INFORME DE LABORATORIO DE POTENCIA No 1

David Leonardo Fajardo Sastre Cod 1801376 Giovanni Zambrano Pinilla Cod 1801544

1.

Marco Terico.

El diodo ideal El diodo ideal es un componente discreto que permite la circulacin de corriente entre sus terminales en un determinado sentido, mientras que la bloquea en el sentido contrario. En la Figura 1 se muestran el smbolo y la curva caracterstica tensin-intensidad del funcionamiento del diodo ideal. El sentido permitido para la corriente es de nodo (a) a ctodo (k).

FIGURA 1: SMBOLO Y CURVA CARACTERSTICA TENSIN-CORRIENTE DEL DIODO IDEAL. El diodo ideal es un componente que presenta resistencia nula al aso de la corriente en un determinado sentido, y resistencia infinita en el sentido opuesto. La punta de la flecha del smbolo de la figura 1 indica el sentido permitido de la corriente. En los circuitos de la figura 2 se ejemplifica el funcionamiento de un diodo ideal.

FIGURA 2: EJEMPLO DE FUNCIONAMIENTO DEL DIODO IDEAL. En el circuito de la izquierda, el diodo permite la circulacin de corriente, la corriente circula de nodo a ctodo y el diodo se comporta como un interruptor cerrado, la corriente que circula por la resistencia es de 5 mA. En el circuito de la derecha, el diodo impide el paso de corriente, comportndose como un interruptor abierto, y la cada de tensin en la resistencia es nula: los 10V determinan la tensin inversa que soporta el diodo.

La Juntura PN Si se divide un monocristal de silicio puro en dos zonas cuya frontera queda definida por un plano, una zona se dopa con impurezas de tipo P y la otra de tipo N (figura 3). La zona P tiene un exceso de huecos, y se obtiene introduciendo tomos del grupo III en la red cristalina (por ejemplo, boro). La zona N dispone de electrones en exceso, procedentes de tomos del grupo V (fsforo). En ambos casos se tienen tambin portadores de signo contrario (portadores minoritarios), aunque en una concentracin varios rdenes de magnitud inferior que la de los portadores mayoritarios.

FIGURA 3: IMPURIFICACIN DEL SILICIO PARA LA OBTENCIN DE DIODOS PN Dado que en cada zona la carga total es neutra, por cada electrn hay un Ion positivo, y por cada hueco un Ion negativo, no existen distribuciones de carga neta ni campos elctricos internos. Al crear dos zonas de diferente concentracin de portadores, entra en juego el mecanismo de la difusin que tiende a llevar partculas de donde hay ms a donde hay menos. El efecto es que los electrones y los huecos cercanos a la unin de las dos zonas la cruzan y se instalan en la zona contraria, es decir que electrones de la zona N pasan a la zona P y huecos de la zona P pasan a la zona N. Este movimiento de portadores de carga tiene como efecto que a ambos lados de la unin se va creando una zona de carga, que es positiva en la zona N y negativa en la zona P tal como se muestra en la figura 4. La distribucin de cargas formada en la regin de la unin provoca un campo elctrico desde la zona N a la zona P.

FIGURA 4: FORMACIN DE LA UNIN PN El campo elctrico se opone al movimiento de portadores segn la difusin, y va creciendo conforme pasan ms cargas a la zona opuesta, hasta que la fuerza de la difusin y la del campo elctrico se equilibran y cesa el traslado de portadores. En ese momento est ya formado el diodo de unin PN, y como resultado del

proceso se ha obtenido una zona semiconductora tipo P con una resistencia RP, una zona semiconductora tipo N con una resistencia RN, y una zona de agotamiento que no es conductora puesto que no posee portadores de carga libres. En ella acta un campo elctrico, o sea que existe una barrera de potencial. Este proceso sucede instantneamente en el momento en el que se generan las zonas N y P por agitacin trmica, o sea que no necesita ningn aporte de energa externa. Polarizacin directa El bloque PN descrito en el apartado anterior en principio no permite el establecimiento de una corriente elctrica entre sus terminales puesto que la zona de agotamiento no es conductora. Si se aplica una tensin positiva en el nodo, se generar un campo elctrico que "empujar" los huecos hacia la unin, provocando un estrechamiento de la zona de agotamiento (Figura 5a). Sin embargo, mientras sta exista la conduccin es casi nula. Si la tensin aplicada supera a la de barrera, desaparece la zona de agotamiento, electrones y huecos se dirigen a la unin y se recombinan. En estas condiciones la corriente queda determinada por el circuito externo ya que la tensin en bornes de la juntura permanece prcticamente constante. (Figura 5b):

FIGURA 5: (a) DIODO PN DURANTE LA APLICACIN DE UNA TENSIN INFERIOR A LA DE BARRERA (b) DIODO PN BAJO LA ACCIN DE UNA TENSIN MAYOR QUE LA DE BARRERA En resumen, polarizar un diodo PN en directa es aplicar tensin positiva a la zona P y negativa a la zona N. Un diodo PN conduce cuando est polarizado directamente, si bien recin cuando la tensin aplicada vence la barrera de potencial los portadores de carga tienen un movimiento suficiente para que la zona de agotamiento se inunde de cargas mviles. Polarizacin inversa Al aplicar una tensin positiva a la zona N y negativa a la zona P, se retiran portadores mayoritarios prximos a la unin. Estos portadores son atrados hacia los contactos aumentando la anchura de la zona de agotamiento, y la corriente debido a los portadores mayoritarios es nula (figura 6). Dado que en ambas zonas hay portadores minoritarios, y un diodo polarizado en inversa lo est en directa para los minoritarios, estos portadores minoritarios son atrados hacia la unin. Este movimiento crea una corriente cuya magnitud es muy inferior a la que se obtendra en polarizacin directa para los mismos niveles de tensin.

FIGURA 6: DIODO PN POLARIZADO EN INVERSA Al aumentar la tensin inversa, hay un nivel de tensin, al igual que sucede en un material aislante, en que se produce la ruptura de la zona de agotamiento: el campo elctrico puede ser tan elevado que arranque electrones que forman los enlaces covalentes entre los tomos de silicio, originando un proceso de ruptura por avalancha. Esta ruptura, no necesariamente conlleva la destruccin de la juntura, mientras la potencia disipada se mantenga en niveles admisibles. Resultados Tabla 1. Valores de voltaje tomados en el secundario del transformador. Variable evaluada Expresin Valores en Voltios matemtica Osciloscopio Multimetro Tension pico 18,4 18,2 Tensin media 5,68 Tensin eficaz 13,6 13,26

Calculados 18 5,72 12,72

FIGURA 7: SEAL AC TOMADA A LA SALIDA DEL SECUNDARIO DEL TRANSFORMADOR

Tabla 2. Valores de voltaje tomados en la carga.

Variable evaluada Tension pico Tensin media Tensin eficaz

Expresin matemtica

Osciloscopio 12,3 7,25

Valores en Voltios Multimetro 12,05 2,86 7,96

Calculados 12 2,89 8,38

FIGURA 8: FORMA DE ONDA DEL VOLTAJE SOBRE LA CARGA.

FIGURA 9: FORMA DE ONDA DEL VOLTAJE TOMADA SOBRE EL DIODO

Conclusiones El diodo real no es un dispotivo lineal. Para facilitar el anlisis de circuitos que involucran diodos, estos se reemplazan por diodos ideales. El equivalente lineal resultante, es mucho mas sencillo de analizar. El error involucrado en aproximar el diodo real, es minimo.

En lo que respecta al diseo de circuitos con diodos, es importante tener claro la funcin y operacin que desempean los diferentes circuitos elementales (rectificadores, filtros, estabilizadores de tensin, limitadores de seal, etc.) y los diferentes parmetros involucrados en cada uno de ellos (el dominio o rango de la seal, las potencias que debern soportar los distintos elementos del circuito, etc).