INSTITUTO TECNOLGICO DE PUEBLA

INGENIERIA ELECTRNICA
FISICA DE SEMICONDUCTORES
PROFESOR: VCTOR MANUEL PERUSQUA ROMERO.
DIODO PIN
EQUIPO IV
Rodolfo Cruz Martnez
Hugo Flores ngeles
Edgar Gonzlez Garca
Miguel Angel Snchez Flores

El diodo que tiene la regin poco contaminada y casi intrnseca entre las regiones de p y n se
llama diodo Pinto. El nombre se deriva del material intrnseco entre las capas p y n. Debido a
su construccin, el diodo quien tiene baja capacitancia y, por tanto, encuentra aplicacin en
frecuencias altas. Cuando se polariza en directo, la inyeccin de portadores minoritarios
aumenta la conductividad de la regin intrnseca. Cuando se polariza en inverso, la regin i
se vaca totalmente de portadores y la intensidad del campo a travs de la regin es
constante.
DESCUBRIMIENTO DEL DIODO PIN.
En 1971 C.A. Burrus desarrolla un nuevo tipo de emisor de luz, el LED, de pequea
superficie radiante, idnea para el acoplamiento en F.O. Por lo que se refiere a los
fotodetectores, los diodos PIN y los de avalancha a base de Si, fueron desarrollados sin
dificultades y ofrecan buenas caractersticas. Sin embargo, no podan aplicarse en longitud
de onda > 1100 nm. El Ge era un buen candidato a ser utilizado para trabajar entre 1100 y
1600 nm, y ya en 1966 se dispona de ellos con elevadas prestaciones elctricas. Sin
embargo, la corriente de oscuridad (ruido) del Ge es elevada y da motivo a ensayos con
fotodiodos con materiales como InGaAsP (arseniuro fosfuro de indio y galio). El primer PIN
de InGaAs (arseniuro de indio y galio) se realiza en 1977.
SIGNIFICADO DEL NOMBRE DEL DIODO PIN
Se llama diodo PIN a una estructura de tres capas, siendo la intermedia semiconductor
intrnseco, y las externas, una de tipo P y la otra tipo N (estructura P-I-N que da nombre al
diodo). Sin embargo, en la prctica, la capa intrnseca se sustituye bien por una capa tipo P
de alta resistividad () o bien por una capa N de alta resistividad ().
El diodo PIN es un diodo que presenta una regin p y n altamente conductoras junto a una
zona intrnseca poco conductiva. De ah viene el significado de sus siglas PIN.

Zona tipo P.

Material Intrnseco.

Zona tipo N.

N.

SMBOLO DEL DIODO PIN.

COMPOSICIN DEL DIODO PIN

El diodo se forma partiendo de silicio tipo P de alta resistividad. La capa P de baja
resistividad representada, est formada por difusin de tomos de boro en un bloque de
silicio tipo P y la capa N muy delgada est formada difundiendo grandes cantidades de
fsforo. La regin intrnseca i es realmente una regin P de alta resistividad y se suele
denominar regin p. Cuando el circuito est abierto, los electrones fluyen desde la regin i
(p) hasta la regin P para recombinarse con los huecos en exceso, y los huecos fluyen desde
la regin i para recombinarse con los electrones de la regin N. Si el material i (p) fuese
verdaderamente intrnseco, la cada de tensin en la regin i sera nula, puesto que la
emigracin de huecos sera igual a la emigracin de electrones. Sin embargo, como el
material es en verdad p (P de alta resistividad), hay mas huecos disponibles que electrones.
Se pudo extraer un circuito equivalente del diodo para cada estado de conduccin y que se
muestra en la Fig. 7. Los valores de L, RS, CT y RP son en inversa L=0.2 nH, RS=2.
CT=0.02 pF y RP=2100 . Para la polarizacin directa (con intensidad de 50 mA), el circuito
equivalente tiene los siguientes elementos: L=0.2 nH, RS=2. Y RI=0.8.

Fig. 7. Circuito equivalente en polarizacin inversa (a) y directa (b) del diodo PIN HPND-4005
CARACTERSTICAS RELEVANTES DEL DIODO PIN.
El diodo PIN es un diodo que presenta una regin P fuertemente dopada y otra regin N
tambin fuertemente dopada, separadas por una regin de material que es casi intrnseco.
Este tipo de diodos se utiliza en frecuencias de microondas, es decir, frecuencias que
exceden de 1 GHz, puesto que incluso en estas frecuencias el diodo tiene una impedancia
muy alta cuando est inversamente polarizado y muy baja cuando esta polarizado en sentido
directo. Adems, las tensiones de ruptura estn comprendidas en el margen de 100 a 1000
V.
En virtud de las caractersticas del diodo PIN se le puede utilizar como interruptor o como
modulador de amplitud en frecuencias de microondas ya que para todos los propsitos se le
puede presentar como un cortocircuito en sentido directo y como un circuito abierto en
sentido inverso. Tambin se le puede utilizar para conmutar corrientes muy intensas y/o
tensiones grandes.
Cuando se aplica una polarizacin inversa al diodo los electrones y los huecos del material p
son barridos (swept free). Un posterior aumento de la tensin inversa simplemente
incrementa las distribuciones de tensiones P-I e I-N. En el diodo PIN la longitud de la regin
de transicin L es aproximadamente igual a la regin i y aproximadamente independiente de
la tensin inversa. Por lo tanto, a diferencia de los diodos PN o Schottky, el diodo PIN tiene
una capacidad inversa que es aproximadamente constante, independiente de la polarizacin.
Una variacin tpica de la capacidad podra ser desde 0,15 hasta 0,14 pF en una variacin
de la polarizacin inversa de, por ejemplo, 100 V. En virtud de que es igual a la longitud de la
regin i, la longitud de la regin de transicin es aproximadamente constante y
considerablemente mayor que la de otros diodos y, por lo tanto, la capacidad CR, que es
proporcional a 1/L es significativamente menor que la de otros diodos, por lo que el diodo
PIN es apropiado para aplicaciones de microondas. Los valores normales de CR varan
desde 0,1 pF hasta 4 pF en los diodos PIN comerciales.
Cuando el diodo est polarizado en sentido directo, los huecos del material P se difunden en
la regin p, creando una capa P de baja resistividad. La corriente es debida al flujo de los
electrones y de los huecos cuyas concentraciones son aproximadamente iguales en la regin
i. En la condicin de polarizacin directa la cada de tensin en la regin i es muy pequea.
Adems, al igual que el diodo PN, cuando aumenta la corriente, tambin disminuye la
resistencia. En consecuencia el diodo PIN es un dispositivo con su resistencia o
conductancia modulada. En una primera aproximacin, la resistencia rd en pequea seal es
inversamente proporcional a la corriente IDQ con polarizacin directa, lo mismo que en el
diodo PN.
En frecuencias de microondas se representa de maneras ms sencillas por una capacidad
CR en serie con la resistencia directa rd. Con tensiones directas, CR es aproximadamente
infinita, mientras que en polarizacin inversa, rd es aproximadamente nula. La capacidad CS
es la capacidad parsita paralelo que se produce soldando el diodo a la cpsula y LS es la
inductancia serie debida a los hilos de conexin desde el diodo hasta la cpsula.
CIRCUITO DE APLICACIN.

El fotodetector, un componente crtico en cualquier sistema de comunicaciones por fibra

ptica, ha sido menospreciado, algunas veces, en la reciente tendencia de concentrarse en
las mejoras de los transmisores lser y en las mismas fibras pticas. Simplemente con
cambiar de un tipo de foto detector a otro se puede incrementar la capacidad de un sistema
ptico en un orden de magnitud sin tocar ningn otro componente.
El fotodiodo PIN es el detector ms importante utilizado en los sistemas de comunicacin
ptica. Es relativamente fcil de fabricar, altamente fiable, tiene bajo ruido y es compatible
con circuitos amplificadores de baja tensin. Adems, es sensible a un gran ancho de banda
debido a que no tiene mecanismo de ganancia. Unas zonas p y n altamente conductivas
junto a otra intrnseca poco conductiva, caracterizan al diodo PIN. Los fotones entran a la
zona intrnseca generando pares electrn-hueco. El diodo se polariza inversamente con el fin
de que las cargas generadas en la zona intrnseca sean aceleradas por el campo elctrico
presente.
Una tpica estructura p-i-n planar tiene, como material absorbente de luz, a un compuesto de
InGaAs. La regin de absorcin es fina, siendo, generalmente, un material tipo n sobre un
sustrato tipo n de indio fosforoso. La superficie superior est recubierta de un fino aislante, o
capa pasiva, para proteger la superficie y reducir la recombinacin de electrones y huecos en
dicha superficie.
Cuando un fotn entra en la zona de deflexin, es absorbido y genera un par electrn-hueco,
los cuales son dirigidos hacia los electrodos opuestos. All se recogen y aparecen como
corriente en el circuito exterior. Puesto el par de portadores es separado en mucho menos
tiempo que el tomado para su recombinacin, el proceso de deteccin es rpido y eficiente.
Debido a que no existe mecanismo de ganancia en un fotodiodo p-i-n, la mxima eficiencia
del detector es la unidad y producto ganancia x ancho de banda coincide con esta ltima. El
ancho de banda de un diodo p-i-n est limitado por el tiempo tomando en colector las cargas.
Este tiempo es inversamente proporcional al ancho de la zona de deflexin y directamente
proporcional a la velocidad de los portadores de cargas en la regin de alto campo elctrico.
La principal fuente de ruido en un fotodiodo p-i-n es el ruido de granalla, producido en la
zona de deflexin de la unin p-n inversamente polarizada, generado por el proceso
estadstico de los electrones atravesando la unin p-n
Su aplicacin principal es como receptor de seales en circuitos de transmisin de datos por
medio de fibra ptica, por ello a continuacin se muestra el principio de funcionamiento de un
sistema de fibra ptica.
Estos sistemas estn compuestos por un transmisor, cuya misin es la de convertir la seal
elctrica en seal ptica susceptible de ser enviada a travs de una fibra ptica. En el
extremo opuesto de la fibra ptica se encuentra el receptor, cuya misin es la de convertir la
seal ptica en seal elctrica nuevamente.

El receptor consiste en un diodo PIN o un APD, que se acopla a la fibra ptica. Se le

denomina convertidor opto-electrnico (O/E).
El tipo de modulacin utilizado es el de amplitud, modulando la intensidad de luz generada
por el emisor. Las no linealidades de los emisores y receptores al convertir las seales
elctricas a pticas y viceversa, as como las fuentes de ruido que se sobreponen a la seal
en los sistemas tpicos de fibra ptica hacen que este sistema sea especialmente apropiado
para la transmisin de seales digitales, que corresponde a los estados de encendidoapagado del emisor.

No obstante tambin es posible transmitir seales analgicas.

Otros tipos de modulacin, como modulacin en frecuencia y dems sistemas coherentes
estn en fase de desarrollo, debido a la dificultad de obtener seales luminosas
espectralmente puras y que al mismo tiempo puedan ser moduladas en frecuencia.
La seal ptica que se propaga a travs de la fibra ptica se degrada por la atenuacin y
restriccin de la anchura de banda de la fibra, y entonces, es preciso regenerar la seal
transmitida. El mejor mtodo es tratar la seal en forma elctrica. Por lo tanto, los
convertidores E/O y O/E son componentes indispensables en un repetidor ptico. El
amplificador e igualador de la seal elctrica son similares a los de los sistemas de
transmisin convencionales.
Otra aplicacin presentada es la siguiente:
ATENUADOR DE RADIO FRECUENCIA.

Otra aplicacin presentada es la siguiente:

El diodo PIN es un semiconductor que opera con una resistencia variable en RF y frecuencia
de microonda. Controla altos voltajes RF con niveles de excitacin DC mucho ms pequeo,
para el caso de frecuencias altas

Regin Directa
Al diodo se le aplica voltaje positivo (DC) en sus terminales (n-p). Presenta una resistencia
muy pequea RS (0.5 y en funcin de la corriente DC), denominada resistencia Forward.
En la Figura 2 siguiente se muestra el circuito equivalente del Diodo Pin en la regin directa.

Circuito Equivalente del Diodo Pin en la regin Directa.

Regin Inversa
El diodo tiene un voltaje menor o igual a cero en sus terminales (n-p). El diodo presenta una
resistencia en paralelo RP alta (mayor a 50 K y en funcin del voltaje en la regin inversa) y
una capacidad CT, como se muestra en la Figura 3, ambas dependen de la frecuencia de la
seal RF.

Circuito Equivalente del Diodo Pin en la

Regin Inversa.
Coeficiente de elevacin de la temperatura. (Rodolfo)

Este coeficiente nos mide la variacin de la temperatura con respecto a la potencia

consumida por el diodo (C/W). Al multiplicarlo por la potencia consumida, obtendremos el
incremento de temperatura del diodo.

eff : Impedancia trmica efectiva (C/W)DF: Ciclo de trabajo (0.8%).

tp : Impedancia trmica Pulsada (C/W)Reemplazando valores obtenidos en la ecuacin 3:

La potencia consumida del diodo es la diferencia de potencias picos de dos ensayos donde
el primero se mide slo la potencia pico del diodo pin y carga y en el segundo se mide la
potencia pico de la carga. Para un ensayo obtuvimos una potencia consumida por el diodo
pin de 390 W.
Por lo que tendremos una variacin de temperatura de 25C, siendo la temperatura ambiente
de 20C, el diodo tendra una temperatura de 45C. El voltaje mximo que soporta el diodo
pin es 1KV de DC.
SISTEMA DE CONMUTACIN RF (Rodolfo)
Una solucin para el enfasamiento de la antena es activar un camino entre dos posibles,
esto se hace mediante el empleo de diodos PIN.
El camino est conformado por lneas de transmisin (cable RG217/U RG17 A/U). Como
se necesita conmutar entre cuatro posiciones, se emplean dos sistemas de conmutacin de
dos posiciones pero con diferentes enfasamientos. En la siguiente figura se muestra el
sistema de enfasamiento para una polarizacin de la antena, las fases que se obtienen son
de 0,90,180,270. Los diodos ubicados en la posicin 1 y 2, as como los ubicados en la
posicin 3 y 4 trabajan complementariamente. Es decir si el diodo pin de la posicin 1 est
conduciendo, los de la posicin 2 estn en circuito abierto. El diodo pin soporta un voltaje
mximo de 1KV

Para activar un camino se aplica un voltaje continuo negativo al diodo pin (n-p), el circuito
equivalente ser la misma lnea de transmisin sin diodo pin, dado que se encuentra en
circuito abierto.

Camino de RF activado, aplicando voltaje

Negativo al Diodo Pin.
Para desactivar un camino se aplica un voltaje DC positivo al diodo pin (aproximadamente
1V), el circuito equivalente a / 4 es como si no hubiese lnea de transmisin. A mayor
nivel de corriente, la impedancia de diodo es menor mejorando el cortocircuito del diodo.

CUESTIONARIO.
1. Qu es el diodo PIN?

2. Cul es su smbolo?

3. Cul es el funcionamiento del diodo PIN?

Indique, al menos, tres funciones bsicas.

4. Cmo funciona?

5. Dibuje un circuito en donde se utilice el diodo PIN

6.

Qu es el fotodiodo PIN?

7. En dnde se produce el ruido de granalla en un fotodiodo pin?

8. Con cul otro nombre se le conoce al diodo lser?

9. Cul es el significado PIN?

10. Qu ocurre cuando un fotn entra en la zona de deflexin?

11. PREGUNTAS Y RESPUESTAS.

1. Qu es el diodo PIN?
El diodo PIN es un diodo que presenta una regin P fuertemente dopada y otra regin N
tambin fuertemente dopada, separadas por una regin de material que es casi intrnseco.
2. Cul es su smbolo?

3.- Cul es el funcionamiento del diodo PIN?

Indique, al menos, tres funciones bsicas.
Cambian su resistencia en RF (Radio Frecuencia) en funcin de las condiciones de
polarizacin. Por ello, pueden actuar como:
-

Como conmutador de RF.

Como resistencia variable.
Como protector de sobretensiones.
Como fotodetector.

4. Cmo funciona?
Cuando se polariza en directo, la inyeccin de portadores minoritarios aumenta la
conductividad de la regin intrnseca. Cuando se polariza en inverso, la regin i se vaca
totalmente de portadores y la intensidad del campo a travs de la regin es constante.
5. Dibuje un circuito en donde se utilice el diodo PIN.
Atenuador de Radio Frecuencia.

6.

Qu es el fotodiodo PIN?

Es el detector ms importante utilizado en los sistemas en los sistemas de comunicacin

ptica y es compatible con circuitos amplificadores de baja tencin.
7. En dnde se produce el ruido de granalla en el fotodiodo pin?
Es producido en la zona de deflexin de la unin p-n inversamente polarizada, generado por
el proceso estadstico de los electrones atravesando la unin p-n
8. Con cul otro nombre se le conoce al diodo lser?
Tambin es conocido como LED
9. Cul es el significado PIN?
-

P
I
N

Zona tipo p
Material intrnseco
Zona tipo n

10. Qu ocurre cuando un fotn entra en la zona de deflexin?

Es absorbido y genera un par electrnhueco, los cuales son dirigidos hacia los electrodos
opuestos, all se recogen y aparecen como corriente en el circuito exterior

BIBLIOGRAFA
Inder Bahl, Prakash Bhartia. (1995) E.E.U.U.
Microwave solid state circuit design.
Edit. Wiley.
Ao de edicin 01/01/95.
Captulos: 14.
489 pginas.

G. Deeboo, (1997), Mxico.

Circuitos integrados y dispositivos semiconductores.
Boixareu
1 reimpresin
10 captulos.
609 pginas.

Pginas Web:
www.lu1dma.com.ar/grupooeste/eldiodo.htm
www.cienciasmisticas.com.ar/electronica/semi/tdiodos/index.php
mx.geocities.com/diet202eq4/TAREA1/diodo_semiconductor.htm
http://www.simbologia-electronica.com/simbolos/diodos.htm
http://www.electronicafacil.net/modules.php?op=modload&name=News&file=artic
www.howstuffworks.com