IMPORTANCIA Y CLASIFICACIÓN DE LOS MATERIALES EN INGENIERÍA.

Probablemente, la importancia de los materiales en nuestra cultura es mayor de lo que habitualmente se cree. Prácticamente cada segmento de nuestra vida cotidiana está influido en mayor o menor grado por los materiales, como por ejemplo transporte, vivienda, vestimenta, comunicación, recreación y alimentación. Se han desarrollado decenas de miles de materiales distintos con características muy especiales para satisfacer las necesidades de nuestra moderna y compleja sociedad; se trata de metales, plásticos, vidrios y fibras. El progreso de muchas tecnologías, que aumentan la confortabilidad de nuestra existencia, va asociado a la disponibilidad de materiales adecuados. El avance en la comprensión de un tipo de material suele ser el precursor del progreso de una tecnología. Por ejemplo, la fabricación de automóviles fue posible por la aparición de un acero idóneo y barato o de algún sustituto comparable. Actualmente los adelantos electrónicos más sofisticados se basan en componentes denominados materiales semiconductores. CLASIFICACIÓN DE LOS MATERIALES EN INGENIERÍA Los materiales se clasifican en 5 grupos: metales, cerámicos, polímeros, semiconductores y materiales compuestos. Cada uno de estos grupos de materiales posee características distintas. Metales Los metales y sus aleaciones generalmente tienen como característica una buena conductividad eléctrica y térmica, una resistencia relativamente alta, una alta rigidez, ductilidad o conformabilidad y resistencia al impacto. Son particularmente útiles en aplicaciones estructurales o de carga. Aunque en ocasiones se utilizan metales puros, las combinaciones de metales conocidas como aleaciones proporcionan mejoría en alguna propiedad particularmente deseable o permiten una mejor combinación de propiedades. En la imagen se pueden apreciar el oro (izquierda) y la plata (derecha) usados muy comúnmente en joyería.

P ágina |2 Cerámicos Los cerámicos son fuertes y duros, aunque también muy frágiles o quebradizos. Las nuevas técnicas de procesamiento han conseguido que los cerámicos sean lo suficientemente resistentes a la fractura para que puedan ser utilizados en aplicaciones de carga, como los impulsores en los motores de turbina. Algunos materiales cerámicos pueden soportar temperaturas extremadamente altas sin perder su solidez. Son los denominados materiales refractarios. Generalmente tienen baja conductividad térmica por lo que son empleados como aislantes. Por ejemplo, partes de los cohetes espaciales son construidos de azulejos cerámicos que protegen la nave de las altas temperaturas causadas durante la entrada a la atmósfera. Polímeros Producidos mediante un proceso conocido como polimerización, los polímeros incluyen el hule, los plásticos y muchos tipos de adhesivos. Los polímeros tienen baja conductividad eléctrica y térmica, reducida resistencia y no son adecuados para utilizarse a temperaturas elevadas. Los polímeros termoplásticos, en los cuales las largas cadenas moleculares no están conectadas de manera rígida, tienen buena ductilidad y conformabilidad; los polímeros termoestables son más resistentes aunque más frágiles porque las cadenas moleculares están fuertemente enlazadas. Semiconductores La conductividad eléctrica de estos materiales puede controlarse para su uso en dispositivos electrónicos como transistores, diodos y circuitos integrados. La información hoy día se transmite por luz a través de sistemas de fibras ópticas; los semiconductores, que convierten las señales eléctricas en luz y viceversa con componentes esenciales de estos sistemas.

P ágina |3 Materiales compuestos Los materiales compuestos se forman a partir de dos o más materiales, produciendo propiedades que no se encuentran en ninguno de los materiales de manera individual. Con materiales compuestos podemos producir materiales ligeros, fuertes, dúctiles, resistentes a altas temperaturas, o bien, podemos producir herramientas de corte duras y a la vez resistentes al impacto, que de otra manera se harían añicos. Un ejemplo de material compuesto es el concreto.

los átomos se sitúan según un patrón tridimensional repetitivo. Cada electrón posee una energía en particular. La masa atómica de un átomo específico se puede expresar como la suma de las masas de los protones y los neutrones del núcleo. es decir. La masa de cada protón y cada neutrón es de 1. los átomos de un mismo elemento que tienen dos o más masas atómicas se denominan isótopos. pero la de cada electrón es de únicamente 9. los átomos se sitúan en una disposición repetitiva o periódica a lo largo de muchas distancias atómicas.67 x 10-24 g. de carga negativa. en su conjunto el átomo es eléctricamente neutro. muchas cerámicas y ciertos polímeros adquieren estructuras cristalinas en condiciones normales de solidificación. en el cual cada átomo está enlazado con su vecino más próximo. al solidificar el material. no existen más de dos electrones en cada átomo . Los metales. Antes de comenzar a analizar los conceptos de orden de corto y largo alcance. el número de neutrones puede variar.60 x 10-19 coulomb (C). Aunque el número de protones es igual en todos los átomos de un mismo elemento. Así. En un material cristalino. Estructura electrónica del átomo Los electrones ocupan niveles de energía discontinuos dentro del átomo.11 x 10-28 g. Estructura del átomo Un átomo está compuesto de un núcleo rodeado por electrones. unos respecto de otros. El número atómico de un elemento es igual al número de electrones o protones en cada átomo. La mayor parte de la masa del átomo se encuentra en el núcleo. están sujetos al núcleo por atracción electrostática. La carga eléctrica q que llevan cada electrón y cada protón es de 1. existe un orden de largo alcance tal que. El núcleo contiene neutrones y protones de carga positiva y tiene una carga positiva neta. los átomos o iones. Dado que el número de electrones y protones en el átomo es el mismo. El peso atómico corresponde al peso ponderado de las masas atómicas de los isótopos. de acuerdo a la abundancia relativa de cada isótopo en la naturaleza.P ágina |4 ARREGLOS ATÓMICOS El arreglo atómico juega un papel importante en la determinación de la microestructura y en el comportamiento de un material sólido. Los electrones. Los materiales sólidos se pueden clasificar según la regularidad con que se sitúan. es necesario conocer la estructura de un átomo. El orden de largo alcance no existe en los materiales que no cristalizan. Para calcular el peso atómico se utiliza el concepto de unidad de masa atómica (uma).

. Toma valores 1/2 y -1/2. con anillo nodal") →d proviene de Diffuse (difuso).. Esto determina el tamaño del orbital. mostrando los electrones de las capas cuánticas K(n=1).P ágina |5 con una misma energía... indica el nivel de energía en el que se halla el electrón. Números cuánticos: El nivel de energía al cual corresponde cada electrón queda determinado por cuatro números cuánticos. "(m = . )".. = 3: Subórbita "f" ("lobulares con nodos radiales") →f proviene de fundamental. 1. 2. 3.. Indica la orientación espacial del subnivel de energía. 5.. 4... II) El número cuántico del momento angular o acimutal ( = 0. El número de niveles de energía posibles es determinado por los tres primeros números cuánticos. . Se relaciona con la distancia promedio del electrón al núcleo del orbital.. número atómico 11. Para cada valor de hay 2 +1 valores de m. Si: = 0: Subórbita "s" ("forma circular") →s proviene de Sharp (nítido).. 4…). El principio de exclusión de Pauli establece que no puede haber más de dos electrones con giros propios opuestos en cada orbital. 2. L(n=2) y M(n=3). indica la forma de los orbitales y el subnivel de energía en el que se encuentra el electrón. I) Numero cuántico principal (n = 1. = 2: Subórbita "d" ("forma lobular. n-1). 3. Esto también implica que existe una diferencia de energía discreta entre cualesquiera dos niveles diferentes de energía. 0. = 1: Subórbita "p" ("forma semicircular achatada") →p proviene de principal.. IV) El número cuántico de spin (s). Toma valores enteros.. III) El número cuántico magnético (m). indica el sentido de giro del campo magnético que produce el electrón al girar sobre su eje. Estructura atómica del sodio.

Sin embargo. semiconductores. formando un ángulo de 104. los átomos no tienen orden y llenan de manera aleatoria el espacio en el cual está confinado el gas. en forma de rejilla o de red. (d) Los metales y muchos otros sólidos tienen un orden regular de los átomos que se extiende por todo el material. entonces existen tres niveles de arreglo atómico. tienen orden en una distancia muy corta. Orden de corto alcance: Un material muestra orden de corto alcance si el arreglo especial de los átomos se extiende sólo a los vecinos más cercanos de dicho átomo. regular. cada átomo de oxígeno está unido a dos átomos de hidrógeno. Cada molécula de agua en fase vapor tiene un orden de corto alcance debido a los enlaces covalentes entre los átomos de hidrógeno y oxígeno.P ágina |6 ORDEN DE CORTO Y LARGO ALCANCE Si no se consideran las imperfecciones que aparecen en los materiales. c) Algunos materiales. las moléculas de agua no tienen una organización especial entre sí. esto es. incluyendo el vapor de agua y el vidrio. (b. Sin Orden: En gases como el argón. Los niveles de arreglo atómico en los materiales: (a) los gases inertes no tienen un orden regular en sus átomos.5° entre los enlaces. el arreglo atómico especial se extiende por todo el material. muchos materiales cerámicos e incluso algunos polímeros tienen una estructura cristalina en la cual los átomos muestran tanto un orden de corto alcance como un orden de largo alcance. Los átomos forman un patrón repetitivo. Orden de largo alcance: Los metales. .

Se identifican 14 tipos de celdas unitarias o redes de Bravais agrupadas en siete sistemas cristalinos. Uno de estos esquemas se basa en la geometría de la celda unitaria. Se obtiene una estructura cristalina sumando la red y la base. conocidos como puntos de red. La celda unitaria (contorno grueso) es una subdivisión de la red que sigue conservando las características de la red. en algunos casos. la forma del paralelepípedo sin tener en cuenta la posición de los átomos en la celdilla. A continuación se verán algunas características de una red o de una celda unitaria. Se establece un . Al apilar celdas unitarias idénticas. que están organizados siguiendo un patrón periódico de forma que el entorno de cada punto en la red es idéntico. BASES Y ESTRUCTURAS CRISTALINAS REDES La red es un conjunto de puntos. la forma y la organización atómica dentro de la red. Uno o más átomos quedan asociados a cada punto de la red. se puede construir toda la red. CELDAS UNITARIAS. motif o base. BASES Un grupo de uno o más átomos ubicados de forma determinada entre sí.P ágina |7 REDES. ESTRUCTURAS O SISTEMAS CRISTALINOS Existen muchas estructuras cristalinas diferentes y es conveniente clasificarlas en grupos de acuerdo con las configuraciones de la celda unitaria y/o la disposición atómica. La red difiere de un material a otro en tanto en tamaño como en forma. dependiendo del tamaño de los átomos y del tipo de enlace entre ellos. La estructura cristalina de un material se refiere al tamaño. se llama motivo. Una red es un arreglo periódico de puntos que definen un espacio. en cualquiera de las caras o en el centro de la celda unitaria. es decir: estructura cristalina = red + base. Los puntos de la red están localizados en las esquinas de las celdas unitarias y. y asociados con cada punto de red. CELDAS UNITARIAS La celda unitaria es la subdivisión de la red cristalina que sigue conservando las características generales de toda la red.

. y de coordenadas cuyo origen coincide con un vértice de la celda. . La geometría de la celda unitaria se define en función de seis parámetros: la longitud de tres aristas . Celda unitaria con los ejes de coordenadas . y . Los catorce tipos de celdas unitarias.P ágina |8 sistema . los ejes y coinciden con las aristas del paralelepípedo que salen de este vértice. o redes de Bravais. agrupados en siete sistemas cristalinos. y ). . y y los tres ángulos interaxiales . y mostrando las longitudes de las aristas ( . y ) y los ángulos interaxiales ( . . Estos ángulos se denominan parámetros de red de una estructura cristalina. .

incluyen las dimensiones de los costados de la celda unitaria y los ángulos entre sus costados. Se requieren varios parámetros de red para definir el tamaño y la forma de celdas unitarias complejas. que describen el tamaño y la forma de la celda unitaria. Sistema Cristalino Relación axial Ángulos interaxiales Geometría de la celda unitaria Cúbico Hexagonal Tetragonal .P ágina |9 Parámetro de red Los parámetros de la red.

P á g i n a | 10 Romboédrico Ortorrómbico Monoclínico Triclínico .

igual que las posiciones de centrado en el cuerpo y centrado en las caras. Al determinar geométricamente la longitud de la dirección. se utilizan esas direcciones para calcular la relación entre el tamaño aparente del átomo y el tamaño de la celda unitaria. Número de coordinación El número de átomos que tocan a otro en particular. particularmente en aquellas con sólo un átomo por punto de red. Las esquinas contribuyen con 1/8 de un punto. Por ejemplo. Radio atómico comparado con el parámetro de la red Las direcciones en la celda unitaria a lo largo de las cuales los átomos están en contacto continuo son las direcciones compactas. En estructuras cúbicas que contengan solamente un átomo por punto de la red. es el número de coordinación y es una indicación de que tan estrecha y eficazmente están empaquetados los átomos. es posible determinar la dirección deseada. en tanto que en CC los ocho átomos de esquina tocan al átomo centrado en el cuerpo. Al contar el número de puntos de red que corresponden a cada celda unitaria. . En estructuras simples. sólo una octava parte de cada esquina corresponde a una celda particular. Ilustración de coordinación entre las celdas unitarias cúbica simple (a) y cúbica centrada en el cuerpo (b). se deben identificar los puntos de la red que van a ser compartidos por más de una celda unitaria. los átomos tienen un número de coordinación relacionado con la estructura de la red. Un punto de red en la esquina de una celda unitaria estará compartido por siete celdas unitarias adyacentes. las esquinas de las celdas se identifican fácilmente. En CS seis átomos tocan a cada átomo. las caras con ½ y las posiciones en el centro del cuerpo contribuyen con todo un punto. es decir. relativa a los parámetros de red y a continuación sumando los radios atómicos en esa dirección. el número de vecinos más cercanos.P á g i n a | 11 Número de átomos por celda unitaria Cada una de las celdas unitarias está definida por un número específico de puntos de red.

Un átomo está ubicado en una esquina. . en tanto que el otro está localizado dentro de la celda unitaria. la estructura hexagonal compacta (HC). La expresión general para el factor de empaquetamiento es: Densidad La densidad teórica de un metal se puede calcular utilizando las propiedades de la estructura cristalina. La estructura HC tiene un punto de red por celda (uno proveniente de cada una de las ocho esquinas del prisma) pero con cada punto de la red están asociados dos átomos.P á g i n a | 12 Factor de empaquetamiento El factor de empaquetamiento es la fracción de espacio ocupada por átomos. La celda unitaria es el prisma sesgado que se muestra por separado. La red hexagonal compacta (HC) (izquierda) y su celda unitaria (derecha). La fórmula general es: Estructura hexagonal compacta Una forma especial de la red hexagonal. suponiendo que los átomos son esferas sólidas.

y para pasar desde el origen hasta el punto en cuestión. Reduzca las fracciones y/o los resultados obtenidos de la resta a los mínimos enteros. Los índices de Miller para las direcciones son la notación abreviada de estas direcciones. Encierre los números en corchetes [ ]. El procedimiento que determina los índices de Miller para las direcciones es el siguiente: 1. y separando cada número con comas.P á g i n a | 13 PUNTOS. Utilizando un sistema de coordenadas dextrógiro. DIRECCIONES EN LA CELDA UNITARIA Ciertas direcciones en la celda unitaria son de particular importancia. DIRECCIONES Y PLANOS DE LA CELDA UNITARIA COORDENADAS DE LOS PUNTOS Es posible localizar ciertos puntos. 4. Los números se refieren a la distancia desde el origen en función de los números de parámetros de red. La distancia se mide en función del número de parámetros de red que habrá que moverse en cada una de las coordenadas . 3. . Las coordenadas se expresan como tres distancias. Reste las coordenadas del punto inicial de las coordenadas a las del punto final para obtener el número de parámetros de red recorridos en la dirección de cada eje del sistema de coordenadas. Los metales se deforman. construyendo el sistema de coordenadas dextrógiro de la figura. como las posiciones de los átomos en la red o en la celda unitaria. por ejemplo. determine las coordenadas de dos puntos que estén en esa dirección. Si se obtiene un signo negativo. represéntelo con una barra sobre el número. Coordenadas de puntos seleccionados en la celda unitaria. en aquellas direcciones a lo largo de las cuales los átomos están en contacto más estrecho. 2.

dado que esta distancia es . 3. 2. Si el plano pasa a través del origen. es decir. En el cobre. se podría calcular la fracción de empaquetamiento en una dirección en particular. Ciertos grupos de direcciones son equivalentes. es decir. Una dirección y su múltiplo son idénticos. la fracción verdaderamente cubierta por átomos. En el caso del cobre. 1. Otra manera de caracterizar direcciones equivalentes es mediante la distancia de repetición. el origen del sistema de coordenadas deberá moverse. . una dirección y su negativo no son idénticas. la distancia entre puntos de la red a lo largo de la dirección. Tome los recíprocos de estas intersecciones. Fracción de empaquetamiento Finalmente. por ejemplo. esta fracción es igual al producto de la densidad lineal por dos veces el radio atómico. los metales se deforman a lo largo de aquellos planos de átomos que están empaquetados más estrechamente. Se utilizan los índices de Miller como una notación abreviada para identificar estos planos importantes. Densidad Lineal La densidad lineal es el número de puntos de red por unidad de longitud a lo largo de una dirección. entonces: Observe que la densidad lineal también es el recíproco de la distancia de repetición. tal y como se describe en el procedimiento siguiente. Se utilizan los paréntesis angulares < > para indicar este conjunto. PLANOS DE LA CELDA UNITARIA Ciertos planos de átomos en un cristal también son significativos. Dado que las direcciones son vectores.P á g i n a | 14 Deberán observarse varios puntos acerca del uso de los índices de Miller para las direcciones: 1. y en función del número de parámetros de red. sus índices particulares dependen de cómo se construyen las coordenadas. Es posible referirse a grupos de direcciones equivalentes como familias de direcciones. en el cual un átomo está localizado en cada punto de la red. existen dos distancias de repetición a lo largo de la dirección [110] en cada celda unitaria. Identifique los puntos en los cuales el plano interseca los ejes de coordenadas . 2.

Es posible demostrar esto definiendo densidades planares y fracciones de empaquetamiento planar. Los planos y sus múltiplos no son idénticos (de nuevo. En la figura a continuación se ven las representaciones de planos cristalográficos correspondientes a las series (a) (001). Encierre los números resultantes entre paréntesis ( ). esto resulta ser lo opuesto a lo que se encontró en el caso de direcciones). La densidad planar es el número de átomos por unidad de superficie cuyo centro está sobre el plano. 4. Deberán anotarse varios aspectos de importancia en los índices de Miller para los planos: 1.P á g i n a | 15 3. (b) (110) y (c) (111). los números negativos se escribirán con una barra sobre los mismos. 2. la fracción de empaquetamiento es el área sobre dicho plano cubierta por dichos átomos. Elimine las fracciones pero no reduzca a los mínimos enteros. De nuevo. . Los planos y sus negativos son idénticos (que esto no era cierto en el caso de direcciones).

dando índices de la forma ( ).P á g i n a | 16 Índices de Miller para celdas hexagonales Un conjunto especial de índices de Miller-Bravais ha sido diseñado para las celdas unitarias hexagonales debido a la simetría singular del sistema. (1011) y (1010). pero se requiere de cuatro intersecciones. En el sistema cristalino hexagonal. En función de la redundancia a3 y de la geometría especial del sistema. a2 y a3. (a) las direcciones [0001]. que corresponden a las intersecciones de a1. [1100] y [1120] y (b) los planos (0001). . los primeros tres enteros de la designación. El sistema de coordenadas utiliza cuatro ejes en vez de tres. El procedimiento para localizar los índices de los planos es exactamente el mismo que antes. con el eje a3 redundante. están relacionados por la ecuación .

R es la constante de los gases. Q es la energía requerida para producir una vacancia. A temperatura ambiente aparecen muy pocas vacancias. Debido a la gran energía térmica existente cerca del punto de fusión. De hecho. sino que algunas características específicas se consiguen deliberadamente introduciendo cantidades controladas de defectos particulares. Vacancias Una vacancia se produce cuando falta un átomo en un sitio normal. Esta influencia no siempre es negativa. en cal/mol. en todas partes. mediante la introducción de impurezas. un ordenamiento perfecto de sus átomos. o intencionalmente a través de las aleaciones. Estos defectos o imperfecciones. pudiera existir vacancia por cada 1000 puntos de la red. durante el procesamiento del material. DEFECTOS PUNTUALES Los defectos puntuales son discontinuidades de la red que involucran uno o quizá varios átomos. muchas de las propiedades de los materiales son muy sensibles al desvío de la perfección cristalina. .P á g i n a | 17 DEFECTOS E IMPERFECCIONES Hasta aquí se ha supuesto tácitamente que los materiales cristalinos presentan. n es el número de puntos de red por cm3. pueden ser generados en el material mediante el movimiento de los átomos al ganar energía por calentamiento. Las vacancias se crean en el cristal durante la solidificación a altas temperaturas o como consecuencia de daños por radiación. La clasificación de las imperfecciones cristalinas se realiza frecuentemente según la geometría o las dimensiones del defecto. Un defecto cristalino es una irregularidad de red en la cual una o más de sus dimensiones son del orden de un diámetro atómico. como se muestra en la siguiente ecuación de Arrhenius: Donde nv es el número de vacancias por cm3. y T es la temperatura en grados Kelvin. Sin embargo. un tal sólido ideal no existe: todos tienen gran número de defectos e imperfecciones de índole variada. pero éstas se incrementan de manera exponencial conforme se aumenta la temperatura.

los átomos circundantes se comprimen (a). los átomos circundantes quedan en tensión (b). Igualmente. Defectos sustitucionales Se crea un defecto sustitucional cuando se remplaza un átomo por otro de un tipo distinto. (a) (b) . los átomos de carbono se agregan al hierro para producir acero. Los átomos intersticiales como el hidrógeno a menudo están presentes en forma de impurezas. la red circundante aparece comprimida y distorsionada. Cuando estos átomos son mayores que los normales de la red. una vez introducido. incluso al cambiar la temperatura. Una vez dentro del material. El átomo sustitucional permanece en la posición original.P á g i n a | 18 Defectos intersticiales Se forma un defecto intersticial cuando se inserta un átomo adicional en una posición normalmente desocupada dentro de la estructura cristalina. aún así son mayores que los sitios intersticiales que ocupan. aunque mucho más pequeños que los átomos localizados en los puntos de la red. el número de átomos intersticiales en la estructura se mantiene casi constante. el número de defectos es relativamente independiente de la temperatura. se puede encontrar el defecto sustitucional como una impureza o como un elemento aleante agregado deliberadamente y. si son más pequeños. en consecuencia. En cualquier caso. el defecto sustitucional distorsiona la red circundante. Los átomos intersticiales.

intersticio-vacancia formado cuando un ión salta de un punto normal de la red a un sitio intersticial. Para mantener el equilibrio de cargas. El defecto Frenkel es un par de defectos. podría crearse una vacancia donde normalmente estaría localizado un catión de carga +1. Cuando un catión bivalente remplaza a un catión monovalente. Este caso puede darse cuando un ion con valencia de +2 remplaza a uno con valencia de +1. deberá eliminarse también un catión monovalente adicional. dejando detrás una vacancia. .P á g i n a | 19 Otros defectos puntuales Se crea un intersticio cuando un átomo idéntico a los de los puntos normales de la red se coloca en un lugar intersticial. Estos defectos aparecen con mayor frecuencia en redes con un factor de empaquetamiento bajo. Este defecto es común en materiales cerámicos de enlace iónico. se introduce una carga positiva adicional en la estructura. Defecto Frenkel Un defecto Schottky es un par de vacancias en un material de enlace iónico. deben faltar tanto un anión como un catión de la red si se ha de preservar la neutralidad eléctrica del cristal. En este caso. creando así una vacancia. Esta imperfección se observa en materiales que tienen un enlace iónico pronunciado. Defecto Schottky Un último defecto puntual importante ocurre cuando un ion remplaza a otro con carga distinta.

separándolo y rellenando parcialmente el corte con un plano de átomos adicional. Generalmente se introducen en la red durante el proceso de solidificación del material o al deformarlo. Si seguimos una trayectoria en círculo a favor de las manecillas del reloj alrededor de la . El vector que se requiere para cerrar la trayectoria y volver a nuestro punto inicial se conoce como el vector de Burgers . El borde inferior de este plano adicional representa la dislocación de borde. es la dislocación del tornillo. El cristal perfecto (a) es cortado y deformado una distancia igual a un espaciamiento atómico. incluyendo los materiales cerámicos y los polímeros. Se requiere de un vector de Burgers para cerrar la trayectoria de espaciamientos atómicos alrededor de la dislocación de tornillo. torciéndolo y desplazando un lado del corte sobre el otro la distancia de un átomo. (b) y (c). Dislocación de tornillo La dislocación de tornillo se puede ilustrar haciendo un corte parcial a través de un cristal perfecto. trazaríamos una trayectoria en espiral. son de particular utilidad para explicar la deformación y el endurecimiento de los metales. Si continuáramos nuestra rotación. terminaremos a un espacio atómico por debajo de nuestro punto de partida (punto ). El eje. Aunque en todos los materiales hay dislocaciones presentes. Dislocaciones de borde Una dislocación de borde se puede ilustrar haciendo un corte parcial a través de un cristal perfecto. El vector de Burgers es paralelo a la dislocación de tornillo. Podemos identificar dos tipos de dislocaciones: la dislocación de tornillo y la dislocación de borde. Si en un plano cristalográfico describimos una revolución completa alrededor del eje sobre el cual el cristal fue torcido.P á g i n a | 20 DISLOCACIONES Las dislocaciones son imperfecciones lineales en una red que de otra forma sería perfecta. partiendo del punto y recorriendo espaciamientos atómicos iguales en cada dirección. es decir la línea alrededor de la cual trazamos esta trayectoria. La línea a lo largo de la cual ocurre este corte es una dislocación de tornillo.

. El vector que se requiere para completar el círculo es. Se requiere de un vector de Burgers para cerrar un círculo de igual cantidad de espaciamientos atómicos alrededor de la línea de dislocación. La dislocación de tornillo en la cara frontal del cristal gradualmente se convierte en dislocación de borde en el costado del cristal. sin embargo. El borde inferior del plano adicional es la dislocación de borde (c). el vector de Burgers es perpendicular a la dislocación. El vector de Burgers. Dislocaciones mixtas Las dislocaciones mixtas tienen componentes tanto de borde como de tornillo. terminaríamos alejados un espaciamiento atómico del punto de partida . de nuevo.P á g i n a | 21 dislocación del borde. se conserva igual para todas las porciones de la dislocación mixta. partiendo del punto y recorriendo un número igual de espaciamientos atómicos en cada dirección. los átomos encima de la línea de dislocación se comprimen acercándose los unos a los otros. Al introducir la dislocación. La red que los rodea ha sido distorsionada debido a la presencia de la dislocación. Dislocación mixta. El cristal perfecto (a) es cortado y un plano adicional de átomos es insertado (b). con una región de transición entre ambas. el vector de Burgers. en tanto que los que quedan por debajo se estiran alejándose de sus posiciones de equilibrio. En este caso.

P á g i n a | 22 Deslizamiento Podríamos trasladar el vector de Burgers del circuito a la dislocación de borde. El proceso mediante el cual se mueve una dislocación causando que se deforme un material se conoce como deslizamiento. encontramos que el vector de Burgers y la dislocación del borde definen un plano en la red. la . La dirección en la cual se mueve la dislocación. Después de ese traslado. la dislocación se recorre a través del cristal hasta que se produce un escalón en el exterior del mismo. Este desplazamiento hace que la dislocación se mueva un espacio de un átomo hacia el lado. Un movimiento continuo de la dislocación finalmente causará un escalón (c) y deformación permanente del cristal. el cristal quedaría cortado en dos. Cuando se aplica un esfuerzo cortante a la dislocación (a) los átomos se desplazan haciendo que la dislocación se mueva un vector de Burgers en la dirección de deslizamiento (b). El vector de Burgers y el plano resultan útiles para explicar cómo se deforman los materiales. Cuando se aplica una fuerza cortante en la dirección del vector de Burgers a un cristal que contenga una dislocación. el cristal ha sido deformado. Una vez trasladado el vector de Burgers del circuito cerrado a la línea de dislocación. Si este proceso continúa. Si se pudieran introducir continuamente dislocaciones en el mismo plano del cristal y se movieran a lo lardo de la misma trayectoria. El plano cortado se desplaza ligeramente para establecer enlaces con el plano parcial original de átomos. ésta se puede mover al romper los enlaces entre los átomos de un plano. se define un plano de deslizamiento.

este plano se conoce como plano de deslizamiento. Sin embargo. . es distinta para cada grano. contener pequeñas muescas y quizá ser mucho más reactiva que el interior del material. DEFECTOS SUPERFICIALES Los defectos superficiales o de superficie son las fronteras o planos que separan un material en regiones de la misma estructura cristalina pero con orientaciones cristalográficas distintas. Esto quiere decir que. la dislocación se mueve perpendicularmente al vector de Burgers. la dislocación de borde barre el plano formado por el vector de Burgers y la dislocación. Superficie del Material En las superficies externas del material la red termina de matera abrupta.P á g i n a | 23 dirección de deslizamiento. los átomos están tan cerca unos de otros en la frontera de grano que crean una región de compresión y en otras áreas están tan alejados que crean una región de tensión. es una zona estrecha en la cual los átomos no están correctamente espaciados. la orientación del arreglo atómico. Fronteras de grano La microestructura de la mayor parte de los materiales está formada por muchos granos. Una dislocación de tornillo produce el mismo resultado. que es la superficie que separa los granos. Durante el deslizamiento. aunque el cristal se deforma en una dirección paralela a dicho vector. es la dirección del vector de Burgers para las dislocaciones de borde. o de la estructura cristalina. Cada átomo de la superficie ya no tiene el mismo número de coordinación y se altera el enlace atómico. La combinación de dirección de deslizamiento y plano de deslizamiento se denomina sistema de deslizamiento. la superficie puede ser muy áspera. Asimismo. en algunos sitios. La frontera de grano. Los átomos cerca de las fronteras de los tres granos no tienen un espaciamiento o arreglo de equilibrio. Un grano es una porción del material dentro del cual el arreglo atómico es idéntico.

los bordes de grano de ángulo pequeño no son tan eficaces para bloquear el deslizamiento.P á g i n a | 24 Bordes de grano de ángulo pequeño Un borde de grano de ángulo pequeño es un arreglo de dislocaciones que produce una pequeña desviación de la orientación cristalográfica entre redes adyacentes. Las maclas ocurren durante la deformación o el tratamiento térmico de ciertos metales. representan un error de la secuencia de apilamiento de planos compactos. Dado que la energía de la superficie es menor que la de un borde de grano normal. Estas partes de la red parecen formar una imagen especular en el plano del borde de macla. Bordes de macla Un borde de macla es un plano que separa dos partes de un grano que tienen una pequeña diferencia en la orientación cristalográfica. El borde de grano de ángulo pequeño es producido por un arreglo de dislocaciones. hace que los átomos cambien de posición. Las maclas se producen cuando una fuerza de corte. . El movimiento de los bordes de macla también puede hacer que un metal se deforme. Los bordes de macla interfieren con el proceso de deslizamiento incrementando la resistencia del metal. causando una falta de coincidencia angular θ entre las redes en ambos lados del borde. que actúa a lo largo del borde de macla. que ocurren en los metales CCC (celda unitaria cúbica centrada en las caras). Fallas de apilamiento Las fallas de apilamiento. Los bordes de ángulo pequeño formados por dislocaciones de borde se conocen como bordes inclinados y aquellos causados por dislocaciones de tornillo se conocen como bordes torcidos.

.P á g i n a | 25 Aplicación de un esfuerzo a un cristal perfecto (a) que puede causar un desplazamiento de los átomos (b) causando la formación de una macla. Note que el cristal se ha deformado debido a la macla. (c) Una microfotografía de maclas dentro de un grano de latón (x 250).

Por lo anterior. cerca de la imperfección. También es posible reducir la densidad de dislocaciones. los defectos como las dislocaciones. ópticas y magnéticas de los materiales diseñados. si la dislocación se encuentra con una región donde los átomos están desplazados respecto a sus posiciones normales. En los materiales. Este mecanismo de aumentar la resistencia de un material por medio de la deformación se llama endurecimiento por deformación (o endurecimiento por trabajo en frío). A este tratamiento se le llama recocido y se usa para impartir ductilidad a los materiales metálicos. los átomos están muy comprimidos y cercanos entre sí (compresión) o muy apartados (tensión). que por lo demás sería perfecto. se requiere un esfuerzo mayor para forzar el paso de la dislocación por la región de alta energía local. . Hay tres mecanismos comunes de endurecimiento (o reforzamiento) que se basan en las tres categorías de defectos en los cristales. La energía local aumenta porque. en forma apreciable. Endurecimiento por deformación Las dislocaciones interrumpen la perfección de la estructura cristalina. Sin embargo. defectos puntuales y límites de grano sirven como “obstáculo” a las dislocaciones. Toda imperfección en el cristal aumenta la energía interna en el lugar de la imperfección. en consecuencia. EFECTO SOBRE LAS PROPIEDADES MECÁNICAS A TRAVÉS DEL CONTROL DEL PROCESO DE DESLIZAMIENTO. se puede mover con facilidad por el cristal si el esfuerzo cortante resuelto es igual al esfuerzo cortante crítico resuelto. calentando un material a una temperatura relativamente alta y manteniéndolo en ella durante largo tiempo. Al aumentar la cantidad de dislocaciones. Es posible controlar la resistencia de un material metálico controlando la cantidad y el tipo de las imperfecciones. eléctricas. el material es más resistente. Una dislocación en un cristal metálico. sigue aumentando la resistencia del material.P á g i n a | 26 IMPORTANCIA DE LOS DEFECTOS Los defectos extendidos y los puntuales desempeñan una función de la mayor importancia en la determinación de las propiedades mecánicas. el control de la densidad de dislocaciones es un método importante para controlar la resistencia y la ductilidad de los metales y las aleaciones. porque al aumentar la densidad de las dislocación es se producen más obstáculos al movimiento de las dislocaciones.

Al aumentar la cantidad de granos. que son metales FCC con muchos sistemas de deslizamientos activos. o por qué las aleaciones de cobre con pequeñas concentraciones de Be son mucho más resistentes que el Cu puro.P á g i n a | 27 Endurecimiento por solución sólida Cualquiera de los defectos puntuales también interrumpe la perfección de la estructura cristalina. se forma una solución sólida. Hay otros mecanismos más para endurecer los metales y las aleaciones. Si en forma intencional se introducen átomos sustitucionales o intersticiales. Se conocen como endurecimiento por segunda fase y endurecimiento por precipitación. Cuando la estructura cristalina del material anfitrión asimila por completo los átomos o los iones de un elemento o compuesto huésped. Este mecanismo explica por qué el acero simple al carbono es más resistente que el Fe puro. tales como los límites de grano. El oro y la plata puros. se produce un endurecimiento por solución sólida. Endurecimiento por tamaño de grano Las imperfecciones de la superficie. perturban el arreglo de los átomos en los materiales cristalinos. son demasiado suaves mecánicamente. se produce un endurecimiento por tamaño de grano en los materiales metálicos. o reducir el tamaño de grano. en bajas concentraciones. Esto ocurre de manera parecida a la forma en que la sal o el azúcar se disuelven en agua. .

También la difusión desempeña un papel central en el control de las transformaciones de fase necesarias para el tratamiento térmico de metales y aleaciones. Sin embargo. En la cementación. difunde el carbono en partes de acero tales como engranes. una fuente de carbono. Los átomos se mueven de una manera predecible. como por ejemplo de fósforo (P). uno de cuyos lados está dopado con dopantes tipo n (por ejemplo. La magnitud de este flujo depende del gradiente inicial de concentraciones y de la temperaturaAPLICACIONES DE LA DIFUSIÓN El movimiento de los átomos es necesario para muchos de los tratamientos que llevamos a cabo sobre los materiales.. Cerámicos conductores En general. en el que se introduce nitrógeno en la superficie de un material metálico. de hecho. la solidificación de los materiales. B en Si). la fabricación de transistores y celdas solares y la conductividad eléctrica de muchos cerámicos. etc. As en Si) y el otro lado está dopado con dopantes tipo p (por ejemplo. Difusión de dopantes para dispositivos semiconductores La creación de la unión p-n implica la difusión de átomos dopantes. Estos materiales iónicamente . La difusión indica el flujo neto de cualquier especia. hay muchos cerámicos que pueden conducir electricidad y.P á g i n a | 28 MOVIMIENTO DE ÁTOMOS La difusión es el movimiento de los átomos en un material. los cerámicos policristalinos tienden a ser buenos aislantes de electricidad. Es necesaria la difusión para el tratamiento térmico de los metales. boro (B). tratando de eliminar diferencias de concentración y de producir una composición homogénea y uniforme. aluminio (Al). antimonio (Sb). En forma parecida a la introducción del carbono. Los siguientes son sólo unos pocos ejemplos: Cementación o carburización para el endurecimiento superficial de los aceros. Los fuertes enlaces covalentes y iónicos junto con sus propiedades microestructurales contribuyen a la conductividad eléctrica relativamente pobre que tienen muchos cerámicos. algunos son superconductores. átomos. polvo de grafito o un gas que contenga carbono. electrones. como iones. vacancias y moléculas. también se usa un proceso llamado nitruración. el procesamiento de cerámicos y la solidificación y unión de materiales. Una unión p-n es una región del semiconductor. en ciertas regiones ultrapequeñas de obleas de silicio. la manufactura de los cerámicos. por ejemplo. arsénico (As).

durante un tiempo razonablemente largo. Esos blancos se hacen con elementos compuestos que contengan los sustituyentes necesarios con los que se forman las películas delgadas. Por ejemplo. Oxidación del aluminio El aluminio se oxida con más facilidad que el hierro. porque la delgada capa de aluminio ayuda a evitar la difusión del helio hacia el exterior. en la fabricación de ciertas botellas de plástico. desde el interior de los granos hasta los límites de grano. por consiguiente. el óxido de aluminio forma una capa muy protectora. pero delgada. . impidiendo la difusión del oxígeno e inhibiendo la posterior oxidación del aluminio en el interior. Con la pulverización de películas delgadas de aleación de cobalto se agrega con frecuencia cromo para mejorar sus propiedades magnéticas. sobre la superficie del aluminio. Los globos de helio hechos con Mylar ™ retienen al helio mucho más tiempo. Los átomos saltan de los blancos y se depositan sobre un sustrato. Sin embargo. es deseable limitar el grado de difusión para ciertas especies. los blancos se bombardean con haces de iones. celdas de combustible y baterías. Fabricación de botellas de plástico para bebidas y de globos de Mylar™ No siempre es benéfica la difusión. Se pueden producir capas delgadas de estas aleaciones con un proceso llamado pulverización catódica. debe minimizarse la difusión del dióxido de carbono. Es la razón por la cual se cree que el aluminio no se oxida. Otro ejemplo de una aplicación donde se debe limitar la difusión es el de los globos de Mylar™. Materiales magnéticos para discos duros Las aleaciones de cobalto se usan en la fabricación de discos duros para computadoras personales. es invisible. produciendo una película delgada. Esto se loga usando un tratamiento térmico de recocido que implica calentar la película depositada a una alta temperatura. En algunas aplicaciones. para permitir la difusión de los átomos de cromo. pantallas sensibles al tacto. La capacidad de los iones para difundir y proporcional un trayecto para la conducción eléctrica desempeña un papel importante para permitir esas aplicaciones.P á g i n a | 29 conductores se usan en productos como sensores de oxígeno en los automóviles. se necesita un tratamiento térmico que difunda los átomos de cromo hacia los límites de grano del material magnético. Para que el cromo tenga un efecto magnético útil. La capa de óxido no tiene color y es delgada. En el proceso de pulverización catódica.

algunos álabes de turbina están recubiertos con óxidos cerámicos. su efecto en el comportamiento del material no es importante. Difusión de átomos de cobre en el níquel. Recubrimientos de barrera térmica en álabes de turbinas En los motores de avión. Estos recubrimientos cerámicos protegen a la aleación contra las altas temperaturas. se puede aplicar una capa de zinc a las estructuras de hierro. El proceso de aplicar una cubierta de zinc sumergiendo las partes en un gran baño de zinc fundido se llama galvanizado por inmersión en caliente. La naturaleza química del zinc. que se conoce como autodifusión. los átomos se mueven de una posición en la red a otra. los átomos de cobre quedarán distribuidos aleatoriamente en todo el níquel. Finalmente. Cuando un ambiente corrosivo es más agresivo. puede detectarse utilizando trazadores radioactivos.P á g i n a | 30 Recubrimiento y películas delgadas Los recubrimientos y las películas delgadas se usan frecuentemente en el proceso de manufactura para limitar la difusión del vapor de agua. desempeña un papel muy importante en la protección del acero del interior. las estructuras de acero se pintan para evitar o minimizar la oxidación. oxígeno y otras sustancias. . Por ejemplo. Este proceso. de aquí el nombre de recubrimientos de barrera térmica. Aunque la autodifusión ocurre de manera continua en todos los materiales. y no sólo su barrera a la difusión. MECANISMOS DE DIFUSIÓN Incluso en materiales sólidos absolutamente puros.

Difusión intersticial Cuando en la estructura cristalina está presente un pequeño átomo intersticial. De nuevo. que se incremente al aumentar la temperatura. Conforme continúa la difusión se tiene un flujo de vacancias y átomos en sentidos opuestos conocido como difusión por vacancia. Mecanismos de difusión en materiales: (a) difusión de átomos por vacancia o por átomos sustitucionales y (b) difusión intersticial.P á g i n a | 31 También ocurre la difusión de átomos distintos en los materiales. El número de vacancias. . este átomo pasará de un sitio intersticial a otro. ayuda a determinar la extensión tanto de la autodifusión como de la difusión de los átomos sustitucionales. Si se suelda una lámina de níquel a una lámina de cobre. los átomos de níquel gradualmente se difunden en el cobre y los de cobre emigran hacia el níquel. por lo tanto se espera que la difusión intersticial sea rápida. Para este mecanismo no es necesario que existan vacancias. Hay dos mecanismos importantes mediante los cuales se difunden los átomos: Difusión por vacancia En la autodifusión y en la difusión de átomos sustitucionales. un átomo abandona su sitio en la red para llenar una vacancia cercana (creando así una nueva vacancia en su lugar original en la red). En parte porque el número de sitios intersticiales es mucho mayor que el de vacancias. al transcurrir el tiempo los átomos de níquel y cobre quedarán uniformemente distribuidos.

P á g i n a | 32 FUENTES DE INFORMACIÓN 1. Editorial Reverté. Ciencia e Ingeniería de los Materiales. Donald R. Askeland (1998). México. Editorial International Thomson Publishing. 2. Ciencia e Ingeniería de los Materiales. Donald R.A. Inc. Pradeep P. México. Callister Jr. (1994). DF. William D. Tercera Edición. Tercera Edición. Introducción a la Ciencia e Ingeniería de los Materiales. Editorial Cengage Learning. Askeland. DF. Phulé (2004). 3. . S. Cuarta Edición.

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