DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

SEMANA 1

PROF. JESUS SOTO CASACHAGUA

BIBLIOGRAFIA

 JUAN F. TIZSA: DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS Y SUS APLICACIONES – UNI.

 A.SEDRA SMITH: DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS Y APLICACIONES DE
SEÑALES.
 JACOB MILLMAN Y CH. HALKIAS: DISPOSITIVOS Y CIRCUITOS
ELECTRÓNICOS.

BANDAS DE ENERGIA

TEORIA ATOMICA

EL ÁTOMO ES LA PARTE MÁS PEQUEÑA E INDIVISIBLE DE LA MATERIA QUE

CONSERVA SUS PROPIEDADES ORIGINALES DE UN MATERIAL.

EL ÁTOMO ESTÁ COMPUESTO POR UNA PARTE CENTRAL LLAMADO NÚCLEO QUE
CONTIENE LOS PROTONES Y NEUTRONES. LOS ELECTRONES ESTÁN AGRUPADOS EN
FORMA DE ORBITAS O BANDAS DE ENERGÍA A SU ALREDEDOR.

LOS PROTONES SON DE CARGA POSITIVA, LOS ELECTRONES DE CARGA NEGATIVA

Y LOS NEUTRONES NO TIENEN CARGA ELÉCTRICA. LOS SEMICONDUCTORES
USADOS EN ELECTRONICA SON EL SILICIO (Si) Y GERMANIO (Ge) Y EL NÚMERO DE
PROTONES ES IGUAL AL NÚMERO DE ELECTRONES DISTRIBUIDOS EN LAS ORBITAS
Y ESTO DETERMINA EL NUMERO ATÓMICO DEL MATERIAL.

ESTRUCTURA ATÓMICA DEL SILICIO

BANDA DE VALENCIA

BANDA DE ENERGÍA

ELECTRÓN DE VALENCIA

NUMERO ATÓMICO 14
ESTRUCTURA ATÓMICA DEL GERMANIO

BANDA DE VALENCIA

BANDA DE ENERGÍA

ELECTRÓN DE VALENCIA

EN LAS BANDAS DE ENERGÍA DE UN SEMICONDUCTOR INTRÍNSICO, CUANTO

MAYOR ES EL RADIO, MENOR SERA LA ENERGÍA DE ATRACCIÓN. EXISTEN
DIVERSAS MANERAS DE DARLE ENERGÍA AL ATOMO PÁRA EXTRAER A UN
ELECTRÓN.Y FORMAR EL LLAMADO ELECTRON LIBRE O ION NEGARTIVO.

GENERALMENTE TENEMOS EN UN SILICIO (SI)

QUE PODEMOS REPRESENTAR

COMO ES DIFÍCIL SACAR UN ELECTRÓN DE LAS BANDAS INFERIORES, SOLO
TRABAJAREMOS CON LA BANDA EXTERNA LA BANDA DE VALENCIA

A 0°K TENEMOS 4e EN LA BANDA DE VALENCIA (BV)

A 300° K (27°C) O MAYORES PASAN A LA BANDA DE CONDUCCIÓN (BC)

EXISTE UNA BANDA LLAMADA “BANDA PROHIBIDA (BANDGAP)” QUE ES LA

DIFERENCIA DE ENERGÍA ENTRE LA PARTE SUPERIOR DE LA BANDA DE VALENCIA
Y LA PARTE INFERIOR DE LA BANDA DE CONDUCCIÓN; ESTOS SE ENCUENTRAN EN
LOS AISLADORES Y SEMICONDUCTORES.

LA CONDUCTIVIDAD ELÉCTRICA DE UN SEMICONDUCTOR INTRINSICO DEPENDE EN

GRAN MEDIDA DE LA ANCHURA DE “GAP”. LOS ÚNICOS PORTADORES ÚTILES PARA
CONDUCIR SON LOS ELECTRONES QUE TIENEN SUFICIENTE ENERGÍA TÉRMICA
PARA PODER SALTAR LA BANDA PROHIBIDA LA CUAL SE DEFINE COMO LA
DIFERENCIA DE ENERGÍA ENTRE LA BANDA DE CONDUCCIÓN Y LA BANDA DE
VALENCIA.
ESTRUCTURAS DE BANDA DE ENERGIA PARA AISLADORES SEMICONDUCTORES
Y CONDUCTORES

LOS SEMICONDUCTORES

ES TODO MATERIAL QUE POSEE UNA CONDUCTIVIDAD ELECTRÓNICA INTERMEDIA

ENTRE LOS CONDUCTORES Y AISLANTES SIENDO LOS MAS USADOS EL SILICIO (Si)
Y EL GERMANIO (Ge)

LA CONDUCTIVIDAD DEL GERMANIO Y SILICIO EN ESTADO PURO ES COMO LA DE

UN AISLANTE, PARA PODER UTILIZARLO SE COMBINAN CON OTRAS SUSTANCIAS
LLAMADOS IMPUREZAS. UNA VEZ MEZCLADOS SE PUEDE MANEJAR SU
INTENSIDAD DE CORRIENTE COMO SE MUESTRA EN LA FIG. SIGUIENTE:

Ii = INTENSIDAD DE CORRIENTE DE ENTRADA

Io = INTENSIDAD DE CORRIENTE DE SALIDA

RL = CARGA

PROPIEDADES ELECTRICAS DE LOS SEMICONDUCTORES

VELOCIDAD
INTERVALO CONDUCTIVIDAD MOVILIDAD
DE LOS
MATERIAL PROHIBIDO ELÉCTRICA DE HUECOS
ELECTRONES
(EV) [(Ω − 𝒎)−𝟏 ] (𝒎𝟐 /𝒗 − 𝒔)
(𝒎𝟐 /𝒗 − 𝒔)

SI 1,11 4x10−4 0,14 0.05

 GE 0,67 2,2 0,38 0,18

SUSTANCIAS SEMICONDUCTORAS

ELECTRONES EN LA
ELEMENTO GRUPO
ÚLTIMA CAPA
Cd II B 2e
Al, Ge, B, IN III A 3e
Si, C, Ge IV A 4e
P, As, Sb, V A 5e
Se, Te(s) VI A 6e