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Clase22 Apunte
Clase22 Apunte
Captulo 2
2.1 Introduccin
Los dispositivos semiconductores utilizados en Electrnica de Potencia se pueden
clasificar en tres grandes grupos, de acuerdo con su grado de controlabilidad:
1. Dispositivos no controlados: en este grupo se encuentran los Diodos. Los estados de
conduccin o cierre (ON) y bloqueo o abertura (OFF) dependen del circuito de
potencia. Por tanto, estos dispositivos no disponen de ningn terminal de control
externo.
2. Dispositivos semicontrolados: en este grupo se encuentran, dentro de la familia de los
Tiristores, los SCR (Silicon Controlled Rectifier) y los TRIAC (Triode of
Alternating Current). En ste caso su puesta en conduccin (paso de OFF a ON) se
debe a una seal de control externa que se aplica en uno de los terminales del
dispositivo, comnmente denominado puerta. Por otro lado, su bloqueo (paso de ON a
OFF) lo determina el propio circuito de potencia. Es decir, se tiene control externo de
la puesta en conduccin, pero no as del bloqueo del dispositivo.
3. Dispositivos totalmente controlados: en este grupo encontramos los transistores
bipolares BJT (Bipolar Junction Transistor), los transistores de efecto de campo
MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), los transistores
bipolares de puerta aislada IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) y los tiristores
GTO (Gate Turn-Off Thyristor), entre otros.
En los siguientes apartados se detallan las caractersticas ms importantes de cada uno
de estos dispositivos.
P+
10 m
N-
Depende
de la
tensin
N+
250 m
Substracto
Catodo (K)
Figura 2.1. Estructura interna de un diodo de potencia
Como se puede observar en la figura anterior, el diodo est formado por una sola
unin PN, aunque la estructura de un diodo de potencia es algo diferente a la de un diodo de
seal, puesto que en este caso existe una regin N intermediaria con un bajo dopaje. El papel
de esta regin es permitir al componente soportar tensiones inversas ms elevadas. Esta
regin de pequea densidad de dopaje dar al diodo una significativa caracterstica resistiva
en polarizacin directa, la cual se vuelve ms significativa cuanto mayor sea la tensin que ha
de soportar el componente. Las capas que hacen los contactos externos son altamente
dopadas, para obtener un contacto con caractersticas hmicas y no del tipo semiconductor.
La figura siguiente muestra el smbolo y la caracterstica esttica corriente-tensin de
un diodo de potencia.
iAK
(1/ Ron )
vAK
VR
vAK
K (-)
A (+)
iAK
Regin de
bloqueo
inverso
VF 1 V
t1
dif/dt
t3
trr
Qrr
i = Vr/R
iD
Vfp
Von
vD
-Vr
t4 t5
Vrp
t2
+Vr
Vi
-Vr
vD
vi
iD
R
2.3 Tiristores
El nombre de Tiristor proviene de la palabra griega , que significa una
puerta. El tiristor engloba una familia de dispositivos semiconductores que trabajan en
conmutacin, teniendo en comn una estructura de cuatro capas semiconductoras en una
secuencia P-N-P-N, la cual presenta un funcionamiento biestable (dos estados estables).
La conmutacin desde el estado de bloqueo (OFF) al estado de conduccin (ON)
se realiza normalmente por una seal de control externa. La conmutacin desde el estado
ON al estado OFF se produce cuando la corriente por el tiristor es ms pequea que un
determinado valor, denominada corriente de mantenimiento, (holding current), especfica
para cada tiristor.
Dentro de la familia de los tiristores podemos destacar los SCRs (tiristores
unidireccionales) y TRIACs (tiristores bidireccionales).
2.3.1
teniendo 3 terminales: nodo (A) y ctodo (K), por los cuales circula la corriente principal, y
la puerta (G) que, cuando se le inyecta una corriente, hace que se establezca una corriente en
sentido nodo-ctodo. La figura 2.4 ilustra una estructura simplificada del dispositivo.
Rc (carga)
Vcc
J1
J2 J3
N-
Gate
nodo
A
Vcc
N+
Vg
Ctodo
S
Rg
Rc
K
G
Rg
Vg
Si entre nodo y ctodo tenemos una tensin positiva, las uniones J1 y J3 estarn
directamente polarizadas, en cuanto que la unin J2 estar inversamente polarizada. No habr
conduccin de corriente hasta que la tensin VAK aumente hasta un valor que provoque la
ruptura de la barrera de potencial en J2.
Si hay una tensin VGK positiva, circular una corriente a travs de J3, con portadores
negativos yendo del ctodo hacia la puerta. Por la propia construccin, la capa P donde se
conecta la puerta es suficientemente estrecha para que parte de los electrones que atraviesen
J3 tengan energa cintica suficiente para vencer la barrera de potencial existente en J2, siendo
entonces atrados por el nodo.
De esta forma, en la unin inversamente polarizada, la diferencia de potencial
disminuye y se establece una corriente entre nodo y ctodo, que podr persistir an sin la
corriente de puerta.
Cuando la tensin VAK es negativa, J1 y J3 quedarn inversamente polarizadas, en
cuanto que J2 quedar directamente polarizada. Teniendo en cuenta que la unin J3 est entre
dos regiones altamente dopadas, no es capaz de bloquear tensiones elevadas, de modo que
IA
P
T1
N
G
Ib1
P
N
Ic2
Ic1
G
IG
T2
Ib2
IK
Cuando se aplica una corriente de puerta IG positiva, Ic2 e IK aumentarn. Como Ic2 =
Ib1, T1 conducir y tendremos Ib2 = Ic1 + IG, que aumentar Ic2 y as el dispositivo
evolucionar hasta la saturacin, aunque se elimine la corriente de puerta IG. Tal efecto
acumulativo ocurre si las ganancias de los transistores son mayores que 1. El componente se
mantendr en conduccin desde que, despus del proceso dinmico de entrada en conduccin,
la corriente del nodo haya alcanzado un valor superior al lmite IL, llamada corriente de
enclavamiento latching current.
Para que el SCR deje de conducir es necesario que su corriente caiga por debajo del
valor mnimo de mantenimiento (IH), permitiendo que se restablezca la barrera de potencial en
J2. Para la conmutacin del dispositivo no basta con aplicar una tensin negativa entre nodo
y ctodo. Dicha tensin inversa acelera el proceso de desconexin por dislocar en los
sentidos adecuados los portadores en la estructura cristalina, pero ella sola no garantiza la
desconexin.
Debido a las caractersticas constructivas del dispositivo, la aplicacin de una
polarizacin inversa del terminal de puerta no permite la conmutacin del SCR. Este ser un
comportamiento de los GTOs, como se ver ms adelante.
Caractersticas tensin-corriente
En la figura 2.6 podemos ver la caracterstica esttica de un SCR. En su estado de
apagado o bloqueo (OFF), puede bloquear una tensin directa y no conducir corriente. As, si
iA
Estado de conduccin (ON)
Ruptura
inversa
Zona de
bloqueo
inverso
Transicin de OFF a ON
Estado de bloqueo (OFF)
vAK
Tensin de
ruptura
inversa
Tensin de ruptura
directa
iA
von
IL
IH
Vbr
IG2>IG1
IG1>IG0
IG0=0
VAK
1a3V
Vbo
vGK (V)
Mxima tensin
de puerta
Lmite de baja
corriente
Mxima potencia
instantnea de puerta
Lmite de alta
corriente
VGmin
VGmax
Recta de carga
IGmin
iG (A)
0,5
A
12
G
iG
6V
Sistema
K
vGK
Figura 2.8. Curvas con las condiciones para disparo de un SCR a travs de control de puerta y
circuito de disparo reducido a su equivalente Thvenin.
El valor VGmin indica la mnima tensin de puerta que asegura la conduccin de todos
los componentes de un tipo determinado, para la mnima temperatura especificada.
El valor VGmax es la mxima tensin de puerta que asegura que ningn componente de
un tipo determinado entrar en conduccin, para la mxima temperatura de operacin.
La corriente IGmin es la mnima corriente necesaria para asegurar la entrada en
conduccin de cualquier dispositivo de un cierto tipo, a la mnima temperatura.
El circuito de disparo puede reducirse a su equivalente Thevenin (ver figura 2.8) para
determinar la recta de carga sobre las curvas caractersticas vGK-iG. Para el ejemplo de la
figura 2.8, la recta de carga cortar los ejes en los puntos 6 V (tensin en vaco de corriente de
disparo) y 6 V / 12 = 0,5 A (intensidad de cortocircuito). Para asegurar la operacin
correcta del componente, la recta de carga del circuito debe asegurar que superar los lmites
vGmin y iGmin, sin exceder los dems lmites (tensin, corriente y potencia mxima).
G
A1
A2
G
Figura 2.9. Esquema equivalente de un TRIAC.
A1
n
A1
G
A2
n
p
n
p
n
p
A2
Figura 2.10. Smbolo y estructura interna de un TRIAC
La figura 2.11.muestra la caracterstica esttica I-V del TRIAC. Se puede observar que
presenta estado de conduccin tanto para iA positiva como negativa, y puede ser disparada
desde el estado de corte al de conduccin tanto para vA1A2 positiva como negativa. Adems, la
corriente de puerta que fuerza la transicin del estado de corte al de conduccin puede ser
tanto positiva como negativa. En general, las tensiones y corrientes necesarias para producir la
transicin del TRIAC son diferentes segn las polaridades de las tensiones aplicadas.
iA
von
IL
IH
IG=0
IG1
IG2
IG1
IG2
IG=0
VA1A2
Vbo
A pesar de que el GTO fue inventado en el inicio de la dcada de los aos 60, ha sido
poco empleado debido a sus reducidas prestaciones. Con el avance de la tecnologa en el
desarrollo de dispositivos semiconductores, se han encontrado nuevas soluciones para mejorar
tales componentes que hacen que hoy ocupen una franja significa dentro de la electrnica de
potencia, especialmente en aquellas aplicaciones de elevada potencia, con dispositivos que
alcanzan los 5000 V y los 4000 A.
Como se ha visto en los apartados anteriores, uno de los inconvenientes de los
tiristores tipo SCR o TRIAC es que no tenemos control externo por parte del usuario del paso
de conduccin a bloqueo. Para aquellas aplicaciones en las que nos interese poder bloquear un
interruptor de potencia en cualquier instante es necesario utilizar otro tipo de semiconductores
diferentes a los SCRs o TRIACs.
i AK
n
p
n
p
A
Principio de funcionamiento
El GTO tiene una estructura de 4 capas, tpica de los componentes de la familia de los
tiristores. Su caracterstica principal es su capacidad de entrar en conduccin y bloquearse a
travs de seales adecuadas en el terminal de puerta G.
El mecanismo de disparo es parecido al del SCR: suponiendo que est directamente
polarizado, cuando se le inyecta corriente a la puerta, circula corriente entre puerta y ctodo.
Como la capa de la puerta es suficientemente fina, gran parte de los portadores se mueven
hasta la capa N adyacente, atravesando la barrera de potencial y siendo atrados por el
potencial del nodo, dando inicio a la corriente andica. Si sta corriente se mantiene por
encima de la corriente de mantenimiento, el dispositivo no necesita de la seal de puerta para
mantenerse en conduccin.
La figura 2.13 muestra una representacin simplificada de los procesos de entrada y
salida de conduccin del GTO.
La aplicacin de una polarizacin inversa en la unin puerta-ctodo puede llevar a la
abertura o bloqueo del GTO. Portadores libres (agujeros) presentes en las capas centrales del
dispositivo son atradas por la puerta, haciendo que sea posible el restablecimiento de la
barrera de potencial en la unin J2.
Aparentemente tal comportamiento tambin sera posible en el SCR. Pero, en realidad,
Entrada en
conduccin
J1
P+
J2
J3
N-
N+
Ctodo
A
Gate
nodo
Vg
Rg
Rc
Vcc
J1
J2 J3
P+ N-
Apagado
(Bloqueo)
A
nodo
Gate
N+
Ctodo
Vg
Rg
La figura siguiente (Fig. 2.14) muestra las caractersticas estticas (corriente tensin) del
GTO.
i AK
IG >0
IG <0
VB
v AK
ruptura
(kV )
2.4 Transistores
En Electrnica de Potencia, los transistores generalmente son utilizados como
interruptores. Los circuitos de excitacin (disparo) de los transistores se disean para que
stos trabajen en la zona de saturacin (conduccin) o en la zona de corte (bloqueo). Esto
difiere de lo que ocurre con otras aplicaciones de los transistores, como por ejemplo, un
circuito amplificador, en el que el transistor trabaja en la zona activa o lineal.
Los transistores tienen la ventaja de que son totalmente controlados, mientras que, por
ejemplo, el SCR o el TRIAC slo dispone de control de la puesta en conduccin. Los tipos de
transistores utilizados en los circuitos electrnicos de potencia incluyen los transistores BJT,
los MOSFET y dispositivos hbridos, como por ejemplo, los transistores de unin bipolar de
puerta aislada (IGBT). A continuacin veremos cada uno de ellos.
npn
pnp
Colector (C)
Emisor (E)
Base (B)
Base (B)
Emisor (E)
Colector (C)
C N+ N-
Vcc
J2 J1
N+
E
Vb
Rb
N + 10e19 cm -3
P
N
10e16 cm -3
10e14 cm -3
N+
10e19 cm -3
10 m
5 a 20 m
50 a 200 m
250 m
Substracto
C
Figura 2.17. Estructura interna de un TBP tipo NPN
La preferencia en utilizar TBP tipo NPN se debe a las menores prdidas con relacin a
los PNP, lo cual es debido a la mayor movilidad de los electrones con relacin a los agujeros,
reduciendo, principalmente, los tiempos de conmutacin del componente.
Caractersticas estticas
Los transistores bipolares son fciles de controlar por el terminal de base, aunque el
circuito de control consume ms energa que el de los SCR. Su principal ventaja es la baja
cada de tensin en saturacin. Como inconvenientes destacaremos su poca ganancia con v/i
grandes, el tiempo de almacenamiento y el fenmeno de avalancha secundaria.
iC
Saturacin
iB5
iB4
Activa
iB3
iB2
iB = 0
vCE(sat)
iB1
vCE
Corte
Figura 2.18. Caractersticas V-I de los transistores bipolares
vCC Corte
Activa
Saturacin
vCE(sat)
iB
(C)
(B)
1 2
2
(E)
Drenador (D)
Puerta (G)
Canal n
Fuente (F)
Fuente (S)
Puerta (G)
Canal p
Drenador (D)
Si bien el TBP fue inventado a finales de los aos 40, ya en 1925 fue registrada una
patente que se refera a un mtodo y un dispositivo para controlar el flujo de una corriente
elctrica entre dos terminales de un slido conductor. As mismo, tal patente, que se puede
considerar como la precursora de los Transistores de Efecto de Campo, no redund en un
componente prctico, puesto que entonces no haba tecnologa que permitiese la construccin
de los dispositivos. Esto se modific en los aos 60, cuando surgieron los primeros FETs,
pero an con limitaciones importantes con respecto a las caractersticas de conmutacin. En
los aos 80, con la tecnologa MOS, fue posible construir dispositivos capaces de conmutar
valores significativos de corriente y tensin, con velocidad superior al que se obtena con los
bipolares.
Principio de funcionamiento y estructura
El terminal de puerta G (Gate) est aislado del semiconductor por xido de silicio
(SiO2). La unin PN define un diodo entre la Fuente S (Source) y el Drenador D (Drain), el
cual conduce cuando VDS < 0. El funcionamiento como transistor ocurre cuando VDS > 0. La
figura 2.22 muestra la estructura bsica del transistor.
Cuando una tensin VGS > 0 es aplicada, el potencial positivo en la puerta repele los
agujeros en la regin P, dejando una carga negativa, pero sin portadores libres. Cuando esta
tensin alcanza un cierto valor umbral (VT), electrones libres (generados principalmente por
efecto trmico) presentes en la regin P son atrados y forman un canal N dentro de la regin
P, por el cual se hace posible la circulacin de corriente entre D y S. Aumentando VGS, ms
portadores son atrados, ampliando el canal, reduciendo su resistencia (RDS), permitiendo el
aumento de ID. Este comportamiento caracteriza la llamada regin hmica.
VDD
VGS
S
N+
- ID
-ID
NN+
D
SiO2
metal
La circulacin de ID por el canal produce una cada de tensin que produce un efecto
embudo, o sea, el canal es ms ancho en la frontera con la regin N+ que cuando se conecta
a la regin N-. Un aumento de ID lleva a una mayor cada de tensin en el canal y a un mayor
efecto embudo, lo que conducira a su colapso y a la extincin de la corriente. Obviamente
el fenmeno tiende a un punto de equilibrio, en el cual la corriente ID se mantiene constante
para cualquier VDS, caracterizando una regin activa o de saturacin del MOSFET. La figura
2.23 muestra la caracterstica esttica del MOSFET de potencia.
Una pequea corriente de puerta es necesaria apenas para cargar y descargar las
12
capacidades de entrada del transistor. La resistencia de entrada es del orden de 10 Ohms.
De forma anloga a los bipolares, tenemos fundamentalmente tres zonas de trabajo
bien diferenciadas:
- Corte: La tensin entre la puerta y la fuente es ms pequea que una determinada tensin
umbral (VT), con lo que el dispositivo se comporta como un interruptor abierto.
- hmica: Si la tensin entre la puerta y la fuente (o surtidor) es suficientemente grande y la
tensin entre el drenador y la fuente es pequea, el transistor se comporta como un interruptor
cerrado, modelado por una resistencia, denominada RON.
- Saturacin: Si el transistor est cerrado pero soporta una tensin drenador-surtidor elevada,
ste se comporta como una fuente de corriente constante, controlada por la tensin entre la
puerta y el surtidor. La disipacin de potencia en este caso puede ser elevada dado que el
producto tensin-corriente es alto.
iD
Ohmica
vGS4
Saturacin
vGS3
ON
vGS2
OFF
vGS1
vDS
Corte
Figura 2.23. Caracterstica esttica del transistor MOSFET canal n
Para evitar los inconvenientes del MOSFET y del bipolar y aprovechar las ventajas de
ambos, los fabricantes han introducido un dispositivo nuevo, denominado IGBT que se
describe en el siguiente apartado.
2.4.3. IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
El transistor IGBT, de las siglas en ingls Isolated Gate Bipolar Transistor, es un
dispositivo hbrido, que aprovecha las ventajas de los transistores descritos en los apartados
anteriores, o sea, el IGBT rene la facilidad de disparo de los MOSFET con las pequeas
prdidas en conduccin de los BJT de potencia. La puerta est aislada del dispositivo, con lo
que se tiene un control por tensin relativamente sencillo. Entre el colector y el emisor se
tiene un comportamiento tipo bipolar, con lo que el interruptor es muy cercano a lo ideal. La
figura 2.24 muestra la simbologa para este tipo de transistores.
Colector (C)
Puerta (G)
Emisor (E)
(C)
(G)
(E)
Gate (puerta)
Emisor
J3
P
SiO2
metal
J2
NN+
J1
P+
Colector
Figura 2.25. Estructura bsica del transistor IGBT
El control del componente es anlogo al del MOSFET, o sea, por la aplicacin de una
polarizacin entre puerta y emisor. Tambin para el IGBT el accionamiento o disparo se hace
por tensin.
La mxima tensin que puede soportar se determina por la unin J2 (polarizacin
directa) y por J1 (polarizacin inversa). Como J1 divide 2 regiones muy dopadas, se puede
concluir que un IGBT no soporta tensiones elevadas cuando es polarizado inversamente.
Los IGBT presentan un tiristor parsito. La construccin del dispositivo debe ser tal
que evite el disparo de este tiristor, especialmente debido a las capacidades asociadas a la
regin P. Los componentes modernos no presentan problemas relativos a este elemento
indeseado.
En la figura 2.26 se muestra la caracterstica I-V del funcionamiento de un IGBT.
El IGBT tiene una alta impedancia de entrada como el MOSFET, y bajas prdidas de
conduccin en estado activo como el Bipolar, pero no presenta ningn problema de ruptura
secundaria como los BJT.
iC
vGE
vCE
MOSFET
500-1000V
20-100A
Hasta 300-400kHz
P bajas, <10kW
IGBT
1600-2000V
400-500A
Hasta 75kHz
P medias - altas
Los valores mencionados no son exactos, dada la gran disparidad que se puede encontrar
en el mercado. En general, el producto tensin-corriente es una constante (estamos limitados
en potencia), es decir, se puede encontrar un MOSFET de muy alta tensin pero con corriente
reducida. Lo mismo ocurre con las frecuencias de trabajo. Existen bipolares de poca potencia
que trabajan tranquilamente a 50kHz, aunque no es lo ms usual.
PERDIDAS EN CONDUCCIN
PERDIDAS EN CONMUTACIN
TENSIN
<10kV
<6000V
<6000V
<1000V
<1000V
<1200V
<2000V
CORRIENTE
<5000A
<5000A
<3000A
<25A
<100A
<700A
<500A
FRECUENCIA
<10MHz
<500Hz
<500Hz
<500Hz
<1MHz
<25kHz
<75kHz
DISPOSITIVO
POTENCIA
FRECUENCIA
TIRISTORES
Alta
Baja
GTOs
Alta
Baja
TRIACs
Baja
Baja
MOSFETs
Baja
Alta
BJTs
Media
Media
IGBTs
Media-Alta
Media
Por otro lado, la figura 2.28 muestra un grfico que compara las capacidades de
tensin, corriente y frecuencia de los componentes controlables.
Tiristor
GTO
5kV
IGB
4kV
3kV
1kHz
10kHz
2kV
MOSFET
1kV
1kA
2kA
100kHz
3kA
4kA
5kA
6kA
1MHz
Dispositivos
DIODO
SCR
GTO
BJT
MOSFET
IGBT
Caractersticas de disparo
---------
En corriente
En corriente
En corriente
En tensin
En tensin
---------
Media - Alta
Alta
Media - Alta
Muy baja
Muy Baja
---------
Baja
Alta
Alta
Muy Baja
Muy Baja
Densidad de corriente
Mxima tensin inversa
Perdidas en conmutacin
(circuitos convencionales)
Media p/ Alta
Alta
Media - Alta
Media
Alta - Baja
Alta
Media
Alta
Alta
Baja - Media
Media - Baja
Madia - Alta
Baja p/ media
Alta
Alta
Media - Alta
Muy Baja
Madia - Alta
Por ltimo la figura 2.29 muestra algunas posibles aplicaciones de los distintos
dispositivos de electrnica de potencia.
2.7 Bibliografa
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