Ingenieria de Los Materiales 2

3.
- ORDENAMIENTO ATMICO DE LOS SLIDOS
3.1.- Orden de corto y largo alcance

3.2.- Estructuras cristalinas
3.3.- Puntos, direcciones y planos de una celda unitaria
3.4.- Las Celdas Tridimensionales
3.5.- Puntos, planos y direcciones en una celda unitaria.
3.6.- Sitios intersticiales
3.7.- Cristale inicos y covalentes
3.8.- Transformacines alotrpicas o polimrficas
3.9.- Difraccin de Rayos-X (led de Bragg)
Los materiales al estado slido pueden ser o no cristalinos.

Aunque puedan obtenerse materiales en forma de monocristales es ms comn
encontrarlos en forma policristalina.
Los cristales que conforman un agregado policristalino se denominan granos.
Los granos pueden ser tan pequeos que es necesario observarlos por un microscopio a
100 y 1000 aumentos. Microestructura.
Cuando la estructura puede distinguirse a simple vista se le llama macroestructura.
La estructura al interior de los granos sigue un patrn de ordenamiento denominado
estructura cristalina.
CIENCIA E INGENIERA DE LOS MATERIALES CAPITULO 3: ORDENAMIENTO ATMICO DE LOS SLIDOS

J.D.O. Barceinas Snchez y A. Jurez Hernndez
3.1. Orden de Corto y Largo Alcance

Orden de corto alcance.- es el arreglo espacial de los tomos o molculas que se extiende
slo a los vecinos ms cercanos de stos. A estas estructuras se les denomina como
estructuras no cristalinas.
Ejemplos de estas estructuras son los vidrios, geles y recubrimientos por deposicin de
vapor, Figura 3.1.
Figura 3.1. Nivel de arreglo atmico en vidrio

Vidrios.- durante la solidificacin los tomos no tienen el tiempo suficiente para formar
una estructura peridica. Una estructura vtrea puede tambin obtenerse por solidificacin
rpida de materiales que normalmente forman estructuras cristalinas. Los vidrios tienen
las siguientes caractersticas generales:
1. Estructura isotrpica (las propiedades son uniformes en todas direcciones).
2. Son tpicamente transparentes, pero pueden formularse para absorber o transmitir
ciertas longitudes de onda.
3. Buenos aislantes elctricos y trmicos.
4. Reblandece antes de fundir, por lo que puede moldearse por soplo.
Figura 3.2. Estructura tetradrica en la slice

Un ejemplo de estructura vtrea es la slice (SiO2) cuya unidad estructural es un tetraedro

en el que cuatro tomos de oxgeno se unen de manera covalente con un tomo de silicio.
Puesto que los tomos de oxgeno deben formar ngulos de 109.5 para satisfacer los
requerimientos de direccionalidad de los enlaces covalentes, se obtiene una estructura con
orden de corto alcance.
Dentro de las estructuras vtreas se encuentra un grupo denominado Estructuras
Moleculares en el que se ubican los compuestos orgnicos (con enlaces covalentes),
donde los ms comunes son los hidrocarburos los cuales pueden contener algunos otros
elementos o grupos reemplazando a uno o ms hidrgenos, como halgenos (Cl y F),
hidrxido (OH), acetato, amonio y silicones.
Hidrocarburos.- stos se clasifican en saturados y no saturados. El incremento del punto
de fusin con el peso molecular se debe en parte al decremento de la morbilidad y en
mayor grado a los enlaces de Van der Waals entre molculas. Entre ms grande sea la
molcula habr ms sitios en donde puedan ocurrir enlaces de Van der Waals. Bajo las
condiciones adecuadas los hidrocarburos no saturados pueden romper sus dobles o triples
enlaces para formar molculas ms grandes, por ejemplo los polmeros. Esto se denomina
reaccin de polimerizacin.
Geles.- slidos no-cristalinos formados por reaccin qumica en lugar de fusin. Estos
materiales son tiles en la unin de cermicos y metales (al actuar como cementos).
Ejemplos de stos son Si(OH)4 y Al(H2PO4)3.
Recubrimientos por Deposicin de Vapor.- slido no-cristalino producido por
condensacin rpida de un vapor sobre un substrato fro o por reaccin de un gas sobre
con un substrato caliente. El vapor pude producirse por bombardeo inico, evaporacin
mediante haz de electrones o evaporacin trmica. Los recubrimientos as obtenidos por
lo general son no-porosos, tienen granos finos y muestran propiedades nicas.
A los materiales con un ordenamiento de corto alcance se denominan comnmente como
materiales amorfos.
Sntesis de polmeros
Polimerizacin por adicin.- el principio de este proceso es la obtencin de un monmero
(unidad mrica) la cual se une con otra para formar cadenas largas.
nA (-A-) n
H
Cl
Calor, presin
Luz, catalizador
n
H
H
C C
H
Cl
H
H
C C
H
Cl
H
H
C C
H
Cl
Normalmente la polimerizacin se da en molculas idnticas, sin embargo, la

polimerizacin entre molculas diferentes ocurre, a esto se le llama copolimerizacin.
calor, presin, etc
nA + mB
( AnBm )

Este tipo de polimerizacin puede ocurrir s ms de un doble enlace est presente (p.ej. la
polimerizacin del butadieno para formar hule no vulcanizado). Los polmeros
producidos por adicin son generalmente termoplsticos (reciclables).
Polimerizacin por condensacin.- involucra la reaccin qumica de dos molculas
orgnicas diferentes para formar una nueva, acompaada por la formacin de un
subproducto (agua, alcohol o cido).
calor, presin, etc
( E ) + pF
pC + pD
H
H
|
H C
|
H
O
||
O C
H
C C
O
||
C C
C C
H
H
|
O C H
|
H
+ n
H
|
H O C
|
H
Dimetilteraftalato
H
O
||
O C
H
|
C O H
|
H
Dimetilglicol
H
C C
O
||
C C
H
H
|
|
O C C
|
H
C C
H
|
H
H
|
H C O H
+ 2n
|
H
Dacron o mylar
Metanol
El dacrn es un ejemplo de este proceso. Este sintetiza por la reaccin de dimetil

tereftalato y etilen glicol, produciendo alcohol metlico como subproducto. La sntesis del
fenol-formaldehido (baquelita) es otro ejemplo. La mayora de los polmeros obtenidos
por este proceso son conocidos como resinas termoendurecibles, los cuales tienen mayor
resistencia que los termoplsticos, pero son ms caros de fabricar.
Hule natural
+S
S
H
Hule vulcanizado

Las propiedades de los polmeros se ven afectadas por el grado de cristalinidad, el

entrelazamiento y la ramificacin de las molculas; estas dos ltimas tienen un efecto
mayor.
Orden de largo alcance.- es el arreglo espacial de los tomos o molculas que se extiende
por todo el slido, formando un patrn repetitivo, regular, que resulta en una red. Los
materiales pueden diferenciarse entre s por el tipo de red que posean. El tipo de red de un
material depende del tamao de los tomos o iones, y del tipo de enlace.
Al patrn geomtrico que sigue una red de un material se le denomina estructura
cristalina, y se define en funcin de su tamao, forma y ordenamiento atmico.
3.2. Estructura cristalina de los materiales

Los materiales slidos se pueden clasificar de acuerdo a la regularidad con que los
tomos o iones estn ordenados uno con respecto al otro. Un material cristalino es aquel
en que los tomos se encuentran situados en un arreglo repetitivo o peridico dentro de
grandes distancias atmicas; tal como las estructuras solidificadas, los tomos se
posicionarn de una manera repetitiva tridimensional en el cual cada tomo est enlazado
al tomo vecino ms cercano. Todos los metales, muchos cermicos y algunos polmeros
forman estructuras cristalinas bajo condiciones normales de solidificacin.
Celda Unitaria.- es el agrupamiento ms pequeo de tomos que conserva la geometra
de la estructura cristalina, y que al apilarse en unidades repetitivas forma un cristal con
dicha estructura.
La estructura cristalina de un slido depende del tipo de enlace atmico, del tamao de
los tomos (o iones), y la carga elctrica de los iones en su caso).
Existen siete sistemas cristalinos los cuales se distinguen entre s por la longitud de sus
aristas de la celda (llamados constantes o parmetros de la celda) y los ngulos entre los
bordes de sta. Estos sistemas son: cbico, tetragonal, ortorhmbico, rombohdrica (o
trigonal), hexagonal, monoclnico y triclnico. La Tabla 1 muestra las relaciones de los
parmetros de red.
Los diferentes sistemas cristalinos se forman por el apilamiento de capas de tomos
siguiendo un patrn particular.
3.2.1. Construccin de cristales ccp y hcp a partir de capas de tomos con un arreglo
hexagonal compacto.

La manera ms simple de apilar una capa hexagonal compacta es colocar una sobre de
otra, dando como resultado una estructura hexagonal simple. Sin embargo, no existen
ejemplos de sta en la naturaleza, debido a que los tomos de la segunda capa tienden a
"deslizarse" hacia los "huecos" o intersticios de la primer capa. Esto est de acuerdo con
las consideraciones energticas de que un empacado compacto de tomos posee la
energa libre ms baja.
Al colacar una segunda capa compacta sobre los intersticios de la primera, y una tercera
sobre los tomos de la primera, de manera que la secuencia resultante es ABAB., la
estructura obtenida es una hexagonal compacta (hcp). En cambio, si la tercer capa se
coloca sobre la siguiente lnea de intersticios, de manera que la secuencia resultante es
ABCABC., la estructura obtenida es una cbica compacta (ccp).
Una caracterstica distintiva entre estas dos estructuras es que en la hcp existen "canales"
perpendiculares a las capas compactas, mientras que en la ccp esos canales son
bloqueados debido a la secuencia de apilamiento.
Un hecho que puede causar confusin es que la estructura ccp puede construirse apilando
capas "cuadradas" de tomos, de manera que los tomos de la segunda capa se coloquen
sobre los intersticios de la primera y as sucesivamente. Ntese como se forman las capas
hexagonales compactas. Si las capas cuadradas se apilaran una exactamente sobre la otra,
se formara la estructura cbica simple.

Aunque las estructuras hcp y ccp son la formas ms comunes de apilamiento, existen
algunos elementos en la naturaleza que presentan una "mezcla" de ambas, por ejemplo el
americio que tiene una secuencia repetitiva de cuatro capas ABACABAC.
En algunos elementos o compuestos ocurren "errores naturales" en la secuencia de
apilamiento durante el desarrollo de un cristal o por la aplicacin de esfuerzos o
deformaciones. Por ejemplo elementos que tienen una estructura ccp puede mostrar una
secuencia apilamiento. ABABC.., que a la vista parece una combinacin de las
estructuras ccp y hcp.
3.2.2. Construccin de cristales bcc.
Muchos metales poseen esta estructura, la cual no se puede obtener apilando capas
hexagonales compactas o cuadradas. En esta caso el tomo del centro de la celda
"empuja" hacia afuera los tomos de las esquinas, lo que hace que el plano ms
compactamente formado sea el que est sobre la diagonal de una cara del cubo.
Si tomamos a este plano como la capa base A, la siguiente capa B se coloca sobre los
espacios intersticiales, la tercer capa es similar a la A, por lo que la secuencia resultante
es ABAB. Los espacios intersticiales de estas capas poseen una configuracin
alargada, lo que presumiblemente ocasionara que el tomo que se coloca sobre de l,
podra deslizarse hacia un lado o hacia el otro, conduciendo a una distorsin de la
estructura.
Al comparar el plano ms compacto de la estructura bcc con la capa hexagonal compacta

de las estructuras ccp y hcp, se puede observar que al cerrar los "huecos" del primero se
obtiene un plano hexagonal compacto. Esto indica que las transformaciones bcc ccp y
bcc hcp pueden ocurrir como resultado de una distorsin de las capas compactas.
3.2.3. Patrones y redes en dos dimensiones
Motivo.- es la unin repetitiva de un patrn.
Celda.- es un arreglo de puntos en el espacio en el cual el ambiente de cada punto es
idntico.
Puntos de celda.- son las intersecciones de las lneas que definen una celda.
Una vez que se construye una celda, sta se puede clasificar de acuerdo a los elementos
de simetra que posea.
3.2.4. Elementos de simetra en dos dimensiones.
a) Espejo de simetra
b) Diada (eje de rotacin de orden 2)
c) Triada (eje de rotacin de orden 3)
d) Tetrada (eje de rotacin de orden 4)
e) Hexada (eje de rotacin de orden 6)
Todos estos elementos resultan en 10 simetras o grupos de planos de puntos, llamados
as por todos los elementos de simetra que pasan a travs de un punto. Estos grupos se
etiquetan de acuerdo a los elementos presentes; m por un plano espejo, mm o mm2 por
dos planos espejo (ms una diada) y 2 por una diada), 3 por una triada, 3m por una triada
y tres planos espejo y as sucesivamente.
3.2.5. Las 5 celdas planas
El principal criterio para determinar el tipo de celda plana es que la celda por s misma
debe poseer la simetra del motivo; puede poseer ms pero no menos.
En la prctica la mejor decisin para definir una celda es que sta debe ser lo ms
pequea posible (o primitiva, p), la cual no contenga puntos de celda dentro de ella.
Aunque algunas veces se prefiere a aquellas cuyos ngulos entre ejes sean de 90 a pesar
de que sean de un tamao mayor.
Existe otro elemento de simetra llamado lnea de deslizamiento g, la cual es parecida al
plano de simetra solo que la simetra se logra si parte de celda se deslizara una con
respecto de la otra un medio de la unidad del espaciamiento de la celda.

La combinacin de todos los elementos de simetra dan como resultado 17 grupos planos
de simetra
3.2.6. Las 14 celdas tridimensionales
Redes de Bravais.- son las diferentes opciones disponibles para el apilamiento de tomos
en forma de celdas unitarias derivadas de los siete sistemas cristalinos. Por ejemplo,
existen tres opciones para la celda cbica, 1) tomos en las esquinas del cubo, 2) un
tomo adicional en el centro del cubo, y 3) un tomo adicional en cada cara del cubo.
En el caso de redes tridimensionales existen elementos de simetra adicionales:
a) Punto de simetra.- el que permite describir la simetra de un arreglo tridimensional,
siendo stos: centro de simetra, planos espejo y ejes de inversin.
b) Elementos de simetra de translacin.- los cuales se requieren (como las lneas de
deslizamiento en dos dimensiones) para describir todos los patrones posibles que surgen
de la combinacin de motivos de diferentes simetras con sus celdas apropiadas. Estos
elementos son: planos de deslizamiento y ejes helicoidales.
La aplicacin y permutacin de todos los elementos de simetra en 3D resulta en 230
grupos espaciales en lugar de 17 en 2D.
Grupos espaciales
Celdas
Grupos puntuales de simetra
2D
15
5
10
3D
230
14
32
Las redes de Bravais propuestas pueden provocar confusin debido al patrn que sigue el
motivo en la celda.
Las celdas unitarias simplemente representan maneras arbitrarias pero convenientes de
unir los puntos de una red.
Al comparar las tres celdas cbicas nos podemos dar cuenta que la celda P slo contiene
un tomo por celda, mientras que la I contiene 2 y la F contiene 4. Si la definicin de
celda primitiva (P) dice que sta debe contener 1 punto (o tomo) por celda, las celdas I y
F no son primitivas, pero, sin embargo se pueden definir celdas primitivas dentro de stas
las cuales son rombohedrales con aristas iguales pero ngulos entre aristas de 109.47 y 60
, respectivamente. La no utilizacin de estas celdas se debe a que son no ortogonales y
porque no revelan la simetra cbica.
Una manera alternativa de visualizar la relacin entre la celda rombohedral y las cbicas,
es mediante el ngulo entre ejes resultante del apilamiento de capas hexagonales, el que
puede ser 90, 60 o 109.47.
Por otra parte, las redes de Bravais pueden asumirse como el resultado del apilamiento de
"capas" de las cinco celdas planas. Por ejemplo, las celdas cbica y tetragonal estaran
basadas en el apilamiento de celdas cuadradas; la ortorombica P e I resultaran del
apilamiento de celdas rectangulares.
La diferencia pricipal entre la celda hexagonal (P) y la rombohedral es la secuencia de
apilamiento de las capas compactas, de manera similar que entre la ccp y hcp.

Al comparar las celdas ortorhombicas con las tetragonales, por qu hay cuatro celdas
ortorhombicas P, C, I y F y slo dos tetragonales P e I?, o por qu no hay tetragonal C y
F?.
3.2.7. Simetra de las 14 redes de Bravais
Las elementos utilizados en dos dimensiones aplican para el caso de tres, pero con las
siguientes consideraciones:
1) Las lneas espejo se convierten en planos espejo.
2) Los ejes de simetra son los mismos, pero con la complicacin de que en 3D pueden
haber varios ejes pasando a travs de la celda.
Por ejemplo un cubo tiene 9 planos espejo, 3 tetradas, 4 triadas y 6 diadas. Esta
"coleccin" de elementos de simetra es llamado grupo puntual de simetra del cubo
porque todos ellos pasan a travs del punto central de ste.
El puntual de simetra de una celda es independiente si las stas son centradas o no. Por
lo que las redes de Bravais estn agrupadas en 7 sistemas cristalinos.
Sin embargo, existe una complicacin con la celda hexagonal. Cristales que poseen
simetra hexagonal, como el cuarzo, presentan una triada, por lo que dicho sistema se
determina como trigonal (que incluye las celdas de Bravais hexagonal y rombohedral).
El nico sistema que no posee ejes o planos de simetra es el triclnico, el que slo posee
centro de simetra.
3.3. -Puntos, planos y direcciones en una celda unitaria.

Puesto que la celda unitaria es la representacin ms simple de la estructura de un cristal,
sta es usada como la base para la definicin de planos y direcciones dentro de un cristal.

3.3.1. Elementos de simetra en dos dimensiones.

a) Espejo de simetra (lnea de simetra)
b) Diada (eje de rotacinde orden 2)
c) Triada (eje de rotacin de orden 3)
d) Tetrada (eje de rotacin de orden 4)
e) Hexada (eje de rotacinde orden 6)

Nota: 10 grupos puntuales de simetra (planos), llamados as por todos los elementos de
simetra que pasan a travs de un punto.
Plano.- se designa por medio de smbolos llamados ndices de Miller (hkl). Donde hkl
son el inverso de las intersecciones del plano con los ejes x, y, z. Los planos se denotan
mediante los ndices dentro de parntesis redondos, mientras que para una familia de
planos se utiliza corchetes {hkl}.
3.3.2. Las 5 celdas planas
Una celda plana debe poseer la simetra del motivo; puede poseer ms pero no menos.
La red-p oblicua
La red-p cuadrada
La red-p rectangular
La red-p hexagonal
La red-c rectangular

La celda se define como el grupo de motivos ms pequea posible (primitiva, p), que no
contenga motivos dentro de ella.
A veces se prefiere definir una cuyo ngulo entre ejes sea de 90, a pesar de que sean de
un tamao mayor.
Otro elemento de simetra es la lnea de deslizamiento g, que se parece al lnea de

simetra. La simetra se logra s parte de la celda se desliza una con respecto de la otra un
medio de la unidad del espaciamiento.
La combinacin de todos los elementos de simetra dan como resultado 17 grupos planos
de simetra.
Estos grupos se etiquetan de acuerdo a los elementos presentes; m por un plano espejo,
mm o mm2 por dos planos espejo y 2 por una diada (en su caso 3 por una triada), 3m por
una triada y tres planos espejo y as sucesivamente.
Direcciones.- se denota por las coordenadas dentro de parentesis cuadrados [hkl]. Las
coordenadas resultan del unir el origen de la celda a una esquina o punto de la celda
unitaria. La notacin se hace de la combinacin de los enteros ms pequeos en lugar de
las distancias reales, p.ej. [222] se denota como [111]. En el caso de que las coordenadas
sean 1/2,1/2,1, hay que multiplicar por 2 para obtener [112].


3.4. Las Celdas Tridimensionales

3.4.1 Redes de Bravais.- son las diferentes opciones disponibles para el apilamiento de
tomos en forma de celdas unitarias derivadas de los siete sistemas cristalinos. Por
ejemplo, existen tres opciones para la celda cbica, 1) tomos en las esquinas del cubo, 2)
un tomo adicional en el centro del cubo, y 3) un tomo adicional en cada cara del cubo.
Cbico
simple (P)
Cubico a=b=c
Tetragonal
simple (P)
Tetragonal
Cbico centrado
en el cuerpo (l)
===90C
Tetragonal centrado
en el cuerpo (l)
a = b c === 90
Ortorrmbico centrado
en la base (C)
Monoclnico
simple (P)
Monoclnico
en la cara(F)
Ortorrmbico
simple (P)
Ortorrmbico
Cbico centrado
en la cara (F)
en el cuerpo (l)
a b c === 90
Romboedral (R)
a=b=c
= = 90
Monoclnico centrado
en la base (C)
a b c = = 90
Hexagonal (P)
a=bc
== 90, = 120
Triclnico (P)
abc
90

En el caso de redes tridimensionales existen elementos de simetra adicionales:

a) Punto de simetra.- el que permite describir la simetra de un arreglo tridimensional,
siendo stos: centro de simetra, planos espejo y ejes de inversin.
b) Elementos de simetra de translacin.- los cuales se requieren (como las lneas de
deslizamiento en dos dimensiones) para describir todos los patrones posibles que surgen
de la combinacin de motivos de diferentes simetras con sus celdas apropiadas. Estos
elementos son: planos de deslizamiento y ejes helicoidales.
La aplicacin y permutacin de todos los elementos de simetra en 3D resulta en 230

grupos espaciales en lugar de 17 en 2D.
Las redes de Bravais propuestas pueden provocar confusin debido al patrn que sigue el
motivo en la celda.
Las celdas unitarias simplemente representan maneras arbitrarias pero convenientes de
unir los puntos de una red.
Al comparar las tres celdas cbicas nos podemos dar cuenta que la celda P slo contiene
un tomo por celda, mientras que la I contiene 2 y la F contiene 4. Si la definicin de
celda primitiva (P) dice que sta debe contener 1 punto (o tomo) por celda, las celdas I y
F no son primitivas, pero, sin embargo se pueden definir celdas primitivas dentro de stas
las cuales son rombohedrales con aristas iguales pero ngulos entre aristas de 109.47 y 60
, respectivamente. La no utilizacin de estas celdas se debe a que son no ortogonales y
porque no revelan la simetra cbica.

Una manera alternativa de visualizar la relacin entre la celda rombohedral y las cbicas,
es mediante el ngulo entre ejes resultante del apilamiento de capas hexagonales, el que
puede ser 90, 60 o 109.47.
Por otra parte, las redes de Bravais pueden asumirse como el resultado del apilamiento de
"capas" de las cinco celdas planas. Por ejemplo, las celdas cbica y tetragonal estaran
basadas en el apilamiento de celdas cuadradas; la ortorombica P e I resultaran del
apilamiento de celdas rectangulares.
La diferencia principal entre la celda hexagonal (P) y la rombohedral es la secuencia de
apilamiento de las capas compactas, de manera similar que entre la ccp y hcp.
Ejercicio
Al comparar las celdas ortorhombicas con las tetragonales, por qu hay cuatro celdas
ortorhombicas P, C, I y F y slo dos tetragonales P e I?, o por qu no hay tetragonal C y
F?.
3.4.2 Simetra de las 14 redes de Bravais
Los elementos utilizados en dos dimensiones aplican para el caso de tres, pero con las
siguientes consideraciones:
1) Las lneas espejo se convierte en planos espejo.
2) Los ejes de simetra son los mismos, pero con la complicacin de que en 3D pueden
haber varios ejes pasando a travs de la celda.
Por ejemplo un cubo tiene 9 planos espejo, 3 tetradas, 4 triadas y 6 diadas. Esta
"coleccin" de elementos de simetra es llamada grupo puntual de simetra del cubo
porque todos ellos pasan a travs del punto central de ste.

El puntual de simetra de una celda es independiente si las stas son centradas o no. Por
lo que las redes de Bravais estn agrupadas en 7 sistemas cristalinos.
Sin embargo, existe una complicacin con la celda hexagonal. Cristales que poseen
simetra hexagonal, como el cuarzo, presentan una triada, por lo que dicho sistema se
determina como trigonal (que incluye las celdas de Bravais hexagonal y rombohedral).
El nico sistema que no posee ejes o planos de simetra es el triclnico, el que slo posee
centro de simetra.
3.4.3 Contenido atmico.-contenido de los atmos por celda unitaria
Cubica P contiene 1 tomo
Cubica I contiene 2 tomos
Cubica F contiene 4 tomos

3.5. Punto, planos y direcciones en una celda unitaria

Puesto que la celda unitaria es la representacin ms simple de la estructura de un cristal,
sta es usada como la base para la definicin de planos y direcciones dentro de un cristal.
Plano.- se designa por medio de smbolos llamados ndices de Miller (hkl). Donde hkl
son el inverso de las intersecciones del plano con los ejes x, y, z. Los planos se denotan
mediante los ndices dentro de parntesis redondos, mientras que para una familia de
planos se utiliza corchetes {hkl}.
Direcciones.- se denota por las coordenadas dentro de parntesis cuadrados [hkl]. Las
coordenadas resultan del unir el origen de la celda a una esquina o punto de la celda
unitaria. La notacin se hace de la combinacin de los enteros ms pequeos en lugar de
las distancias reales, p.ej. [222] se denota como [111]. En el caso de que las coordenadas
sean 1/2,1/2,1, hay que multiplicar por 2 para obtener [112].

3.6. Sitios intersticiales

Como se vi anteriormente la secuencia de apilamiento de tomos sirve para definir la
estructura cristalina de un material, sin embargo, puede ser til para definir la estructura
de compuestos de tiene dos o ms elementos. En particular, en compuestos en los que
uno de los tomos o iones son relativamente "pequeos".
Las diferentes estructuras de los compuestos dependen del nmero y tamao de los sitios
intersticiales que pueden estar presentes en cualquier estructura cristalina.
En una estructura ccp existen dos tipos y tamaos de intersticios: tetrahdrico y
octahdrico.
La relacin de radios para el intersticio tetrahdrico es 0.225
y para el octahdrico 0.414.
En una estructura BCC existen dos tipos y tamaos de intersticios: tetrahdricos y

octahdricos.
La relacin de radios para el intersticio tetrahdrico es 0.154

La relacin de radios para el intersticio octahdrico es 0.291
En una estructura cbica simple slo existe un intersticio en el centro del cubo, por lo que
a este sitio se le llama intersticio cbico. La relacin de radios para este intersticio es
0.732.
3.7. Cristales inicos y covalentes.

Cristales inicos.- formados por aniones y cationes de tal manera que la neutralidad
electrosttica se mantiene y cada tomo logra su estabilidad.
La estructura cristalina est determinada por el nmero de tomos de cada elemento
requeridos para lograr la neutralidad elctrica y el empaquetamiento optimo basado en el
tamao relativo de los iones.
El tamao de in se denomina radio inico y depende en cierto grado de los iones que lo
rodean.
El tamao relativo de los iones puede ser una buena referencia para determinar el nmero
de coordinacin (nmero de vecinos ms cercanos) ms probable de stos dentro de la
red. Para el caso de aleaciones binarias:
A/X = 0.155 - 0.225 [n] = 3
A/X = 0.225 - 0.414 [n] = 4
A/X = 0.414 - 0.732 [n] = 6
A/X > 0.732 [n] = 6 o 8

Una manera simple de calcular el nmero de coordinacin de alguno de los iones es

mediante la expresin:
[Vc]/(CN)c = [Va]/(CN)
a, la cual surge de la condicin de mantener la neutralidad elctrica.
La mayora de los cristales inicos tiene estructuras compactas.
El enlace inico esta asociado con los electrones del orbital s (el cual tiene una
distribucin de probabilidad esfrica), por lo que sera un enlace no direccional si fuera
puramente inico. Sin embargo, hay una tendencia hacia una concentracin de electrones
entre los centros de los tomos, lo que produce cierto grado de carcter no-inico, lo que
causa desviaciones en los nmero de coordinacin esperados.
En el caso de compuestos ternarios el estudio de las estructuras cristalinas se vuelve
bastante complejo.
Cristales covalentes.- por lo general son estructuras complejas que satisfacen las
restricciones direccionales impuestas por los enlaces covalentes.
La estructura cristalina ms importante de los cristales covalentes es la cbica de
diamante, la que se presenta en el Si, Ge y C.
En un cristal de Si cada tomo est unido a otros cuatro para formar un tetrahedro. El
apilamiento de grupos tetrahdricos resulta en un cubo "grande", el cual contiene ocho
cubos del mismo tamao que los "cubos tetrahdricos", sin embargo, solo cuatro de stos
contienen tetrahedros. El cubo "grande" es la celda unitaria de la cbica diamante, la cual
se define como una celda fcc con cuatro tomos en sitios tetrahdricos
Un caso particular de importancia es la slice cristalina, en la cual los enlaces son en parte
inicos y en parte covalentes. El nmero de coordinacin es 4, por lo que se forman
tetrahedros los cuales se pueden agrupar para formar la b-cristobalita, la que es una celda
fcc.

3.8. Transformaciones alotrpicas o polimrficas

Conforme la presin y la temperatura cambian, la distancia interatmica y el nivel de
vibracin cambian, de tal manera que una estructura deja de ser estable bajo estas nuevas
condiciones producindose un cambio. Este cambio es denominado transformacin
alotrpica o polimrfica.
El trmino alotropa se reserva a elementos puros, mientras que polimorfismo se utiliza
preferentemente cuando nos referimos a compuestos.
Existen dos tipos de transformacin polimrfica, por desplazamiento y reconstructiva.
ALTO
CUARZO
RECONSTRUCTIVA
ALTA
TRIDIMITA
867C
V
1.6%
V
0.3%
TRIDIMITA
MEDIA
DESPLAZAMIENTO
105C
BAJO
CUARZO
ALTA
CRISTOBALITA
1470C
DESPLAZAMIENTO
160C
DESPLAZAMIENTO
573C
RECONSTRUCTIVA
DESPLAZAMIENTO
200-270C
V
>3%
V
0.8%
BAJA
TRIDIMITA
BAJA
CRISTOBALITA
En la primera no hay ruptura de enlaces pero si una distorsin de la estructura debida al

cambio del ngulo entre enlaces. Un posible inconveniente de esta transformacin son los
grandes cambios de volumen asociados. La transformacin martenstica en metales es un
ejemplo de esta transformacin. En el segundo tipo una estructura nueva se forma
despus de la ruptura de los enlaces originales. La energa requerida para la
transformacin reconstructiva es mayor que para la transformacin por desplazamiento,
por lo que ser ms lenta. Su aprovechamiento se da en la retencin a temperatura
ambiente de fases que slo son estables a altas temperaturas, mediante un enfriamiento
rpido. En la fabricacin de ladrillos de silica se adiciona CaO o CaCO3 como fundente
para disolver el cuarzo y precipitarlo como tridymita, la cual sufre mucho menos
contraccin durante la transformacin, por lo que disminuye la tendencia a la fractura o
debilitamiento.
3.9. Difraccin de Rayos-X (ley de Bragg)

Histricamente mucho del entendimiento que tenemos de los arreglos atmicos y
moleculares en los slidos han sido resultado de investigaciones mediante rayos-X.

La difraccin ocurre cuando una onda encuentra una serie de obstculos espaciados
regularmente, tal que son (1) capaces de dispersar la onda , y (2) que los espacios son
comparables en magnitud a la longitud de onda. Por otro lado, la difraccin es
consecuencia de las relaciones especificas de las fases que se establecen entre dos o ms
ondas que han sido dispersadas por obstculos.
Considerando las ondas 1 y 2 de la siguiente figura, las cuales tienen la misma longitud
de onda () y estn sobre el mismo plano O-O`, y suponiendo que ambas ondas son
dispersadas de tal manera que siguen diferentes trayectorias. La relacin de fase entre las
ondas dispersadas, dependen de la diferencia del patrn de longitud del camino recorrido.
Una posibilidad es que esta diferencia de longitud del camino recorrido sea un nmero
integral de longitudes de onda. Como se nota en la Figura (a), estas ondas dispersadas
(ahora denotadas 1`y 2`) estn en fase. Se dice que se refuerzan mutuamente
(interferencia constructiva) y , cuando las amplitudes son aadidas, la onda resultante se
intensifica como se muestra en la parte derecha de la figura. Esta es una manifestacin de
difraccin, y la referimos como un rayo difractado compuesto de un gran nmero de
ondas dispersadas, que se refuerzan unas con otras.
(a) Demostracin de como dos ondas (1 y 2) que tienen la misma longitud de onda y que estn en
fase despus del evento de dispersin (1`y 2`) interfieren constructivamente una con la otra. (b)
Demostracin de como dos ondas ( 3 y 4) que tienen la misma longitud de onda y que llegan a estar
fuera de fase despus del evento de dispersin (3`y 4`), interfieren destructivamente una con la otra.
Otras relaciones de fase son posibles entre las ondas dispersadas que no resultan en un
reforzamiento mutuo. La otra situacin extrema se demuestra en la Figura (b), donde la
diferencia de las longitudes de los caminos recorridos despus de la dispersin es un
nmero integral de la mitad de la longitud de onda. Las ondas dispersadas estn fuera de
fase esto es, se cancelan las amplitudes correspondientes o se anulan una a la otra,
interfieren destructivamente (p.ej. la onda resultante tiene una amplitud cero), como se
indica en el lado derecho de la Figura. Es claro que una relacin de fase intermedias entre
estos dos casos extremos es posible, dando como resultado un reforzamiento parcial.
La ley de Bragg: Los rayos-X son un tipo de radiacin electromagntica que tiene una
alta energa y longitudes de onda muy cortas, las longitudes de onda son del orden de
espacios atmicos de los slidos. Cuando un haz de rayos-X incide sobre un material
slido, una porcin de este rayo se dispersar en todas las direcciones por los electrones
asociados a cada tomo o in que est dentro del camino del haz. Consideremos ahora las
condiciones necesarias para la difraccin de rayos-X por un arreglo peridico de tomos.
Si se tienen dos planos de tomos A-Ay B-B , como se muestra en la siguiente Figura,
que poseen los mismos ndices de Miller h,k y l, y estn separados por la distancia
interplanar dhkl . Asumiendo que un haz de rayos-X de longitud de onda , paralelo,
monocromtico y coherente (en fase) incide en estos dos planos con un ngulo , dos
rayos de este haz (1 y 2), son dispersados por los tomos P y Q. Ocurrir una
interferencia constructiva entre los rayos dispersados (1y 2) a un ngulo de los planos,
si la diferencia de la longitud del camino recorrido entre 1-P-1y 2-Q-2 (p.ej., SQ +QT )
es igual a un nmero n, de longitudes de onda. Esta es la condicin de difraccin:
n = SQ +QT
Difraccin de rayos-X por los planos de tomos A-A y B-B

W. L. Bragg visualiz la difraccin de rayos-X en trmino de reflexiones provenientes de

los planos de un cristal, dando como resultado la simple relacin (conocida como la Ley
de Bragg):
n = 2dhkl sin
Para que una familia de planos cristalogrficos difracte, la diferencia del camino
recorrido por ondas dispersadas sea un mltiplo entero de la longitud de onda:
(SQ +QT) = nl = (dhkl sin + dhkl sin) = 2dhkl sin

Cuando esta condicin no se cumple, se obtiene interferencia destructiva.
La difraccin de rayos-X de cristales cbicos est condicionada de la siguiente manera:
a) cbica P.- todos lo planos difractan
b) cbica F.- los ndices hkl son todos pares o impares
c) cbica I.- la suma de los ndices hkl sea un nmero par
Tcnicas de difraccin.
Una tcnica comn de difraccin consiste en utilizar polvos del espcimen en estudio, el
cual consiste de partculas orientadas al azar que estn expuestos a una radiacin-X
monocromtica. Cada partcula de polvo es un cristal, y teniendo una gran cantidad de
stos con orientaciones al azar asegura que algunas partculas estn apropiadamente
orientadas, de manera que cada grupo posible de planos de difraccin sea capaze de
difractarse.
El difractmetro es un aparato usado para determinar los ngulos a los cuales la
difraccin ocurre en una muestra, sus caractersticas se muestran en la siguiente Figura.
Una muestra S, en forma de una placa se coloca de manera que la rotacin se lleve acabo
en el eje O. Este eje es perpendicular al plano de la pgina. El haz de rayos-X
monocromtico es generado en el punto T, y las intensidades de los haces difractados son
detectadas por un contador C. La muestra, la fuente de rayos-X y el contador son todos
coplanares.
El contador se encuentra en un dispositivo movil, el cual tambin puede ser rotado
alrededor del eje O; su posicin angular en trminos de 2 se marca en una regla
graduada. El contenedor y la muestra estn mecnicamente acoplados, de tal manera que
la rotacin de la muestra en un ngulo est acompaada por una rotacin del contador n
de 2; sto asegura que los ngulos incidentes y de reflexin se mantengan igual uno con
respecto al otro.
O S
Diagrama esquemtico de un difractmetro de rayos-X; T= fuente de rayos-X, S= muestra,

C = detector y O= eje de rotacin alrededor del cual rota el detector y la muestra
Como el contador se mueve a una velocidad constante, un medidor grfica

automticamente las intensidad de los rayos difractados (monitoreados por el contador)
como una funcin de 2. 2 es el de ngulo de difraccin, el cual se mide
experimentalmente. La siguiente Figura muestra un patrn de difraccin de polvos de
espuma de aluminio. Los picos de alta intensidad resultan cuando las condiciones de
difraccin de Bragg se satisfacen por un grupo de planos cristalogrficos.
110
Al (111)
Espuma C
Espuma B
Espuma A
100
90
Al (200)
Intensidad Relativa
80
70
60
SiC (111)
Al (220)
50
Al (311)
40
Si (111)
SiC (220)
30
SiC (311)
Si (220)
20
Al (222)
Si (311)
SiC (200)
10
0
30
40
50
60
70
80
Difractograma de espumas de aluminio mostrando las fases presentes y los planos de difraccin.
Espumas A, B y C representan diferentes tamaos de clula. (Cortesa de J.O.D. Barceinas
2001).



Ingenieria de Los Materiales 2

Cargado por

Información del documento

Derechos de autor

Formatos disponibles

Compartir este documento

Compartir o incrustar documentos

Opciones para compartir

¿Le pareció útil este documento?

¿Este contenido es inapropiado?

Copyright:

Formatos disponibles

Ingenieria de Los Materiales 2

Cargado por

Copyright:

Formatos disponibles

3.

- ORDENAMIENTO ATMICO DE LOS SLIDOS

3.1.- Orden de corto y largo alcance

Los materiales al estado slido pueden ser o no cristalinos.

CIENCIA E INGENIERA DE LOS MATERIALES CAPITULO 3: ORDENAMIENTO ATMICO DE LOS SLIDOS

3.1. Orden de Corto y Largo Alcance

Figura 3.1. Nivel de arreglo atmico en vidrio

Figura 3.2. Estructura tetradrica en la slice

CIENCIA E INGENIERA DE LOS MATERIALES CAPITULO 3: ORDENAMIENTO ATMICO DE LOS SLIDOS

Un ejemplo de estructura vtrea es la slice (SiO2) cuya unidad estructural es un tetraedro

Normalmente la polimerizacin se da en molculas idnticas, sin embargo, la

CIENCIA E INGENIERA DE LOS MATERIALES CAPITULO 3: ORDENAMIENTO ATMICO DE LOS SLIDOS

El dacrn es un ejemplo de este proceso. Este sintetiza por la reaccin de dimetil

CIENCIA E INGENIERA DE LOS MATERIALES CAPITULO 3: ORDENAMIENTO ATMICO DE LOS SLIDOS

Las propiedades de los polmeros se ven afectadas por el grado de cristalinidad, el

3.2. Estructura cristalina de los materiales

CIENCIA E INGENIERA DE LOS MATERIALES CAPITULO 3: ORDENAMIENTO ATMICO DE LOS SLIDOS

CIENCIA E INGENIERA DE LOS MATERIALES CAPITULO 3: ORDENAMIENTO ATMICO DE LOS SLIDOS

Al comparar el plano ms compacto de la estructura bcc con la capa hexagonal compacta

CIENCIA E INGENIERA DE LOS MATERIALES CAPITULO 3: ORDENAMIENTO ATMICO DE LOS SLIDOS

CIENCIA E INGENIERA DE LOS MATERIALES CAPITULO 3: ORDENAMIENTO ATMICO DE LOS SLIDOS

3.3. -Puntos, planos y direcciones en una celda unitaria.

CIENCIA E INGENIERA DE LOS MATERIALES CAPITULO 3: ORDENAMIENTO ATMICO DE LOS SLIDOS

3.3.1. Elementos de simetra en dos dimensiones.

b) Diada (eje de rotacinde orden 2)

c) Triada (eje de rotacin de orden 3)

d) Tetrada (eje de rotacin de orden 4)

e) Hexada (eje de rotacinde orden 6)

CIENCIA E INGENIERA DE LOS MATERIALES CAPITULO 3: ORDENAMIENTO ATMICO DE LOS SLIDOS

Otro elemento de simetra es la lnea de deslizamiento g, que se parece al lnea de

CIENCIA E INGENIERA DE LOS MATERIALES CAPITULO 3: ORDENAMIENTO ATMICO DE LOS SLIDOS

CIENCIA E INGENIERA DE LOS MATERIALES CAPITULO 3: ORDENAMIENTO ATMICO DE LOS SLIDOS

3.4. Las Celdas Tridimensionales

CIENCIA E INGENIERA DE LOS MATERIALES CAPITULO 3: ORDENAMIENTO ATMICO DE LOS SLIDOS

En el caso de redes tridimensionales existen elementos de simetra adicionales:

La aplicacin y permutacin de todos los elementos de simetra en 3D resulta en 230

CIENCIA E INGENIERA DE LOS MATERIALES CAPITULO 3: ORDENAMIENTO ATMICO DE LOS SLIDOS

CIENCIA E INGENIERA DE LOS MATERIALES CAPITULO 3: ORDENAMIENTO ATMICO DE LOS SLIDOS

CIENCIA E INGENIERA DE LOS MATERIALES CAPITULO 3: ORDENAMIENTO ATMICO DE LOS SLIDOS

3.5. Punto, planos y direcciones en una celda unitaria

CIENCIA E INGENIERA DE LOS MATERIALES CAPITULO 3: ORDENAMIENTO ATMICO DE LOS SLIDOS

3.6. Sitios intersticiales

y para el octahdrico 0.414.

En una estructura BCC existen dos tipos y tamaos de intersticios: tetrahdricos y

CIENCIA E INGENIERA DE LOS MATERIALES CAPITULO 3: ORDENAMIENTO ATMICO DE LOS SLIDOS

La relacin de radios para el intersticio octahdrico es 0.291

3.7. Cristales inicos y covalentes.

CIENCIA E INGENIERA DE LOS MATERIALES CAPITULO 3: ORDENAMIENTO ATMICO DE LOS SLIDOS

Una manera simple de calcular el nmero de coordinacin de alguno de los iones es

CIENCIA E INGENIERA DE LOS MATERIALES CAPITULO 3: ORDENAMIENTO ATMICO DE LOS SLIDOS

3.8. Transformaciones alotrpicas o polimrficas

En la primera no hay ruptura de enlaces pero si una distorsin de la estructura debida al

3.9. Difraccin de Rayos-X (ley de Bragg)

CIENCIA E INGENIERA DE LOS MATERIALES CAPITULO 3: ORDENAMIENTO ATMICO DE LOS SLIDOS

Difraccin de rayos-X por los planos de tomos A-A y B-B

W. L. Bragg visualiz la difraccin de rayos-X en trmino de reflexiones provenientes de

(SQ +QT) = nl = (dhkl sin + dhkl sin) = 2dhkl sin

Diagrama esquemtico de un difractmetro de rayos-X; T= fuente de rayos-X, S= muestra,

Como el contador se mueve a una velocidad constante, un medidor grfica

CIENCIA E INGENIERA DE LOS MATERIALES CAPITULO 3: ORDENAMIENTO ATMICO DE LOS SLIDOS

CIENCIA E INGENIERA DE LOS MATERIALES CAPITULO 3: ORDENAMIENTO ATMICO DE LOS SLIDOS

También podría gustarte