IMPORTANCIA Y CLASIFICACIÓN DE LOS MATERIALES EN INGENIERÍA.

Probablemente, la importancia de los materiales en nuestra cultura es mayor de lo que habitualmente se cree. Prácticamente cada segmento de nuestra vida cotidiana está influido en mayor o menor grado por los materiales, como por ejemplo transporte, vivienda, vestimenta, comunicación, recreación y alimentación. Se han desarrollado decenas de miles de materiales distintos con características muy especiales para satisfacer las necesidades de nuestra moderna y compleja sociedad; se trata de metales, plásticos, vidrios y fibras. El progreso de muchas tecnologías, que aumentan la confortabilidad de nuestra existencia, va asociado a la disponibilidad de materiales adecuados. El avance en la comprensión de un tipo de material suele ser el precursor del progreso de una tecnología. Por ejemplo, la fabricación de automóviles fue posible por la aparición de un acero idóneo y barato o de algún sustituto comparable. Actualmente los adelantos electrónicos más sofisticados se basan en componentes denominados materiales semiconductores. CLASIFICACIÓN DE LOS MATERIALES EN INGENIERÍA Los materiales se clasifican en 5 grupos: metales, cerámicos, polímeros, semiconductores y materiales compuestos. Cada uno de estos grupos de materiales posee características distintas. Metales Los metales y sus aleaciones generalmente tienen como característica una buena conductividad eléctrica y térmica, una resistencia relativamente alta, una alta rigidez, ductilidad o conformabilidad y resistencia al impacto. Son particularmente útiles en aplicaciones estructurales o de carga. Aunque en ocasiones se utilizan metales puros, las combinaciones de metales conocidas como aleaciones proporcionan mejoría en alguna propiedad particularmente deseable o permiten una mejor combinación de propiedades. En la imagen se pueden apreciar el oro (izquierda) y la plata (derecha) usados muy comúnmente en joyería.

P ágina |2 Cerámicos Los cerámicos son fuertes y duros, aunque también muy frágiles o quebradizos. Las nuevas técnicas de procesamiento han conseguido que los cerámicos sean lo suficientemente resistentes a la fractura para que puedan ser utilizados en aplicaciones de carga, como los impulsores en los motores de turbina. Algunos materiales cerámicos pueden soportar temperaturas extremadamente altas sin perder su solidez. Son los denominados materiales refractarios. Generalmente tienen baja conductividad térmica por lo que son empleados como aislantes. Por ejemplo, partes de los cohetes espaciales son construidos de azulejos cerámicos que protegen la nave de las altas temperaturas causadas durante la entrada a la atmósfera. Polímeros Producidos mediante un proceso conocido como polimerización, los polímeros incluyen el hule, los plásticos y muchos tipos de adhesivos. Los polímeros tienen baja conductividad eléctrica y térmica, reducida resistencia y no son adecuados para utilizarse a temperaturas elevadas. Los polímeros termoplásticos, en los cuales las largas cadenas moleculares no están conectadas de manera rígida, tienen buena ductilidad y conformabilidad; los polímeros termoestables son más resistentes aunque más frágiles porque las cadenas moleculares están fuertemente enlazadas. Semiconductores La conductividad eléctrica de estos materiales puede controlarse para su uso en dispositivos electrónicos como transistores, diodos y circuitos integrados. La información hoy día se transmite por luz a través de sistemas de fibras ópticas; los semiconductores, que convierten las señales eléctricas en luz y viceversa con componentes esenciales de estos sistemas.

P ágina |3 Materiales compuestos Los materiales compuestos se forman a partir de dos o más materiales, produciendo propiedades que no se encuentran en ninguno de los materiales de manera individual. Con materiales compuestos podemos producir materiales ligeros, fuertes, dúctiles, resistentes a altas temperaturas, o bien, podemos producir herramientas de corte duras y a la vez resistentes al impacto, que de otra manera se harían añicos. Un ejemplo de material compuesto es el concreto.

La masa de cada protón y cada neutrón es de 1. Aunque el número de protones es igual en todos los átomos de un mismo elemento. Así. El núcleo contiene neutrones y protones de carga positiva y tiene una carga positiva neta. La mayor parte de la masa del átomo se encuentra en el núcleo. es necesario conocer la estructura de un átomo. Los electrones. El número atómico de un elemento es igual al número de electrones o protones en cada átomo.11 x 10-28 g. La masa atómica de un átomo específico se puede expresar como la suma de las masas de los protones y los neutrones del núcleo. Los metales. unos respecto de otros. es decir. no existen más de dos electrones en cada átomo . de carga negativa. Para calcular el peso atómico se utiliza el concepto de unidad de masa atómica (uma). los átomos de un mismo elemento que tienen dos o más masas atómicas se denominan isótopos. La carga eléctrica q que llevan cada electrón y cada protón es de 1. Estructura electrónica del átomo Los electrones ocupan niveles de energía discontinuos dentro del átomo. el número de neutrones puede variar. Dado que el número de electrones y protones en el átomo es el mismo.67 x 10-24 g. de acuerdo a la abundancia relativa de cada isótopo en la naturaleza. El orden de largo alcance no existe en los materiales que no cristalizan. Antes de comenzar a analizar los conceptos de orden de corto y largo alcance. Estructura del átomo Un átomo está compuesto de un núcleo rodeado por electrones. Cada electrón posee una energía en particular. en su conjunto el átomo es eléctricamente neutro. pero la de cada electrón es de únicamente 9. En un material cristalino. existe un orden de largo alcance tal que. los átomos se sitúan en una disposición repetitiva o periódica a lo largo de muchas distancias atómicas. El peso atómico corresponde al peso ponderado de las masas atómicas de los isótopos. están sujetos al núcleo por atracción electrostática. los átomos o iones. los átomos se sitúan según un patrón tridimensional repetitivo.P ágina |4 ARREGLOS ATÓMICOS El arreglo atómico juega un papel importante en la determinación de la microestructura y en el comportamiento de un material sólido. al solidificar el material. en el cual cada átomo está enlazado con su vecino más próximo. Los materiales sólidos se pueden clasificar según la regularidad con que se sitúan. muchas cerámicas y ciertos polímeros adquieren estructuras cristalinas en condiciones normales de solidificación.60 x 10-19 coulomb (C).

Toma valores enteros. 4…). = 3: Subórbita "f" ("lobulares con nodos radiales") →f proviene de fundamental. "(m = . Esto también implica que existe una diferencia de energía discreta entre cualesquiera dos niveles diferentes de energía. Se relaciona con la distancia promedio del electrón al núcleo del orbital. 1. 3.. indica la forma de los orbitales y el subnivel de energía en el que se encuentra el electrón.. 5.. 3... con anillo nodal") →d proviene de Diffuse (difuso). 0. I) Numero cuántico principal (n = 1. Indica la orientación espacial del subnivel de energía. mostrando los electrones de las capas cuánticas K(n=1). IV) El número cuántico de spin (s). III) El número cuántico magnético (m). 4. . L(n=2) y M(n=3). 2. II) El número cuántico del momento angular o acimutal ( = 0. = 2: Subórbita "d" ("forma lobular..P ágina |5 con una misma energía... = 1: Subórbita "p" ("forma semicircular achatada") →p proviene de principal. El principio de exclusión de Pauli establece que no puede haber más de dos electrones con giros propios opuestos en cada orbital.. El número de niveles de energía posibles es determinado por los tres primeros números cuánticos. )". Toma valores 1/2 y -1/2.. 2. número atómico 11. n-1). Para cada valor de hay 2 +1 valores de m.. Esto determina el tamaño del orbital. Números cuánticos: El nivel de energía al cual corresponde cada electrón queda determinado por cuatro números cuánticos... indica el nivel de energía en el que se halla el electrón. indica el sentido de giro del campo magnético que produce el electrón al girar sobre su eje. Estructura atómica del sodio. Si: = 0: Subórbita "s" ("forma circular") →s proviene de Sharp (nítido).

. c) Algunos materiales. formando un ángulo de 104. entonces existen tres niveles de arreglo atómico. semiconductores. en forma de rejilla o de red. esto es. Sin Orden: En gases como el argón. el arreglo atómico especial se extiende por todo el material. incluyendo el vapor de agua y el vidrio. Cada molécula de agua en fase vapor tiene un orden de corto alcance debido a los enlaces covalentes entre los átomos de hidrógeno y oxígeno. (d) Los metales y muchos otros sólidos tienen un orden regular de los átomos que se extiende por todo el material. Sin embargo.P ágina |6 ORDEN DE CORTO Y LARGO ALCANCE Si no se consideran las imperfecciones que aparecen en los materiales. muchos materiales cerámicos e incluso algunos polímeros tienen una estructura cristalina en la cual los átomos muestran tanto un orden de corto alcance como un orden de largo alcance. cada átomo de oxígeno está unido a dos átomos de hidrógeno. regular. las moléculas de agua no tienen una organización especial entre sí.5° entre los enlaces. Orden de largo alcance: Los metales. (b. Los átomos forman un patrón repetitivo. los átomos no tienen orden y llenan de manera aleatoria el espacio en el cual está confinado el gas. Los niveles de arreglo atómico en los materiales: (a) los gases inertes no tienen un orden regular en sus átomos. Orden de corto alcance: Un material muestra orden de corto alcance si el arreglo especial de los átomos se extiende sólo a los vecinos más cercanos de dicho átomo. tienen orden en una distancia muy corta.

Se identifican 14 tipos de celdas unitarias o redes de Bravais agrupadas en siete sistemas cristalinos. CELDAS UNITARIAS La celda unitaria es la subdivisión de la red cristalina que sigue conservando las características generales de toda la red. Se obtiene una estructura cristalina sumando la red y la base. Al apilar celdas unitarias idénticas. se llama motivo.P ágina |7 REDES. y asociados con cada punto de red. motif o base. Uno de estos esquemas se basa en la geometría de la celda unitaria. La estructura cristalina de un material se refiere al tamaño. BASES Un grupo de uno o más átomos ubicados de forma determinada entre sí. BASES Y ESTRUCTURAS CRISTALINAS REDES La red es un conjunto de puntos. es decir: estructura cristalina = red + base. Los puntos de la red están localizados en las esquinas de las celdas unitarias y. que están organizados siguiendo un patrón periódico de forma que el entorno de cada punto en la red es idéntico. la forma y la organización atómica dentro de la red. en cualquiera de las caras o en el centro de la celda unitaria. La red difiere de un material a otro en tanto en tamaño como en forma. se puede construir toda la red. La celda unitaria (contorno grueso) es una subdivisión de la red que sigue conservando las características de la red. la forma del paralelepípedo sin tener en cuenta la posición de los átomos en la celdilla. A continuación se verán algunas características de una red o de una celda unitaria. dependiendo del tamaño de los átomos y del tipo de enlace entre ellos. CELDAS UNITARIAS. Se establece un . Uno o más átomos quedan asociados a cada punto de la red. ESTRUCTURAS O SISTEMAS CRISTALINOS Existen muchas estructuras cristalinas diferentes y es conveniente clasificarlas en grupos de acuerdo con las configuraciones de la celda unitaria y/o la disposición atómica. conocidos como puntos de red. Una red es un arreglo periódico de puntos que definen un espacio. en algunos casos.

y ) y los ángulos interaxiales ( . Los catorce tipos de celdas unitarias. agrupados en siete sistemas cristalinos. y . . . . y de coordenadas cuyo origen coincide con un vértice de la celda. Estos ángulos se denominan parámetros de red de una estructura cristalina. Celda unitaria con los ejes de coordenadas . . o redes de Bravais. . y mostrando las longitudes de las aristas ( . La geometría de la celda unitaria se define en función de seis parámetros: la longitud de tres aristas .P ágina |8 sistema . los ejes y coinciden con las aristas del paralelepípedo que salen de este vértice. y ). y y los tres ángulos interaxiales .

Se requieren varios parámetros de red para definir el tamaño y la forma de celdas unitarias complejas.P ágina |9 Parámetro de red Los parámetros de la red. que describen el tamaño y la forma de la celda unitaria. incluyen las dimensiones de los costados de la celda unitaria y los ángulos entre sus costados. Sistema Cristalino Relación axial Ángulos interaxiales Geometría de la celda unitaria Cúbico Hexagonal Tetragonal .

P á g i n a | 10 Romboédrico Ortorrómbico Monoclínico Triclínico .

En estructuras cúbicas que contengan solamente un átomo por punto de la red. Un punto de red en la esquina de una celda unitaria estará compartido por siete celdas unitarias adyacentes. el número de vecinos más cercanos. Por ejemplo. Radio atómico comparado con el parámetro de la red Las direcciones en la celda unitaria a lo largo de las cuales los átomos están en contacto continuo son las direcciones compactas. Las esquinas contribuyen con 1/8 de un punto. sólo una octava parte de cada esquina corresponde a una celda particular. relativa a los parámetros de red y a continuación sumando los radios atómicos en esa dirección. igual que las posiciones de centrado en el cuerpo y centrado en las caras. es el número de coordinación y es una indicación de que tan estrecha y eficazmente están empaquetados los átomos. es posible determinar la dirección deseada.P á g i n a | 11 Número de átomos por celda unitaria Cada una de las celdas unitarias está definida por un número específico de puntos de red. los átomos tienen un número de coordinación relacionado con la estructura de la red. en tanto que en CC los ocho átomos de esquina tocan al átomo centrado en el cuerpo. es decir. particularmente en aquellas con sólo un átomo por punto de red. se utilizan esas direcciones para calcular la relación entre el tamaño aparente del átomo y el tamaño de la celda unitaria. En CS seis átomos tocan a cada átomo. las esquinas de las celdas se identifican fácilmente. las caras con ½ y las posiciones en el centro del cuerpo contribuyen con todo un punto. se deben identificar los puntos de la red que van a ser compartidos por más de una celda unitaria. . En estructuras simples. Ilustración de coordinación entre las celdas unitarias cúbica simple (a) y cúbica centrada en el cuerpo (b). Al determinar geométricamente la longitud de la dirección. Número de coordinación El número de átomos que tocan a otro en particular. Al contar el número de puntos de red que corresponden a cada celda unitaria.

Un átomo está ubicado en una esquina. suponiendo que los átomos son esferas sólidas.P á g i n a | 12 Factor de empaquetamiento El factor de empaquetamiento es la fracción de espacio ocupada por átomos. . La red hexagonal compacta (HC) (izquierda) y su celda unitaria (derecha). la estructura hexagonal compacta (HC). La celda unitaria es el prisma sesgado que se muestra por separado. en tanto que el otro está localizado dentro de la celda unitaria. La estructura HC tiene un punto de red por celda (uno proveniente de cada una de las ocho esquinas del prisma) pero con cada punto de la red están asociados dos átomos. La expresión general para el factor de empaquetamiento es: Densidad La densidad teórica de un metal se puede calcular utilizando las propiedades de la estructura cristalina. La fórmula general es: Estructura hexagonal compacta Una forma especial de la red hexagonal.

La distancia se mide en función del número de parámetros de red que habrá que moverse en cada una de las coordenadas . DIRECCIONES Y PLANOS DE LA CELDA UNITARIA COORDENADAS DE LOS PUNTOS Es posible localizar ciertos puntos. 3. Encierre los números en corchetes [ ].P á g i n a | 13 PUNTOS. Los índices de Miller para las direcciones son la notación abreviada de estas direcciones. 4. Reduzca las fracciones y/o los resultados obtenidos de la resta a los mínimos enteros. en aquellas direcciones a lo largo de las cuales los átomos están en contacto más estrecho. El procedimiento que determina los índices de Miller para las direcciones es el siguiente: 1. por ejemplo. Las coordenadas se expresan como tres distancias. como las posiciones de los átomos en la red o en la celda unitaria. Los números se refieren a la distancia desde el origen en función de los números de parámetros de red. . y separando cada número con comas. Los metales se deforman. represéntelo con una barra sobre el número. y para pasar desde el origen hasta el punto en cuestión. Coordenadas de puntos seleccionados en la celda unitaria. Reste las coordenadas del punto inicial de las coordenadas a las del punto final para obtener el número de parámetros de red recorridos en la dirección de cada eje del sistema de coordenadas. determine las coordenadas de dos puntos que estén en esa dirección. 2. Si se obtiene un signo negativo. Utilizando un sistema de coordenadas dextrógiro. DIRECCIONES EN LA CELDA UNITARIA Ciertas direcciones en la celda unitaria son de particular importancia. construyendo el sistema de coordenadas dextrógiro de la figura.

2. dado que esta distancia es . 3. entonces: Observe que la densidad lineal también es el recíproco de la distancia de repetición. Fracción de empaquetamiento Finalmente. Una dirección y su múltiplo son idénticos. tal y como se describe en el procedimiento siguiente. y en función del número de parámetros de red. por ejemplo. . el origen del sistema de coordenadas deberá moverse. Otra manera de caracterizar direcciones equivalentes es mediante la distancia de repetición. en el cual un átomo está localizado en cada punto de la red.P á g i n a | 14 Deberán observarse varios puntos acerca del uso de los índices de Miller para las direcciones: 1. la distancia entre puntos de la red a lo largo de la dirección. Tome los recíprocos de estas intersecciones. 1. Dado que las direcciones son vectores. es decir. Se utilizan los paréntesis angulares < > para indicar este conjunto. se podría calcular la fracción de empaquetamiento en una dirección en particular. es decir. En el cobre. En el caso del cobre. la fracción verdaderamente cubierta por átomos. sus índices particulares dependen de cómo se construyen las coordenadas. Densidad Lineal La densidad lineal es el número de puntos de red por unidad de longitud a lo largo de una dirección. Identifique los puntos en los cuales el plano interseca los ejes de coordenadas . existen dos distancias de repetición a lo largo de la dirección [110] en cada celda unitaria. Se utilizan los índices de Miller como una notación abreviada para identificar estos planos importantes. Si el plano pasa a través del origen. 2. una dirección y su negativo no son idénticas. Es posible referirse a grupos de direcciones equivalentes como familias de direcciones. los metales se deforman a lo largo de aquellos planos de átomos que están empaquetados más estrechamente. Ciertos grupos de direcciones son equivalentes. PLANOS DE LA CELDA UNITARIA Ciertos planos de átomos en un cristal también son significativos. esta fracción es igual al producto de la densidad lineal por dos veces el radio atómico.

Deberán anotarse varios aspectos de importancia en los índices de Miller para los planos: 1. La densidad planar es el número de átomos por unidad de superficie cuyo centro está sobre el plano. De nuevo. 4.P á g i n a | 15 3. la fracción de empaquetamiento es el área sobre dicho plano cubierta por dichos átomos. Los planos y sus múltiplos no son idénticos (de nuevo. En la figura a continuación se ven las representaciones de planos cristalográficos correspondientes a las series (a) (001). esto resulta ser lo opuesto a lo que se encontró en el caso de direcciones). Los planos y sus negativos son idénticos (que esto no era cierto en el caso de direcciones). 2. Es posible demostrar esto definiendo densidades planares y fracciones de empaquetamiento planar. Encierre los números resultantes entre paréntesis ( ). Elimine las fracciones pero no reduzca a los mínimos enteros. los números negativos se escribirán con una barra sobre los mismos. . (b) (110) y (c) (111).

los primeros tres enteros de la designación. El sistema de coordenadas utiliza cuatro ejes en vez de tres. El procedimiento para localizar los índices de los planos es exactamente el mismo que antes. que corresponden a las intersecciones de a1. están relacionados por la ecuación . dando índices de la forma ( ). (a) las direcciones [0001].P á g i n a | 16 Índices de Miller para celdas hexagonales Un conjunto especial de índices de Miller-Bravais ha sido diseñado para las celdas unitarias hexagonales debido a la simetría singular del sistema. . [1100] y [1120] y (b) los planos (0001). pero se requiere de cuatro intersecciones. (1011) y (1010). En el sistema cristalino hexagonal. a2 y a3. En función de la redundancia a3 y de la geometría especial del sistema. con el eje a3 redundante.

pudiera existir vacancia por cada 1000 puntos de la red. o intencionalmente a través de las aleaciones. La clasificación de las imperfecciones cristalinas se realiza frecuentemente según la geometría o las dimensiones del defecto. pero éstas se incrementan de manera exponencial conforme se aumenta la temperatura. un tal sólido ideal no existe: todos tienen gran número de defectos e imperfecciones de índole variada. Q es la energía requerida para producir una vacancia. un ordenamiento perfecto de sus átomos. Un defecto cristalino es una irregularidad de red en la cual una o más de sus dimensiones son del orden de un diámetro atómico. De hecho. en todas partes. pueden ser generados en el material mediante el movimiento de los átomos al ganar energía por calentamiento. Esta influencia no siempre es negativa. n es el número de puntos de red por cm3. muchas de las propiedades de los materiales son muy sensibles al desvío de la perfección cristalina. como se muestra en la siguiente ecuación de Arrhenius: Donde nv es el número de vacancias por cm3. mediante la introducción de impurezas. Vacancias Una vacancia se produce cuando falta un átomo en un sitio normal. Las vacancias se crean en el cristal durante la solidificación a altas temperaturas o como consecuencia de daños por radiación. Debido a la gran energía térmica existente cerca del punto de fusión. A temperatura ambiente aparecen muy pocas vacancias.P á g i n a | 17 DEFECTOS E IMPERFECCIONES Hasta aquí se ha supuesto tácitamente que los materiales cristalinos presentan. sino que algunas características específicas se consiguen deliberadamente introduciendo cantidades controladas de defectos particulares. R es la constante de los gases. . DEFECTOS PUNTUALES Los defectos puntuales son discontinuidades de la red que involucran uno o quizá varios átomos. Sin embargo. Estos defectos o imperfecciones. durante el procesamiento del material. en cal/mol. y T es la temperatura en grados Kelvin.

en consecuencia. Una vez dentro del material. aunque mucho más pequeños que los átomos localizados en los puntos de la red. el defecto sustitucional distorsiona la red circundante. aún así son mayores que los sitios intersticiales que ocupan. los átomos circundantes quedan en tensión (b). el número de átomos intersticiales en la estructura se mantiene casi constante. si son más pequeños. Igualmente. (a) (b) . la red circundante aparece comprimida y distorsionada. Los átomos intersticiales como el hidrógeno a menudo están presentes en forma de impurezas. una vez introducido. El átomo sustitucional permanece en la posición original. los átomos de carbono se agregan al hierro para producir acero. incluso al cambiar la temperatura. se puede encontrar el defecto sustitucional como una impureza o como un elemento aleante agregado deliberadamente y. Los átomos intersticiales.P á g i n a | 18 Defectos intersticiales Se forma un defecto intersticial cuando se inserta un átomo adicional en una posición normalmente desocupada dentro de la estructura cristalina. los átomos circundantes se comprimen (a). Cuando estos átomos son mayores que los normales de la red. En cualquier caso. Defectos sustitucionales Se crea un defecto sustitucional cuando se remplaza un átomo por otro de un tipo distinto. el número de defectos es relativamente independiente de la temperatura.

En este caso. deberá eliminarse también un catión monovalente adicional. podría crearse una vacancia donde normalmente estaría localizado un catión de carga +1. deben faltar tanto un anión como un catión de la red si se ha de preservar la neutralidad eléctrica del cristal. se introduce una carga positiva adicional en la estructura. Estos defectos aparecen con mayor frecuencia en redes con un factor de empaquetamiento bajo.P á g i n a | 19 Otros defectos puntuales Se crea un intersticio cuando un átomo idéntico a los de los puntos normales de la red se coloca en un lugar intersticial. intersticio-vacancia formado cuando un ión salta de un punto normal de la red a un sitio intersticial. creando así una vacancia. El defecto Frenkel es un par de defectos. Este defecto es común en materiales cerámicos de enlace iónico. Este caso puede darse cuando un ion con valencia de +2 remplaza a uno con valencia de +1. Defecto Frenkel Un defecto Schottky es un par de vacancias en un material de enlace iónico. Defecto Schottky Un último defecto puntual importante ocurre cuando un ion remplaza a otro con carga distinta. dejando detrás una vacancia. Esta imperfección se observa en materiales que tienen un enlace iónico pronunciado. . Cuando un catión bivalente remplaza a un catión monovalente. Para mantener el equilibrio de cargas.

terminaremos a un espacio atómico por debajo de nuestro punto de partida (punto ). Si seguimos una trayectoria en círculo a favor de las manecillas del reloj alrededor de la . es la dislocación del tornillo. (b) y (c). Podemos identificar dos tipos de dislocaciones: la dislocación de tornillo y la dislocación de borde. Dislocación de tornillo La dislocación de tornillo se puede ilustrar haciendo un corte parcial a través de un cristal perfecto. Si continuáramos nuestra rotación. El cristal perfecto (a) es cortado y deformado una distancia igual a un espaciamiento atómico.P á g i n a | 20 DISLOCACIONES Las dislocaciones son imperfecciones lineales en una red que de otra forma sería perfecta. Generalmente se introducen en la red durante el proceso de solidificación del material o al deformarlo. Se requiere de un vector de Burgers para cerrar la trayectoria de espaciamientos atómicos alrededor de la dislocación de tornillo. incluyendo los materiales cerámicos y los polímeros. separándolo y rellenando parcialmente el corte con un plano de átomos adicional. El eje. son de particular utilidad para explicar la deformación y el endurecimiento de los metales. El borde inferior de este plano adicional representa la dislocación de borde. trazaríamos una trayectoria en espiral. Si en un plano cristalográfico describimos una revolución completa alrededor del eje sobre el cual el cristal fue torcido. Dislocaciones de borde Una dislocación de borde se puede ilustrar haciendo un corte parcial a través de un cristal perfecto. es decir la línea alrededor de la cual trazamos esta trayectoria. La línea a lo largo de la cual ocurre este corte es una dislocación de tornillo. partiendo del punto y recorriendo espaciamientos atómicos iguales en cada dirección. El vector de Burgers es paralelo a la dislocación de tornillo. El vector que se requiere para cerrar la trayectoria y volver a nuestro punto inicial se conoce como el vector de Burgers . torciéndolo y desplazando un lado del corte sobre el otro la distancia de un átomo. Aunque en todos los materiales hay dislocaciones presentes.

Al introducir la dislocación. Dislocaciones mixtas Las dislocaciones mixtas tienen componentes tanto de borde como de tornillo. El vector que se requiere para completar el círculo es. El cristal perfecto (a) es cortado y un plano adicional de átomos es insertado (b). La dislocación de tornillo en la cara frontal del cristal gradualmente se convierte en dislocación de borde en el costado del cristal. sin embargo. en tanto que los que quedan por debajo se estiran alejándose de sus posiciones de equilibrio. La red que los rodea ha sido distorsionada debido a la presencia de la dislocación. los átomos encima de la línea de dislocación se comprimen acercándose los unos a los otros. .P á g i n a | 21 dislocación del borde. El vector de Burgers. Se requiere de un vector de Burgers para cerrar un círculo de igual cantidad de espaciamientos atómicos alrededor de la línea de dislocación. partiendo del punto y recorriendo un número igual de espaciamientos atómicos en cada dirección. El borde inferior del plano adicional es la dislocación de borde (c). En este caso. el vector de Burgers es perpendicular a la dislocación. Dislocación mixta. se conserva igual para todas las porciones de la dislocación mixta. de nuevo. terminaríamos alejados un espaciamiento atómico del punto de partida . con una región de transición entre ambas. el vector de Burgers.

P á g i n a | 22 Deslizamiento Podríamos trasladar el vector de Burgers del circuito a la dislocación de borde. Después de ese traslado. Si este proceso continúa. el cristal quedaría cortado en dos. Cuando se aplica un esfuerzo cortante a la dislocación (a) los átomos se desplazan haciendo que la dislocación se mueva un vector de Burgers en la dirección de deslizamiento (b). El plano cortado se desplaza ligeramente para establecer enlaces con el plano parcial original de átomos. Una vez trasladado el vector de Burgers del circuito cerrado a la línea de dislocación. El proceso mediante el cual se mueve una dislocación causando que se deforme un material se conoce como deslizamiento. el cristal ha sido deformado. la dislocación se recorre a través del cristal hasta que se produce un escalón en el exterior del mismo. encontramos que el vector de Burgers y la dislocación del borde definen un plano en la red. El vector de Burgers y el plano resultan útiles para explicar cómo se deforman los materiales. La dirección en la cual se mueve la dislocación. se define un plano de deslizamiento. la . Un movimiento continuo de la dislocación finalmente causará un escalón (c) y deformación permanente del cristal. Cuando se aplica una fuerza cortante en la dirección del vector de Burgers a un cristal que contenga una dislocación. ésta se puede mover al romper los enlaces entre los átomos de un plano. Si se pudieran introducir continuamente dislocaciones en el mismo plano del cristal y se movieran a lo lardo de la misma trayectoria. Este desplazamiento hace que la dislocación se mueva un espacio de un átomo hacia el lado.

La combinación de dirección de deslizamiento y plano de deslizamiento se denomina sistema de deslizamiento. La frontera de grano. la dislocación de borde barre el plano formado por el vector de Burgers y la dislocación. la dislocación se mueve perpendicularmente al vector de Burgers. Cada átomo de la superficie ya no tiene el mismo número de coordinación y se altera el enlace atómico. .P á g i n a | 23 dirección de deslizamiento. Asimismo. los átomos están tan cerca unos de otros en la frontera de grano que crean una región de compresión y en otras áreas están tan alejados que crean una región de tensión. en algunos sitios. que es la superficie que separa los granos. Sin embargo. es la dirección del vector de Burgers para las dislocaciones de borde. Una dislocación de tornillo produce el mismo resultado. contener pequeñas muescas y quizá ser mucho más reactiva que el interior del material. este plano se conoce como plano de deslizamiento. DEFECTOS SUPERFICIALES Los defectos superficiales o de superficie son las fronteras o planos que separan un material en regiones de la misma estructura cristalina pero con orientaciones cristalográficas distintas. es una zona estrecha en la cual los átomos no están correctamente espaciados. la orientación del arreglo atómico. es distinta para cada grano. Los átomos cerca de las fronteras de los tres granos no tienen un espaciamiento o arreglo de equilibrio. o de la estructura cristalina. la superficie puede ser muy áspera. Superficie del Material En las superficies externas del material la red termina de matera abrupta. Un grano es una porción del material dentro del cual el arreglo atómico es idéntico. Durante el deslizamiento. aunque el cristal se deforma en una dirección paralela a dicho vector. Fronteras de grano La microestructura de la mayor parte de los materiales está formada por muchos granos. Esto quiere decir que.

P á g i n a | 24 Bordes de grano de ángulo pequeño Un borde de grano de ángulo pequeño es un arreglo de dislocaciones que produce una pequeña desviación de la orientación cristalográfica entre redes adyacentes. Los bordes de macla interfieren con el proceso de deslizamiento incrementando la resistencia del metal. representan un error de la secuencia de apilamiento de planos compactos. Fallas de apilamiento Las fallas de apilamiento. . El borde de grano de ángulo pequeño es producido por un arreglo de dislocaciones. Los bordes de ángulo pequeño formados por dislocaciones de borde se conocen como bordes inclinados y aquellos causados por dislocaciones de tornillo se conocen como bordes torcidos. los bordes de grano de ángulo pequeño no son tan eficaces para bloquear el deslizamiento. Bordes de macla Un borde de macla es un plano que separa dos partes de un grano que tienen una pequeña diferencia en la orientación cristalográfica. Estas partes de la red parecen formar una imagen especular en el plano del borde de macla. El movimiento de los bordes de macla también puede hacer que un metal se deforme. Las maclas ocurren durante la deformación o el tratamiento térmico de ciertos metales. Las maclas se producen cuando una fuerza de corte. que ocurren en los metales CCC (celda unitaria cúbica centrada en las caras). Dado que la energía de la superficie es menor que la de un borde de grano normal. hace que los átomos cambien de posición. causando una falta de coincidencia angular θ entre las redes en ambos lados del borde. que actúa a lo largo del borde de macla.

P á g i n a | 25 Aplicación de un esfuerzo a un cristal perfecto (a) que puede causar un desplazamiento de los átomos (b) causando la formación de una macla. Note que el cristal se ha deformado debido a la macla. . (c) Una microfotografía de maclas dentro de un grano de latón (x 250).

calentando un material a una temperatura relativamente alta y manteniéndolo en ella durante largo tiempo. el control de la densidad de dislocaciones es un método importante para controlar la resistencia y la ductilidad de los metales y las aleaciones. Toda imperfección en el cristal aumenta la energía interna en el lugar de la imperfección. Al aumentar la cantidad de dislocaciones. Hay tres mecanismos comunes de endurecimiento (o reforzamiento) que se basan en las tres categorías de defectos en los cristales. sigue aumentando la resistencia del material. . Endurecimiento por deformación Las dislocaciones interrumpen la perfección de la estructura cristalina. se puede mover con facilidad por el cristal si el esfuerzo cortante resuelto es igual al esfuerzo cortante crítico resuelto. defectos puntuales y límites de grano sirven como “obstáculo” a las dislocaciones. EFECTO SOBRE LAS PROPIEDADES MECÁNICAS A TRAVÉS DEL CONTROL DEL PROCESO DE DESLIZAMIENTO. el material es más resistente. Este mecanismo de aumentar la resistencia de un material por medio de la deformación se llama endurecimiento por deformación (o endurecimiento por trabajo en frío). cerca de la imperfección. se requiere un esfuerzo mayor para forzar el paso de la dislocación por la región de alta energía local. en forma apreciable. porque al aumentar la densidad de las dislocación es se producen más obstáculos al movimiento de las dislocaciones. ópticas y magnéticas de los materiales diseñados. los defectos como las dislocaciones. En los materiales. que por lo demás sería perfecto. Es posible controlar la resistencia de un material metálico controlando la cantidad y el tipo de las imperfecciones. A este tratamiento se le llama recocido y se usa para impartir ductilidad a los materiales metálicos. La energía local aumenta porque.P á g i n a | 26 IMPORTANCIA DE LOS DEFECTOS Los defectos extendidos y los puntuales desempeñan una función de la mayor importancia en la determinación de las propiedades mecánicas. Una dislocación en un cristal metálico. si la dislocación se encuentra con una región donde los átomos están desplazados respecto a sus posiciones normales. Por lo anterior. en consecuencia. Sin embargo. eléctricas. los átomos están muy comprimidos y cercanos entre sí (compresión) o muy apartados (tensión). También es posible reducir la densidad de dislocaciones.

o reducir el tamaño de grano. Endurecimiento por tamaño de grano Las imperfecciones de la superficie. Esto ocurre de manera parecida a la forma en que la sal o el azúcar se disuelven en agua. Cuando la estructura cristalina del material anfitrión asimila por completo los átomos o los iones de un elemento o compuesto huésped. El oro y la plata puros. . que son metales FCC con muchos sistemas de deslizamientos activos. Si en forma intencional se introducen átomos sustitucionales o intersticiales. o por qué las aleaciones de cobre con pequeñas concentraciones de Be son mucho más resistentes que el Cu puro. Se conocen como endurecimiento por segunda fase y endurecimiento por precipitación. en bajas concentraciones. se produce un endurecimiento por solución sólida. son demasiado suaves mecánicamente. perturban el arreglo de los átomos en los materiales cristalinos. Hay otros mecanismos más para endurecer los metales y las aleaciones.P á g i n a | 27 Endurecimiento por solución sólida Cualquiera de los defectos puntuales también interrumpe la perfección de la estructura cristalina. Este mecanismo explica por qué el acero simple al carbono es más resistente que el Fe puro. se forma una solución sólida. se produce un endurecimiento por tamaño de grano en los materiales metálicos. Al aumentar la cantidad de granos. tales como los límites de grano.

difunde el carbono en partes de acero tales como engranes. uno de cuyos lados está dopado con dopantes tipo n (por ejemplo. el procesamiento de cerámicos y la solidificación y unión de materiales. polvo de grafito o un gas que contenga carbono. B en Si). La difusión indica el flujo neto de cualquier especia. En forma parecida a la introducción del carbono. Difusión de dopantes para dispositivos semiconductores La creación de la unión p-n implica la difusión de átomos dopantes. en ciertas regiones ultrapequeñas de obleas de silicio. Una unión p-n es una región del semiconductor.P á g i n a | 28 MOVIMIENTO DE ÁTOMOS La difusión es el movimiento de los átomos en un material. como iones. electrones. As en Si) y el otro lado está dopado con dopantes tipo p (por ejemplo. Los siguientes son sólo unos pocos ejemplos: Cementación o carburización para el endurecimiento superficial de los aceros. También la difusión desempeña un papel central en el control de las transformaciones de fase necesarias para el tratamiento térmico de metales y aleaciones. etc. Es necesaria la difusión para el tratamiento térmico de los metales. la manufactura de los cerámicos. Estos materiales iónicamente . los cerámicos policristalinos tienden a ser buenos aislantes de electricidad. La magnitud de este flujo depende del gradiente inicial de concentraciones y de la temperaturaAPLICACIONES DE LA DIFUSIÓN El movimiento de los átomos es necesario para muchos de los tratamientos que llevamos a cabo sobre los materiales. hay muchos cerámicos que pueden conducir electricidad y. átomos. como por ejemplo de fósforo (P). la fabricación de transistores y celdas solares y la conductividad eléctrica de muchos cerámicos. En la cementación. Los átomos se mueven de una manera predecible. Los fuertes enlaces covalentes y iónicos junto con sus propiedades microestructurales contribuyen a la conductividad eléctrica relativamente pobre que tienen muchos cerámicos. la solidificación de los materiales. por ejemplo. de hecho.. Sin embargo. Cerámicos conductores En general. vacancias y moléculas. algunos son superconductores. aluminio (Al). en el que se introduce nitrógeno en la superficie de un material metálico. una fuente de carbono. boro (B). también se usa un proceso llamado nitruración. arsénico (As). antimonio (Sb). tratando de eliminar diferencias de concentración y de producir una composición homogénea y uniforme.

Sin embargo. Por ejemplo. es deseable limitar el grado de difusión para ciertas especies. porque la delgada capa de aluminio ayuda a evitar la difusión del helio hacia el exterior. el óxido de aluminio forma una capa muy protectora. pero delgada. los blancos se bombardean con haces de iones. En algunas aplicaciones. Para que el cromo tenga un efecto magnético útil. La capa de óxido no tiene color y es delgada. celdas de combustible y baterías. se necesita un tratamiento térmico que difunda los átomos de cromo hacia los límites de grano del material magnético. pantallas sensibles al tacto. Materiales magnéticos para discos duros Las aleaciones de cobalto se usan en la fabricación de discos duros para computadoras personales. Los globos de helio hechos con Mylar ™ retienen al helio mucho más tiempo. en la fabricación de ciertas botellas de plástico. es invisible. Esos blancos se hacen con elementos compuestos que contengan los sustituyentes necesarios con los que se forman las películas delgadas. Los átomos saltan de los blancos y se depositan sobre un sustrato. Con la pulverización de películas delgadas de aleación de cobalto se agrega con frecuencia cromo para mejorar sus propiedades magnéticas. produciendo una película delgada. durante un tiempo razonablemente largo. En el proceso de pulverización catódica. La capacidad de los iones para difundir y proporcional un trayecto para la conducción eléctrica desempeña un papel importante para permitir esas aplicaciones. debe minimizarse la difusión del dióxido de carbono. Otro ejemplo de una aplicación donde se debe limitar la difusión es el de los globos de Mylar™.P á g i n a | 29 conductores se usan en productos como sensores de oxígeno en los automóviles. para permitir la difusión de los átomos de cromo. impidiendo la difusión del oxígeno e inhibiendo la posterior oxidación del aluminio en el interior. Oxidación del aluminio El aluminio se oxida con más facilidad que el hierro. por consiguiente. Es la razón por la cual se cree que el aluminio no se oxida. Se pueden producir capas delgadas de estas aleaciones con un proceso llamado pulverización catódica. . desde el interior de los granos hasta los límites de grano. sobre la superficie del aluminio. Esto se loga usando un tratamiento térmico de recocido que implica calentar la película depositada a una alta temperatura. Fabricación de botellas de plástico para bebidas y de globos de Mylar™ No siempre es benéfica la difusión.

los átomos se mueven de una posición en la red a otra. Este proceso. oxígeno y otras sustancias. Cuando un ambiente corrosivo es más agresivo. . de aquí el nombre de recubrimientos de barrera térmica. se puede aplicar una capa de zinc a las estructuras de hierro. que se conoce como autodifusión. las estructuras de acero se pintan para evitar o minimizar la oxidación. algunos álabes de turbina están recubiertos con óxidos cerámicos. su efecto en el comportamiento del material no es importante. Recubrimientos de barrera térmica en álabes de turbinas En los motores de avión. Aunque la autodifusión ocurre de manera continua en todos los materiales. y no sólo su barrera a la difusión. Finalmente.P á g i n a | 30 Recubrimiento y películas delgadas Los recubrimientos y las películas delgadas se usan frecuentemente en el proceso de manufactura para limitar la difusión del vapor de agua. Estos recubrimientos cerámicos protegen a la aleación contra las altas temperaturas. La naturaleza química del zinc. los átomos de cobre quedarán distribuidos aleatoriamente en todo el níquel. El proceso de aplicar una cubierta de zinc sumergiendo las partes en un gran baño de zinc fundido se llama galvanizado por inmersión en caliente. desempeña un papel muy importante en la protección del acero del interior. Difusión de átomos de cobre en el níquel. Por ejemplo. puede detectarse utilizando trazadores radioactivos. MECANISMOS DE DIFUSIÓN Incluso en materiales sólidos absolutamente puros.

. Conforme continúa la difusión se tiene un flujo de vacancias y átomos en sentidos opuestos conocido como difusión por vacancia. En parte porque el número de sitios intersticiales es mucho mayor que el de vacancias. los átomos de níquel gradualmente se difunden en el cobre y los de cobre emigran hacia el níquel. Para este mecanismo no es necesario que existan vacancias. por lo tanto se espera que la difusión intersticial sea rápida.P á g i n a | 31 También ocurre la difusión de átomos distintos en los materiales. El número de vacancias. De nuevo. Si se suelda una lámina de níquel a una lámina de cobre. este átomo pasará de un sitio intersticial a otro. Difusión intersticial Cuando en la estructura cristalina está presente un pequeño átomo intersticial. al transcurrir el tiempo los átomos de níquel y cobre quedarán uniformemente distribuidos. Mecanismos de difusión en materiales: (a) difusión de átomos por vacancia o por átomos sustitucionales y (b) difusión intersticial. ayuda a determinar la extensión tanto de la autodifusión como de la difusión de los átomos sustitucionales. que se incremente al aumentar la temperatura. Hay dos mecanismos importantes mediante los cuales se difunden los átomos: Difusión por vacancia En la autodifusión y en la difusión de átomos sustitucionales. un átomo abandona su sitio en la red para llenar una vacancia cercana (creando así una nueva vacancia en su lugar original en la red).

. Ciencia e Ingeniería de los Materiales. Phulé (2004). Introducción a la Ciencia e Ingeniería de los Materiales. México. DF. Cuarta Edición. Inc. Askeland.P á g i n a | 32 FUENTES DE INFORMACIÓN 1. William D. Callister Jr. 3. Askeland (1998). S. Editorial Cengage Learning. (1994). Editorial International Thomson Publishing. Editorial Reverté. Ciencia e Ingeniería de los Materiales. Donald R. Tercera Edición. Donald R. Pradeep P. Tercera Edición.A. 2. México. DF.

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful