EL TRANSISTOR BIPOLAR DE

PUERTA AISLADA IGBT

TRANSISTOR IGBT
INTRODUCCION:
Durante muchos aos se a buscado la forma de
crear un dispositivo que fuese lo sufientemente
veloz y que pudiese manejar grandes cargas.
Pero han surgido nuevas ideas con la unin de
un mosfet como dispositivo de disparo y un BJT
de dispositivo de potencia y de esta forma se llego
a la invencion del IGBT
Este dispositivo aparece en los aos 80 Mezcla
caractersticas de un transistor bipolar y de un
MOSFET La caracterstica de salida es la de un
bipolar pero se controla por tensin y no por
corriente.

QUE ES EL IGBT:
La sigla IGBT corresponde a las iniciales de
isolated gate bipolar transistor o sea transistor
bipolar de puerta de salida.
El IGBT es un dispositivo semiconductor de
potencia hbrido que combina los atributos del
BJT y del MOSFET.
Posee una compuerta tipo MOSFET y por
consiguiente tiene una alta impedancia de
entrada.
El gate maneja voltaje como el MOSFET.

Al igual que el MOSFET de potencia, el IGBT no

exhibe el fenmeno de ruptura secundario como el
BJT.
El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) es un
dispositivo electrnico que generalmente se aplica a
circuitos de potencia.
Este es un dispositivo para la conmutacin en
sistemas de alta tensin.
La tensin de control de puerta es de unos 15V.
Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas de
potencia aplicando una seal elctrica de entrada
muy dbil en la puerta.

El IGBT de la figura es una conexin integrada

de un MOSFET y un BJT.
El circuito de excitacin del IGBT es como el del
MOSFET, mientras que las caractersticas de
conduccin son como las del BJT.
El IGBT es adecuado para velocidades de
conmutacin de hasta 20 KHz y ha sustituido al
BJT en muchas aplicaciones

C
MOSFET

Bipolar

G
E

SIMBOLOGIA:

Es un componente de tres terminales que se

denominan GATE (G) o puerta, COLECTOR (C) y
EMISOR (E) y su smbolo corresponde al dibujo
de la figura siguiente.

Su estructura microelectrnica es bastante

compleja es por ello que lo describimos en base a
su esquema equivalente.

CURVA CARACTERISTICA IGBT:

PRESENTACIONES MAS COMUNES DE UN

IGBT.

PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO Y
ESTRUCTURA

La estructura del IGBT es similar a la del

MOSFET, pero con la inclusin de una capa P+
que forma el colector del IGBT.
Gracias a la estructura interna puede soportar
tensiones elevadas, tpicamente 1200V y hasta
2000V (algo impensable en los MOSFETs), con
un control sencillo de tensin de puerta.
La velocidad a la que pueden trabajar no es tan
elevada como la de los MOSFETs, pero permite
trabajar en rangos de frecuencias medias,
controlando potencias bastante elevadas.

ESTRUCTURA IGBT

El control del componente es anlogo al del MOSFET,

o sea, por la aplicacin de una polarizacin entre
puerta y emisor. Tambin para el IGBT el
accionamiento o disparo se hace por tensin.
La mxima tensin que puede soportar se determina
por la unin J2 (polarizacin directa) y por J1
(polarizacin inversa). Como J1 divide 2 regiones muy
dopadas, se puede concluir que un IGBT no soporta
tensiones elevadas cuando es polarizado
inversamente.
Los IGBT presentan un tiristor parsito.
La construccin del dispositivo debe ser tal que evite
el disparo de este tiristor, especialmente debido a las
capacidades asociadas a la regin P. Los componentes
modernos no presentan problemas relativos a este
elemento indeseado.

El IGBT tiene una alta impedancia de entrada

como el MOSFET, y bajas prdidas de conduccin
en estado activo como el Bipolar, pero no
presenta ningn problema de ruptura secundaria
como los BJT.
El IGBT es inherentemente ms rpido que el
BJT. Sin embargo, la velocidad de conmutacin
del IGBT es inferior a la de los MOSFETs.

TABLA DE COMPARACIN DE TENSIONES, CORRIENTES, Y

FRECUENCIAS QUE PUEDEN SOPORTAR LOS DISTINTOS

TRANSISTORES

REGIONES DE UTILIZACIN:

En funcin de las caractersticas de cada dispositivo,

se suele trabajar en distintas zonas, parametrizadas
por la tensin, la corriente y la frecuencia de trabajo.
Una clasificacin cualitativa se presenta en la
siguiente figura:

COMPARACION

DE LAS CAPACIDADES DE TENSIN,

CORRIENTE Y FRECUENCIA DE LOS COMPONENTES

CONTROLABLES.

OTRAS CARACTERSTICAS IMPORTANTES A TENER EN CUENTA EN EL

DISEO DE CIRCUITOS DE ELECTRNICA DE POTENCIA.

POSIBLES APLICACIONES DE LOS DISTINTOS DISPOSITIVOS

DE ELECTRNICA DE POTENCIA