Transistores C.C.

PROBLEMAS DE ELECTRNICA
ANALGICA
(Transistores C.C.)

Escuela Politcnica Superior

Profesor. Daro Garca Rodrguez

Transistores C.C.

1.2.- En el circuito de la figura si = 0.98 y VBE = 0.7 Voltios, calcular el valor de

la resistencia R1, para una corriente de emisor 2 mA
R1

IC+I1

2k

IC

I1
IB

Q1

12V

I2
25k

IE

0.2k

En este circuito tenemos que poner las ecuaciones necesarias para poder resolver
V VB
luego nuestro nico objetivo es
el valor de R1 que nos viene dado por R1 = C
I1
calcular VC , VB y I1 .

I C = I E = 0.982 = 1.96mA
I B = I E I C = 2 1.96 = 0.04mA
V B = V BE + I E R E = 0.7 + 20.2 = 1.1Voltios

I2 =

VB 1.1
=
= 0.044mA
25 25

I 1 = I B + I 2 = 0.04 + 0.044 = 0.084mA

VC = VCC ( I C + I 1 )2 = 12 (1.96 + 0.084)2 = 7.912Voltios

Luego ya tenemos todos los datos necesarios para calcular la Resistencia R1

R1 =

VC VB 7.912 1.1
=
= 81.1K
I1
0.084

Aqu hemos calculado todo los valores del circuito, Intensidades, y tensiones en
todos los puntos. Lo nico que nos falta es VCE = VC-VE=7.912-20.2=7.512 Voltios
Y efectivamente el transistor est en la zona activa por tener VCE> 0.2 Voltios y ser
un transistor NPN.

Transistores C.C.

2.2.- En el circuito de la Fig.1 los transistores Q1 y Q2 trabajan en la regin activa

con VBE1 = VBE2 = 0.7 Voltios, 1 = 100 , 2 = 50 . Pueden despreciarse las corrientes
inversa de saturacin.
a) Calcular todas las intensidades del circuito.
b) Calcular las tensiones en los diferentes puntos.
82k

Ic2

IB2
1k

Q2

24V

100k

IC1

1k

Q2

24V

108,9K
Q1

Q1
10k

2.61V

IE2=IB1
IE1

0.1k

0.1K

Fig.1

Fig.2

Lo primero que hay que hacer es reducir el circuito a una forma mas simple, para
ello se ha calculado el thevening mirado de la base B2 haca la izquierda.

V BB 2 =

2410
= 2.61Voltios
82 + 10

RB 2 =

1082
+ 100 = 108.9 K
10 + 82

Apartir de aqu analizaremos el circuito de la Fig.2.

Podemos escribir, en la malla de los emisores de los transistores:
V BB 2 = I B 2 R B 2 + V BE 2 + V BE1 + I E1 R E1 ;

2.61 = I B 2 108.9 + V BE 2 + V BE1 + I E1 0.1

I E1 = ( 1 + 1)I B1 = ( 1 + 1)I E 2 = ( 1 + 1)( 2 + 1)I B 2 = 51101I B 2 Sustituyendo

esta ecuacin en la anterior y despejado IB2 tenemos:

I B2 =

2.61 V BE 2 V BE1 2.61 0.7 0.7

=
= 0.0019mA
108.9 + 511010.1
624

I C 2 = 2 I B 2 = 500.0019 = 0.095mA

I B1 = I E 2 = ( 2 + 1)I B 2 = 510.0019 = 0.097 mA

I C1 = 1 I B1 = 1000.097 = 9.7mA

I E1 = ( 1 + 1)I B1 = 1010.097 = 9.8mA

VC1 = VCC I C RC1 = 24 9.71 = 14.4Voltios

Transistores C.C.

V E1 = I E1 R E1 = 9.80.1 = 0.98Voltios
VCE1 = VC1 V E1 = 14.4 0.98 = 13.52Voltios
VC 2 = 24Voltios
V E 2 = V BE1 + V E1 = 0.7 + 0.96 = 1.66Voltios
VCE 2 = VC 2 VE 2 = 24 1.66 = 22.34Voltios
V B 2 = VBE 2 + V E 2 = 0.7 + 1.66 = 2.36Voltios

Transistores C.C.

3.2.- El circuito de la figura con un transistor PNP tiene un =100,

VBE=-0.7V . Calcular todas las intensidades y tensiones en los diferentes puntos.

R2

30k

RC

RC

5k

5k

30/4k
Q1

VCC

10k

IC
VCC

Q1

20Vdc

IB

20Vdc

R1

RB

RE

VBB

5V

2k

IE
RE
2k

Lo primero que hay que hacer es el thevenin, desde la base del transistor
hacia la izquierda, quedando el circuito de la figura de la derecha:
V BB =

VCC R1
2010
=
= 5V
R1 + R2 10 + 30

R BB =

R2 R1
3010
30
=
=
K.
R1 + R2 10 + 30 4

A partir de aqu analizaremos el circuito de la parte derecha.

En la malla base emisor podemos escribir:
V BB = I B R B + I E R E V BE = I B R B + ( + 1)I B V BE despejando IB se tiene:

V BB + VBE
5 0.7
4.34 8.6
=
=
=
= 0.021mA
30
R B + ( + 1)R E
838 419
+ (100 + 1)2
4
1008.6 860
I C = I B =
=
= 2.05mA
419
4.19
IB =

I E = ( + 1)I B =

1018.6
= 2.07 mA
419

Ahora calcularemos las diferentes tensiones con respecto a masa:

VC = I C RC VCC = 2.055 20 = 9.75V .

Transistores C.C.

V E = I E RE = 2.072 = 4.14V .
VCE = VC V E = 9.75 (4.14) = 5.61V
el transistor esta en la zona activa por ser un PNP.

Por ser esta cada de tensin negativa

V B = VBE + VE = 0.7 4.14 = 4.84V

A continuacin calcularemos la intensidad que circular por las resistencias R1 y R2
con sentido haca arriba.
Para la resistencia R1

I1 =

0 V B 4.84
=
= 0.48mA.
R1
10

Para la resistencia R2 I2 =I1+I2 = 0.48 +0.02 =0.50 mA.

Tambin podra calcularse: I 2 =

VB (VCC ) 4.84 (20)

=
= 0.5mA
R2
30

Transistores C.C.

4.2.- En el circuito de la fig. el transistor tiene una = 60 . Expresar los valores

posibles de VBB para que el transistor se encuentre:
a) Zona de corte
b) Zona activa.
c) Zona de saturacin.
d) Si VBB= 5 Voltios y manteniendo el valor de RC = 1 K. entre que valores
puede variar RB para que el transistor se encuentre en la zona de activa?
e) Si VBB= 5 Voltios y manteniendo el valor de RB= 50 K. entre que valores
puede variar RC para que el transistor se encuentre en la zona de saturacin?
VCEsatuacin=0.2 Voltios, VBE
(VBE activa=0.7 Voltios,
inversa de saturacin despreciable.)
1

IB

Vo

IC
Q1

RB=50
k
VBB

RC=1k
10V
V

VCC

saturacin=0.8

Voltios, y Corriente

a) Tal como esta polarizado el transistor, es de

una forma correcta, s las fuentes empleadas
son positivas. Suponemos a la vez que el
transistor va a conducir cuando entre base
emisor haya una cada de tensin igual o
superior a 0,7 Voltios aunque en realidad
necesite
una
cada
de
tensin

aproximadamente de 0,5 Voltios.

Luego para que el transistor este en corte necesita slo VBB< 0.7 Voltios
Ya que el diodo de emisor y colector estn polarizado inversamente.
b) y c) Aqu vamos a ver para que tensin VBB estar en saturacin, luego entre el valor
de corte y saturacin estar la zona activa.
I Csat =
Si

VCC VCEsat 10 0.2

=
= 9.8mA
RC
1
I Csat I Bsat

I Bsat =

VBB V BEsat VBB 0.8

=
50
RB

el dispositivo est en saturacin en caso contrario en la zona

activa.
Luego tenemos 9.8
Entonces para

V BB 0.8
60
50

V BB

0.7 VBB 8.97Voltios

9.850
+ 0.8 = 8.97voltios
60

el transistor estar en zona activa.

V BB 8.97voltios el transistor estar en saturacin.

Transistores C.C.

d) En este caso la zona de corte no vara, solo varan las zonas de saturacin y
activa. Calcularemos la zona de saturacin para saber la zona activa.
I Csat I Bsat

I Csat =

zona de saturacin

VCC VCEsat 10 0.2

=
= 9.8mA
RC
1

9.8

I Bsat =

5 0.8 4.2
60
=
RB
RB

V BB VBEsat 5 0.8
=
RB
RB

RB

4.2
60 = 25.71K .
9.8

Luego cuando RB sea mayor que 27,71 K el transistor va a estar en la zona activa.
e) En este caso la zona de corte no vara solo varan las zonas de saturacin y
activa. Calcularemos la zona de saturacin..
I Csat I Bsat

I Csat =

zona de saturacin

VCC VCEsat 10 0.2 9.8

;
=
=
RC
RC
RC

9.8
0.08460 ;
RC
de saturacin.

RC

Luego cuando RC 1.94 K

I Bsat =

9.8
= 1.94k
5.04

VBB VBEsat 5 0.8

=
= 0.084mA
RB
50

con estos valores estar en zona

el transistor estar en la zona activa.

Transistores C.C.

F1

5.2.- En el circuito de la Fig.1 Q1 y Q2 se encuentra en la zona Activa, siendo

= F 2 = 100 , V BE1 = V BE 2 = 0.7voltios .
Calcular las tensiones en los diferentes puntos e intensidades.

2K

2K

IC1

2K

IB1
Q1
Q2

Q1

V4

5V
3K

3K

1.2K

5V

Q2

1k

3K

1k

IE1=IE2

3V

V2

5V

5V

Fig.1

Fig.2

El transistor Q1 es un NPN y el Q2 un PNP y ambos aparentemente bien polarizado.

Lo primero que tengo que hacer es realizar el thevening mirado desde la base de Q1
hacia la izquierda, teniendo el circuito de la Fig.2.
53
= 3Voltios
2+3
En la malla B1 ,E1,E2 y B2 , se puede escribir:
V BB1 =

R B1 =

23
= 1.2 K
2+3

I E1 = ( F + 1)I B1 sustituyendo esta

V BB1 = I B1 R B1 + V BE1 + I E1 R E1 + VEB 2

ecuacin en la anterior y despejando IB1 se obtiene:

I B1 =

V BB1 V BE1 V EB 2
;
R B1 + ( F 2 + 1)R E1

I B1 =

3 0.7 0.7
1.6
=
= 0.0053mA
1,2 + 1013
304.2

I C1 = F I C1 = 1000.0053 = 0.53mA
I E1 = I E 2 = ( F 1 + 1)I B1 = 1010.0053 = 0.54mA
IC2 =

F2

F2

IC2

100
I E 2 =
0.54 = 0.53mA
+1
101

I B2 =

I E2
0.54
=
= 0.0053mA
F 2 + 1 101

Ya tenemos calculadas todas las intensidades, ahora calcularemos las tensiones en

los diferentes puntos.
VC 2 = VCC 2 + I C 2 RC 2 = 5 + 0.531 = 4.47Voltios

V E 2 = V EB 2 = 0.7Voltios

Transistores C.C.

VCE 2 = VC 2 V E 2 = 4.47 0.7 = 5.15Voltios En zona activa, por ser un PNP y dar
negativo la tensin entre colector y emisor.
V E1 = I E1 RE1 + V E 2 = 0.543 + 0.7 = 2.32Voltios
VC1 = VCC1 I C1 RC1 = 5 0.532 = 3.94Voltios
VCE1 = VC1 V E1 = 3.94 2.32 = 1.62Voltios
dar positiva la tensin entre colector y emisor.
V B1 = V BE1 + VE1 = 0.7 + 2.32 = 3.02Voltios

10

En zona activa, por ser un NPN y

Transistores C.C.

6.2- En el circuito de la figura Calcular:

a) La salida VCE cuando la entrada es de 0.2 Voltios.
b) Lo mismo apartado anterior cuando la entrada es de 10 Voltios.
F = 20 VDcond.=0.7 Voltios V = 0.5voltios.
(VBE activa=0.7 Voltios,
VCEsatuacin=0.2 Voltios, VBE
inversa de saturacin despreciable.).

IB
Q1
P

Vi

Voltios, y Corriente

IC

6k

I1

6k
D1

saturacin=0.8

D3
2k

D2

10V

I2

a) Si la entrada Vi = 0.2 Voltios conducir el diodo D1, por existir una Tensin entre
nodo y ctodo, a travs de la resistencia de 6 k, de (10-0.2)Voltios, lo que hace a la vez
que la tensin en el punto P sea 0.2 + 0.7 = 0.9 Voltios insuficiente tensin para que D2, D3
y El transistor pueda conducir ya que necesitara como mnimo 0.5 +0.5 +0.7 =1.7 voltios,
al no conducir el transistor, la salida VCE = VCC = 10 voltios.
b) Si la entrada es de 10 Voltios el diodo que no conduce es D1, y los otros
dispositivos s. Vamos a suponer que Q1, est en saturacin Entonces VCE =0.2 Voltios:
VP =VD2 +VD1 + VBEsat = 0.7 + 0.7 + 0.8 = 2.2 Voltios
I1 =

VCC V P 10 2.2 7.8

=
=
mA
6
6
6
I B = I1 I 2 =

I2 =

V BEsat 0.8
=
= 0.4mA
2
2

7.8
7.8 2.4 5.4
0.4 =
=
mA
6
6
6

VCC VCEsat 10 0.2 9.8

=
=
mA
6
6
RC
Condicin para que est en la zona de saturacin:
I Csat =

9.8
5.4
20
6
6

I Csat I B

lo cumple luego Q1 est en saturacin y VCE= 0.2 Voltios

11

Transistores C.C.

7.2.- a)Esbozar la caracterstica de transferencia VCE en funcin de Vi del circuito

de la figura,( suprimiendo el diodo zener) , indicando las diferentes zonas del transistor. El
transistor tiene una = 100 y la corriente inversa de saturacin despreciable.
b) Igual que en el apartado a) con el diodo zener, suponiendo que este es ideal,
cuya tensin zener es igual a 4 Voltios.
(VBE activa=0.7 Voltios, VCEsatuacin=0.2 Voltios, VBE saturacin=0.8 Voltios,)

R3
5k

360k

Q1

R1 360k

R4

36k

V2

15k
R5
V1

D1
10V

40K

Vi

40k
V3

0.1Vi

10V

Fig.1

Fig.2

3.75k
5k

5V

VCE

36k

15k

3.75V

10V
10V

1Vi

5V

Fig.3

Fig.4

Lo primero que tenemos que hacer en este circuito es, tanto en la entrada como en la
salida, reducirlo a su thevening correspondiente.
En la entrada tenemos la Fig.2 V BB =

En la salida Fig.3 VCC =

Vi 40
= 0.1Vi
360 + 40

RB =

1015 105
= 5Voltios
15 + 5

36040
= 36 K
360 + 40

RC =

155
= 3.75k
15 + 5

Luego el circuito queda reducido a la Fig.4, donde podemos escribir:

Zona de corte del transistor VBB< 0.7 Voltios
Y entonces

VCE = 5 Voltios

12

0.1 Vi<0.7

Vi< 7 voltios

Transistores C.C.

Zona de Saturacin

I Csat =

I B I Csat

IB =

V BB V BEact 0.1Vi 0.8

=
mA
36
RB

VCC VCEsat 5 0.2

=
mA
RC
3.75

0.1Vi 0.8
5 0.2
100
36
3.75

0.1Vi

4.836
+ 0.8
1003.75

Vi 12.6Voltios

Luego la zona activa estar comprendida entre 7 y 12.6 Voltios y en esa zona
se cumple:
IB =

VBB VBE 0.1Vi 0.7

=
36
RB

VCE = VCC I C RC = 5

I C = I B =

0.1Vi 0.7
100
36

10Vi 70
37.5Vi + 442.5
3.75 =
36
36

Conclusin:

Vi < 7 Voltios

transistor en corte VCE = VCC = 5 Voltios

37.5Vi + 442.5
36

7 < Vi < 12.6 Voltios transistor en activa

VCE =

Vi > 12.6 Voltios Transistor en saturacin

VCE = 0.2 Voltios

Su representacin grfica en la Fig. 5

c) Si le colocamos el diodo zener ente el colector y emisor del transistor, como se

ve en la figura 1, este empieza a actuar cuando la tensin entre sus terminales es
superior a 4 Voltios que entonces su cada de tensin se mantiene a esos 4
Voltios.
Vamos a calcular el valor de Vi cuando cumple estas condiciones, ocurre en la zona
activa:

VCE

37.5Vi + 442.5
=
= 4Voltios
36

13

Vi =

442.5 436
= 7.96Voltios
37.5

Transistores C.C.

Su representacin grfica Fig.6

VCE
5
Voltios

3
pend =

37.5
36

1
0.2V
0

Vi Voltios

12

Fig.5

VCE
Voltios
4

3
pend =

37.5
36

1
0.2V
0

12

Fig.6

14

Vi Voltios

Transistores C.C.

8.2.- Los transistores de la Fig son idnticos con F = 100 y corriente inversa de
saturacin despreciable.
a) Hallar Vo cuando la entrada vara entre 0 y 12 Voltios
b) Hallar Vo cuando la entrada vara entre 12 y 0 Voltios
c) Representar grficamente los resultados de los apartados anteriores.

2k

1k

Vo
8k

Q1

Q2

12V

20k

Vi

2k
0

V BB 2 =

a) Para que pueda conducir un transistor

necesita 0.7 Voltios, entre la base y el emisor,
caso del NPN y si le introducimos inicialmente
0 Voltios el transistor Q1 no conduce y queda el
circuito de la Fig. 2 que es un transistor con
resistencia en emisor. Lo primero que tenemos
que hacer es el thevening correspondiente,
mirado desde base de Q2 hacia la izquierda.
Su thevening nos viene expresado por:

1220
= 8Voltios
2 + 8 + 20

2k

RB 2 =

(2 + 8)20 20
=
K
2 + 8 + 20 3

1k

Vo
8k

20/3K

Q2

Q2

20k

12V

8V

IC2

1k

IB2
2K

12V

2k
0

Fig.2

Fig.3

El circuito equivalente es el de la Fig.3 que podemos decir que el transistor est en

la zona activa o saturacin, por la forma de su polarizacin.
I B2 =

V BB 2 V BE 2
7.33
8 07
=
=
= 0.035mA
R B 2 + ( F + 1)R E 2 20
626
+ (100 + 1)2
3

I C 2 = F I B 2 = 1000.035 = 3.50mA

I E 2 = ( F + 1)I B 2 = 1010.035 = 3.53mA

Vo = VC 2 = VCC 2 I C 2 RC 2 = 12 3.501 = 8.5Voltios V E 2 = I E 2 R E 2 = 3.532 = 7.06Voltios

15

Transistores C.C.

VCE 2 = VC 2 V E 2 = 8.5 7.06 = 1.44Voltios

Por ser positiva VCE y mayor que 0.2 Voltios el dispositivo esta en la zona activa, y
ser un NPN. La salida vale Vo = 8.5 Voltios
Para que Q1 empiece a conducir necesita una tensin:
V1 (V BE1 + V E 2 ) = 0.7 + 7.06 = 7.76Voltios
y entonces Q2 estar en corte (se demostrar en el apartado posterior) y la salida Vo= 12
Voltios.
b) Si la entrada V1 es de 12 Voltios Q2 estar en corte (lo demostraremos
posteriormente) y veremos como estar Q1, y nos quedara el circuito de la fig.4. Siendo
Vo=12 Voltios

2k

1k

Vo
Q1

8k

Q2

20k

Vi

IC1

Q1

12V

RC1

56/30K
Vi

IE1

2k

11.2V

VCC1

2k
0

Fig.4

Fig.5

Si miramos el circuito thevening de la Fig 4 desde el colector a masa obtenemos el circuito

de la Fig. 5.
VCC1 =

1228
= 11.2Voltios
28 + 2

RC1 =

282
56
=
= 1.87 K
28 + 2 30

En el circuito de la Fig. 5 si la entrada vale 12 Voltios el dispositivo

seguramente estar en saturacin y entonces VCE= 0.2 Voltios con lo que nos quiere decir
que VE y VC tienen aproximadamente la misma tensin, luego el transistor Q2 estar en
V 20
corte ya que. V B 2 = C1
< VE ( Por la rama de las resistencias de 20 y 8 K. circulan la
28
misma intensidad de ah el reparto, directamente proporcional, de las tensiones en ambas
resistencias).

16

Transistores C.C.

I B1 =

Vi VBEact
12 0.7
=
= 0.056mA
R E ( F + 1) 2(100 + 1)

VCC1 VCEsat 11.2 0.2

1130
=
=
= 2.84mA
56
RE + RC1
56 + 60
+2
30
S
I B I Csat 0.056100 2.84 el transistor est en saturacin. En este
caso lo cumple.
I Csat

S la entrada la vamos disminuyendo el transistor pasar a la zona activa y si

seguimos disminuyendo aun ms llegar un instante en que se corte, ya que VBE2
hace igual a 0.7 Voltios por lo que Q2 empieza a conducir y el Q1 pasa a corte.
Vamos a calcular ese punto.

V E1 = Vi VBE1 = Vi 0.7Voltios
VC1 = VCC1 I C1 RC1 = VCC1 I B1 RC1 = 11.2 100

Vi 0.7 56
Voltios
2(100 + 1) 30

VC1 20 20
100(Vi 0.7) 56
= {11.2
} Luego la condicin para que
20 + 8 28
202
30
Q2 empiece a conducir es:
VB 2 =

V B 2 V E 0.7Voltios

100(Vi 0.7) 56
20
{11.2
} (Vi 0.7) 0.7voltios
28
202
30

100(Vi 0.7)
28
30
{(Vi 11.2) }
202
20
56

Vi

(Vi 0.7) {(Vi

28
30 202
11.2) }
20
56 100

6.76
= 3.85Voltios
1.76

Luego a partir de una cantidad inferior a ese valor el transistor Q1 se corta y Q2 conduce.
Conclusin: a) Cuando Vi empieza en 0 Voltios Q1 en corte y Q2 en la zona activa cuya
salida es igual a 8,5 Voltios.
Cuando Vi 7,76voltios Q2 se corta y Q1 primero pasa a la zona activa y despus
a la zona de saturacin, y su salida es 12 Voltios.
b) Cuando Vi empieza en12 Voltios Q1 en saturacin y Q2 en corte, cuya salida es
igual a 12 Voltios.

17

Transistores C.C.

Cuando Vi 3.85Voltios Q2 se pone en zona activa y Q1 se corta, y su salida es 8,5

Voltios.
Con estas conclusiones llegamos que los dos transistores no pueden conducir a la
vez, como habamos supuestos en los dos apartados anteriores.
Su representacin grfica la ponemos en la figura de la pgina siguiente.

vo
Voltios

12

8
6

Histerisis

12

18

vi

Voltios

Transistores C.C.

9.2.- En el circuito de la figura de la izquierda, explicar(sin llegar a resultados

numricos) como se obtendra las diferentes zonas de funcionamiento del MOS, teniendo
de parmetros los siguiente valores: k=1.25 mA/V2 y Vt = 1,5 Voltios.

3k

200/3k

100k

D 12V

VDD

12V

2/3 VGG

VGG

ID

3k

ID

200k

VSS

5V

5V

Lo primero que tengo que decir que el MOS es de canal n, aunque hayamos puesto
una figura del dispositivo diferente a las empleadas, por regla general en clase.
En segundo lugar calculamos el thvenin mirado desde Puerta hacia la izquierda
obteniendo el circuito de la derecha.

VG =

2VGG
VGG 200
Voltios
=
200 + 100
3

RG =

200100
200
=
K
200 + 100
3

aunque el valor de RG no lo necesitamos ya que la intensidad que circula por la puerta es

nulo.
Las ecuaciones del circuito necesarias son:
2
VGS = VGG + 5
3

V DS = I D R D + V DD + VSS = I D 3 + 12 + 5 = I D 3 + 17

2
VGD = VGG 12 + I D 3
3

VD = I D 3 + 12

Estudiemos ahora las diferentes zonas del MOS.

a) Zona de corte
VGS Vt

VGG

2
VGG + 5 1.5Voltios
3

4.5 15
= 5.25Voltios ID= 0 mA
2

b) Zona Ohmica

VGS Vt

VD = 12 Voltios

VGD Vt

2
I D = k {2(VGS Vt )V DS VDS
}

19

Transistores C.C.

2
I D = 1.25{2( VGG + 5 1,5)( I D 3 + 17) ( I D 3 + 17) 2 }
3
2
De la segunda condicin. VGD 1,5
VGG 12 + 3I D 1.5Voltios en esta tima
3
ecuacin se sustituira el valor de ID de la ecuacin anterior y se calculara El valor de VGG
sera menor que un cierto valor, luego el valor de VGG estara comprendido entre este
valor y -5,25 Voltios.
c) Zona Activa o de saturacin

VGS Vt

VGD Vt

2
VGG + 5 1.5Voltios , VGG 5.25
3

I D = k (VGS Vt ) 2
2
( VGG 12 + I D 3) 1.5Voltios
3

2
I D = k (VGS Vt ) 2 = 1.25( VGG + 5 1.5) 2 , sustituyendo en esta ltima ecuacin, la
3
ecuacin anterior, obtenemos un valor de VGG valor , luego a partir de dicho valor es
dispositivo estar en la zona activa.
Nota: la resolucin de estas ecuaciones no son complicadas pero s largas de resolver, ya
que para el calculo de ID, nos sale una ecuacin de segundo grado con dos soluciones,
siendo solo una la correcta, y despues sustituirla en la ecuacin de VGD que es funcin de
ID .

20

Transistores C.C.

10.2.- En el circuito de la figura calcular el punto de trabajo, sabiendo que trabaja

en la zona activa y sus parametros son: k = 0.025 mA/V2 y Vt = -2 Voltios.
51K

ID

G,S

9V

3V

En primer lugar por ser Vt menor que cero es un MOS de deplexin. La puerta y el
sumidero estn unida, luego VGS=0 Voltios y este es mayor que Vt, luego est en la zona
activa o ohmica.
Si suponemos segn el enunciado que se encuentra en la zona activa.

I D = k (VGS Vt ) 2 = 0.025(0 (2)) 2 = 0.1mA

V D = V DD I D R D = 9 0.151 = 3.9Voltios

VG =VS = -3Voltios

VGD = VG VD = 3 3.9 = 6.9 < Vt luego est en la zona activa

VDS =VD -VS = 3.9-(-3) = 6.9 Voltios
Su punto de trabajo es: ID = 0.1 mA , y VDS =6.9 Voltios

21

Transistores C.C.

11.2- En el circuito de la figura los MOS de la parte superior (M1 y M2) son de
enriquecimiento y sus parmetros iguales son: k = 0.2510-4 A/V2 y Vt = 3 Voltios, el otro
MOS (M3) es de deplexin cuyos parmetros son: k=0.05 mA/V2 y Vt = -2 Voltios.
Calcular los puntos de funcionamiento, suponiendo que estn en la zona activa y
comprobar la suposicin.
Calcular tambin la potencia que disipa cada MOS.

ID1 ID2
M1

M2

10V

ID3

0
10V

M3

Observando la figura, M1 y M2 estn funcionando en el mismo punto Q, por ser el

circuito simtrico y tener iguales caractersticas.
Se cumple las siguientes ecuaciones en el circuito:

I D1 = I D 2 = I D

I D1 + I D 2 = I D 3 = 2I D

V DS1 = VDS 2

V DS1 + V DS 3 = 10 + 10 = 20Voltios .
Suponemos que los tres dispositivos estn en la zona activa donde conocemos
VGS3 =0 Voltios, pudiendo calcular el valor de ID3.

I D 3 = k (VGS Vt ) 2 = 0.05{0 (2)}2 = 0.2mA

I D 3 0.2
=
= 0.1mA
2
2
Sabiendo el valor de ID podemos calcular el valor de VGS1 = VGS2 de la ecuacin
ID =

I D = k (VGS1 Vt1 ) 2 = 0.025(VGS1 3) 2 = 0.1mA

VGS 1 3 =

VGS 1 = VG1 VS1

0.12
=2
0.05

VGS 1 = 2 + 3 = 5Voltios

VS 1 = VGS1 + VG1 = 5 + 0 = 5Voltios , ya conocemos las

22

Transistores C.C.

tensiones en todos los puntos, luego conocemos todas las diferencias de tensiones.
Voy a probar que estn en la zona activa todos los MOS.
En M1 y en M2. VGS1=VG1-VS1 = 0 -(-5) = 5 > Vt1 = 3 Voltios
VGD1 = VG1 -VD1 = 0 - 10 = -10 < Vt1 = 3Voltios
condiciones de la zona activa.

luego cumple las

En el M3 VGS3 = 0 > Vt3 = -2 Voltios y

VGD3 =VG3 -VD3 = -10-(-5)= -5 <Vt3 = - 2V Luego est en zona Activa.
VDS1= VD1 -VS1 = 10 -(-5) = 15 Voltios VDS3 =VD3 - VS3 = -5 -(-10) = 5 Voltios
El punto de funcionamiento de M1 y M2 es (VDS=15 Voltios, ID=0.1mA)
El punto de funcionamiento de M3 es (VDS = 5 Voltios, ID = 0.2mA)
M1 y M2 disipan la misma potencia ya que circulan por ello la misma intensidad y
tienen la misma tensin entre drenador y sumidero y esta es:
P1 = P2 = ID VDS1 = 0.1 15 = 1.5 mW.
En M3 Tenemos P3 = ID3 VDS3 = 0.2 5 = 1 mW.

23

Transistores C.C.

12.2- En El circuito de la figura calcular el punto de funcionamiento de los MOS,

siendo sus parmetros k2 = 2 mA/V2 , Vt2 = 2 Voltios, k1 = 4.5 mA/V2 y Vt1 = 1 Voltios,
para los diferentes valores de la entrada VGG.
.
D2

G2

M2
S

S2

ID
D1
9V

G1

M1

VGG
S1

V1

En el Circuito de la figura cumple:

VDS1 + VDS2 = 9 Voltios

ID1 = ID2 = ID

VGD2 = 0 < Vt2 = 2 Voltios luego solo puede estar en activa o corte.
Cuando VGS1 = VGG < Vt1 = 1 Voltios el dispositivo estar en corte lo mismo que
M2.
ID= 0mA
Cuando se inicia la zona hmica es lo que vamos a calcular:
VGG > Vt1 = 1 Voltios el dispositivo entra en la zona activa u hmica , en la zona activa se
cumple:

I D = k (VGS Vt ) 2 , I D1 = I D 2 , 2(VGS 2 2) 2 = 4.5(VGG 1) 2 extrayendo la raz cuadrada

a ambos miembros nos queda (se ha multiplicado por dos ambos miembros de la ecuacin y
despus se ha calculado la raz cuadrada): 2(VGS 2 2) = 3(VGG 1)
y VGS2 = (9 -VD1) de esta dos ecuaciones obtenemos:
VD1 =

17 3VGG
ahora podemos saber para que valores de VGG est en la zona activa.
2

En activa VGD1 < Vt

VGD1 = VG1 V D1

VGG

17 3VGG
<1
2

luego VGG < 3.8 Voltios

Cuando 1<VGG<3.8 Voltios los dispositivos est en la zona activa.
Y sus puntos de funcionamientos son: V DS1 =

17 3VGG
,
2

24

I D = 4.5(VGG 1) 2

Transistores C.C.

V DS 2 = 9
Cuando VGG > 3.8 Voltios
Cumplindose:

17 3VGG
, I D = 4.5(VGG 1) 2
2

M1 en saturacin y M2 en la zona 0hmica.

2
2
2
I D = k{(VGS Vt )V DS V DS
} = 4.5{2(VGG 1)V DS1 V DS
1 } = 2(V DS 2 2) =

de esta ecuacin obtendramos

4
(9 V DS1 2) 2
2

2
13VDS
1 V DS 1 (38 + 18VGG ) + 196 = 0

Donde se calcula VDS1, y con ello todos los dems valores. Hagamos un ejemplo concreto
por ejemplo VGG = 5 Voltios.
2
13VDS
1 V DS 1 (38 + 18VGG ) + 196 = 0

2
13V DS
1 128V Ds1 + 196 = 0

128 128 2 413196

= 7,95 Voltios
213
correctos slo uno de ellos.

V DS1 =

Como VGD1 > Vt1

(VG1 -VD1) > Vt1

y 1,90 Voltios ambos valores no son

(5 - VD1)> 1

VD1 < 4 luego el valor que

cumple solo es el de VDS1 = 1,90 Voltios. Y VDS2 = 9 - VDS1 = 9 - 1.9 = 7.1 Voltios

I D = k (VGS Vt ) 2 = k (V DS 2 Vt 2 ) 2 = 2(7.1 2) 2 = 52.02mA

funcionamiento son:
M1 (VDS1 ,ID1) (1,90 Voltios, 52.02mA) y
52.02mA)

25

M2

luego el punto de

(VDS2 ,ID2) (7.1 Voltios,

Transistores C.C.

13.2.- El transistor unipolar de la figura posee las siguientes caractersticas Vt=

3Voltios y k=2mA/V2. Se desea que en corriente continua el sumidero tome un valor de
VDD/2 con una corriente de drenador de 2 mA. a) Encuentre los valores de tensin de
puerta a masa y la resistencia Rs de sumidero s VDD= 12V.
a) Suponiendo que Rs = 5 K determine que margen de valores tiene que tener la
tensin de puerta a masa para que el dispositivo se encuentre en la zona ohmica.
D
ID

G
M1

Vss

VDD

Rs

Las ecuaciones que podemos expresar en el circuito son las siguientes:

V DD = VDS + VS ;

I D = k (VGS Vt ) 2

VGS = VSS VS = VSS I D RS ;

Esta ltima para zona activa:

Segn los datos del problema podemos escribir:

Vs =

V DD 12
=
= 6Voltios
2
2

RS =

VS 6
= = 3 K
ID 2

I D = k (VSS VS Vt ) 2 = 2mA = 2mA / V 2 (VSS 6V 3V ) 2

despejando VSS obtenemos:

2
= VSS 9 luego VSS=10 Voltios.
2

b) Para que se encuentre en la zona ohmica tiene que cumplirse que:

VGS > Vt

VGD > Vt y en nuestro caso VGS es siempre mayor que VGD

Ya que: VGD = VSS VDD y VGS = VSS VS y siempre cumple que VDD>VS
Luego nuestro problema queda resuelto con tal que cumpla que VGD > Vt

26

Transistores C.C.

VGD = (VSS - VDD) > Vt

VSS > (Vt + VDD ) = 3 + 12 = 15 Voltios.

Luego cuando VSS> 15 V El dispositivo estar en saturacin.

27

Transistores C.C.

14.2.- En el circuito de la figura las resistencias R1, R2 y RD, tienen un valor de 1K y

su alimentacin VDD = 10V. a) Calcular el punto de trabajo del NMOs si k=5 mA/V2 y Vt =
4,5 Voltios.
b)Se desea calcular el valor de Vt y k realizando las siguientes medidas: 1) variando la
tensin VDD desde cero Voltios empieza a conducir con un valor de 6 Voltios. 2) Y con un
valor de 10 Voltios se obtiene una tensin de drenador a sumidero de 5 Voltios.

ID

R1

Sabemos que por la puerta no circula intensidad.

I1+ID

RD

I1
G
R2

Las ecuaciones que podemos expresar en el

circuito son las siguientes:

M1

VDD

VDD = (ID + I1)RD + VDS

VDS = I1(R1 + R2)

VGS = I1R2

a) Para que el transistor est en la zona

ohmica o activa necesita que se cumpla:
VGS > Vt siendo las tres resistencias iguales se cumple que VGS = VDS/2,
Siendo Vt = 4,5 Voltios, se necesita una tensin como mnimo de VDS de

Voltios lo cual es imposible ya que por la resistencia de RD debe circular una

intensidad de I1 + ID.(y el valor de I1min=9V/2K=4.5 mA. que la tensin a travs
de la resistencia RD es de 4,5 V lo cual es imposible, ya que la mxima es de
1V).
Si repartimos la tensin de 10 Voltios entre las tres resistencia iguales resulta que a
cada una le corresponde una tensin de 3,33 Voltios, es decir:
VGS = 3,33 Voltios El dispositivo en corte
VDS = 6,66 Voltios y la intensidad ID = 0 mA.
b) El dispositivo empieza a conducir cuando Vt = VGS lgicamente en la zona
ohmica.

V DD 6
= = 2Voltios = Vt
3
3
Cuando VDD = 10 Voltios vamos a suponer que se encuentra en la zona de
saturacin y apliquemos las formulas y despus comprobemos lo anterior mente supuesto.
V
5
VGS = DS = = 2,5Voltios > Vt luego en saturacin o ohmica
2
2
VGS =

I D + I1 =

VDD V DS 10 5
=
= 5mA
1
RD

I1 =

28

VDS
5
=
= 2,5mA
R1 + R2 1 + 1

Transistores C.C.

luego

I D = 5 I 1 = 5 2,5 = 2,5mA

VGD = I 1 R1 = 2,51 = 2,5Voltios < Vt = 2,5Voltios luego el dispositivo se

Ahora
encuentra en la zona de saturacin o activa.
Vamos a calcular el valor de k del dispositivo:

I D = k (VGS Vt ) 2 en zona de saturacin

k=

ID
2,5
2,5
=
=
= 10mA / V 2
2
2
0,25
(VGS Vt )
(2,5 2)

Las caracterstica del dispositivo son: Vt = 2Voltios y k = 10 mA/V2.

29

Transistores C.C.

15.2- El Transistor FET de la figura tiene un valor de = 2.5mA / V 2 y Vp= 2

Voltios
Calcular el punto de funcionamiento.

2k

RD
D

ID
S
RS
0

9V

0.39K

El FET es de canal P, luego la polarizacin realizada es la correcta.

Si est en la zona activa tiene que cumplir:
VGD > Vp
VGS < Vp
I D = (VGS V p ) 2
En el circuito tenemos:

VGS= IDRS= ID 0.39

I D = (VGS V p ) 2 = 2.5(VGS 2) 2
Tenemos dos ecuaciones con dos incognitas:
VGS
= 2.5(VGS 2) 2
0.39

0.975VGS2 4.9VGS + 3.9 = 0

4.9 24.01 15.21

= 4.04Voltios y 0.99Voltios
1.95
ambas soluciones no son correctas slo una de ellas. Y en este caso es 0.99 por ser inferior
a Vp=2 Voltios.

VGS =

ID =

VGS
0.99
=
= 2.54mA
0.39 0.39

VS = -IDRS = -2.540.39=VSG = -VGS = -0.99 Voltios

VGS =0.99 Voltios

VD= -VDD + IDRD = -9 + 2.542= -3.92 Voltios

VGD =VG -VD = 0 - (-3.92) = 3.92 Voltios que es mayor que VP = 2 Voltios luego est en la
zona activa.
Su punto de funcionamiento es: VDS = VD -VS = -3.92 - (-0.99) = -2.93 Voltios y su
intensidad ID = 2.54 mA.

30

Transistores C.C.

16.2.- En el circuito de la figura los FET tiene unos parmetros iguales de VP = -3

Voltios, =0.222 mA/V2 . Indicar en que estado se encuentran los FET , calculando sus
puntos de funcionamiento.
G

J2

6 .5 V

S2

V GG2
R
0

ID
10V

1k

D1

V DD

J1

S1

2 ,2 M

En el circuito de los dos FET de canal N, podemos poner las siguientes ecuaciones:
ID1 = ID2 = ID

VDD = VDS2 + ID R + VDS1

10 = VDS2 + ID 1 + VDS1

En J1 se cumple VGS1 = 0 > VP = -3, luego se encuentra en la zona activa u ohmica.

Supongamos que se encuentra en la zona Activa. (Ecuacin de la zona activa).
ID =( VGS1 -(-VP))2 = 0.222(0+3)2 = 2 mA.
Cumpliendo la misma ecuacin en J2, si lo suponemos tambin que est en la zona
activa, por tener iguales parmetros, entonces llegamos que VGS1 = VGS2.
VGS2 = VGG2 - VS2 ;

VS2 = VG2 - VGS2 = 6.5 - 0 = 6.5 Voltios.

La cada de tensin a travs de la resistencia es: VR = ID R = 2 1 = 2 Voltios.

Con todos estos datos tenemos, las diferentes tensiones en los diferentes puntos del
circuito.
VD2 = 10 Voltios VS2 = 6.5 Voltios VD1= VS2 - VR = 6.5 - 2 = 4.5 Voltios.
Comprobemos que estn en la zona activa ambos, tiene que cumplirse que:
VGS > VP esta condicin se cumple y que VGD < VP.
VGD2 = VG2 - VD2 = 6.5 - 10 = -3.5 Voltios luego cumple
VGD1 = VG1 - VD1 = 0 - 4.5 = -4.5 Voltios luego cumple, se encuentran ambos en zona
activa.
Sus puntos de funcionamiento son: J1 (3,5Voltios, 2 mA) y J2 (4.5 Voltios, 2 mA).

31