DIODOS ZENER

INTRODUCCIN
Los diodos zener, tambin conocidos como diodos reguladores de tensin (Voltaje regulator
diodes), son elementos semiconductores de silicio que poseen en sentido directo o de paso una
caracterstica de diodo rectificador normal, mientras que en sentido inverso, y para una corriente
inversa por encima de un determinado valor, presentan una tensin constante cuyo valor depende
de las caractersticas tcnicas de cada diodo en particular.
Este fenmeno de tensin constante en el sentido de bloqueo convierte a los diodos zener en
dispositivos excepcionalmente tiles, cuando se quiere tener una tensin relativamente insensible a
las variaciones de la tensin de alimentacin o de la corriente de la carga, es decir, como
dispositivos reguladores del valor de la tensin.
Los diodos de seales pequeas y los rectificadores nunca se operan de manera intencional en la
regin de ruptura ya que se pueden daar. Un diodo zener se comporta muy diferente; es un
diodo de silicio que el fabricante ha perfeccionado para operar en la regin de ruptura sin que sufra
algn dao. Es decir, mientras los diodos ordinarios no pueden operar en esta regin, los diodos
zener son fabricados especialmente para operar en esta regin. El diodo zener es parte
fundamental de los circuitos reguladores de voltaje, circuitos que mantienen la carga casi constante
a pesar de los cambios en los voltajes de lnea y las cargas.
Dependiendo se las caractersticas que se deseen obtener, los diodos zener se fabrican por
procesos de aleacin o de difusin.
Los diodos con tensiones de ruptura de hasta 9 V presentan mejores caractersticas cuando se
fabrican por aleacin, mientras que los que poseen tensiones de ruptura superiores a los 12 V
tienen mejores caractersticas si son fabricados por procesos de difusin. Para tensiones de ruptura
comprendidas entre 9 y 12 V, el mtodo de fabricacin viene determinado por otros factores.
Por aleacin, es un mtodo que consiste en calentar en un horno apropiado y una temperatura de
unos 650 C, una pequea pastilla de cristal de silicio tipo N, a la que se coloca encima una
minscula cantidad de material tipo P. al ser calentado en el horno se produce la aleacin entre
ambos elementos en una zona de forma circular.
Los diodos zener fabricados por el procedimiento de difusin se obtienen depositando boro para la
fabricacin del material del tipo P en una de las caras de una lmina delgada de cristal de silicio, y
en la otra cara vapor de fsforo para la formacin del material tipo N.
El conjunto se introduce en un horno una temperatura superior a 1200 C. El calor provoca que en
el cristal de silicio penetre el fsforo por un lado y el boro por el otro, difundindose ambos
materiales en el cristal.
Una vez obtenido el diodo, se procede a la colocacin de los terminales y a protegerlo del medio
ambiente mediante una cpsula.
El fenmeno de ruptura, es decir, el paso de bloqueo a conduccin en sentido inverso al sobrepasar
un determinado valor de tensin, recibi en un principio el nombre de efecto Zener, por que se
pens que debido al mecanismo descrito por Zener en su teora sobre los fenmenos de ruptura en
dielctricos (pinsese que un diodo polarizado en sentido inverso es comparable perfectamente a
un condensador cuyas placas fuesen los cristales P y N y cuyo dielctrico fuese la zona de unin de
ambos cristales; por lo tanto, si dicha zona de unin o zona prohibida pasa a ser conductora, ello
equivale a la perforacin de un dielctrico).
Hoy en da se cree, sin embargo, que esta ruptura se debe a los efectos de campo, cuando se
produce para tensiones inferiores a 5 V, y se atribuye a un efecto de avalancha cuando tiene lugar
a tensiones por encima de los 7 V. Entre los 5 y 7 V la ruptura es producida por una combinacin
de ambos efectos.
As pues, para bajas tensiones es vlida la teora la ruptura de Zener y para altas tensiones se
acepta la teora de avalancha propuesta por Mc Kay y Mc Affee.
Sin embargo, y por los motivos apuntados, todos los diodos Zener se llaman as en honor a este
fsico, el valor de tensin bajo el cual se produce la ruptura se le conoce tambin con el nombre de
tensin Zener.

Efecto Zener y efecto avalancha

En el apartado anterior se dice que el fenmeno de ruptura de un diodo Zener puede ser debido al
efecto Zener o al efecto de avalancha, segn la tensin inversa aplicada. A continuacin se
exponen en pocas lneas la diferencia entre estos dos efectos.
Al aplicar una tensin inversa pequea a un diodo, circula una corriente cuyo valor es igual al de la
corriente de prdidas superficiales, ms la normal de saturacin, estando formada esta ltima por
huecos y electrones generados trmicamente.
Si se aumenta la tensin inversa, al principio no aumenta nmero de portadores y, por lo tanto, no
aumenta la corriente.
Sin embargo, cuando se alcanza un cierto valor de tensin inversa se produce una ruptura
espontnea de los enlaces covalentes de los tomos prximos a la unin PN. La ruptura de dichos
enlaces genera electrn-hueco y se produce as un notable aumento de la corriente. Esta accin es
el efecto Zener propiamente dicho.
La tensin a la cual se produce el efecto Zener depende del grado de dopado del silicio y puede ser
muy elevada, aunque a menudo se obtiene un aumento de la corriente inversa, debido a un efecto
de avalancha, y por debajo del nivel de la tensin inversa que corresponde al efecto Zener citado.
Al aumentar la tensin inversa aumenta la velocidad de los portadores. Esta velocidad puede ser
suficiente para provocar la ionizacin, si los tomos chocan las molculas del semiconductor con
suficiente energa.
Los portadores de carga resultantes de la ionizacin por colisin toman parte en nuevas colisiones y
producen a su vez nuevos portadores.
El rpido aumento del nmero de portadores y, por consiguiente, de la corriente, es lo que
constituye el denominado efecto avalancha.
Sin embargo, sea cual sea el mecanismo que produzca la ruptura (Zener o avalancha), la tensin
de ruptura de un diodo Zener se produce a un nivel bien definido y estable, prcticamente
constante.
Procurando no sobrepasar la temperatura de unin mxima admisible por el diodo, la ruptura es
reversible y no destructiva, es decir, el diodo regresa a su estado de bloqueo al descender la
tensin inversa por debajo del valor de la tensin de ruptura. Esto diferenca a estos diodos de los
rectificadores, en los cuales si se alcanza la tensin de Zener el diodo resulta destruido.
Tensin de referencia
El voltaje entre el ctodo y el nodo del diodo despus de la ruptura se denomina tensin de
referencia. Su valor no puede ser mayor que el de la tensin de ruptura, siendo casi constante.
La tensin de referencia es, para cada tipo de diodo, una tensin de valor prcticamente constante
y con ciertas tolerancias lgicas de fabricacin.
En las hojas de fabricantes se indica normalmente la tensin de Zener y su tolerancia. As, el diodo
z
Zener BZV85C3V6 posee una tensin de Zener de 3.6 V 5%, lo cual significa que este diodo pasa
a conducir en sentido inverso con una tensin en este sentido comprendida entre 3.42 y 3.78 V.
Corriente de funcionamiento de un diodo Zener
La corriente de funcionamiento de un diodo Zener ha de estar comprendida entre el 20% de la
corriente de Zener mxima y la corriente del codo de la caracterstica inversa; es decir, que para
que un diodo Zener trabaje cerca del codo de la curva caracterstica inversa, es necesario que la
tensin de ruptura posea un valor superior a los 7 V, ya que los diodos con esta tensin de ruptura
poseen una caracterstica de ruptura mucho ms pronunciada que la de los diodos con tensin
Zener ms baja.
Potencia de disipacin en rgimen estable de un diodo Zener
La potencia mxima que puede disipar un diodo Zener viene dada por la formula:

Donde:
Ptot = disipacin mxima admisible en rgimen estable.
Tjmax =temperatura mxima admisible en la unin y en funcionamiento.
Tamb = temperatura ambiente.
Rthj-amb = resistencia trmica total entre la unin y el ambiente.
El valor de Rthj-amb lo dan los fabricantes en sus catlogos, y es valido solo para elementos sin
disipadores de calor y montados al aire.
El factor Rthj-amb depende del tipo y tamao del disipador trmico utilizado y puede ser
determinado a partir de la siguiente expresin:
Rthj-amb = Rthj-mb+Rthmb-b+Rthb-amb

Donde:

Rthj-mb = resistencia trmica entre unin y base de montaje.

Rthmb-b = resistencia trmica entre base de montaje y radiador.
Rthb-amb = resistencia trmica radiador y ambiente.
Ruido
Cuando en un diodo zener existen uniones imperfectas o cargas espaciales, se producen
variaciones bruscas de tensin de referencia que dan origen a ruidos.
ste ruido generalmente muy bajo, nunca superior a los 10mV, por lo que apenas influye sobre la
tensin en bornes del diodo. Sin embargo, puede reducirse a una dcima parte conectando un
capacitor de 10 a 100 nF en paralelo con el diodo. Este capacitor no afecta al funcionamiento del
diodo, ni tender a oscilar.
Eleccin del diodo zener
Al igual que aburre con la mayor parte de componentes electrnicos, los diodos zener se fabrican
normalizados, es decir, con unos valores de tensin de zener y potencia de disipacin
determinados.
En lo que respecta a la tensin de zener, los diodos zener se fabrican siguiendo la tabla E24, con
tolerancias de dicha tensin del 5, 10 y 15 %.
Los valores de tensin de zener normalizados son los indicados en tabla siguiente.
2.4
2.7
3
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1

5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12

13
15
16
18
20
22
24
27
30

33
36
39
43
47
51
56
62
68

Tensiones zener normalizadas en la fabricacin de diodos zener.

75
82
91
100
110
120
130
160
180
200

En lo que respecta a la potencia de disipacin, los diodos de tensin se fabrican para 280 mW, 320
mW, 400 mW, 1.3 W, 2 W, 7.5 W, 10 W, 15 W, 20 W, 75 W.
stos datos son, pues, los primeros que han de tenerse en cuenta en la hora de elegir un diodo
zener para un circuito y, despus, se las exigencias del circuito as lo aconsejan, debern tenerse
presentes todos los dems expuestos en este parte.

Cdigo de identificacin de los diodos Zener

Existen tres sistemas de identificacin de diodos. El ms moderno consiste en tres letras seguidas
de un nmero de serie y el valor que hace referencia a la tensin de Zener.
La primera letra es siempre una B, indicativa de que se trata de un elemento semiconductor de
silicio. La segunda letra es una Z, indicativa de que se trata de un diodo Zener. A continuacin
sigue una letra (V, X o Y) y un nmero de serie dado por el fabricante.
Finalmente se aade la tensin de Zener utilizando la V como coma decimal. As, el diodo
BZV85C6V2 es un diodo Zener de la serie V85 cuya tensin Zener es de 6.2 V.
En ocasiones se aade a este cdigo otro complementario que hace referencia a la tolerancia de la
tensin de Zener segn el siguiente cdigo:
A: tolerancia nominal de la tensin de Zener del 1%.
B: tolerancia nominal de la tensin de Zener del 2%.
C: tolerancia nominal de la tensin de Zener del 5%.
D: tolerancia nominal de la tensin de Zener del 10%.
E: tolerancia nominal de la tensin de Zener del 15%.
El cdigo antiguo est formado por tres letras y un nmero de serie dado por el traficante. La
primera letra siempre es una O, indicativa de que se trata de un elemento semiconductor. Las otras
dos letras son AZ, y hacen referencia a que se trata de un diodo Zener.
El cdigo norteamericano consiste, al igual que en los diodos rectificadores, en la indicacin 1N
seguido de un numero de serie.
Estos componentes destacan por sus reducidas dimensiones, en particular aquellos para montaje
superficial (SMD).
Al igual que los diodos rectificadores semiconductores, el ctodo de los diodos Zener viene indicado
por un aro impreso rodeando el cuerpo del componente o por cualquiera de los sistemas ya
expuestos en el capitulo anterior. Debe pues respetarse dicha indicacin al conectar un diodo
Zener, y recuerde hacerlo en sentido inverso, es decir, con el ctodo conectado al positivo de la
fuente de alimentacin que se desea estabilizar.
Resistencia zener alta

RZH
VS
VZ
IZK
IL

= resistor en serie para el diodo zener

= voltaje de la fuente
= voltaje de zener
= corriente de zener
= corriente de la carga

V
V
A
A

El objeto fundamental del diodo zener consiste en proporcionar un voltaje razonablemente

regulado que para su operacin, otro equipo lo requiera, el voltaje podra variar como consecuencia
de dos factores: primero, un voltaje variable de la fuente; segundo, una corriente variable en la
carga. La ecuacin anterior es adecuada ya que considera la corriente variable en la carga, que es
la que ocasiona la mayora de los problemas; IL est dada por la carga mxima que ha de
alimentarse. Un regulador zener utilizado se muestra en la siguiente figura.
La ecuacin dar el valor ms alto para la RZH que conservar el zener en conduccin y tambin
suministra la corriente requerida en la carga. Sin embargo, si la carga aumenta ligeramente a IL, la
regulacin zener cesar y se obtiene un voltaje inadecuado ms bajo en la carga. No obstante lo
anterior, ste mtodo permitir que el zener opere ms fro y al mismo tiempo requiera la carga
ms baja de la fuente.

Ejemplo: Encuntrese el valor de la RZH en la figura siguiente si el zener es de 15 V con una

corriente de mantenimiento requerida IZK de 4 mA.

Puesto que cualquier clculo sobre un zener debe hacerse siempre para la carga mxima que debe
alimentar, encontrar RZH de la figura si Vz = 6 V.

Resistencia zener baja

Los diodos zener, con frecuencia denominados diodos de referencia, se fabrican en una gama de
voltajes que oscila desde 0.4 hasta 200 V. Los dos valores de potencia ms usados son W y 1 W.
La ecuacin dar el valor bajo de resistencia zener a un valor cercano a su lmite mximo puede
ocasionar un prematuro mal funcionamiento del mismo. Al utilizar esta forma de clculo no ser
necesario incorporar cualquier demanda de carga, lo cual se debe a que RZL se calcula a su valor
ms bajo y no puede pasar ms corriente aun cuando la carga la demande.
Las ecuaciones para resistencia alta y resistencia baja del diodo zener llegan a esta conclusin:
cuando se requiera la carga ms ligera posible en la fuente y dicha carga sea razonablemente
constante, utilcese la ecuacin para resistencia alta. Si VS tiene un valor considerable y la carga es
errtica, especialmente e la regin de corrientes elevadas, debe utilizar la frmula para resistencia
baja, es decir, esta ltima.
Capacidad de un diodo ZENER
Al aumentar la tensin inversa aplicada a un diodo ZENER, se produce un movimiento de 3 huecos
y electrones aumentando as, la unin PN, como consecuencia de lo anterior, la capacidad del
ZENER disminuye.

Donde:

K = Constante propia del diodo

V = Tensin aplicada a diodo (Positivo para voltajes inversos)
n = Exponente con valor igual a 0.V

Al aumentar el voltaje aplicado al diodo hasta un valor de 2 V, se llega a lo siguiente:

As:

Por lo tanto, C1 < C.