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Y DE TELECOMUNICACIN
UNIVERSIDAD DE CANTABRIA
Tema IV:
Ruidos e Interferencias: Tcnicas de reduccin.
Contenido:
IV.1
IV.2
IV.3
IV.4
IV.5
IV.6
IV.7
Concepto de ruido.
Caracterizacin de los niveles de ruido.
Caracterizacin de las fuentes de ruido.
Ruido en circuitos con amplificadores operacionales.
Naturaleza y causa de las interferencias.
Blindajes, apantallamientos y puestas a tierra.
Amplificadores de aislamiento.
CAPITULO 4
RUIDOS E INTERFERENCIAS: TCNICAS DE REDUCCIN
______________________________________________________________________
Probabilidad de que
el valor instantneo de
en(t) supere a E
En
1 2
en (t ) dt
T 0
(mVrms )
In
1 2
in (t ) dt
T 0
(mArms )
En2
= I n2 (1 )
(1 )
(W )
- En el caso de ruidos de tipo impulsivo (como el que se produce en sistemas digitales, o el que induce el circuito de ignicin de un motor de explosin) su valor o
potencia media no describe su nivel, y es mucho ms adecuado utilizar valores
pico- a-pico, que permiten predecir si el ruido puede producir un fallo por superar
los umbrales lgicos.
vD(t)
VTH
VTL
t
Medida y observacin del ruido. Los instrumentos habituales para medir las
caractersticas de una seal y en particular su ruido son el osciloscopio y el voltmetro.
Erms= Epp/6
|E| = 0.798E rms
/
|E| E rms
Epp
en(t)
t
- Cuando se utiliza el osciloscopio, se suele medir el valor de pico de la seal de
ruido, esto es, la cota mxima y mnima que en su variacin aleatoria alcanza. El
valor rms de ruido que se considera es la sexta parte del valor de pico:
En =
E pp
6
- Cuando se utiliza un voltmetro (rms) el valor que mide, corresponde directamente con el valor rms del ruido.
- Cuando el voltmetro mide el valor medio del valor absoluto, la medida debe ser
multiplicada por el factor 1.13,
En =
E
= 1.13 E
0.798
En =
=
1
T
[e
( t ) + e n 2 ( t ) ] dt =
2
n1
E +E
2
n1
2
n2
2
+
T
[e
( t ) e n 2 ( t ) ] dt =
2
n1
E n21 + E n22
resultando en general,
2
En = En21 + En22 + ... + Enm
2
I n = I n21 + I n22 + ... + I nm
Espectro frecuencial del ruido: La potencia de ruido se distribuye por todo el espectro
de frecuencia. Por ello, cuando se hace referencia al valor rms del ruido, es necesario
indicar el rango de frecuencias sobre el que se hace la medida. En el caso de ruido
blanco, la anchura de banda es por definicin infinita, lo que implica que cuando se
aplica a una resistencia, la potencia del ruido que resulta es infinita (en la prctica la
anchura de banda limitada del circuito, acota la potencia, y no da lugar a una liberacin
infinita de energa). En cualquier caso, la medida del ruido es funcin de la anchura
de banda con la que se mide. Las diferentes medidas del ruido, deben estar referidas a
una anchura de banda.
La densidad espectral de potencia del ruido
pn(f), define la potencia de la seal de ruido
por unidad de banda de frecuencia,
dEn2
e (f)=
df
2
n
dI n2
i (f)=
df
2
n
en2 ( f ) 2
pn ( f ) =
=i (f)
(1 ) n
(1 )
fH
2
n
In =
( f ) df
fL
fH
2
n
( f ) df
fl
En enw f H
I n inw f H
f
i n(pA/ Hz)
( si f H > f L )
( si f H > f L )
2
( fH fL )
I n2 = inw
Ruido rosa o ruido 1/f: Es aquel que posee una densidad espectral de potencia de ruido
que es inversamente proporcional a la frecuencia,
en2 = K e2 / f
en = K e /
in2 = K i2 / f
in = K i /
en (nV/ Hz)
f
I n = K i Ln H
f L L
i n(pA/ Hz)
f
En2 = K e2 Ln H
fL
Esto significa 1que la potencia por octava o por dcada de frecuencia es constante.
Ruido de circuitos integrados: En los circuitos integrados es frecuente que se presente
mezclados ruido blanco y ruido rosa. El ruido rosa domina a baja frecuencia (por debajo
de una frecuencia de corte fce) y el ruido blanco es el residual a alta frecuencia.
en (nV/ Hz)
2 f ce
en2 = enw
+ 1
enw
fce
in (pA/ Hz)
i nw
f
En = enw f ce Ln H + f H f L
fL
fci
An(jf)
Rs
+
eno ( f ) = An ( jf ) eni2 ( f )
+
eno
vs
Eno =
A ( jf )
n
eni ( f ) df
An ( f ) =
2
f
f
1+ j
1+
BW
BW
1
2
BW NEB
f
1+
BW
Comparando la expresin del valor rms de ruido con la de un ruido blanco evaluado
sobre un rango de frecuencia, resulta que el valor de salida de un amplificador de
anchura de banda BW, seria equivalente al que se obtendra si el amplificador se
comportara como un filtro de paso bajo ideal de una frecuencia de corte 1.57 BW. A
esta frecuencia de corte equivalente se denomina Anchura de banda equivalente para
ruido (NEB).
Eno = Ano enw NEB
0
1+ j
LP(Segundo orden)
LP(Tercer orden)
LP (Cuarto orden)
NEB=1.57 fo
1
f
fo
NEB=1.11 fo
f
1 + j
fo
f
1 + j
fo
NEB=1.05 fo
NEB=1.025 fo
4
f
1 + j
fo
BP (Segundo orden)
j f
f
f
1 + j 1 + j
f L
f H
NEB = 1.57
f H2
fH + fL
Razn seal-ruido (SNR): Permite comparar el nivel de seal y de ruido que existe en
un punto del sistema. Se mide como razn expresada en decibelios entre la potencia de
la seal y la potencia del ruido,
P
E
SNR = 10 log s = 20 log s
Pn
En
( dB)
No
siendo:
Si/Ni
So/No
1 No
Ap N i
Ap N i + N a
Ap N i
= 1+
Na
Ap N i
(dB)
Cuando el factor de ruido se calcula utilizando una anchura de banda muy estrecha
alrededor de una frecuencia, se denomina factor de ruido para una frecuencia,
mientras
4.3 CARACTERIZACIN DE LAS FUENTES DE RUIDO.
Ruido Trmico o ruido Johnson: Es un ruido que est presente en toda resistencia y
que es causado por la agitacin trmica de los electrones (o huecos en el caso de
semiconductores).
El ruido trmico es independiente de la naturaleza del material con que est construida,
o de la intensidad de continua que la atraviesa. Este ruido se genera con igual nivel
cuando la resistencia se encuentra en un circuito, como cuando se encuentra es el cajn
de componentes.
El ruido trmico puede modelarse como una fuente de tensin en serie con una
resistencia no generadora de ruido. El espectro de la seal de ruido trmico es de tipo
blanco, y tiene una densidad de potencia de valor,
2
=4kT R
enT
Siendo:
2
=
inT
4kT
R
+
enT
R
inT
Ruido de disparo (Shot noise): Es el ruido que se genera cuando una intensidad
atraviesa una barrera de potencial, y es consecuencia de la naturaleza discreta de las
cargas. La corriente de base de los transistores BJT presenta este tipo de ruido.
siendo,
El valor rms de ruido para una anchura de banda de medida BW, ser
I nsh rms = 2 q I BW
Ejemplo: Calcular la razn seal ruido (SNR) de la corriente de un diodo medida con
una anchura de banda de 1 MHz.
inft
I
=K
f
En los MOSFET, esta relacionado con los estados de energa atpica que se
crean en la interfase entre el silicio y el xido, los cuales juegan el papel de
trampas para las cargas.
10
e2nw
i2nw
fci
fce
Los parmetros que caracterizan el ruido de tipo integrado que ofrece el amplificador
AD741, son,
Ruido tensin:
Ruido de intensidad:
11
fce= 200 Hz
fci=2000 Hz
En la siguiente figura se muestra el modelo para el anlisis de ruido de una etapa bsica.
A efecto de modelar las diferentes fuentes de ruido internas del amplificador, se ha
incluido el modelo del amplificador operacional, y as mismo, para modelar el efecto de
las resistencias, se incluyen las fuentes de ruido trmico correspondientes.
inR1
R2
R1
R3
R1
Eno
inR3
inR2
inn
inp +
en
R2
Eno
R3
Inicialmente calculamos la densidad espectral de tensin eni en la entrada del
amplificador:
- La fuente de tensin contribuye directamente con la densidad espectral
potencia en2.
de
- Las fuentes de ruido de corriente inp e inR3, fluyen a travs de R3, y contribuyen
con la densidad espectral de potencia,
2
2
2 2
R p2 (inp
+ inR
3 ) = R p inp + 4 k T R p
- Las fuentes de ruido de corriente inn, inR1 y inR2 fluyen a travs del paralelo de las
resistencias R1 y R2, y contribuyen con la densidad espectral de potencia,
2
2
2
2 2
Rn2 (inn
+ inR
1 + inR 2 ) = Rn inn + 4 k T Rn
Es importante observar, que en esta expresin, se pone de manifiesto que cuando las
resistencias son altas, dominan las fuentes de ruido de tipo intensidad, y que cuando las
impedancias son bajas, domina la fuente de ruido de tensin. Cuando Rp y Rn son tales
que,
e
Z n = n = R p2 + Rn2
in
la contribucin de in y en son iguales. A Zn se le denomina resistencia de ruido
caractersticas del amplificador operacional.
Ntese que a efecto del ruido, es ms adecuado que Rp = 0, en contra de lo requerido a
efecto de minimizacin del offset.
12
siendo
An =
R2
R1
1 +
fH
siendo,
f H = fT =
fT
R
1+ 2
R1
El valor rms total de ruido Eno en la salida, se obtiene integrando eno2, en el rango comprendido entre fL e ,
R 2
f
f ce Ln H + 1.57 f H f L +
E no = 1 + 2 enw
fL
R1
f
2
f ci Ln H + 1.57 f H f L +
+ (R p2 + Rn2 )inw
fL
2
+ 4 k T (R p + Rn )(1.57 f H f L )
13
Razn seal-ruido:
Calculado el valor rms de ruido en la salida Eno se calcula el valor rms correspondiente
al punto de entrada de la seal Eni, dividiendo por la ganancia de seal A del
amplificador,
E ni =
E no
A
A
V
Vi ( rms)
= 20 log i ( rms)
SNR = 20 log
E
no
E ni
Rn1 (22)
Rn1 (22k)
Eno
Rp (22)
en =
E no
+
Rn=1+R
=Rn1//R
A
n2 1n
2n/R
An 1.57 f H
1
R p2 + Rn2
2
Eno
2
2
An 1.57 f H
e 4 kT (R p + Rn )
2
n
14
Rn2 (22 )
Rn1 (22 k)
Rn0(1 M)
Rp =Rn2+Rn0
(1M)
Eno2
+
An=Rn1/Rn2=1000
Rn =Rno + Rn1//Rn2=
=1M
Por interferencias se entiende cualquier tipo de influencias fsicas que contamine las
seales o que reduzca la capacidad o prestaciones del sistema.
Las interferencias pueden proceder del propio sistema, de equipos externos o del entorno
ambiental.
Las interferencias elctricas se pueden introducir por conduccin, acoplo capacitativo,
induccin magntica, o radiacin electromagntica. Existen otras causas no elctricas que
tambin producen interferencias, como las vibraciones, la radiacin trmica, etc...
Fuentes tpicas de interferencia son:
1) La red elctrica de potencia, que en Espaa es de 50 Hz, es la principal fuente de
interferencia, ya que es omnipresente y que por ella fluyen altos niveles de intensidades.
2) Las variaciones de la temperatura, y los gradientes de temperaturas en los sistemas
electrnicos tienen una gran influencia sobre todos los dispositivos semiconductores.
3) Los golpes y vibraciones mecnicas
conexiones y soldaduras deficientes.
4) Los motores de explosin, generan una seal disruptiva de alta potencia y con un
espectro frecuencial muy amplio en el rango entre 30 y 300 MHz.
5) Los sistemas digitales se alimentan mediante intensidades que cambian de forma
impulsiva durante los cambios de estado, a la frecuencia del reloj. Su magnitud y
espectro frecuencial es fuertemente dependiente de los tiempos de cambio entre estados.
6) Los conmutadores de potencia generan impulsos de gran amplitud que son fuente de
intensas interferencias. Los conmutadores electrnicos basados en tiristores, y
dispositivos electrnicos de conmutacin, que se utilizan en el control de motores y
fuentes de potencia, son generadores de ruidos de amplio espectro, como consecuencia
de la rapidez de sus cambios y del nivel de las intensidades que conmutan.
7) La escobillas de los colectores de los motores elctricos constituyen unos interruptores
mecnicos que operan a gran velocidad, y que generan un ruido con espectro entre 1 y
10 KHz.
8) Las descargas de arco que se producen en los sistemas de muy alta tensin, cuando
estn en mal estado, o cuando la atmsfera en la que operan es hmeda, proporciona un
espectro blanco de gran amplitud.
9) En las lmparas de descarga, como los tubos fluorescentes o de nen, generan un ruido
de interferencia con espectro relevante por encima de 1 MHz. En este caso, un elemento
de filtro, como puede ser una induccin que trate de mantener constante la corriente, lo
reduce drsticamente.
15
10) Otras fuentes de interferencias habituales son los equipo que operan con espectros
frecuenciales muy estrechos, como los generadores de RF magnetrones, equipos de
soldadura y cualquier tipo de transmisor.
Las interferencias pueden eliminarse bsicamente a travs de las siguientes medidas:
a)
b)
b)
1
600 M
2 50 5 10 -12
V m Ri
V
m Ri 0.38 V ef
+
+
1/jwC
| Zc|
R tr Ri
16
ACOPLO CONDUCTIVO
El acoplo conductivo se produce como consecuencia de que dos o mas circuitos o equipos
comparten una seal de retorno comn.
Bajo esta situacin, la corriente de retorno de un circuito fluye a travs de la impedancia
finita del la lnea de retorno comn generando en ella una variacin de potencial que se
observa desde el otro circuito, como una interferencia por cambio de su referencia de su
tierra.
El acoplo conductivo requiere ms de dos cables de retorno para cerrar la corriente de
interferencia (uno suele ser la propia tierra).
Equipo 1
Rs1
vo1
+
vi1=vs1-vcc
+
vs2
Ri2
+vi2
Rs1
vo2
ir2
+
vcc
Ri1
A1vi1
ir1
vs1
Equipo 2
+
vs1
+vi1
vs2
ir1
A2vi2
RL1
vo1+
ir2
Rcc
RccResistencia a
vo2
v+
cc
RL2
tierra comn
Interferencia con
nivel de continua
17
Fuente
seal
Vee
Equipo
Display
Fuente
alimentacin
Vcc
Vee
Fuente
Fuente de alimentacin
Etapa 1 Etapa 2
Carga
Etapa n
5) Garantizar que los cables a tierra de las diferentes plantas del edificio sean
independientes y se encuentren conectados en un nico punto comn de tierra.
Equipo 1
Equipo 2
Equipo n
18
Z = {R2+[wL-(1/wC)2]
1/2
EFECTO SKIN
Seccin conductora
Cobre:
50 Hz
=> =0.117 mm
Seccin no conductora
7) Introducir filtros que bloqueen las seales de interferencia. Para ello se utilizan choques
inductivos en serie con las lneas de seal y cortocircuitos capacitativos en paralelo
entre las lneas de alimentacin. Un choque inductivo como el de la figura, facilita el
paso de las seales DC y en modo diferencial se transmite, mientras que la seal en
modo comn se bloquea.
vCM
vCM
Choque en
modo comn
19
d < /2 = 3 108/2 pf
o Acoplo Electromagntico: Domina a distancias
superiores a,
d >/2 = 3 108/2 pf
20
Frecuencia
d
50 Hz
1000Km
1 MHz
48m
200 MHz
24 cm
1GHz
5 cm
Es el que se produce entre conductores prximos que estn sometidos a potenciales que
varan en el tiempo y que por ello dan lugar a campos elctricos variables que afectan a
aquellos otros que se encuentran en su entorno.
Equipo B
Equipo A
E
vs
Cp
La interferencias de tipo elctrico se modelan desde el punto de vista circuital como las
interferencias que se producen entre dos sistemas como consecuencia de las capacidades
parsitas que existen entre los conductores que pertenecen a cada uno de ellos.
Entre dos conductores prximos existe una capacidad parsita que es proporcional al rea
de los conductores e inversamente proporcional a la distancia entre ellos,
Condensador plano
C =
A
d
21
(RL 2 || Rs 2 )
V RL 2 = V RL1
(RL 2 || Rs2 ) + ( j C12 )1
Conductor 1
Rs1
+
vs1
Rs2
+
vs2
C12
RL1
Conductor 2
RL2
o
o Reduciendo la impedancia del circuito afectado. Ya sea por disminucin de la
resistencia de carga RL2 o de la resistencia de fuente RS2.
o Disminuyendo el nivel de seal del circuito que genera la interferencia.
o Disminuyendo la frecuencia de la fuente de ruido. Lo cual no suele ser
habitualmente posible.
22
Conductor 1
Rs1
+
vs1
C12
RL1
C12
Rs2
+
vs2
Conductor 2
RL2
INTERFERENCIA MAGNETICA
=BA= oni A
s
Equipo A
Equipo B
+
vi
is
RS1
Considrese el caso de dos circuito con forma de
bucle, que se encuentran magnticamente
acoplados.
En la figura inferior se muestra el modelo
equivalente, en funcin de las autoinducciones de
cada circuito y de la induccin mutua entre ambos.
En el caso de que los circuitos tengan forma de una
espira, los valores de los parmetros inductivos son:
Circuito 1
vS1
+
I1
RS2
vS2
Circuito 2
23
Circuito 1
vS1
I1
RL1
+
vS2
V 2 = V S 2 + j L2 I 2 + jM I 1
RL2
RS1
L1 = k 1 A1 L2 = k 2 A2 M = k 12 L1 L2
I2
RL1
RS2
I2
Circuito 2
RL2
Equipo 1
Equipo 2
o Se deben reducir los niveles de corriente, para lo que hay que incrementar los
valores de las impedancias de los circuitos.
o Se debn orientar los circuitos de forma que los factores de acoplo entre ellos se
reduzcan.
24
4.6
VCM
vCM = 2 V = 4 A.
Rblindaje 0.5
25
ICM
ICM
+
+
+
VCM
vs
A
VCM
VAB
vs
+
VCM
+
vs
IBucle
A
+
VCM
VAB
+
VCM
+
vs
IBucle
A
+
VCM
VAB
+
VCM
+
vs
IBucle
A
26
+
VCM
VAB
Acondicionador de seal
Computador o display
vs
Transductor
Computador o display
Acondicionador de seal
vs
Transductor
Acondicionador de seal
Computador o display
vs
Amplificador
de aislamiento
27
No hay conexin
Los amplificadores de aislamiento son amplificadores en los que las etapas de entrada, de
salida y de alimentacin estn elctricamente aisladas. Esto supone que entre las entradas,
salidas y alimentaciones, se pueden mantener diferencias de tensiones muy elevadas
(cientos o millares de voltios).
Con los amplificadores de aislamiento se resuelven tres problemas:
1)
Se asegura el aislamiento elctrico entre diferentes equipos. Entre ellos solo fluye
la seal. Esto es a veces requerido por normas de seguridad.
2)
3)
Amplificador de aislamiento
Amplificador de
instrumentacin
CMR en ganancia
unitaria (dc a 100 Hz)
115 dB
80 dB
Rango de voltaje en
modo comn
10 V
Rango de voltaje
diferencial de entrada
10 V
Configuracin de
terminales de entrada
Anchura de banda
(pequea seal)
DC a 2 kHz
Dc to 1.5 MHz
Nolinealidad en la
ganancia
0.05 %
0.01 %
Dependencia de la
ganancia de la
temperatura
0.01 %/C
0.0015 %/C
300 V/C
150 V/C
28
La seal se transfiere entre la etapa de entrada y la etapa de salida por induccin a travs de
un transformador. Esto limita fuertemente la anchura de banda del amplificador.
29
30
inductivo
Acoplo ptico
Modulacin
amplitud
Modulacin
anchura-pulso
Modulacin
intens-luz
0.03 - 0.3
0.005 - 0.025
0.05 - 0.2
Tensin aislamiento
> 7.5 KV
> 5 KV
> 5 KV
> 120 dB
> 120 dB
100 dB
Anchura de banda
2.5 KHz
2.5 KHz
10 - 30 KHz
Interferencia generada
Baja
Baja
Ninguna
Suceptibilidad HF
Alta
Baja
Muy baja
75 - 150
90
<1
Caractersticas
Tamao (cm3)
Precio
I1 = I i
Vs
I1= I 2 =
RG
Io = I2
vo = I o Ro = Vs
VVCC
VEE
I2
RO
Rs
Ro
RG
vs
+
+
+
VCM
Ii
RG
LED
I1
D1
D2
31
Io
vo
32
33
REFERENCIAS
Fuentes y caracterizacin del ruido intrinseco
[FRA88]
[BUC92]
Interferencias
[JAC93]
[PUT88]
34