INGENIERIA DE SISTEMA CMPUTO Y TELECOMUNICACIONES

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CURSO: CIRCUITOS ELECTRICOS

DOCENTE: MARTINES DE PINILLO NAPURI JULIO

FACULTAD: INGENIERIA DE SISTEMA CMPUTO Y TELECOMUNICACIONES

INTEGRANTES: OVIEDO MENDOZA PEDRO ALEXANDER HURTADO AVALOS JUNIOR ALEJANDRO ALMEIDA DIAZ LEYSER FREEDI AMORETTI ARTEAGA CONSTANSA ESTRELLA TIPISMANA QUISPE LUIS ALBERTO (NO PAGO) CICLO: IV TURNO: NOCTURNO

2012
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AG R ADECI MI ENT O

Agradec em os una v ez m s a nue st ro s pa dre s por su i nt egro ap oyo y t ot al conf i anza que depo si t an en no sot ro s, a s com o t am bi n a cada u no de l o s docent e s d e e st a ca sa e ducat i v a que nos t ransm i t en su s con oci mi ent os ad qui ri dos p ara ser pro f esi onal es de x i t o al i gual que el l os l o son.

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SEMICONDUCTORES Y DIODOS

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DIODOS
Un diodo es un componente electrnico de dos terminales que permite la circulacin de la corriente elctrica a travs de l en un solo sentido. Este trmino generalmente se usa para referirse al diodo semiconductor, el ms comn en la actualidad; consta de una pieza de cristal semiconductor conectada a dos terminales elctricos. El diodo de vaco (que actualmente ya no se usa, excepto para tecnologas de alta potencia) es un tubo de vaco con dos electrodos: una lmina como nodo, y un ctodo a la vez los diodos se representa en diagramas de circuitos son el sentido a la corriente que genera fuente.

CRISTALES
Los principales materiales que se utiliza para construir los diodos son el germanio y el silicio debido a su estructura unitaria idnticas, a la vez los cristales se clasifican segn su pureza es decir en dos tipos:

CRISTALES INTRNSECOS
O tambin llamados cristales puros, por que poseen alta pureza.

CRISTALES EXTRNSECOS
Al contrario de los cristales intrnsecos los extrnsecos son cristales impurificados debido a sus tomos dopados y de sustancias ajenas al cristal.

CRISTALES DE SILICIO
Los cristales de silicio estn conformados por 5 tomos que estn ubicados de forma geomtrica, un tomo se encuentra en el centro y los dems a su alrededor y la vez comparte electrones este compartimiento de electrones se llaman enlaces covalentes. A la vez el cada tomo de silicio cuenta con 8 electrones en su ltima capa los cuales se reparten entre los 4 tomos alrededor de el. Los enlaces covalentes generan uniones entre los tomos mas fuertes de electrones de valencia que absorbe suficiente energa cintica de forma naturales y la vez de rompe la unin covalente y se genera un estado libre del electrn cuyo movimiento sensible a los campos elctricos debido a la corriente que genera una fuente de corriente. Este causa genere un efecto luminoso en forma de fotones que genera una energa trmica que se encuentra a una temperatura 1.5x1010 portadores libre en un centmetro cubico de silicio puro.

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DIODO SEMICONDUCTOR
Todo dispositivo formado por dos capas de materiales slidos cristalinos (como el germanio y el silicio), cuya caracterstica principal es que permiten el paso de la corriente atreves de l. Los terminales conectados llamados nodo (materiales tipo p) y ctodo (materiales de tipo n).

CRISTALES EXTRNSECO TIPO N

Algunos cristales puros pueden alterar sus condiciones elctricas originales mediante la impurificaciones, a la vez se originan segn sea su grupo como los cuales el grupo IV(trivalente) o del grupo(pentavalentes) de la tabla peridica. A la vez cuando los cristales se impurifican cambiaran la condicin del tomo (silicio).

Para lo cual los cristales intrnsecos como el de silicio se puede llevar a punto de fundicin para lo cual deshacemos su forma estructurada de forma cristalina. Una vez fundido el silicio se le agrega una gota de fosforo tambin de forma lquida lo cual genera una nueva estructura cristalina

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La impurificacin de los cristales de silicio con un tomo de pentavalente, genera que el electrn perifrico no participa en ningn enlace. Las capas del tomo padre quedan libres.

As mismo se genera un fenmeno de impurificacin del cristal de silicio del tomo pentavalente y al recibir una gran cantidad de energa de un electrn se libera creando un hueco en el tomo.

A la vez el electrn que se encontrar libre viaja hasta cuando encuentra otro tomo al cual le falta un electrn este fenmeno producido se llama recombinacin y al vez este fenmeno se repite en los tomos.

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Si este fenmeno se presenta, no solo en la cristales de silicio, sino en las pieza del cristal pero se genera un cristal impuro, un ejemplo puede ser el en tomo de impureza (fosforo) da lugar da presencia ala cargas negativas.

MATERIALES EXTRNSECOS TIPO N Y TIPO P MATERIALES TIPO N

Apartir de este proceso se obtiene en los cristales de silicio cargas negativas las cuales se encargan de transportar la electricidad de un punto a otro.

MATERIALES TIPO P
Uno de los materiales intrnsecos pueden doparse con otros atamos trivalentes, como el Boro (del grupo III, con 2 tomos en su primera capa y 3 en la capa segunda).

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Tambin como el tono del boro solo cuenta con 3 electrones perifricos, solo se completa un enlace covalente de 3 tomos de silicio lo cual genera un hueco de carga positiva y queda el cristal impurificado.

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