DIODO ZENER

El diodo Zener es un dispositivo de estado sólido construido por la unión de dos

materiales semiconductores extrínsecos uno tipo P (Ánodo) y otro tipo N (Cátodo),
teniendo como base el silicio. Este dispositivo al ser polarizado en directa, se comporta
como un diodo rectificador; y al ser polarizado en inversa si no se alcanza el voltaje de
ruptura Zener, este se encontrará en la zona de alta impedancia, comportándose
idealmente como un circuito abierto, una vez que se rebase el voltaje de ruptura Zener en
polarización inversa, entrando en conducción, esto es, la corriente será mayor a cero,
presentando una resistencia interna muy pequeña y el voltaje se mantendrá aproximado
al voltaje nominal del diodo, el cual es especificado por el fabricante, en estas condiciones
el diodo trabajará en la zona o región de regulación.

El diodo Zener presenta dos efectos:

1. Efecto Zener; este efecto se presenta en todos los diodos Zener con voltaje de ruptura
(VZ) menor a 5V. En estos diodos al aumentar la temperatura el VZ disminuye,
presentando un coeficiente de temperatura negativo (C.T.). Este efecto se produce
cuando los materiales N y P se contaminan con una muy alta concentración de impurezas.

2. Efecto avalancha; este efecto se presenta en todos los diodos Zener con voltaje de
ruptura mayor a 5V. En estos diodos al aumentar la temperatura el V Z aumenta,
presentando un coeficiente de temperatura positivo (C.T.). El efecto avalancha ocurre en
diodos donde un lado de la juntura está fuertemente dopado respecto al otro lado. La
tensión de ruptura en este caso, es inversamente proporcional a la concentración de
impurezas del lado menos dopado.

Los diodos Zener que tienen voltaje de ruptura aproximadamente a 5V, pueden presentar
coeficientes de temperatura positivos o negativos, al aumentar la temperatura. En los
cuales el efecto Zener es aproximado al efecto avalancha.

𝑪. 𝑻. 𝑪. 𝑻.
𝑽𝒁 𝑻>𝑻𝑨 = 𝑽𝒁 + 𝑽𝒁 ∆𝑻 = 𝑽𝒁 + 𝑽𝒁 𝑻𝒎á𝒙 − 𝑻𝒎í𝒏
𝟏𝟎𝟎 𝟏𝟎𝟎

Ejercicio. Calcular la variación del voltaje Zener aplicando el coeficiente de temperatura,

para un diodo Zener de 3.3V y 12V, si la temperatura aumenta hasta 100°C, en ambos
diodos; graficar la curva de cada diodo a la temperatura ambiente a la gráfica a la
temperatura de 100°C.

Datos de las hojas técnicas, para realizar los cálculos:

VZ=3.3V @ TA=25°C

C.T.=-0.08%/°C

1
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 Cálculo de VZ a una temperatura de 100°C

−0.08%/°𝐶
𝑉𝑍 100°𝐶>25°𝐶 = 3.3𝑉 + 3.3𝑉 100°𝐶 − 25°𝐶 = 3.102𝑉
100

VZ=3.3V
V(T=100°C)=3.102V

VZmáx=3.465V

IZK=1mA

100°C>25°C
TA= 25°C
IZmáx=288.6mA

Condiciones para que el diodo Zener regule:

1.- Debe estar polarizado en inversa

2.- Vs > o >>VZ IZ>0A

IZMÁX DEL FABRICANTE> o >> IZ ≥ IZK

Para:

VZ=12V @ TA=25°C

C.T.=0.085%/°C

0.085%/°𝐶
𝑉𝑍 100°𝐶>25°𝐶 = 12𝑉 + 12𝑉 100°𝐶 − 25°𝐶 = 12.765𝑉
100

2
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 VZ=12V

IZK=0.25mA

TA=25°C
T=100°C

Los datos que brinda el fabricante (en la Hoja de Datos del componente) para especificar
la curva suelen ser los siguientes:

VZT @ IZT: tensión de ruptura del diodo a una cierta corriente IZT.

rZ @ IZT: el inverso de la pendiente de la corriente en el punto IZT.

rZK @ IZK: el inverso de la pendiente en el punto K.

PARAMETROS DEL DIODO ZENER

VZ0: Voltaje de rodilla del Zener.

VZK --- IZK: El fabricante especifica un valor de voltaje del Zener identificado como el voltaje
de rodilla para una corriente dada.

VZ --- IZT: El fabricante especifica un voltaje de Zener donde el dispositivo ya está operativo
en la región de Zener para una corriente dada IZT.

Los valores VZ --- IZT definen el punto Q en la gráfica.

rZ: Resistencia dinámica o resistencia incremental del Zener en el punto de operación Q.

Se cumple que ΔV = rZ.ΔI

Pzmax: El fabricante especifica la potencia máxima que determina la corriente máxima que
puede circular por el dispositivo.

Si VZ0 es el punto en el cual la línea recta definida por 1/rZ intersecta el eje horizontal, el
Zener se puede modelar con una fuente de voltaje VZ0 en serie con una resistencia rZ.

VZ=VZ0+rZIZ

3
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Ejercicio. Calcular el voltaje Zener máximo y mínimo aplicando la tolerancia que
proporciona el fabricante en las hojas técnicas; tomando como ejemplo el diodo Zener de
3.3V.

VZmáx=VZ+VZ(5%)= VZ+VZ(5%/100)= 3.3V+3.3V(5%/100)=3.465V

VZ±5%

VZmín=VZ-VZ(5%)= VZ-VZ(5%/100) )= 3.3V-3.3V(5%/100)=3.135V

EFECTO ZENER Y EFECTO AVALANCHA

Al aplicar una tensión inversa pequeña a un diodo, circula una corriente cuyo valor es muy
pequeño y que está formada por huecos y electrones generados térmicamente. Sin
embargo, al aumentar hasta cierto valor la tensión inversa, se produce una ruptura
espontanea de los enlaces covalentes de los átomos próximos a la unión PN. La ruptura de
dichos enlaces genera pares electrón-hueco y se produce así un aumento notable de la
corriente. Esta acción es el efecto Zener propiamente dicho. La tensión a la que se
produce dicho efecto, depende del grado de dopado del silicio. Sin embargo, a menudo se
obtiene un aumento brusco de la corriente inversa por medio de un efecto de avalancha y
por debajo del nivel de la tensión inversa que corresponde al efecto Zener.

Al aumentar la tensión inversa aumenta la velocidad de los portadores. Dicha velocidad

puede ser suficiente para provocar la ionización si los átomos chocan con las moléculas

4
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del semiconductor con suficiente energía. Los portadores de carga resultantes de la
ionización por colisión toman parte en nuevas colisiones y produce a su vez nuevos
portadores y por consiguiente, de la corriente. Esto es lo que constituye el efecto
avalancha. Sea cual sea el mecanismo que produzca la ruptura, se produce en un nivel
bien definido y estable, prácticamente constante. Procurando no sobrepasar la
temperatura de unión máxima admisible, la ruptura es reversible y no destructiva, o sea
regresa a su estado de bloqueo al descender la tensión inversa. Esto diferencia este diodo
del diodo rectificador ya que este último al llegar a la tensión Zener se destruye.

Efecto Avalancha (diodos poco dopados)

En polarización inversa se generan pares electrón-hueco que provocan la corriente inversa

de saturación; si la tensión inversa es elevada los electrones se aceleran incrementando su
energía cinética de forma que al chocar con otros electrones de valencia pueden provocar
su salto a la banda de conducción. Estos electrones liberados, a su vez, se aceleran
también, por efecto de la tensión, chocando con más electrones de valencia y liberándolos
a su vez. El resultado es una avalancha de electrones que provoca una corriente grande, la
cual genera una gran cantidad de calor y destruye al diodo. Este fenómeno, se reduce para
valores de la tensión superiores a 6V.

Efecto Zener (diodos muy dopados)

Cuando un diodo está fuertemente dopado, la zona de deplexión se hace muy estrecha y
el campo eléctrico de esta zona (tensión dividida por distancia) es muy intenso. En estas
condiciones, este campo eléctrico E puede empujar a los electrones fuera de sus
orbitales de valencia. La creación de electrones libres de esta forma se conoce como
efecto Zener.

Cuando más dopado está el material, menor es la anchura de la zona de carga. Puesto que
el campo eléctrico E puede expresarse como cociente de la tensión V entre la distancia d;
cuando el diodo esté muy dopado, y por tanto d sea pequeña, el campo eléctrico será
grande. Del orden 3x105V/cm. En estas condiciones, el propio campo puede ser capaz de
arrancar electrones de valencia incrementándose la corriente. Este efecto se produce para
tensiones de 4V o menores.

A diferencia del efecto avalancha, el efecto Zener no depende del efecto de la velocidad
para arrancar electrones de valencia, sino que es el propio campo el que es capaz de
arrancar electrones de valencia incrementándose la corriente.

Cuando la tensión de ruptura es inferior a 4V, sólo tiene lugar el efecto Zener. Cuando la
tensión de ruptura es superior a 6V, sólo ocurre el efecto avalancha. Cuando la tensión de
ruptura está entre 4V y 6V, existen ambos efectos.

5
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Constitución de un diodo Zener

Los Zener se fabrican por procesos de aleación o difusión según sean las características
que se deseen obtener. De modo general, podemos decir que para diodos con tensión de
ruptura inferior a 9V. Presentan mejores características cuando se fabrican por aleación,
mientras que cuando las tensiones de ruptura son superiores a los 12V se fabrican por
difusión, para las tensiones entre 9V y 12V el proceso de fabricación depende de otros
factores.

Proceso de fabricación por aleación

Este método consiste en calentar a una temperatura de unos 650°C, una pequeña pastilla
de cristal de silicio tipo N, a la que se le coloca encima una minúscula cantidad de material
tipo P. Al calentarlos se produce la aleación entre ambos en una zona de forma circular.

Proceso de fabricación por Difusión

Este tipo de diodos se obtienen depositando en una delgada lamina de cristal de silicio,
boro por una cara (para la formación del materia tipo P), y por la otra vapor de fósforo
(para la formación del materia tipo N), el conjunto se introduce en un horno a una
temperatura superior a 1200°C el calor provocará que en el cristal de silicio penetre el
fósforo por un lado y el boro por el otro, difundiéndose ambos materiales en el cristal de
silicio.

Corriente inversa

Cuando un diodo está polarizado en inversa existe una pequeña corriente de N a P

(corriente inversa), debido a que la energía térmica en un semiconductor provoca la
aparición de un hueco y un electrón libre, o pares de electrón-hueco. Así pues, el campo
eléctrico aplicado tenderá a llevar a los electrones de la zona P hacia la zona N y a los
huecos de la zona N hacia la zona P. Esta corriente depende de la temperatura.

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En conclusión un diodo Zener es un diodo diseñado especialmente para que funcione en la
zona de ruptura y son un elemento esencial de un regulador de tensión.

Gráfica corriente-tensión para un diodo Zener (Modelo gráfico)

Cuando a un diodo Zener se le aplica una tensión en sentido directo, este actúa como un
diodo rectificador normal, esto es que a partir de la tensión umbral (0.7V en silicio) la
corriente aumenta rápidamente de valor. Por lo tanto la resistencia polarizando el diodo
Zener en sentido directo será pequeña.

Al polarizar el diodo de forma inversa, y si no sobrepasa cierto valor, el Zener se compota

igual que un diodo normal.

Los diodos Zener son diodos que operan en la zona de ruptura y son usados para generar
un voltaje fijo al ser polarizados en inversa.

Si se aumenta la tensión inversa se alcanza finalmente un valor para el cual la corriente en

sentido inverso aumenta bruscamente, o sea pasa a ser conductor en sentido inverso, a
esta tensión se le llama tensión de ruptura o tensión Zener. La siguiente figura muestra la
gráfica I-V de un diodo Zener.

VZ

IZK

7
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 Gráfica I-V de un diodo Zener

 En la zona directa, comienza a conducir aproximadamente a los 0.7V, igual que un

diodo rectificador de silicio.
 En la zona de fugas (entre 0 y la zona Zener) circula solamente una pequeña
corriente inversa.
 En un diodo Zener, la ruptura tiene un codo muy pronunciado, seguido de un
aumento casi vertical en la corriente. Debemos observar que la tensión es casi
constante y aproximadamente igual a VZ en la mayor parte de la zona de ruptura.
 La máxima corriente inversa IZM es el valor máximo mediante el cual el diodo
funcionará sin ser destruido.

Ejercicio. Calcular la resistencia estática en la rodilla de la gráfica, la resistencia estática en

las condiciones de máximo voltaje y máxima corriente en el diodo Zener; así como la
resistencia dinámica, para un diodo Zener de 3.3V @ PZmáx=1W

PZmáx=VZmáxIZmáx=1W (dato del fabricante)

𝑃𝑍𝑚 á𝑥 1𝑊
𝐼𝑍𝑚 á𝑥 = = = 𝟐𝟖𝟖. 𝟔𝒎𝑨
𝑉𝑍𝑚 á𝑥 3.465V

8
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 VZmáx=3.465V VZ=3.3V

IZK=1mA

IZmáx=288.6mA

𝑽𝒁
Resistencia estática en la rodilla del Zener: 𝑹𝒁𝒓𝒐𝒅𝒊𝒍𝒍𝒂 = 𝑰
𝒁𝑲

𝑽𝒁 𝟑. 𝟑𝑽
𝑹𝒁𝒓𝒐𝒅𝒊𝒍𝒍𝒂 = = = 𝟑𝟑𝟎𝟎Ω
𝑰𝒁𝑲 𝟏𝒎𝑨

Resistencia estática en condiciones máximas de voltaje y de corriente del diodo

𝑽
Zener: 𝑹𝒁 = 𝑰 𝒁𝒎á𝒙
𝒁𝒎á𝒙

𝑽𝒁𝒎á𝒙 𝟑. 𝟒𝟔𝟓𝑽
𝑹𝒁 = = = 𝟏𝟐. 𝟎𝟏Ω
𝑰𝒁𝒎á𝒙 𝟐𝟖𝟖. 𝟔𝒎𝑨

∆𝑽𝒁 𝑽 −𝑽𝒁
Resistencia dinámica del diodo Zener: 𝒓𝒁 = = 𝑰 𝒁𝒎á𝒙−𝑰
∆𝑰𝒁 𝒁𝒎á𝒙 𝒁𝑲

∆𝑽𝒁 𝑽𝒁𝒎á𝒙 − 𝑽𝒁 𝟑. 𝟒𝟔𝟓𝑽 − 𝟑. 𝟑𝑽

𝒓𝒁 = = = = 𝟎. 𝟓𝟕𝟒Ω
∆𝑰𝒁 𝑰𝒁𝒎á𝒙 − 𝑰𝒁𝑲 𝟐𝟖𝟖. 𝟔𝒎𝑨 − 𝟏𝒎𝑨

𝑷𝒁𝒎á𝒙 = 𝑽𝒁𝒎á𝒙 ∗ 𝑰𝒁𝒎á𝒙= 𝒓𝒁 ∗𝑰𝒁𝒎á𝒙 +𝑽𝒁 𝑰𝒁𝒎á𝒙

𝑷𝒁𝒎á𝒙 = 𝑽𝒁𝒎á𝒙 ∗ 𝑰𝒁𝒎á𝒙= 𝟎.𝟓𝟕𝟒Ω∗𝟐𝟖𝟖.𝟔𝒎𝑨+𝟑.𝟑𝑽 𝟐𝟖𝟖.𝟔𝒎𝑨 =𝟏.𝟎𝟎𝟎𝟏𝟔𝟒𝟓𝟕𝟒𝑾≈𝟏𝑾

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Modelo matemático del diodo Zener (ecuación de Shockley):

𝒆𝑽𝒁
𝑰𝒁 = 𝑰𝒔 𝒆 𝒎𝑲𝑻 −𝟏

El símbolo del diodo Zener en un circuito eléctrico es el siguiente:

Modelo equivalente del diodo Zener

El modelo equivalente de circuito del diodo Zener (ver Figura 3) se puede escribir
analíticamente por medio de la siguiente ecuación:

Se toma este modelo como valido para IZ>>IZK, pues cerca de IZK rZ varia
considerablemente, generándose un error apreciable en el modelo.

Observación. El fabricante también suele informar la máxima potencia que el diodo puede
disipar:

A corrientes mayores que IZmax el diodo se rompe y deja de funcionar.

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Observación. Una mayor simplificación viene de considerar a la curva característica para
corrientes mayores que IZK como una recta vertical con VZ0 ≈VZT. Entonces VZ≈VZT. En este
caso se tiene:

El diodo Zener ideal

En un diodo Zener ideal, el voltaje de ruptura Zener es de 5V, la zona Zener se puede
aproximar mediante una recta vertical. En consecuencia, la tensión es constante incluso
cuando la corriente cambia. Esto significa que el diodo Zener en la zona de ruptura se
comporta como una batería y, por tanto, en un circuito podríamos sustituirlo por una
fuente de tensión ideal.

Código de identificación del Zener

Existen tres tipos de identificación de los diodos Zener. El más moderno consiste en tres
letras seguidas de un número de serie y el valor que hace referencia a la tensión Zener.

1. Es un B, indica que se trata de un elemento semiconductor de silicio.

2. Es una Z, indica que se trata de un diodo Zener.
3. Es una X o Z indica que se trata de aplicaciones profesionales.

Después ira el número de serie indicado por el fabricante y la tensión Zener, utilizando la
V como coma decimal. Por ejemplo:

BZX-79-5V1

En ocasiones se le añade una letra más que nos indicará la tolerancia de la tensión Zener,
según el siguiente código:

A---- 1%

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B---- 2%

C---- 5%

D----10%

E----15%

Otro código es el que utiliza también tres letras y el número de serie del fabricante,
siendo:

1. Es un O, indica que se trata de un elemento semiconductor.

2. Es AZ, indica que se trata de un diodo Zener.
3. El número de serie del fabricante.

Y por último el código estadunidense, que al igual que los diodos rectificadores sería: 1N
seguido por un número de serie.

https://ingelibreblog.wordpress.com/2014/11/29/el-diodo-zener/

http://thales.cica.es/rd/Recursos/rd98/TecInfo/08/ZENER.html

AOLICACIONE CON EL DIODO ZENER

Circuitos reguladores de voltaje con diodo Zener.

Circuito recortadores de voltaje.

CIRCUITOS REGULADORES DE VOLTAJE CON DIODO ZENER

Los circuitos reguladores de voltaje, mantienen el voltaje en un valor casi constante,

mientras que la corriente eléctrica puede ser variable.

Existen cuatro casos de circuitos reguladores de voltaje:

1. Fuente de alimentación fija y circuito de carga fija,

2. Fuente de alimentación fija y circuito de carga variable.

3. Fuente de alimentación variable y circuito de carga fija.

4. Fuente de alimentación variable y circuito de carga variable.

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Ejercicio: Analizar el Circuito regulador de voltaje con diodo Zener, que se muestra a
continuación:

Rs

K
+ + - + +
Z RL
120Vca N1 C
N2
_ _ _
A

Circuito regulador de voltaje con diodo Zener

Recordando que el diodo Zener debe cumplir con las condiciones que ese mencionan a
continuación para que regule:

1.- Debe estar polarizado en inversa

2.- Vs > o >>VZ IZ>0A

IZMÁX DEL FABRICANTE> o >> IZ ≥ IZK

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 Circuito equivalente del diodo Zener en polarización inversa:

K
+
IZ rz
_
Vz
_
A

Sustituyendo el circuito equivalente del diodo Zener en el circuito regulador de voltaje,

para realizar el análisis del circuito:

Rs K

+ - + +
+
rz RL
C
120Vca N1 N2 _
_ _
Vz
_

Donde el voltaje almacenado en el capacitor (VC) es la fuente de voltaje (VS) que está
alimentando al circuito regulador de voltaje.

Datos de diodo Zener: Rs K

+ - + +
+
VZ=10V±%5 C
rz RL
120Vca N1 N2 _
_ _
Vz
_
IZK=0.25mA
A

PZmáx=1W

rz=7Ω La resistencia de carga para el circuito rectificador es:

1
𝑅𝑐𝑎𝑟𝑔𝑎 = 𝑅𝑆 +
1 1
Datos del Transformador
𝑟𝑍 + 𝑅𝐿

V2=24VCA

Vip=33.941Vp

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VC=VS=33.941Vp-2VD LKV

VC=VS=32.541Vp VC-VRS-Vrz-VZ=0V

Datos del circuito de carga VC=VRS+Vrz+VZ

RLmáx=ꝏΩ Vrz+VZ-VRL=0V

RLmín=220Ω Vrz+VZ=VRL

IRL=? LEY DE OHM

RS=? VRs=RSIRS

C=? para un voltaje rizo Vrz=rzIZ

pico a pico de 100mV
VRL=RLIRL

LKI

IRS=IZ+IRL

IZ*rz+VZ=VRL=RLIRL

IZ ∗ rZ + VZ
𝐼𝑅𝐿 =
𝑅𝐿

IZ ∗ rZ + VZ
𝐼𝑠 = 𝐼𝑐 = 𝐼𝑅𝑠 = 𝐼𝑍 +
𝑅𝐿

VS=VC=VRS+Vrz+VZ Vs: es el voltaje de la fuente de alimentación

VS=VC=VRS+Vrz+VZ= RSIRS+IZ*rz+VZ

IZ ∗ rZ + VZ
𝑉𝐶 = 𝑅𝑆 𝐼𝑍 + + 𝑟𝑍 𝐼𝑍 + 𝑉𝑍
𝑅𝐿

Considerando IZ=IZK=0.25mA

𝑉𝐶 − 𝑟𝑍 𝐼𝑍𝑘 − 𝑉𝑍
𝑅𝑆 =
I ∗ r + VZ
𝐼𝑍𝑘 + Zk 𝑅 Z
𝐿𝑚 í𝑛

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 32.541𝑉𝑝 − 7Ω ∗ 0.25𝑚𝐴 − 10𝑉
𝑅𝑆 = = 𝟒𝟗𝟑. 𝟎𝟔𝟓Ω ≅ 𝟒𝟕𝟎Ω
[ 0.25mA ∗ 7Ω + 10V]
0.25𝑚𝐴 + 220Ω

1
𝑅𝑐𝑎𝑟𝑔𝑎 = 𝑅𝑆 +
1 1
𝑟𝑍 + 𝑅𝑚 í𝑛

1
𝑅𝑐𝑎𝑟𝑔𝑎 = 470Ω + = 𝟒𝟕𝟔. 𝟕𝟖Ω
1 1
+
7Ω 220Ω
𝑽𝑪𝒎á𝒙
𝑪=
𝒇𝑶 𝑹𝒄𝒂𝒓𝒈𝒂 ∗ 𝑽𝒓𝒊𝒛𝒐𝒑𝒑

32.541𝑉𝑝
𝐶= = 𝟓𝟔𝟖𝟕. 𝟔𝟑𝝁𝑭
120𝐻𝑧 ∗ 476.78Ω ∗ 100𝑚𝑉

Valor comercial
C=5600μF @ 50V

VCcomercial=VCmáx(1.5)=(32.541Vp)(1.5)=48.81≈50V
𝑽𝑪𝒎á𝒙 𝟑𝟐. 𝟓𝟒𝟏𝑽𝒑
𝑽𝒓𝒊𝒛𝒐𝒑𝒑 = = ≅ 𝟏𝟎𝟏. 𝟓𝟔𝟓𝒎𝑽
𝒇𝑶 𝑹𝑳 ∗ 𝑪 𝟏𝟐𝟎𝑯𝒛 ∗ 𝟒𝟕𝟔. 𝟕𝟖Ω ∗ 𝟓𝟔𝟎𝟎𝝁𝑭

𝒅𝑽𝑪 ∆𝑽𝑪 𝑽𝒓𝒊𝒛𝒐𝒑𝒑 𝟏𝟎𝟏. 𝟓𝟔𝟓𝒎𝑽

𝑰𝑪 = 𝑪 =𝑪 =𝑪 = 𝟓𝟔𝟎𝟎𝝁𝑭 ∗ = 𝟔𝟖. 𝟐𝟕𝟖𝟗𝒎𝑨
𝒅𝒕 ∆𝒕 𝑻𝑶 𝟖. 𝟑𝟑𝒎𝒔

IC≈IRcargap≈68.2789mA

IRcargap 68.2789mA
IC ≅ IRcargaCD = 2 = 2 = 𝟒𝟑. 𝟒𝟔𝟕𝟕𝐦𝐀
π π

PDCD≈VDCD*IDCD=(0.7V)(43.4677mA)=30.4274mW

𝐼𝐶 𝐼𝑅𝑐𝑒𝑟𝑔𝑎𝑃 68.2789mA
𝐼2 = ≅ ≅ = 𝟒𝟖. 𝟐𝟖𝟎𝟓𝒎𝑨
2 2 2

V2 24VCA
Z2 = = = 𝟒𝟗𝟕. 𝟎𝟗𝟓𝟏Ω
I2 48.2805mA

P2=V2*I2=(24VCA)(48.2805mA)=1.1587VA

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 𝐼2 48.2805𝑚𝐴
𝐼1 = 𝑉2 = ∗ 24𝑉𝐶𝐴 = 𝟗. 𝟔𝟓𝟔𝟏𝒎𝑨
𝑉1 120𝑉𝐶𝐴

V1 120VCA
Z1 = = = 𝟏𝟐. 𝟒𝟐𝟕𝟒𝐊Ω
I1 9.6561mA

P1=V1*I1=(120VCA)(9.6561mA)=1.1587VA

Analizando el circuito con los valores comerciales de los dispositivos:

IZ ∗ rZ + VZ
𝑉𝐶 = 𝑅𝑆 𝐼𝑍 + + 𝑟𝑍 𝐼𝑍 + 𝑉𝑍
𝑅𝐿

𝑅𝑆 𝑉𝑍 𝑅𝑆 𝑟𝑍
𝑉𝐶 − 𝑉𝑍 − = 𝐼𝑍 𝑅𝑆 + + 𝑟𝑍
𝑅𝐿 𝑅𝐿

𝑅𝑆 𝑉𝑍
𝑉𝐶 − 𝑉𝑍 − 𝑅𝐿
𝐼𝑍 =
𝑅𝑆 𝑟𝑍
𝑅𝑆 + 𝑅𝐿 + 𝑟𝑍

470Ω ∗ 10𝑉
32.541𝑉𝑝 − 10𝑉 − 220Ω
𝐼𝑍𝑚 í𝑛 = = 𝟐. 𝟑𝟗𝟑𝒎𝑨
470Ω ∗ 7Ω
470Ω + + 7Ω
220Ω

IZmín ∗ rZ + VZ 2.393mA ∗ 7Ω + 10V

𝐼𝑅𝐿𝑚 á𝑥 = = = 𝟒𝟓. 𝟓𝟑𝒎𝑨
𝑅𝐿𝑚 í𝑛 220Ω

IZ*rz+VZ=VRL=RLIRL

VRL=IZmín*rz+VZ=(2.393mA)(7Ω)+10V=10.016V

PRL=VRL*IRL=(10.016V)(45.53mA)=456.062mW

IZ ∗ rZ + VZ
𝐼𝑠 = 𝐼𝑐 = 𝐼𝑅𝑠 = 𝐼𝑍 +
𝑅𝐿

IZmín ∗ rZ + VZ
𝐼𝑠 = 𝐼𝑐 = 𝐼𝑅𝑠 = 𝐼𝑍𝑚 í𝑛 + = 2.393𝑚𝐴 + 45.53𝑚𝐴 = 𝟒𝟕. 𝟗𝟐𝒎𝑨
𝑅𝐿𝑚 í𝑛

I Rcargap 68.2789mA
Recordando: IC ≅ IRcargaCD = 2 = 2 = 𝟒𝟑. 𝟒𝟔𝟕𝟕𝐦𝐀
π π

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Analizando el circuito para RLmáx=ꝏΩ

VC=VRS+Vrz+VZ=RSIRS+rzIZ+VZ=IZ(RS+rz)+VZ

IS=IC=IRS=IZ

𝑉𝐶 −𝑉𝑍 32.541𝑉𝑝 −10𝑉

𝑰𝒁𝒎á𝒙 = = =47.25mA
𝑅𝑆 +𝑟 𝑍 470Ω+7Ω

VZmáx=VZ+VZ(0.05)=10V+10V(0.05)=10.5V

PZmáx=[rZIZmáx+VZ]IZmáx=*(7Ω)(47.25mA)+10V+(47.25mA)=488.13mW< o <<PZmáx del fabricante

PZmáx=VZmáxIZmáx=(10.5V)(47.25mA)=496.125mW

Pz≈VZIZmáx≈(10V)*(47.25mA)≈472.5mW

PRS=VRS*IRSmáx=RS(IRSmáx)2=(470Ω)(47.25mA)2=1.0493W

RS=470Ω @ 2W o más Watts

Existen cuatro casos de circuitos reguladores de voltaje con diodo Zener:

1. Fuente de alimentación fija y circuito de carga fija:

IZ ∗ rZ + VZ
𝑉𝑆 = 𝑅𝑆 𝐼𝑍 + + 𝑟𝑍 𝐼𝑍 + 𝑉𝑍
𝑅𝐿

2. Fuente de alimentación fija y circuito de carga variable:

IZ ∗ rZ + VZ
𝑉𝑆 = 𝑅𝑆 𝐼𝑍 + + 𝑟𝑍 𝐼𝑍 + 𝑉𝑍
𝑅𝐿

Para RLmín; considerando: IZmín≥IZK

IZmín ∗ rZ + VZ
𝑉𝑠 = 𝑅𝑆 𝐼𝑍𝑚 í𝑛 + + 𝑟𝑍 𝐼𝑍𝑚 í𝑛 + 𝑉𝑍
𝑅𝐿𝑚 í𝑛

Para RLmáx

18
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 IZmáx ∗ rZ + VZ
𝑉𝑠 = 𝑅𝑆 𝐼𝑍𝑚 á𝑥 + + 𝑟𝑍 𝐼𝑍𝑚 á𝑥 + 𝑉𝑍
𝑅𝐿𝑚 á𝑥

3. Fuente de alimentación variable y circuito de carga fija:

IZ ∗ rZ + VZ
𝑉𝑠 = 𝑅𝑆 𝐼𝑍 + + 𝑟𝑍 𝐼𝑍 + 𝑉𝑍
𝑅𝐿

Para VSmín; considerando: IZmín≥IZK

IZmín ∗ rZ + VZ
𝑉𝑠𝑚í𝑛 = 𝑅𝑆 𝐼𝑍𝑚 í𝑛 + + 𝑟𝑍 𝐼𝑍𝑚 í𝑛 + 𝑉𝑍
𝑅𝐿

Para VSmáx

IZmáx ∗ rZ + VZ
𝑉𝑠𝑚á𝑥 = 𝑅𝑆 𝐼𝑍𝑚 á𝑥 + + 𝑟𝑍 𝐼𝑍𝑚 á𝑥 + 𝑉𝑍
𝑅𝐿

4. Fuente de alimentación variable y circuito de carga variable:

IZ ∗ rZ + VZ
𝑉𝑆 = 𝑅𝑆 𝐼𝑍 + + 𝑟𝑍 𝐼𝑍 + 𝑉𝑍
𝑅𝐿

Para VSmíny RLmín ; CONSIDERANDO: IZ≥IZK

IZmín ∗ rZ + VZ
𝑉𝑠𝑚í𝑛 = 𝑅𝑆 𝐼𝑍𝑚 í𝑛 + + 𝑟𝑍 𝐼𝑍𝑚 í𝑛 + 𝑉𝑍
𝑅𝐿𝑚 í𝑛

Para VSmáx y RLmáx

IZmáx ∗ rZ + VZ
𝑉𝑠𝑚á𝑥 = 𝑅𝑆 𝐼𝑍𝑚 á𝑥 + + 𝑟𝑍 𝐼𝑍𝑚 á𝑥 + 𝑉𝑍
𝑅𝐿𝑚 á𝑥

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Elizabeth Arévalo González-2020
Circuitos recortadores de voltaje:

Los diodos Zener también, se utilizan en aplicaciones de ca para limitar las excursiones de voltaje a niveles
deseados.

R=270 ohm D
+
VZ =3.9V
+

Vs =20Vps ent Z
Vo
150Hz

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Elizabeth Arévalo González-2020
 VZ1+VZ2+VZ3=3.3V+4.7V+5.1V=13.1V
R=270 ohm
+
Z1
+

Vs =30Vpsent Z2 Vo

150Hz
Z3
_

Considerando que: VZ1>VZ2>VZ3

R=270 ohm
+
+

Vs =20Vpsent Z1 Z2 Z3
Vo
150Hz

Considerando que: VZ1>VZ2>VZ3

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Elizabeth Arévalo González-2020