Ejemplo de Reporte

REPORTE DE PRÁCTICA DE LABORATORIO Versión 1
LABORATORIO DE ELECTRÓNICA. ÁREA MECÁNICA ELÉCTRICA, FACULTAD DE INGENIERÍA - UASLP Periodo 2020-2021-I
Comportamiento del diodo y el proceso de

rectificacion
Bravo Carlos,
{A244375}@uaslp.alumnos.edu.mx
Instructor: Lopez Jose
Resumen—En este documento se presenta un informe sobre el

comportamiento del diodo como un semiconductor y el proceso
de rectificacion de media onda y onda completa (secundario con
derivacion o tipo puente) donde las conexiones de dichos circuitos
se realizaron a traves del software online Tinkercad dando como
resultado la modificacion de sus respectivas señales con respecto
al uso del diodo.
Palabras clave—Diodo, Rectificador de media onda, Rectifica-
dor de onda completa, Semiconductor, Tipo P, Tipo N, Curva.
Figura 1. Diodo
I. I NTRODUCCI ÓN
BJETIVO estudiar el comportameinto del diodo median-
O te el diseño de circuitor electricos a traves del Sotfware
Tinkercad y analizar las salidas de las señales a traves de una
esta banda el elemento se comportara como semiconductor y
si la banda prohibida no existe se dice que es un elemento
carga conectada al circuito. conductor.
I-A. Marco teórico Esta unión tiene la propiedad de conducir la corriente
eléctrica en un sólo sentido, similar al comportamiento de una
Antes de comenzar a analizar un circuito con diodos se debe
válvula “check”, la cual deja circular el fluido en una sola
conocer lo siguiente:
dirección. Ası́, cuando el diodo está polarizado directamente,
I-A1. Semiconductor: Es aquel material el cual trabaja
es decir, el potencial positivo aplicado al ánodo, a través de él
como un conductor y con un asilante, es decir, que fluye
circulará la corriente y no lo hará cuando la polarización sea
corriente y al mismo tiempo se opone a la corriente. Existen
inversa.
dos tipos de semiconductores muy utilizados en la electroncia
los cuales son el Ge y el Si.
I-A2. Diodo: Es un elemento electronico no lineal forma-
do por la union de semiconductores tipo P y tipo N.
Tipo N: Es un material el cual se a contaminado con un
exceso de cargas negativas.
Tipo P: Es un material que se a cargado con un exceso
de cargas positivas.
La figura 1 es la representacion del Diodo:
I-A3. Bandas de energia: Es el nivel de energia que
requiere en las orbitas de un elemento para poder dezplazar
un electron a otra orbita u a un atomo distinto. Existen tres
tipos de bandas de energia:
Figura 2. Curva Caracteristica del diodo
Banda de Valencia
Banda Prohibida
Banda de Conduccion
Cuando la banda prohibida de un elemento es muy grande
se dice que el elemento es un aislante, mientras menor sea II. M ATERIAL UTILIZADO Y RESUMEN DE ACTIVIDADES
Las actividades a realizar en la práctica se enlistan a
El presente documento corresponde a un informe de práctica de laboratorio
de Electrónica presentado en la Universidad auntónoma de san luis potosı́ continuación:
durante el periodo 2020-2021-I. Diseñar el circuito rectificador de media onda
Diseñar el circuito rectificador de onda completa con

derivacion central en el secundario
Diseñar el circuito rectificador de onda completa (Tipo
puente)
El material utilizado es El material utilizado es:
4 Diodoa rectificador con tension inversa de 50 V, 1 A
1 Resistencia de 1 kΩ
Transformador 127 V a 12 V monofasico
Osciloscopio
Una manera sencilla de genera el código de una tabla en
latex es utilizando la página: https://www.tablesgenerator.com/
Figura 5. Circuito Modelado
III. D ESARROLLO DE LA PR ÁCTICA

Con ayuda de la siguiente ecuacion:
Primeramente procedimos a construir el circuito de la V max
sigueinte figura: V rms = √ (1)
2
Conociendo que el Vrms=10 V, el voltaje Vmax es:
√
V max = V rms 2 (2)
√
V max = 10 2 = 14,14V (3)
Para calcular el Vcd RMS se tiene la siguiente ecuacion:
V max
V rms = (4)
2
Cuando se rectifica la onda el voltajes visto en las terminales
de la carga pasa de 14.14 V a 13.44 V, esto debido a que hay
una pequeña perdida de tension en el diodo de 0.7 V. por lo
Figura 3. Rectificador de Media Onda tanto:
13,44
V rms = = 6,72V (5)
Al modelar nuestro circuito en Tinkercad, se realizo un 2
cambio en el generador de funciones donde el voltaje de Para calcular el Volatje medio en CD usamos la siguiente
alimentacion la tomamos con 10 V RMS en vez de 12 V ecuacion:
RMS. V max
V prom = (6)
Colocamos dos osciloscopios uno en la fuente y otro en la π
resisetcnia y observamos que el comportamiento de la onda Como Vmax=14.14 V entonces nuestro Vprom seria:
en el generador de funcioens es una onda senosoidal mierntras 13,44V
que en la carga ya siendo rectificado obtendremos la media V prom = = 4,27V (7)
π
onda rectificada:
Para el circuito rectificador de onda completa (derivacion
central) procedemos a construirlo de la siguiente manera como
se muestra en la figura 6:
Figura 4. Circuito Modelado
Colocamos un multimetro en la resistencia R1 y medimos

el voltaje Vcd y nos arrojo un valor de 1.11 V RMS. Figura 6. Rectificador de Onda Completa
Al modelar nuestro circuito en Tinkercad, se realizo un pequeña perdida de tension en el diodo de 0.7 V. por lo tanto:
cambio en el generador de funciones donde usaremos dos
generadores de funcioens cada unos de ellos de 5 V RMS. 7V
V rms = √ = 4,94V (13)
Colocamos dos osciloscopios uno en la fuente y otro en la 2
resisetcnia y observamos que el comportamiento de la onda Para calcular el Volatje medio en CD usamos la siguiente
en el generador de funcioens es una onda senosoidal mierntras ecuacion:
que en la carga ya siendo rectificado obtendremos la onda 2V max
V prom = (14)
completa rectificada: π
Como Vmax=7 V entonces nuestro Vprom seria:
2(7V )
V prom = = 4,45V (15)
π
Para el circuito rectificador de onda completa (tipo puente)
procedemos a construirlo de la siguiente manera como se
muestra en la figura 9:
Figura 7. Rectificador de onda completa (Derivacion Central)
Colocamos un multimetro en la resistencia R2 y medimos

el voltaje Vcd y nos arrojo un valor de 1.09 V RMS como se
muestra en la figura 8.
Figura 9. Rectificador de Onda Completa (Tipo Puente)
Al modelar nuestro circuito en Tinkercad, se realizo un

cambio en el generador de funciones donde usaremos un valor
de 10 V RMS en vez de 12 V RMS.
Colocamos un osciloscopio en la resisetcnia y observamos
que el comportamiento de la onda en la carga ya siendo
rectificado obtendremos la onda completa rectificada como se
muestra en la figura 10:
Figura 8. Medicion de Voltaje en R2
Con ayuda de la siguiente ecuacion:

V max
√
V rms = (8)
2
Conociendo que el Vrms=10 V, el voltaje Vmax es:
√
V max = V rms 2 (9)
√
V max = 10 2 = 14,14V (10)
Pero Vmax es el voltaje de la suma de las fuenetes por lo
tanto el Vmax de una de las fuentes es:
14,14V Figura 10. Rectificador de Onda Completa (Tipo Puente)
V max = = 7,07V (11)
2
La medicion obtenida por el multimetro a traves del simu-
Para calcular el Vcd RMS se tiene la siguiente ecuacion:
lador de la resistencia R3 fue de 2.00 V como se muestra en
V max la figura 11.
V rms = √ (12)
2 Con ayuda de la siguiente ecuacion:
Cuando se rectifica la onda el voltajes visto en las terminales V max
de la carga pasa de 7.07 V a 7 V, esto debido a que hay una V rms = √ (16)
2
IV. C OMPRESION
1. ¿Por qué se dice que un diodo es un elemento no lineal?
Debido a que la caida de potencial electrcio entre sus
terminales y la corriente que circula no guarda una
porporcion directa.
2. ¿Qué es la barrera de potencial?
Es la union de donde se unen los materiales Tipo N y
tipo P.
3. ¿Cuáles son las propiedades de los semiconductores?
Las propiedaes varian dependiendo del material
La banda prohibida de estos materiales es un pe-
queña con respecto a la banda prohibida de los
aislantes.
A bajas temperaturas se comportan como aislantes
A temperaturas altas actua como conductores
Figura 11. Medicion de Voltaje en R3 4. ¿Cómo se puede diferenciar los diodos de germanio y de
silicio?
Una diferencia entre los diodos de Germanio y de Silicio
Conociendo que el Vrms=10 V, el voltaje Vmax es: es el umbral necesario para que el diodo pueda conducir
√ una corriente electrica en el, donde el Silicio tiene un
V max = V rms 2 (17) umbral de 0.7 V y el Germanio de 0.3 V.
5. Mencione qué elementos se usan para el dopado de los
√ materiales p y n de los diodos.
V max = 10 2 = 14,14V (18) Para dopar materiales tipo N son elementos del grupo
V como: Arsenico, Antimonio, Fosforo
Para calcular el Vcd RMS se tiene la siguiente ecuacion: Para dopar materiasles de tipo P serian elementos del
grupo III como: Aluminio, Galio, Indio, Talio.
V max
V rms = √ (19) 6. ¿Qué diodo elegirı́a de la serie 1N400X si tuviese que
2
soportar una tensión inversa repetitiva pico de 700 V?
Cuando se rectifica la onda el voltajes visto en las terminales Se elegiria el Diodo 1N4007 ya que tolera una tension
de la carga pasa de 14.14 V a 13.44 V, esto debido a que hay repetitiva pico de 800 V
una pequeña perdida de tension en el diodo de 0.7 V. por lo 7. ¿Cuál es el circuito duplicador de voltaje?
tanto: Un duplicador de voltaje es aquel que produce el doble de
13,44V tnesion en CD de la que podria producir un rectificador
V rms = √ = 9,5V (20)
2 comun; en el primer semiciclo negativo de la onda
de entrada, el diodo D1 conduce permitiendo el paso
Para calcular el Volatje medio en CD usamos la siguiente de la corriente por el capacitor C1, cargándose a una
ecuacion: tensión igual al máximo valor de tensión de la tensión
2V max
V prom = (21) de entrada.En el siguiente semiciclo de la tensión de
π entrada (semiciclo positivo), el diodo D1 está polarizado
Como Vmax=13.44 V entonces nuestro Vprom seria: en inverso y no conduce. El diodo D2 está polarizado en
directo y la corriente fluye pasando por el capacitor C1,
2(13,44V ) el diodo D2 y el capacitor C2.
V prom = = 8,55V (22)
π 8. ¿Cuáles son las componentes armónicas de corriente en la
carga que se presentan en un rectificador de media onda?
Los resultados se recopilan en la Tabla 1:
Es la componente funamental y los armonicos pares de
la funcion de la serie de Fourier.
Tabla I
M EDICION DE V CA Y V CD
Vca Vca Vcd Vcd

Figura Max RMS RMS Medio V. C ONCLUSIONES
(V) (V) (V) (V)
1.9 14.14 10 6.72 4.27 Se concluye que para poder pasar una señal de CA a CD se
1.10 7.07 5 4.94 4.45 necesita hacer un proceso de rectificacion a traves de una carga
1.11 14.14 10 9.5 8.55 capacitiva y una carga resistiva, pero esta practica estuvo muy
interesante pese a las dificultades de no realizarla de manera
presencial al poder trabajar con un simulador muy proximo a la
realidad (Tinkercad) el cual facilita la visaulizacion del circuito

al momento de construirlo, la pequeña introduccion de los
antecedentes del diodo y del diodo en si ayudo a reforzar los
conocimeintos aprendidos en las clases de teoria ya que es muy
dificil entender la elctroncia desde sus bases, comprendiendo
como es el funcionamiento del diodo es mucho mas facil
entender como se realizan los procesos de rectificacion y
porque se debe a ese efecto y el porque un diodo se comporta
como circuito abierto cuando esta polarizado de manera invesa
y como corto circuito cuando esta polarizado de manera
directa.
R EFERENCIAS
[1] Electroncia, Manual. file:///C:/Users/ivan /Downloads/Manual%
20Electronica%20I.pdf. Recuperado el 02 de Octubre de 2020.
[2] Alldatasheet.com. https://html.alldatasheet.com/html-
pdf/391804/PFS/1N4007/53/1/1N4007.html. Recuperado el 02 de
Octubre del 2020
[3] Overleaf. https://www.overleaf.com/. Recuperado el 02 de Octubre de
2020.
Diodo Zener
Bravo Carlos,
Resumen—En este reporte se presenta un informe sobre el Vz; ası́ mismo existen otros parámetros que indican cuando el
comportamiento del diodo Zener como un semiconductor el cual diodo Zener empieza a conducir, estos son la corriente Izmax
su función principal es ser polarizado de manera inversa en la y la Izmin, ası́ como el ya mencionado Vz, estos parámetros
cual rompa el umbral sin ser quemado el diodo donde uno de
los parámetros para diseñar el diodo Zener son las corrientes los podemos encontrar en la hojas de datos técnicos de cada
máximas y mı́nimas que soportan este elemento. Ası́ mismo se Diodo Zenner.
dará la tarea de la construcción de un circuito regulador Zener La curva caracterı́stica del Diodo Zener es la misma que
en combinación con un rectificador de onda completa. la de un Diodo normal pero con la diferencia que este va
Palabras clave—Diodo Zener, Curva Caracterı́stica, Rectifica- conducir al estar polarizado inversamente, esto se muestra en
dor de Onda completa. la figura 2:
I. I NTRODUCCI ÓN
BJETIVO:estudiar el comportamiento del diodo Zener
O mediante el diseño de circuitos a través del software
Falstad o Multisim Online donde los parámetros a tomar en
cuenta son las corrientes que máximas y mı́nimas tanto en el
Zener como en la carga de salida.
I-A. Marco teórico
Antes de comenzar a analizar un circuito con diodos se debe
conocer lo siguiente:
I-A1. Diodo Zener: El diodo Zener su principal función es Figura 2. Curva caracterı́stica del Diodo Zener
ser polarizado de manera inversa, este diodo también es capaz
de ser polarizado de manera directa rompiendo el umbral de
los 0.7 V en el caso de un diodo de Si. La representación del
diodo se encuentra en la figura 1 II. M ATERIAL UTILIZADO Y RESUMEN DE ACTIVIDADES
continuación:
Diseñar el circuito del diodo regulador de Zener en
combinación con un rectificador de onda completa con
una Imax = 50 mA en la carga antes de entrar al Diodo
Zener.
combinación con un rectificador de onda completa donde
aumentamos la IL en un 150 por ciento.
combinación con un rectificador de onda completa donde
disminuyendo la IL en un 50 por ciento.
Figura 1. Diodo Zener Rediseñar un Circuito con un voltaje de salida Vo= 5V
y una corriente Imax= 1A
Entonces se dice que el Diodo Zener necesita romper un El material utilizado es El material utilizado es:
voltaje negativo para conducir de manera inversa y este voltaje Puente rectificador
es llamado Voltaje Zener (Vz), dondeel voltaje de la fuente 2 Cargas de 470 kΩ
(Vin) que esta alimentado al diodo debe ser igual o mayor al C = 470 µF
DZ = 1N4740
de Electrónica presentado en la Universidad auntónoma de san luis potosı́
Transformador de 127 a 10 VC ARMS
durante el periodo 2020-2021-I.

Primero alimentamos el transformador con una entrada de
120 Vrms a la salida obtendremos un voltaje de 10 Vrms,
por simplicidad en el software de MultisimLive usaremos
solamente una fuente de voltaje de 10 Vrms como se muestra
en la figura 3:
Figura 5. Medicion de la salida rectificada
Figura 6. Medicion de la salida rectificada

Figura 3. Fuente de 10 Vrms
Posteriormente conectamos un puente rectificador como se

muestra en la figura: Sabemos que Rr es:
Vr
Rr = (3)
Ir
Por lo tanto sabemos que Ir es Imax=50 mA por lo tanto Rr

es:
2,74V
Rr = = 54,8ohms (4)
50mA
En el circuito simulado aproxime la resistencia al valor mos-
trado en la figura 6.
En la figura 7 se aprecia que la corrinte de 51.343 mA
Figura 4. Fuente de 10 Vrms se aproxima nuestra corriente de diseño por lo tnato nuestro
diseño es correcto:
A la salida del puente rectificador obtendremos voltaje pico
de Vp=12.74 V esto debido que pierde 2 veces 0.7 V por los
diodos que actúan al polarizarse en un semiciclo.
Al conectar el capacitor de 470 µF se observa que el rizo
de voltaje disminuye haciéndolo muy pequeño con un valor
de Vpp=240 mV y un V rms= 12.1 V como se muestra en la
figura 5. En el simulador Observamos que la medicion de los
parametros son muy parecidos como se muestran en la figura
6
Para calcular el valor de la carga que se conecta enseguida
del capacitor sabemos que a la salida del capacitor, tenemos
que encontrar el Voltaje de la carga Vr para ello tenemos la
siguiente ecuación:
V r = Vc − Vz (1)
Donde Vc=12.74 V y Vz=10 V, con ello sutituimos:
V r = 12,74V − 10V = 2,74V (2) Figura 7. Corriente Ir
Al conectar una carga RL = 940 Ω en paralelo al Diodo Ahora vamos a hacer un incremento de un 150 por ciento
Zener, obtendremos una corriente IL, el cual se calcula con la a la corriente IL , es decir, que la corriente IL nueva seria:
siguiente ecuación:
Vz ILnueva = 1,5IL (7)
IL =
RL
Sustituyendo valores:
Donde Vz= 10 V y RL =940 Ω
ILnueva = 1,5(10,63mA) = 15,95mA (8)
10V
IL = = 10,63mA
940ohms Con este resultado obtendremos los nuevos parámetros de
En la simulación la corriente IL es de 10.561 mA que se RL, Iz y Vo, con sus respectivas ecuaciones
muestra en la figura 8, por lo tanto es similar a la de nuestro Vz
calculo teórico. RLnueva =
IL
Iznueva = Ir − ILnueva (9)
Sustituyendo los valores correspondientes se obtiene:

10V
RLnueva = = 913,24ohms
15,95mA
Iznueva = 50mA − 15,95mA = 34,05mA (10)
La resistencia en el simulador como se ve en la figura 10 la

ajuste para que los parámetros pedidos por el brigadista fueran
similares a los teóricos.
Figura 8. Corriente IL
La corriente en el Zener, Iz se calcula de la siguiente

manera:
Iz = Ir − IL (5)
Donde Ir=50 mA y IL=10.63 mA, sustituyendo los valores:
Iz = 50mA − 10,63mA = 39,37mA (6)

La corriente Iz de 40.481 mA en el simulador que se
muestra en la figura 9 es muy próxima a la corriente calculada
de manera teórica Figura 10. Nueva RL y IL
La corriente IL en el simulador es de 15.817 mA como se

muestra en la figura 10, por lo tanto es muy próxima a nuestros
cálculos teoricos.
La corriente Iz en el simulador es de 36.528 mA como se
cálculos teóricos.
Para el voltaje Vo o el voltaje de salida de la carga RL, este
nunca cambiara debido a que la salida de voltaje la regula el
diodo Zenner de Vz=10 V. Mientras en el simulador el voltaje
de salida es de 9.917 V como se muestra en la figura 12:
Ahora vamos a hacer una disminución de un 50 por ciento
a la corriente IL , es decir, que la corriente IL nueva seria:
Figura 9. Corriente Iz ILnueva = 0,5IL (11)
Figura 13. Nueva RL y IL

Figura 11. Corrinte Iznueva
Figura 12. Voltaje Vo
Figura 14. Corrinte Iznueva

Sustituyendo valores:
ILnueva = 0,5(10,63mA) = 5,32mA (12) Ahora para rediseñar el circuito con un Vo de salida de
5 V y una Imax de 1 A, tome los parámetros de un Diodo
Con este resultado obtendremos los nuevos parámetros de Zener 1N4733 el cual proporciona un voltaje Vz=5.1 V, ası́
RL, Iz y Vo, con sus respectivas ecuaciones mismo aumente la entrada de la fuente de alimentación de
Vz 10 Vrms a 15 Vrms. Reduje el parámetro de capacitancia del
RLnueva =
IL condensador de 470 µF a 100 µF. Con ayuda de la ley de Ohm
calculamos la Rr, donde el Vr es de 7.64 V y con la imax de
Iznueva = Ir − ILnueva (13) 1 A, tendremos que la Rr es de 7.64 Ω.
Simulando el circuito con los parámetros establecidos ob-
Sustituyendo los valores correspondientes se obtiene: tendremos el siguiente circuito con los parámetros preestable-
10V cidos como se muestra en la figura 16:
RLnueva = = 1, 880ohms
5,32mA
Iznueva = 50mA − 5,32mA = 44,68mA (14) IV. C OMPRESION

1. ¿Cuál es la caracterı́stica de un diodo Zener?
La resistencia en el simulador como se ve en la figura 13 la
La principal caracterı́stica del Diodo Zener es que se
ajuste para que los parámetros pedidos por el brigadista fueran
caracteriza por ser un fijador de voltaje y que su conexión
similares a los teóricos.
siempre se hace de manera que sea polarizado de manera
La corriente IL en el simulador es de 5.287 mA como se
inversa.
2. Del diodo Zener utilizado en la práctica ¿cuáles son los
cálculos teoricos.
parámetros importantes de su hoja de caracterı́sticas?
La corriente Iz en el simulador es de 46.547 mA como se
El voltaje Zener de 10 V y la corriente de ruptura o Izmax
de 91 mA.
cálculos teóricos.
3. Investigue el método gráfico para determinar si el diodo
Para el voltaje Vo o el voltaje de salida de la carga RL, este
está en región de polarización inversa.
nunca cambiara debido a que la salida de voltaje la regula el
Se grafica a través de la siguiente ecuación:
diodo Zenner de Vz=10 V. Mientras en el simulador el voltaje qv
de salida es de 9.9396 V como se muestra en la figura 15: i = Is (e kT − 1) (15)
DIODOS VARISTOR
O supresor de transientes, es un dispositivo semi-
conductor utilizado para absorber picos de alto volta-
je desarrollados en las redes de alimentación eléctri-
ca.
V. C ONCLUSIONES
Se concluye que el Diodo Zener es muy importante en el
campo de la electrónica, la practica fue interesante por que
reafirmamos los conceptos vistos en clase pero vistos de una
manera mas practica y concreta ya que este elemento tiene
Figura 15. Voltaje Vo utilidad de permitir diseñar circuitos en los cuales necesitamos
tener un voltaje en CD que sea constante, donde no exista
perdidas en los rizos de voltaje, con este diseño del circuito
regulador del Zener nosotros podemos plantear parámetros
necesarios con ayuda de las hojas técnicas de los diodos y ası́
realizar un circuito eficiente que se entregara a algún cliente
en especı́fico y ası́ nos permite crecer como ingenieros y con
el paso de la experiencia dar un mejor servicio en los trabajos
Figura 16. Circuito Rediseñado a realizar.
R EFERENCIAS
[1] Electroncia, Manual. file:///C:/Users/ivan /Downloads/Manual%
4. ¿Cuál es la caracterı́stica exponencial normal V-I, dada 20Electronica%20I.pdf. Recuperado el 09 de Octubre de 2020.
[2] Alldatasheet.com. https://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-
en polarización directa? pdf/view/73999/MCC/1N4740.html. Recuperado el 09 de Octubre
La caracterı́stica para que el diodo se polarice de manera del 2020
directa es que tiene que romper el umbral de los 0.7 V se [3] Overleaf. https://www.overleaf.com/. Recuperado el 09 de Octubre de
2020.
puede graficar como una recta con pendiente positiva si [4] PDF. http://dea.unsj.edu.ar/ea1/d esp.pdf. Recuperado el 09 de Octubre
ampliamos las unidades de mili a micras la curva se hace de 2020.
mas evidente que observa una curva exponencial dada por [5] MultisimLive. https://www.multisim.com/content/
TS65irBiGoaZgXPzyXcE9Z/circuito-1/open/. Recuperado el 09 de
la relación de V-I. Octubre de 2020
5. Existen otras clases de diodos especiales, anótelos y su
aplicación.
EL DIODO EMISOR DE LUZ (LED)
El LED es un diodo que produce luz visible (o
invisible, infrarroja) cuando se encuentra polarizado.
El voltaje de polarización de un LED varı́a desde
1.8 V hasta 2.5 V, y la corriente necesaria para que
emita la luz va desde 8 mA hasta los 20 mA.
FOTODIODOS
Los fotodiodos. Son diodos sensibles a la luz. Gene-
ran un voltaje de corriente continua proporcional a
la cantidad de luz que incide sobre su superficie, es
decir, son diodos de unión PN cuyas caracterı́sticas
eléctricas dependen de la cantidad de luz que incide
sobre la unión. Se utilizan como medidores y senso-
res de luz y en receptores ópticos de comunicaciones.
DIODOS DE EFECTO TUNEL
Los diodos de efecto túnel. Son dispositivos muy
versátiles que pueden operar como detectores, am-
plificadores y osciladores.
LOS VARACTORES
Son diodos de silicio perfeccionados para operar con
capacitancia variable, que se utilizan como sintoniza-
dores en sistemas de comunicaciones, especialmente
en FM.
Dispositivos optoelectrónicos
Bravo Carlos,
Resumen—En este reporte se presenta un informe sobre el polarización es que el ánodo tiene una patita mas larga, y otra
comportamiento de los dispositivos optoelectrónicos que son manera de ver la polarización es colocar el LED a contraluz
configuraciones iniciales básicas de los diodos en las cuales su y dentro del diodo contiene como una especie de filamentos y
caracterı́stica inicial sin emitir luz a través de ellos, donde los
principales dispositivos y mas comunes son los siguientes: LED, el de mayor tamaño siempre es el Catado, donde contiene la
Display de 7 segmentos y el Optoacoplador. Ası́ mismo se dará la unión PN del semiconductor. El LED se muestra en la figura
tarea de la construcción la conexión tı́pica del LED, del Display 2:
y del Optoacoplador.
Palabras clave—LED, Optoacoplador, Display (7 segmentos),
Diodo.
I. I NTRODUCCI ÓN
BJETIVO: Conocer los elementos que combinan la ópti-
O ca y la electrónica, ası́ como los dispositivos electrónicos
sensibles a la luz para identificar sus caracterı́sticas principales.
La optoelectrónica es la tecnologı́a que combina la óptica Figura 2. LED
con la electrónica, este campo incluye dispositivos basados en
la acción de una unión PN, es decir, los diodos que hemos La caracterı́stica principal del LED es que si aplicamos poca
estudiado su funcionamiento y caracterı́sticas en practicas corriente el LED ilumina poco y si aplicamos más corriente el
pasadas. LED emite con más intensidad, pero también depende de una
Algunos ejemplos de dispositivos optoelectrónicos son: los barrera de potencial la cual debe romper como en el diodo
diodos emisores de luz (LED´s), los fotodiodos, los optoaco- normal su barrera de potencial es de 0.7 V, en el caso de los
pladores, el Display de 7 segmentos, etc. LED’s su barrera depende del tipo de luz que emiten, ya sea,
Antes de comenzar a construir cualquier circuito con dis- roja, azul, amarilla, blanca, etc.
positivos optoelectrónicos debemos conocer los siguientes Otra caracterı́stica para tomar en cuenta es la corriente con
conceptos: la que opera el diodo hay dos conceptos a tomar en cuenta
I-A1. LED: Es prácticamente un diodo, pero con la carac- la corriente máxima continua (es aquella que se mantendrá
terı́stica que este emite luz, por lo cual también es conocido pese al tiempo que se deje conectado el LED, este no se vera
como un diodo emisor de luz, su sı́mbolo se representa en la dañado) y la corriente máxima pico (es la corriente que soporta
figura 1, y al ser un diodo se polariza de manera directa, es el LED en instantes de tiempo menores a un segundo).
decir, va de ánodo a cátodo. Tanto la barrera de potencial y la corriente que soporta el
LED se muestran en la figura 3, ası́ mismo estos datos se
encuentran en las hojas técnicas respectivas de dichos LED’s.
Figura 1. Simbolo LED
Para poder usar el LED de manera correcta debes tomar en

cuenta la polarización, una de las maneras para identificar la

de Electrónica presentado en la Universidad auntónoma de san luis potosı́ Figura 3. LED color
durante el periodo 2020-2021-I.
I-A2. Display de 7 segmentos: Es un dispositivo electróni-

co que se utiliza para representar visualmente números y
algunos caracteres; se le conoce como 7 segmentos por que
cuenta con siete diodos led principales y uno extra para
representar un punto, Los LED’s son rojos es decir que el
voltaje que disipan es de 2 V.
I-A3. Optoacoplador: Un optoacoplador o también co-
nocido como optoaislador es un interruptor que es activado Figura 4. Conexión tı́pica de un LED
mediante una luz infrarroja emitida por un diodo led hacia un
fototransistor o cualquier otro dispositivo capaz de detectar los
infrarrojos. Cuando esta luz es interrumpida o bloqueada por Al suponer que la corriente que circula por el LED y la
algún objeto el circuito se abre actuando como un interruptor Rs es de 10 mA entonces procedemos a despejar la Rs de la
abierto. ecuación anterior y la calculamos.
VS − VD
RS = (2)
I
II. M ATERIAL UTILIZADO Y RESUMEN DE ACTIVIDADES
Las actividades a realizar en la práctica se enlistan a 5V − 2V
RS = = 300ohms (3)
continuación: 10mA
Diseñar la conexión tı́pica del diodo variando la corriente Pero nosotros sabemos que no hay resistencias de 300 Ω
entre los parámetros de 10 mA, 20mA, 5 mA y 1 mA, comerciales ası́ que buscando los valores comerciales encon-
manteniendo el Vs de 5 V y el voltaje del diodo en 2 V tramos que la resistencia más próxima a la de 300 Ω ees la de
y calcular sus respectivas resistencias Rs. 330 Ω, por lo tanto en el simulador colocamos la Rs = 330
Diseñar la conexión tı́pica del diodo variando el Vs Ω y y observamos que la corriente que fluye en la Rs es muy
de entrada entre los parámetros de 3 V, 7 V y 12 V próxima a la de 10 mA.
manteniendo la I de 10 mA y el voltaje del diodo en 2
Como se muestra en la figura 5:
V y calcular sus respectivas resistencias Rs.
Determinar el valor de la corriente I total que circula al
conectar un Display de 7 segmentos con los parámetros
de un Vs de 10 V, un voltaje del diodo de 2 V y una Rs
por cada diodo de 150 y solo despliegue el número 4.
Diseñar el circuito de optoacoplador en el simulador de
nuestra preferencia cuando este esat en circuito abierto y
circuito cerrado
El material utilizado es:
Simulador Tinkercad y Falstad
Fuente de entrada de 0 V a 12 V
LED rojo de 2 V

La conexión tı́pica de un LED es a través de una fuente y
una resistencia (protección) como se muestra en la figura 4. Figura 5. Para Rs de 300 Ohms
La resistencia que aparece en la figura mencionada evita que
la corriente exceda los lı́mites del LED, ası́ mismo la caı́da Ahora vamos a diseñar el circuito con una corriente alimen-
de tensión en la RS evita que alimentemos nuestro LED con tada de 20 mA conservando el Vs de 5 V y el voltaje del LED
la Vs, es decir evitamos que la fuenet de entrada se alimente de 2 V y calculamos la Rs respectiva:
directamente al LED.
Si por ejemplo nuestra Vs es de 5 V y nuestro voltaje en 5V − 2V
RS = = 150ohms (4)
el LED es de 2 V la caı́da que debe generarse en Vs seria de 20mA
3 V y por lo tanto nuestro LED operara con normalidad. Observamos que la nueva Rs es de 150 Ω y este valor si es
Para calcular la corriente que circula tanto por el LED como comercial por lo cual en el simulador agregamos ese valor a
por la resistencia Rs se calcula de la siguiente manera: la resistencia y obtenemos que la I es de 19.5 mA que es un
VS − VD valor próximo a la I que propusimos de 20 mA.
I= (1) El circuito simulado se muestra en la figura 6:
RS
Figura 6. Para Rs de 150 Ohms Figura 8. Para Rs de 3000 Ohms
Tabla I
Ahora vamos a diseñar el circuito con una corriente alimen- M EDICDAS DE R S VARIANDO LA I
tada de 5 mA conservando el Vs de 5 V y el voltaje del LED Corriente (mA) Resistencia (Ω) Resistencia Comercial (Ω)
de 2 V y calculamos la Rs respectiva: 10 300 330
20 150 150
5V − 2V 5 600 680
RS = = 600ohms (5) 1 3000 3300
5mA
Observamos que la nueva Rs es de 600 Ω y este valor no
es comercial por lo cual en el simulador agregamos el valor Para calcular la potencia disipada en la resistencia calculada
de una resistencia de 680 Ω el cual si es un valor comercial nos ayudaremos de la siguiente expresión:
y obtenemos que la I es de 4.54 mA en el simulador que es P = I 2 RS (7)
un valor próximo a la I que propusimos de 5 mA.
El circuito simulado se muestra en la figura 7: Para la Rs = 300 Ω:
P = (10mA2 )(300Ohms) = 30mW (8)
Para la Rs = 150 Ω:
P = (20mA2 )(150Ohms) = 60mW (9)
P = (5mA2 )(600Ohms) = 15mW (10)
P = (1mA2 )(3000Ohms) = 3mW (11)
Los datos obtenidos se adjuntan en la siguiente tabla:
Tabla II
Figura 7. Para Rs de 600 Ohms M EDICION DE P OTENCIA EN R S
Ahora vamos a diseñar el circuito con una corriente alimen- Resistencia (Ω) Potencia (mW)
300 30
tada de 1 mA conservando el Vs de 5 V y el voltaje del LED 150 60
de 2 V y calculamos la Rs respectiva: 600 15
3000 3
5V − 2V
RS = = 3000ohms (6)
1mA Ahora vamos a diseñar el circuito con una Vs de entrada
alimentada de 3 V conservando la corriente I en 10 mA y el
Observamos que la nueva Rs es de 3000 Ω y este valor no
voltaje del LED de 2 V y calculamos Rs respectiva:
es comercial por lo cual en el simulador agregamos el valor
de una resistencia de 3300 Ω el cual si es un valor comercial 3V − 2V
RS = = 100ohms (12)
y obtenemos que la I es de 0.963 mA en el simulador que es 10mA
un valor próximo a la I que propusimos de 1 mA. Observamos que la nueva Rs es de 100 Ω y este valor si es
El circuito simulado se muestra en la figura 8: comercial por lo cual en el simulador agregamos el valor de
Los datos obtenidos se adjuntan en la siguiente tabla: una resistencia de 100 Ω y obtenemos que la I es de 10.1 mA
en el simulador que es un valor próximo a la I que propusimos

de 10 mA.
El circuito simulado se muestra en la figura 9:
Figura 9. Para Rs de 100 Ohms Figura 11. Para Rs de 500 Ohms
Ahora vamos a diseñar el circuito con una Vs de entrada

calcular la potencia disipada en la resistencia calculada nos
alimentada de 7 V conservando la corriente I en 10 mA y el
ayudaremos de la siguiente expresión:
voltaje del LED de 2 V y calculamos Rs respectiva:
7V − 2V P = I 2 RS (15)
RS = = 500ohms (13)
10mA Para la Rs = 100 Ω:
Observamos que la nueva Rs es de 500 Ω y este valor no P = (10mA2 )(100Ohms) = 10mW (16)
es comercial por lo cual en el simulador agregamos el valor
comercial de una resistencia de 470 Ω y obtenemos que la I Para la Rs = 500 Ω:
es de 10.7 mA en el simulador que es un valor próximo a la
P = (10mA2 )(500Ohms) = 50mW (17)
I que propusimos de 10 mA. El circuito simulado se muestra
en la figura 10. Para la Rs = 1000 Ω:
P = (10mA2 )(1000Ohms) = 100mW (18)
Los datos obtenidos se adjuntan en la siguiente tabla:
Tabla IV
M EDICION DE P OTENCIA EN R S
Resistencia (Ω) Potencia (mW)

100 10
500 50
1000 100
Figura 10. Para Rs de 500 Ohms
El próximo circuito para modelar fue el Display de 7 seg-
Ahora vamos a diseñar el circuito con una Vs de entrada mentos, donde los parámetros para el diseño son los siguientes:
alimentada de 12 V conservando la corriente I en 10 mA y el Vs = 10 V
voltaje del LED de 2 V y calculamos Rs respectiva: Rs = 150 Ω
VD = 2 V
12V − 2V
RS = = 1000ohms (14) Nos pedı́an encontrar la corriente I total que suministraba
10mA
la fuente, pero de antemano nosotros sabemos calcular la
Observamos que la nueva Rs es de 1000 Ω y este valor si corriente I en un solo LED, por lo tanto en un solo LED
es comercial por lo cual en el simulador agregamos el valor la I es de:
de una resistencia de 1000 Ω y obtenemos que la I es de 10 VS − VD
I= (19)
mA en el simulador que es el valor de la I que propusimos de RS
10 mA. El circuito simulado se muestra en la figura 11.
10V − 2V
Los datos obtenidos se adjuntan en la siguiente tabla: Para I= = 53,33mA (20)
150Omhs
Tabla III
Como la corriente en uno de los LED es de 53.33 mA, la
M EDICDAS DE R S VARIANDO EL V S corriente total para formar el numero 4 en el Display es
de 4 veces la corriente de ese LED por lo tanto la I total
Voltaje (mA) Resistencia (Ω) Resistencia Comercial (Ω)
3 100 100 es de 213.33 mA; y este resultado lo podemos comparar
7 500 470 con el leı́do en el simulador de Falstad que da de 214.77
12 1000 1000 mA y se muestra en la figura 12. Por último, diseñamos el
Fototriac, formado por un triac a su salida, unos

ejemplos son el MOC3011 o el MOC3021.
6. Mencione aplicaciones que tiene el fotodiodo
Detectores de humo
Detectores de proximidad
Detectores de color
Figura 12. Display de 7 segmentos
V. C ONCLUSIONES
circuito del optoacoplador cuando esta en circuito abierto y Se concluye que los dispositivos optoelectrónicos tienen hoy
circuito cerrado como se muestran en las figuras 13 y 14 mucha relevancia en la aplicación de la electrónica pero lo mas
respectivamente. importante es conocer su funcionamiento básico que la ma-
yorı́a de estos dispositivos son diodos que emiten luz, en esta
practica se aprendió a conocer algunas de las caracterı́sticas
principales de los LED’s para poder hacer conexiones seguras
y no dañar el equipo, a mi perspectiva la practica me gusto
debido a que no tenia en lo absoluto el conocimiento de los
Figura 13. Circuito Abierto del Optoacoplador
parámetros que se necesitan para hacer conexiones seguras
en los LED’s, el Display de segmentos y el optoacoplador,
desconocı́a todo lo referente a estos dispositivos con excepción
de que tenı́a algunos conocimientos del LED básicos.
R EFERENCIAS
[1] Electroncia, Manual.file:///C:/Users/ivan /Downloads/
Figura 14. Circuito Abierto del Optoacoplador Manual20Electronica20I.pdf. Recuperado el 16 de Octubre de 2020.
[2] Tinkercad.https://www.tinkercad.com/things/kmNMDSmPBN4-
smashing-jarv/editel. Recuperado el 16 de Octubre del 2020
[3] Overleaf.https://www.overleaf.com/. Recuperado el 16 de Octubre de
2020.
[4] Ingenieria Mecafenix.https://www.ingmecafenix.com/electronica/
IV. C OMPRESION optoacoplador/. Recuperado el 16 de Octubre de 2020.
[5] Falstad.com.https://www.falstad.com/circuit/circuitjs.html. Recuperado el
1. ¿Cuál es la caı́da tı́pica de voltaje en un LED? 16 de Octubre de 2020
En el LED la caı́da tı́pica del voltaje depende del color
que emita como luz, por ejemplo, el LED rojo emite luz
a 2 V con una corriente máxima continua de 20 mA
2. ¿Qué aplicaciones tiene el LED?
Iluminación de interiores (hogares, comercios, hos-
pitales, etc.)
Linternas en general
Faros de coches
Decoración
Retroiluminación de pantallas TFT de televisores
3. ¿Qué aplicaciones tiene la pantalla o display de 7 seg-
mentos?
Contadores
Relojes de tiempo real
Temporizador
4. ¿Qué aplicaciones tiene el optoacoplador?
Control de alimentación de DC y AC
Aislamiento electrico entre dos circuitos
Conmutación de entrada / salida de microprocesador
Aislamiento de señal
5. Mencione algunos optoacopladores
Fototransistor, algunos de estos son el 4N25 o el
4N35.
Fotodarlington, se trata de un fototransistor, pero en
configuración Darlington.
El transistor bipolar
Bravo Carlos,
Resumen—En este reporte se presenta un informe sobre el I-A2. Transistor BJT: Pero en 1974 un grupo de ingenie-
comportamiento del transistor BJT a través de su curva tı́pica, ros de los laboratorios Bell tras una larga investigación y prue-
ası́ como está constituido el transistor BJT y la direccion que bas con semiconductores dieron a conocer al transistor BJT
tomara la corriente dependiendo del arreglo PN que tenga el
transistor, de igual manera de realizaran una conexión tı́pica que se muestra en la figura 2 y que es considerando el rey de
del transistor llamada Emisor Común en la cual en la terminal la electrónica debido a que diversas referencias bibliográficas
emisor no se encuentra conectada su respectiva resistencia, en se afirma que con este elemento inició la electrónica moderna.
ella se dará la tarea de variar la corriente de la base y con el
respectico voltaje de colector a emisor obtener la gráfica tı́pica
del transistor.
Palabras clave—Transistor, Unión PN, Curva Caracterı́stica,
Amplificador, Polarización.
I. I NTRODUCCI ÓN
BJETIVO: Estudio del funcionamiento de los transisto-
O res bipolares, identificación y obtención de sus curvas
tı́picas, para el mejor entendimiento de estos elementos.
Figura 2. Transistor BJT
El transistor es un componente electrónico constituido por
materiales semiconductores que prácticamente revolucionó to-
Un transistor consiste en un solo cristal semiconductor, es
dos los aparatos electrónicos sin excepción alguna, ya que
decir, que está formado por la unión de tres semiconductores,
gracias a sus pequeñas dimensiones y sus múltiples fun-
en general de germanio o silicio, esto nos da como resultado
cionalidades logró disminuir los tamaños de todo aparato
dos tipos de transistor muy tı́picos: NPN y PNP.
considerablemente.
La representación visual del transistor NPN y PNP se
Antes de comenzar a construir cualquier circuito con el
muestran en la figura 3.
trnasistor BJT debemos conocer los siguientes conceptos:
I-A1. Amplificador: En términos electrónicos es un dispo-
sitivo de aumentar o disminuir la amplitud de una señal, es
decir, que mantendrá la misma señal pero solo aumentara el
tamaño de esa misma señal.
En el pasado la función de amplificar una señal lo hacı́an
los llamados bulbos como se muestra en la figura 1y eran la
base de la electrónica del pasado con la excepción de que se
requieren circuitos más grandes, mas voluminosos y por lo
tanto más caros. Figura 3. Representacion transistor NPN y PNP
El transistor cuando se trata de un NPN la corriente siempre

va de Base a Emisor mientras que en un circuito PNP la
corriente fluye de Emisor a Base como se muestra en la figura
4.En esta misma figura se muestra que el transistor tiene tres
terminales llamadas Base (B), Colector (C) y Emisor (E).
Figura 1. Bulbo La polarización del transistor se da por los efectos de los
diodo en las terminales de BE se polariza de manera directa
provocando una barrera de potencial muy pequeña mientras
de Electrónica presentado en la Universidad auntónoma de san luis potosı́ que en las terminales de BC se polariza de manera inversa
durante el periodo 2020-2021-I. dando lugar a una barrera de potencial grande pero el efecto
Donde β es la constante de amplificación que podemos

encontrar en hojas técnicas que comúnmente en las hojas lo
relacionan como HFE.
Para identificar si el transistor sirve en todas sus terminales
hacer mediante el probador de diodos del multı́metro donde si
obtenemos un voltaje de 0.7 V y que esta polarizado de manera
directa decimos que ahı́ son las terminales del Base Emisor
Figura 4. Simbolo del transistor NPN y PNP o del Base Colector y nosotros observamos ninguna medición
en el multı́metro se dice que son las terminales de Colector
Emisor y por lo tanto se están encontrando los diodos y no
de exceso de cargar hace que se rompa la barrera de potencial habrá flujo de corriente.Y para identificar que terminal es que
en la terminal de Bc y que fluya la corriente del Emisor al terminal siempre hay que ir a la hoja de datos del transistor y
Colector y salga corriente de la Base, este análisis se hizo con ver que terminal es la Base, Colector y Emisor.
la dirección real de la corriente, se muestra que por la Base
Ahora realizaremos en simulación el siguiente circuito don-
llega la corriente y que el flujo será de colector a emisor. este
de estableceremos que el transistor sera un tipo NPN y que la
analissi se observa en la figura 5
corriente IB será de 5 µA con ayuda del potenciómetro y un
VCE de 0.2 V a 8 V; esto se hará con ayuda de de una fuente
variable Vcc, la β para este circuito sera de 230; el circuito
se muestra en la figura 6.
Figura 5. Polarización del Transistor BJT

Las actividades a realizar en la práctica se enlistan a Figura 6. Circuito Emisor común
continuación:
Simular el Circuito Emisor Común planteando como Al modelar el circuito obtendremos las mediciones de la IC
corrientes de Base, IB = 5µA, 10µA, 20µA, 30µA, ob- al ir variando la fuente Vcc para cuando VCE varie desde 0.2
teniendo dichos valores con un potenciómetro antes de V a 8 V. Todos los datos serán compilados en una tabla al
entrar a la terminal de Base y obtener los valores de IC final de realizar todas las simulaciones y el circuito simulado
con respecto a cada VCE . se encuentra en la figura 7:
Simulador Falstad
Fuente de entrada de CD de 5 V
R1 = 1 kΩ
Potenciómetro de 1 kΩ
RB = 100 kΩ
RC = 560 Ω
Fuente variable de CD de 0 V a 10 V (Vcc )
Transistor NPN
Figura 7. Coriente de Base de 5 micro Ampers
Ahora realizaremos en simulación el circuito Emisor comun

III. D ESARROLLO DE LA PR ÁCTICA donde estableceremos que el transistor sera un tipo NPN y que
Las ecuaciones fundamentales para el análisis del transistor la corriente IB será de 10 µA con ayuda del potenciómetro y
son: un VCE de 0.2 V a 8 V; esto se hará con ayuda de una fuente
IB = IC + IE (1) variable Vcc, la β para este circuito sera de 230.
Al modelar el circuito obtendremos las mediciones de la IC
al ir variando la fuente Vcc para cuando VCE varie desde 0.2
IC = βIB (2) V a 8 V. Todos los datos serán compilados en una tabla al
producto de Beta por la corriente de Base al aumentar la fuente

Vcc, es decir, entre mas voltaje estemos alimentando a la Rc
la corriente en Ic se mantendrá casi constante.
Los datos de todas las simulaciones se encuentran en la
siguientes tablas.
Tabla I
TABLA DE RESULTADOS
β = 230 IB = 5 µA IB = 10 µA
VCE (V) IC IC
0 0 0
final de realizar todas las simulaciones y el circuito simulado 0.2 1.05 2.099
se encuentran en la figura 8. 0.4 1.15 2.304
1 1.15 2.304
Ahora continuamos con la simulación el circuito Emisor 2 1.15 2.304
comun donde estableceremos que el transistor sera un tipo 4 1.15 2.304
NPN y que la corriente IB será de 20 µA con ayuda del 6 1.15 2.304
8 1.15 2.304
potenciómetro y un VCE de 0.2 V a 8 V; esto se hará con
ayuda de una fuente variable Vcc, la β para este circuito sera
de 230.
Tabla II
TABLA DE RESULTADOS
β = 230 IB = 20 µA IB = 30 µA
VCE (V) IC IC
0 0 0
0.2 4.201 6.297
0.4 4.635 6.894
1 4.637 6.896
2 4.637 6.896
4 4.637 6.896
6 4.637 6.896
8 4.637 6.896
La siguiente grafica relaciona la IC con respecto al VCE

como se muestra en la figura 11.
V a 8 V. Todos los datos serán compilados en una tabla al
final de realizar todas las simulaciones y el circuito simulado
se encuentran en la figura 9.
Nuevamente simulamos el circuito Emisor comun donde
estableceremos que el transistor sera un tipo NPN y que la
corriente IB será de 30 µA con ayuda del potenciómetro y un
VCE de 0.2 V a 8 V; esto se hará con ayuda de una fuente
variable Vcc, la β para este circuito sera de 230.
Figura 11. IB = 5 µA
La siguiente grafica relaciona la IC con respecto al VCE

como se muestra en la figura 12:

V a 8 V. Todos los datos serán compilados en una tabla al
final de realizar todas las simulaciones y el circuito simulado
se encuentran en la figura 10.
Con ello concluimos que la corriente de Colector no varia
demasiado debido a que se mantiene constante debido al Figura 12. IB = 10 µA
La siguiente grafica relaciona la IC con respecto al VCE Aumenta la sensibilidad del receptor. El amplificador
como se muestra en la figura 13: de RF hace mayor la intensidad de la señal captada
antes de ser acoplada al mezclador o heterodino.
Brinda al receptor una relación señal ruido más
favorable es decir aumenta el nivel de la señal con
el menor ruido posible.
Aumenta la selectividad del receptor. Al colocar un
paso amplificador de RF, se agregan al receptor más
circuitos sintonizados para ejecutar el acoplamiento
con el siguiente paso.
Disminuye la posibilidad de interferencias en la
antena provenientes del amplificador local.
Figura 13. IB = 20 µA 3. ¿Qué consideraciones se toman para la selección de un
transistor de potencia?
La siguiente grafica relaciona la IC con respecto al VCE Disipar una alta potencia
como se muestra en la figura 14: Bajos tiempos de respuesta (ton , toff), para conse-
guir una alta frecuencia de funcionamiento.
Que el efecto avalancha se produzca a un valor
elevado ( VCE máxima elevada)
la corriente y el voltaje que se trabajaran en el
transistor
El encapsulado
4. ¿Qué significa la Beta del transistor?
La β en el transistor es una constante de amplificación, es
decir, que va aumentar la amplitud de la señal de corriente
del Colector con respecto a la corriente de la Base.
Figura 14. IB = 30 µA 5. ¿De qué parámetros depende la polarización de un tran-
sistor?
La ultima grafica relaciona todas la IC como se muestra en Depende principalmente del parámetro de la ruptura de la
la figura 15. barrera de potencial, es decir, de los 0.7 V que necesita un
diodo para poder conducir y estar polarizado de manera
directa y que el transistor funcione y este conectado de
manera correcta.
6. ¿Cómo cambian las curvas caracterı́sticas cuando hay
aumento de temperatura?
Las curvas caracterı́sticas del transistor principalmente
en la corriente del colector aumentarı́an al tener un
incremento en el transistor, pero esto se verı́a reflejado a
que la Rc tendrı́a un mayor consumo de potencia y con
esto podrı́a dañar el transistor.
V. C ONCLUSIONES
Figura 15. IC
Se concluye que el transistor BJT es un dispositivo de
suma importancia hoy en dı́a en la electrónica moderna ya
que debido a esto los podemos encontrar en millones de
IV. C OMPRESION aparatos electrónicos, televisores, laptops, PC’s, señales de
1. ¿Cuáles son los parámetros utilizados en el modelo radio, etc. Pero lo importante es conocer el funcionamiento
resistivo para los transistores de unión bipolar, cómo se del transistor ya que con ello podemos modificar la magnitud
simbolizan y cuál es su significado? de la señal dependiendo si la queremos aumentar o disminuir,
El transistor esta incorporado de una union de semicon- esta practico ayudo a entender que que los parámetros de la
ductores tipo PN las terminales con su respectivo simbolo corriente del colector son asociados con el producto de nuestra
son: la Base (B), el Colector (C) y el Emisor (E). constante de amplificación (Beta) por la misma corriente de la
2. ¿Qué caracterı́sticas posee un transistor de radiofrecuen- Base, es decir, que si modificamos nuestra corriente de Base
cia? se modificara nuestra corriente de Colector.
R EFERENCIAS
Manual20Electronica20I.pdf. Recuperado el 23 de Octubre de 2020.
[2] EcuRed.https://www.ecured.cu/Amplificador de radiofrecuencia en
receptores AM#Caracter.C3.ADsticas de la etapa amplificadora de
radiofrecuencia .28RF.29 Recuperado el 23 de Octubre del 2020
2020.
[4] Panama Hitex.http://panamahitek.com/el-arte-de-escoger-un-buen-transistor/.
Recuperado el 23 de Octubre de 2020.
TRANSISTORES BIPOLARES TRABAJANDO

EN LA REGIÓN ACTIVA
Bravo Carlos,
Resumen—En este reporte se presenta un informe sobre el

comportamiento del transistor BJT a través de su curva tı́pica,
tomando énfasis principalmente en la región lineal del transistor
BJT en la configuración de Emisor Común ( con resistencia en
el Emisor ), ası́ mismo veremos el comportamiento del transistor
BJT en la configuración establecida modelando el circuito en CD
y en CA, ası́ mismo se diseñara este circuito para que en la recta
de carga obtengamos el punto de operación Q a la mitad de la
recta de carga tanto en el modelo de CD y CA.
Palabras clave—Configuración Emisor Común, Región Activa,
Amplificador de señal, Recta de Carga.
I. I NTRODUCCI ÓN
BJETIVO: Conocer las configuraciones de base, colector
O y emisor común ası́ como las caracterı́sticas de amplifi-
cación a pequeña señal en corriente alterna que ofrecen cada Figura 1. Configuracion de Divisor de Voltaje
una de ellas.
El transistor es un componente electrónico constituido por La ecuación del voltaje de Thévenin es la siguiente:
materiales semiconductores que prácticamente revolucionó to- R2
dos los aparatos electrónicos sin excepción alguna, ya que VT H = VCC (1)
R1 + R2
gracias a sus pequeñas dimensiones y sus múltiples fun-
Para determinar la resistencia de Thévenin usamos la ecua-
cionalidades logró disminuir los tamaños de todo aparato
ción siguiente:
considerablemente. R1 R2
Pero su verdadera función es trabajar como un amplificador RT H = (2)
R1 + R2
de señal en corriente alterna (CA), el cual al introducir una
fuente de CA en la entrada de nuestra configuración y pasar Teniendo estas relaciones establecidas la corriente IB se
por la configuración de Emisor Común a la salida obtendremos calcula de la siguiente manera:
una ganancia de voltaje. VT H − VBE
Antes de comenzar a construir cualquier circuito con el IB = (3)
RT H + (β + 1)RE
trnasistor BJT debemos conocer los siguientes conceptos:
I-A1. Amplificador: En términos electrónicos es un dispo- Mientras que la corriente IC se calcula ası́:
sitivo de aumentar o disminuir la amplitud de una señal, es IC = βIB (4)
decir, que mantendrá la misma señal pero solo aumentara el
tamaño de esa misma señal. Para finalizar nos daremos ayuda de la ecuación que implica
La configuración BJT del Emisor Común con divisor de el voltaje VCE que se calcula de la siguiente manera:
voltaje en el análisis de CD se muestra en la figura 1, donde VCE = VCC − IC (RC + RE ) (5)
para determinar el divisor de voltaje no daremos ayuda de
la tarea de los equivalentes de Thévenin, para determinar Con estas ecuaciones nosotros podemos diseñar un punto de
el voltaje de Thévenin y la resistencia de Thévenin que no operación dentro de nuestra recta de carga en la curva tı́pica
ayudaran a encontrar las ecuaciones necesarias para determinar del transistor BJT, donde este punto es llamado el punto de
las corrientes IB y IC . carga Q, donde se puede ir moviendo en esa recta variando
principalmente el voltaje VCE y la corriente IC .
de Electrónica presentado en la Universidad auntónoma de san luis potosı́ Por consiguiente, decimos que si el punto de operación Q
durante el periodo 2020-2021-I. tiene una IC muy grande y un VCE muy bajo decimos que
está muy próximo a la región de saturación mientras que si

nuestro punto de operación Q tiene un IC muy pequeño y un
VCE muy grande decimos que está muy próximo a la región
de corte. Lo ideal y lo correcto para obtener una amplificación
estable el punto de operación Q debe estar a la mitad de la
recta carga.
La recta de carga del transistor BJT se muestra en la figura
2:
Figura 3. Configuración Divisor de Voltaje

Figura 2. Recta de Carga
y CD y obtener los valores establecidos de diseño, establecer

II. M ATERIAL UTILIZADO Y RESUMEN DE ACTIVIDADES los valores de las resistencias correspondientes:
R1 = 1 MΩ
R2 = 270 kΩ
continuación:
RC = 8.2 kΩ
Diseñe el circuito con la configuración de divisor de
RE = 2.2 kΩ
voltaje para que los parámetros de la IC y el VCE
se encuentren a la mitad de la recta de carga, con Primeramente, con ayuda de las ecuaciones establecidas
IC = 409µA y VCE = 4,5. en el marco teórico daré calculo al voltaje de Thévenin
Diseñe el mismo circuito, pero esta vez usando uso de correspondiente:
una fuente de alimentación de CA de 5 mV para observar 270kΩ
como es la ganancia de voltaje a la salida que tendrá el VT H = 9V (6)
1M Ω + 270kΩ
voltaje de salida.
El material utilizado es: VT H = 1,913V (7)
Simulador Falstad
Para calcular la resistencia de Thévenin tenemos que es:
Fuente de entrada de CD de 9 V (Vcc )
R1 = 1 MΩ (1M Ω)(270kΩ)
RT H = (8)
R2 = 220 kΩ 1M Ω + 270kΩ
RC = 10 kΩ
RE = 1 kΩ RT H = 212,6kΩ (9)
Fuente de alimentacion de CA
Transistor NPN Ahora calcularemos la corriente de base que resulto de:
2 Capacitores de 10µF 1,913V − 0,7V
IB = (10)
212,6kΩ + (280 + 1)(2,2kΩ)
III. D ESARROLLO DE LA PR ÁCTICA IB = 1,46µA (11)

Procedemos a armar el circuito que se hizo en la practica Mientras que la corriente de colector resulto con un valor
que es la configuración de divisor de voltaje con los valores del de:
material establecido y obtenemos el siguiente circuito como se IC = (280)(1,46µA) (12)
muestra en la figura 3.
Para mi diseño donde queremos que el punto de operación
Q este a la mitad de la recta de carga en el análisis tanto de CA IC = 408,8µA (13)
Por ultimo se da calculo al voltaje de VCE que dio:
VCE = 9V − 408,8µA(8,2kΩ + 2,2kΩ) (14)
VCE = 4,75V (15)
Con todos estos cálculos aseguramos que el punto de

operación Q estará aproximadamente a la mitad de la recta de
carga, es decir, que al momento de realizar la amplificación
en CA se vera poco ruido en la señal de salida, estará limpia
la señal; lo cual no sucede con el primer análisis que se hizo
en el primer circuito.
El circuito rediseñado se encuentra en la figura 4. Los
resultados obtenidos en el simulador son muy parecidos a los
calculados por ende se argumenta que el circuito se realizó
correctamente.
Figura 6. Señal de entrada y salida
conocimiento teórico sabemos que existirı́a ese desfasamiento.

Se muestran en la figura 6.
Al cambiar la entrada a 100 mV se observa que la señal de
salida se empieza a distorsionar, es decir, que hay demasiada
saturación en la señal por lo cual existirá mucho ruido en ella
como se observa en la figura 7:
Figura 4. Configuración Divisor de Voltaje CD - Rediseñado
Al diseñar este modelo en CA obtenemos el siguiente

circuito que se muestra en la figura 5.
Figura 7. Señal de salida modificada
IV. C OMPRESION
1. ¿Cuáles son los errores más comunes en la construcción
de un circuito amplificador con transistor?
Mal seleccionamiento de la fuente de alimentación
Figura 5. Configuración Divisor de Voltaje CA - Rediseñado de CA
No tomar en cuenta la polarización del transistor
Ası́ mismo tenemos las ondas sinusoidales de la entrada Uso de capacitores de acoplamiento y paso defec-
y salida de los voltajes, donde es muy poco perceptible que tuosos
hay un desfasamiento de 180 grados eléctricos, pero como Evitar el uso de capacitores
Mal seleccionamiento de las resistencias que influ- R EFERENCIAS

yen en la configuración del circuito que servirá como [1] Boylestad, Robert L. Electrónica: Teorı́a de Circuitos y Dispositivos
amplificador Electrónicos. pp 168,267. Recuperado el 06 de Noviembre del 2020.
[2] Tutoriales de Electronica.http://tutorialesdeelectronicabasica.
2. ¿Qué consecuencias trae el diseñar mal un capacitor de blogspot.com/2018/06/amplificador-emisor-comun-y.html#:∼:
paso y de acoplamiento? text=Esto20se20logra20usando20un,de20la20seC3B1al20de20salida.
La principal consecuencia que trae el mal diseño de un Recuperado el 06 de Noviembre del 2020
[3] Overleaf.https://www.overleaf.com/. Recuperado el 06 de Noviembre del
capacitor de paso o de acoplamiento es que no podrá 2020.
filtrar bien la señal de CA a CD, es decir, que habrá [4] Falstad.com.https://www.falstad.com/circuit/. Recuperado el 06 de No-
demasiado ruido en la señal de CD al no poder ser filtrada viembre del 2020.
por los capacitores mal diseñados o defectuosos.
3. ¿En qué criterio se basa la regla de 10:1 para el diseño
de los capacitores de paso y acoplamiento?
Esta relación es importante debido que si utilizamos
capacitores muy grandes estaremos haciendo gastos in-
necesarios ası́ mismo con capacitancias muy grandes se
podrı́a comportar como un circuito abierto pese a que este
trabajando con corriente alterna.
4. Nombre algunas aplicaciones de los amplificadores vistos
en ésta práctica
Amplificador de señal de voltaje
Amplificador de señal de corriente
Amplificador de audio
Amplificador Inversor y No Inversor
5. ¿Cómo se reduce la distorsión en la configuración de
amplificador emisor común?
Esto se logra usando un proceso conocido como polariza-
ción . La polarización es muy importante en el diseño del
amplificador, ya que establece el punto de funcionamiento
correcto del amplificador de transistores, listo para recibir
señales, lo que reduce la distorsión de la señal de salida.
6. Existen más configuraciones del transistor bipolar como
amplificador, anote sus caracterı́sticas.
Configuración Base Común. En esta configuración
las ganancias de voltaje se mantienen, es decir, que
la señal de entrada de voltaje será aproximada a la
de salida
Configuración Darlington. Esta configuración permi-
te obtener un dispositivo que proporciona una gran
ganancia de corriente, tı́picamente del orden de los
miles. Lo cual a su vez permite controlar corrientes
de magnitud importante con corrientes de base muy
pequeñas.
V. C ONCLUSIONES
Se concluye que el ver como se comporta el transistor como
un amplificador de señales es muy impresionante debido que
variar ciertos parámetros resistivos y distintas configuraciones
para el transistor BJT nosotros podemos obtener una gran
ganancia o una pequeña ganancia dependiendo de la aplicación
que vayamos a usar ası́ como debemos evitar errores muy
básicos como conectar con la correcta polarización el transistor
y tener en cuenta el uso de los capacitores para poder eliminar
el ruido que produce la señal de CA y obtener señales de CD
meramente limpias.
TRANSISTORES BIPOLARES EN CORTE Y

SATURACIÓN
Bravo Carlos,

comportamiento del transistor BJT a través de su curva tı́pica,
tomando énfasis en la región lineal, de saturación y de corte
del transistor BJT en la configuración de Emisor Común, ası́
mismo veremos el comportamiento del transistor BJT como un
interruptor y como una compuerta lógica, diseñando circuitos
para la compuerta NOT, AND y OR. Ası́ mismo como la
deducción de las ecuaciones necesarias para que transistor actúa
como un interruptor.
Palabras clave—Transistor, Compuerta Logica, Amplificador,
Interruptor.
Figura 1. Conexión Emisor Común
el Emisor, donde la deducción de la ecuación es la siguiente

I. I NTRODUCCI ÓN en la malla Colector Emisor:
BJETIVO: El estudio del transistor bipolar y sus aplica-
O ciones en la Electrónica.
VCC = VCE + IC RC
Si tuviéramos la configuración con una resistencia en el
(1)
El transistor es un componente electrónico constituido por Emisor la ecuación seria la siguiente:

materiales semiconductores que prácticamente revolucionó to- VCC = VCE + IC RC + IE RE (2)
dos los aparatos electrónicos sin excepción alguna, ya que
gracias a sus pequeñas dimensiones y sus múltiples fun- Donde nosotros sabemos que la IC = αIE , y como
cionalidades logró disminuir los tamaños de todo aparato α =∼ 1 por lo tanto rescribiendo y adjuntando términos en
considerablemente. la ecauciona anterior tenemos que el VCC es:
Conociendo anteriormente todo lo relacionado al transistor
VCC = VCE + IC (RC + RE ) (3)
BJT en la práctica anterior analizaremos las regiones de corte
y saturación de este mismo ası́ como el funcionamiento como Si VBB < 0,7V , la corriente de base IB es cero; y dado
una compuerta lógica que IC = βIB la corriente del colector también es cero.
I-A1. Transistor como interruptor : Una de las formas Suprimiedno el termino IC (RC +RE ) que es cero se encuentra
de utilización del transistor es como un interruptor, para esta la condición de operación del transistor en la región de corte
función debe operarse en el punto de saturación o de corte y es:
no en alguna otra parte de la trayectoria de la lı́nea de carga. VCC = VCE (4)
Cuando un transistor se satura, actúa como un interruptor
cerrado entre colector y emisor. Cuando un transistor está en Por lo tanto, decimos que el transistor BJT esta abierto entre
corte, actúa como un interruptor abierto. el Colector y Emisor.
La configuración para utilizar será la de Emisor común I-A3. Región de saturación: Para la operación de la región
como se muestra en la figura 1: de saturación asumimos que VCE es igual a cero por lo tanto
Mientras que en la región lineal la principal aplicación es suprimimos VCE de la ecuación, en el caso del Emisor Comun
manejar al transistor BJT como un amplificador de señal. y obtenemos los siguiente:
I-A2. Región de corte : Para el análisis tanto de la región VCC = IC RC (5)
de corte como de la región de saturación nos daremos ayuda
a solamente de las ecuaciones que influyen en el Colector y Por lo tanto despejando la IC obtendremos una expresión
nueva donde esta nueva IC será la IC(sat) , y la ecuación seria
El presente documento corresponde a un informe de práctica de laboratorio la siguiente:
de Electrónica presentado en la Universidad auntónoma de san luis potosı́ VCC
durante el periodo 2020-2021-I. IC(sat) = (6)
RC
La corriente de base de saturación se encuentra como:

IC(sat)
IB(sat) = (7)
β
Si la corriente de base es mayor o igual a IB(sat) , el punto
de operación Q está en la parte superior de la lı́nea de carga.
En este caso, el transistor actúa como un interruptor cerrado.
I-A4. Transistor como Compuerta Lógica: La caı́da de
voltaje que provocan las compuertas lógicas con diodos re-
quieren que las repuestas sean amplificadas al utilizar una
serie de compuertas, los transistores pueden ser utilizados
como compuertas, como lo veremos a continuación en los Figura 3. Fuente de entrada encendida
circuitos mostrados correspondiendo éstos a la familia de
lógica resistencia – transistor.
LED rojo de 2V por lo cual diseñamos el circuito y obtuvimos
que la resistencia necesaria para la salida se calcula por medio
de la siguiente ecuación.
VCC − VD − 0,7V
Las actividades a realizar en la práctica se enlistan a RD = (8)
continuación: ID
Realizar el diseño de las compuertas AND y OR donde Sustituyendo los valores correspondientes se obtiene lo si-
se utilizara un transistor BJT tipo NPN, que a la salida guiente:
nos entregue una corriente de 20 mA en el LED rojo de 5V − 2V − 0,7V
RD = = 115Ω (9)
2V. 20mA
El material utilizado es: Ahora sabemos que la corriente de colector se calcula me-
Simulador Falstad diante la relación de beta por cocriente de base por lo tanto
Fuente de entrada de CD de 5 V la corriente de base es:
Potenciómetro de 200 kΩ 20mA
LED Rojo IB = = 74,07µA (10)
270
Fuente de CD de 5 V (Vcc )
En la entrada del circuito se conectara una fuente de 5 V
Transistor NPN
conectada con un potenciómetro de 5kΩ y una resistencia en
paralelo de 5kΩ también, nosotros como diseñadores quere-
mos que el voltaje de VBB sea de 4.5 V vistos en la resistencia
III. D ESARROLLO DE LA PR ÁCTICA de 5kΩ, por lo cual ajustamos nuestro potenciómetro hasta
Primeramente, se diseñó el Circuito de la Compuerta Lógica obtener un valor de 421Ω, el divisor de voltaje se muestra a
de NOT, el cual nos indica que si nuestra fuente de entrada continuación:
esta encendida, es decir, que en la entrada hay un voltaje de Vi R1
VBB = (11)
5 V a la salida habrá un voltaje de 0 V, esto lo podemos R1 + R2
visualizar a través de la adicción de un LED a la salida. Sustituyendo los valores obtenemos lo siguiente:
Cuando la fuente de entrada esta apagada el LED conduce
por lo tanto esta encendido como se muestra en la figura 2: (5V )(5kΩ)
VBB = = 4,5V (12)
5kΩ + 421Ω
Para diseñar resistencia en la base se utiliza la siguiente
expresión:
VBB − VBE
VBB = (13)
IB
Sustituyendo los valores tenemos lo siguiente:
4,5V − 0,7V
VBB = = 10,6kΩ (14)
74,07µA
Al tener ya los valores establecidos para el diseño del
Figura 2. Fuente de entrada apagada circuito AND procedemos a construirlo en el simulador de
Falstad.com y realizamos la conexión correspondiente, en la
La fuente de entrada esta encendida el LED no conduce por figura 4 se muestra la conexión OR cuando esta encendida.
lo tanto no está encendido como se muestra en la figura 3: Ahora apagaremos ambas fuentes y veremos que a la salida
Para diseñar el circuito OR primero nos plantemos que no habrá paso de corriente y el LED no se encenderá como
queremos que a la salida exista una corriente de 20 mA con un se muestra en la figura 5.
Figura 4. Conexión OR encendido

Figura 7. Conexión AND apagado
llevar al transistor a saturación. La saturación suave

no esmuy confiable en la producción en serie por la
variación de β.
Saturación Dura:
Significa que tiene suficiente corriente de base para
saturar el transistor paratodos los valores de β. En
el peor de los casos l de temperatura y corriente,
casi todos lostransistores de silicio de pequeña señal
tienen una β mayor 10. Por lo tanto, una guı́a para
Figura 5. Conexión OR apagado el diseño en saturación dura es tener una corriente
de base aproximadamente igual a la décima parte del
valor de la corriente de saturación de colector.
Para el circuito AND ya no es necesario volver a diseñar
el circuito por que solamente haremos la configuración AND 2. ¿Qué caracterı́sticas operacionales primordiales tienen las
en los transistores y observamos que el circuito cuando ambas compuertas lógicas en base a circuitos integrados?
fuentes están encendidas el LED esta encendido y se demues- Son circuitos electrónicos diseñados para obtener
tra que la conexión es la correcta. resultados booleanos (0,1), los cuales se obtienen de
El cirucito de la compuerta AND se muestra en la figura 6. operaciones lógicas binarias (suma, multiplicación).
La salida estará en estado alto de tal manera que
solo si las dos entradas se encuentran en estado
alto. Por esta razón podemos considerar que es una
multiplicación binaria. (Compuerta AND)
La salida estará en estado alto cuando cualquier
entrada o ambas estén en estado alto. De tal manera
que sea una suma lógica. (Compuerta OR)
3. Mencione las familias en la elaboración de compuertas
lógicas.
Familias bipolares:
RTL, DTL, TTL, ECL, HTL, IIL.
Familias MOS:
PMOS, NMOS, CMOS.
Figura 6. Conexión AND encendido
4. ¿Qué es una tabla de verdad?
Cuando apagamos una fuente de entrda observamos que la Es una tabla que muestra el valor de verdad de una
corriente deja de conducir en el LED por lo tanto a la salida proposición compuesta, para cada combinación de valores
el LED estara apagado como se muestra en la figura 7. de verdad que se pueda asignar a sus componentes.
5. Establezca las caracterı́sticas de entrada y salida para la
IV. C OMPRESION familia lógica resistencia - transistor.
1. Explique la saturación dura y la saturación suave en un El bloque NOR es la base de la familia RTL
transistor. En la entrada cuando tenemos una entrada encendida
Saturación Suave y una apagada a la salida estara apagada.
Significa que el transistor debe saturarse ligeramente, Cuando tenemos ambas entradas encendidas a la
esto es, que la corriente de base sea suficiente para salida se mostrara apagada.
Cuando tenemos ambas entradas apagadas a la salida

estara encendidad
6. ¿Qué presentaciones y tipos de empaque utilizan más
comúnmente los fabricantes de compuertas lógicas de
circuitos integrados?
Pastilla de hilera doble (DIP)
Pastilla pLana
V. C ONCLUSIONES
Se concluye que las regiones de corte y saturación en el
transistor son de utilidad en los circuitos integrados ya que su
comportamiento se basa en el funcionamiento de un interruptor
que operara cuando el transistor cumpla las correspondientes
condiciones establecidas en el marco teórico de la práctica,
con ello también podemos hacer uso del transistor como una
compuerta lógica el cual nos da la función de tener una o
varias entradas y controlar estas a través del transistor cuando
abrirla y cerrarlas dependiendo de las funciones que necesita
el circuito integrado.
R EFERENCIAS
Manual20Electronica20I.pdf. Recuperado el 23 de Octubre de 2020.
[2] Multi language.https://vdocuments.site/explique-la-saturacion-dura-y-la-saturacion-suave-en-un-transistor.
html Recuperado el 30 de Octubre del 2020
2020.
[4] ladelec.com.http://www.ladelec.com/teoria/electronica-digital/
363-familias-logicas-de-circuitos-integrados#:∼:
text=Familias20bipolares3A20RTL2C20DTL2C,
media20escala20de20integraciC3B3n. Recuperado el 30 de Octubre
de 2020.
EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO

Bravo Carlos,
Resumen—En este reporte se presenta un informe sobre el El transistor JFET de igual manera que el BJT tienen
comportamiento del transistor JFET a través de su curva tı́pica, encapsulados y construcciones en diseño similares como se
ası́ como el estudio de las caracterı́sticas y partes que conforman observa en la figura 2.
el transistor de efecto de campo, se vera que la principal
caracterı́stica de un JFET es que es un dispositivo controlado
por una tensión de entrada. De igual manera de dará la tarea de
la construcción de las curvas tı́picas del transistor para observar
su comportamiento con sus respectivos parámetros que influyen
en este dispositivo con ayuda de un simulador para diseñar el
circuito correspondiente.
Palabras clave—Transistor JFET, Drain, Source, Gate, Polari-
zación.
I. I NTRODUCCI ÓN
BJETIVO: Estudio de las caracterı́sticas principales de
O los transistores de efecto de campo.
Figura 2. Transistor JFET
La principal diferencia entre el BJT y el JFET es que el

Otro dispositivo importante dentro de los transistores es el transistor BJT estará controlado por una corriente de entrada
JFET, que es un transistor de Efecto de Campo de Union que IB y esta controla una corriente de salida IC relacionados
de igual manera tiene las mismas aplicaciones que un transistor por el parámetro β mientras que el FET es un transistor que
BJT, las cuales son que funciona como interruptor, como un se controla por un voltaje de entrada como ya se mencionó
amplificador, para controlar motores o cargas que demandan anteriormente que es el voltaje de Compuerta – Fuente VGS
mayor corriente. y este voltaje controlara una corriente de salida ID .
Antes de comenzar a construir cualquier circuito con el Otra caracterı́stica de transistor FET es que tiene una alta
trnasistor JFET debemos conocer los siguientes terminos: impedancia a la entrada, es decir que la corriente que circula
I-A1. Transistor JFET: El JFET actúa como un dispositivo por la compuerta será aproximadamente cero, debido a que
controlado por tensión, ya que una tensión de entrada controla existe una alta resistencia en la terminal de G, por lo tanto, la
una corriente de salida. Este elemento también contiene tres corriente de drenaje ID será muy pequeña.
terminales como lo hace el transistor BJT pero con diferentes I-A2. Funcionamiento: En el caso de un transistor FET
denominaciones que usualmente se designan por D (Drain), S de Canal N, esta principalmente construido de material tipo N
(Source) y G (Gate), este tipo de transistor esta construido por y a sus extremos esta dopado de material tipo P, y como estos
material N o P, que usualmente se llaman transistor de Canal materiales están cargados negativa y positivamente de manera
N o de Canal P. respectiva, por lo tanto, crean regiones de empobrecimiento
La representación de estos dos tipos de transistores se puede en los alrededores del material tipo P.
apreciar en la figura 1. Cuando VGS es igual a cero la corriente de drenaje estará en
función del voltaje VDS , donde si aumentamos VDS aumentara
la corriente ID , pero un fenómeno que ocurre es que si
aumentamos a cantidades muy grandes VGS la región de
empobrecimiento incrementara en su parte superior y por lo
tanto no habrı́a corriente de drenaje, donde este voltaje recibe
el nombre de voltaje de estrangulamiento (pinch-off) VP .
Pero lo que en verdad ocurre en que al seguir aumentado
el voltaje V DS la corriente de drenaje ID será la máxima
Figura 1. Transistor JFET Canal N y Canal P corriente permitida a través de ese canal se que denomina
como IDSS .
de Electrónica presentado en la Universidad auntónoma de san luis potosı́ En la figura 3 se muestra la representación del transistor
durante el periodo 2020-2021-I. FET de canal N.
drenaje máxima o saturación (IDSS ) y el voltaje de pinch-

off (VP ) siempre son parámetros de diseño, es decir, que los
encontraremos en las hojas de datos técnicos del respectivo
transistor JFET.

continuación:
Diseñe el circuito con la configuración de polarización
fija del JFET tomando una variación de voltaje en ambas
entradas; con un voltaje variable de VGS de 0 a – 4 V
y un voltaje VDD de 0 a 30 V para obtener mediciones
variables del voltaje VDS desde 0 a 15 V y obtener sus
respectivas corrientes de drenaje.
Diseñe el mismo circuito, pero esta vez con una fuente
fija de VDD de 15 V y con el mismo VGS variable de 0
a – 4 V con intervalos de 0.5 V.
Simulador Falstad
Figura 3. Representación del JFET Fuente de entrada variable de CD de 0 a -4 V (VGS )
RG = 1 MΩ
RS = 1.5 kΩ
Al encender la fuente de voltaje de VGS con valores negati- Transistor JFET canal N
vos porque ası́ lo establecen las condiciones del transistor FET Fuente variable de 0 a 30 V (VDD )
de canal N, entonces notaremos que la corriente de saturación
se lograra mas rápido, es decir, al aplicar mas voltaje en la
compuerta – fuente la IDSS será menor y aquı́ si entrarı́a el III. D ESARROLLO DE LA PR ÁCTICA
fenómeno donde la corriente se corta, es decir, no hay flujo de Primeramente, nos daremos a la tarea de construir el circuito
ID al llegar a nuestro voltaje de estrangulamiento del transistor en configuración de polarización fija con una fuente de VGS
JFET. = 0 V, colocamos la resistencia RS de 1 MΩ y la resistencia
Ambos casos se muestran en la siguiente figura. Ası́ mismo del drenaje RD = 1.5 kΩ en sus respectivas terminales.
se muestran las dos regiones que tiene el transistor donde la Ası́ mismo se conectó un amperı́metro en la terminal del
parte lineal es la región de saturación y la parte curva es la drenaje y un voltı́metro entre las terminales D y S para medir
región óhmica. la corriente ID y el voltaje VDS .
En la fuente de VDD colocaremos un slider para que
el voltaje varı́e de 0 a 30 V, con este voltaje estaremos
controlando la corriente de drenaje y el voltaje VDS y ası́
obtener las lecturas que son necesarias para la construcción
de las gráficas.
El circuito simulado se muestra en la siguiente figura 5:
Figura 4. Región óhmica y región de saturación del FET
La ecuación fundamental en este análisis para obtener

la corriente de drenaje deseada se deduce con la siguiente
expresión:
VGS 2
ID = IDSS (1 − ) (1)
VP Figura 5. Configuración Polarización Fija
Con esta ecuación podemos calcular nuestra corriente de Esto lo repetiremos variando el voltaje VGS de 0 a -4 V
drenaje en la cual está en función del voltaje VGS que con la misma configuración del circuito anterior y obtener las
nosotros vayamos a necesitar, los parámetros de corriente de lecturas correspondientes y colocarlas en las tablas siguientes:
Tabla I fuente será variable desde 0 a – 4 V con intervalos de 0.5 V.

E NTRADA VGS Y VDD VARIABLE El circuito modelado se encuentra en la figura 7.
ID (mA)
VGS (V )
VDS (V ) 0 -0.5 -1 -1.5 -2
0 0 0 0 0 0
0.5 2.364 2.163 1.832 1.529 1.205
1 4.509 4.105 3.495 2.729 2.119
1.5 6.181 5.495 4.54 3.601 2.666
2 7.631 6.82 5.455 4.227 2.942
2.5 8.623 7.566 6.009 4.44 2.947
3 9.381 8.174 6.281 4.46 2.947
3.5 9.855 8.417 6.286 4.46 2.947
4 10 8.423 6.286 4.46 2.947
4.5 10 8.423 6.286 4.46 2.947
5 10 8.423 6.286 4.46 2.947
7 10 8.423 6.286 4.46 2.947
9 10 8.423 6.286 4.46 2.947 Figura 7. ID respecto a VGS
11 10 8.423 6.286 4.46 2.947
13 10 8.423 6.286 4.46 2.947
15 10 8.423 6.286 4.46 2.947
Tabla III
VARIACION DE VGS
Tabla II
E NTRADA VGS Y VDD VARIABLE VGS (V) ID (mA)
0 8.4
ID (mA) -0.5 8.06
VGS (V ) -1 6.286
VDS (V ) -2.5 -3 -3.5 -4 -1.5 4.46
0 0 0 0 0 -2 2.947
0.5 0.896 0.582 0.264 0.0183 -2.5 1.746
1 1.502 0.852 0.281 0.0184 -3 0.857
1.5 1.729 0.857 0.281 0.0184 -3.5 0.281
2 1.746 0.857 0.281 0.0184 -4 0.0185
2.5 1.746 0.857 0.281 0.0184
3 1.746 0.857 0.281 0.0184 La grafica correspondiente de este circuito es la siguiente.
3.5 1.746 0.857 0.281 0.0184
4 1.746 0.857 0.281 0.0184
4.5 1.746 0.857 0.281 0.0184
5 1.746 0.857 0.281 0.0184
7 1.746 0.857 0.281 0.0184
9 1.746 0.857 0.281 0.0184
11 1.746 0.857 0.281 0.0184
13 1.746 0.857 0.281 0.0184
15 1.746 0.857 0.281 0.0184
Los datos obtenidos se encuentran en las siguientes tablas:

La grafica siguiente corresponde a la variación de los VGS
de 0 a – 4 V como se muestra en la figura 6:
Figura 8. Variacion de ID y VDD fijo
IV. C OMPRESION
1. ¿Cuáles son los parámetros más importantes para la
elección de un JFET?
El voltaje de entrada VGS
Una resistencia de entrada muy grande, mayor a 1
MΩ
Voltaje de estrangulamiento VP
Corriente de Drenaje máxima IDSS
Figura 6. VGS y VDD variables 2. ¿Cómo se obtiene la máxima corriente de drenaje segura
en un JFET?
Para la última simulación se deberá hacer que el voltaje Para determinar las IDSS segura se encuentra en las
VDD sea fijo de 15 V mientras que el voltaje de compuerta - hojas técnicas y por lo general tiene intervalos, es decir,
tiene un rango y también depende de la composición del

transistor ası́ que cada corriente máxima varia respecto a
las especificaciones del transistor JFET.
3. ¿Cuál es el voltaje máximo de drenaje en el que el JFET
se puede operar con seguridad?
Para el voltaje VGS seguro debemos tomar en cuenta que
no debemos sobrepasar el voltaje de estrangulamiento
que este dentro de los parámetros permitidos y que se
encuentre con la polarización correcta.
4. A partir de las gráficas obtenidas. ¿Cuál es el valor de
VP ? y ¿Cuál es el valor de IDSS ?
Para ambas graficas el voltaje de pinch-off es de – 4 V y
la corriente máxima de saturación de drenaje es de 0.018
µA.
5. ¿Cuáles son los parámetros más importantes para la
elección de un MOSFET?
Máxima tensión drenador-fuente
Máxima corriente de drenador
Resistencia en conducción
Tensiones umbral y máximas de puerta
6. Nombre aplicaciones de los MOSFETS
Resistencia controlada por tensión.
Circuitos de conmutación de potencia (HEXFET,
FREDFET, etc).
Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble
puerta.
V. C ONCLUSIONES
Se concluye que los transistores de efecto de campo de
unión son mas comunes en la aplicación de circuitos digitales
debido a que se encuentran reducidos en tamaño, es decir, que
sus dimensiones son mas pequeñas que las de un transistor
BJT, por ello son mas utilizados en el diseño de circuitos
digitales, pero una de sus menores desventajas es que tiene
poca ganancia, debido a que tienen una alta impedancia en la
relación de entrada de la tensión que alimenta este dispositivo.
Estos dispositivos tienen las mismas funciones que los BJT y
se pudo observar en el desarrollo de esta practica solamente
que sus terminales y su relación de señal defiere con los
dispositivos de unión bipolar.
R EFERENCIAS
[1] Boylestad, Robert L. Electrónica: Teorı́a de Circuitos y Dispositivos
Electrónicos. pp 370 - 376. Recuperado el 13 de Noviembre del 2020.
[2] Transistores MOSFET.https://transistoresmosfet.es.tl/Los-Mosfet.htm Re-
cuperado el 06 de Noviembre del 2020
2020.
[4] Falstad.com.https://www.falstad.com/circuit/. Recuperado el 13 de No-
viembre del 2020.
AMPLIFICACIÓN CON EL JFET

Bravo Carlos,
Resumen—En este reporte se presenta un informe sobre

el comportamiento del transistor JFET a través de su curva
tı́pica, especialmente centrado en el análisis del transistor como
un amplificador, se verán las principales configuraciones del
transistor JFET. De igual manera de dará la tarea del diseño de la
configuración de divisor de voltaje, seleccionando los parámetros
necesarios del transistor JFET y los elementos pasivos y activos
que se necesitaran para la construcción de esta configuración
como modelo de amplificación.
Palabras clave—Transistor JFET, Polarización Fija, Autopo-
larización, Configuración por Divisor de Voltaje, Compuerta
Común, Polarización JFET.
Figura 1. Configuración de Polarización Fija
I. I NTRODUCCI ÓN
I-A2. Autopolarización: Esta polarización es mas sencilla
BJETIVO: Conocer las configuraciones del JFET para que la polarización fija ya que en ella solo se necesita una
O ser usado como amplificador, ası́ como los pasos para el
diseño de un circuito amplificador y sus caracterı́sticas.
fuente de entrada en este caso es la VDD y es más usada en
la práctica y sus ecuaciones son las siguientes.
I-A. Marco teórico Para encontrar el voltaje VGS se tiene la siguiente ecuación:
Los amplificadores con transistores de efecto de campo VGS = −ID RS (3)

proporcionan una excelente ganancia de voltaje aunada a la Y para encontrar la corriente de drenaje ID es:
caracterı́stica de una alta impedancia de entrada. Además se 2
trata de configuraciones de bajo consumo de potencia con un VGS
ID = IDSS 1 − (4)
buen rango de frecuencia, tamaño y peso mı́nimos. VP
Se mencionará algunas de las configuraciones para la pola- La representación de la configuración de autopolarización
rización del transistor JFET: se muestra en la figura 2.
I-A1. Polarización Fija: Es la polarización mas sencilla,
pero en la práctica es menos común usarla debido a que
necesita dos fuentes de entrada y sus ecuaciones son las
siguientes.
Para encontrar el voltaje VGS se tiene la siguiente ecuación:
VGS = −VGG (1)
Y para encontrar la corriente de drenaje ID es:

2
VGS
ID = IDSS 1− (2)
VP
La representación de la configuración de polarización fija Figura 2. Configuración de Autopolarización

I-A3. Divisor de Voltaje: Este tipo de polarización tam-
bién es muy común en la practica debido a que tiene mucha
de Electrónica presentado en la Universidad auntónoma de san luis potosı́ estabilidad entre sus arreglos de elementos pasivos (resisten-
durante el periodo 2020-2021-I. cias) de la red que las anteriores configuraciones del transistor
JFET; sus ecuaciones que se emplean en este circuito son las

siguientes.
Daremos uso también del voltaje de Thévenin donde la
ecuación para encontrar el voltaje VG es:
R2
VG = VDD (5)
R1 + R2
Para encontrar el voltaje VGS se tiene la siguiente ecuación:
VGS = VG − ID RS (6)
2
VGS
ID = IDSS 1 − (7)
VP
La representación de la configuración de divisor de voltaje
Figura 4. Configuración de Compuerta Común

Simulador Falstad
Transistor FET 2N5457 Canal N
VP = -6 V
IDSS = 5.0 mA

Primeramente, con ayuda de una hoja técnica proporcionada
Figura 3. Configuración de Divisor de Voltaje
por el profesor en la brigada de electrónica escogı́ que trabajare
I-A4. Compuerta Común: En este circuito se indica que con el transistor JFET 2N5457 y los parámetros de la corriente
la resistencia de la compuerta se es demasiado grande por lo máxima de drenaje y el voltaje de estrangulamiento serı́an los
que la corriente que pasa por la compuerta es muy pequeña y siguientes:
las ecuaciones utilizadas son las siguientes. VP = -6 V
Para encontrar el voltaje VGS se tiene la siguiente ecuación: IDSS = 5.0 mA
La siguiente captura indica los parámetros que seleccione
VGS = VSS − ID RS (8) como se muestran en la figura 5
2
VGS
ID = IDSS 1 − (9)
VP
La representación de la configuración de compuerta común

continuación: Figura 5. Parámetros del transistor JFET
Hacer el diseño de un circuito de configuración de divisor
de voltaje del transistor JFET con los parámetros indica- En el simulador de falstad.com para el diseño del transistor
dos en el material a utilizar para encontrar los parámetros JFET 2N5457 me piden los parámetros de diseño de la tensión
mas adecuados para los elementos resistivos ası́ como la de umbral que seria el voltaje de estrangulamiento de – 6V y
mejor selección de la fuente de alimentación y encontrar el parámetro β que se calcula de la siguiente manera:
los condensadores adecuados para poder llevar el circuito 2IDSS
a una ganancia de voltaje de -2.5. β= (10)
VP2
2(5,0mA) Despejamos de aquı́ a R1

β= = 0,277m (11)
(−6V )2
VDD − VG
Los parámetros se colocan en este apartado como se muestra R1 = R2 (13)
VG
en la figura 6.
Seleccione los siguientes parámetros de diseño:
R2 = 150 kΩ
VDD = 15 V
VG = 2 V
Se procede a realizar el cálculo correspondiente:
15V − 2V
R1 = (150kΩ) (14)
2V
R1 = 975kΩ (15)
Para poder dar diseño de la resistencia de drenaje RD

necesitamos establecer que ganancia queremos que haya a la
salida de nuestra configuración, por consiguiente, establecı́ que
Figura 6. Parámetros del transistor JFET la ganancia de voltaje sea de AV = -2.5.
La ecuación que diseña la ganancia de voltaje está dada por:
Colocamos estos parámetros en el transistor JFET del
simulador y procedemos a realizar una configuración de po- AV = −gm RD (16)
larización fija excluyendo la resistencia de la compuerta y
Donde gm se encuentra como:
colocamos un amperı́metro en la terminal del drenaje ID y
un voltı́metro para obtener el voltaje de VGS . VGS
gm = gmo 1 − (17)
Con estas dos mediciones se planteará el diseño de mi VP
transistor JFET en el punto de operación Q que yo seleccione,
Y done gmo es:
para mi punto de operación se encuentra con los valores
siguientes: 2IDSS
gmo = − (18)
VGS = -1.74 V VP
ID = 2.514 mA Haciendo sustitución en todas las ecuaciones anteriores
Los valores de diseño se observan en la figura 7 y el punto tenemos los siguientes valores:
de operación Q se muestra en la figura 8.
2(5,0mA)
gmo = − = 0,00167 (19)
−6V

−1,74V
gm = (0,00167) 1 − = 0,00119 (20)
−6V
Despejando la resistencia de drenaje de la ecuación de la
ganancia de voltaje obtenemos su valor:
AV
RD = (21)
−gm
Sustituyendo los valores de la ganancia de voltaje y gm
Figura 7. Valores de diseño
−2,5
RD = = 2,1kΩ (22)
−0,00119
Para el diseño del ultimo elemento resistivo nos daremos
ayuda de la siguiente ecuación:
VDD = ID RD + VDS + ID RS (23)

Figura 8. Punto de operación Q seleccionado
De aquı́ despejaremos a la resistencia que se encuentra en
Ahora se dará comienzo a el diseño de los elementos pasivos la terminal de la fuente RS y la determinaremos.
comenzamos con la R1 para determinar este elemento nos
VDD − VDS
daremos uso de ayuda de la ecuación del divisor de voltaje RS = − RD (24)
ID
donde intervienen los elementos de VG , R1 y R2 .
R2 Para el valor del voltaje VDS este voltaje debe de ser VDS ≥
VG = VDD (12) VP por lo tanto el valor que seleccione fue el valor del voltaje
R1 + R2
1
de estrangulamiento que es de – 6 V y usamos los valores que CO = = 6,57µF (32)
ya se habı́an establecido. 2π(20Hz)(0,1)(10kΩ + 2,1kΩ)
En la entrada se colocará una fuente de CA de 400 mV con
15V − 6V
RS = − 2,1kΩ (25) una frecuencia de 100 Hz y se procederá a armar el circuito
2,514mA y se muestra en la figura 10.
RS = 1,48kΩ (26)
Ya con los parámetros establecidos se procede a diseñar
el circuito en el simulador de Falstad.com y por lo tanto
obtenemos el siguiente modelo en CD como se muestra en
la figura 9.
Figura 10. Circuito en CA - Divisor de Voltaje
La siguiente imagen es la señal de entrada de nuestro

circuito modelado en CA con 400 mV y 100 Hz.
Figura 11. Señal de entrada en CA
Y a nuestra salida obtendremos un voltaje de salida de

961.56 mV como se muestra en la figura 12. Al dividir el
Figura 9. Circuito en CD - Divisor de Voltaje voltaje de salida con el de entrada obtenemos una ganancia de
-2.4039 que es muy aproximada a la ganancia que planteamos
Con esta captura de pantalla del circuito simulado en CD de – 2.5.
se observa que los parámetros que tome en el diseño son
muy parecidos a los parámetros que se hizo en los cálculos
anteriores.
Antes de hacer la conexión en CA debemos hacer calculo
de los condensadores de entrada, salida y el condensador que
se encentra en paralelo con la RS . Figura 12. Señal de salida en CA
Los condensadores se calculan con las siguientes expresio-
nes:
1
Ci = (27)
2πf (0,1)Zin
1
CS = (28)
2πf (0,1)RS
1
CO = (29)
2πf (0,1)(RL + RD )
Para estos últimos diseños la Zin es el arreglo paralelo de
R1 y R2 , y en todos los cálculos para los condensadores se Figura 13. Parametros del transistor JFET 2N5457
toma como frecuencia un valor de 20 Hz
Los condensadores se calculan con las siguientes expresio-
nes:
1 IV. C OMPRESION
Ci = = 0,612µF (30)
2π(20Hz)(0,1)(130kΩ) 1. Defina Trasconductancia (gm ).
1 La transconductancia (para la conductancia de transferen-
CS = = 53,77µF (31) cia ), también llamada con poca frecuencia conductancia
2π(20Hz)(0,1)(1,48kΩ)
mutua, es la caracterı́stica eléctrica que relaciona la R EFERENCIAS

corriente a través de la salida de un dispositivo con el [1] Boylestad, Robert L. Electrónica: Teorı́a de Circuitos y Dispositivos
voltaje a través de la entrada de un dispositivo. Electrónicos. pp 413, 417, 422, 426. Recuperado el 20 de Noviembre
2. Mencione las caracterı́sticas y dibuje los circuitos de las del 2020.
[2] Transconductancia.https://es.qaz.wiki/wiki/Transconductance Recuperado
otras configuraciones de amplificación de los JFETs. el 20 de Noviembre del 2020
Las configuraciones y sus caracterı́sticas se muestran en [3] Overleaf.https://www.overleaf.com/. Recuperado el 20 de Noviembre del
el apartado de introducción de este reporte. 2020.
3. ¿Cuáles son las desventajas y ventajas de un amplificador viembre del 2020.
fuente común en comparación a uno de emisor común?
El transistor FET tiene una alta impedancia a la
entrada de la compuerta mientras que el emisor
común no posee esta caracterı́stica.
El transistor FET obtiene una salida de bajo nivel
de ruido mientras que el BJT emisor común posi-
blemente exista mucho ruido.
Ganancias muy pequeñas en comparación con el
BJT.
4. ¿Qué otras aplicaciones tienen los FETs?
Aislador o separador (buffer)
Amplificador de RF
Mezclador
Oscilador
Resistor variable por voltaje
5. ¿Qué otro tipo de transistores de efecto de campo existen?
FET o JFET (Junction Field Effect Transistor)
MOST o MOSFET o IGFET (Metal Oxide Semi-
conductorñ Transistor o Insulated Gate Field Effect
Transistor).
6. ¿Qué diferencias existen entre un circuito amplificador
con transistor bipolar y uno conformado por transistor de
efecto de campo?
La ganancia es el JFET es menor que en el BJT
El JFET tiene una entrada de voltaje que controla
ala corriente de salida y el BJT est controlado por
una corriente de entrada y una de salida
Son mas pequeños en el diseño los JFET que los
BJT
V. C ONCLUSIONES
Se concluye que el para poder realizar cualquier diseño de
algún circuito se debe tener conocimiento previo de como
funcionan los elementos tanto modelados como CD y como
CA y también saber experimentar con simuladores que nos
puedan ayudar a que nuestro diseño se asemeje a lo mas
parecido al diseño planteando de manera teórica y ası́ con-
seguir que se amplifique la señal como paso en este diseño de
la configuración de divisor de voltaje con el transistor JFET
2N5457. La ganancia obtenida en el simulador fue de -2.4,
mientras que la planteada de manera teórica fue de -2.5, es
decir, que en nuestro diseño hubo un margen de un 4
VI. R EFERENCIAS B IBLIOGR ÁFICAS

AMPLIFICADORES OPERACIONALES
Bravo Carlos,

comportamiento del amplificador operacional, las principales
caracterı́sticas que este dispositivo contiene y se darán a conocer
algunas de las configuraciones más comunes del amplificador
operacional. De igual manera de dará la tarea de la construcción
de estas configuraciones del amplificador operacional a través del
simulador de Falstad.com.
Palabras clave—Amplificador No Inversor, Amplificador In-
versor, Sumador.
I. I NTRODUCCI ÓN
Figura 2. Amplificador Operacional
BJETIVO: Identificar las caracterı́sticas principales del
O amplificador operacional, ası́ como las configuraciones
básicas como lo son inversor, no inversor, buffer y sumador. I-A2. Amplificador con Retroalimentación Negativa: El
I-A. Marco teórico uso de la retroalimentación negativa reduce la ganancia. Esta
Los amplificadores operacionales son, dispositivos compac- retroalimentación consiste en tomar parte de la señal de
tos activos y lineales de alta ganancia, diseñados para propor- salida de vuelta a la entrada, con una señal negativa y por
cionar la función de transferencia deseada. Un amplificador consiguiente no obtener una ganancia infinita.
operacional (A.O.) está compuesto por un circuito electrónico Se mencionará algunas de las configuraciones de los am-
que tiene dos entradas y una salida. plificadores y sus respectivas ecuaciones que influyen en la
El diagrama del amplificador se muestra en la figura 1: determinación de los elementos que lo componen:
I-A3. Configuración inversora: El primer circuito lineal
(AOP operando como amplificador) que se analizará es el
amplificador inversor, denominado ası́ por estar desfasada la
señal de salida 180° con relación a la entrada.
La representación de la configuración inversora se muestra
en la figura 3:
Figura 1. Diagrama Amp. Operacional
La salida es la diferencia de las dos entradas multiplicada

por un factor (G) (ganancia): Vout = G·(V (+) – V (−) ).Donde
V (−) es la entrada inversora y el V (+) es la entrada no
inversora, y su caracterı́stica principal es que depende de dos
fuentes de entrada una positiva y una negativa.
I-A1. Caracterı́sticas amplificador ideal:
Ganancia infinita
Alta impedancia de entrada Figura 3. Configuración Inversora
Baja impedancia de salida
Aquı́ se muestra al amplificador operacional en la figura 2: Para el análisis de esta configuración debemos plantear las
corrientes que entran en el nodo de la terminal inversora como:
de Electrónica presentado en la Universidad auntónoma de san luis potosı́
durante el periodo 2020-2021-I. I1 = I2 + I3 (1)
Al realizar por un análisis de nodos obtenemos la siguiente

expresión:
Vin − V − V − − Vo
= + I3 (2)
R1 R2
Y como I3 es cero debido a que al amplificador no entra

corriente y también sabemos que el Vd es igual a cero debido
a que V + es igual a cero y que V + = V − la ecuación se
reduce a la siguiente expresión: Figura 5. Configuración Sumador Inversor
Vin −Vo
= (3)
R1 R2 II. M ATERIAL UTILIZADO Y RESUMEN DE ACTIVIDADES
Rearreglando términos tenemos la siguiente ecuación: Las actividades a realizar en la práctica se enlistan a
continuación:
Vo −R2 Hacer el diseño de los circuitos establecidos en la sección
= (4) de marco teórico con los parámetros indicados que se
Vin R1
encuentran en las tablas del manual de electrónica y
A esa relación de voltajes se le conoce como ganancia por tomar captura solamente de todos los circuitos en CA
lo tanto la expresión encontrada es: para observar el comportamiento del voltaje de entrada
y salida.
−R2
Af = (5) El material utilizado es:
R1
Simulador Falstad
I-A4. Configuración No Inversora: La representación del Amplificador Operacional Ideal
diagrama de la configuración no inversora se muestra en la Vin = 1.5 V
siguiente figura 4: Vin = 1.5 sen ωt

Primeramente, se va a construir la configuración inversora
en el simulador y se obtiene el siguiente resultado.
Figura 4. Configuración No Inversora
Y la ganancia que se obtiene de esta configuración es la Figura 6. Configuración Inversora en CD

siguiente:
Con los datos proporcionados en el manual daremos llenado
R2 a la tabla correspondiente a la configuración inversora y
Af = 1 + (6) obtenemos los siguientes resultados del simulador.
R1
I-A5. Configuración Sumador Inversor: La representación Tabla I

del diagrama de la configuración sumador inversor se muestra C ONFIGURACI ÓN I NVERSORA
en la siguiente figura 5: Vin (V) Frecuencia (Hz) R1 (Ω) R2 (Ω) Vo (V) Af simulado
Y la ganancia que se obtiene de esta configuración es la 1.5 - 470 2..2k -3.191 -2.127
1.5 - 2.2k 2.2k -1.5 -1
siguiente: 1.5 - 2.2k 10k -6.818 -4.545
100 -6.818 -4.545
V1 V2 V3 500 -6.818 -4.545
Vo = −Rf + + (7) 1.5 sen wt 1k 2.2k 10k -6.818 -4.545
R1 R2 R3 10k -6.818 -4.545
100k -6.818 -4.545
La configuración inversora en CA se muestra en la figura Con los datos proporcionados en el manual daremos llenado
7. a la tabla correspondiente a la configuración no inversora y
obtenemos los siguientes resultados del simulador.
Tabla II
C ONFIGURACI ÓN N O I NVERSORA
Vin (V) Frecuencia (Hz) R1 (Ω) R2 (Ω) Vo (V) Af simulado

1.5 - 2.2k 1k 2.182 1.4546
1.5 - 2.2k 2.2k 3 2
100 2.182 1.4546
500 2.182 1.4546
1.5 sen wt 1k 2.2k 1k 2.182 1.4546
10k 2.182 1.4546
100k 2.182 1.4546
1.5 - abierto 1k 1.5 1
Figura 7. Configuración Inversora en CA 1.5 - 2.2k 0 1.5 1
1.5 - abierto 0 1.5 1
Las señales de entrada y salida en CA de la configuración

La configuración no inversora en CA se muestra en la figura
inversora se muestran en la siguiente figura 8, donde la entrada
10.
es la onda de color verde y es la salida la onda de color rojo
como se muestra en la figura 8.
Figura 8. Entrada y Salida en CA

Figura 10. Configuración Inversora en CA
Ahora, se va a construir la configuración no inversora en el

simulador y se obtiene el siguiente resultado en la figura 9. Las señales de entrada y salida en CA de la configuración
inversora se muestran en la siguiente figura 11, donde la
entrada es la onda de color verde y es la salida la onda de
color rojo.
Figura 11. Entrada y Salida en CA
Y por ultimo, se va a construir la configuración sumador

inversor en el simulador y se obtiene el siguiente resultado en
Figura 9. Configuración No Inversora en CD la figura 12.
En esta configuración se espera que el voltaje de salida no

se invierta, es decir, que no sufrirá un desfase de 180 grados
eléctricos y las señales tanto de entrada como de salida se
mantendrán en fase, pero con magnitud distinta.
Además se observa que el voltaje de salida es el doble que
el de entrada es decir que la configuración realizada en el
simulador es correcta y ahora se proseguirá a trabajar con
fuentes de corriente alterna para observar el comportamiento
de las ondas de los voltajes. Figura 12. Configuración Sumador Inversor en CD
V1 (V) V2 (V) V3 (V) Frecuencia (Hz) Vo (V)

Ahora se alimentará una de las fuentes con un voltaje de -5 10 2 - -7
CA de 10 sen ωt y las otras dos serán de -2 y -5 V. Como se 100 -15.026
muestra en la figura 13. 500 -15.026
-2 10 sen wt -5 1k -15.026
10k -15.026
100k -15.026
100 -15.008
500 -15.008
2 Onda
5 sen wt -5 1k -15.008
Cuadrada
10k -15.008
100k -15.008
IV. C OMPRESION
1. ¿En qué año se dio a conocer el amplificador operacional?
Figura 13. Configuración Sumador Inversor 1 fuente de CA y 2 de CD El Sr. George Philbrick, que trabajaba en los Huntington
Engeneering Labs, y a quien se le atribuye su invención,
Y su respectiva salida de voltaje que se muestra en la figura lo introdujo al mercado en el año 1948.
14. 2. ¿En esencia cuál es la función de un amplificador opera-
cional?
Su principal función es amplificar el voltaje con una en-
trada de tipo diferencial para tener una salida amplificada
y con referencia a tierra.
3. Dé el circuito diferenciador básico con un amplificador
operacional.
Las configuraciones mas comunes del amplificador se
encuentran en la sección del marco teórico.
4. ¿Explique las etapas del amplificador operacional?
Figura 14. Voltaje de Salida Sumador Inversor Etapa de entrada diferencial y salida asimétrica -.
Aumenta la ganancia diferencial y adapta los niveles
Ahora se alimentará una de las fuentes con un voltaje de de continua para acoplar la salida a la siguiente
CD de -5 V y las otras dos serán de -2 V onda cuadrada y 5 etapa.
sen ωt V. Como se muestra en la figura 15. Etapa intermedia -. Provee ganancia de potencia y
adapta los niveles de continua. Además, limita el
ancho de banda total del amplificador en ciclo abierto
que garantiza su estabilidad. Suele consistir en un
amplificador en emisor común.
Etapa de salida -. Suele ser un amplificador de
corriente que disminuye la impedancia de salida
para poder alimentar cargas relativamente bajas con
protección contra sobre-corriente.
5. ¿Explique porqué se le conoce como amplificador dife-
rencial?
Figura 15. Configuración Sumador Inversor 2 fuentes de CA y 1 de CD Se le conoce diferencial debido a que realiza una diferen-
cia entre los voltajes de entrada con el que es alimentado
Y su respectiva salida de voltaje que se muestra en la figura el amplificador y a la salida entrega esa deferencia de
16. voltajes como un solo voltaje.
6. ¿Cuál es la ganancia de lazo abierto y cuál es la de lazo
cerrado?
La ganancia de lazo abierto se define como Af = VVoi
En la ganancia de lazo cerrado depende de los
elementos que inciden en la configuración del am-
plificador operacional.
Figura 16. Salida de Voltaje en CA
Con los datos proporcionados en el manual daremos llenado

a la tabla correspondiente a la configuración sumador inversor V. C ONCLUSIONES
y obtenemos los siguientes resultados del simulador. Se concluye que el amplificador operacional es de gran
utilidad ya que este tipo de amplificadores puede amplificar
señales de mayor intensidad, es decir, que puede trabajar

con voltajes mayores a los 400 mV y obtener ganancias
mucho mayores, pero la desventaja de estos dispositivos es
que depende de dos entradas una negativa y una positiva. Con
este tipo de amplificadores especialmente con la configuración
de sumador inversor o no inversor puede darse la integración
para el diseño de los sintetizadores, el cual suma varias señales
de diferentes amplitudes y frecuencias para obtener nuevas
señales y poder producir distintos efectos de sonido.
VI. R EFERENCIAS B IBLIOGR ÁFICAS

R EFERENCIAS
[1] Electronica Unicrom.https://unicrom.com/
historia-amplificador-operacional/ Recuperado el 27 de Noviembre
del 2020
2020.
viembre del 2020.

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REPORTE DE PRÁCTICA DE LABORATORIO Versión 1

Comportamiento del diodo y el proceso de

Resumen—En este documento se presenta un informe sobre el

Diseñar el circuito rectificador de onda completa con

III. D ESARROLLO DE LA PR ÁCTICA

Figura 4. Circuito Modelado

Colocamos un multimetro en la resistencia R1 y medimos

Figura 7. Rectificador de onda completa (Derivacion Central)

Colocamos un multimetro en la resistencia R2 y medimos

Figura 9. Rectificador de Onda Completa (Tipo Puente)

Al modelar nuestro circuito en Tinkercad, se realizo un

Con ayuda de la siguiente ecuacion:

Vca Vca Vcd Vcd

realidad (Tinkercad) el cual facilita la visaulizacion del circuito

III. D ESARROLLO DE LA PR ÁCTICA

Figura 5. Medicion de la salida rectificada

Figura 6. Medicion de la salida rectificada

Posteriormente conectamos un puente rectificador como se

Por lo tanto sabemos que Ir es Imax=50 mA por lo tanto Rr

Iznueva = Ir − ILnueva (9)

Sustituyendo los valores correspondientes se obtiene:

Iznueva = 50mA − 15,95mA = 34,05mA (10)

La resistencia en el simulador como se ve en la figura 10 la

La corriente en el Zener, Iz se calcula de la siguiente

Iz = 50mA − 10,63mA = 39,37mA (6)

La corriente IL en el simulador es de 15.817 mA como se

Figura 13. Nueva RL y IL

Figura 12. Voltaje Vo

Figura 14. Corrinte Iznueva

Iznueva = 50mA − 5,32mA = 44,68mA (14) IV. C OMPRESION

Figura 1. Simbolo LED

Para poder usar el LED de manera correcta debes tomar en

El presente documento corresponde a un informe de práctica de laboratorio

I-A2. Display de 7 segmentos: Es un dispositivo electróni-

III. D ESARROLLO DE LA PR ÁCTICA

Figura 6. Para Rs de 150 Ohms Figura 8. Para Rs de 3000 Ohms

en el simulador que es un valor próximo a la I que propusimos

Figura 9. Para Rs de 100 Ohms Figura 11. Para Rs de 500 Ohms

Ahora vamos a diseñar el circuito con una Vs de entrada

Resistencia (Ω) Potencia (mW)

Fototriac, formado por un triac a su salida, unos

El transistor cuando se trata de un NPN la corriente siempre

Donde β es la constante de amplificación que podemos

Figura 5. Polarización del Transistor BJT

II. M ATERIAL UTILIZADO Y RESUMEN DE ACTIVIDADES

Ahora realizaremos en simulación el circuito Emisor comun

producto de Beta por la corriente de Base al aumentar la fuente

La siguiente grafica relaciona la IC con respecto al VCE

La siguiente grafica relaciona la IC con respecto al VCE

Figura 10. Coriente de Base de 30 micro Ampers

Al modelar el circuito obtendremos las mediciones de la IC

TRANSISTORES BIPOLARES TRABAJANDO

Resumen—En este reporte se presenta un informe sobre el

está muy próximo a la región de saturación mientras que si

Figura 3. Configuración Divisor de Voltaje

y CD y obtener los valores establecidos de diseño, establecer

III. D ESARROLLO DE LA PR ÁCTICA IB = 1,46µA (11)

Por ultimo se da calculo al voltaje de VCE que dio:

VCE = 9V − 408,8µA(8,2kΩ + 2,2kΩ) (14)

VCE = 4,75V (15)

Con todos estos cálculos aseguramos que el punto de

Figura 6. Señal de entrada y salida

conocimiento teórico sabemos que existirı́a ese desfasamiento.