Laboratrio N 3 Tema: FETs y MOSFETS.

Ctedra
Profesor Titular Ing. Juan Jorge Quiroga Profesor Titular Dr.-Ing. Kurt Taretto Asistente de docencia Dr.-Ing. Mauricio Troviano Ayudante de Primera Ing. Maximiliano Vsquez Ayudante de Primera Ing. Marcela Cuello

Alumnos
Cruz, Selva Millanao, Gadiel leg. 102362 leg. 107903

Laboratorio 3 FETs y MOSFETS ELECTRNICA-UNC

OBJETIVOS:

2012

Comprender el funcionamiento de los transistores de efecto de campo FET`s. Observar la polarizacin de distintos circuitos. Observar las diferencias entre los JFET`s y los MOSFET. Armar y probar distintos circuitos de aplicacin.

Actividad 1: Visualizacin de las caractersticas de los dispositivos

Para la obtencin de las curvas de salida del JFET BF245B, se simul el circuito de la figura 1 en LTSpice, parametrizando el valor de tensin puerta-drenador (VGS) a diferentes valores a travs de la fuente VGS, luego se levantaron las curvas de corriente de drenador (ID) en funcin de la tensin surtidor-drenador (VDS) para las distintas tensiones de VGS como se observa en la figura 2.

Figura N 1: Circuito con el JFET BF245B.

Figura N 2: Curva de corriente ID VS tensin. VDS del JFET BF245B.

En la figura 2 se puede ver como el modelo de simulacin del componente BF245B respeta las caractersticas de un JFET, ya que al aumentar el valor inverso de tensin VGS disminuye el valor de corriente ID al que satura el dispositivo y tambin disminuye el valor de tensin drenador-surtidor al que se alcanza dicha saturacin (VDSsat), en las curvas esto se visualiza en un acercamiento del codo (correspondiente a cada curva) hacia el origen a medida que aumenta la tensin inversa VGS.

Pgina 1

Laboratorio 3 FETs y MOSFETS ELECTRNICA-UNC

2012

En cuanto al anlisis del MOSFET incremental IRF630 se utilizo el mismo procedimiento que en el anlisis anterior usando el circuito de la figura 3 y obteniendo las curvas que se observan en la figura 4.

Figura N 3: Circuito con el MOSFET IRF630.

Figura N 4: Curvas de ID VS. Tensin VDS con el NOSFET IRF630.

En la figura 4 se puede destacar que el comportamiento del modelo simulado se corresponde con los conceptos aprendidos en la ctedra. Al aumentar el valor de tensin directo en los terminales puerta-surtidor (VGS), tenemos un aumento de las corrientes las corrientes ID a las que satura el dispositivo, as como un aumento de la tensin VDSsat necesaria para alcanzar dicha saturacin.

Aclaracin: En la figura 4 se puede observar que para los valores de tensin puerta-surtidor de 8 y 10 volt, el MOSFET trabaja en la zona hmica, este efecto se debe cuanto mayor sea tensin de puerta-surtidor, tambin ser mayor el lmite de la zona hmica.

Actividad 2: Determinacin del Fet como resistencia

Se realiz el armado del circuito de la figura 5, el mismo corresponde a un divisor de tensin resistivo, formado por un Fet trabajando como resistencia.

Pgina 2

Laboratorio 3 FETs y MOSFETS ELECTRNICA-UNC

2012

Figura N 5: Circuito del JFET BF245B como resistencia.

Figura N 6: Circuito del MOSFET IRF630 como resistencia.

Se verifica su comportamiento como resistencia midiendo la corriente ID y la tensin VDS. Los resultados de las mediciones se encuentran tabulados y con ellos se realiz las grficas de figura 7 y 8.

A2a) Utilizando el MOSFET incremental IRF 630 Los puntos de la grfica responden a las tablas que se encuentran en el anexo. La figura 7 responde a la visualizacin de la divisin entre la regin hmica de la regin de saturacin del MOSFET

Figura N 7: Comparacin de la curva IDVS.VDS, obtenida por simulacin y en la experiencia.

Al comparar la grafica formada por las mediciones con la simulada del dispositivo, IRF630, puede verificarse que el valor de la tensin umbral del MOSFET se encuentra dentro del rango de tensiones indicados por el fabricante (entre 2V y 4V) siendo este de unos 3,35V aproximadamente segn la grafica de la figura 7.

Pgina 3

Laboratorio 3 FETs y MOSFETS ELECTRNICA-UNC

A2b) Utilizando en el circuito el JFET BF245B

2012

Las tablas que corresponden a esta actividad se encuentran en el anexo siendo la figura 7 la grafica de dichas mediciones.

Figura N 8

En la figura 8 se observa un crecimiento abrupto de los valores de corriente de drenador (ID) al alcanzar la tensin drenador-surtidor (VDS) el valor de la tensin de estrangulamiento (VP) el cual es aproximadamente 0,7V, y puede verificarse que VP est dentro del rango de tensiones de estrangulamiento especificado en la hoja de datos del fabricante (entre 0,5V y 8V).

Actividad 3: Aplicacin del JFET como troceador

3.1 Aplicacin del JFET Una aplicacin del FET corresponde a su funcionamiento como troceador donde una seal que ingresa por la compuerta se ver muestreada con la frecuencia de seal cuadrada de polarizacin de drenador. Para generar esta seal de drenador, se utilizo el circuito de la figura 9, segn la hoja de datos del NE555.

Figura N 9: Circuito con NE555, utilizado para generar una seal cuadrada.

Para realizar esta parte del laboratorio lo nico que se tuvo que hacer es variar la resistencia del potencimetro, en la figura N9 representado por la resistencia R2, dado que se

Pgina 4

Laboratorio 3 FETs y MOSFETS ELECTRNICA-UNC

2012

nos entreg una plaqueta con el circuito armado, y se lo prefij para que la seal de la cuadrada de salida sea de 1,5KHz o mayor.

Figura N 10: Seal de salida VDD, por el circuito del NE555.

En la figura N10 se puede ver la seal de salida, tensin VDD, del circuito mostrado en figura N9, obtenida en la experiencia realizada en el laboratorio. 3.2 Armar el circuito troceador Armar el circuito de la figura 11 cuya configuracin representa un simple troceador, utilizando un BF245. La frecuencia de la seal cuadrada deber resultar entre 15 a 30 veces mayor seal a la de frecuencia de la seal senoidal a muestrear.

Figura N 11: Circuito troceador con JFET BF245B.

Para realizar esta parte del laboratorio se cambi la resistencia de 2k2 ohm por una ms pequea de valor 680 ohm. Dado que el FET utilizado BF245B, requiere para su funcionamiento una corriente de drenador mayor, que un FET BF245A. Tambin se le ingres la seal sinusoidal, con una tensin de 1 volt pico a pico, con una frecuencia de 200 Hz. La seal cuadrada que se ingres, con una tensin de 0 a 15 volt, con una frecuencia de por encima de los 1,5kHz. Con estas caractersticas se pudo lograr que el JFET, BF245B, funcione como un troceador.

Pgina 5

Laboratorio 3 FETs y MOSFETS ELECTRNICA-UNC

2012

Figura N 12: Seal troceada obtenida en la experiencia, se la puede visualizar a la izquierda, y la simulada, se puede ver a la derecha.

En la figura N 12, se puede observar, la seal obtenida a la salida en la experiencia (la tensin VA), es coincidente con la simulacin, es decir segn esperado. Podemos asegurar que el JFET, el BF245B, se encuentra operando en la zona de saturacin. Esto se debe a que la amplitud de la seal de entrada en puerta, no es lo suficientemente grande, como para sacarlo de la zona de operacin. Al aumentar la tensin de puerta, VG, comprobamos que la seal senoidal troceada, sufra un recorte, esto se debe a que existe en el JFET, que estaba operando en la zona de saturacin, y luego pasa la zona de corte, esto es lo que se observa en figura N 12. Por lo que debe tener en cuenta la amplitud de la seal de entrada, tensin en la puerta. No se debe exceder el 1volt pico a pico, para el circuito de la figura N11.

Figura N 13

Pgina 6

Laboratorio 3 FETs y MOSFETS ELECTRNICA-UNC

2012

Anexo
A2a) Tabla de mediciones y clculo, utilizando el mosfet IRF 630 IRF 630 Id(mA) Vds(v) Rf=Vds/Id(K) 0,1 3,036 30,36 0,2 3,115 15,57 0,3 3,159 10,53 0,4 3,194 7,98 0,5 3,22 6,44 0,6 3,245 5,41 0,7 3,26 4,66 0,8 3,275 4,09 0,9 3,292 3,66 1 3,299 3,29 1,2 3,32 2,77 1,4 3,339 2,38 1,6 3,355 2,09 1,8 3,373 1,87 2 3,38 1,69 2,2 3,392 1,54 2,4 3,404 1,42 2,6 3,413 1,31 2,71 3,419 1,26 3,13 3,438 1,09 4,02 3,47 0,86 5,06 3,497 0,69 6,02 3,521 0,58 8 3,56 0,44 9,26 3,579 0,39 9,98 3,591 0,36 11,16 3,607 0,32 12,86 3,626 0,28 15,44 3,654 0,24 16,8 3,666 0,22 17,19 3,667 0,21 18,83 3,68 0,19 20,89 3,695 0,18 21,09 3,694 0,17 22,03 3,697 0,17 23,74 3,71 0,15 25,81 3,722 0,14 30,35 3,747 0,12 40,8 3,802 0,09 50,1 3,837 0,07 60,4 3,86 0,06 70 3,878 0,05

Pgina 7

Laboratorio 3 FETs y MOSFETS ELECTRNICA-UNC

2012

A2b) Tabla de mediciones y clculo, utilizando en el circuito el fet BF245B BF245B Id(mA) 0,3 0,6 1,3 1,6 2,1 2,6 2,8 2,9 3,3 3,8 4,5 5,5 6 13,3 16,1 16,8

Vds(mvolt) 47,6 95,7 199,1 252,4 317,8 388,1 411 425 478 543 630 704 724 804 817 820

Rf=Vds/Id(K) 158,6666667 159,5 153,1538462 157,75 151,3333333 149,2692308 146,7857143 146,5517241 144,8484848 142,8947368 140 128 120,6666667 60,45112782 50,74534161 48,80952381

Pgina 8