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Unidad 3 Tcnicas de Fabricacin de diodos.

3. Introduccin a los dispositivos de unin.


3.1 Fabricacin de uniones p-n.
Antes de comprender como funciona una unin p-n, se discutir como es que se
forma la unin p-n. Para fabricar las uniones p-n se necesita de un amplio conocimiento
acumulado y de la eperiencia de muc!os "rupos de in#esti"acin. $n el si"uiente estudio
no se pretende dar una descripcin completa de las tcnicas usadas industrialmente y nada
ms se abordarn al"unos mtodos de los ms bsicos.
3.1.1. Crecimiento de la Unin.
$sta tcnica de crecimiento de la unin era muy aplicada en los inicios del
desarrollo de los semiconductores para fabricar diodos, en la actualidad nada ms se utili%a
en los laboratorios. &os diodos se formaban a partir de la tcnica de '%oc!rals(i. Por
e)emplo, en el crisol se tiene silicio fundido al cual se le a"re"aron impure%as de Arsnico *
+mpure%as donadoras, ,d - . ./
.0
tomos1cm
3
2 para obtener un material etr3nseco tipo n
*fi"ura 3..2. $l proceso contin4a !aciendo "irar lentamente el fundido y al mismo tiempo
retirndolo. Posteriormente se detiene el crecimiento y a continuacin se le a"re"an
impure%as del tipo aceptoras * Aluminio en una cantidad de 0 ./
.0
tomos1cm
3
2 para
formar el material etr3nseco tipo p.
&a concentracin neta de portadores suministrados por los tomos de impure%a es
i"ual a la diferencia entre las concentraciones de tomos donadores y tomos aceptores. &a
si"uiente epresin nos da el #alor de la concentracin de donadores en eceso 5,67
a
N
d
N N
8i el #alor de N resulta ser positi#o, eiste una mayor concentracin efecti#a de
donadores que suministran al material de electrones de conduccin. Por otra parte, si N
resulta ser ne"ati#a, !ay ms cantidad de tomos aceptores y, por lo tanto, !abr una
concentracin efecti#a de aceptores mayor que suministran !uecos de conduccin.
9:
*3..2
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Fi"ura 3.. Fabricacin del crecimiento de la unin.
Aplicando esta frmula a las impure%as que se a"re"aron a la fusin del e)emplo
anterior, resulta7

,
_

,
_

3
.0
./ 0
3
.0
./ .
cm
toms
X
cm
tomos
X N
3
.0
./ ;
cm
tomos
X N
$ste #alor nos dice que !ay una cantidad mayor de !uecos en la fusin< as3 que el
material que se form al a"re"ar aluminio al fundido es un material tipo p *fi"ura 3..b2. 8e
pueden ir alterando las impure%as en la fusin de una manera alternada, !asta que la fusin
est totalmente impurificada. Una #e% que el proceso se !a completado, se comien%a por
cortar secciones trans#ersales del lin"ote para formar obleas de silicio que contienen solo
9=
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uniones p-n. $stas obleas son posteriormente cortadas en peque>os cuadros *fi"ura 3..c2,
los cuales sern los futuros diodos. $sta tcnica permite obtener un "ran n4mero de diodos
* a #eces !asta miles de ellos2.
$l rea que tienen los diodos es lo suficientemente "rande para poder soportar
ele#ados ni#eles de corriente pero, esto a"re"ar tambin #alores capaciti#os indeseables en
la unin.
3.1.2 Uniones por Aleacin.
$ste mtodo se !a #enido utili%ando desde los a>os 0/?s< un e)emplo del proceso es
el si"uiente. A una muestra de material tipo n de "ermanio, se le coloca encima un punto de
+ndio *impure%a tipo aceptora, fi"ura 3.@a2, a continuacin se calientan a una temperatura
de aproimadamente .9/A' *para estos dos elementos, fi"ura 3.@b2 formndose una
peque>a fusin local 5aleacin6 entre los dos materiales. A continuacin, la temperatura
se disminuye y el "ermanio comien%a a crecer fuera de la me%cla de la aleacin *despus de
la unin2< este recrecimiento tiene la misma estructura del ret3culo del "ermanio ori"inal
pero a!ora est fuertemente impurificado con tomos de +ndio y, por lo tanto, es un
material tipo p *fi"ura 3.@c2.
Fi"ura 3.@ Proceso de Aleacin.
Para pre#enir la formacin de oido en la superficie del cristal y en la aleacin
durante el calentamiento, el proceso se reali%a en atmsferas reducidas *como !idr"eno o
B/
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incluso con "ases inertes o al #ac3o2< debido a que el oido puede in!ibir el proceso de
aleacin.
&a parte superior de la pelotita de indio se puede utili%ar como contacto !mico
*para colocar una terminal2 en la re"in tipo p. Para el otro contacto !mico en la re"in
tipo n se debe e#aporar una me%cla de oro con antimonio *aproimadamente /..C 8b2 a
una temperatura aproimada de ;//A' para formar una re"in tipo n fuertemente dopada y
que permita una menor resistencia.
3.1.3. Mtodo de Diusin.
&a tcnica ms com4n para "randes #ol4menes de produccin es el proceso de
difusin de impure%as. $isten dos mtodos en esta tcnica< la primera es la difusin slida
y la se"unda, la difusin "aseosa. $n cuestiones de duracin, este 4ltimo proceso requiere
de un tiempo mayor que el de aleacin, pero es relati#amente ms barato y se puede
controlar el proceso de fabricacin con bastante precisin. &a mayor diferencia que eiste
entre el mtodo "aseoso y el de aleacin es que la licuefaccin no se presenta en el mtodo
de difusin. $n este 4ltimo mtodo se utili%a el calor para aumentar la acti#idad de los
elementos in#olucrados.
$n el primer mtodo, el de la difusin slida *fi"ura 3.3a2, se colocan las impure%as
aceptores sobre toda la superficie de un material tipo n y ambos se calientan !asta lo"rar
que las impure%as se difundan dentro del material tipo n y as3, formar una capa de material
tipo p.
$n la difusin "aseosa en lu"ar de colocar las impure%as sobre el material tipo n,
estas ya se encuentran en forma "aseosa. $l material tipo n se introduce dentro de esta
atmsfera "aseosa y posteriormente se calientan *fi"ura 3.3b2< as3, las impure%as se
difunden dentro del material tipo n y forman una capa de material tipo p.
B.
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Fi"ura 3.3 Proceso de Difusin.
3.1.! Mtodo otolito"r#ico.
A una oblea base de material tipo n
+
, se le a"re"a una capa de material tipo n< la n
+
si"nifica que es un material fuertemente dopado que tiene la caracter3stica de presentar una
resistencia muy peque>a y por lo tanto, actuar como una etensin semiconductora del
conductor *capa metlica2 y no como el material tipo n de la unin p-n *paso .2. &a oblea se
coloca en un !orno que contiene "as de E
@
para !acer crecer una capa de 8iE
@
con un
espesor de apenas . micra *paso @2. &ue"o se aplica una capa de fotoresina *FF2, paso 3<
esta capa se puede polimeri%ar con lu% ultra#ioleta. Despus se coloca una mscara con los
moti#os del dispositi#o y se !ace pasar lu% ultra#ioleta quedando la capa FF polimeri%ada
ecepto en los c3rculos de la mscara *paso ;2. A continuacin se quitan las reas
despolimeri%adas *c3rculos2, paso 0. Utili%ando cido !ydrofluorico se remue#e el 8iE
@
sin
alterar o perturbar al 8i *paso 92. $l material que qued de PF se remue#e y, se e#apora
directamente por las #entanas tomos de Goro que pueden difundirse directamente !acia el
material tipo n y formar el diodo *paso B2. A continuacin se e#apora sobre toda la
superficie aluminio *paso :2. Por 4ltimo, se coloca otra mscara G y se repiten los pasos @,
3 y ;< este 4ltimo paso es para tener un rea sobre el material tipo p en la cul se puede
tener un contacto !mico que act4e como una terminal del diodo. $ntonces los dispositi#os
indi#iduales pueden ser separados por rayado de la oblea.
B@
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Fi"ura 3.; Proceso del mtodo Fotolito"rfico.
3.2 Diodo en estado de e$uilibrio.
Anteriormente !emos #isto como se fabrican las uniones p-n< a!ora, centraremos
nuestra atencin en el estudio de los materiales cuya densidad de impure%as puede #ariar de
un punto a otro y, en particular, en materiales que contienen una re"in etr3nseca tipo p y
tipo n separadas por una %ona de transicin relati#amente an"osta
B3
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3.2.1 %ipos de Uniones.
$isten dos tipos de uniones p-n7 una se le llama unin abrupta y a la otra unin
graduada. $n la primera eiste una concentracin de impure%as aceptoras constante a todo
lo lar"o de la re"in p y lo mismo sucede en la re"in n pero, de impure%as donadoras. $n
la unin "raduada, las impure%as aceptoras en la re"in p comien%an con un #alor "rande
de concentracin y #an decreciendo conforme se acerca a la unin< en la re"in n cerca de
la unin comien%a con un #alor peque>o y aumenta de concentracin conforme se ale)a de
la unin. &a fi"ura 3.0 ilustra estos dos casos.
Fi"ura 3.0 'oncentracin de tomos de impure%as de una unin p-n abrupta y una unin p-n
"radual.
8e le dar un mayor nfasis a las re"iones abruptas debido a que son ms fciles de
anali%ar matemticamente y, para la mayor3a de los dispositi#os ms importantes una
representacin aproimada de sta unin es aceptable.
3.2.2 &roceso de recombinacin.
&a recombinacin de electrones y !uecos es un proceso en el cual ambos portadores
*electrones y !uecos2 se aniquilan entre s3< los electrones se desploman en uno o #arios
pasos !acia el estado #ac3o *!uecos2 y ambos portadores desaparecen mas tarde en el
B;
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proceso. &a diferencia de ener"3a entre el estado inicial y final del electrn se emite, esto
lle#a a una clasificacin de los procesos de recombinacin. &a fi"ura 3.9 muestra los
procesos bsicos de recombinacin.
Fi"ura 3.9 Procesos de recombinacin. *a2 banda a banda *radiacti#o o de Au"er2, *b2
Fecombinacin de ni#el simple, *c2 recombinacin multi-ni#el.
B0
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&a fi"ura 3.9a muestra la recombinacin banda a banda que ocurre cuando un
electrn se 5cae6 de su estado en la banda de conduccin a un estado #ac3o *!ueco2 en la
banda de #alencia. $sta transicin de un electrn de la banda de conduccin a la banda de
#alencia se !ace posible por la emisin de un fotn *proceso radioacti#o2 o por
transferencia de la ener"3a a otro electrn o !ueco libre *proceso de Au"er2.
&a fi"ura 3.9b muestra la recombinacin de nivel simple de trampa asistida y
ocurre cuando un electrn entra en una 5trampa6, es decir, un ni#el de ener"3a dentro de la
banda pro!ibida causado por la presencia de un tomo etran)ero o un defecto estructural.
Una #e% que la trampa est llena no puede aceptar otro electrn. $l electrn que ocupa la
ener"3a de la trampa puede en un se"undo paso caer en un estado #ac3o en la banda de
#alencia, de este modo se competa el proceso de recombinacin. Uno puede pre#er este
proceso como una transicin de dos pasos de un electrn de la banda de conduccin a la
banda de #alencia o tambin como la aniquilacin del electrn y el !ueco que se encuentran
en la trampa. 8e !ace referencia a este proceso por #arios autores como la recombinacin
8!oc(ley-Fead-Hall *8FH2.
Por 4ltimo la fi"ura 3.9c muestra la recombinacin de nivel mltiple en la cual ms
de un ni#el de trampas est presente en la banda pro!ibida.
&a recombinacin de ni#el simple puede describirse por cuatro procesos7 captura del
electrn, emisin del electrn, captura del !ueco y emisin del !ueco. &a recombinacin U
*en unidades de cm
-3
1se"2 est dada por7
1
1
1
1
1
]
1


+ +
1
1
1
1
1
]
1

,
_

,
_

,
_

kT
i
E
t
E
e
i
n p
p
kT
i
E
t
E
e
i
n n
n
t
N
i
n pn
th
v
n p
U


@
donde7

p
y
n
8ecciones trans#ersales de captura de !ueco y electrn respecti#amente.
B9
*3..2
Unidad 3 Tcnicas de Fabricacin de diodos.
v
th
Ielocidad trmica del portador que es i"ual a
J
1 3 m kT
N
t
&a densidad de trampas.
E
t
,i#el de ener"3a de la trampa.
E
i
,i#el de Fermi intr3nseco.
n
i
Densidad intr3nseca de portadores.
$n equilibrio trmico, pn -
@
i
n y U - /. Adems, ba)o la condicin simplificada

p n , la ecuacin anterior se reduce a7

,
_


+ +

kT
i
E
t
E
i
n p n
i
n pn
t
N
th
v U
cos! @
@

&a aproimacin de la recombinacin a un mimo como el ni#el de ener"3a del


centro de recombinacin se aproima a la mitad de la banda. * E
t
E
i
2. As3 los centros de
recombinacin ms efecti#os son aquellos locali%ados cerca de la mitad de la banda
pro!ibida.
Ga)o condiciones de ba)a inyeccin, esto es, cuando los portadores inyectados * n
- p 2 son muc!o menores en n4mero que los portadores mayoritarios, el proceso de
recombinacin puede ser caracteri%ado para un semiconductor tipo p como7
p
n
p
n
p
p
U

y seme)ante para los !uecos en un semiconductor tipo n7


n
p
n
p
n
n
U

BB
*3.@2
*3.3a2
*3.3b2
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donde p
n0
y n
p0
son la concentracin de portadores minoritarios en equilibrio y
p
y
n
es
el tiempo de #ida de los portadores minoritarios.
$l tiempo de #ida de los portadores minoritarios de las ecuaciones anteriores para
un semiconductor tipo n est dado por7
t
N
th
v
p
p

8imilarmente para un semiconductor tipo p7


t
N
th
v
n
n

Kuc!as impure%as tienen los ni#eles de ener"3a cercanos a la mitad de la banda


pro!ibida *Apndice H2. $stas impure%as son centros de recombinacin eficientes. Un
e)emplo t3pico es el Ero en el 8ilicio< el tiempo de #ida de los portadores minoritarios
decrece linealmente con la concentracin de Ero sobre el ran"o de ./
.;
a ./
.B
cm
-3
, donde
decrece desde cerca de @./
-B
se" a @./
-./
se". $ste efecto es importante es al"unas
aplicaciones para dispositi#os de conmutacin donde se desea un tiempo de #ida corto. $n
los puntos 3.3 y 3.; se retomar este tema.
3.2.3 &otencial de contacto en la Unin.
8upon"amos que se tienen dos re"iones de materiales tipo p y n separadas entre s3,
las cuales presentan ni#eles de Fermi distintos y que posteriormente se unen por medio de
al"uno de los mtodos antes mencionados. $n el instante de la formacin de la unin, eiste
una concentracin uniforme de portadores mayoritarios n
no
*electrones libres2 y de
portadores minoritarios p
no
*!uecos2 en la re"in n que se etiende !asta la unin y, en el
B:
*3.;a2
*3.;b2
Unidad 3 Tcnicas de Fabricacin de diodos.
lado p, una concentracin uniforme de portadores mayoritarios p
po
*!uecos libres2 y de
portadores minoritarios n
po
*electrones2 que tambin se etienden !asta la unin. Dic!as
concentraciones se pueden anali%ar utili%ando las ecuaciones *@.3/2, *@.3.2, *@.3@2 y *@.332
del apartado @.@.@< en tanto que en ambos lados de la unin las densidades de electrones y
!uecos satisfacen la ecuacin *@.@@27
@
i
n np
@
i
n
po
n
po
p
no
p
no
n
'omo la concentracin de electrones n
no
en el lado n es muc!o mayor que la
concentracin de electrones n
po
del lado p y la concentracin de !uecos p
po
en el lado p es
muc!o mayor que la concentracin de !uecos p
no
del lado n, se presenta un "radiente
enorme en la concentracin de electrones y !uecos en la unin entre ambas re"iones. $stos
"radientes de concentracin iniciales forman corrientes de difusin que !acen que los
portadores mayoritarios de ambas re"iones fluyan descendiendo por los "radientes de
concentracin respecti#os !asta la re"in del tipo contrario *fi"ura 3.0a2 !aciendo que los
tomos donadores y aceptores cercanos a la uniones se con#iertan en iones *
+
d
N
y

a
N
2 ya
que !an perdido o "anado electrones, de)ando a la re"in cercana a la unin carente de
portadores mayoritarios, por lo tanto, se crea una re"in llamada de empobrecimiento o
llamada tambin regin de vaciamiento *fi"ura 3.9a2.
B=
*@.@@2
*3.02
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Fi"ura 3.9a Fe"in de empobrecimiento.
'on este proceso, la ener"3a del ni#el de Fermi en el material tipo p aumenta y la del tipo n
disminuye !asta lo"rar un equilibrio quedando los dos ni#eles alineados *Fi"ura 3.9b2.
Fi"ura 3.9b A)uste del ni#el de Fermi despus de la unin metal4r"ica.
:/
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3.2.! Campo elctrico en la unin.
'onforme se incrementa el n4mero de iones en ambos lados de la unin se crea una
re"in de carga espacial negativa en el lado p y una re"in de carga espacial positiva en el
lado n *fi"ura 3.Ba2, que da lu"ar a la formacin de una capa dipolar elctrica de iones
donadores no compensados del lado n e iones aceptores no compensados del lado p
!aciendo que se estable%ca un campo elctrico *i2 cuya direccin se opone al flu)o de
los electrones que salen del lado n y al flu)o de los !uecos que salen del lado p, lo"rando
que la re"in de empobrecimiento no cre%ca ms.
Para encontrar el #alor del campo elctrico se debe de utili%ar la ecuacin de
Poisson, la cual se muestra a continuacin7
( )
a
N
d
N n p
S
q
dx
d
+

@
asumiendo que en la re"in de empobrecimiento no !ay portadores libres *!uecos y
electrones2 la ecuacin anterior tomar la si"uiente forma7

,
_

a
N
d
N
s
q
dx
d
@
:.
*3.9a2
*3.9b2
Unidad 3 Tcnicas de Fabricacin de diodos.
Fi"ura 3.Ba 'ampo elctrico en la unin y re"iones de car"a espacial.
8i de la fi"ura 3.Bb !acemos que
+
*p!i2 represente la re"in de car"a espacial
para x L / y
-
la re"in de car"a espacial para x M / y, si asumimos que todos los tomos
en la re"in de empobrecimiento se encuentran ioni%ados, podemos omitir la concentracin
de los portadores p y n, adems si se asi"nan los #alores de x
n
y x
p
a los puntos de los
bordes de la re"in de empobrecimiento en los lados n y p respecti#amente, la ecuacin de
oisson toma la si"uiente forma7
d
N
S
q
dx
d

@
@

y
a
N
S
q
dx
d

@
@

:@
Para */ M x x
n
2
Para *-x
p
x M /2
*3.Ba2
*3.Bb2
Unidad 3 Tcnicas de Fabricacin de diodos.
Fi"ura 3.Bb Fepresentacin de los l3mites de la re"in de car"a espacial.
&as ecuaciones anteriores representan una pendiente del campo elctrico en ambos
lados de la unin respecti#amente como se muestra en la fi"ura 3.Bc.
Fi"ura 3.Bc Distribucin del campo elctrico.
Por lo tanto, el campo elctrico se obtiene entonces inte"rando las ecuaciones *3.Ba2
y *3.Bb2 como se muestra en la fi"ura 3.Bb, quedando7
( )
S
p
x x
a
qN
x

,
_

+

y
:3
Para *-x
p
x M /2
*3.:a2
Unidad 3 Tcnicas de Fabricacin de diodos.
( ) ( )
n
x x
S
d
qN
S
x
d
qN
m
x

+
donde
m
es el campo elctrico mimo que eiste en x - / y esta dado por 7
S
p
x
a
qN
S
n
x
d
qN
m


en la fi"ura 3.Bc se muestra este #alor.
Uno de los resultados ms conocidos de la electrosttica es que se produce una
diferencia de potencial entre los dos l3mites etremos de una capa dipolar elctrica, que se
relaciona con la intensidad< a continuacin se desarrolla este potencial.
3.2.' &otencial Interconstruido.
&a fi"ura 3.9a muestra las re"iones de car"a espacial creadas por la difusin de los
portadores mayoritarios en ambos lados de la unin producindose una diferencia de
potencial entre los dos l3mites etremos de la re"in de car"a espacial *re"in de
empobrecimiento2 que se epresa mediante la si"uiente frmula7

,
_


p
!
n
! q
"i
!
a esta diferencia de potencial se le conoce como potencial de contacto, potencial
interconstruido o barrera de potencial V
bi
. Ks all de las re"iones de car"a espacial no
eiste un flu)o de car"as, por lo tanto, tiene un potencial electrosttico constante. Podemos
calcular el #alor del potencial de contacto !
"i
a partir de la ecuacin *@../2 del apartado
@.@.., esta ecuacin puede rescribirse quedando de la si"uiente manera7
kT
f
E
#n
E
e
#
N
no
n

:;
Para */ M x x
n
2
*3.:b2
*3.=2
*3...a2
*3../2
Unidad 3 Tcnicas de Fabricacin de diodos.
para la densidad de electrones en el lado n y, para la densidad de electrones del lado p se
tiene7
kT
f
E
#p
E
e
#
N
po
n

De las ecuaciones anteriores se pueden despe)ar los trminos E


#n
y E
#p
y, utili%ando
la ecuacin *3.@2 que como se puede obser#ar en la fi"ura 3.9b no es ms que la diferencia
de los potenciales de los bordes de la re"in de car"a espacial< la ecuacin queda7
po
n
no
n
kT
#n
E
#p
E
"i
q! ln
esta ecuacin se puede escribir de otra forma utili%ando la ec *3-.2 para epresar n
po
en
funcin de p
no
, obteniendo7
@
ln
i
n
no
p
no
n
q
kT
"i
!
8i !acemos que todos los tomos donadores y receptores de ambas re"iones n y p se
ionicen y si las dos re"iones estn fuertemente dopadas *n
no
N
d
y p
po
N
a
2, entonces la
ecuacin anterior se con#ierte en7
@
ln
i
n
a
N
d
N
q
kT
"i
!
$sta 4ltima frmula se puede utili%ar para describir la distribucin de equilibrio de
los portadores, tanto en la re"in p como en la n.
3.2.( Car"a espacial en la unin.
Hemos #isto como se comportan los portadores de car"a al unirse dos tipos de
semiconductores etr3nsecos diferentes pero, en la mayor3a de los casos la densidad de
impure%as aceptoras y donadoras no es la misma *N
d
N
a
2 y la re"in de empobrecimiento
puede etenderse de una manera desi"ual en ambos lados de la unin. Por e)emplo en la
:0
*3...b2
*3..@2
*3..32
*3..;2
Unidad 3 Tcnicas de Fabricacin de diodos.
fi"ura 3.Ba eiste un n4mero li"eramente mayor de impure%as donadoras *electrones2 en el
material tipo n que de impure%as aceptoras en el material tipo p *N
d
L N
a
2 por lo tanto, la
re"in de car"a espacial debe ser ms "rande en el lado p que en el lado n *b2, como se
puede #er en la fi"ura 3.:. $sto se puede epresar como7
d
N
n
q$x
a
N
p
q$x
donde7
$ - Area.
x
p
- Penetracin de la re"in de car"a espacial en el material tipo p.
x
n
- Penetracin de la re"in de car"a espacial en el material tipo p.
Fi"ura 3.: Distribucin de car"a espacial.
8e puede obtener una relacin entre el campo elctrico
m
y el potencial
interconstruido, lo cual queda7

,
_

+
p
x
n
x
m
%
m "i
!
@
.
@
.
Una frmula que relaciona las impure%as y el potencial interconstruido *en el
Apndice N se muestra el desarrollo de la frmula2 es el si"uiente7
:9
*3..02
*3..92
Unidad 3 Tcnicas de Fabricacin de diodos.

,
_

@
ln
i
n
d
N
a
N
q
kT
"i
!
Podemos obtener una frmula que relacione la anc!ura de la re"in de
empobrecimiento y el potencial de contacto interconstruido7
"i
!
d
N
a
N
d
N
a
N
q
s
%

,
_

@
Tambin podemos calcular la penetracin en la re"in de empobrecimiento en los
materiales n y p como7
d
N
a
N
a
%N
n
x
+

d
N
a
N
d
%N
p
x
+

Ejemplo: 'onsiderando una unin p-n abrupta de silicio, con las si"uientes
caracter3sticas !
r
- !
f
- ..0I, N
d
- 3.;0./
.:
y N
a
- @./
.B
, determine7 !
"i
, %, x
n
, x
p
, a una
temperatura de 3//AO.
$n primer lu"ar se calcula la permiti#idad del semiconductor mediante la si"uiente
frmula7
/


s
r
/

r s
( )
,
_



.;
./ :0;.: . : = . .. x
s
:B
*3..B2
*3..:2
*3..=a2
*3..=b2
Unidad 3 Tcnicas de Fabricacin de diodos.
cm & x
s
1
.@
./ /039 . .


'onsiderando la ecuacin 3.B se puede calcular el potencial interconstruido de tal forma
que7

,
_

@
ln
i
n
d
N
a
N
q
kT
"i
!
( )
1
1
1
1
]
1

,
_

,
_

@
./
./ ;0 . .
.:
./ ;0 . 3
.B
./ @
ln
.=
./ 9 . .
3//
@3
./ 3:/99 . .
x
x x
x
x
"i
!
!
"i
! =@; . /
Habiendo encontrado el #alor de !
"i
y de
s
podemos determinar el #alor de %
considerando la ecuacin 3.: quedando7
"i
!
d
N
a
N
d
N
a
N
q
s
%

,
_

@
( ) =@; . /
.:
./ ;0 . 3
.B
./ @
.:
./ ;0 . 3
.B
./ @
.=
./ 9 . .
.@
./ /039 . . @
1
1
1
]
1

,
_

,
_

x x
x x
x
x
%
cm x %
9
./ /.= . :

A!ora mediante las relaciones 3.=a y 3.=b podemos proceder a calcular los #alores de x
p
y
x
n
.
d
N
a
N
d
%N
p
x
+

::
Unidad 3 Tcnicas de Fabricacin de diodos.
.:
./ ;0 . 3
.B
./ @
.:
./ ;0 . 3
9
./ /.= . :
x x
x x
p
x
+

,
_

cm x
p
x
9
./ 0B . B

d
N
a
N
a
%N
n
x
+

.:
./ ;0 . 3
.B
./ @
.B
./ @
9
./ /.= . :
x x
x x
n
x
+

,
_

cm x
n
x
B
./ 3= . ;

Por 4ltimo, se calcula el campo elctrico mimo.


s
n
x
d
qN
m


.@
./ /039 . .
B
./ 3= . ;
.:
./ ;0 . 3
.=
./ 9 . .

,
_

,
_



x
x x x
m

cm
!
x
m
0
./ 3 . @
Anali%ando los resultados anteriores podemos concluir que al eistir un mayor
n4mero de impure%as donadoras en el material tipo n y al difundirse estas en la re"in de
empobrecimiento del material tipo p !acen que x
p
sea mayor que x
n
. $l potencial elctrico
mimo es relati#amente ba)o en comparacin del que se presenta en un diodo polari%ado
in#ersamente como se muestra en el si"uiente cap3tulo.
3.3 &olari)acin inversa.
:=
Unidad 3 Tcnicas de Fabricacin de diodos.
$n el apartado anterior se #io el comportamiento de las car"as sin nin"4n tipo de
ecitacin eterna en los etremos del diodo formado por las dos uniones, a!ora se #era
como se comportan los portadores de car"a al conectar una bater3a eterna al dispositi#o
semiconductor. 8i se conecta una bater3a de tal manera que la terminal positi#a se conecte
al material tipo n y la terminal ne"ati#a se conecte al material tipo p, los electrones libres
*portadores mayoritarios2 en el material tipo n sern atra3dos por el potencial positi#o de la
bater3a< de la misma forma, los !uecos *portadores mayoritarios2 en el material tipo p son
atra3dos por la terminal ne"ati#a. $l efecto que se obtiene es un ensanc!amiento de la
re"in de a"otamiento, debido al aumento de la cantidad de iones en ambos lados de la
unin. De esta forma se crea una barrera demasiado "rande como para que los portadores
mayoritarios puedan superarla *fi"ura 3.=a2.
Fi"ura 3.= Fe"iones de transicin con polari%acin in#ersa a2 $structura del dispositi#o *unin p-n2.
b2 Dia"rama de bandas de ener"3a correspondiente.
=/
Unidad 3 Tcnicas de Fabricacin de diodos.
$n la polari%acin in#ersa, la barrera de potencial se incrementa como se muestra
en la fi"ura 3.=b. &as bandas de ener"3a se separan no permitiendo que los electrones del
lado n puedan recombinarse con los !uecos del lado p debido a la "ran pendiente que se
forma en las bandas *fi"ura 3.=c2.
8in embar"o, se presenta un flu)o de corriente inversa creada por los portadores
minoritarios que se encuentran en los dos materiales. Al"unos electrones del material tipo p
se liberan por ecitacin trmica y en el material tipo n al"unos electrones se liberan y
producen !uecos. &os potenciales de la bater3a repelen a los portadores minoritarios !acia
la unin, en donde se recombinan< sta corriente es muy peque>a, del orden de los
microamperes. A esta corriente se le llama corriente de saturacin inversa< el trmino
saturacin pro#iene del !ec!o que alcan%a su #alor mimo en forma muy rpida y no
cambia de forma si"nificati#a con el incremento del potencial in#erso.
Ejemplo7 'on los mismos #alores de !
r
- !
f
, N
a
, N
d
del e)emplo anterior y
encuentre7 %, x
n
, x
p
y
m
para un #olta)e en polari%acin in#ersa.
Primero podemos encontrar el #alor de la anc!ura de la re"in de empobrecimiento,
como si"ue7
r
!
"i
!
d
N
a
N
d
N
a
N
q
s
% +

,
_

@
( )
( )
0 . . =@; . /
./ ;0 . 3 ./ @
./ ;0 . 3 ./ @
./ 9 . .
./ /039 . . @
.: .B
.: .B
.=
.@
+
1
]
1

x x
x x
x
x
%
cm x %
0
./ @= . .

A continuacin, las re"iones de empobrecimiento tipo p y n.


=.
Unidad 3 Tcnicas de Fabricacin de diodos.
d
N
a
N
d
%N
p
x
+

.:
./ ;0 . 3
.B
./ @
.:
./ ;0 . 3
0
./ @= . .
x x
x x
p
x
+

,
_

cm x
p
x
0
./ @. . .

d
N
a
N
a
%N
n
x
+

.:
./ ;0 . 3
.B
./ @
.B
./ @
0
./ @= . .
x x
x x
n
x
+

,
_

cm x
n
x
B
./ /9 . B

Finalmente calculamos el #alor del campo elctrico.


s
n
x
d
qN
m


.@
./ /039 . .
B
./ /9 . B
.:
./ ;0 . 3
.=
./ 9 . .

,
_

,
_



x
x x x
m

cm ! x
m
1
0
./ 9= . 3
'omparando estos resultados con los del e)emplo anterior se nota que eiste un
aumento si"nificati#o del campo elctrico mimo que tiene relacin con el aumento de la
penetracin en las re"iones de empobrecimiento de las car"as en las re"iones tipo p y n.
$sta caracter3stica es importante recordar debido a que estas propiedades se usan para
fabricar un dispositi#o semiconductor que se #er en la si"uiente unidad.
=@
Unidad 3 Tcnicas de Fabricacin de diodos.
3.! &olari)acin directa.
ara poder tener un "ran flu)o de electrones en un diodo es necesario conectar un
potencial eterno< se debe conectar la terminal positi#a en la re"in p y la terminal
ne"ati#a en la re"in n. 'on esta confi"uracin, se lo"ra que la terminal positi#a atrai"a a
los electrones libres *portadores mayoritarios2 del material tipo n y la terminal ne"ati#a
atrai"a a los !uecos *portadores mayoritarios2 del material tipo p !acia la unin. &os
electrones que !an sido repelidos se difunden y atra#iesan la unin y llenan los !uecos que
!an sido liberados por la terminal positi#a. De esta manera se reduce la re"in de
empobrecimiento *fi"ura 3../a2.
P
Por cada electrn libre que llena un !ueco, eistir otro electrn libre que lle"ar al
material tipo n desde la terminal ne"ati#a de la bater3a y un electrn de #alencia saldr
desde la seccin p para pasar a la terminal positi#a de la bater3a. De esta manera eiste un
flu)o de corriente en el diodo. Un electrn entrara al material tipo n para tomar el lu"ar de
cada uno de los electrones que atra#iesan la unin< al mismo tiempo, un electrn abandona
el material tipo p y produce un !ueco por cada uno de los que se pierden en la unin. &a
ecuacin 3-: puede usarse para calcular %, x
p
, x
n
, si !
"i
se reempla%a por la nue#a altura de
la barrera como !
"i
P !
f
*fi"ura 3../b2.
'on la polari%acin directa se lo"ra que se redu%ca la inclinacin de la pendiente de
la fi"ura 3../c. &a bater3a !ace que el ni#el de ener"3a de los electrones libres aumente y
equi#ale a empu)ar las bandas de ener"3a del material tipo n !acia arriba< as3, los electrones
adquieren la ener"3a suficiente para difundirse a la re"in p, la direccin de la corriente se
toma de p a n *corriente con#encional2. &as caracter3sticas "enerales del diodo se pueden
epresar tanto en la polari%acin directa como en la polari%acin in#ersa mediante la
si"uiente frmula7

,
_

.
nkT
q!
e
S$T
' '
=3
*3.@/2
Unidad 3 Tcnicas de Fabricacin de diodos.

,
_

.
/
nkT
q!
e '
(
'
$n la ecuacin anterior, el #olta)e aplicado puede ser positi#o o ne"ati#o, ! - !
f
!
- -!
r
. 'omo podemos obser#ar la corriente aumenta en forma eponencial con polari%acin
directa. 'uando ! es ne"ati#o *polari%acin in#ersa2, el trmino eponencial se aproima a
cero y la corriente es P'
0
.
Fi"ura 3../ Fe"iones de transicin con polari%acin directa a2 $structura del dispositi#o
*unin p-n2. b2 Dia"rama de bandas de ener"3a correspondiente.
Ejemplo7 'on los mismos #alores de !
r
- !
f
, N
a
, N
d
del e)emplo anterior encuentre7
%, x
n
, x
p
y
m
para un #olta)e en polari%acin directa.
f
!
"i
!
d
N
a
N
d
N
a
N
q
s
%

,
_

@
=;
*3.@.2
Unidad 3 Tcnicas de Fabricacin de diodos.
0 . . =@; . /
.:
./ ;0 . 3
.B
./ @
.:
./ ;0 . 3
.B
./ @
.=
./ 9 . .
.@
./ /039 . . @

1
1
1
]
1

,
_

,
_

x x
x x
x
x
%
cm x %
9
./ 33 . 9

d
N
a
N
d
%N
p
x
+

.:
./ ;0 . 3
.B
./ @
.:
./ ;0 . 3
9
./ 33 . 9
x x
x x
p
x
+

,
_

cm x
p
x
9
./ =: . 0

d
N
a
N
a
%N
n
x
+

.:
./ ;0 . 3
.B
./ @
.B
./ @
9
./ 33 . 9
x x
x x
n
x
+

,
_

cm x
n
x
B
./ ;9 . 3

s
n
x
d
qN
m


.@
./ /039 . .
B
./ ;B . 3
.:
./ ;0 . 3
.=
./ 9 . .

,
_

,
_



x
x x x
m

cm ! x
m
1
3
./ :B0 . .:.
=0
Unidad 3 Tcnicas de Fabricacin de diodos.
Al reducirse la anc!ura de la re"in de empobrecimiento se lo"ra !acer pasar una
mayor cantidad de electrones de la re"in n a la re"in p, producindose una corriente
elctrica mayor que en los casos anteriores.

Fi"ura 3... Fepresentacin esquemtica de7 a2 densidad de car"a, b2 campo elctrico y c2 el
potencial en las cercan3as de la unin abrupta.
$n la fi"ura 3... se presenta un resumen de los resultados de los e)emplos anteriores
aqu3, se presentan las "rficas de la densidad de car"a espacial *a2, el campo elctrico *b2 y
las #ariaciones del potencial electrosttico tal y como se present la teor3a anterior en
polari%acin directa *!
0
L /2, in#ersa *!
0
M /2 y en equilibrio *!
0
- /2.
De acuerdo con las fi"uras se obtiene lo si"uiente7
=9
Unidad 3 Tcnicas de Fabricacin de diodos.
1. &a capa de car"a espacial tiene mayor etensin en re"iones tipo p n
le#emente impurificadas, que en re"iones con impurificacin mayor. Para una
unin dada, la capa de car"a espacial se etiende ms adentro de la re"in en la
que la impurificacin es menos fuerte.
. $l #alor mimo de campo E
0
es muy alto en las uniones en donde las re"iones
p n estn fuertemente impurificadas, y muc!o ms peque>o en las uniones en
donde una o ambas re"iones estn le#emente impurificadas.
!. $n condiciones de polari%acin in#ersa las re"iones de car"a espacial se
etienden !acia fuera dentro del cristal< la etensin de las re"iones de car"a
espacial pueden !acerse muy "rande en uniones en donde la re"in n p est
li"eramente impurificada. Para P !
0
LL !
"i
*un "ran #olta)e in#erso2, la
etensin de las re"iones de car"a espacial es proporcional a *- !
0
2
.1@
, de acuerdo
con *3..=a2 y *3..=b2.
". $n condiciones de polari%acin in#ersa, el campo mimo E
0
se !ace muy
"rande< a una "ran polari%acin in#ersa, es proporcional a *- !
0
2
.1@
.
&as conclusiones son bastante "enerales y aceptables para todas las uniones p)n de
semiconductores, ya sean abruptas o "raduales *aunque para uniones "raduales, la
dependencia de ra3% cuadrada que se mencion en *c2 y *d2 ya no es cuantitati#amente
correcta2.
&as relaciones deri#adas son bastante eactas en polari%acin in#ersa pero, no se
aplican perfectamente en polari%aciones directas ele#adas. $n este 4ltimo caso, se tienen
"randes flu)os de corrientes y eisten ca3das de #olta)e apreciables en las re"iones fuera de
las capas de car"a espacial de la unin, que !acen que la ca3da de #olta)e de dic!a unin sea
diferente del #olta)e eterno aplicado.
3.' Capacitancia en la re"in de empobrecimiento.
=B
Unidad 3 Tcnicas de Fabricacin de diodos.
3.'.1 Capacitancia de unin.
&os resultados anteriores demuestran que el anc!o de la capa de empobrecimiento
% de una unin p)n es una funcin del #olta)e a tra#s del dispositi#o. $l anc!o de la capa
de empobrecimiento se incrementa cuando se aplica una polari%acin in#ersa a tra#s de la
unin y disminuye cuando se aplica una polari%acin directa. 'uando la anc!ura de la capa
de empobrecimiento se incrementa, la car"a total dentro de ella tambin se incrementa. As3,
la car"a almacenada en la capa de empobrecimiento cambia con el #olta)e aplicado, en
otras palabras, se comporta como un capacitor. Podemos #er que la re"in de
empobrecimiento de una unin p)n se comporta eactamente como un capacitor de platos
paralelos colocados en los bordes de la re"in de empobrecimiento. 8in embar"o, no es un
capacitor fi)o puesto que #ar3a con el #olta)e aplicado. $n otras palabras, la capacitancia
est en funcin del #olta)e aplicado.
Fi"ura 3..@ 'onsideraciones de la car"a en la re"in de empobrecimiento< *a2 Anc!ura de la re"in
de empobrecimiento< *b2 Densidad de car"a total en polari%acin directa e in#ersa.
$isten bsicamente dos tipos de capacitancia, la capacitancia de unin o de
transicin y la capacitancia de di#usin almacenamiento. &a primera se presenta en
condiciones de polari%acin in#ersa, mientras que la otra en polari%acin directa. Podemos
!acer una analo"3a con el capacitor de placas paralelas en donde la capacitancia esta dada
por7
=:
Unidad 3 Tcnicas de Fabricacin de diodos.
d
$
#

donde7
- permiti#idad del dielctrico.
$ - rea de las placas.
d - distancia entre placas.
$n el caso del diodo, la permiti#idad del dielctrico ser la permiti#idad del
semiconductor
$
y la distancia ser el anc!o de la re"in de a"otamiento %< por lo tanto,
la nue#a frmula queda de la si"uiente manera7
%
S
$
*
#

sta frmula nos dar el #alor de la capacitancia en una unin "radual y lineal epresada
de otra forma como7
( )

,
_

d
N
a
N
d
N
a
N
a
!
"i
!
s
q
*
#
@
Para el caso en el que eista un dopa)e asimtrico *unin abrupta de un solo lado2, la
capacitancia por unidad de rea esta dada por7
@
.
@
@

,
_

q
kT
!
"i
!
+
N
S
q
*
#
en donde N
+
- N
d
N
a
dependiendo si N
a
LL N
d
#ice#ersa, y los si"nos t son para las
condiciones de polari%acin directa *Q2 e in#ersa *-2.
==
*3.@.2
*3.@@a2
*3.@32
F1cm
@
F1cm
@
*3.@@b2
Unidad 3 Tcnicas de Fabricacin de diodos.
Podemos decir que en las uniones fuertemente impurificadas, tanto en la re"in p
como n, tendrn una capacitancia muy alta< por el contrario, si estn le#emente
impurificadas ambas re"iones, la capacitancia ser muc!o menor. Para #olta)es in#ersos
que sobrepasen notablemente el potencial interconstruido !
"i
, se encuentra de acuerdo a la
ecuacin 3.@@b, que # #ar3a casi proporcionalmente a *- !
"i
2
.1@
. $sta caracter3stica se
encuentra en las uniones abruptas en dispositi#os fabricados mediante el mtodo de
aleacin *cap3tulo 3...@2. &as uniones "raduales o no abruptas tales como las que se
encuentran en muc!os dispositi#os elaborados mediante la difusin de impure%as presentan
una capacitancia que #ar3a con el #olta)e in#erso de un modo ms lento que aqulla. $n
estas uniones, la capacitancia #ar3a con el #olta)e como *- !
o
2
.13
.
3.'.2 Capacitancia de diusin.
&a capacitancia de unin anterior se considera ms cuando la unin se polari%a
in#ersamente. 'uando eiste una polari%acin directa en la unin, eiste una contribucin
adicional si"nificati#a a la capacitancia de unin. $sto sur"e de la car"a almacenada de la
densidad de portadores minoritarios. 'uando la polari%acin directa se incrementa, la car"a
tambin se incrementa. $l cambio en la car"a almacenada con el #olta)e proporciona una
capacitancia adicional llamada capacitancia de di#usin. Ga)o condiciones de polari%acin
directa, la capacitancia de difusin domina sobre la capacitancia de unin y esta 4ltima se
i"nora.
&a car"a almacenada de portadores en eceso en una unin abrupta de un lado *p
+
n2
est dada por7
kT
q!
e
n
p
p
q$,
p
-
para ! LL@9 m! . kT/q en donde, T-3//AO.
As3, la capacitancia de difusin,
d!
p
d-
s
#
est dada por7
.//
*3.@;2
Unidad 3 Tcnicas de Fabricacin de diodos.
p
'
kT
q
kT
q!
e
n
p
p
$,
kT
q
S
#
@
donde7
$ - Area.
,
p
- &on"itud de difusin de !uecos7 p p
(
p
,
(
p
- 'onstante de difusin de !uecos7
p
q
kT
p
(
que es una de las relaciones de
$instein.

p
- Tiempo de #ida de portadores mayoritarios7
t
N
th
v
p
p

p
- 'onducti#idad de !uecos.
v
th
- Ielocidad trmica de portadores7
J
3
m
kT
th
v
N
t
- Densidad de trampas.
As3, podemos #er de estas ecuaciones que la capacitancia de difusin puede ser
minimi%ada reduciendo el tiempo de #ida de los portadores minoritarios en eceso. &os
#alores del tiempo de #ida #ar3an en un ran"o de . a ./, /// nse".
*ompimiento +ener.
'uando una unin fuertemente dopada es polari%ada in#ersamente, las bandas de
ener"3a comien%an a cru%arse a #olta)es relati#amente ba)os *por e)emplo, la banda de
conduccin del lado n aparecer opuesta a la banda de conduccin del lado p2. 'omo se
muestra en la fi"ura ;..@, las bandas se alinean de tal forma que la "ran cantidad de !uecos
en la banda de conduccin en el lado n queda de frente a la "ran cantidad de electrones de
la banda de #alencia del lado p. 8i la distancia que separa estas dos bandas es estrec!a,
puede ocurrir que se !abr un tnel para los electrones. Al abrirse el t4nel los electrones de
la banda de #alencia del lado p pasan a la banda de conduccin del lado n y constituyen una
corriente in#ersa del lado n al p< este es el e#ecto &ener.
./.
*3.@02
Unidad 3 Tcnicas de Fabricacin de diodos.
&os requerimientos bsicos para la corriente del t4nel son un "ran n4mero de
electrones separados por un "ran n4mero de !uecos por una barrera estrec!a de altura
finita. $ntonces la probabilidad del t4nel depende del anc!o de la barrera *d en la fi"ura
;..@2, es importante que la unin metal4r"ica sea abrupta y el ni#el de impure%as alto, de
tal forma que la re"in de transicin % se etienda solamente una distancia muy corta para
cada lado de la unin. $stos requerimientos pueden ser reunidos, por e)emplo, formando
una re"in p unida a una muestra tipo n fuertemente impurificada. 8i la unin no es
abrupta, o si cada lado de la unin est li"eramente dopada, la re"in de transicin % ser
demasiado anc!a para que se forme el t4nel.
Fi"ura ;..@ 8e produce la ruptura Rener cuando los electrones establecen un t4nel a tra#s de la
del"ada barrera, desde la banda de #alencia a la de conduccin.
'uando las bandas estn cru%adas *en unas dcimas de #olt para una unin
fuertemente dopada2, la distancia de t4nel d puede ser demasiado "rande para apreciar el
t4nel. 8in embar"o, d comien%a a ser peque>a cuando la polari%acin in#ersa se incrementa.
As3 asumimos que el anc!o de la re"in de transicin % no aumenta apreciablemente con la
polari%acin in#ersa. Para ba)os #olta)es y dopa)e fuerte en cada lado de la unin, esta es
una buena suposicin. 8in embar"o, si el rompimiento Rener no ocurre con la polari%acin
in#ersa de unos pocos #olts, el rompimiento de a#alanc!a puede empe%ar a dominar.
&a densidad de la corriente de t4nel est dada por7
./@
Unidad 3 Tcnicas de Fabricacin de diodos.

,
_

q
E m
0
t
0
e
E
! q m
1
3
@ ;
@ @
3 J
@
3
J
@
.
;
@
donde es el campo elctrico en la unin, E
0
es la banda pro!ibida, ! el #olta)e aplicado
y, m
2
la masa efecti#a.
Debido a que la ener"3a de las bandas pro!ibidas del Ne, 8i y NaAs decrece con el
incremento de la temperatura *referirse a la unidad ., ecuacin ..@2, el #olta)e de
rompimiento son estos semiconductores debido al efecto t4nel tiene un coeficiente de
temperatura ne"ati#o< es decir, el #olta)e se reduce con el incremento de la temperatura.
$sto se debe a que la corriente 1
t
puede alcan%arse a #olta)es in#ersos ms peque>os a altas
temperaturas, ecuacin ;..;. Un e)emplo t3pico se muestra en la fi"ura ;..3. $ste efecto de
temperatura es usado para distin"uir el mecanismo de t4nel del mecanismo de a#alanc!a, el
cual tiene un coeficiente positi#o de temperatura< es decir, el #olta)e de rompimiento se
incrementa con el incremento de la temperatura.
Fi"ura ;..3 'ur#as caracter3sticas de corriente-#olta)e del rompimiento de t4nel.
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*;..;2
Unidad 3 Tcnicas de Fabricacin de diodos.
*ompimiento de Avalanc,a.
&a multiplicacin de avalanc'a *o impacto de ioni%acin2 es el mecanismo ms
importante en el rompimiento de la unin, debido a que el #olta)e de rompimiento de
a#alanc!a impone un l3mite superior en polari%acin in#ersa para muc!os diodos. $ste
mecanismo se presenta en uniones li"eramente dopadas. &a ruptura de la unin se produce
cuando los electrones y !uecos liberados por ener"3a trmica adquieren una cantidad de
ener"3a suficiente entre colisiones, debido a un campo elctrico ele#ado *polari%acin
in#ersa2 para "enerar pares de electrn-!ueco. &os pares de electrn-!ueco "enerados de
esta forma, pueden a su #e%, adquirir suficiente ener"3a del campo elctrico para crear oros
pares de electrn-!ueco por ioni%acin de impacto, pro#ocando una reaccin en cadena que
conlle#a a corrientes in#ersas muy ele#adas. Por e)emplo, si el campo elctrico E en la
re"in de transicin es "rande, un electrn entrando desde el lado p puede ser acelerado con
una ener"3a cintica bastante ele#ada para causar una colisin ioni%ada con el ret3culo. Una
sola interaccin resulta en una multiplicacin de portadores< el electrn ori"inal y el
electrn "enerado son barridos al lado n de la unin, y la "eneracin de !uecos es barrida al
lado p. $l "rado de multiplicacin puede ser muy alto si los portadores "enerados entre la
re"in de transicin tambin tienen colisiones ioni%adas con el ret3culo.
$l #olta)e real de la ruptura de a#alanc!a en una unin abrupta se puede obtener de
una forma aproimada, utili%ando la si"uiente ecuacin7
.
. . :

,
_

a d r
"
+
N N
q!
q
!

donde !
"
esta dado por7
( )

,
_

a d
r
"
N N q
!
. .
:
@ 3
@

de donde esta dado por7


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Unidad 3 Tcnicas de Fabricacin de diodos.

"
q!
8e obser#a que las densidades de impurificacin moderadas producen #olta)es de
ruptura ele#ados y #ice#ersa. 8e utili%an semiconductores con bandas "randes de ener"3a
pro!ibida para los dispositi#os que deben resistir una ruptura de a#alanc!a en altos #olta)es
in#ersos. $n resumen, los dispositi#os con uniones muy abruptas y con densidades de
impure%as muy ele#adas en ambos lados de la unin, presentan el mecanismo de ruptura
Rener, por el contrario, los dispositi#os que tienen uniones "raduales o uniones abruptas, en
las que una de las re"iones tiene una impurificacin moderada, predomina el mecanismo de
a#alanc!a.
8i las uniones p)n se dise>an y fabrican debidamente, se obtienen caracter3sticas de
ruptura muy n3tidas, !acindose con precisin y en forma reproducible a un #olta)e dado,
que puede ser insensible a la temperatura. $stos dispositi#os se denominan diodos &ener,
aunque a pesar de la nomenclatura, el mecanismo de ruptura utili%ado es a menudo el efecto
de a#alanc!a.
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