PRACTI CAS

Tecnologas de Radiofrecuencia
Escuela de Ingeniera y Arquitectura
de la Universidad de Zaragoza
Ingeniera Electrnica
y Comunicaciones
Departamento de
Grado de Ingeniera en Tecnologas y Servicios de Telecomunicacion
PR

ACTICA 2: Dise

no de amplificadores de RF de banda
estrecha
Pedro Luis Carro Ceballos, Jes us de Mingo
Zaragoza, Cuatrimestre 1 2012

Indice general
Contents III
1. Amplicadores de RF 1
1.1. Introducci on al dise no de amplicadores de RF . . . . . . . . . . . . . . . 1
1.2. Elecci on del dispositivo y punto Q . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
1.3. Dise no de las redes de polarizaci on . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
1.4. Determinaci on de los par ametros S en el punto Q . . . . . . . . . . . . . . 2
1.5. Estudio de la estabilidad . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
1.5.1. Estabilidad incondicional (o absoluta) . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.5.2. Propiedades de la constante k . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
1.5.3. Estabilidad Condicional . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
1.6. Dise no de las Redes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
1.6.1. Discusion de los casos de adaptacion conjugada. . . . . . . . . . . . 10
1.7. Relaciones de potencia en cuadripolos amplicadores. . . . . . . . . . . . . 11
1.7.1. Caso unilateral . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
1.7.2. Maxima ganancia disponible (MAG) . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
1.8. Criterios de dise no de amplicadores de banda estrecha . . . . . . . . . . . 16
1.8.1. Circunferencias de ganancia constante (G
P
o G
A
) . . . . . . . . . . 17
1.8.2. Circunferencias de ganancia en potencia constante G
P
=G
P
(S,
L
)
(Caso de desadaptacion en la salida) . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
1.9. Estudio previo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
1.10. Trabajo de Laboratorio . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
iii
iv

INDICE GENERAL
1. Dise no de amplicadores de RF de
banda estrecha
En esta pr actica se pretende dise nar un amplicador de radiofrecuencia de banda
estrecha utilizando los parametros S y el modelo spice de un dispositivo comercial. Para
el dise no mediante CAD se emplear a el software ADS.
1.1. Introducci on al dise no de amplicadores de RF
El dise no de amplicadores de RF mediante parametros S consta de cinco fases dife-
rentes:
1. Eleccion del dispositivo (BJT, FET,etc...) en base a las especicaciones del problema
y de la topologa (banda estrecha banda ancha...)
2. Eleccion del punto de polarizaci on y dise no de la red de polarizacion
3. Determinacion de los par ametros S asociados a ese punto de trabajo.
4. Estudio de la estabilidad y estabilizaci on del dispositivo en caso de que sea necesario.
Esto puede requerir volver a redise nar la etapa de polarizaci on en algunos casos
5. Dise nar en base a alg un objetivo concreto (maxima ganancia, ganancia especca,
ancho de banda...)
6. Dise nar las redes de transformacion de impedancias.
7. Dise nar los condensadores de desacoplo, bas, y choques.
8. Vericar el dise no por simulacion
9. Implementar la etapa y vericar la etapa experimentalmente.
1.2. Eleccion del dispositivo y punto Q
Se escoger a el dispositivo adecuado en base a los criterios de dise no. Criterios b asicos
son por ejemplo la frecuencia de operaci on y la ganancia, en caso de dise nar un driver,
mientras que el ruido y ganancia pueden ser otros criterios en el caso de dise nar un
amplicador de bajo ruido.
1
2 CAP

ITULO 1. AMPLIFICADORES DE RF
Por la misma raz on, la elecci on del punto Q suele estar condicionada a maxima ga-
nancia o mnimo ruido, as como eciencia (en caso de un amplicador de potencia) o
linealidad.
1.3. Dise no de las redes de polarizaci on
Las redes de polarizaci on que se utiliz an en una etapa de RF son b asicamente las
mismas que se utilizan en una etapa de baja frecuencia. La gura muestra las dos con-
guraciones mas habituales.
1.4. Determinaci on de los parametros S en el punto
Q
Una vez dise nada la red de polarizaci on se deben determinar los par ametros S o Y
del dispositivo. As, podremos dise nar las redes de adaptaci on requeridas para conseguir
los objetivos nales. De hecho, las prestaciones nales de la etapa depender an en gran
medida de esas redes de adaptaci on. Como sabemos, en el caso de trabajar en bandas
de RF, muchas veces pueden realizarse mediante parametros concentrados. No obstante,
previamente hay que estudiar la estabilidad de la etapa. Si se estabiliza el disposivo
mediante alguna tecnica especca, se deben recalcular los par ametros S y trabajar a
partir de estos nuevos par ametros para dise nar esas redes de adaptacion.
1.5. Estudio de la estabilidad
Las condiciones para que un amplicador sea estable se obtienen al requerir que
la potencia reejada en cualquiera de sus puertas cuando la otra esta terminada con una
carga pasiva, sea menor que la potencia incidente. Esto signica que el coeciente de
reexi on en la entrada de cualquiera de las dos puertas cuando la otra est a terminada
con una carga pasiva, debe tener una magnitud inferior a la unidad. As, si el coeciente
de reexion de entrada tiene magnitud mayor que uno, la impedancia de entrada del
amplicador tendr a una parte real negativa; esto es, con Z
IN
=R+jX la desigualdad
1 < |
IN
| =

R + jX Z
0
R + jX + Z
0

=
(R Z
0
)
2
+ X
2
(Z
0
+ R)
2
+ X
2
(1.1)
se vericar a sii R<0. De esta forma, con Z
IN
= R+jX, la corriente en la entrada sera
I =
V
S
R
S
R + j (X
S
+ X)
(1.2)
Si R=R
S
y X+X
S
=0, lo cual puede ocurrir para alguna frecuencia, I se hace innito.
Podemos hacer V
S
=0 y el ruido termico en la entrada del amplicador puede producir
oscilaciones auto-sostenidas en la frecuencia a la cual la impedancia total del lazo ce-
rrado (circuito cerrado) es igual a cero. La oscilaci on a cualquier frecuencia, hace que el
amplicador sea inservible.
1.5. ESTUDIO DE LA ESTABILIDAD 3
Las condiciones para estabilidad absoluta son
|
IN
| =

S
11

L
1 S
22

< 1 para todo |

L
| < 1 (1.3)
|
OUT
| =

S
22

S
1 S
11

< 1 para todo |

S
| < 1 (1.4)
donde =S
11
S
22
S
21
S
12
. En general, se encuentra que c
IN
c<1 para solamente un
grupo restringido de valores de
L
(o Z
L
); y que
OUT
<1 para un grupo restringido de
valores de
S
(o Z
S
). En esta circunstancia, se dice que el dispositivo es condicionalmente
estable. Si Z
L
=Z
0
,
L
=0 y
IN
<1 si y s olo si S
11
<1. Similarmente, si Z
S
=Z
0
,
OUT
<1 sii S
22
<1. Por lo tanto, dos condiciones necesarias (que no sucientes) para que el
amplicador sea absolutamente estable es que
|S
11
| < 1 y |S
22
| < 1 (1.5)
Valores de
L
que resultan en un
IN
<1 se llaman valores estables de
L
. La regi on
correspondiente (en el plano
L
) de la carta de Smith, se llama regi on estable. La frontera
que separa los valores estables de los inestables en el plano
L
, es el lugar geometrico
que resulta de la transformacion de la circunferencia
IN
=1. De acuerdo con PersonNa-
meProductIDla Ec.la Ec. (2.1) se trata de una transformacion bilineal. Por lo tanto, la
circunferencia
IN
=1 se transforma en otra circunferencia en el plano
L
, cuyo centro y
radio vienen dados por las siguientes expresiones

LC
=
S
11

S

22
||
2
|S
22
|
2
(1.6)
R
LC
=
|S
21
S
12
|

||
2
|S
22
|
2

(1.7)
Esta circunferencia se llama circunferencia de estabilidad en el plano de salida, y
la denotaremos por H
2
. H
2
puede o no encerrar el origen
L
=0, como se muestra en
PersonNameProductIDla Fig.la Fig. 2.1. Cuando
L
=0,
IN
=S
11
y S
11
<1 para un circuito
estable. Por lo tanto, si la circunferencia de estabilidad de salida no encierra al origen,
todos los valores de
L
fuera de H
2
dan valores de
IN
tales que
IN
<1. El exterior de
H
2
es la regi on estable. Si
L
=0 est a dentro de H
2
, entonces todos los valores de
L
que
est an dentro de H
2
son los estables. Obviamente, el origen est a incluido en H
2
sii el radio
R
LC
es mayor que
LC
.
1.5.1. Estabilidad incondicional (o absoluta)
Es el caso en el que S
11
<1 y S
22
<1.
Caso 1. El origen
L
=0, est a situado fuera de la circunferencia H
2
. Todos los valores
de
L
fuera de H
2
son los estables (Fig. 2.2a). Por lo tanto, todos los valores de Z
L
pasivos
4 CAP

ITULO 1. AMPLIFICADORES DE RF
2.2
en otra circunferencia en el plano
L
, cuyo centro y radio vienen dados por las siguientes
expresiones

LC
S S
S
=

11 22
2
22
2

(2.2a)

R
S
S
LC
=

21 12
2
22
2
S

(2.2b)

Esta circunferencia se llama circunferencia de estabilidad en el plano de salida, y la
denotaremos por H
2
. H
2
puede o no encerrar el origen
L
=0, como se muestra en la Fig.
2.1. Cuando
L
=0,
IN
=S
11
y S
11
<1 para un circuito estable. Por lo tanto, si la
circunferencia de estabilidad de salida no encierra al origen, todos los valores de
L
fuera
de H
2
dan valores de
IN
tales que
IN
<1. El exterior de H
2
es la regin estable. Si
L
=0
est dentro de H
2
, entonces todos los valores de
L
que estn dentro de H
2
son los estables.
Obviamente, el origen est incluido en H
2
sii el radio R
LC
es mayor que
LC
.

L
=1
R
LC

LC
Regin no
estable de
L
H
2
Cincunf.

IN
=1

L
=1
H
2
Circunf.

IN
=1

LC
Regin
estable
de
L R
LC














(a) (b)
Fig. 2.1 Circunferencia de estabilidad de salida H
2
. (a) H
2
no encierra al punto
L
=0.
(b) H
2
encierra al
L
=0.


Estabilidad incondicional (o absoluta). S
11
<1 y S
22
<1.
Caso 1. El origen
L
=0, est situado fuera de la circunferencia H
2
. Todos los valores de

L
fuera de H
2
son los estables (Fig. 2.2a). Por lo tanto, todos los valores de Z
L
pasivos
sern aceptables sii la circunferencia H
2
est completamente fuera de la cincunferencia

L
=1 en la carta de Smith de salida (plano de salida). Esto requiere que
LC
>1+R
LC
.
Tenemos pues que:

ser an aceptables sii la circunferencia H
2
est a completamente fuera de la cincunferencia

L
=1 en la carta de Smith de salida (plano de salida). Esto requiere que
LC
>1+R
LC
.
Tenemos pues que:
A/. Puesto que H
2
no contiene al punto
L
=0,
|
LC
|
2
> R
2
LC
(1.8)
, y de Ecs. (2.2) se debe de vericar que
|S
11

S

22
|
2
> |S
21
S
12
|
2
(1.9)
. Por otro lado, se tiene la siguiente igualdad
|S
11

S

22
|
2
= |S
21
S
12
|
2
+
_
1 |S
11
|
2
_ _
|S
22
| ||
2
_
(1.10)
De aqu tenemos que
_
1 |S
11
|
2
_ _
|S
22
|
2
||
2
_
> 0 (1.11)
lo cual es posible sii S
22
> , puesto que S
11
<1. Por lo tanto, este caso ocurre sii S
22
>
.
B/. La condici on de estabilidad 1+R
LC
<
LC
, se puede escribir en la forma
k =
1 |S
11
|
2
|S
22
|
2
+||
2
2 |S
21
S
12
|
> 1 (1.12)
donde a k se le llama la constante de estabilidad. Las condiciones de estabilidad ab-
soluta que obtenemos para este caso son:
1.5. ESTUDIO DE LA ESTABILIDAD 5
k>1 y S
11
<1
2.3
A/. Puesto que H
2
no contiene al punto
L
=0,
LC LC
R
2
2
> , y de Ecs. (2.2) se debe de
verificar que S S S S
11 22
2
21 12
2

> . Por otro lado, se tiene la siguiente igualdad

( ) ( )
S S S S S
11 22
2
21 12
2
11
2
22
2
1

S

= + (2.3)

De aqu tenemos que
( ) ( )
1 0
11
2
22
2 2
S S > ; lo cual es posible sii S
22
>, puesto
que S
11
<1. Por lo tanto, ste caso ocurre sii S
22
>.
B/. La condicin de estabilidad 1+R
LC
<
LC
, se puede escribir en la forma

k
S S
S S
=
+
>
1
2
1
11
2
22
2 2
21 12

(2.4)

donde a k se le llama la constante de estabilidad. Las condiciones de estabilidad absoluta
que obtenemos para ste caso son:

k>1 y S
11
<1





1

IN
=1
d
H
2
R
LC

LC

IN
=1, H
2

LC
R
LC

L
=1

H
2







R
LC

(a) (b)
Fig. 2.2 Estabilidad absoluta. (a) H
2
no encierra al punto
L
=0; S
22
>. (b) H
2

encierra al punto
L
=0; S
22
<.


Caso 2. Puede ocurrir que la circunferencia H
2
encierre al punto
L
=0. En ste caso,
todos los valores de
L
dentro de la H
2
son los estables (Fig. 2.2b). Para que exista
estabilidad absoluta, la circunferencia de estabilidad de salida debe de encerrar a la
circunferencia dada por
L
=1, de forma que cualquier carga pasiva est dentro de H
2
.
Esto requiere que el radio R
LC
sea mayor que uno. Con referencia a la Fig. 2.2b, se requiere
tambin que d >1 R
LC

LC
>1 o
LC
<R
LC
1.
A/. Puesto que H
2
contiene al punto
L
=0, se tiene que
LC
<R
LC
; lo cual se verifica sii
S
22
< ( S
11
<1). Por lo tanto, ste caso se da sii S
22
<.
B/. El criterio de estabilidad
LC
<R
LC
1, se transforma en que k>1.
Caso 2. Puede ocurrir que la circunferencia H
2
encierre al punto
L
=0. En este
caso, todos los valores de
L
dentro de la H
2
son los estables (Fig. 2.2b). Para que exista
estabilidad absoluta, la circunferencia de estabilidad de salida debe de encerrar a la cir-
cunferencia dada por
L
=1, de forma que cualquier carga pasiva este dentro de H
2
. Esto
requiere que el radio R
LC
sea mayor que uno. Con referencia a PersonNameProductIDla
Fig.la Fig. 2.2b, se requiere tambien que d >1 R
LC

LC
>1 o
LC
< R
LC
1.
A/. Puesto que H
2
contiene al punto
L
=0, se tiene que
LC
< R
LC
; lo cual se verica
sii S
22
< ( S
11
<1). Por lo tanto, este caso se da sii S
22
< .
B/. El criterio de estabilidad
LC
< R
LC
1, se transforma en que k>1.
C/. El requisito de que R
LC
sea mayor que uno, pone una restriccion adicional en la
condici on para estabilidad absoluta. Se demuestra que se debe de vericar la expresi on
|S
21
S
12
| < 1 |S
11
|
2
(1.13)
La condici on k>1 es una condicion necesaria para la estabilidad absoluta, pero no siempre
es suciente; puesto que la condici on R
LC
>1 cuando > S
22
puede ser una condicion mas
restrictiva como veremos a continuaci on.
De una manera similar, la circunferencia de estabilidad en la entrada H
1
, es la
transformada de la circunferencia
OUT
=1 en el plano de carga. Por analoga directa con
la deduccion de Ecs. (2.2) tenemos que el centro y el radio de H
1
vienen dados por las
expresiones

S C
=
S
22

S

11
||
2
|S
11
|
2
(1.14)
R
S C
=
|S
21
S
12
|

||
2
|S
11
|
2

(1.15)
6 CAP

ITULO 1. AMPLIFICADORES DE RF
Estas ecuaciones son las mismas que las Ecs. (2.2) con S
11
y S
22
intercambiados. Puesto
que k es simetrica en las variables S
11
y S
22
, se puede inferir correctamente la condicion
k>1 para estabilidad absoluta; junto con las condiciones S
22
<1 y S
21
S
12
<1 S
22
2
.
Resumiendo, las condiciones necesarias y sucientes para estabilidad absoluta son
k =
1 |S
11
|
2
|S
22
|
2
+||
2
2 |S
21
S
12
|
> 1 (1.16)
|S
11
| < 1 (1.17)
|S
22
| < 1 (1.18)
|S
21
S
12
| < 1 |S
11
|
2
(1.19)
|S
21
S
12
| < 1 |S
22
|
2
(1.20)
Sumando Ecs. se tiene que
k > 1 +
||
2
1
2 |S
21
S
12
|
(1.21)
Cuando <1, claramente esta condicion es cierta si k>1. Sin embargo, cuando >1,
la condicion (metricconverterProductID2.6f2.6f) es m as restrictiva que la (2.6a). Para la
mayoria de los dispositivos <1, de forma que las condiciones (2.6a,b y c) son sucientes
para garantizar la estabilidad absoluta.
Otra forma mas general de expresar la estabilidad incondicional es la siguiente.
Operando con Ecs. (2.6d y e) tenemos
2 |S
21
S
12
| < 2 |S
11
|
2
|S
22
|
2
(1.22)
De la desigualdad del triangulo sabemos que
|| = |S
11
S
22
S
21
S
12
| |S
11
S
22
| +|S
21
S
12
| (1.23)
Por lo tanto
2 ( || |S
11
S
22
| ) < 2 |S
11
|
2
|S
22
|
2
|| < 1
1
2
_
|S
11
|
2
+|S
22
|
2
2 |S
11
S
22
|
_
= 1
1
2
( |S
11
| |S
22
| )
2
< 1
|| < 1 (1.24)
1.5. ESTUDIO DE LA ESTABILIDAD 7
Tenemos pues que, las condiciones necesarias y sucientes para estabilidad absoluta
son
k > 1 , || < 1 , |S
11
| < 1 y |S
22
| < 1 (1.25)
1.5.2. Propiedades de la constante k
Aunque el valor de k se ha obtenido en funci on de los parametros S, podra haberse
obtenido en funcion de los Z o los Y; obtendramos
k =
2r
11
r
22
Re {Z
12
Z
21
}
|Z
21
Z
12
|
(1.26)
k =
2g
11
g
22
Re {Y
21
Y
12
}
|Y
21
Y
12
|
(1.27)
donde r
11
, r
22
, g
11
y g
22
son las partes reales de Z
11
, Z
22
, Y
11
e Y
22
respectivamente.
Estas ecuaciones son utiles para demostrar facilmente algunas propiedades de k. Por ejem-
plo, si se conectan en serie con la entrada y la salida de un cuadripolo, sendas resistencias
r
1
y r
2
(padding), el factor k queda aumentado. An alogamente, empleando la expresi on
de k en funci on de los parametros Y, la k aumenta al conectar las conductancias g
1
y g
2
en paralelo en la entrada y salida del cuadripolo. Una conclusi on es que la k no vara si se
a naden al cuadripolo elementos reactivos puros en serie o en paralelo, puesto que r
11
, r
22
,
g
11
y g
22
no cambian. As mismo, de las propiedades de la matriz S de redes sin perdidas
(y sin ganancia), se deduce que k=1 y =1.
1.5.3. Estabilidad Condicional
El caso de estabilidad condicional se puede analizar siguiendo un procedimiento si-
milar al anterior. No obstante, en esta pr actica estabilizaremos el dispositivo, por lo que
el estudio de este caso particular se tratar a en la asignatura de Fundamentos de alta
frecuencia.
La situaci on usual que ocurre en la pr actica cuando un dispositivo es condicionalmente
estable, es que la circunferencia H
2
corta a la circunferencia
L
=1 en dos puntos. H
2
puede
o no encerrar al punto
L
=0. Para saber si los valores de
L
dentro de H
2
o fuera de H
2
son los estables, se tienen los siguientes cuatro casos:
a. H
2
(circunferencia
IN
=1 en el plano
L
) encierra al punto
L
=0.
S
11
<1, todos los
L
interiores a H
2
son los estables.
b. H
2
encierra al punto
L
=0.
S
11
>1, todos los
L
exteriores a H
2
son los estables.
c. H
2
no encierra al punto
L
=0.
S
11
<1, todos los
L
exteriores a H
2
son los estables.
d. H
2
no encierra al punto
L
=0.
S
11
>1, todos los
L
interiores a H
2
son los estables.
8 CAP

ITULO 1. AMPLIFICADORES DE RF
Si el dispositivo es condicionalmente estable, se pueden tomar dos opciones diferentes
de dise no. Una de ellas consiste en estabilizar el dispositivo. Para ello, y habitualmente
se recurre a las tecnicas de unilateralizaci on y neutralizaci on.
1.6. Dise no de las redes de adaptacion: condiciones
de adaptaci on conjugada
Un cuadripolo estara adaptado simult aneamente en entrada y salida si se verican
las condiciones

IN
=

S
y
OUT
=

L
es decir, cuando se cumplan las siguientes expresiones

S
= S
11
+
S
21
S
12

L
1 S
22

L
= S
22
+
S
21
S
12

S
1 S
11

S
Sustituyendo se tiene
C
1

2
S
B
1

S
+ C

1
= 0
donde
B
1
= 1 +|S
11
|
2
|S
22
|
2
||
2
C
1
= S
11
S

22

y analogamente, eliminando
S
se tiene
C
2

2
L
B
2

L
+ C

2
= 0
donde
B
2
= 1 +|S
22
|
2
|S
11
|
2
||
2
C
2
= S
22
S

11

1.6. DISE

NO DE LAS REDES 9
Las races de las Ecs. de segundo grado vienen dadas respectivamente por

S
=
B
1

_
B
2
1
4 |C
1
|
2

1/2
2C
1

L
=
B
2

_
B
2
2
4 |C
2
|
2

1/2
2C
2
A la vista de estas expresiones, podemos destacar algunas propiedades interesantes:
A. Si calculamos el producto de las dos soluciones posibles de
S
, se tiene

S
=
|C
1
|
2
C
2
1
luego
S

S
=1. Para las soluciones
L
y
L
se puede demostrar lo mismo. Ello
implica que una de las races tendr a un modulo menor que uno y la otra mayor; o bien
que las dos tienen m odulo igual a uno. Llamaremos
S
la raz tal que
S
1 y
S
la
que
S
1.
B. El discriminante es com un, y puede ponerse como
= B
2
1
4 |C
1
|
2
= B
2
2
4 |C
2
|
2
=
_
k
2
1
_
4 |S
21
S
12
|
2
Lo anterior permite armar que son equivalentes las expresiones: >0 y k >1.
C. Si el discriminante es negativo, el numerador de las expresiones anteriores puede
ponerse como
B
1
j | |
1/2
y B
2
j | |
1/2
Teniendo en cuenta que B
1
y B
2
son reales, las expresiones B
i
+j
1/2
y B
i
j
1/2
(i=1,2)
tienen el mismo m odulo; lo que nos lleva a que
|

S
| = |

| = 1 |

L
| = |

| = 1 (1.28)
D. La raz
S
de m odulo menor que uno, corresponde al signo menos en Ec. (2.13a)
si B
1
es positivo; y al signo mas si B
1
es negativo. Para ver esto suponemos que >0.
Tenemos

A
S
=
B
1
+
1/2
2C
1
y
B
S
=
B
1

1/2
2C
1
Si B
1
>0

A
S

>

B
S

S
=
B
S
es la soluci on buscada.
Si B
1
<0
10 CAP

ITULO 1. AMPLIFICADORES DE RF

A
S

<

B
S

S
=
A
S
es la soluci on buscada.
Evidentemente, una relaci on an aloga existe en la ecuacion dual con B
2
.
E. El signo m as en Ec. (2.13b) corresponde al m as de Ec. (2.13a) cuando >0, y
an alogamente sucede para los signos menos.
1.6.1. Discusi on de los casos de adaptacion conjugada.
Vamos a considerar las posibilidades de adaptacion de un amplicador, relacion andolas
con los diferentes grados de estabilidad.
A. Sea k>1. En este caso >0, y se tienen soluciones para
S
y
L
del tipo

S
<1 ,
S
>1 ;
L
<1 ,
L
>1
Hay que distinguir dos situaciones:
A1/. Estabilidad incondicional. 1. Puede demostrarse que se verica que B
1
>0 y
B
2
>0. Por lo tanto, a
S
le corresponde
L
, ambas de m odulo menor que uno; y se logran
con el signo menos en las ecuaciones de las races.
A2/. Estabilidad condicional. >1. En este caso se tiene que B
1
<0 y B
2
<0. Por lo
tanto, las soluciones con m odulo menor que uno son

S
=
+B
1
+
1/2
2C
1

L
=
+B
2
+
1/2
2C
2
El signicado fsico de estos resultados es el siguiente. Cuando k>1, el cuadripolo es
simult aneamente adaptable con impedancias de entrada y salida pasivas. Si 1, ninguna
impedancia pasiva puede colocarle en situaci on de inestabilidad; mientras que si >1 este
peligro existe, aunque las impedancias de adaptacion siempre se encuentran en las zonas
estables.
Un caso particular es el unilateral; es decir, cuando S
12
=0, y por consiguiente
k=. Ahora, los coecientes de reexion de entrada y salida son siempre S
11
y S
22
, con
independencia de las terminaciones Z
S
y Z
L
. Por ello, y como suponemos S
11
<1 y S
22
<1,
el amplicador resulta ser incondicionalmente estable y adaptable.
B. 1<k<1. Ahora <0, por lo que, seg un se vio anteriormente, las cuatro soluciones
para
S
y
L
tienen modulo igual a la unidad. Esto supone que solo se pueden utilizar
amplicadores de este tipo renunciando a la adaptacion (al menos en una de sus puertas),
y eligiendo terminaciones dentro de las zonas estables.
C. k<1. Ahora >0, pero se puede comprobar que la soluci on
S
de m odulo menor
que uno, va asociada a
L
de m odulo mayor que uno; y viceversa. El cuadripolo es, en
general, inestable cualesquiera que sean las terminaciones pasivas empleadas. Por ello,
s olo puede conseguirse la estabilidad en este caso, conectando resistencias estabilizadoras
(padding) que incrementen el valor de la constante k del dispositivo.
En resumen, se tiene:
1.7. RELACIONES DE POTENCIA EN CUADRIPOLOS AMPLIFICADORES. 11
k= Unilaterales (S
12
=0). Incondicionalmente estables y adaptables.
k>1 1 Incondicionalmente estables y adaptables.
>1 Condicionalmente estables y adaptables.
1<k<1 Condicionalmente estables y no adaptables.
k<1 Inestables sin estabilizacion resistiva (padding).
1.7. Relaciones de potencia en cuadripolos amplica-
dores.
Las expresiones de la ganancia de trasduccion G
T
, de la ganancia en potencia G
P
y de la ganancia disponible G
A
, en funci on de los par ametros S del dispositivo (referidos
a Z
0
) y de los coecientes de reexi on
S
y
L
son
G
T
=
potencia entregada a la carga
potencia disponible del generador
= G
T
(
S
, S,
L
) =
=
1 |
S
|
2
|1
IN

S
|
2
|S
21
|
2
1 |
L
|
2
|1 S
22

L
|
2
=
1 |
S
|
2
|1 S
11

S
|
2
|S
21
|
2
1 |
L
|
2
|1
OUT

L
|
2
(1.29)
G
P
=
potencia entregada a la carga
potencia de entrada en la red
= G
P
(
L
, S) =
=
1
1 |
IN
|
2
|S
21
|
2
1 |
L
|
2
|1 S
22

L
|
2
=
|S
21
|
2
_
1 |
L
|
2
_
|1 S
22

L
|
2
|S
11

L
|
2
(1.30)
G
A
=
potencia disponible en la salida del cuadripolo
potencia disponible del generador
= G
A
(
S
, S) =
=
1 |
S
|
2
|1 S
11

S
|
2
|S
21
|
2
1
1 |
OUT
|
2
(1.31)
Claramente se ve que
G
T
|
entrada adaptada
= G
P
, G
T
|
salida adaptada
= G
A
. Con adaptaci on en la entrada y la salida se tiene que G
T
= G
P
= G
A
.
1.7.1. Caso unilateral
Un caso de especial interes es el unilateral; es decir, aquel en que el cuadripolo no
posee realimentaci on interna (S
12
=0). En este caso, se tiene
G
TU
=
1 |
S
|
2
|1 S
11

S
|
2
|S
21
|
2
1 |
L
|
2
|1 S
22

L
|
2
12 CAP

ITULO 1. AMPLIFICADORES DE RF
Se tiene
G
T
G
TU
=
|1
S
S
11
|
2
|1
L
S
22
|
2
| (1
S
S
11
) (1
L
S
22
)
S

L
S
12
S
21
|
2
=
1
|1 U|
2
donde
U =

S

L
S
12
S
21
(1
S
S
11
) (1
L
S
22
)
Se observa que
1
(1 +|U| )
2
<
G
T
G
TU
<
1
(1 |U| )
2
Si S
11
<1 y S
22
<1 , G
TU
toma su valor maximo cuando
S
=S
11

y
L
=S
22

. Para deter-
minar cu anto error se comete si se emplea G
TU
en la caracterizaci on de un dispositivo en
el que S
12
=0, se dene el factor de merito unilateral como:
u =
|S
11
S
12
S
21
S
22
|
_
1 |S
11
|
2
_ _
1 |S
22
|
2
_
Por lo tanto
1
(1 + u )
2
<
G
T
G
TU max
<
1
(1 u )
2
Notar que cuando u sea pr oximo a cero, el error cometido ser a muy peque no.
1.7.2. Maxima ganancia disponible (MAG)
La maxima ganancia disponible (maximum available gain) se dene como la ganancia
de trasducci on en condiciones de adaptaci on conjugada simultanea en entrada y salida.
Como sabemos, dicha adaptacion simult anea s olo es posible en aquellos cuadripolos cuya
constante k sea mayor que la unidad. As pues, solo en este caso podr a hablarse de MAG.
Resultara complicado obtener una expresion analtica de la MAG sustituyendo en la
expresi on general de G
T
los valores de
S
y
L
que adaptan el cuadripolo; por lo que se
recurrir a a otro procedimiento.
Llamemos S
a
a la matriz de parametros S del cuadripolo referida a las impedancias
Z
S
a
y Z
L
a
de adaptaci on conjugada simult anea (ver Fig.). En estas condiciones est a claro
que
S
a
11
= S
a
22
= 0
, y se tendr a
MAG =

+
1

2
= |S
a
21
|
2
1.7. RELACIONES DE POTENCIA EN CUADRIPOLOS AMPLIFICADORES. 13

+
1
=
V
1
+ I
1
Z
a
S
2
_
R
a
S
,

1
=
V
1
I
1
(Z
a
S
)

2
_
R
a
S

+
2
=
V
2
+ I
2
Z
a
L
2
_
R
a
L
,

2
=
V
2
I
2
(Z
a
L
)

2
_
R
a
L
En cuanto a la constante de estabilidad ser a
k =
1 +|
a
|
2
2 |S
a
21
S
a
12
|
donde

a
= S
a
21
S
a
12
Se puede escribir que
|
a
|
2
2k |
a
| + 1 = 0
cuya soluci on es
|
a
| = |S
a
21
S
a
12
| = k

k
2
1
Si tenemos en cuenta que la relacion S
21
/S
12
no depende de las impedancias de refe-
rencia, haciendo uso de los parametros S referidos a Z
0
(50 ), podemos poner

S
a
21
S
a
12

S
21
S
12

, luego |S
a
21
|
2
= |S
a
21
S
a
12
|

S
a
21
S
a
12

= |S
a
21
S
a
12
|

S
21
S
12

|S
a
21
|
2
= MAG =

S
21
S
12

_
k

k
2
1
_
donde k, por ser independiente de las impedancias de referencia, podra expresarse
tambien en funci on de los par ametros S del cuadripolo referidos a Z
0
, como
k =
1 |S
11
|
2
|S
22
|
2
+||
2
2 |S
21
S
12
|
siendo =S
11
S
22
S
21
S
12
.
Caso de estabilidad incondicional. Se tiene k>1 y 1; lo que obliga a tomar como
v alida en PersonNameProductIDla Ec.la Ec. (2.23), la solucion correspondiente al signo
menos exclusivamente. Por ello, en este caso se obtiene
MAG|
E.I.
=

S
21
S
12

_
k

k
2
1
_
14 CAP

ITULO 1. AMPLIFICADORES DE RF
Esta ganancia es la m axima ganancia de trasducci on que puede obtenerse en este tipo
de cuadripolos. En efecto, utilizando como impedancias de referencia las Z
S
a
y Z
L
a
que
adaptan el cuadripolo, se tiene como ya se dijo
S
a
11
= S
a
22
= 0
; por lo que la expresi on de G
P
se convierte en
G
P
= |S
a
21
|
2
1 |

La
|
2
1 |
a

La
|
2
donde

La
es el coeciente de reexion generalizado debido a una carga Z
L
, denido como

La
=

+
2

2
=
Z
L
Z
a
L
Z
L
+ (Z
a
L
)

Como
a
1, para cualesquiera cargas distintas de las de adaptaci on

Sa
= 0
y

La
= 0
Se tiene que
G
T
G
P
|S
a
21
|
2
= MAG|
EI
Caso de dispositivo unilateral
. En este caso, que siempre corresponde a un cuadripolo incondicionalmente estable
y adaptable ya que k=, resulta mas c omodo obtener PersonNameProductIDla MAGla
MAG directamente a partir de la expresion de G
T
, imponiendo la condici on de adaptacion
conjugada. Ahora, se tiene

S
= S

11
,
L
= S

22
; con lo que la expresi on de G
T
se transforma en la siguiente ecuacion
G
TU
|
max
= MAG|
unila.
=
|S
21
|
2
_
1 |S
11
|
2
_ _
1 |S
22
|
2
_
1.8. CRITERIOS DE DISE

NO DE AMPLIFICADORES DE BANDA ESTRECHA 15

Caso de estabilidad condicional.
En este caso se tiene k>1 y >1, por lo que la soluci on v alida de Ec. (2.23) corresponde
al signo m as. La MAG ser a entonces
MAG|
E.C.
=

S
21
S
12

_
k +

k
2
1
_
Ahora, al contrario que en el caso de estabilidad absoluta, esta ganancia es la mnima
ganancia de trasduccion estable con la entrada adaptada. En efecto, como ahora >1,
para cualquier carga distinta de la de adaptaci on a la salida (

La
= 0
As,
G
T
|
ent. adap.
= G
P
= |S
a
21
|
2
_
1 |

La
|
2
_
1 |
a

La
|
2
|S
a
21
|
2
= MAG|
EC
Adem as, la G
P
se hace innito para una carga tal que
|

La
| = 1/ |
a
| < 1
lo que es coherente con el hecho de que el cuadripolo sea condicionalmente estable; es decir,
que existan cargas que pueden hacerle oscilar. Desde luego, en este caso resulta contra-
dictorio hablar de m axima ganancia disponible cuando lo que se obtiene es la ganancia
mnima.
1.8. Criterios de dise no de amplicadores de banda
estrecha
En el dise no de amplicadores de banda estrecha, lo que se pretende normalmente es
adaptar el dispositivo activo en entrada y salida, con lo que la ganancia de trasducci on
es maxima; esto, si el dispositivo es absolutamente estable.
Cuando el dispositivo es potencialmente inestable y no adaptable simult aneamente
(1<k<1), y se quiere dise nar un amplicador en banda estrecha, surge el problema de si
trabajar con la ganancia en potencia (G
P
=G
P
(S,
L
)), calcular las cargas de salida que
dan una G
P
determinada, elegir una de ellas de forma que este en la zona estable y hacer
que la entrada este adaptada, de forma que G
T
=G
P
(con la salida desadaptada); o con la
ganancia disponible (G
A
=G
A
(
S
,S)), calcular las impedancias de fuente que dan una G
A
determinada, elegir una de ellas en la zona estable y hacer que la salida del cuadripolo
este adaptada (con la entrada desadaptada), de forma que G
T
=G
A
.
Algo similar ocurre si el dispositivo es condicionalmente estable y adaptable si-
mult aneamente (k>1, >1), y se desea una ganancia superior a la que se obtendra con
entrada y salida adaptadas.
16 CAP

ITULO 1. AMPLIFICADORES DE RF
Cuando se pretende la realizaci on de un amplicador de banda ancha, por lo
general, lo que se desea es una ganancia plana (de trasducci on) en el rango de frecuencias
de interes. En este caso, un dise no del tipo mostrado en PersonNameProductIDla Fig.la
Fig. 2.7 con adaptacion en entrada y salida en todo el rango de frecuencias y con las redes
de entrada y salida sin perdidas, no proporciona normalmente la ganancia plana deseada;
por lo que se hace necesario recurrir a otros metodos como veremos mas adelante.
En todos estos casos no procede un dise no orientado unicamente a la adaptacion del
dispositivo, sino que tambien se busca un comportamiento prejado en cuanto a ganancia.
Esto puede conseguirse de varias formas, entre las cuales citamos dos:
Utilizando redes que realimenten adecuadamente el dispositivo, bien para ecualizar su
ganancia, bien para convertirlo en incondicionalmente estable (o ambas cosas a la vez).
Desadaptando de forma selectiva la salida y/o la entrada del dispositivo.
El empleo de realimentaci on precisa de la conversion de los par ametros S del dispositivo
a par ametros Z o Y (seg un que la realimentacion sea serie o paralelo), y requiere un
tratamiento del dise no con computador. Nosotros nos centraremos en el segundo metodo,
lo que implica un estudio de la inuencia de las desadaptaciones en entrada y salida en
el funcionamiento del amplicador.
2.15
II.4 Diseo de amplificadores de microondas lineales de banda estrecha.

Problemtica general. La figura 2.7 muestra el problema general. En el diseo de
amplificadores de banda estrecha, lo que se pretende normalmente es adaptar el dispositivo
activo en entrada y salida, con lo que la ganancia de trasduccin es mxima; sto, si el
dispositivo es absolutamente estable.

Cuando el dispositivo es potencialmente inestable y no adaptable
simultneamente (1<k<1), y se quiere disear un amplificador en banda estrecha, surge el
problema de si trabajar con la ganancia en potencia (G
P
=G
P
(S,
L
)), calcular las cargas de
salida que dan una G
P
determinada, elegir una de ellas de forma que est en la zona estable
y hacer que la entrada est adaptada, de forma que G
T
=G
P
(con la salida desadaptada);
con la ganancia disponible (G
A
=G
A
(
S
,S)), calcular las impedancias de fuente que dan una
G
A
determinada, elegir una de ellas en la zona estable y hacer que la salida del cuadripolo
est adaptada (con la entrada desadaptada), de forma que G
T
=G
A
.

Algo similar ocurre si el dispositivo es condicionalmente estable y adaptable
simultneamente (k>1, >1), y se desea una ganancia superior a la que se obtendra con
entrada y salida adaptadas.

Cuando se pretende la realizacin de un amplificador de banda ancha, por lo
general, lo que se desea es una ganancia plana (de trasduccin) en el rango de frecuencias
de inters. En ste caso, un diseo del tipo mostrado en la Fig. 2.7 con adaptacin en
entrada y salida en todo el rango de frecuencias y con las redes de entrada y salida sin
prdidas, no proporciona normalmente la ganancia plana deseada; por lo que se hace
necesario recurrir a otros mtodos como veremos ms adelante.

En todos estos casos no procede un diseo orientado nicamente a la adaptacin del
dispositivo, sino que tambin se busca un comportamiento prefijado en cuanto a ganancia.
Esto puede conseguirse de varias formas, entre las cuales citamos dos:
Utilizando redes que realimenten adecuadamente el dispositivo, bien para ecualizar su
ganancia, bien para convertirlo en incondicionalmente estable (o ambas cosas a la vez).
Desadaptando de forma selectiva la salida y/o la entrada del dispositivo.
El empleo de realimentacin precisa de la conversin de los parmetros S del
dispositivo a parmetros Z Y (segn que la realimentacin sea serie o paralelo), y
requiere un tratamiento del diseo con computador. Nosotros nos centraremos en el





Z
0 RED DE
ENTRADA
DISPOSITIVO
ACTIVO
S
ij
Z
L
=(Z
OUT
)
*
RED DE
SALIDA
Z
OUT

Z
0




Z
IN
Z
S
=(Z
IN
)
*

Fig. 2.7 Problemtica general en el diseo de un amplificador de microondas.

1.8.1. Circunferencias de ganancia constante (G
P
o G
A
)
Para dise nar amplicadores con determinada ganancia sin recurrir a tecnicas de reali-
mentaci on, es necesario desadaptar de forma controlada una o las dos puertas del dispo-
sitivo. Ello supone un conocimiento de los valores concretos de impedancias de carga Z
L
que proporcionan una ganancia de potencia G
P
=G
P
(S,
L
) deseada; o bien de las impe-
dancias de fuente Z
S
asociadas con una determinada ganancia disponible G
A
=G
A
(
S
,S).
En cualquier caso, antes de jar la ganancia deseada para un determinado dispositivo,
deber an tenerse en cuenta las siguientes limitaciones:
a) En dispositivos incondicionalmente estables, no se podr a jar un valor de ganancia
superior a la que resultara en condiciones de adaptaci on simultanea (MAG).
b) Si el dispositivo posee k>1 y >1, no se podr a obtener una ganancia inferior a Per-
sonNameProductIDla MAGla MAG, a no ser que se desadapten simultaneamente ambas
puertas.
c) En los casos de dispositivos con 1<k<1, no hay limitacion alguna en cuanto al valor
de la ganancia, salvo que se desee mantener al dispositivo sucientemente alejado de la
zona de inestabilidad.
1.8. CRITERIOS DE DISE

NO DE AMPLIFICADORES DE BANDA ESTRECHA 17

Caso unilateral.
En el caso de dispositivos con S
12
=0, la ganancia de trasducci on viene dada por
G
TU
=
1 |
S
|
2
|1 S
11

S
|
2
|S
21
|
2
1 |
L
|
2
|1 S
22

L
|
2
que puede ponerse como
G
TU
= G
S
G
0
G
L
con G
0
= S
21
2
y
G
i
|
i=S,L; 1,2
=
1 |
i
|
2
|1 S
ii

i
|
2
Los terminos G
S
y G
L
expresan la inuencia que tienen en la ganancia de trasduccion,
las impedancias en la entrada y salida respectivamente. Aunque, evidentemente, este caso
tiene menor interes que el general, a veces se manejan las circunferencias de ganancia
constante asociadas a G
S
y G
L
. G
S
y G
L
son maximizadas cuando

S
= S

11
y

L
= S

22
resultando en
G
Smax
=
1
1 |S
11
|
2
G
Lmax
=
1
1 |S
22
|
2
Denimos los factores de ganancia normalizados g
S
y g
L
como:
g
S
=
G
S
G
Smax
=
1 |
S
|
2
|1 S
11

S
|
2
_
1 |S
11
|
2
_
g
L
=
G
L
G
Lmax
=
1 |
L
|
2
|1 S
22

L
|
2
_
1 |S
22
|
2
_
18 CAP

ITULO 1. AMPLIFICADORES DE RF
Tenemos pues que 0g
S
1 y 0g
L
1. Para valores jos de g
S
y g
L
las ecuaciones
anteriores representan circunferencias en el plano de
S
y de
L
respectivamente. Para
ver esto, consideramos una de las ecuaciones anteriores, la cual puede desarrollarse para
obtener
g
S
| 1 S
11

S
|
2
=
_
1 |
S
|
2
_ _
1 |S
11
|
2
_
|
S
|
2
_
1 + g
S
|S
11
|
2
|S
11
|
2
_
g
S
(S
11

S
+ S

11

S
) = 1 |S
11
|
2
g
S
|
S
|
2

g
S
(S
11

S
+ S

11

S
)
1 (1 g
S
) |S
11
|
2
=
1 |S
11
|
2
g
S
1 (1 g
S
) |S
11
|
2
A nadiendo
g
2
S
|S
11
|
2
/
_
1 (1 g
S
) |S
11
|
2

2
a ambos lados de Ec. para completar el cuadrado, tenemos

g
S
S

11
1 (1 g
S
) |S
11
|
2

2
=
_
1 |S
11
|
2
g
S
_ _
1 (1 g
S
) |S
11
|
2

+ g
2
S
|S
11
|
2
_
1 (1 g
S
) |S
11
|
2

2
Simplicando, queda

g
S
S

11
1 (1 g
S
) |S
11
|
2

1 g
S
_
1 |S
11
|
2
_
1 (1 g
S
) |S
11
|
2
la cual es la ecuaci on de una circunferencia cuyo centro y radio vienen dados por las
siguientes expresiones:
C
S
=
g
S
S

11
1 (1 g
S
) |S
11
|
2
R
S
=

1 g
S
_
1 |S
11
|
2
_
1 (1 g
S
) |S
11
|
2
An alogamente, para g
L
=cte. se tienen circunferencias cuyo centro y radio son
C
L
=
g
L
S

22
1 (1 g
L
) |S
22
|
2
R
L
=

1 g
L
_
1 |S
22
|
2
_
1 (1 g
L
) |S
22
|
2
1.8. CRITERIOS DE DISE

NO DE AMPLIFICADORES DE BANDA ESTRECHA 19

Los centros de cada familia de circunferencias se sit uan a lo largo de una lnea recta
cuyo angulo con el eje de abcisas viene dado por
S

11
y S

22
. Notar que cuando g
S
=1 (o g
L
=1), R
S
=0 (R
L
=0), y el centro se reduce a S

11
(o
S

22
), como era de esperar. Ademas, las circunferencias de ganancia igual a 0 dB (G
S
=1
o G
L
=1), pasan siempre por el origen. Estos resultados se pueden usar para pintar una
familia de circunferencias de G
S
constante o G
L
constante, de forma que
S
o
L
se eligen
para obtener una determinada ganancia. Una opcion puede ser elegir
S
o
L
lo m as
pr oximos al origen de la carta de Smith, de forma que el dise no de la red de adaptacion
se simplica a la vez que se maximiza el ancho de banda. Alternativamente, en la entrada
se puede elegir un
S
que de simultaneamente un factor de ruido y una G
S
determinados;
como sera el caso para un amplicador de bajo ruido.
1.8.2. Circunferencias de ganancia en potencia constante G
P
=G
P
(S,
L
)
(Caso de desadaptaci on en la salida)
Sabemos que la ganancia en potencia viene dada por
G
P
=
|S
21
|
2
_
1 |
L
|
2
_
|1 S
22

L
|
2
|S
11

L
|
2
Para imponer que G
P
sea igual a un valor dado, deniremos el parametro g
P
de la
forma
G
P
= |S
21
|
2
g
P
Operando con Ecs. , se llega a la siguiente expresi on:

g
P
(S
22
S
11
)
L
+ g
P
(S

22

S
11
)
L

_
1 |S
11
|
2
_
g
p
+ 1
_
|S
22
|
2
||
2
_
g
P
+ 1
= 0
En estas condiciones, el lugar geometrico de valores de
L
que proporcionan el mismo
valor jo para G
P
dado por la Ec., es una circunferencia de radio R
P
y centro O
P
; dados
por las siguientes expresiones:
R
P
=
_
1 2k g
P
|S
21
S
12
| + g
2
P
|S
21
S
12
|
2
_
1/2
1 + g
P
_
|S
22
|
2
||
2
_
O
P
=
g
P
C

2
1 + g
P
_
|S
22
|
2
||
2
_
20 CAP

ITULO 1. AMPLIFICADORES DE RF
siendo k la constante de estabilidad dada anteriormente, =S
11
S
22
S
21
S
12
y
C
2
= S
22
S

11

La circunferencia anterior, denida por R

P
y O
P
, permite conocer los valores de Z
L
asociados a una determinada G
P
, y recibe el nombre de circunferencia de ganancia en
potencia constante. Una vez elegido el valor de Z
L
por este procedimiento (y por lo tanto
de G
P
), si se dise na una red sin perdidas que adapta PersonNameProductIDla ZINla
Z
IN
resultante, la ganancia de trasducci on obtenida corresponde a la de la circunferencia
de ganancia en potencia constante (G
T ent.adap.
=G
P
). Las circunferencias de ganancia en
potencia constante, presentan algunas peculiaridades interesantes:
a) La circunferencia de ganancia cero, siempre corresponde a la
L
=1 del diagrama
de Smith. A esto se llega imponiendo g
P
=0 en las ecuaciones de R
P
y O
P
; dando R
P
=1
y O
P
=0. Ello est a de acuerdo con el hecho de que las cargas reactivas puras no consumen
potencia alguna.
b) La circunferencia de ganancia en potencia innita siempre se corresponde con la
circunferencia de estabilidad de salida H
2
. En efecto, cuando se hace g
P
= en las Ecs.
de R
P
y O
P
, resultan en unos valores de R
P
y O
P
que coinciden con aquellos de H
2
, R
LC
y
LC
.
c) Todos los centros de las circunferencias de ganancia constante para cualquier valor
de g
P
, estan alineados. La fase de los vectores centro es
= tg
1
_
Im{C

2
}
Re {C
2
}
_
1.9. Estudio previo
Se quiere dise nar un amplicador de banda estrecha usando el transistor bipolar
BRF380 a la frecuencia de 415 MHz, cuyos parametros S (referidos a Z0=50 ) para el
punto de polarizacion VCE=3 V y IC=40 mA son
S =
_
0,589
162,338
0,032
60,059
15,523
98,856
0,281
115,851
_
a) Dise na una red feedback voltage (dos resistencias) para polarizar el transistor en
ese punto.
b) En esa frecuencia, como es la estabilidad del transistor?
c) Obtenga los valores de los centros y los radios de las circunferencias de estabilidad
de entrada y salida, y dibuje tales circunferencias en una misma gr aca.
1.10. TRABAJO DE LABORATORIO 21
1.10. Trabajo de Laboratorio
Se trata de dise nar el amplicador del estudio previo (estabilizando convenientemente).
Ejercicio 1: polarizacion
Realizar el siguiente montaje:
1.97 V
1.97 V
1.97 V
1.12 V
4.41 V
5 V 5 V 5 V
DC
DC1
DC
34.7 mA
277 uA
-35.0 mA bfr380f_ADS
X2
-3.29 mA
R
R4
R=600 Ohm
3.56 mA
R
R2
R=850 Ohm
34.7 mA
R
R1
R=17 Ohm
-35.0 mA
R
R3
R=32 Ohm
-38.3 mA
V_DC
SRC3
Vdc=5 V
Figura 1.1: Polarizacion
Necesitar as el modelo no lineal del transistor, y utilizar la paleta: Simulacion-DC.
Simula la estructura (F7) y en el men u Simulate, selecciona Anotate DC solution.
Veras las tensiones DC en los nodos. Contesta a las siguientes preguntas:
a) Cual es el punto de polarizacion?. Cual es la tensi on de base emisor del transistor?
Comenta el resultado. Determinarlo mediante un an alisis analtico de la red.
b) Cambia la red de polarizaci on a la que has dise nado en el estudio previo. Si-
mula la misma estructura y comprueba que el punto Q es aproximadamente el de las
especicaciones de dise no.
Una vez realizado el dise no de la red de polarizacion (utilizando el de dos resistencias)
pasamos a estudiar la estabilidad.
Ejercicio 2: estabilidad
Para estudiar la estabilidad se necesitan determinar los par ametros S en el punto de
polarizaci on. Realiza el montaje con los elementos que ves en la gura. Como observar as,
hay unos elementos extra (DC block...) que sirven para aislar idealmente la se nal de RF y
la componente contnua, es decir, que son condensadores de desacoplo y choques ideales
(esto se llama usualmente bias-T). Estos elementos son necesarios incluso en una etapa
real, sustituyendolos por sus componentes reales.
En la paleta simulation-S parameters encontrareis los elementos necesarios para estu-
diar la estabilidad (stabfact), etc...
22 CAP

ITULO 1. AMPLIFICADORES DE RF
DC_Block
DC_Block1
R
R1
R=49 Ohm
DC_Feed
DC_Feed1
R
R2
R=6900 Ohm
S_Param
SP1
Step=15 MHz
Stop=1 GHz
Start=10 MHz
S-PARAMETERS
StabFact
StabFact1
StabFact1=stab_fact(S)
StabFact
DC
DC1
DC
V_DC
SRC3
Vdc=5 V
DC_Feed
DC_Feed2
bfr380f_ADS
X1
Term
Term1
Z=50 Ohm
Num=1
DC_Block
DC_Block2
Term
Term2
Z=50 Ohm
Num=2
Figura 1.2: Estudio de la Estabilidad
a) Realizad el montaje y la simulaci on y representar el factor de estabilidad K. Que se
concluye? Compruebe que se corresponde con el te orico que habeis obtenido en el estudio
previo.
Para realizar un dise no m as sencillo, se ha estabilizado el transistor mediante una
resistencia de padding a la salida (preferible por cuestiones de ruido). Realiza el montaje
de la gura y
SmGamma2
SmGamma2
SmGamma2=sm_gamma2(S)
SmGamma2
N
SmGamma1
SmGamma1
SmGamma1=sm_gamma1(S)
SmGamma1
N
R
R3
R=50 Ohm
S_Param
SP1
Step=15 MHz
Stop=1 GHz
Start=10 MHz
S-PARAMETERS
R
R2
R=6900 Ohm
DC_Block
DC_Block3
S_StabCircle
S_StabCircle1
S_StabCircle1=s_stab_circle(S,51)
SStabCircle
L_StabCircle
L_StabCircle1
L_StabCircle1=l_stab_circle(S,51)
LStabCircle
bfr380f_ADS
X1
DC_Feed
DC_Feed1
StabFact
StabFact1
StabFact1=stab_fact(S)
StabFact
R
R1
R=49 Ohm
DC
DC1
DC
V_DC
SRC3
Vdc=5 V
DC_Feed
DC_Feed2
Term
Term1
Z=50 Ohm
Num=1
DC_Block
DC_Block2
Term
Term2
Z=50 Ohm
Num=2
DC_Block
DC_Block1
Figura 1.3: Estabilidad
1.10. TRABAJO DE LABORATORIO 23
b) Realizad de nuevo el estudio de la estabilidad, comprobando que ademas es com-
pletamente adaptable (StabFact2). Dad los valores de k y Delta para la nueva matriz de
par ametros S resultante de la estabilizaci on.
c) Por que se ha colocado un condensador de desacoplo en la resistencia de padding?
Ejercicio 3: Redes de adaptacion
a) A partir de los nuevos par ametros S, determinad las cargas de adaptaci on conju-
gada a entrada y salida, utilizando el mismo montaje que el anterior. Consulta la ayuda
de los elementos que no conoces, y averigua cual es el de entrada y de salida.
b) Demuestre analticamente (para el cuaderno de pr acticas) que efectivamente se
obtienen esos valores.
c) Realiza el montaje de la gura y simulalo, incuyendo las redes de adaptacion en L
a entrada y salida.
SmGamma2
SmGamma2
SmGamma2=sm_gamma2(S)
SmGamma2
N
SmGamma1
SmGamma1
SmGamma1=sm_gamma1(S)
SmGamma1
N
C
C2
C=8.9 pF
L
L2
R=
L=15.9 nH
C
C1
C=8 pF
L
L1
R=
L=14.7 nH
DC_Block
DC_Block2
Term
Term2
Z=50 Ohm
Num=2
R
R3
R=50 Ohm
S_Param
SP1
Step=15 MHz
Stop=1 GHz
Start=10 MHz
S-PARAMETERS
R
R2
R=6900 Ohm
DC_Block
DC_Block3
S_StabCircle
S_StabCircle1
S_StabCircle1=s_stab_circle(S,51)
SStabCircle
L_StabCircle
L_StabCircle1
L_StabCircle1=l_stab_circle(S,51)
LStabCircle
bfr380f_ADS
X1
DC_Feed
DC_Feed1
StabFact
StabFact1
StabFact1=stab_fact(S)
StabFact
R
R1
R=49 Ohm
DC
DC1
DC
V_DC
SRC3
Vdc=5 V
DC_Feed
DC_Feed2
Term
Term1
Z=50 Ohm
Num=1
DC_Block
DC_Block1
Figura 1.4: Redes de adaptacion
d) Determina la ganancia y las perdidas de retorno a la frecuencia de dise no.
e) Si el criterio para denir el ancho de banda es un coeciente de onda estacionaria
de igual 2, determinar el ancho de banda del amplicador.
f) Demuestra analticamente que las redes de adaptacion son aproximadamente las
del montaje. Para el dise no en L si hay mas posibilidades, calculalas.
g) Es posible disminuir el ancho de banda del dispositivo? Propon una posible
soluci on en caso de que sea posible (no es necesario determinar los valores).
Ejercicio 4: Determinacion del resto de elementos
a) Finalmente, simular el esquem atico de la gura con los valores pausibles de las
bobinas de choque y los condensadores de desacoplo.
b) Representa la MEG y comprueba que a la frecuencia de dise no coincide con el
valor de la ganancia (como dice la teora).
c) Los valores de los elementos se calculan asociandoles impedancias muy bajas (por
ejemplo de 1 Ohmio) o muy altas (por ejemplo de 10 k) a la frecuencia de dise no. Cual
24 CAP

ITULO 1. AMPLIFICADORES DE RF
SmGamma2
SmGamma2
SmGamma2=sm_gamma2(S)
SmGamma2
N
MaxGain
MaxGain1
MaxGain1=max_gain(S)
MaxGain
SmGamma1
SmGamma1
SmGamma1=sm_gamma1(S)
SmGamma1
N
C
C5
C=380 pF
C
C4
C=380 pF
C
C3
C=380 pF
L
L4
R=
L=3.8 uH
L
L3
R=
L=3.8 uH
C
C2
C=8.9 pF
L
L2
R=
L=15.9 nH
C
C1
C=8 pF
L
L1
R=
L=14.7 nH
Term
Term2
Z=50 Ohm
Num=2
R
R3
R=50 Ohm
S_Param
SP1
Step=15 MHz
Stop=1 GHz
Start=10 MHz
S-PARAMETERS
R
R2
R=6900 Ohm
S_StabCircle
S_StabCircle1
S_StabCircle1=s_stab_circle(S,51)
SStabCircle
L_StabCircle
L_StabCircle1
L_StabCircle1=l_stab_circle(S,51)
LStabCircle
bfr380f_ADS
X1
StabFact
StabFact1
StabFact1=stab_fact(S)
StabFact
R
R1
R=49 Ohm
DC
DC1
DC
V_DC
SRC3
Vdc=5 V
Term
Term1
Z=50 Ohm
Num=1
Figura 1.5: Etapa nal
corresponde a cu al? Razone la respuesta. Justique los valores elegidos en el esquematico
analticamente.
2010-09-13 1
BFR380F
3
1
2
NPN Silicon RF Transistor
High linearity low noise driver amplifier
Output compression point 19.5 dBm @ 1.8 GHz
Ideal for oscillators up to 3.5 GHz
Low noise figure 1.1 dB at 1.8 GHz
Collector design supports 5V supply voltage
Pb-free (RoHS compliant) package
Qualified according AEC Q101
ESD (Electrostatic discharge) sensitive device, observe handling precaution!
Type Marking Pin Configuration Package
BFR380F FCs 1 = B 2 = E 3 = C TSFP-3
Maximum Ratings
Parameter Symbol Value Unit
Collector-emitter voltage V
CEO
6 V
Collector-emitter voltage V
CES
15
Collector-base voltage V
CBO
15
Emitter-base voltage V
EBO
2
Collector current I
C
80 mA
Base current I
B
14
Total power dissipation
1)

T
S
95C
P
tot
380 mW
Junction temperature T
J
150 C
Ambient temperature T
A
-65 ... 150
Storage temperature T
Stg
-65 ... 150
Thermal Resistance
Parameter Symbol Value Unit
Junction - soldering point
2)
R
thJS
145 K/W
1
T
S
is measured on the collector lead at the soldering point to the pcb
2
For calculation of R
thJA
please refer to Application Note AN077 Thermal Resistance
2010-09-13 2
BFR380F
Electrical Characteristics at T
A
= 25C, unless otherwise specified
Parameter Symbol Values Unit
min. typ. max.
DC Characteristics
Collector-emitter breakdown voltage
I
C
= 1 mA, I
B
= 0
V
(BR)CEO
6 9 - V
Collector-emitter cutoff current
V
CE
= 5 V, V
BE
= 0
V
CE
= 15 V, V
BE
= 0
I
CES

-
-

1
-

30
1000
nA
Collector-base cutoff current
V
CB
= 5 V, I
E
= 0
I
CBO
- - 30
Emitter-base cutoff current
V
EB
= 1 V, I
C
= 0
I
EBO
- 1 500
DC current gain
I
C
= 40 mA, V
CE
= 3 V, pulse measured
h
FE
90 120 160 -
2010-09-13 3
BFR380F
Electrical Characteristics at T
A
= 25C, unless otherwise specified
Parameter Symbol Values Unit
min. typ. max.
AC Characteristics (verified by random sampling)
Transition frequency
I
C
= 40 mA, V
CE
= 3 V, f = 1 GHz
f
T
11 14 - GHz
Collector-base capacitance
V
CB
= 5 V, f = 1 MHz, V
BE
= 0 ,
emitter grounded
C
cb
- 0.5 0.7 pF
Collector emitter capacitance
V
CE
= 5 V, f = 1 MHz, V
BE
= 0 ,
base grounded
C
ce
- 0.2 -
Emitter-base capacitance
V
EB
= 0.5 V, f = 1 MHz, V
CB
= 0 ,
collector grounded
C
eb
- 1 -
Minimum noise figure
I
C
= 8 mA, V
CE
= 3 V, Z
S
= Z
Sopt
, f = 1.8 GHz
I
C
= 8 mA, V
CE
= 3 V, Z
S
= Z
Sopt
, f = 3 GHz
NF
min

-
-

1.1
1.6

-
-
dB
Power gain, maximum available
1)

I
C
= 40 mA, V
CE
= 3 V, Z
S
= Z
Sopt
,
Z
L
= Z
Lopt
, f = 1.8 GHz
I
C
= 40 mA, V
CE
= 3 V, Z
S
= Z
Sopt
,
Z
L
= Z
Lopt
, f = 3 GHz
G
ma


-

-


13.5

9.5


-

-
Transducer gain
I
C
= 40 mA, V
CE
= 3 V, Z
S
= Z
L
= 50,
f = 1.8 GHz
f = 3 GHz
|S
21e
|
2


-
-


11
7


-
-
dB
Third order intercept point at output
2)

V
CE
= 3 V, I
C
= 40 mA, Z
S
=Z
L
=50 , f = 1.8 GHz
IP
3
- 29 - dBm
1dB compression point at output
I
C
= 40 mA, V
CE
= 3V, f = 1.8 GHz
Z
S
=Z
L
=50
Z
S
= Z
Sopt,
Z
L
= Z
Lopt

P
-1dB


-
-


17
19.5


-
-
1
G
ma
= |S
21e
/ S
12e
| (k-(k-1)
1/2
)
2
IP3 value depends on termination of all intermodulation frequency components.
Termination used for this measurement is 50 from 0.1 MHz to 6 GHz
2010-09-13 4
BFR380F
Total power dissipation P
tot
= (T
S
)
0 15 30 45 60 75 90 105 120 C 150
T
S
0
50
100
150
200
250
300
mW
400
P
t
o
t
Permissible Pulse Load R
thJS
= (t
p
)
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
0
s
t
p
1
10
2
10
3
10
K/W
R
t
h
J
S
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
D=0
Permissible Pulse Load
P
totmax
/P
totDC
= (t
p
)
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
0
s
t
p
0
10
1
10
P
t
o
t
m
a
x
/
P
t
o
t
D
C
D = 0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
Collector-base capacitance C
cb
= (V
CB
)
f = 1MHz
0 2 4 6 8 10 12 V 16
V
CB
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
pF
1.6
C
c
b
2010-09-13 5
BFR380F
Third order Intercept Point IP
3
= (I
C
)
(Output, Z
S
= Z
L
= 50 )
V
CE
= parameter, f = 900 MHz
Third order Intercept Point IP
3
=(I
C
)
(Output, Z
S
=Z
L
=50)
V
CE
= parameter, f = 1.8GHz
0 10 20 30 40 50 60 70 mA 90
I
C
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
dBm
32
I
P
3
1V
2V
3V
4V
Transition frequency f
T
= (I
C
)
f = 1GHz
V
CE
= parameter
0 10 20 30 40 50 60 70 80 mA 100
I
C
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
GHz
16
f
T
5V
3V
2V
1V
0.7V
Power gain G
ma
, G
ms
= (I
C
)
f = 1.8GHz
V
CE
= parameter
0 10 20 30 40 50 60 70 80 mA 100
I
C
7
8
9
10
11
12
13
dB
15
G
5V
3V
2V
1V
0.7V
2010-09-13 6
BFR380F
Power Gain G
ma
, G
ms
= (f)
V
CE
= parameter
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 GHz 4.5
f
0
5
10
15
20
25
30
35
dB
45
G
Ic = 40mA
5V
2V
1V
0.7V
Power Gain |S
21
| = (f)
V
CE
= parameter
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 GHz 4.5
f
0
5
10
15
20
25
30
dB
40
G
Ic = 40mA
5V
2V
1V
0.7V
Power Gain G
ma
, G
ms
= (V
CE
):
|S
21
| = (V
CE
): - - - -
f = parameter
0 1 2 3 4 5 6 V 8
V
CE
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
dB
21
G
0.9GHz
1.8GHz
0.9GHz
1.8GHz
Ic = 40mA
Power gain G
ma
, G
ms
= (I
C
)
V
CE
= 3V
f = parameter
0 20 40 60 80 mA 120
I
C
5
7
9
11
13
15
17
19
dB
22
G
0.9GHz
1.8GHz
2.4GHz
3GHz
4GHz
2010-09-13 7
BFR380F
Minimum noise figure NF
min
= (I
C
)
V
CE
= 3V, Z
S
= Z
Sopt
0 10 20 30 40 50 60 70 80
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
I
c
[mA]
F

[
d
B
]
f = 2.4GHz
f = 0.9GHz
f = 4GHz
f = 1.8GHz
f = 3GHz
Noise figure F = (I
C
)
V
CE
= 3V, f = 1.8 GHz
0 10 20 30 40 50 60 70 80
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
I
c
[mA]
F

[
d
B
]
Z
S
= 50
Z
S
= Z
Sopt
Minimum noise figure NF
min
= (f)
V
CE
= 3V, Z
S
= Z
Sopt
Source impedance for min.
noise figure vs. frequency
V
CE
= 3 V, I
C
= 8.0mA/40.0mA
2010-09-13 8
BFR380F
SPICE GP (Gummel-Poon)
For the SPICE Gummel Poon (GP) model as well as for the S-parameters
(including noise parameters) please refer to our internet website
www.infineon.com/rf.models.
Please consult our website and download the latest versions before actually
starting your design. You find the BFR380F SPICE GP model in the internet
in MWO- and ADS-format, which you can import into these circuit simulation tools
very quickly and conveniently. The model already contains the package parasitics
and is ready to use for DC and high frequency simulations. The terminals of the
model circuit correspond to the pin configuration of the device. The model
parameters have been extracted and verified up to 10 GHz using typical devices.
The BFR380F SPICE GP model reflects the typical DC- and RF-performance
within the limitations which are given by the SPICE GP model itself. Besides the DC
characteristics all S-parameters in magnitude and phase, as well as noise figure
(including optimum source impedance, equivalent noise resistance and flicker noise)
and intermodulation have been extracted.
2010-09-13 9
BFR380F Package TSFP-3
4
Package Out l i ne
Foot Pr i nt
Mar ki ng Layout ( Exampl e)
St andar d Packi ng
Reel 180 mm = 3.000 Pieces/Reel
Reel 330 mm = 10.000 Pieces/Reel
0.05 0.2
3
0.05 1.2
1 2
1
0

M
A
X
.
0
.
0
5
0
.
8
1
.
2

0
.
0
5
0.04 0.55

0
.
0
5
0
.
2
0.05 0.15 0.05 0.2
0.40.05
0.40.05
0.4
0
.
4
5
1
.
0
5
0.4 0.4
BCR847BF
Type code
Pin 1
0.2
1.35
0.3
0.7
1
.
2
1
.
5
8
Pin 1
Manufacturer
2010-09-13 10
BFR380F
Datasheet Revision History: 13 September 2010

This datasheet replaces the revision from 20 May 2010.
The product itself has not been changed and the device characteristics remain unchanged.
Only the product description and information available in the datasheet has been expanded
and updated.

Previous Revision: 20 May 2010
Page Subject (changes since last revision)
5 @ 900 MHz OIP3 curve added
8 SPICE model parameters removed from the datasheet, respective link to the
internet site added


2010-09-13 11
BFR380F
Edition 2009-11-16

Published by
Infineon Technologies AG
81726 Munich, Germany

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