Fsica 4.

Ing. Christian Aldaco.

El primer transistor creado fue el de

puntas de contacto en 1947 por John
Bardeen

1948 Shockley propuso el transistor

bipolar de unin (npn pnp)

1948 Shockley propuso el transistor bipolar de unin

(npn pnp)

Zona de trabajo
Directa-Inversa Activa
Directa-DirectaSaturacin
Inversa-InversaCorte
Inversa-Directa Activa inversa
5

1951 Teal, Spark y Buehler

construyeron el primer transistor de
union bipolar con posibilidades de
comercio

1. Purificacin del substrato (Fabricacin de

obleas)

2.- Oxidacin

3.- Litografa y Grabado

4.- Impurificacin

1.

El primer paso en la fabricacin de un dispositivo

semiconductor es obtener materiales
semiconductores, como germanio y silicio, del nivel
de impurezas deseado. Los niveles de impurezas de
menos de una parte en mil millones (1 en
1.000.000.000) se requiere para la mayor parte de
la fabricacin de semiconductores de hoy da.

silicio

Germanio.

La materia prima se somete primero a una serie

de reacciones qumicas y a un proceso de
refinacin de zona para formar un cristal poli
cristalino del nivel deseado de pureza. Los tomos
del cristal poli cristalino se acomodan al azar,
mientras que en el cristal deseado los tomos se
acomodan en forma simtrica, uniforme, con
estructura geomtrica en enrejado.

La operacin final antes de que la

fabricacin del semiconductor se lleve a
cabo es la formacin de un solo cristal de
germanio o silicio. Esto se puede lograr
usando la tcnica de Czochralski o la de
zona flotante, la ltima es la que se ha
diseado recientemente. El aparato
empleado en la tcnica de Czochralski se
muestra en la siguiente diapositiva.

Este mtodo es utilizado para la

obtencin desiliciomonocristalino
mediante uncristalsemilla
depositado por un bao de silicio. Es
de amplio uso en la
industriaelectrnicapara la
obtencin dewafersuobleas,
destinadas a la fabricacin
detransistoresycircuitos integrados.

El mtodo consiste en tener un crisol (generalmente

de cuarzo) que contiene el semiconductor fundido, por
ejemplogermanio. La temperatura se controla para
que est justamente por encima delpunto de fusiny
no empiece a solidificarse. En el crisol se introduce
una varilla que gira lentamente y tiene en su extremo
un pequeo monocristal del mismo semiconductor que
acta como semilla. Al contacto con la superficie del
semiconductor fundido, ste se agrega a la semilla,
solidificndose con su red cristalina orientada de la
misma forma que aquella, con lo que el monocristal
crece. La varilla se va elevando y, colgando de ella, se
va formando un monocristal cilndrico. Finalmente se
separa el lingote de la varilla y pasa a lafusin por
zonaspara purificarlo.

Proceso de la creacin de los cristales

Crisol usado en el proceso

Crisol despus del proceso

Lingote de silicio monocristalino

El proceso parte de un cilindro de silicio

policristalino
Se sostiene verticalmente y se conecta uno de
sus extremos a la semilla
Una pequea zona del cristal se funde mediante
un calentador por radio frecuencia que se
desplaza a lo largo de todo el cristal desde la
semilla
El Si fundido es retenido por la tensin
superficial entre ambas caras del Si slido
Cuando la zona flotante se desplaza hacia
arriba, el silicio monocristalino se solidifica en el
extremo inferior de la zona flotante y crece
como una extensin de la semilla

Cristal de silicio en el inicio del

proceso de crecimiento

Crecimiento del cristal de silicio

La estructura del cristal simple

producida puede cortarse en obleas
algunas veces tan delgadas como
1/1000 ( 0.001) de pulgada

 Las obleas de Si se montan en un carrete de cuarzo

Este se mete dentro de un tubo de cuarzo situado dentro de
un horno de apertura cilndrica calentado por resistencia
T entre los 850 y
1100C

Dos tipos de oxidacin: Seca y hmeda

Oxidacin Hmeda
Se introduce vapor de agua en el horno
Si(s) +2H2O(g) SiO2(s) + 2H2(g)
Es mucho mas rpida y se utiliza para crear xidos
gruesos

Oxidacin seca
Se introduce gas de oxigeno puro
Si(s) + O2(g) SiO2(s) + 2H2(g)
Se consiguen xidos de mayor calidad pero es ms
lenta
Esta tcnica no es apropiada para la creacin de xidos gruesos ya
que se puede producir una redistribucin de las impurezas
introducidas en los anteriores procesos

Tipos de Hornos
Horno vertical

Horno horizontal

Se cubre la oblea con una

fotoresina + o Se hace incidir luz U.V. a
travs de una mascara
Se ablanda (+) o se endurece
(-) la resina expuesta

Se elimina la fotoresina no
polimerizada con
tricloroetileno
Grabado: se ataca con HCl o HF
y se elimina el SiO2 no
protegido por la fotoresina

Se elimina la fotoresina
con un disolvente
Sulfrico SO4H2

27

Grabado

Hmedo y Seco

(a) Hmedo:
Bao de cido fluorhdrico o
clorhdrico que ataca SiO2 no
protegido, pero no ataca al Si.
Gran selectividad
Problema: ataque isotrpico
igual en todas las direcciones

(b) Seco:
Se usa un plasma con un gas
ionizado
Grabado Fsico o qumico
Ataque anistropo
Menor selectividad
28

4) Impurificacin (adicin de dopantes)

Dos mtodos: Difusin e implantacin inica

Difusin
Se colocan las obleas en el interior de
un horno a travs del cual se hace pasar
un gas inerte que contenga el dopante
T entre 800 y
deseado.
1200 C
Para Si tipo P el dopante ms usual es el Boro y para tipo N se
usa el Arsnico y Fsforo.
Tienen una alta solubilidad en silicio en el rango
de temperatura de difusin.
Se puede distinguir entre dos formas al realizar la
difusin:
30

a) Con fuente ilimitada: cuando se mantiene la misma

concentracin de impurezas durante el proceso
b) Con fuente limitada: se parte de una concentracin
inicial y no se aaden mas dopantes
Normalmente se usan los dos mtodos uno seguido del otro.
La profundidad de la difusin depender del tiempo y de la
temperatura.
La concentracin de dopante disminuye montonamente a
medida que se aleja de la superficie.
La tcnica de difusin tiene el problema de que las impureza
se difunden lateralmente

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