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Organizacin de la clase
1. Introduccin a la electrnica de potencia
2. Diodos de potencia
3. Modelo trmico y clculo de disipadores
4. Tiristores
5. Transistores de potencia
6. Conclusiones
1. Diodos de potencia
Resistencia
equivalente
Uso general
High Speed
5000V/5000A
3000V/1000A
100
2-5
0,16m
1m
Schottky
40V/50A
0,2
10m
Uso general
5000V/5000A
200
0,25m
High Speed
1200V/1500A
20
0,50m
Light triggered
6000V/1500A
200-400
0,50m
TBJ
MOSFET
400V/250A
500V/9A
10
0,7
4m
0,6m
IGBT
1200V/400A
2,3
60m
Diodos
Tiristores
Transistor
Lo intento apagar
Dispositivos con
control de apagado
La corriente
de base es
significativa
La corriente
de gate es
despreciable
Funcionamiento:
t1
t2
ngulo de disparo
Pulso de encendido
Cambiando el
ngulo de
disparo se
modifica VDC
VDC
ngulo de disparo
VAC (eficaz)
VDC = 0
Cambiando el
ngulo de
disparo se
modifica VAC
Diodo de
proteccin
VDC
Cambiando el
duty cycle (t1)
se modifica
VDC
Cambiando el
disparo se
modifica VAC
La tensin de salida
La fuente de alimentacin
2.Diodos de potencia
Esquema del diodo:
Curvas caractersticas:
2.Diodos de potencia
Ecuacin del diodo:
Donde:
ID = corriente que circula por el diodo [A]
VD = tensin Va-Vd [V]
IS = corriente de saturacin inversa (10-6 a 10-15A)
n = coeficiente de emisin (1 a 2)
VT = voltaje trmico:
q = carga del electrn (1.6022 * 10-19 C)
T = temperatura [K]
k = constante de Boltzmann (1.38 * 10-3 J/K)
2.Diodos de potencia
Diodos de propsito general:
-
Tiempo de recuperacin ~ 10 s
1A-6000A / 400V-3600V / VF = 1.2V
Usados en aplicaciones de baja frecuencia (rectificadores de red)
Diodos Fast-recovery:
Tiempo de recuperacin ~ 5 ns
1A-120A / 15V-150V / VF = 0.7V
Usados en alta frecuencia (fuentes conmutadas, cargadores de bateras)
2.Diodos de potencia
Encapsulado DO-5:
Conexin elctrica
Disipacin trmica
Aislamiento elctrico
2.Diodos de potencia
2.Diodos de potencia
Ejemplo de hoja de datos (1/3):
2.Diodos de potencia
Ejemplo de hoja de datos (continuacin 2/3):
2.Diodos de potencia
Ejemplo de hoja de datos (continuacin 3/3):
Al aumentar la corriente ID aumenta la potencia disipada y el diodo
comienza a recalentarse:
- Para el silicio debe garantizarse: Tj < Tjmax (por ej. 125C o 150C)
Clculo de disipadores
Analoga trmico - elctrica:
Pot.Rt = Tamb
I.R = V
Juntura
Modelo
trmico
equivalente
del diodo:
Rjc
Carcaza
Tc
Rca
Ambiente
Regimenes mximos
Ta
T ambiente
Alternativa (Tjmax=125C):
Pdja @Ta=25C = 25W
Pdjc @Tc=25C = 70W
Frecuentemente (Tjmax=125C) :
Pdjc @Tc=25C = 70W
derate
= 0,25 W/C
Ocasionalmente (Tjmax=125C) :
Rjc
= 1,4 C/W
Rca
= 2,6 C/W
Pd
Pdja @ Tamb = 25 C : 25 W
Pdjc @ Tcase = 25 C : 70 W
y sabiendo que Pd = 4 W y Ta = 50 C, determine si debe usarse disipador.
Solucin: A partir del modelo trmico:
Pdja. (Rjc + Rca) + Ta = Tjmax
Pdjc . Rjc + Tcase = Tjmax
Del enunciado:
Rjc = Tjmax Tc = 125 C 25 C = 1,4 C/W
Pdjc
70 W
Rca = Tjmax Ta - Rjc = 125 C 25 C - 1,4 C/W = 2,6 C/W
Pdja
25 W
Entonces: Tj = 50 C + 4W ( 1,4 + 2,6 C/W) = 66C < 125C
Si no se cumple hay
que usar disipador
P mx = 117W @ T c = 25 C
Por lo tanto:
R jc =
R ja=
T mx
j Tc
P @T
mx
T mx
j Ta
P @T
mx
200 25 C
C
= 1.50
177 W
W
200 25 C
C
= 29.17
6
W
W
C
C
= 27.67
W
W
R ja= 29.17
C
W
Entonces:
T j = R ja P + Ta = 29.17 30 C + 50 C = 925 C
Resulta T mx
>> 200C
j
Qu hacemos?
TO-92
TO-5
TO-247
TO-218
Mayor disipador
TO-220
TO-220
TO-3
menor resistencia
TO-3
Ventilacin forzada
Mantenimiento de disipadores
Limpieza
Pulido
Lubricado
Ajuste
Si tomamos: T j = 200 C
T a = 50 C
mx
T mx
c = T j P R jc
R jc = 1.50
R ja = 27.67
C
W
C
W
Quema!
R jc = 1.50
T a = 50 C
R ja = 27.67
Tc = 155 C
Despejando:
C
W
C
W
Tc Ta = P ( Rca || Rdis )
Tc Ta 155 50 C
C
=
= 3.5
P
30
W
W
1
1
1
C
=
Rdis = 4
Rdis
C Rca
W
3.5
Rca || Rdis =
Rdis =
A= cm 156cm 2
A W
4
4.Tiristores
Para qu sirve un tiristor?
ngulo de disparo
Pulso de encenido
Cambiando el ngulo de
disparo se modifica VDC
VDC
4.Tiristores
- El tiristor es uno de los principales dispositivos de potencia.
- Es un sandwich PNPN que puede modelarse como dos transistores:
4.Tiristores
Curva caracterstica del tiristor:
4.Tiristores
Modos de encendido del tiristor
- Trmico: La temperatura elevada puede dispararlo por corriente de fuga.
- Luz: Si la luz incide sobre la juntura puede disparar al tiristor.
- Por tensin: Si VAK > VBO el tiristor se enciende, pero de modo destructivo.
- dv/dt: Si VAK varia rapidamente puede disparar al tiristor (no es deseable).
- IG: Con IG > 0 y una tensin VAK < VBO el tiristor se enciende.
- Luego del encendido IG debe ser cero para evitar perdidas en la juntura.
- No debe aplicarse IG con el tiristor en inversa, porque podra dispararse.
4.Tiristores
Circuitos de proteccin
di/dt: si IT crece muy rpido no se distribuye uniformemente y se crean hot-spots
- El inductor Ls ayuda a proteger al sistema
Al cargarse el capacitor
limita dV/dt
pero al descargarse
nada limita la corriente
4.Tiristores
Circuitos de proteccin
dV/dt: si VAK crece muy rpido se genera un peligroso sobrepico en IT
Limita la corriente
de descarga del
capacitor
4.Tiristores
Clasificacin de los tiristores:
1. Silicon control rectifier
(SCRs)
2. Fast Switching Thyristors
(SCRs)
3. Gate Turn-off Thyristors
(GTOs)
4. Triode of Alternating Current
(TRIACs)
5. Reverse Conducting Thyristors
(RCTs)
6. Static Induction Thyristors
(SITHs)
7. Light Activated Silicon
Controlled Rectifiers
(LASCRs)
8. FET Controlled Thyristors
(FET-CTHs)
9. MOS Controlled Thyristors
(MCTs)
(1,2)
(6)
(3)
(9)
(4)
(7)
4.Tiristores
3. Gate Turn-Off thyristors (GTO):
- Puede apagarse mediante una seal negativa en el gate.
- Puede no bloquear la tensin inversa (fugas).
- Tiene varias ventajas sobre un SCR:
Requiere menos componentes circuitales.
Alta velocidad de apagado.
- Tiene varias ventajas sobre los transistores:
+
+
4.Tiristores
4. Triode of Alternating Current (TRIACs):
4.Tiristores
6. Static Inductor Thyristor (SITH):
- Se apaga mediante un voltaje negativo en el gate.
- Tiene alta velocidad de conmutacin y soporta grandes di/dt y dv/dt.
4.Tiristores
8. FET Controlled Thyristor (FET-CTHs)
- Consiste de un FET en paralelo con un tiristor.
- No se puede apagar desde el Gate.
4.Tiristores
Ejercicio
Un SCR se utiliza en el circuito de la figura,
a) Dibujar las formas de onda de tensin en el SCR y en la RL para
diferentes ngulos de disparo del dispositivo. Indicar cuando la
potencia disipada en la carga es mxima.
b) La cada de tensin en el SCR cuando conduce es aproximadamente
1 Volt. Las resistencias trmicas del SCR son Rjc = 1.5 C/W y Rca =
62 C/W. Las temperaturas mximas son Ta = 50 C y Tj = 150 C.
Para el caso de mxima potencia disipada en la carga, determinar si
el SCR necesita montarse sobre un disipador.
4.Tiristores
Ejercicio (resolucin)
Vemos la situacin para distintos ngulos de disparos:
vs
vs
t
vSCR
vSCR
t
vRL
vRL
td = 0
td > 0
4.Tiristores
Ejercicio
Un SCR se utiliza en el circuito de la figura,
b) La cada de tensin en el SCR cuando conduce es aproximadamente
1 Volt. Las resistencias trmicas del SCR son Rjc = 1.5 C/W y Rca =
62 C/W. Las temperaturas mximas son Ta = 50 C y Tj = 150 C.
Para el caso de mxima potencia disipada en la carga, determinar si
el SCR necesita montarse sobre un disipador.
En el semiciclo en el cual no circula corriente (el SCR no conduce), el SCR
no disipa potencia. En el semiciclo en el cual circula corriente, la cada en el
SCR es de 1 Volt, aproximadamente en forma continua. Durante ese
intervalo de tiempo la corriente pico que circula es: 311V 1V
I=
500
= 0.62 A
Luego, se tiene entonces que la Ief que circula por el SCR es: I ef = 1 0.62 A = 0.22 A
1V
Por otro lado, la tensin eficaz en el SCR es: Vef = = 0.5V
2
4.Tiristores
Ejercicio
El modelo equivalente trmico del SCR es el siguiente:
PMAX =
Tj Ta 150 C 50 C
=
= 1.57W
Rja
63.5 C / W
No se necesita disipador.
4.Tiristores
Ejercicio
Dado el circuito de la figura, graficar la forma de onda en cada uno de los
dispositivos y en la carga RL en las siguientes condiciones:
a. Cada uno de los SCR conduce durante ciclo de la seal Vs.
b. Cada uno de los SCR conduce durante ciclo de la seal Vs.
c. Los SCR no conducen en ningn momento.
Vs
Vef = 220V
f = 50Hz
SCR1
Seal disparo
D1
RL
Seal disparo
D2
SCR2
4.Tiristores
Ejercicio (resolucin)
SCR1
Seal disparo
D1
Vs [V]
V SRC1 [V]
200
0
-200
V SCR2 [V]
0.01
0.02
0.03
Tiempo [s]
0.04
0.05
0.06
0.01
0.02
0.03
Tiempo [s]
0.04
0.05
0.06
0.01
0.02
0.03
Tiempo [s]
0.04
0.05
0.06
0.01
0.02
0.03
Tiempo [s]
0.04
0.05
0.06
0.01
0.02
0.03
Tiempo [s]
0.04
0.05
0.06
0.01
0.02
0.03
Tiempo [s]
0.04
0.05
0.06
200
0
-200
200
0
-200
V D2 [V]
SCR2
V D1 [V]
Seal disparo
D2
V RL [V]
RL
200
0
-200
200
0
-200
4.Tiristores
Ejercicio (resolucin)
SCR1
Seal disparo
D1
Vs [V]
V SRC1 [V]
200
0
-200
200
0
-200
V SCR2 [V]
V D2 [V]
SCR2
0.01
0.02
0.03
Tiempo [s]
0.04
0.05
0.06
0.01
0.02
0.03
Tiempo [s]
0.04
0.05
0.06
0.01
0.02
0.03
Tiempo [s]
0.04
0.05
0.06
0.01
0.02
0.03
Tiempo [s]
0.04
0.05
0.06
0.01
0.02
0.03
Tiempo [s]
0.04
0.05
0.06
0.01
0.02
0.03
Tiempo [s]
0.04
0.05
0.06
200
0
-200
V D1 [V]
Seal disparo
D2
V RL [V]
RL
200
0
-200
200
0
-200
4.Tiristores
Ejercicio (resolucin)
SCR1
Seal disparo
D1
RL
Vs [V]
0.01
0.02
0.03
Tiempo [s]
0.04
0.05
0.06
0.01
0.02
0.03
Tiempo [s]
0.04
0.05
0.06
0.01
0.02
0.03
Tiempo [s]
0.04
0.05
0.06
0.01
0.02
0.03
Tiempo [s]
0.04
0.05
0.06
0.01
0.02
0.03
Tiempo [s]
0.04
0.05
0.06
0.01
0.02
0.03
Tiempo [s]
0.04
0.05
0.06
V SRC1 [V]
V D1 [V]
200
0
-200
200
0
-200
200
0
-200
V D2 [V]
SCR2
V SCR2 [V]
D2
V RL [V]
Seal disparo
200
0
-200
200
0
-200
5.Transistores de potencia
Caractersticas
Son transistores que deben soportar grandes corrientes, tensiones y potencias.
Parmetros
MOS
Bipolar
Impedancia de entrada
Alta (1010 )
Media (104 )
Ganancia en corriente
Alta (107)
Resistencia ON (saturacin)
Media / alta
Baja
Alta
Alta
Alto (1000 V)
Alto (1200 V)
Mxima temperatura
Alta (200C)
Media (150C)
Frecuencia de trabajo
Costo
Alto
Medio
5.Transistores de potencia
-Caractersticas
Nos interesa que el transistor se parezca a un elemento ideal:
IC = IB
5.Transistores de potencia
Curvas de transferencia y avalanchas del TBJ (las del MOS son similares):
IC
IB
Funcionamiento normal
Funcionamiento extremo
5.Transistores de potencia
Tiempo de conmutacin y disipacin
- Con el transistor en saturacin o en corte las prdidas son despreciables.
- Durante la conmutacin se produce un pico de potencia disipada:
Esto es as porque:
VC
E
Potdis
= VCEIC
IC
Potdis-ON = 0VIC
ON
Potdis-OFF = VCE0A
IB
Pdi
s
IC
OFF
5.Transistores de potencia
Ejemplos de dispositivos daados:
5.Transistores de potencia
Zona de operacin segura (SOA Safety Operation Area):
- La zona de funcionamiento est limitada por la disipacin de energa:
5.Transistores de potencia
Efecto asociado a cargas inductivas:
- Las cargas inductivas generan las condiciones de trabajo ms desfavorables:
Para carga resistiva el transistor pasa de corte a saturacin por la recta A-C-A
Para carga inductiva el transistor pasa a saturacin recorriendo A-B-C-D-A:
- Hay una profunda incursin en avalancha secundaria, con valor VCE >> VCC
5.Transistores de potencia
Efecto asociado a cargas inductivas:
- Para cargas inductivas tambin hay un aumento en la disipacin de potencia
del transistor:
5.Transistores de potencia
Circuitos de proteccin para cargas inductivas:
Vz>Vcc
Red Snubber
5.Transistores de potencia
Circuitos de encendido del transistor:
El tiempo de conmutacin puede reducirse usando una seal adecuada:
El sobrepico acelera
la conmutacin
5.Transistores de potencia
Circuitos de encendido del transistor:
Otra opcin es el popular circuito anti-saturacin:
Enclavador Baker = Baker Clamp
5.Transistores de potencia
Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT):
Es una mezcla entre MOSFET y TBJ:
5.Transistores de potencia
Comparacin de distintos tipos de transistores
6.Conclusiones
Prestaciones generales:
6.Conclusiones
Prestaciones generales:
6.Conclusiones
Prestaciones generales:
6.Conclusiones
Aplicaciones:
Bibliografa
- http://materias.fi.uba.ar/6625
- http://www.redeya.com
- http://www.eng.uwi.tt/depts/elec/staff/rdefour/courses/index33d.html
- Power Electronics: Converters, Applications and Design, Mohan,
Undeland y Robbins, John Wiley & Sons, 2 Ed, Nueva York, 1995.
- Eletrnica de Potncia, J. A. Pomilio, Universidade Estadual de
Campinas, SP - Brasil.
- Electrnica de Potencia, D. W. Hart, Valparaso University,
Valparaso Indiana. Prentice Hall.