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Desde vatios a kilovatios

"Lseres de diodo de alta potencia se conocen comnmente como sede en el


bar o en base single-emisor", dice Steve Patterson, vicepresidente y director
general de DILAS (Tucson, AZ). "En realidad, existen en un continuo con
emisores individuales en un extremo y bares-tpicamente un centmetro de
ancho o menos, que consta de mltiples emisores en una sola pieza de
semiconductor, por el otro. Los lseres de diodo se montan continuacin, a
cualquier de una variedad de disipadores de calor, la eleccin dependiendo de
las condiciones de funcionamiento y lo ltimo paquete de la barra de lser de
diodo puede ir a ".
DILAS produce barras lser que varan en potencia de salida de los valores de
un dgito a cientos de vatios por bar. Sus longitudes de onda van desde 635 nm
(rojo visible) a ms de 2300 nm y ms all, con elctrico a ptico eficiencia
llegar a ms de 70% en algunos casos, toma nota de Patterson.
Las barras montadas pueden entonces ser empaquetados en arrays que
producen hasta kilovatios de potencia de salida total, si la salida sea un haz de
lser en el espacio libre o acoplados en una fibra ptica. Con este tipo de
capacidades, dice Patterson, "cualquier mercado de la tradicional de bombeo
de lseres de estado slido y fibra, para aplicaciones de diodos directa en la
medicina como la dermatologa o fototerapia, hasta el procesamiento industrial
de materiales como la deposicin de laminados para emergente mercados de
la cinematografa y mejoras en tecnologas avanzadas de imgenes mdicas,
puede dirigirse ".
Patterson seala que ha habido muchas novedades durante el ao pasado: por
ejemplo, mejoras en las salidas rojas y azules visibles para aplicaciones en la
cinematografa y la terapia fotodinmica mdica; sistemas de fibra acoplados a
que la produccin del orden de 10 kW en longitudes de onda que van desde
alrededor de 800 nm a 1000 nm, tpicamente utilizado para todo tipo de
tratamiento de materiales, incluyendo la soldadura; y una unidad desarrollado
para mejorar la formacin de imgenes de resonancia magntica (MRI).
"Todos los aspectos de la tecnologa de diodo lser se expusieron aqu", dice
Patterson. Los desafos incluyen el desarrollo del diseo epitaxia bsica del
lser de diodo, los avances en las rejillas de Bragg volumen que estrechan la
lnea espectral del lser de diodo a un rango que es til para la aplicacin
particular, diseo paquete personalizado que permite tunability de la lnea
espectral emitida desde el mdulo, y la ptica personalizados que forman el
haz de salida a una forma precisa tambin exigido por la aplicacin.
Patterson proporciona fondo en el mdulo de MRI (vase la Fig. 1), explicando
que permite la hiperpolarizacin de un istopo particular de xenn usando un
proceso llamado intercambio de espn de bombeo ptico; la longitud de onda
espectral estrecha y precisa de circularmente luz lser polarizada desde el
mdulo excita los electrones de rubidio dentro de una celda de gas. El uso de

gas hiperpolarizado en MRI permite la observacin de los procesos corporales


de otra manera inaccesibles, tales como la funcin pulmonar y profusin de
sangre en el cerebro. El mdulo en s emite 200 W de luz polarizada
circularmente a una longitud de onda de 794,7 nm y una anchura de lnea de
<0,3 nm; el haz de aislamiento ptico es tolerante al 100% retrorreflexin.

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