Mdulo:Sistemas Electrnicos Digitales

Profesor: Carlos Herrera C.

Unidad 2: Circuitos Integrados

Un circuito integrado (CI), tambin conocido como chip o microchip, es
una pastilla pequea de material Semiconductor, de algunos milmetros
cuadrados de rea, sobre la que se fabrican circuitos electrnicos
generalmente mediante Fotografas y que est protegida dentro de un
encapsulado de plstico o cermica. El encapsulado posee conductores
metlicos apropiados para hacer conexin entre la pastilla y un circuito
impreso.

I .Circuitos Integrados TTL

Las familias lgicas se definen de acuerdo al circuito bsico con el que se
construyen las compuertas. Una de las familias ms populares es la TTL
(Transistor Transisitor Logic).
Esta familia ofrece comercialmente toda una gama de compuertas en
circuitos SSI (SSI: Small Scale of Integration, de baja escala de
integracin) y circuitos MSI (MSI: Medium Scale of Integration, escala
media de integracin).
Es una familia que opera con una alimentacin de 5 volts de CD y tiene el
mejor compromiso entre velocidad y consumo de energa.

Las caractersticas de la tecnologa utilizada, en la familia TTL a manera

resumida son las siguientes:
a) Su tensin de alimentacin caracterstica (Vcc) est comprendida entre
los 4.75V y los 5.25V, que como se ve un rango muy estrecho. Debido a
esto, los niveles lgicos vienen definidos por el rango de tensin
comprendida entre 0.2V y 0.8V para el estado L y entre 2.4V y Vcc para el
estado H.
b) La velocidad de transmisin entre los estados lgicos es su mejor
caracterstica, ciertamente este aumento en su velocidad de respuesta le
hace aumentar su consumo elctrico, siendo esto su mayor enemigo,
motivo por el cual han aparecido diferentes versiones de TTL como FAST,
SL, S, etc. y ltimamente las familias HC, HCT y HCTLS. En algunas
familias pueden alcanzarse velocidades de reloj de poco ms de 250Mhz.
Otras familias TTL son las siguientes:
i)Estndar, ii) De baja potencia o bajo consumo, iii) De alta velocidad, iv)
Schottky y v) Schottky de baja potencia.
Los Circuitos Integrados estn constituidos en su interior por compuertas
lgicas y de ellas varia la configuracin de las compuertas ya que el PIN 7
es GND mientras que el 14 es Vcc. El voltaje de entrada (Vcc) debe oscilar
entre 4.75Vcc y 5.25Vcc mientras que un cero lgico debe oscilar entre
0Vcc y .8Vcc y finalmente el 1 lgico oscila 2.5Vcc a 5Ccc.

Configuracin interna de las compuertas lgicas

1)

Circuito Integrado 7408

Compuerta AND

2)

Circuito Integrado 7432

Compuerta OR

3)

Circuito Integrado 7486

Compuerta OR EXC.

4)

Circuito Integrado 7404

Compuerta NOT

5)

Circuito Integrado 7400

Compuerta NAND

5)

Circuito Integrado 7402

Compuerta NOR

II .Circuitos Integrados CMOS

Estos Circuitos se caracterizan por su extremadamente bajo consumo de

potencia, ya que se fabrican a partir de transistores MOSFET los cuales por
su alta impedancia de entrada su consumo de potencia es mnimo.
Estos Circuitos Integrados se pueden clasificar en tres subfamilias:

Familia

Rango de tensin

Consumo potencia

Velocidad

estndar (4000)

3 15 V

10 mW

20 a 300 ns

serie 74C00

3 15 V

10 mW

20 a 300 ns

serie 74HC00

3 15 V

10 mW

8 a 12 ns

Compuertas CMOS
Para entender el funcionamiento de los circuitos integrados CMOS, es
necesario estudiar primero el funcionamiento de los transistores de efecto
de campo MOS. Aunque estos dispositivos dieren considerablemente de
los transistores bipolares de juntura (BJT), tanto en su construccin como
en su funcionamiento, operando en conmutacin el comportamiento de
ambos es similar. Considerando el caso ideal, los dos funcionan como
interruptores abiertos o cerrados, dependiendo del valor de sus entradas.
Estructura y funcionamiento del transistor MOS
El transistor MOS es un dispositivo de tres terminales en el cual el ujo de
corriente entre dos de ellos, drenaje y fuente (drain y source), es controlado
fundamentalmente por el voltaje aplicado en el tercer Terminal, llamado
compuerta (gate).
La estructura fsica de un transistor MOS puede ser de silicio tipo P o de
tipo N. El drenaje y la fuente (D y S) son zonas muy dopadas con
impurezas de tipo contrario a la del substrato. La compuerta (G) est
formada por una capa de poli silicio

muy dopada (de tipo N). Entre esta capa y el substrato existe una capa de
oxido de silicio, material de excelentes propiedades aislantes. Si el
substrato es de tipo P, o de tipo N, hablaremos
Respectivamente de transistores MOS de canal N, o de canal P,
respectivamente.

Cuestionario
1.- Cual cree usted que es la importancia de los Circuitos Integrados
En en el mundo moderno, y como han contribuido en la tecnologa
Moderna.
2.- Al probar la siguiente compuerta lgica en el Circuito Integrado de la
figura 1, segn los estados que tiene en la entrada, el diodo LED debe:

A)
B)
C)
D)
E)

Encender y mantenerse encendido

Encender y apagarse
Fig.1
No encender y despus encender
No encender y mantener ese estado
Encender

3.- Para el siguiente enunciado determine cual el la alternativa correcta:

I)
II)
III)

la tecnologa CMOS la relacionamos de 5 hasta 18 Volts

los Cmos, se caracterizan por un alto consumo de tension.
Un integrado 74 XX, pertenece a la familia TTL.

a)
b)
c)
d)
e)

Solo I es correcta.
Solo II es correcta.
Solo III es correcta.
Todas las anteriores.
Solo I y II es correcta.

4.- Determine la diferencia entre los circuitos Integrados Anlogos

Y los Digitales, adems indique 3 ejemplos de cada uno de ellos.
5.- En un circuito integrado digital dual - in line el pin n 1 esta siempre
frente al:

a) Tercer pin
b) Pin central
c) ltimo pin
d) Primer pin
e) Penltimo pin
6 .- Determine las caractersticas de los siguientes Integrados.
a) CI. 7486
b) CI. 7432
c) CI.7400
d) CI. 7408
e) CI.7402
7 .- La lgica de la electrnica digital se divide en:
A) TTL y CMOS
B) Combinacional y Secuencial
C) Continua o Discreta
D) Sumadores y restadores
E) Combinacional sumadora