UNIVERSIDAD NACIONAL DEL NORDESTE

Comunicaciones Cientficas y Tecnolgicas 2000

Generacin fotovoltaica: caracterizacin de una celda comparando datos

experimentales y simulados aplicando un modelo terico simple
Llamazares, Alberto - Busso, Arturo J. - Bajales Luna, Noelia
Departamento de Fsica - Facultad de Ciencias Exactas - UNNE.
Campus Av. Libertad - Av. Libertad 5600 (3400) Corrientes - Argentina.
E-mail: adllama@yahoo.com.ar
RESUMEN

Se expone un trabajo de laboratorio tendiente a la implementacin de una prctica sobre generacin

fotovoltaica en el Dpto. de Fsica de la Fac. de Cs. Exactas de la UNNE.
Se describe la metodologa de trabajo seguida, resultados obtenidos para la caracterizacin experimental de
una celda fotovoltaica, su modelizacin y posterior validacin de los modelos. Los modelos empleados
contemplan tanto el fenmeno a nivel microscpico (comportamiento fsico de la unin p-n) como a nivel
macroscpico (circuito equivalente).
Para la modelizacin se hace uso del programa MATHEMATICA.
DESARROLLO DEL TRABAJO Y METODOLOGA APLICADA

La comparacin de los datos obtenidos experimentalmente se realiz empleando dos modelos simples de
celda fotovoltaica: uno microscpico basado en el comportamiento fsico ideal de la unin p-n bajo
iluminacin (Llamazares et al., 2000) y el otro macroscpico basado en el circuito elctrico equivalente.
En el primer caso, se asume la validez del principio de superposicin. Este indica que la corriente que fluye a
travs del dispositivo bajo condiciones de iluminacin es igual a la suma de la corriente de corto circuito, Isc,
ms la corriente que sera producida cuando se polariza en la oscuridad a la celda con un potencial V igual al
generado bajo iluminacin.
La figura 1 muestra el circuito elctrico equivalente empleado. Este consiste en una fuente de corriente y un
diodo conectados en paralelo. Una fotocorriente Iph, proporcional a la intensidad de la radiacin solar
incidente sobre el dispositivo es generada por la fuente de corriente. La unin p-n de la celda solar es
representada por un el diodo (polarizado en directa). La resistencia Rs, representa la cada interna de potencial
hasta los terminales de contacto. Bajo esta condiciones, la ecuacin de I(V) del circuito puede entonces ser
derivada directamente aplicando las leyes de Kirchoff para circuitos elctricos.
Con el objeto entonces de comparar las caractersticas elctricas experimentales de una clula fotovoltaica
con los resultados predichos por un modelo simple de clula, se realizaron las siguientes determinaciones:
Determinacin de la curva experimental corriente vs. tensin de una clula fotovoltaica de silicio cristalino:
La figura 2 muestra el dispositivo utilizado compuesto por los siguientes elementos:

Fig.1.- Circuito elctrico equivalente

de la celda fotovoltaica

Fig.2.-Esquema del equipo utilizado en las mediciones de las

curvas I-V.

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a)

Fuente de luz. Como fuente de luz natural fue empleada la luz solar en un da de cielo despejado en
horario alrededor del medio da. Como fuente de luz artificial se utiliz una lmpara incandescente
halgena alimentada con una batera de 12 V DC a fin de lograr estabilidad en el espectro de emisin.
b) Celda fotovoltaica de Silicio cristalino SFH 120 fabricada por la firma Siemens.
c) Solarmetro fotovoltaico.
d) Graficador x-y. Las curvas I-V a diferentes intensidad de iluminacin se graficaron directamente
mediante un graficador de dos canales con amplificacin de tensiones adecuadas.
e) Dispositivo divisor resistivo y sensor de corriente. El divisor resistivo estaba compuesto por un
potencimetro, Rp, de variacin continua lineal y el sensor de corriente por una resistencia, R, calibrada
de bajo valor hmico para evitar introducir errores sistemticos considerables.
f) Sensor de temperatura. Consista en una termocupla fijada a la cara posterior de la clula con el objeto de
monitorear la temperatura de la misma durante los ensayos.
Determinacin de los parmetros necesarios para los clculos:
Para calcular los dos puntos notables, corriente de corto circuito Isc y tensin de circuito abierto Voc, de la
curva caracterstica I-V se utiliz un modelo simple implementado con el asistente Mathematica, desarrollado
en un trabajo anterior (Llamazares et al., 2000).
stos valores se utilizaron como datos para calcular los puntos de la curva I-V mediante el circuito elctrico
equivalente de la clula. Como ya ha sido mencionado, el modelo de circuito equivalente empleado considera
solamente un diodo y resistencia serie, aparte de la fuente de corriente fotogenerada.
A continuacin se describen los parmetros crticos necesarios en el modelo de simulacin:
Distribucin espectral de la fuente de luz:
a- Luz Solar: para modelizar el espectro de radiacin solar se utiliz la ley de radiacin del cuerpo negro de
Planck para la temperatura del anillo solar, o espectro AM0 ideal, afectado de un factor de escala
adecuado para representar la irradiancia total de los casos de estudio.
b- Fuente artificial: para modelizar esta fuente de luz se utiliz la ley de Planck para la temperatura de color
de la lmpara halgena.
Resistencia serie y factor de calidad A, de la clula:
Se determin la resistencia serie, Rs , de la clula para cada estado de iluminacin mediante el mtodo de
Wolf (Treble, 1991).
El factor de calidad A de la clula fue determinado mediante una aproximacin emprica en funcin del factor
de relleno FF, segn el mtodo de ajuste de curvas I-V de MARQUARDT (Krezinger, 1994) para clulas de
silicio mono y policristalino.
Para obtener el factor de relleno FF de una curva experimental se hall el punto de mxima potencia, para lo
cual se hizo uso de las utilidades del asistente ORIGIN para calcular la funcin derivada primera de la curva
de potencia.
Corriente de saturacin Is:
Este parmetro era necesario para el clculo de la tensin de circuito abierto Voc, y se lo determin a partir de
las curvas I-V experimentales haciendo uso de la siguiente expresin:
V + I . Rs
V
I = I sc I s .e T 1

(1)

donde: VT = A.k.T/q
siendo: k = cte. de Boltzmann
T = temperatura absoluta de la clula
q = carga elemental
Se comprob que la corriente Is as calculada tenda hacia un valor mnimo a medida que V se acercaba a Voc.
Se adopt entonces como valor para Is este valor mnimo asinttico.
Profundidad de difusin xj y ancho de la regin de agotamiento W:
En el modelo microscpico empleado la variable x representa la profundidad del material semiconductor con
su origen en la superficie de la cara iluminada. Para el clculo de la densidad espectral de corriente Jn(x,
,V),
se debe realizar una integracin mltiple en la cul el lmite superior para la variable x es la suma de la

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profundidad de difusin xj ms el ancho de la regin de agotamiento W. Las otras variables independientes

son la longitud de onda y el potencial generado V bajo condiciones de iluminacin.
El valor utilizado para xj se tom de la literatura disponible (Mompn Poblet J., et al, 1985). El ancho W se
calcul en base a la teora del comportamiento fotovoltaico ideal de uniones semiconductoras (Castaer
Muoz, 1992).
Integracin de Jn(x,,V):
El clculo de la integral se realiz considerando V = 0. Los extremos de integracin de la variable fueron
tomados del intervalo de longitudes de onda entre las cuales se distribuye el 95% de la energa que llega a la
superficie terrestre, eliminando las bandas de absorcin atmosfrica.(Duffie y Beckman, 1980)
Determinacin de la tensin de circuito abierto Voc:
La tensin de circuito abierto se calcul con la siguiente expresin:

J
Voc = VT . ln 1 + sc
J0

(2)

donde: Jsc = densidad de corriente de corto circuito.

J0 = densidad de corriente de saturacin inversa.
En este modelo simple J0 es solamente funcin de x y de V. Dado que los extremos de integracin de x eran
conocidos, se utiliz como variable de ajuste la tensin V para obtener el valor de Is ms cercano al
experimental.
COMPARACION DE RESULTADOS DEL MODELO CON LOS VALORES EXPERIMENTALES

Respuesta espectral absoluta de la clula fotovoltaica:

Se calcul la curva de respuesta espectral absoluta de la clula con la siguiente expresin:
SR( ) =

J n ( x , ,V )
E( )

(3)

donde: E() = curva de irradiancia incidente.

La curva resultante presenta correspondencia cualitativa con curvas experimentales encontradas en la
literatura (Treble, 1991), como se observa en la figura 3.
A/W

m
Fig.3- Grfico de Respuesta Espectral Absoluta obtenida mediante el modelo terico.
Curvas caractersticas I-V:
La figura 4 muestra curvas I-V tpicas obtenidas durante las experiencias para distintos niveles de
iluminacin. Para el caso de alta irradiancia incidente los valores predichos por el modelo para Isc y Voc, se
acercan a los experimentales con error menor al 1 %. En el caso de baja irradiancia el modelo produce valores
inferiores a los experimentales. Tal desviacin suponemos se debe a que la inyeccin de portadores
minoritarios contribuye a la corriente real, situacin esta no contemplada en el modelo terico utilizado.

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En la figura 5 se presentan las curvas I-V experimental y predicha por el modelo de circuito equivalente
simple considerado. Se observa una desviacin para los puntos centrales debida a que el modelo no incluye la
resistencia shunt que toma en cuenta corrientes de fuga que se producen en el sistema real.
I=626 W/m2

mA

I=414 W/m2

280

I=17,43 W/m2

240

mA
200

150

200
160

100

120
80

50

I=414 W/m2

40
0

Curva terica

0
0

50 100 150 200 250 300 350 400 450 500

mV

Fig.4.- Curvas I-V de iluminacin experimentales

para distintas irradiancias.

50

100

150

200 250
mV

300

350

400

450

Fig.5.- Comparacin de curvas I-V experimental

y predicha a partir del modelo de circuito
equivalente simple.

CONCLUSIONES

Se determinaron experimentalmente curvas I-V para una celda fotovoltaica a diferentes niveles de intensidad
de iluminacin.
Estos datos fueron comparados con dos modelos que simulan el comportamiento de una celda solar.
Se comprob que los valores de Isc y Voc predichos por el modelo terico basado en el comportamiento fsico
ideal de la unin p-n bajo iluminacin, concuerdan dentro del 1% con los experimentales para irradiancias
altas dando valores inferiores a los experimentales para bajas irradiancias.
Se argumenta que esta discrepancia a bajas irradiancias se debe a las limitaciones impuestas por el propio
modelo.
Se demuestra una concordancia entre las curvas caractersticas I-V experimental y simulada aplicando el
circuito elctrico equivalente compatible con lo encontrado en la literatura.
Se logro adems representar la curva de respuesta espectral absoluta para la celda en cuestin, la cual se ajusta
cualitativamente con los datos de literatura.
Se debe destacar la prestacin del programa Mathematica para clculos de tipo analticos o numricos como
en los casos de las corrientes del circuito equivalente de clula, y de la tensin del punto de mxima potencia
de la curva I-V, etc.
BIBLIOGRAFIA
Llamazares A. D.; Garca Raffi L. M., Snchez Prez E. A., Snchez Prez J. V.(2000).Modelizacin de una unin p-n de
silicio para su uso en un panel fotovoltaico utilizando el programa Mathematica. II Jornadas Docentes del Departamento
de Fsica Aplicada. Universitat Politcnica de Valncia.
Krezinger A., (1994). Modelos Matemticos para la simulacin de Sistemas Fotovoltaicos por Ordenador I Congreso
Latinoamericano Sobre Energas Alternativas, 27-38. UTN.Crdoba.
Castaer Muoz L., (1994). Energa Solar Fotovoltaica. Ediciones UPC. Espaa.
Mompn Poblet J., varios, (1985). Energa Solar Fotovoltaica, Serie Mundo Electrnico. Marcombo.Barcelona-Mxico.
Eisberg R.; Resnick R., (1986). Fsica cuntica : tomos, molculas, slidos, ncleos y particulas. Limusa. Mxico.
Benet Gilabert Gins, (1988). Contribucin a la modelizacin de los elementos de sistemas solares fotovoltaicos con
acumulacin en la zona de Valencia. Tesis Doctoral. Universitat Politcnica de Valncia. Espaa.
Duffie, J. A.y Beckman, W,(1980). A.-Solar Engineering of Thermal Processes.John Wiley & Sons, New York.
Treble F., (1991).Generating Electricity from the Sun.Pergamon Press, Oxford.
Hlawiczka P., (1977). Introduccin a la Electrnica Cuntica. Ed.Revert, Barcelona.