los receptores de los dispositivos de
control remoto por infrarrojos utilizados para controlar el equipo desde los televisores
a los acondicionadores de aire. Para muchas aplicaciones pueden utilizarse
fotodiodos o fotoconductores. Cualquier tipo de fotosensor puede ser utilizado para la
medicin de la luz, como en metros luz de la cmara, o para responder a los niveles
de luz, como en la conmutacin de iluminacin de las calles despus del anochecer.
Fotosensores de todos los tipos pueden ser utilizados para responder a la luz
incidente, o a una fuente de luz que es parte del mismo circuito o sistema. Un
fotodiodo se combina a menudo en un solo componente con un emisor de luz, por lo

general un diodo emisor de luz, o bien para detectar la presencia de una obstruccin
mecnica a la viga, o para acoplar dos circuitos digitales o analgicos, mientras que el
mantenimiento de extremadamente alto aislamiento elctrico entre ellos, a menudo
para la seguridad.
Fotodiodos se utilizan a menudo para una medicin precisa de la intensidad de la luz
de la ciencia y la industria. En general, tienen una respuesta ms lineal que
fotoconductores.
Tambin son ampliamente utilizados en diversas aplicaciones mdicas, tales como
detectores para la tomografa computarizada, instrumentos para analizar las
muestras, y oxmetros de pulso.
Diodos PIN son mucho ms rpido y ms sensible que los diodos de unin pn, y por lo
tanto a menudo se utilizan para las comunicaciones pticas y en la regulacin de la
iluminacin.
Fotodiodos PN no se utilizan para medir las intensidades de luz extremadamente baja.
Dispositivos de carga acoplada En cambio, si se necesita una alta sensibilidad,
fotodiodos de avalancha, se intensificaron o tubos fotomultiplicadores se utilizan para
aplicaciones tales como la astronoma, la espectroscopia, equipos de visin nocturna
y telmetro lser.

Comparacin con fotomultiplicadores

Ventajas en comparacin con fotomultiplicadores:

Excelente linealidad de la corriente en funcin de la luz incidente de salida

Respuesta espectral de 190 nm a 1100 nm, longitud de onda ms largas con otros
materiales semiconductores
Bajo nivel de ruido
Robusto a la tensin mecnica
Bajo coste
Compacto y ligero
Larga vida til
Alta eficiencia cuntica, por lo general 80%
Sin alta tensin necesaria
Las desventajas en comparacin con fotomultiplicadores:

 Pequea zona
No hay ganancia interna
Mucho menor sensibilidad general
Photon contando slo es posible con fotodiodos especialmente diseados, generalmente
enfriados, con circuitos electrnicos especiales
El tiempo de respuesta para muchos diseos es ms lento

Array de fotodiodos
Una matriz unidimensional de cientos o miles de fotodiodos puede ser utilizado como
un sensor de posicin, por ejemplo, como parte de un sensor de ngulo. Una ventaja
de las matrices de fotodiodos es que permiten a alta velocidad en paralelo leer desde
la electrnica de conduccin no podrn ser construidas en como un CMOS tradicional
o sensor CCD.

Qu es un diodo LED?
Si alguna vez ha visto, unas pequeas luces de diferentes colores que se encienden y apagan, en
algn circuito electrnico, ha visto los diodo LED en funcionamiento. Ver Smbolo del diodo LED

El LED es un tipo especial de diodo, que trabaja como un diodo comn, pero que al ser
atravesado por la corriente elctrica, emite luz. Existen diodos LED de varios colores que
dependen del material con el cual fueron construidos. Hay de color rojo, verde, amarillo, mbar,
infrarrojo, entre otros. Ver la imagen (original de Wikipedia)

Elctricamente el diodo LED se comporta igual que un diodo de silicio o germanio.

Si se pasa una corriente a travs del diodo semiconductor, se inyectan electrones y huecos en
las regiones P y N, respectivamente.
Dependiendo de la magnitud de la corriente, hay recombinacin de los portadores de carga
(electrones y huecos). Hay un tipo de recombinaciones que se llaman recombinaciones radiantes
(aqu la emisin de luz).
La relacin entre las recombinaciones radiantes y el total de recombinaciones depende del
materialsemiconductor utilizado
(GaAs,
GaAsP,y
GaP).
Dependiendo del material de que
est hecho el LED, ser la emisin
de la longitud de onda y por ende
el color. Ver la tabla ms abajo
Debe de escogerse bien la
corriente
que
atraviesa
elLED para obtener una buena
intensidad luminosa y evitar que
este se pueda daar.
El LED tiene un voltaje de operacin que va de 1.5 V a 2.2 voltios aproximadamente y la gama
de corrientes que debe circular por l est entre los 10 y 20 miliamperios (mA) en los diodos de
color rojo y de entre los 20 y 40 miliamperios (mA) para los otros LEDs.
Los diodos LED tiene enormes ventajas sobre las lmparas indicadoras comunes, como su bajo
consumo de energa, su mantenimiento casi nulo y con una vida aproximada de 100,000 horas.
El diodo LED debe ser protegido. Una pequea cantidad de corriente en sentido inverso no lo
daar, pero si hay picos inesperados puede daarse. Una forma de protegerlo es colocar en
paralelo con el diodo LED pero apuntando en sentido opuesto un diodo de silicio comn.
Aplicaciones tiene el diodo LED. Se utiliza ampliamente en aplicaciones visuales, como
indicadoras de cierta situacin especfica de funcionamiento.
Ejemplos
Se
utilizan
para
desplegar
contadores
- Para indicar la polaridad de una fuente de alimentacin de corriente continua.
- Para indicar la actividad de una fuente de alimentacin de corriente alterna.
- En dispositivos de alarma, etc.
Las desventajas del diodo LED son que su potencia de iluminacin es tan baja, que su luz es
invisible bajo una fuente de luz brillante y que su ngulo de visibilidad est entre los 30 y 60.
Este ltimo problema se corrige con cubiertas difusoras de luz.
Con los ltimos adelantos, en los diodos LED de alta luminosidad, este problema
prcticamente ha quedado en el pasado.

APLICACIONES DE LOS DIODOS LED

En la prctica los diodos LEDs poseen un sinnmero de aplicaciones diferentes, que dista mucho del
uso que tenan en un principio cuando se comenzaron a comercializar en la dcada de los aos 60 del
siglo pasado. Entre algunas de sus muchas aplicaciones actuales se encuentran:
Iluminacin de interiores (hogares, comercios, hospitales, etc.).
Iluminacin exterior de edificios y fachadas en general.
Ambientacin interior en general.
Decoracin.
Cabina de ascensores.
Pasillos interiores de casas, comercios, hospitales, etc.
Escaleras y sus escalones.
Calles y parques.
Estacionamientos de coches en exteriores e interiores.
Linternas en general.
Paneles informativos y publicitarios.
Faros de coches.
Semforos de trfico.
Juguetes.
Guirnaldas y adornos navideos.
Rayo lser (luz coherente de color rojo, verde o azul).
Retroiluminacin de pantallas TFT de televisores.
Pantallas gigantes de televisin (Jumbo).

La palabra fotovoltaica se compone de dos trminos: Foto = Luz, Voltaica =

Electricidad. Es un dispositivo que convierte directamente la luz solar en
electricidad.
Las celdas fotovoltaicas estn hechas de materiales especiales
llamados semiconductores tales como el silicio, que es el material ms
usado. Cuando la luz solar choca en la celda una cierta porcin de ella es
absorbida dentro del material semiconductor. Esto significa que la energa de la
luz absorbida es transferida al semiconductor. La energa golpea los electrones
libres permitiendoles fluir libremente.
Todas celdas fv tienen uno o ms campos elctricos que actan para forzar a
los electrones liberados por la accin de la luz para fluir en una cierta direccin.
Este flujo de electrones es una corriente y poniendo los contactos de metal en
la parte superior e inferior de la celda fv podemos dibujar la corriente para
usarla externamente. Esta corriente junto con el voltaje de celda, define la
potencia que puede entregar la celda solar.
El silicio tiene algunas propiedades qumicas especiales, sobre todo en su
forma cristalina. Un tomo de silicio tiene 14 electrones dispuestos en tres
capas diferentes. Las primeras dos capas, las ms cercanas al centro estn
completamente llenas. La capa exterior slo est semi llena, por cuanto tiene
slo cuatro electrones. Un tomo de silicio siempre buscar llenar su ltima
capa con 8 electrones. Para hacer esto compartir cuatro electrones de su
tomo vecino. Este proceso forma la estructura cristalina y esta estructura
resulta ser importante para este tipo de celdas fv. Este silicio puro no sirve
como conductor, por eso se utiliza silicio con impurezas. Normalmente se
utilizan estructuras de silicio con fsforo ya que este al tener 5 electrones, deja

uno libre no atado a la estructura. Al aplicar energa, por ejemplo en forma de

calor, este electrn es liberado de su posicin ms facilmente que en una
estructura de silicio puro. Este proceso de agregar impurezas al silicio, se
denomina Dopping. Cuando al silicio se le hace doping con fsforo resulta un
silicio llamado tipo-N, porque prevalecen los electrones libres. El silicio tipo-N
es mucho mejor conductor que el silicio puro.
Cuando al silicio se le hace doping con boro, el cual tiene 3 electrones en la
ltima capa, se denomina silicio tipo-P. El silicio tipo-P, en lugar de tener
electrones libres tiene huecos libres. Los huecos son ausencia de electrones,
llevando as carga opuesta a la del electrn, es decir carga positiva. Estos se
mueven igual como lo hacen los electrones.
Las celdas fv sin un campo elctrico no funcionaran. Este campo elctrico lo
podemos formar al poner en contacto un silicio tipo-N y un silicio tipo-P. En la
juntura se produce una barrera que hace dificil que los electrones del lado N
crucen hacia el lado P, tenemos un campo electrico que separa los 2 lados.
Este campo acta como un diodo permitiendo con ayuda de la aplicacin de
energa externa los electrones fluyan desde el lado P al N.
Cuando la luz en forma de fotn choca con nuestra celda, libera pares de
electrn-hueco. Cada fotn liberar exactamente un electrn dejando un
agujero libre. Si esto sucede lo bastante cerca del campo elctrico, este har
que se envie un electrn al lado N y un hueco al lado P. Esto provoca la ruptura
de la neutralidad elctrica. Si adems se le proporciona un camino externo, los
electrones fluirn hacia su lado original (Lado tipo-P) para unirse con los
agujeros.
Los electrones que fluyen constituyen la corriente y el campo electrico de la
celda constituye el voltaje. Con la corriente y voltaje tenemos la potencia de la
celda.
Cunta energa solar absorbe la celda fv?
La mayora de las celdas pueden absorber alrededor del 25% y con mayor
probabilidad 15% o menos. Esto es porque la luz visible es slo una parte del
espectro electromagntico. Y la radiacin electromagntico no es
monocromtica. La luz puede ser separada en diferentes longitudes de onda.

La luz que golpea tiene fotones con una gran variedad de energa, resulta que
algunos no tienen la energa suficiente para formar el par electrn hueco.
Mientras que otros fotones tienen mucho ms energa.
Slo se requiere una cierta cantidad de energa medida en electrn-volt para
golpear un electrn libre (para el caso del silicio cristalino se requiere 1.1 eV). A
esto se le llama banda de intervalo de energa de un material.(band gap
energy)

La banda ptima de intervalo de energa es 1.4 eV para una celda hecha de un

material simple.
Existen otras prdidas, como lo es la resistencia interna de la celda llamada
resistencia serie. Para minimizar estas prdidas la celda es cubierta por un a
grilla metlica, sobre la grilla se coloca una cubierta antireflectiva y sobre esta
una cubierta de vidrio como proteccin. Esto reduce las prdidas en un 5%.

Otros Materiales
Existe tambien el silicio policristalino, pero no es ms eficiente que el silicio
cristalino.
Estos materiales tienen diferentes intervalos de bandas y parecen estar
sitonizados a diferentes longitudes de onda o a fotones con diferentes
energas.
Se ha probado que el uso de dos o ms capas de diferentes materiales con
diferentes intervalos de bandas de energa resulta ser muy eficiente. El
material con mayor banda se coloca en la superficie y ms abajo los que
requieren fotones con menor energa. Estas celdas reciben el nombre de
multijuntiras, y pueden tener ms de un campo elctrico.
Materiales densamente cristalinos
Simple silicio cristalino--Rebanado desde simple cristal de silicio crecido,
estas celdas son tienen un grosor de 200 micrones. La celda investigada ha
alcanzado un 24% de eficiencia, los mdulos comerciales exceden el 15%.
Silicio Policritalino--Rebanado de bloques del molde de silicio, estas celdas
son menos caras para fabricar y menos eficientes que las celdas de simples de

cristal de silicio. Las celdas investigadas alcanzan un 18% de eficiencia y los

modulos comerciales alcanzan un 14%.
Redes Dendriticas--Una pelcula de cristales simples de silicio sacado desde
Silicio fundido, como una burbuja de jabn, entre dos cristales dendrticos.
Arseniuro Galio (GaAs)
Un material semiconductor III-V desde los cuales hacen celdas FV de gran
eficiencia, son usados en sistemas de concentradores y en sistemas de
potencia espacial. Investigaciones dicen que alcanzan 25% de eficiencia bajo
luz solar y 28% bajo luz solar concentrada. Las celdas de multijuntura estn
basadas en GaAs y relacionadas con aleaciones III-V han excedido el 30% de
eficiencia.
Materiales de pelcula delgada
Silicio Amorfo (a-Si)
El silicio amorfo que es una estructura no cristalina. Primer uso en materiales
FV en 1974. En 1996, el silicio amorfo constituy ms del 15% de la produccin
mundial de FV. Pequeos modulos experimentales de Si-a superan el 10% de
eficiencia, en los modulos comerciales se alcanza un rango entre el 5-7%.
Usado en productos de consumo, el Si-a es la gran promesa para la
construccin de sistemas intergrados, reemplazando los vidrios tintados con
modulos semi-transparentes.
Telururo de Cadmio (CdTe)
Una delgada pelcula de material policristalino, depositado por
electrodeposicin. Pequeos laboratorios se han acercado al 16% de eficiencia,
y con un modulo comercial de tamao (7200-cm 2) midieron 8.34% de
eficiencia, y produccin de modulos de 7%.
Diseleniuro de Cobre Indio(CuInSe2, or CIS)
Una pelcula de material policristalino, el cual alcanza una eficiencia de 17.7%,
en 1996, con un prototipo modulo de potencia alcanza los 10.2%. La dificultad
en tomar esta tecnologa es la dificultad de evitar la formacin de defectos
durante la deposicin que previenen la formacin de capas uniformes.
Concentradores
El sistema de concentradores usa lentes para focalizar la luz dentro de las
celdas solares. Los Lentes, con un radio de concentracin de 10x to 500x,
tpicamente focos lineales o puntuales. Las celdas son usualmente de silicio.
Las celdas GaAs y otros materiales tienen alta eficiencia conversin a altas
temperaturas, pero ellos son muy caros. La eficiencia de los modulos supera el
17%, y concentradores estn diseados para una eficiencia de conversin que
supera el 30%.
Los Reflectores pueden ser usados para aumentar la salida de potencia,
aumentando la intensidad de la luz en los mdulos, o prolongar su tiempo.

Sistema de Concentradores: Las lentes no pueden centrar la luz

dispersada, limitando su uso de reas, como reas del desierto, con un nmero
substancial de das despejados en el ao.

Cmo funciona una clula fotovoltaica?

Energa fotovoltaica: tecnologa de vanguardia.
Las clulas fotovoltaicas funcionan segn un fenmeno fsico bsico denominado efecto fotoelctrico.
01. Cuando un nmero suficiente de fotones impacta en una placa semiconductora, como el silicio, pueden
ser absorbidos por los electrones que se encuentran en la superficie de sta.
02. La absorcin de energa adicional permite a los electrones (cargados negativamente) liberarse de sus
tomos. Los electrones se empiezan a mover y el espacio que dejan libre lo ocupa otro electrn de una parte
ms profunda del semiconductor.
03. Como resultado, una parte de la lmina tiene una mayor concentracin de electrones que la otra, lo que
origina voltaje entre ambos lados. Al unir ambos lados con un cable elctrico se permite que los electrones
fluyan de un lado al otro de la lmina, lo que se conoce como corriente elctrica.

El efecto fotoelctrico: de los fotones a la corriente elctrica

Aplicaciones de las Celdas Fotovoltaicas

Desde un punto de vista histrico, el motivo de la construccin de las celdas fotovoltaicas fueron los satlites
artificiales; las ventajas encontradas en este tipo de generadores fueron: peso reducido, larga vida, ocupacin
de espacio mnima y nivel de insolacin (cantidad de energa solar que recibe un rea determinada durante un
perodo de tiempo dado. Se mide en kilowatt-horas por metro cuadrado) elevado y continuo por estar fuera de
la atmsfera terrestre. Pero ms all de las aplicaciones espaciales, los sistemas fotovoltaicos tienen las
siguientes aplicaciones:

a) Electrificacin rural y de viviendas aisladas. Existen muchas zonas rurales y viviendas aisladas
donde llevar energa elctrica por medio de la red general sera demasiado costoso y por lo tanto no
cuentan con este servicio. En este caso, la instalacin de un generador fotovoltaico es ampliamente
rentable.

b) Comunicaciones. Los generadores fotovoltaicos son una excelente solucin cuando hay
necesidad de transmitir cualquier tipo de seal o informacin desde un lugar aislado, por ejemplo,
reemisores de seales de TV, plataformas de telemetra, radioenlaces, estaciones meteorolgicas.

c) Ayudas a la navegacin. Aqu la aplicacin puede ser relativa a la navegacin misma o a sus
sealizaciones, como alimentar elctricamente faros, boyas, balizas, plataformas y embarcaciones.

d) Transporte terrestre. Iluminacin de cruces de carretera peligrosos y tneles largos. Alimentacin

de radiotelfonos de emergencia o puestos de socorro lejos de lneas elctricas. Sealizaciones de
pasos a desnivel o cambio de vas en los ferrocarriles.

e) Agricultura y ganadera. Se est teniendo una atencin muy especial en estos sectores.
Mediante generadores fotovoltaicos podemos obtener la energa elctrica necesaria para granjas que
conviene que estn aisladas de la zonas urbanas por motivos de higiene. Sin embargo, la aplicacin
ms importante y de futuro es el bombeo de agua para riego y alimentacin de ganado que
normalmente se encuentra en zonas no pobladas. Otras aplicaciones pueden ser la vigilancia forestal
para prevencin de incendios.

f) Industria. Una de las principales aplicaciones en este campo es la obtencin de metales como
cobre, aluminio y plata, por electrlisis y la fabricacin de acumuladores electroqumicos.

Lo Primero Qu es un Transistor?
El transistor, inventado en 1951, es el componente electrnico estrella, pues inici una autntica revolucin
en la electrnica que ha superado cualquier previsin inicial. Tambin se llama Transistor Bipolar o
Transistor Electrnico.
El Transistor es un componente electrnico formado por materiales semiconductores, de uso muy habitual
pues lo encontramos presente en cualquiera de los aparatos de uso cotidiano como las radios, alarmas,
automviles, ordenadores, etc.
Vienen a sustituir a las antiguas vlvulas termoinicas de hace unas dcadas. Gracias a ellos fue posible
la construccin de receptores de radio porttiles llamados comnmente "transistores", televisores que se
encendan en un par de segundos, televisores en color, etc. Antes de aparecer los transistores, los aparatos a
vlvulas tenan que trabajar con tensiones bastante altas, tardaban ms de 30 segundos en empezar a
funcionar, y en ningn caso podan funcionar a pilas, debido al gran consumo que tenan.

Los transistores son unos elementos que han facilitado, en gran medida, el diseo de circuitos
electrnicos de reducido tamao, gran versatilidad y facilidad de control.
En la imagen siguiente vemos a la derecha un transistor real y a la izquierda el smbolo usado en los
circuitos electrnicos. Fjate que siempre tienen 3 patillas y se llaman emisor, base y colector. Es muy
importante saber identificar bien las 3 patillas a la hora de conectarlo. En el caso de la figura, la 1 sera el
emisor, la 2 el colector y la 3 la base.

Un transistor es un componente que tiene, bsicamente, dos funciones:

- Deja pasar o corta seales elctricas a partir de una PEQUEA seal de mando. Como Interruptor.
- Funciona como un elemento Amplificador de seales.
Pero el Transistor tambin puede cumplir funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.
Veamos como funciona un transistor.
Funcionamiento del Transistor
Un transistor puede tener 3 estados posibles en su trabajo dentro de un circuito:
- En activa : deja pasar mas o menos corriente.
- En corte: no deja pasar la corriente.
- En saturacin: deja pasar toda la corriente.
Para comprender estos 3 estados lo vamos hacer mediante un smil hidrulico que es ms fcil de entender.
Lo primero imaginemos que el transistor es una llave de agua como la de la figura. Hablaremos de agua
para entender el funcionamiento, pero solo tienes que cambiar el agua por corriente elctrica, y la llave de
agua por el transistor y ya estara entendido (luego lo haremos). Empecemos.

En la figura vemos la llave de agua en 3 estados diferentes. Para que la llave suba y pueda pasar agua
desde la tubera E hacia la tubera C, es necesario que entre algo de agua por la tubera B y empuje la llave
hacia arriba (que el cuadrado de lneas suba).

- Funcionamiento en corte: si no hay presin de agua en B (no pasa agua por su tubera), la vlvula esta
cerrada, no se abre la vlvula y no se produce un paso de fluido desde E (emisor) hacia C (colector).
- Funcionamiento en activa: si llega algo de presin de agua a la base B, se abrir la vlvula en funcin de
la presin que llegue, comenzando a pasar agua desde E hacia C.
- Funcionamiento en saturacin: si llega suficiente presin por B se abrir totalmente la vlvula y todo el
agua podr pasar desde el emisor E hasta el colector C (la mxima cantidad posible). Por mucho que
metamos ms presin de agua por B la cantidad de agua que pasa de E hacia C es siempre la misma, la
mxima posible que permita la tubera.
Como ves una pequea cantidad de agua por B permite el paso de mucho ms agua entre E y C
(amplificador).
Entendido? Pues ahora el funcionamiento del transistor es igual, pero el agua lo cambiamos por corriente
elctrica y la llave de agua ser el transistor.
En un transistor cuando no le llega nada de corriente a la base, no hay paso de corriente entre el emisor
y el colector (en corte), funciona como un interruptor abierto entre el emisor y el colector, ycuando tiene
la corriente de la base mxima (en saturacin) su funcionamiento es como un interruptor cerrado, entre el
emisor y el colector hay paso de corriente y adems pasa la mxima corriente permitida por el transistor entre
E y C.
El tercer caso es que a la base del transistor le llegue una corriente ms pequea de la corriente de base
para que se abra el transistor, entonces entre Emisor y Colector pasar una corriente intermedia que no
llegar a la mxima.
Como ves el funcionamiento del transistor se puede considerar como un interruptor que se acciona
elctricamente, por medio de corriente en B, en lugar de manualmente como son los normales. Pero tambin
se puede considerar un amplificador de corriente por que con una pequea corriente en la base
conseguimos una corriente mayor entre emisor y colector. Acurdate del smbolo y mira la siguiente figura:

Las corrientes en un transistor son 3, corriente de base Ib, corriente de emisor Ie y corriente del colector Ic.
En la imagen vemos las corrientes de un transistor tipo NPN.

Los transistores estn formados por la unin de tres cristales semiconductores, dos del tipo P uno del
tipo N (transistores PNP), o bien dos del tipo N y uno del P (transistores NPN).

Polarizacin de un Transistor
Polarizar es aplicar las tensiones adecuadas a los componentes para que funcionen correctamente.
Hay una gama muy amplia de transistores por lo que antes de conectar deberemos identificar sus 3 patillas
y saber si es PNP o NPN. En los transistores NPN se deba conectar al polo positivo el colector y la
base, y en los PNP el colector y la base al polo negativo.
La unin BASE-EMISOR siempre polarizado directamente, y la unin COLECTORBASE siempre
polarizado inversamente.

Diferencias entre el transistor PNP y el NPN

Fjate en los 2 tipos, la principal diferencia es que en el PNP la corriente de salida (entre el emisor y
colector) entra por el emisor y sale por el colector. Fjate que la flecha en el smbolo "pincha a la base".
Una regla para acordarse es que el PNP pincha (la p del principio).
En el NPN la corriente entra por el colector y sale por el emisor, al revs. Si te fijas en la flecha la flecha
"no pincha a la base". Segn la regla NPN = no pincha (la N del NPN). Con esta regla te acordars mu
fcilmente si el smbolo es de un PNP o NPN. Recuerda pincha PNP, no pincha NPN.
Otra cosa muy importante a tener en cuenta es la direccin de las corrientes y las tensiones de un transistor,
sea NPN o PNP. Fjate en la siguiente imagen. En este caso hemos puesto el emisor abajo y el colector arriba,
no pasa nada es lo mismo, pero en algunos esquemas te los encontrars de esta forma y es bueno verlos as
tambin.

Es fcil si te fijas averiguarlas por intuicin con la flecha del smbolo. Si es PNP lgicamente la IE tendr la
direccin del emisor, por que entra por l Por donde entran las corrientes estar el positivo de las
tensione s. Si la corriente del emisor entra por el emisor (PNP), la tensin emisor colector tendr el positivo
por donde entre, es decir en el emisor, y se llamar Tensin emisor-colector. Si la corriente entra por el
colector, o lo que es lo mismo sale por el emisor se llamara Tensin colector-emisor y la corriente saldr por e
emisor. No te les que es muy fcil, solo tienes que fijarte un poco, y no hace falta aprenderlas de memoria
Formulas del Transisto
Si te fijas en un PNP la corriente que entra es la del emisor, y salen la del colector + la d la base, pero al
ser la de base tan pequea comparada con las otras dos se puede aproximar diciendo qu IE = I C. En
realida dlas intensidades en un transisto
seran
IE = IC + IB; para los 2 tipos de transistores. Fijate en la flecha del smbolo y las deducirs
Si nos dan 2 intensidades y queremos calcular la tercera solo tendremos que despejar
Cmo seran las intensidades en corte? Pues todas cero
Otro dato importante en un transistor e la gananci a, que nos da la relacin que hay entre la corriente de
salida IC y la necesaria para activarlo IB (corriente de entrada). Se representa por el smbolo beta
= IC / I
La ganancia es realmente lo que se amplifca la corriente en el transistor. Por ejemplo una ganancia de 100
significa que la corriente que metamos por la base se amplifica, en el colector, 100 veces, es decir ser 100
veces mayor la de colector que la de la base. Como la de colector es muy parecida a la del emisor, podemos
aproximar diciendo que la corriente del emisor tambin es 100 veces mayor que la de la base
En un transistor que tenga una ganancia de 10 si metemos 1 amperio por la base, por el colector
obtendremos 10 amperios. Como ves es el transistor tambin es un amplificador. Pero OJO imagina que el
transistor que tienes solo permite como mximo 5 amperios de salido, qu pasara si metemos 1 amperio en
la base? Se quemara!! por que no soportara esa corriente en el colector
Tambin es muy importante que sepas qu la corriente del colector depende del receptor que tengamo
conectad a la salida, entre el colector y el emisor. La corriente del colector ser la que "chupe" ese receptor,
nunca mayor. Si en el caso anterior el receptor fuera un lmpara que solo consumiera 3 amperios no pasara
nada, ya que entre el emisor y el colector solo circularan los 3 amperios que demanda la lmpara. Fjate en e
siguiente circuito

La lmpara "chupa" 3 amperios, pues la corriente mxima que pasar entre emisor y colector, o lo que es l
mismo la corriente que circular por el circuito de salida ser 3A, nunca ms de 3 Amperios, que es la que
demanda lmpara
En ese circuito para que la lmpara luzca necesitamos meter una pequea corriente por la base para activa
el transistor. Si no hay corriente de base la lmpara no lucir, por que el transistor acta como un interruptor
abierto entre el colector y el emisor
De todas formas hay que fijarse muy bien en las corrientes mximas que aguanta el transistor que estemos
usando para no quemarlo.

Otro dato importante es la potencia mxima que puede disipar el transistor. Segn la frmula de la
potencia: P = V x I, en el transistor sera:
P = Vc-e x Ic tensin colector-emisor por intensidad del colector.
Tenemos que saber la potencia que tiene el receptor o los receptores que pongamos en el circuito de salida
para elegir un transistor que sea capaz de disipar esa misma potencia o superior, de lo contrario se quemara.
En el caso del circuito anterior P = 3A x 6V = 18w, con lo cual el transistor para el circuito deber ser de esa
misma potencia, mejor un poco mayor.
Po ltimo hablemos de las tensiones. Todos los transistores cumplen que Vcb + Vbe = Vce, es decir las
tensiones de la base son iguales a la tensin de salida.
El circuito bsico de un transistor es el que ves a continuacin:

La resistencia de base sera la de 20Kohmios y la resistencia de 1Kohmios sera el receptor de salida.

Muchas veces se usa la misma pila para todo el circuito, como vers ms adelante.
Ejercicio con Transistores
Los ejercicios con transistores, como ves por las frmulas, suelen ser muy sencillos, pero alguno hay que se
complica un poco.
Hacemos un ejercicio complicado? Venga.
Un transistor de tipo npn y = 100 se conecta de la siguiente manera: la base se conecta al terminal positivo
de una pila de 5 V a travs de una resistencia de 100 kohmios; el colector se conecta al terminal positivo de
otra pila de 10 V a travs de una resistencia de 100 ohmios el emisor se conecta a los terminales negativos de
ambas pilas. En estas condiciones calcule la corriente de colector. tensin base-emisor 0,7A. Aqui tienes la
solucin:

No lo entiendes? Te lo explico:

Si aislas el circuito de entrada (el de la base) tenemos una pila de 5V con una resistencia de 100 Kohmios y
la tensin de la base- emisor. Si I = V / R. Intensidad es igual a la tensin partido por la resistencia (ley de
ohm).
IB = (Vpila - Vb-e)/ Rb = (5-0,7)/ 100.000 = 4,3 x 10 elevado a menos 5 o lo que es lo mismo 0,000043A.
La tensin de la Vb-e es contrario a la de la pila (recuerda los signos) y por eso se restan.
Aplicando la frmula de la ganacia = IC/IB si despejamos la IC sera IC = x IB= 0,0043A y ya est
resuelto.
En este circuito por el receptor de salida, cuando se activa el transistor, circulan 0,0043A. Pero fijate para
activar el transistor solo hace falta una corriente de base de 0,000043A, mucho menor.
Si no te enteras no te vendra mal repasar las leyes de Kirchhoff.
Por qu la base siempre lleva una Resistencia?
En todos los circuitos que veas con transistores vers que hay una Rb (resistencia de base) colocada en
serie con la base. Su misin es proteger la base para que no le llegue nunca una corriente muy grande a la
base y se queme el transistor. La Rb al estar en serie con la base limita la corriente que le llega a la base, de
tal forma que no sea ms grande que la que puede soportar la base. Recuerda I = V / R (ley de ohm), si no
hubiera Rb la I sera infinito. Cuanto mayor sea la Rb menor ser la IB.
Hacemos un circuito con el transistor?
Circuitos con Transistores
Empecemos por uno bsico. Se trata de un circuito que cuando ponemos los dedos entre 2 chapas se
active un motor de c.c. (corriente continua). Aqu lo tenemos:

Segn esta en el esquema no hay corriente de base y el transistor ser un interruptor abierto entre el emisor
y colector, lo que hace que el motor no gire.
Si ponemos lo dedos uniendo las dos chapas de la izquierda, a la base le llegar una pequea corriente a
travs de la Rb de 2,2Kohmios. Esto hace que el transistor se active y se comporte como un interruptor
cerrado entre emisor y colector, permitiendo paso de corriente en el circuito de salida, con lo que el motor gira.
Fcil NO? Pues ya tienes tu primer circuito con un transistor. Vamos a por otro.
Ahora vamos a construir una alarma por rotura de un cable. Cuando el cable se rompe un zumbador (timbre)
suena. Aqu tienes el circuito:

Fjate que cuando el cable no esta roto la corriente de la pila se cierra por la Rb de 10Kohmios y vuelve a la
pila por el cable que no le ofrece ninguna resistencia. El transistor esta en corte, no hay Ib, y por el circuito de
salida no pasa corriente, lo que implica que la alarma no suena.
Cuando el cable se rompe la corriente entra por la Rb y pasa a la base por que no puede circular por el
cable. Qu pasar?. Pues que hay corriente en la base, el transistor se activa y la alarma suena.
Por ltimo te dejamos dos videos que te explican el transistor por si algo no te ha quedado claro y si quieres
aprender electrnica de forma fcil para todos, te recomendamos el siguiente libro que contiene los conceptos
bsicos de electrnica explicados de forma sencilla y amena, ahora en oferta por solo 4.

El transistor como INTERRUPTOR:

El transistor como AMPLIFICADOR:

El transistor funciona como interruptor

CERRADO cuando aplicamos una
corriente a la base

El transistor funciona como interruptor

ABIERTO cuando NO aplicamos una
corriente a la base

racterstica
del diodo Tunnel

de

Por medio de una pequea corriente

aplicada a la base se pueden gobernar otra
mucho mas intensa entre colector y emisor

Esto significa que pequeas corrientes se

pueden transformar en otras mas fuertes
=>Amplificacin

resistencia

negativa

En el diagrama se ve el smbolo del diodo Tunnel

El diodo Tunnel se comporta de una manera muy interesante conforme se le va aumentando
una tensin aplicada en sentido directo.
- Cuando se aplica una pequea tensin, el diodo tunnel empieza a conducir
(la corriente empieza
a
fluir).
- Si se sigue aumentando esta tensin la corriente aumentar hasta llegar un punto despus del
cual
la
corriente
disminuye.
- La corriente continuar disminuyendo hasta llegar al punto mnimo de un "valle" y ....
- Despus volver a incrementarse. En esta ocasin la corriente continuar aumentando
conforme aumenta la tensin.
Este comportamiento de la corriente en funcin de la tensin en el diodo tunnel se puede ver
en el siguiente grfico.

Vv:
- Iv: Corriente de valle

Vp:
Ip:

Tensin
Tensin

Corriente

de

pico
valle
pico

La regin en el grfico en que la corriente disminuye cuando la tensin aumenta (entre Vp y Vv)
se llama zona de resistencia negativa
El diodo tunnel se llama tambin diodo Esaki en honor a su inventor japons Leo Esaki
Los diodos tunnel tienen la cualidad de pasar entre los niveles de corriente Ip e Iv muy
rpidamente, cambiando de estado de conduccin al de no conduccin incluso ms rpido que
losdiodos Schottky.
Desgraciadamente, este tipo de diodo no se puede utilizar como rectificador debido a que tiene
una corriente de fuga muy grande cuando estn polarizados en inversa.
As estos diodos slo encuentran aplicaciones reducidas como en circuitos osciladores de alta
frecuencia.

Diodo tunel. Es un diodo semiconductor que tiene una unin pn, en la cual se produce el efecto tnel que da
origen a una conductancia diferencial negativa en un cierto intervalo de la caractersticacorriente-tensin. La
presencia del tramo de resistencia negativa permite su utilizacin como componente activo
(amplificador/oscilador).
Contenido
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1 Descubrimiento

2 Efecto tunel

3 Descripcin del diodo tunel

4 Curva caracterstica del diodo tunel

5 Aplicaciones

6 Bibliografa

7 Fuentes

Descubrimiento
Este diodo fue inventado en 1958 por el fsico japons Leo Esaki, por lo cual recibi un Premio Nobel en 1973.
Descubri que los diodos semiconductores obtenidos con un grado de contaminacin del material bsico
mucho mas elevado que lo habitual exhiben una caracterstica tensin-corriente muy particular. La corriente
comienza por aumentar de modo casi proporcional a la tensin aplicada hasta alcanzar un valor mximo,
denominado corriente de cresta.
A partir de este punto, si se sigue aumentando la tensin aplicada, la corriente comienza a disminuir y lo siga
haciendo hasta alcanzar un mnimo, llamado corriente de valle, desde el cual de nuevo aumenta. El nuevo
crecimiento de la corriente es al principio lento, pero luego se hace cada vez ms rpido hasta llegar a destruir
el diodo si no se lo limita de alguna manera.
Efecto tunel
Los diodos de efecto tunel son dispositivos muy verstiles que pueden operar como detectores,
amplificadores y osciladores. Poseen una regin de juntura extremadamente delgada que permite a los
portadores cruzar con muy bajos voltajes de polarizacin directa y tienen una resistencia negativa, esto es, la
corriente disminuye a medida que aumenta el voltaje aplicado.
Estos dispositivos presentan una caracterstica de resistencia negativa; esto es, si aumenta la tensin
aplicada en los terminales del dispositivo, se produce una disminucin de la corriente (por lo menos en una
buena parte de la curva caracterstica del diodo). Este fenmeno de resistencia negativa es til para
aplicaciones en circuitos de alta frecuencia como los osciladores, los cuales pueden generar una seal
senoidal a partir de la energa que entrega la fuente de alimentacin.
El efecto tunel es un fenmeno nanoscpico por el que una partcula viola losprincipios de la mecnica clsica
penetrando una barrera potencial o impedancia mayor que la energa cintica de la propia partcula. Una
barrera, en trminos cunticos aplicados al efecto tunel, se trata de una cualidad del estado energtico de la
materia anlogo a una "colina" o pendiente clsica, compuesta por crestas y flancos alternos, que sugiere que
el camino ms corto de un mvil entre dos o ms flancos debe atravesar su correspondiente cresta intermedia
si dicho objeto no dispone de energa mecnica suficiente como para imponerse con la salvedad de
atravesarlo.

A escala cuntica, los objetos exhiben un comportamiento ondular; en la teora cuntica, un cuanto
movindose en direccin a una "colina" potencialmente energtica puede ser descrito por su funcin de onda,
que representa la amplitud probable que tiene la partcula de ser encontrada en la posicin allende la
estructura de la curva. Si esta funcin describe la posicin de la partcula perteneciente al flanco adyacente al
que supuso su punto de partida, existe cierta probabilidadde que se haya desplazado "a travs" de la
estructura, en vez de superarla por la ruta convencional que atraviesa la cima energtica relativa.
Descripcin del diodo tunel
El Diodo tunel es un diodo semiconductor que tiene una unin pn, en la cual se produce el efecto tunel que da
origen a una conductancia diferencial negativa en un cierto intervalo de la caracterstica corriente-tensin. Los
diodos Tunel son generalmente fabricados en Germanio, pero tambin en silicio y arseniuro de galio.
La presencia del tramo de resistencia negativa permite su utilizacin como componente
activo(amplificador/oscilador). Una caracterstica importante del diodo tunel es su resistencia negativa en un
determinado intervalo de voltajes de polarizacin directa. Cuando la resistencia es negativa, la corriente
disminuye al aumentar el voltaje. En consecuencia, el diodo tunel puede funcionar como amplificador, como
oscilador o como biestable. Esencialmente, este diodo es un dispositivo de baja potencia para aplicaciones
que involucran microondas y que estn relativamente libres de los efectos de la radiacin.
Si durante su construccin a un diodo invertido se le aumenta el nivel de dopado, se puede lograr que su
punto de ruptura ocurra muy cerca de los 0V. Los diodos construidos de esta manera, se conocen como
diodos tunel. Estos dispositivos presentan una caracterstica de resistencia negativa; esto es, si aumenta la
tensin aplicada en los terminales del dispositivo, se produce una disminucin de la corriente (por lo menos en
una buena parte de la curva caracterstica del diodo). Este fenmeno de resistencia negativa es til para
aplicaciones en circuitos de alta frecuencia como los osciladores, los cuales pueden generar una seal
senoidal a partir de la energa que entrega la fuente de alimentacin.
Estos diodos tienen la cualidad de pasar entre los niveles de corriente Ip e Iv muy rpidamente, cambiando de
estado de conduccin al de no conduccin incluso ms rpido que los diodos Schottky.
Curva caracterstica del diodo tunel
Cuando se aplica una pequea tensin, el diodo tunel empieza a conducir (la corriente empieza a fluir). Si se
sigue aumentando esta tensin la corriente aumentar hasta llegar un punto despus del cual la corriente
disminuye. La corriente continuar disminuyendo hasta llegar al punto mnimo de un "valle" y despus volver
a incrementarse. esta ocasin la corriente continuar aumentando conforme aumenta la tensin.
Los diodos tunel tienen la cualidad de pasar entre los niveles de corriente Ip e Iv muy rpidamente, cambiando
de estado de conduccin al de no conduccin incluso ms rpido que los diodos Schottky.

Tnel Diode Tutorial

El diodo tnel es una forma de diodo semiconductor muy rpido que puede funcionar bien en la regin de
frecuencia de radio de microondas.
Se diferencia de otras formas de diodo semiconductor que utiliza un efecto mecnico cuntico llamado efecto
tnel. Esto proporciona el diodo tnel con una regin de resistencia negativa en su curva caracterstica IV que
permite que sea utilizado como un oscilador y como un amplificador.
A pesar de que no se utilizan tan ampliamente como algunos dispositivos hoy en da, estos dispositivos tienen
su lugar dentro de la tecnologa de RF. Fueron utilizados en el receptor de televisin osciladores frontales y
circuitos de disparo del osciloscopio, etc Ellos han demostrado que tienen una vida muy larga y puede ofrecer
un alto nivel de rendimiento cuando se utiliza como un pre-amplificador de RF. Sin embargo hoy en da, sus
aplicaciones son a menudo limitadas por tres terminales ms tradicionales pueden ofrecer un mejor nivel de
rendimiento en muchas reas.
Desarrollo diodo tnel
El diodo tnel fue descubierto por un Ph.D. estudiante de investigacin llamado Esaki en 1958 mientras l
estaba investigando las propiedades de germanio dopado fuertemente uniones para su uso en transistores
bipolares de alta velocidad.
En el curso de su investigacin Esaki producido algunas uniones fuertemente dopados para transistores
bipolares de alta velocidad y, como resultado se encontr que producan una oscilacin a frecuencias de
microondas como resultado del efecto tnel.
Luego, en 1973, Esaki recibi el premio Nobel de Fsica por su trabajo en el diodo tnel.
Despus de que el trabajo por Esaki, otros investigadores demostraron que otros materiales tambin
mostraron el efecto tnel. Holonyak y Lesk demostraron un dispositivo de arseniuro de galio en 1960, y otros
demostraron indio y estao, y luego en 1962 el efecto fue demostrado en materiales como arseniuro de indio,
fosfuro de indio y silicio.
Tnel smbolo circuito de diodo
A pesar de la operacin del diodo tnel. su smbolo de circuito se basa en que para el diodo normal, pero ha
'colas' aadido al elemento de la barra del smbolo para diferenciarlo de otras formas de unin PN diodo.

Tnel smbolo circuito de diodo

Ventajas y desventajas
El diodo de tnel no se utiliza tan ampliamente estos das, ya que era de avena una vez. Con la mejora en el
rendimiento de las otras formas de la tecnologa de semiconductores, que a menudo se han convertido en la
opcin preferida. No obstante, todava vale la pena mirar un diodo tnel, teniendo en cuenta sus ventajas y
desventajas para descubrir si se trata de una opcin viable.
Ventajas

Muy alta velocidad: La alta velocidad de operacin significa que el diodo tnel se puede utilizar
para aplicaciones de RF de microondas.

Longevidad: Se han realizado estudios del diodo tnel y su rendimiento se ha demostrado que
permanecer estable durante largos perodos de tiempo, donde otros dispositivos semiconductores
pueden tener degradados.

Desventajas

Reproducibilidad: No ha sido posible hacer que el diodo de efecto tnel como con el rendimiento
reproducible de los niveles a menudo necesarios.

Baja de pico a valle coeficiente de liquidez: La regin de resistencia negativa y el pico de

corriente de valle no es tan alto como a menudo se requiere para producir los niveles de rendimiento
que se pueden lograr con otros dispositivos.

Una de las principales razones para el xito inicial del diodo tnel fue su alta velocidad de operacin y las
altas frecuencias que poda manejar. Esto dio como resultado del hecho de que mientras que muchos otros
dispositivos son ralentizados por la presencia de los portadores minoritarios, el diodo tnel slo utiliza
portadores mayoritarios, es decir, agujeros en un material de tipo n y electrones en un material de tipo p. Los
portadores minoritarios ralentizan el funcionamiento de un dispositivo y como resultado, su velocidad es ms
lenta.Asimismo, el efecto tnel es intrnsecamente muy rpido.
El diodo tnel se utiliza muy poco en estos das y esto se debe a sus desventajas. En primer lugar slo tienen
una corriente tnel bajo y esto significa que son dispositivos de baja potencia. Mientras que esto puede ser
aceptable para los amplificadores de bajo ruido, que es una desventaja significativa cuando son demandados
en los osciladores como se necesita una amplificacin adicional y esto slo pueden ser realizadas por los
dispositivos que tienen una capacidad de potencia ms alto, es decir, no diodos tnel. La tercera desventaja
es que son problemas con la reproducibilidad de los dispositivos que resultan en bajos rendimientos y por lo
tanto, mayores costos de produccin.
Aplicaciones
Aunque el diodo tnel apareci prometiendo hace algunos aos, pronto fue sustituido por otros dispositivos
semiconductores como diodos IMPATT para aplicaciones de oscilador y FETs cuando se utiliza como un
amplificador. Sin embargo, el diodo de efecto tnel es un dispositivo til para ciertas aplicaciones.
Las solicitudes para el diodo tnel incluye utiliza como un oscilador, a pesar de que tambin se utiliza como un
amplificador y un mezclador.
Una de las principales ventajas del diodo tnel que actualmente est empezando a tener experiencia es su
longevidad. Una vez fabricado su rendimiento permanece estable durante largos perodos de tiempo a pesar
de su uso. Otros dispositivos pueden degradarse ligeramente con el tiempo.

Fotoresistor
Una fotorresistencia o resistor dependiente de la luz es una resistencia cuyo valor
disminuye con el aumento de la intensidad de la luz incidente, es decir, presenta
fotoconductividad.

Un fotorresistor est hecho de un semiconductor de alta resistencia. Si la luz que

incide en el dispositivo es de frecuencia lo suficientemente alta, los fotones absorbidos
por el semiconductor dar electrones ligados energa suficiente para saltar a la banda
de conduccin. La resultante de electrones libres conducen la electricidad, lo que
reduce la resistencia.
Un dispositivo fotoelctrico puede ser intrnseca o extrnseca. Un semiconductor
intrnseco tiene sus propios portadores de carga y no es un semiconductor eficiente,
por ejemplo, de silicio. En dispositivos intrnsecos los nicos electrones disponibles
estn en la banda de valencia, y por lo tanto el fotn debe tener energa suficiente
para excitar el electrn a travs de toda la banda prohibida. Dispositivos extrnsecos
tienen impurezas, tambin llamados dopantes, aadi cuya planta estatal de energa
est ms cerca de la banda de conduccin, ya que los electrones no tienen medida
que saltar, fotones de menor energa son suficientes para activar el dispositivo. Si una
muestra de silicio tiene algunos de sus tomos reemplazados por tomos de fsforo,
habr exceso de electrones disponibles para la conduccin. Este es un ejemplo de un
semiconductor extrnseco. Fotoresistores son bsicamente fotoclulas.

Especificacin y modelo
Hay muchos tipos de fotorresitores, con diferentes especificaciones y los modelos.
Fotoresistores se pueden recubrir con o empaquetados en diferentes materiales que
varan la resistencia, dependiendo del uso para cada LDR.

Aplicaciones
Fotoresistores vienen en muchos tipos. Clulas de sulfuro de cadmio baratos se
pueden encontrar en muchos productos de consumo, tales como cmara mide la luz,
farolas, radio reloj, dispositivos de alarma, relojes al aire libre, farolas solares y clavos
de carretera solar, etc
Tambin se utilizan en algunos compresores dinmicos junto con una pequea
lmpara incandescente o diodo emisor de luz para controlar la reduccin de ganancia
y tambin se utilizan en lmparas de la cama, etc

Sulfuro de plomo y antimonio de indio LDRs se utilizan para la regin del espectro
infrarrojo medio. Ge: Cu fotoconductores estn entre los mejores detectores de
infrarrojo lejano disponibles, y se utilizan para la astronoma infrarroja y
espectroscopia de infrarrojos.

Fotorresistencia. Es un componente electrnico cuya resistencia disminuye con el

aumento de intensidad de luz incidente. Puede tambin ser llamado concha de day
coronel fotorresistor, fotoconductor, clula fotoelctrica o resistor dependiente de
la luz, cuyas siglas, LDR, se originan de su nombre en ingls light-dependent resistor.
Su cuerpo est formado por una clula o celda y dos patillas.
Contenido
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1 Caractersticas

2 Comparaciones

3 Valores

4 Aplicaciones

5 Resea histrica

6 Especificaciones

7 Resumen

8 Fuentes

Caractersticas
Un fotorresistor est hecho de un semiconductor de alta resistencia como el sulfuro
de cadmio, CdS. Si la luz que incide en el dispositivo es de alta frecuencia, los fotones
son absorbidos por la elasticidad delsemiconductor dando a los electrones la
suficiente energa para saltar la banda de conduccin. El electrn libre que resulta, y

su hueco asociado, conducen la electricidad, de tal modo que disminuye la

resistencia. Los valores Ttulo del enlace tpicos varan entre 1 M, o ms, en la
oscuridad y 100 con luz brillante. Las clulas de sulfuro del cadmio se basan en la
capacidad del cadmio de variar su resistencia segn la cantidad de luz que incide la
clula. Cuanta ms luz incide, ms baja es la resistencia. Las clulas son tambin
capaces de reaccionar a una amplia gama de frecuencias, incluyendo infrarrojo (IR),
luz visible, y ultravioleta (UV). La variacin del valor de la resistencia tiene cierto
retardo, diferente si se pasa de oscuro a iluminado o de iluminado a oscuro. Esto
limita a no usar los LDR en aplicaciones en las que la seal luminosa vara con
rapidez. El tiempo de respuesta tpico de un LDR est en el orden de una dcima de
segundo. Esta lentitud da ventaja en algunas aplicaciones, ya que se filtran
variaciones rpidas de iluminacin que podran hacer inestable un sensor (ej. tubo
fluorescente alimentado por corriente alterna). En otras aplicaciones (saber si es de
da o es de noche) la lentitud de la deteccin no es importante. Se fabrican en
diversos tipos y pueden encontrarse en muchos artculos de consumo, como por
ejemplo en cmaras, medidores de luz, relojes con radio, alarmas de seguridad o
sistemas de encendido y apagado del alumbrado de calles.
Comparaciones
El fototransistor, NO es un transistor normal con dos patitas. Es un transistor muy
particular, con una curva muy poco linear. Se usa, a diferencia del fotoresistor, cuando
es esencial la velocidad de realizacin. El fotoresistor es usado cuando es necesario
tener una mejor linealidad en la curva caracterstica, pero es muy lento. Cuando es
muy importante la velocidad de ejecucin, dependiente del fenmeno luminoso, se
tiene que usar el fototransistor. . El principio de los dos elementos es muy parecido, en
cunto utiliza la caracterstica del material que golpeado por los fotones, emite
electrones. Obviamente en el caso del fototransistor, nos beneficiamos
del gain del transistor y no siendo necesario utilizar una gran cantidad' de electrones (,
gracias al beta del transistor )) podremos tener de las' respuestas del componente
electrnico muy rpidas. El fotoresistor en cambio, puede' pilotar directamente
algunos circuitos, porque, golpeada por la luz, tiene una baja resistencia y por lo tanto

puede ser atravesada por una corriente, no alta, pero suficiente en muchas
aplicaciones.
Valores
Los valores de una fotorresistencia cuando est totalmente iluminada y cuando est
totalmente a oscuras varan, por ejemplo: Puede medir de 50 ohmios a 1000 ohmios
(1K) en iluminacin total y puede ser de 50K (50,000 Ohms) a varios megaohmios
cuando est a oscuras. El LDR es fabricado con materiales de estructura cristalina, y
utiliza sus propiedades fotoconductoras. Los cristales utilizados ms comunes son:
sulfuro de cadmio y seleniuro de cadmio.
Aplicaciones
Hay muchas aplicaciones en las que una fotorresistencia es muy til. En casos en que
la exactitud de los cambios no es importante como en los circuitos: - Luz nocturna de
encendido automtico, que utiliza una fotorresistencia para activar una o ms luces al
llegar la noche. - Rel controlado por luz, donde el estado de iluminacin de la
fotorresistencia, activa o desactiva un Relay (rel), que puede tener un gran nmero
de aplicaciones
Resea histrica
La fotorresistencia surgio como resultado de varios descubrimientos entre los que
cabe destacar la invencin de la resistencia por parte de George Ohm en 1827,
posteriormente fueron investigadas las teoras de Albert Einstein sobre el efecto
fotoelctrico, el cual tuvo como base las teoras anteriormente expuestas por Max
Planck, ambos son considerados los padres de la teora cuantica. Por ltimo
Willoughby Smith descubridor de la fotoconductividad lo que fue clave para que aos
despus, mitad del siglo XX, se crearan y patentaran las primeras fotorresistencias en
EEUU.

Especificaciones

La fotorresistencia, tambin llamada LDR debido a que en terminologa inglesa su

nombre es Light-Dependet resistor, pertenece al grupo de los llamados sensores
fotoelctricos, es decir aquellos que responden al cambio en la intensidad de la luz,
algunos de ellos (no es el caso de la fotorresistencia) llevan incorporados una fuente
luminosa, generalmente la mayora de los sensores fotoelctricos utilizan LEDs
como fuentes de luz.
Resumen
Para resumir todo lo antes expuesto, podemos decir que una fotorresistencia (o
tambin llamado fotorresistor, fotoconductor, clula fotoelctrica) es una resistencia
cualquiera que cambia su valor dependiendo de la cantidad de luz que lo ilumina, en
especial, disminuye cuando aumenta la intensidad de la luz incidente.

Smbolo electrnico

Material de Fabricacin
Los materiales fotosensibles ms utilizados para la fabricacin de las resistencias LDR son, el sulfuro de talio,
el sulfuro de cadmio, el sulfuro de plomo, y el seleniuro de cadmio.

Funcionamiento
Cuando la LDR no est expuesta a radiaciones luminosas los electrones estn firmemente unidos en los
tomos que la conforman pero cuando sobre ella inciden radiaciones luminosas esta energa libera electrones
con lo cual el material se hace ms conductor, y de esta manera disminuye su resistencia.
Las resistencias LDR solamente reducen su resistencia con una radiacin luminosa situada dentro de una
determinada banda de longitudes de onda. Las construidas con sulfuro de cadmio son sensibles a todas las
radiaciones luminosas visibles, las construidas con sulfuro de plomo solamente son sensibles a las
radiaciones infrarrojas.
Valor Ohmico
Si medimos entre sus extremos nos encontraremos que pueden llegar a medir en la oscuridad valores
cercanos al MegaOhm (1M) yexpuestas a la luz mediremos valores en el entorno de los 100 .
Tiempo de respuesta
El tiempo de respuesta tpico de un LDR est en el orden de la dcima de segundo.
Aplicaciones
Se emplean en iluminacin, apagado y encendido de alumbrado (interruptores crepusculares), en alarmas, en
cmaras fotogrficas, en medidores de luz. Las de la gama infrarroja en control de mquinas y procesos de
contage y deteccin de objetos.
Ejemplo de una aplicacion en un circuito.

- Circuito que acciona un rel durante un cierto tiempo cuando una persona o algn objeto en
movimiento se aproxima a un sensor de luz (LDR) o foto-celda de sulfuro de cadmio.