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Prctica 1
Equipo 1
Cadena Daniel, Noveron Roberto, Salgado Fernando
En esta prctica se van a caracterizar los
distintos tipos de dispositivos empleados
como detectores de luz y se van a poner
en prctica algunas de sus aplicaciones.
El correcto desarrollo de la prctica se
debe comprobar a travs de las hojas de
especificaciones de los componentes.
El comportamiento de los dispositivos
detectores de luz se basa en la respuesta
de stos cuando incide radiacin sobre el
material
semiconductor
que
los
constituye. Al incidir esta radiacin, los
electrones de la banda de valencia del
semiconductor
adquieren
suficiente
energa para poder ser excitados hacia la
banda de conduccin, superando el gap de
energa que existe entre las dos bandas.
De esa forma se genera un hueco en la
banda de valencia y un electrn en la
banda de conduccin. Para que esto
ocurra la energa del fotn debe ser mayor
o igual a la energa del gap. La respuesta
espectral, mxima longitud de onda que el
semiconductor puede absorber, depender
del gap de energa y como el gap es
distinto para cada semiconductor,
dependiendo del material semiconductor
utilizado, se absorber una radiacin u
otra.
Objetivo.
Analizar el comportamiento de la
fotorresistencia.
Implementar la fotorresistencia para
activar tres indicadores (leds) a tres
diferentes niveles de luz.
Lista de Materiales.
Un foco o lmpara (de preferencia
de halgeno)
Un tubo o caja de cartn
Luxmetro
Resistencias de varios valores y
potencimetros de hasta 50 K
3 TL084
Un LDR o fotorresistencia
Fuente de alimentacin
2 Multmetros
Procedimiento.
Fotorresistencia
4. Representar grficamente y en
escala logartmica la curva de
resistencia en funcin de la
iluminacin (lux).
5. Montar el circuito de la figura 3,
en donde Vin=15V, RL=1k5,y
Rc=LDR, y medir Vout, VRc,
calcular Rc (de acuerdo a los
valores de voltaje medidos) con
variaciones dadas en la tabla 1.
3. Comprobar la histresis
LDR(tomar tres medidas)
del
Clculos.
Para el paso nmero 5 se realizaron los
siguientes clculos.
Calculamos Rc por divisor de
voltaje:
V Rc =
V RC
R L + RC
100
4.64K
150
3.72K
200
3.07K
250
2.714 K
300
2.4K
350
2.2K
400
2.019 K
500
1.92 K
600
1.9 K
700
1.81 K
800
1.68 K
900
1.61 K
1000
1.53 K
______158200_____
mnima resistencia
_
____212____
Tabla 1: Registro de las mediciones de
Iluminacin con respecto a la variacin
de resistencia del LDR.
Despejamos RC
V Rc R L + V Rc RC =V RC
V Rc R L =V RC V Rc RC
V Rc R L =RC (V V Rc )
V Rc R L
=R C
(V V Rc )
Simulacin.
Se muestra a continuacin el circuito
empleado simulndolo en Multisim
11.0 con fines de revisar el
comportamiento de nuestro circuito
idealmente.
Figura 1
Resultados.
Paso 1:
Paso 2:
Iluminacin (Klux)
50
Resistencia
7.64K
Figura 2
Figura 3
Figura 7
Figura 4
Figura 8
Figura 5
Figura 9
Figura 6
Figura 10
Paso 3:
Iluminacin
V. Inicial
2 Valor
150
3.72K
3.3 K
600
1.9 K
2K
700
1.81K
1.74 K
Tabla 2: Comprobacin de la histresis
en 3 valores:
Paso 4:
Paso 5:
RC
Iluminacin
VRC
VRL
(Klux)
200
10.72
4.31
3.7 k
300
9.57
5.42
3.1 k
400
9.2
5.8
2.37 k
500
8.74
5.59
2.09 k
600
8.52
6.48
1.97 k
700
8.34
6.65
1.87 k
800
8.12
6.87
1.77 k
900
7.93
7.1
1.68 k
1000
7.62
7.33
1.55 k
Tabla 3: Obtencin de VRC, VRL y Rc.
Paso 6:
Paso 7:
Lux
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
Vout/Vin
0.4020
0.5664
0.63
0.6396
0.7606
0.797
0.846
0.895
0.9619
RL/RC
0.4054
0.4839
0.6329
0.7177
0.7614
0.8021
0.8474
0.8928
0.9677
Comparacin y Anlisis.
Daniel Alberto Cadena Diaz:
Bibliografa
http://www.ecured.cu/index.php/F
otorresistencia
http://ingeniatic.euitt.upm.es/inde
x.php/tecnologias/item/500lrdfotorresistencia