ELECTRO-OPTICA

1. DESCRIPCIN FENOMENOLGICA
2. MECANISMOS MICROSCPICOS
3. MEDIDA DE COEFICIENTES ELECTRO-PTICOS
4. MATERIALES ELECTRO-PTICOS
5. DISPOSITIVOS Y APLICACIONES

Friedrich Carl Alwin Pockels

(1865-1913)

1.

DESCRIPCIN FENOMENOLGICA

EFECTO ELECRO-PTICO

Cambio inducido por un campo elctrico

en el tensor de ndices:

Material transparente

Luz

E
[ 1]ij;(1/n2)ij ;ij
Tensor de ndices

+ij

ij = rijkEk + sijklEkEl
efecto lineal o

efecto cuadrtico o

Pockels

Kerr

COEFICIENTES ELECTRO-PTICOS
(Pockels) componentes tensor rijk ~ 10 pm/V

n ~ 105
E ~ 106 V/m

(Kerr) componentes tensor sijkl ~ 103 pm2/V2

Materiales centrosimtricos:
(istropos: lquidos, gases, amorfos)

rijk ; 0

n ~ 109

EFECTO ELECRO-PTICO LINEAL (POCKELS)

dominante en materiales no centrosimtricos

1
2 = ij = rijk E k
n ij
tensor de ndice simtrico

ij = ji

notacin contraida:
111 23,324
222 13,315
333 12,216

i = rij E j

coeficiente libre (presin cte)

rijkT

coef. anclado (volumen cte)

rijkS

rijkT = rijkS + pijkl Dkl

tensor elastoptico
tensor de deformacin local

1 r11

2 r21
r
3 = 31
4 r41

r51
r
6 61

r12
r22
r32
r42
r52
r62

r13

r23
E1
r33
E2
r43
E3
r53
r63

la estructura
cristalogrfica
determina las
componentes
no nulas e
independientes!

Tensores Pockels para algunas estructuras cristalinas

Axial (43m)

0
0

r14

0
0

0
0
0
0
r14
0

Tetragonal (4mm)

Tetragonal (42m)

0
0

r14

0
0

0
0

0
r14

GaAs, InP, CdTe, ZnS,

0
0
r14
0

0
0

0
r63

0
0

r51
0

KH2PO2 (KDP)

Trigonal (3m)

0
0

r51
r
22

0
0

r22
r22
0
r51
0
0

r13

r13
r33

0
0

-BaB2O3 (BBO), LiNbO3,

LiTaO3

0
0
0
r51
0
0

r13

r13
r33

0
0

BaTiO3, Li2B4O7,
Sr0.6Ba0.4Nb2O6 (SBN)

Ortorrmbica (mm2)

0
0

r51
0

0
0
0
r42
0
0

r13

r23
r33

0
0

LiB3O5 (LBO), KTP, KNbO3

EFECTO ELECRO-PTICO CUADRTICO (KERR)

materiales centrosimtricos

1
2 = ij = sijkl Ek El
n ij
simetria sijkl:

ij = ji kl = lk

1 s11

2 s21
s
3 = 31
4 s41

5 s51
s
6 61

contraccin de ndices

s12

s13

s14

s15

s 22
s32

s 23
s33

s 24
s34

s 25
s35

s 42
s52
s62

s 43
s53
s63

s 44
s54
s64

s 45
s55
s65

s16 E12

s 26 E 22
s36 E32

s 46 2 E 2 E3

s56 2 E1 E3
s66 2 E1 E 2

diferente estructura para cada grupo cristalogrfico

Tensor Kerr para medios istropos (gases, lquidos o slidos)

s11

s12
s
sij = 12
0

0
0

s12
s11
s12
0
0

s12
s12
s11
0
0

0
0
0
s11 s12
0

0
0
0
0
s11 s12

s11 s12
0
0
0
0
0

E || Z

1
1
2

=
s
E
11
ne2 n 2

1 = 2 =

X
1
2
n
ij = 0

1
ne n n 3 s11 E 2
2

1
1

= s12 E 2
2
2
no n

1
no n n 3 s12 E 2
2

ne< no n

ne

EkEl = (0, 0, E32, 0, 0, 0)

3 =

0
1
n2

n2

X
1
2
no

ij = 0

no Y
0
1
no2
0

1
ne2

Birrefringencia inducida
1
n = ne no = n 3 ( s11 s12 ) E 2 = BE 2
2

Constante Kerr

n 3 s 44
B=
2

Onda monocromtica plana en medio electro-ptico lineal

Ejemplo: KDP
unixico, 42m
A) Diagonalizacin del tensor de ndices pertubado

E=0
1
2
no

0
1
no2
0

eje tetragonal Z

E= (0, 0, E)
1
2
no

r63 E

1
ne2

autovalores

1
no2
0

1
ne2

1
1
=
+ r63 E
n1 2 no2

2 =

1
1
= 2 r63 E
2
n2
no
1
1
= 2
2
n3
ne

r33E!1

E
Y
Y
X

X
eje binario

2
1
1

2 r632 E 2 2 = 0

no
ne

1 =

3 ==

r63 E

0 0 0

0
0
0

0 0 0

r41 0 0

0 r41 0
0 0 r
63

autovectores
1
n1 = no no3 r63 E
2
1
n2 = no + no3 r63 E
2
n3 = ne

ndices de refraccin

1
2 [Vm ] j = m [Vm ]i
n ij

r
V1 [1, 1, 0]
r
V2 [1, 1, 0]
r
V3 [0, 0, 1]

cristal bixico

eje X
eje Y
eje Z

B1) Propagacin: configuracin longitudinal

1
n1 = no n 3 r63 E
2
Polarizador

I0

I ( ) = I 0sen

E
l

Analizador
detector

1
n1 = no + n 3 r63 E
2

desfase inducido por voltaje V=El

(V ) =

(n1 n2 )l =

no3 r63V =

V
V

proporcional V e independiente de l!

voltaje de media onda

V =

0
3
o 63

2n r

(longitudinal)

[8.5 kV, para 633 nm]

B2) Propagacin: configuracin transversal

n3 = ne

I0

Polarizador

Z
l

I ( ) = I 0sen2

Analizador

( 0 + V )
2

detector

d
X
n1 = no

1 3
n r63 E
2

Birrefringencia natural
desfase

(n3 n1 )l =

2l
1 3 V
(
)

+
n
n
no r63
o
e
0
2
d

2l
(ne no ) + V
=
V
0

V =

0 d
3
o 63

n r l

(transversal)

V,trans/V,long = 2d/l

Onda monocromtica plana en medio Kerr istropo

cambio polarizacin incidente

configuracin transversal

Desfase inducido

Voltaje de media onda V

(ne no )l = 2BE 2l

V =

Intensidad detector

I = I 0 sen 2 BE 2 l

d
2 Bl

2.

MECANISMOS MICROSCPICOS

MECANISMOS MICROSCOPICOS
A) Deformacin anarmnica de la rbita e- por el campo E

dP
= f (E)
dE

momento dipolar
inducido

E
E

P (E) = 1E + 2E2 + 3E3 +

Origen: Efecto Stark (cuntico)

E

"0

"

ndice de refraccin
(armnico)

e (rbita e) ~ 1015 s; clculo r difcil

e
ij ,

Pockels

Kerr

(anarmnicos)

MECANISMOS MICROSCOPICOS
(indirectos)

B) Cambio de polarizabilidad por reorientacin de molculas muy anistropas

E

P
dominante en cristales lquidos

E = 0: luz pasa

m (rotacin molec.) ~ 103 s

Polarizacin de la luz
gira segn la hlice y
atraviesa 2 Polarizador

E 0: luz no pasa

MECANISMOS MICROSCOPICOS
(indirectos)

C) En slidos dielctricos:
cambio de polarizabilidad por cambios de separacin entre

iones celda (modos pticos)

Importante en ferroeltricos (LiNbO3,

BaTiO3, KNbO3)
ra , ro ~ 10 re
a ~

10 6

s ; o ~

10 12 s

En resonancias, ~ 2 / , dispersin
(como el ndice de refraccin)
Superada una res, esa contribucin a r
desaparece

Coeficiente electroptico

(modos acsticos) celdas

rijT

fonones acsticos

ra
fonones pticos

rijS

ro
electrones e

re

104

108

1012

rij

Hz

3.

MEDIDA DE COEFICIENTES
ELECTRO-PTICOS

MEDIDA DE COEFICIENTES ELECTROOPTICOS

Se basan en convertir variaciones de fase

eo =

lneo =

ln 3 rV
0 d

V
V

en variaciones de intensidad I

1
V
I (V ) = I 0 sen (0) +
2
V
2

I/I0

0.5

1
I I 0 sen 0 eo
2

METODOS DE MEDIDA

Mach-Zehnder

1. Mtodos interferomtricos:
cristal en un brazo del interfermetro

I0
V

2. Mtodos polarimtricos:

I0

cristal entre polarizadores cruzados

I
V

3. Mtodos elipsomtricos:
(frecuentemente en reflectividad)

Determinacin de los
parmetros de la elipse de polarizacin

Mtodo interferomtrico Mach-Zehnder

Ventaja: mayor precisin por lo crtico del ajuste

I
Configuracin cristal volmico

I0

I0

Configuracin gua de onda

4.

MATERIALES ELECTRO-PTICOS

MATERIALES ELECTROOPTICOS POCKELS

INORGNICOS
SEMICONDUCTORES

CRISTALES DIELCTRICOS

apropiados infrarrojo, ptica integrada

III-V: GaAs, InP, GaP.
II-VI: CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS.
Otros: AgGaS2, ZnGeP2.

amplio rango de transparencia, altos

coeficientes, alta calidad ptica, posibilidad
guas de onda
Ferroelctricos: H2KPO4 (KDP), LiNbO3,
LiTaO3, BaTiO3, KNbO3, KTiOPO4 (KTP),
SrxBa1-xNB2O6 (SBN), Ba2NaNb5O15
(BNN).

CERMICAS
TRANSPARENTES

No-ferroelctricos: Bi12SiO20 (BSO),

Bi12GeO20 (BGO), Bi12TiO20 (BTO),
Bi4Ge3O12, -BaB2O4 (BBO).

coeficientes comparables dilctricos,

respuesta < 10-12 s

fabricacin barata, amplio rango tamaos y

formas, orientacin controlada eje ptico
PLZT Pb1-xLax(ZryTi1-y)O3: PZLT (12/40/60)
BLN-PZT Ba(La.5Nb.5)O3-Pb(ZryTi1-y)O3:
BLN-PZT (9/50/50)

ORGNICOS

Derivados de la paranitroanilina
H2N
(donor)

NO2
(aceptor)

metanitroanilina (m-NA), 2-metil-4nitroanilina

(MNA), 3-metil-4-nitropiridina-1-xido (POM).

CRISTALES LQUIDOS
propiedades electro-pticas
notables, respuesta lenta (~10-3 s)

Coeficientes electro-pticos Pockels de materiales de inters

MATERIAL

simetra

ndice

T (m)

(nm)

rijT (pm/V)

n3 r

H2KPO4 (KDP)

42m

no = 1.5074
ne = 1.4669

0.2 1.5

633

r41 = 8.77
r63 = 10.3

LiNbO3

3m

no = 2.286
ne = 2.200

0.4 5

633

r13 = 10.0
r33 = 32.6
r22 = 6.8
r51 = 32.6

BaTiO3

4mm

no = 2.437
ne = 2.365

0.4 4

546

r13 = 24
r33 = 80
r42 = 1640

Sr.6Ba.4Nb2O6 (SBN:60)

4mm

no = 2.3116
ne = 2.2953

0.37 6

633

r13 = 37
r33 = 237

Sr.75Ba.25Nb2O6 (SBN:75)

4mm

no = 2.299
ne = 3.32

0.35 6

633

r13 = 67
r33 = 1340

GaAs

43m

n = 3.60

0.92 9.1

900

r41 = 1.17

54

CdTe

43m

n = 2.84

0.87 10.5

1000

r41 = 4.5

103

urea

42m

no = 1.48
ne = 1.59

633

r41 = 1.9
r63 = 0.83

2-metil-4-nitroanilina (MNA)

no = 2.0
ne = 1.6

633

r11 = 67

3-metil-4-nitropiridina-1-xido
(POM)

222

n1 = 1.712
n2 = 1.919
n3 = 1.638

633

r41 = 36
r52 = 5.1
r63 = 2.6

FIGURA DE MRITO DE MATERIALES ELECTRO-PTICOS

0,1

0,2

0,3 0,4 0,5 0,7

4 5

10

20

30 40 50

70 100

10

20

30 40 50

70 100

BaTiO3

1000

KNbO3

Figura de mrito n3r, pm/V

LiNbO3
KDP*

CdTe

100

GaAs

KDP
PbHPO4

10
Bi4Ge3O12

SiO2
0,1

0,2

0,3 0,4 0,5 0,7

Rango de transparencia, m

coeficientes electro-pticos libre, anclado y electrnico de algunos cristales

Cristal

rT (pm/V)

rS (pm/V)

re (pm/V)

LiNbO3

r33 = +32.6
r13 = +10.0
r22 = 6.8
r51 = 32.6

+30.8
+8.6
3.4
+28

5.34
0.62
0.92

BaTiO3

r33 = 80
r13 = 24
r42 = 1640

28
8
820

+2.3
+0.85
+2.3

KNbO3

r33 = +63.4
r13 = +34
r23 = +6
r42 = +450
r51 = +12

+34.4
+20.1
+7.1
+360
+27.8

+5.0
+2.7

KDP

r63 = 10.5
r41 = +8.6

8.8

0.38
0.38

SiO2

r11 = 0.5
r41 = 0.20

0.23

0.26
0

ZnS

r41 = +1.5

4.0

GaAs

r41 = 1.17

1.33

4.2

2.7

MATERIALES ELECTROOPTICOS KERR

sij (m2/V2)

B (m/V2)

0 (m)

Agua

s44 = 2.6 10-20

5.1 10-14

0.589

CS2

s44 = 0.5 10-20

3.18 10-14

0.546

CCl4

s44 = 1.5 10-22

7.4 10-16

0.633

Vidrio (SiO2)

s44 = 3.4 10-22

0.9 10-15

0.633

PLZT (10/65/35)*

s44 = 1 10-16

6.4 10-10

0.633

PLZT (8.5/65/35)*

s44 = 3.9 10-15

0.633

GaAs/(AlGa)As

s11 = 1.4 10-18

0.8

BaTiO3 (T>Tc)

s11 s12 = 2.3 10-15

0.633

KTaO3

s11 s12 = 10-17

0.633

K(NbxTa1-x)O3

s11 s12 = 3 10-15

0.633

Material

*Frmula general: Pb1-xLax(ZryTi1-y)O3

5.

APLICACIONES

APLICACIONES: Moduladores

I0

Configuracin transversal

material
elelectroptico

I =

Polarizador

I 0
2V

Analizador

I
10-12 s ~ eo !

circuito ) 109 s

/2
(0)
1

I
V
V

APLICACIONES: Deflectores

Prisma
elelectroptico

= n

La Lb
~ n
w

valor pequeo

E0
se aumenta con

La

E=0

cadena de prismas
L
l

n - n
w

n + n
l

para barridos grandes,

mejor acustopticos

APLICACIONES: Visualizadores
E = 0: luz pasa

E 0: luz no pasa

nemticos
Polarizacin de la luz no gira
y no pasa por 2 Polarizador

P
Porciones de cristal lquido
con electrodos independientes

luz
Polarizacin de la luz
gira segn la hlice y
pasa por 2 Polarizador
nemticos retorcidos

luz

Polarizadores