Tiristores PDF

UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING.
ELECTRICA
3-1 Tiristores
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
___________________________________________________________________
Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
1
TIRISTORES

Los tiristores son una familia de dispositivos semiconductores que se utilizan en los
circuitos conversores de potencia elctrica controlada. Compiten en algunas
aplicaciones, con los transistores de potencia. Actan como interruptores de corriente
elctrica, con caracterstica biestable por un proceso interno regenerativo, que lo hace
pasar de un estado no conductor, a un estado conductor.
En comparacin con los transistores, desde el punto de vista de su actuacin como
interruptor de corriente elctrica, los tiristores tienen menores perdidas por conduccin
en estado encendido y tienen mayores especificaciones para el manejo de la potencia
elctrica a convertir. Los transistores, en cambio, tienen en gral, mejor prestacin
durante la conmutacin, por su mayor velocidad y menor perdida de conmutacin.
Existen una gran variedad de dispositivos semiconductores denominados tiristores,
con dos, tres y hasta cuatro terminales externos. Por ejemplo el tiristor convencional,
denominado SCR (rectificador controlado de silicio), tiene tres terminales, dos de los
cuales los emplea para conducir la corriente elctrica a convertir, y el tercer terminal se
lo utiliza para encender el dispositivo (pasaje al estado conductor). La operacin
inversa, o sea el bloqueo de la corriente controlada, solo se logra por accin natural
(cruce por cero de la corriente por el cambio de polaridad del voltaje), o por accin
forzada de circuitos de conmutacin auxiliares.
El GTO es un tiristor que tiene implementada la funcin de encendido y apagado
mediante una compuerta que se le aplican pulsos positivos (para encendido) y pulsos
negativos (para apagado), respecto al terminal ctodo.
Previo al anlisis del funcionamiento interno de estos dispositivos, veremos primero el
circuito bsico y funcionamiento de rectificador controlado de media onda.

En el dibujo se aprecia al SCR con sus tres terminales nodo, ctodo y compuerta
(gate). La corriente principal circula entre nodo y ctodo. La tensin de disparo o
control, se aplica entre la compuerta y el ctodo. Esta ltima tensin, como veremos, es
generalmente de tipo pulsante, generada por un circuito electrnico especial,
denominado circuito de disparo.
Circuito
De
disparo
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA
3-1 Tiristores
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
___________________________________________________________________
2
Para interpretacin del funcionamiento, resulta conveniente graficar las tensiones
elctricas intervinientes en el circuito, en funcin del tiempo.

En el intervalo de tiempo entre 0 y t1, el SCR tiene aplicada una tensin positiva entre
nodo y ctodo (directa), no conduciendo corriente, por lo que : vL= 0 y vac= vs.
En t1, el circuito de disparo aplica un pulso de corriente a la compuerta, haciendo que
el SCR pase al estado de conduccin. La tensin vac cae a una valor prximo a 1 volt y
aparece un voltaje en la carga vL= vs- vac vs. Cuando la tensin de alimentacin pasa
por cero (t2) y si la corriente de carga esta en fase, esta tambin cae a cero, lo que hace
que el SCR se apague y deje de conducir. La tensin en sus extremos se eleva
hacindose negativa y de valor vac = vs ; vl = 0. Posteriores disparos durante el
semiciclo negativo de la tensin de entrada (t3), no logran encender al SCR. En el
prximo semiciclo positivo, en t4, al aplicarle otro pulso en la compuerta, nuevamente
el SCR comienza a conducir corriente hasta el cruce por cero (t5).

Vs
Vac
VL
Vgc
t
t
0 t1 t2 t3 t4 t5
SCR
conduce
SCR
no conduce
SCR
conduce
t
3-1 Tiristores
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
___________________________________________________________________
3
Caracteristicas de los tiristores

Bsicamente estn formados por una estructura semiconductora de cuatro capas pnpn
con tres junturas J1 , J2 , J3, como muestra el siguiente dibujo:

Cuando al nodo se le aplica tensin positiva respecto al ctodo, las junturas J1 y J3 se
polarizan directamente y la juntura J2 inversamente. Entre ambos terminales fluye una
pequea corriente. Se dice que el tiristor esta en estado de bloqueo directo o
desactivado. Si aumentamos la tensin nodo-ctodo (vac), la juntura J2 entra en
ruptura por avalancha (vac = V
BO
), denominado voltaje de ruptura directo. Por el
tiristor circulara una gran corriente, solo limitada por la carga conectada al circuito. Se
dice que el tiristor entro en estado de conduccin directo o activado. En esta
condicin, vac1 volt. La corriente se mantendr circulando, solo si esta supera un
valor, denominado corriente de retencin o enganche.
Cuando se aplica una tensin negativa en el nodo respecto al ctodo, J1 y J3 se
polarizan inversamente, y J2 se polariza directamente. En esta condicin, la junturas J1
y J3, se comportan como dos diodos conectados en serie, soportando una tensin
inversa, por lo que circulara una pequea corriente de fuga entre nodo y ctodo
(corriente inversa). Se dice que en esta condicin, el tiristor esta en estado de bloqueo
inverso, similar a un diodo polarizado inversamente.
La activacin de un tiristor, haciendo vac > V
BO
, lo puede destruir. En la prctica
vac < V
BO
y para activarlo, se le aplica un voltaje positivo a la compuerta G, respecto
al ctodo. Una vez activado, puede quedar en esta condicin (por un mecanismo de
realimentacin interna positiva), siempre y cuando la corriente de nodo supere el valor
de la corriente mnima de retencin o enganche (ia> iL). Dadas estas condiciones, la
tensin de compuerta se puede retirar, sin afectar el ultimo estado conductor del
tiristor .
El tiristor, en el estado conductor, se comporta en forma similar a la de un diodo
polarizado directamente y ya no hay control sobre el dispositivo.
El estado de bloqueo directo se logra, como dijimos, mediante la conmutacin natural
de la tensin de alimentacin a un valor negativo o mediante circuitos especiales de
apagado del tiristor; todos ellos actuando sobre la corriente de nodo para que su valor
se haga menor a la de mnima de mantenimiento (ia < iH).
P
N
P
N
Puerta
(G
P
)
nodo
(A)
(C)
ctodo
G
A
C
J1

J2

J3
3-1 Tiristores
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
___________________________________________________________________
4
Modelo del tiristor con dos transistores bipolares:

La accin regenerativa, por realimentacin positiva, que hace que el tiristor pase del
estado de bloqueo directo al estado conductor, se puede demostrar utilizando un
circuito equivalente con dos transistores bipolares como se muestra en la figura
siguiente:

A continuacin vamos a analizar este modelo aplicado a un circuito bsico formado por
los dos transistores bipolares una impedancia de carga y una fuente de alimentacin.
Con este circuito, vamos a calcular analticamente la corriente de nodo iA, en funcin
de los parmetros elctricos de ambos transistores. Como caso general, consideraremos
dos puertas, una en la base del transistor npn y la otra en la base del transistor pnp.

P
N
P
N
Puerta
(G)
nodo
(A)
(C)
ctodo

J2
P
N
J1
J2

J3
3-1 Tiristores
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
___________________________________________________________________
5
La corriente de colector I
C
,de un transistor bipolar, se relaciona en gral con la
corriente de emisor I
E
y la corriente de fuga de la juntura colector-base, I
CBO
como:

I
C
= I
E
+ I
CBO

Donde I
C
/ I
E
representa la ganancia de corriente en base comn
Para nuestro caso la corriente de colector I
C1
del transistor Q1 resulta:

I
C1
= 1I
A
+ I
CBO1
(1)
Donde 1 es la ganancia de corriente e I
CBO1
es la corriente de fuga para Q1.
De la misma manera para Q2:

I
C2
= 2I
C
+ I
CBO2
(2)
Por otra parte, de acuerdo al circuito tenemos:
I
A
= I
C1
+ I
B1
(3)
I
B1
= I
C2
+ I
GN
(4)
I
C
= I
GP
+ I
A
- I
GN
(5) igualdad que sale de las corrientes entrantes es igual a las
corrientes salientes.
Con las expresiones anteriores despejamos la corriente de nodo, resultando:

I
A
=[ I
CBO1
+ I
CBO2
+ (1- 2)I
GN
+ 2. I
GP
] / [1- (1+2) ]

1) Si en la ecuacin anterior hacemos I
GN
= I
GP
= 0

, es decir no hay activacin por
compuerta, la corriente de nodo vale:

I
A
= I
CBO1
+ I
CBO2
En este caso 1 =2 0 dado que I
E
0

2) Si hacemos I
GN
= 0 e I
GP
0 o sea tenemos activacin por la compuerta del
transistor npn (corriente de base entrante) comienza a producirse la realimentacin
interna positiva , dado que aumenta la corriente de colector de Q2 que a su vez es
corriente de base de Q1 y por efecto de amplificacin aumenta su corriente de emisor
(corriente de nodo del tiristor); de la misma forma aumenta la corriente de colector de
Q1 y esta corriente alimenta nuevamente la base de Q2 y as sucesivamente hasta que
ambos transistores pasan a la saturacin. En la formula el crecimiento de la corriente de
nodo se nota al aumentar las ganancias de corrientes de los transistores por efecto del
aumento de las corrientes de emisor de los transistores, segn la
grafica:

1
0,8

0,6
0,4
0,2
10
-3
10
-2
10
-
1 I
E
[mA]
3-1 Tiristores
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
___________________________________________________________________
6

Cuando 1 + 2 = 1 el denominador de la formula se hace cero y la corriente del nodo
del tiristor se hace infinita. En la prctica, queda limitada por el circuito externo

3) Si hacemos I
GP
= 0 e I
GN
0 o sea tenemos activacin por la compuerta del
transistor pnp (corriente de base saliente) comienza a producirse el mismo efecto de
realimentacin pero en este caso requerir mayor corriente de compuerta dado que en la
expresin de la corriente de nodo el termino de I
GN
en el numerador, esta afectado por
(1-2).

Condiciones transitorias en el tiristor:
Bajo condiciones transitorias de tensin en sus extremos principales, las capacitancias
de las junturas J1, J2, J3, influyen en el comportamiento del tiristor.

Cj1 y Cj3 son capacidades de almacenamiento o difusin, para una juntura polarizada
directamente. Cj2, es la capacidad de la carga espacial o de transicin, para una juntura
polarizada inversamente. Si el tiristor esta en bloqueo directo, un rpido crecimiento del
voltaje aplicado entre los extremos nodo-ctodo, provocar un flujo de corriente a
travs de los capacitores de las junturas.. La corriente que pasa por el capacitor Cj2
vale:
Ij2 = d(qj2) / dt = d(Cj2.Vj2) / dt = Vj2.dCj2/dt + Cj2.dVj2/dt

Como vemos, si dVj2/dt es grande, tambin lo ser Ij2, dando lugar a un incremento de
las corrientes de fuga I
CBO1
y I
CBO2
d la juntura J2 de los transistores, provocando un
incremento de la corriente de nodo y, por realimentacin, 1 y 2 se incrementan,
causando la conduccin del tiristor en forma indeseable. Adems, si esta corriente
capacitiva es muy grande, puede destruirlo.

Activacion del tiristor

Los tiristores pueden activarse, o sea incrementar su corriente de nodo, por diversas
formas:
3-1 Tiristores
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
___________________________________________________________________
7
1) Accion termica: Si la temperatura del tiristor es alta, se incrementan las corrientes
I
CBO1
y I
CBO2
por generacin de portadores minoritarios (electrn-huecos), aumentando
los valores de 1 y 2. Cuando 1 +2 = 1, por accin regenerativa el tiristor se activa.
En consecuencia es necesario limitar la temperatura mxima de funcionamiento para
evitar esta condicin no deseada. Los fabricantes suministran los valores mximos de
temperatura de funcionamiento.

2) Accion de la luz: Si se permite que la luz llegue a las junturas del tiristor (J2),
aumentaran los portadores minoritarios electrn-huecos, aumentando las corrientes =
I
CBO1
y I
CBO2
, hasta provocar la activacin. Este mecanismo se utiliza para activar
tiristores que trabajan en convertidores para alta tensin, utilizando fibras pticas para
su activacin y aislamiento elctrico del circuito generador de los pulsos de disparo.
(Tiristores activados por luz LASCR).

3) Aumento de la tension aplicada: Si la tensin directa aplicada Vac (nodo-ctodo)
resulta mayor que V
BO,
(tensin mxima de bloqueo directo), por efecto avalancha,
aumenta I
CBO1
y I
CBO2
hasta la activacin por accin regenerativa, con probabilidad de
destruccin. Esto limita la mxima tensin directa aplicada.

4) Variacin de la tension aplicada (dv/dt): Esta accin produce un aumento de las
corrientes capacitivas de las junturas del tiristor, suficientes para activarlo. Un valor alto
de estas corrientes, puede ser destructivo. Los fabricantes establecen los lmites de dv/dt
que pueden soportar los tiristores.

5) Accion del transistor Q2 por corriente de compuerta: Es el mtodo normal para
activarlo; se logra aplicando un voltaje positivo a la compuerta respecto al ctodo, que
provocara la circulacin de la corriente I
GP
, dando lugar a la accin regenerativa
interna en el tiristor . La activacin para el SCR se logra con voltajes de bloqueo
directo (nodo positivo respecto al ctodo)

Caracteristica tension-corriente entre anodo y catodo para el SCR

ia
Corriente mnima
De enganche IL

Corriente mnima
De mantenimiento
I
H
Voltaje de
Ruptura inversa

Corriente de fuga
Inversa

Caractersticas
Con corriente
de compuerta
Ig1>Ig2>ig3
V
BO

Voltaje de
Ruptura directo
para Ig =0
vac
3-1 Tiristores
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
___________________________________________________________________
8
Se observa que en el primer cuadrante, tenemos las caractersticas directas. Si
aumentamos la tensin vac al principio la corriente directa es insignificante. Cuado
llegamos a la zona limite de bloqueo directo (V
BO
) la corriente comienza a aumentar y
la tensin a disminuir; en este momento comienza la realimentacin interna del tiristor,
donde se manifiesta una caracterstica de resistencia negativa. Durante este periodo, el
dispositivo transita por esta zona , hasta llegar a una zona con caracterstica de
resistencia positiva, el tiristor podr quedar con determinados valores de corriente y
tensin, dependiente de la tensin externa de alimentacin y la resistencia de carga. Esto
se puede lograr, si la corriente andica supere el valor mnimo de enganche o retencin
(I
L
). Cuando la corriente andica comienza a disminuir, a partir de un valor mnimo (i
H
),
el dispositivo vuelve al estado de bloqueo directo. Las caractersticas directas, se
modifican (lneas de trazos) de acuerdo con el valor de la corriente inyectada en la
compuerta. En este caso vemos que aumentando la corriente en la compuerta, la tensin
de bloqueo directo, disminuye.

Caracterstica tensin- corriente en la compuerta del SCR

Los tiristores tienen limitaciones en tensin, corriente y disipacin mxima de
compuerta. Veamos por ejemplo la caracterstica tensin corriente de la compuerta del
SCR:

Los fabricantes suministran una zona limitada por dos curvas donde se puede ubicar el
punto de operacin. La recta de carga, del circuito de disparo, debe ubicarse por debajo
de la hiprbola de mxima disipacin promedio, si se lo dispara con tensin continua; si
se lo dispara con pulsos, la recta de carga se podra ubicar debajo de la mxima
hiprbola de disipacin instantnea Por ejemplo si P
Gpromedio
=0,5 vatios y P
Gmax
= 10
vatios, entonces se podr disparar al SCR con pulsos con una potencia mxima de 10
watios con una duracin de tp=0, 5 mseg., con un periodo de 10 mseg., dado que la
potencia promedio, no supera los 0,5 vatios.
En la zona rayada, no es conveniente que cruce la recta de carga del circuito de disparo,
dado que el encendido, depende de la temperatura lo que lo hace inseguro.

P
Gpromedio
= 1/T.
0
tp
Pmax. dt = 1/T . Pmax.tp = (1/10) .10 .0,5 = 0,5 vatios.
La relacin tp / T se le denomina relacin de ciclo de disparo.
vg

V
GG

V
GG
/Rs. ig
Curvas lmites de una familia de SCR
Recta de carga
Punto de operacin
Curva para un SCR especifico
Disipacin mxima
con pulsos de disparo

Disipacin promedio o
disparo con cc
Zona de disparo
inseguro
3-1 Tiristores
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
___________________________________________________________________
9

Caractersticas de activacin del SCR

Entre el momento de aplicacin del pulso de disparo en la compuerta del tiristor, hasta
que la corriente de nodo llegue a su valor final, establecido por el circuito externo, se
produce un retardo, denominado tiempo de encendido(ton). Este tiempo, esta definido
como el intervalo de tiempo que transcurre entre el 10% de la corriente de compuerta en
estado estable (0,1.I
G
) y el 90% de la corriente de nodo, en estado de encendido
(0,9I
A
).

td: tiempo de retraso, comprendido entre 0,1.I
G
y 0,1.I
A
.

tr: tiempo de subida, comprendido entre 0,1.I
A
y 0,9.I
A
.

ton = td + tr : tiempo de encendido.

Cuando se disea el circuito de control, se deben tener en cuenta, los siguientes puntos:

1) Se debe eliminar la seal de compuerta una vez que el tiristor se activo; con esto se
logra disminuir la perdida de potencia en la compuerta.

2) Cuando el tiristor esta con polarizacion inversa, no debe haber seal de compuerta,
dado que puede daarlo por aumento de la corriente de fuga.

i
A

I
A
0,9.I
A

0,1.I
A

0

i
G

I
G

0,1.I
G

0
td tr

ton
t
t
3-1 Tiristores
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
___________________________________________________________________
10
3) El ancho del pulso de compuerta tp debe ser mayor que el tiempo requerido para
que el tiristor se active o sea que la corriente de nodo llegue por encima de la corriente
de enganche o retencin, tp > ton.

Caractersticas de desactivacin del SCR

Para desactivar un tiristor, debemos reducir la corriente de nodo por debajo de la de
mantenimiento (I
H
). Esto se puede lograr en forma natural, por el cambio de polaridad
de la tensin externa de alimentacin, o por mtodos de conmutacin forzosa, por
medio de circuitos auxiliares. Una vez lograda que la corriente este por debajo de la
mnima de mantenimiento, es necesario esperar un tiempo relativamente largo, de
manera tal que todos los portadores de carga en exceso, en las cuatro capas se eliminen;
caso contrario, el tiristor volver a activarse, cuando se le aplique una tensin directa,
sin necesidad de aplicar una seal de compuerta. De ocurrir esto ultimo, por
sobrepasarse la frecuencia de conmutacin mxima del dispositivo, se pierde el control
de la potencia convertida.

trr : Corresponde al tiempo de recuperacin inversa de las junturas J1 y J3.

trc : Corresponde al tiempo de recuperacin inversa de la juntura J2.

Qrr : Es la carga de recuperacin inversa durante el proceso de desactivacin ;
representa el rea encerrada por la corriente (rea rayada). Su valor depende del tipo de
tiristor, de la corriente previa a la conmutacin y de la velocidad de reduccin de la
corriente.
Los fenmenos de activacin y desactivacin, producen perdidas de potencia.

trr trc

tq
I
A

Vac
t
t
3-1 Tiristores
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
___________________________________________________________________
11
Proteccin contra la di/dt en los tiristores

El inconveniente de la di/dt es similar al caso de los diodos semiconductores. Los
tiristores requieren un tiempo para dispersar toda la corriente en forma uniforme a
travs de las junturas. Si la di/dt, toma un valor muy alto, pueden producirse puntos
calientes, debido a las altas densidades de corriente que pueden hacer fallar al tiristor.
La solucin para este caso, es colocar una inductancia en serie con el dispositivo como
se muestra en el siguiente circuito:

En este circuito practico con carga inductiva, Dm acta como diodo volante para
recuperar energa magntica. Este diodo conduce cuando el tiristor T1 esta cortado o
desactivado. Cuando T1 se activa, Dm sigue conduciendo inversamente (durante su
proceso de conmutacin al estado de bloqueo) por lo que Vs Ls. Di/dt . Por lo tanto
conociendo el valor mximo que puede soportar el semiconductor respecto a di/dt (el
fabricante suministra su valor), podemos determinar el valor de la inductancia de
proteccin como: Ls Vs / (di/dt).
El capacitor C2 se coloca para absorber la energa almacenada en Ls, cuando Dm se
bloquea despus de su conduccin y asi evitar una sobre tensin sobre el tiristor. La
resistencia R2 cumple la misin de disipar la energa y amortiguar el transitorio del
circuito Ls C2.

Proteccin contra la dv/dt

Para que la tensin aplicada no supere la mxima variacin permitida del tiristor, suele
conectarse en paralelo con el dispositivo, una red RC en serie. De esta manera, la carga
del capacitor, limita la velocidad de crecimiento del voltaje en los extremos del
dispositivo. Para su clculo, consideramos la carga del capacitor con la tensin externa
de alimentacin
3-1 Tiristores
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
___________________________________________________________________
12

Calculamos la variacin de la tensin de carga del capacitor para el tiempo igual a la
constante de carga = Rs.Cs

dv/dt = 0,632.Vs / = 0,632.Vs / Rs.Cs despejamos :

Rs.Cs = 0,632.Vs / dv/dt(max)

El valor de Hrs., se determina como Rs = Vs / I
AD
siendo I
AD
la corriente mxima de
descarga del capacitor, que puede soportar el tiristor.

TIPOS DE TIRISTORES

Los tiristores se fabrican casi exclusivamente por el proceso de difusin. Con tcnicas
especiales y estructuras de compuerta, controlan los valores de di/dt, tiempo de
encendido y tiempo de apagado. En gral se los activa con impulsos cortos de excitacin
en la compuerta. Para apagarlos, se requieren condiciones especiales de la tensin o
circuitos especiales de apagado. Con el fin e tener un control mas eficiente, tanto en las
condiciones de activacin como en la desactivacin, se han desarrollado una serie de
dispositivos nuevos que han mejorado notablemente al clsico tiristor SCR
Daremos a continuacin una clasificacin de los diversos tiristores de potencia que
tienen aplicaciones comerciales y una breve descripcin de ellos.

1) Tiristores controlados por fase (SCR)

2) Tiristores bidireccionales controlados por fase ( BCT)

3) Tiristores de conmutacin rpida (SCR)

4) Rectificadores controlados de silicio foto activados (LASCR)

5) Tiristores de trodo bidireccional (TRIAC

6) Tiristores de conduccin en sentido inverso (RCT)

7) Tiristores de apagado por compuerta (GTO)

8) Tiristores controlados por FET (FET-CTH)

Vac

0,632.Vs
t==RsCs
t
3-1 Tiristores
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
___________________________________________________________________
13
9) Tiristores de apagado por MOS (MTO)

10) Tiristores de apagado (control) por emisor (ETO)

11) Tiristores conmutados por compuerta integrada (IGCT)

12) Tiristores controlados por MOS (MCT)

13 Tiristores de induccin esttica (SITH)

Tiristores controlados por fase (SCR)

Son tiristores de bajo costo, alta eficiencia y especificaciones de alto voltaje y corriente.
Se utilizan en los convertidores de de corriente alterna a corriente continua, a frecuencia
industrial (50 0 60 Hz) o sea, en rectificadores controlados por el mtodo de control por
fase. Se usan en casi todas las transmisiones de CC en alto voltaje (HVDC) y control de
velocidad de motores de CC. Tienen un tiempo de apagado tq del orden de los 50 a
100 seg. Tienen un voltaje en sus extremos en estado activado que varia desde 1,15 V
para 600 V, hasta 2,5 V para tiristores de 4000 V de tensin de bloqueo directo e
inverso. Por ejemplo un tiristor SCR de 1200 V, 5500 A, el voltaje de cada suele ser de
1,25 V.
Los tiristores modernos, suelen tener una compuerta amplificadora como se muestra en
el siguiente esquema.

El encendido se realiza activando el tiristor auxiliar que a su vez amplifica la seal de
compuerta para el tiristor principal. Con esto se logra una simplificacin para el circuito
generador de los pulsos de disparo, unas caractersticas dinmicas altas con tasas de
dv/dt tipicas de 1000V/seg. y tasas de di/dt de 500 A/seg., obtenindose con
estos valores, una simplificacin del inductor limitante y circuito de proteccin contra la
dv/dt.

3-1 Tiristores
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
___________________________________________________________________
14
Tiristores bidireccionales controlados por fase (BCT)

Es un dispositivo nico, de reciente aparicin para el control de alta potencia, que
combina dos tiristores en un mismo encapsulado. Tiene la ventaja de ser mas compacto
simplificando el sistema de enfriamiento, mayor fiabilidad y menor costo final del
convertidor. El comportamiento elctrico del BCT corresponde a dos tiristores
fabricados en la misma oblea y conectados en antiparalelo. Tiene dos compuertas, una
para activar la corriente en sentido directo (tiristor A) y la otra, para activarla en sentido
inverso (tiristor B). La desactivacin se logra por disminucin de la corriente andica
por debajo de la mnima de mantenimiento, similar a los SCR.
Tiene aplicaciones en frecuencia industrial tales como compensadores estticos de volt-
amperes reactivos (VAR), arrancadores suaves y control de motores. Tienen
especificaciones mximas de tensiones de bloqueo de 6500 V a 1800 A. La mxima
especificacin de corriente es de 3000 A a 1800 V.

Tiristores de conmutacin rpida (SCR)

Son usados en aplicaciones de conmutacin de alta velocidad, con conmutacin forzada
con el caso de los convertidores de cc a ca, denominados inversores. Tienen un tiempo
corto de apagado, entre 5 y 50 seg, dependiendo del intervalo de voltaje. La cada de
voltaje en sus extremos, cuando estn activados, es funcin inversa del tiempo de
encendido (tq). Este tiristor, suele llamrsele SCR rpido o tiristor inversor.
Estos tiristores, tienen valores altos de dv/dt, de unos 1000 V/seg y valores de di/dt de
1000 A/seg. Estos valores altos de dv/dt y di/dt, son importantes para reducir el
tamao y peso de los componentes auxiliares del circuito de conmutacin.
Se disponen de tiristores rpidos con valores de 1800 V de bloqueo directo e inverso y
corriente de 2200 A, con una cada de tensin directa de 1,7 V. Existen tiristores
rpidos con bloqueo inverso (no destructivo ) de unos 10 V, con un tiempo de apagado
muy corto de alrededor de 3 a 5 seg; a estos ltimos, tiristores asimtricos(ASCRS).

Tiristores foto activados (LASCR)

Estos tiristores, se activan por radiacin de luz directa, en la oblea de silicio, en la zona
de la juntura J2. La radiacin de luz genera en esta zona (polarizada inversamente,
con tensin de bloqueo directo, en los extremos del tiristor), generando suficiente pares
electrn-huecos que, por el proceso de realimentacin, activan al tiristor.
La estructura de la compuerta se disea de tal forma que proporciona suficiente
sensibilidad para ser activado con fuentes luminosas normales como por ejemplo
radiacin luminosa provenientes de fibras pticas o diodos emisores de luz(LEDS).
A
B
A
B
Smbolo
del BCT
Equivalencia
con dos SCR
3-1 Tiristores
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
___________________________________________________________________
15
Estos tiristores se usan en aplicaciones de alto voltaje y corriente, a frecuencia
industrial, como las conversiones para transmisiones CC de alto voltaje (HVDC) y
compensacin de potencia reactiva. Los LASCR, tienen un aislamiento elctrico
completo entre la fuente de radiacin de activacin y el circuito conversor que trabaja a
alta tensin. Las especificaciones elctricas mximas de estos dispositivos, llegan a
4000 V a 1500 con una potencia de activacin, menor de 100 mW. Soportan una dv/dt
de hasta 2000 V/seg y di/dt de unos 250 A/mseg.

Tiristores de trodo bidireccional (TRIAC)

Es un dispositivo semiconductor de caracterstica biestable, con la particularidad que
puede conducir corriente controlada en ambos sentidos, con tensiones positivas y
negativas, aplicadas a sus terminales principales. La activacin, se realiza en forma
similar a los SCR, aplicndoles una tensin elctrica, de determinada polaridad, al
terminal de compuerta.
Como el triac, puede conducir en ambas direcciones, sus terminales principales, se
denominan T2 y T1, en reemplazo del ctodo y nodo de los dispositivos
unidireccionales, como el SCR. Estructuralmente, esta constituido de la siguiente
forma:

P
N N
T2
N

P
N N
T1

simbolo
Circuito anlogo
con dos SCR
simbolo
Circuito equivalente
3-1 Tiristores
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
___________________________________________________________________
16
Como vemos tenemos en la oblea de silicio, un SCR desde el terminal 2 al terminal 1, y
otro SCR en paralelo, pero conectado desde terminal 1 al terminal 2 (antiparalelo). Las
compuertas de ambos SCR estn unidas a una compuerta (G) comn.
La caracterstica tensin corriente del triac es la siguiente:

Si tomamos al Terminal T1 como referencia, podemos decir que el triac se activa
tanto con tensin positiva o negativa del Terminal T2 y adems el pulso aplicado a la
compuerta respecto al Terminal de referencia (T1) puede ser positivo o negativo. De
esta forma tendremos cuatro posibilidades de disparo a saber:
1) Terminal T2 positivo con pulso en G positivo (1 cuadrante con +VG) I
+
1) Terminal T2 positivo con pulso en G negativo (1 cuadrante con -VG) I
-
1) Terminal T2 negativo con pulso en G negativo (3 cuadrante con -VG) III
-
1) Terminal T2 negativo con pulso en G positivo (2 cuadrante con +VG) III
+
En la prctica las sensibilidades al disparo son diferentes. En el primer cuadrante se
logra activar al triac con menor corriente de compuerta, aplicndole un pulso de tensin
positiva. Para el tercer cuadrante la mayor sensibilidad, se logra con un pulso de tensin
negativa, en la compuerta.
Esencialmente el TRIAC no presenta diferencias de funcionamiento con respecto al
SCR. Los regimenes mximos que garantiza el fabricante estn determinados por la
temperatura mxima de funcionamiento. Los valores de tensin de bloqueo estn
disponibles hasta 1200 V y corrientes mximas de 300 A. La frecuencia mxima de
operacin es de 400Hz, con tiempos de conmutacin de 200 a 400 seg.
Los TRIAC, tienen aplicaciones en los convertidores de ca a ca (modifican el valor
eficaz de la tensin alterna) por el mtodo de control por fase. Cuando trabajan con
carga inductiva, debido a que la corriente circula mas all del cruce por cero de la
tensin de alimentacin, cuando la corriente se hace finalmente cero, el TRIAC se
somete a una dv/dt alta debido a que en ese momento la tensin en sus extremos toman
el valor de la tensin externa que en ese momento tiene un valor alto. Por ello es
necesario protegerlo con una red pasiva RC, dado que si no se lo hace, se pierde el
control de potencia y el TRIAC se reactiva inmediatamente sin pulso de disparo.

2 cuadrante
bloqueado
1 cuadrante
Activado (con v
G
)
Activado (con v
G
)
1 cuadrante
Bloqueado
4 cuadrante
3-1 Tiristores
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
___________________________________________________________________
17
Tiristores de conduccin en sentido inverso (RCT)

Estos tiristores se utilizan en aquellos convertidores que necesitan conducir una
corriente en sentido inverso, por causa de una carga inductiva y para mejorar los
requisitos de apagado del circuito de conmutacin. El RCT, esta compuesto en un
mismo encapsulado por SCR y un diodo en antiparalelo, como muestra la figura:

El diodo fija el voltaje de bloqueo inverso en 1 a 2 volt en estado estable; en
condiciones transitorias su valor es de unos 30 volt por las inductancias parsitas
internas. Se disponen de RCT con tensiones de bloque directo de 400 a 2000 V con
corrientes de hasta 500 A. A este dispositivo, tambin se le suele llamar ASCR o tiristor
asimtrico, con aplicaciones en circuitos especficos.

Tiristores de apagado por compuerta (GTO)

EL GTO, en forma similar a un SCR, se puede activar con una seal pulsante positiva
en la compuerta, pero tiene la posibilidad de apagarlo con una seal negativa aplicada
en la misma compuerta. Los GTO, se pueden construir con especificaciones de tensin
y corrientes parecidas a los SCR, con las siguientes ventajas: 1) No necesitan elementos
auxiliares de conmutacin en convertidores que necesitan la conmutacin forzada,
reduciendo el costo peso y volumen del convertidor. 2) Reduccin del ruido acstico y
electromagntico por eliminacin de los reactores de conmutacin. 3) Desactivacin
mas rpida lo que le permite trabajar con frecuencias de conmutacin mas elevada.
4) Mayor eficiencia de los convertidores.
En aplicaciones de baja potencia, los GTO tambin tienen ventajas sobre los transistores
bipolares: 1) Mayor especificacin de voltaje de bloqueo. 2) Alta relacin de corriente
pico controlable a corriente promedio. 3) Alta relacin de corriente pico de sobrecarga y
la corriente promedio. (10:1) 4) Alta ganancia entre la corriente en el estado activo y la
corriente de compuerta necesaria para su activacin (1:600). 5) Seal pulsante de corta
duracin en compuerta para su activacin y desactivacin a diferencia del transistor
bipolar que requiere seal permanente en estado activo.
A continuacin veremos el corte transversal del GTO, su smbolo y su circuito
equivalente:

3-1 Tiristores
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
___________________________________________________________________
18

A diferencia del SCR, el GTO tiene una capa adicional n
+
cerca del nodo, que forma
un circuito de apagado entre la compuerta y el ctodo, en paralelo con la compuerta de
encendido. El circuito equivalente es similar al SCR, excepto por su mecanismo de
apagado interno. La activacin se logra con un pulso de corriente entrante, aplicado
entre la compuerta y el ctodo. Para lograr la realimentacin interna que lo lleve al
estado activo o encendido, el pulso de corriente entrante debe cumplir especificaciones,
dadas por el fabricante, respecto al gradiente de elevacin, corriente mxima y duracin
del impulso.
El apagado se logra haciendo pasar un gran pulso de corriente entre el ctodo y la
compuerta (corriente saliente de la compuerta), para apartar suficientes portadores de
carga del ctodo, que correspondera al emisor del transistor Q2 (transistor npn, en el
circuito equivalente) para cortarlo y de esa manera sacar al transistor Q1 de la accin
regenerativa. Con esta accin, el transistor Q1 queda con la base abierta y el GTO
vuelve al estado desactivado o no conductor. De la misma forma, el pulso de corriente
de apagado debe cumplir con las especificaciones dadas por el fabricante.
Respecto a la corriente de encendido del nodo, esta debe ser por lo menos del 1% del
pulso de activacin, para asegurarse que la compuerta mantenga la retencin del estado
activo. Durante el apagado, la corriente de nodo, tiene una larga cola residual de
apagado por lo que se debe esperar un tiempo especificado, hasta que se haya disipado
la carga residual del nodo y se pueda, nuevamente activarlo. En la prxima figura se
muestra las especificaciones que debe cumplir el pulso positivo de encendido, como as
tambin la forma tpica de la corriente de nodo en funcin del pulso negativo de
apagado.
p
n
+
n
p
n
+
nodo
Ctodo Compuerta
(C) (G)

Smbolo
3-1 Tiristores
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
___________________________________________________________________
19

En la prxima figura mostramos el circuito simplificado de apagado del GTO:

0,8 I
GM

0,5 I
GM
I
GM

0,1 I
GM
di
G
/dt
t
GM
I
G
Pulso de corriente
de activacin del GTO
I nodo
I
GQ(2)

I
GQ(1)

- I
G

t
GQ(1)

t
GQ(2)

Corriente de nodo,
en funcin del pulso
negativo de apagado de
compuerta del GTO
3-1 Tiristores
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
___________________________________________________________________
20
Como el GTO necesita una corriente elevada de apagado (aprox. 1/6. I
A
), es comn usar
un capacitor para proporcionar la corriente necesaria en la compuerta para apagarlo. El
inductor se coloca para limitar el valor de di/dt de la corriente de la compuerta
circulando por S1, R2, R1 y L. Se debe seleccionar el voltaje de suministro V
GS
al
circuito de compuerta para alcanzar el valor necesario de apagado. Los valores de R1 y
R2 se minimizan.
Durante el periodo de apagado, que comienza despus que la cola de corriente de nodo
llega a cero, la compuerta en el caso ideal, debera permanecer con polarizacion inversa,
para asegurar la mxima especificacin de bloqueo. Esta polarizacion inversa se puede
obtener ya sea manteniendo cerrado S1, durante el periodo de no conduccin, o
usando un circuito de mayor impedancia S2 y R3, siempre y cuando exista un voltaje
negativo mnimo.
En el caso de una falla de los circuitos de auxiliares de apagado, la compuerta puede
permanecer en condicin de polarizacin inversa, y el GTO podr no bloquear la
tensin. Para asegurar que se mantenga un voltaje de bloqueo en el dispositivo, de debe
aplicar una resistencia mnima de compuerta RGC especificada por el fabricante.
Para la condicin de apagado, los GTO tienen baja ganancia, normalmente seis, lo que
requiere un pulso de corriente elevado para desactivarlo. La cada de voltaje en sus
extremos, es mayor que los SCR; por ejemplo para un GTO de 1200 V y 550 A, su
cada de tensin es de 3,4 volt.
En algunas aplicaciones, los GTO necesitan un diodo rpido conectado en antiparalelo;
en este caso, no necesitan tener capacidades de bloqueo de voltaje inverso. Con
modificaciones en la capa interna n, se logran GTO asimtricos en un solo
encapsulado.

Tiristores controlados por FET (FET-CTH)

Un tiristor FET-CTH, esta compuesto, en un solo encapsulado, de un tiristor
convencional del tipo SCR y un transistor MOSFET. Este ltimo cuando se le aplica un
voltaje en su compuerta, conduce la corriente de disparo o activacin del tiristor. La
tensin necesaria aplicable al MOSFET para el disparo, es de unos 3 volt.
Este dispositivo, tiene alta velocidad de conmutacin y altos valores de di/dt y dv/dt.
La siguiente figura, muestra el circuito equivalente del FET-CTH:

El encendido es por tensin elctrica, pero no se puede apagar, salvo por la conmutacin
natural o forzosa. Tiene aplicaciones cuando se debe usar disparo ptico para dar
aislamiento elctrico entre la seal de control y la del circuito convertidor.

3-1 Tiristores
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
___________________________________________________________________
21

Tiristor de apagado por MOS (MTO)

El MTO es una combinacin de un GTO y un MOSFET, que juntos mejoran las
capacidades de apagado del GTO. Vimos que en este ltimo, necesitamos una corriente
inversa considerable para cortar la corriente de emisor del transistor npn y de esta
manera eliminar la realimentacin con el transistor pnp para as desactivar al GTO. En
el caso del MTO, el transistor MOS, que esta conectado entre la base y emisor del
transistor bipolar npn, hace caer la tensin base emisor por debajo del umbral y de esta
manera ste transistor deja de conducir, eliminando la realimentacin.
La estructura es parecida al GTO, conservando las ventajas de alto voltaje (hasta 10Kv)
y elevada corriente (4000 A), con aplicaciones de gran potencia (1 a 20 MVA).El MTO
se apaga mas rpidamente que el GTO y casi se eliminan las perdidas asociadas a las
cargas de almacenamiento. Tambin tienen una mayor dv/dt y en forma parecida al
GTO, tienen una larga cola de corriente de apagado.

Tiristores de apagado por emisor (ETO)

El ETO es un dispositivo hibrido compuesto por un MOS y un GTO, en el que se
combinan las ventajas de ambos semiconductores. Tiene dos compuertas, una normal
para activarlo y otra, con un MOSFET conectado en serie, para apagarlo. Su estructura
y circuito equivalente, se muestra en la siguiente figura:

p
n
+
n
p
n
+
nodo
Compuerta
de encendido
ctodo
Compuerta
de apagado

Smbolo
Circuitos equivalentes
3-1 Tiristores
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
___________________________________________________________________
22

La activacin se logra aplicando voltajes positivos a las compuertas 1 y 2; de esta
manera el MOSFET de canal P se mantiene en condicin de bloqueado y el MOSFET
de canal N conduce, permitiendo un flujo de corriente a la compuerta del GTO. Esta
corriente inicia el proceso de realimentacin interna la realimentacin haciendo que el
GTO conduzca y asi el ETO pasa al estado de conduccin o activacin.
El apagado se logra aplicando un voltaje negativo a la compuerta 2, apagando el
MOSFET de canal N ; la corriente principal se desva del ctodo (emisor del transistor
bipolar npn del GTO) , hacia la base a travs del MOSFET de canal P, deteniendo el
proceso de realimentacin interna y apagando o desactivando al ETO.
En forma parecida al GTO, el ETO tambin tiene una cola larga de la corriente de
nodo, al final del apagado, por lo que se debe esperar para el siguiente encendido, hasta
que la corriente residual, del lado del nodo, se haya disipado por el proceso de
recombinacin.
Se disponen de estos dispositivos con tensiones de bloqueo directo e inverso de valores
de hasta 6 KV y corrientes de hasta 4000 A.

Tiristores conmutados por compuerta integrada (IGCT)

En el IGCT, se integran un tiristor conmutado por compuerta (GCT) y un activador de
compuerta en tarjeta de circuito impreso multicapa. El GCT, es un GTO de
conmutacin permanente con un pulso de corriente de compuerta muy rpido y de valor
muy alto, prcticamente del mismo valor que toma la corriente de ctodo y la lleva a la
compuerta en aproximadamente en 1 seg para asegurar un apagado rpido.
La estructura interna de GCT y su circuito equivalente, es parecido al GTO, como se
muestra en la siguiente figura, que adems tiene un diodo integrado en paralelo:
nodo
p
n
p
n
activac.

G1
desact.

G2
Smbolo

Circuito
equivalente
Ctodo
3-1 Tiristores
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
___________________________________________________________________
23

El encendido del IGCT es similar al GTO, aplicando una corriente de encendido a la
compuerta. Para apagarlo, se recurre a una tarjeta de circuito impreso multicapa de
compuerta que aplica un pulso de apagado de subida rpida, por ejemplo una corriente
de 4 KA/sg, con solo un voltaje de 20 volt de compuerta ctodo. Con esta variacin
de la corriente de compuerta, el transistor npn, del lado del ctodo, se apaga en su
totalidad en menos de aprox. 1 seg. y de hecho el transistor pnp al quedar su base
abierta , tambin se apaga y el IGCT se desactiva. Debido a la muy corta duracin del
pulso, el consumo de compuerta se reduce al mnimo.

Tiristores controlados por MOS (MCT)
p
+
n

n
+

n
-

p
n
+
p
Compuerta
nodo
Lado
del
GTO
Lado
del
diodo
Ctodo
T.C.I
Circuito
equivalente
3-1 Tiristores
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
___________________________________________________________________
24

En un MCT, se combinan las propiedades de un tiristor regenerativo de cuatro capas,
con una estructura de compuerta MOS. En forma similar al transistor bipolar de
compuerta aislada (IGBT), se logran las ventajas de los transistores bipolares con las de
efecto de campo; el conjunto resulta en una mejora respecto a un tiristor con un par de
MOSFET, que lo activan y lo desactivan. Existen varios dispositivos de estas
estructuras MCT; solamente analizaremos una de ellas, el MCT de canal p de mayor
difusin. En la prxima figura representaremos su estructura interna:

El proceso de construccin de este dispositivo, es complejo, por lo que solamente nos
remitiremos a su circuito elctrico equivalente, formado por dos transistores bipolares,
uno npn, el otro pnp y dos transistores de efecto de campo MOS, uno de canal n y otro
de canal p, conectados como muestra la siguiente figura:
nodo

B
1

p
-
C
2
p

n
+
E
1
Ctodo

D
2

C
1
C
1

B
2

B
2

n
S
1

p p

p
+

E
2
S
2
n
+
n
+
metal
Esquema estructural
del MCT de canal p
oxido oxido
Compuerta

MOSFET
M2
de canal n
Compuerta

MOSFET
M1
de canal p
3-1 Tiristores
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
___________________________________________________________________
25

Debido a que la estructura del MCT es de tipo NPNP, diferente a un SCR normal que es
del tipo PNPN, el nodo se utiliza como Terminal de referencia, con respecto al cual se
aplican las seales de compuerta para su activacin y desactivacin.
El encendido de un MCT de canal p que esta en el estado de bloqueo directo (anodo
positivo respecto al ctodo) se puede realizar aplicando un pulso negativo, respecto al
nodo. En el circuito elctrico equivalente, vemos que esta accin, hace conducir al
MOS de canal p (M1) y de esta manera, a travs de sus terminales drenaje-surtidor,
inyectan una corriente en la base del transistor bipolar npn que inicia la realimentacin
interna entre los transistores bipolares Q1 y Q2. El MCT pasa al estado activo.
El MCT permanece en el estado activo, hasta que se invierta la polaridad de la tensin
nodo-ctodo, que gaga disminuir su corriente, o aplicando un pulso de apagado en su
compuerta.
El proceso de apagado de un MCT, de canal p, es el siguiente: Si aplicamos un pulso
positivo en la compuerta, respecto al nodo, este pulso, hace conducir brevemente al
MOS de canal n (M2), lo que hace bajar su tensin drenaje-surtidor. Como estos
ltimos terminales estn conectados a la juntura base-emisor de Q1, cuando esta tensin
cae por debajo de la tensin umbral, entonces este ultimo transistor, deja de conducir
corriente, abriendo la base de Q2 y de esta manera, se anula la realimentacin interna.
El MCT pasa al estado desactivado.

Compuerta
nodo
Ctodo
Smbolo
Circuito elctrico
equivalente
3-1 Tiristores
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
___________________________________________________________________
26

Para un MCT de canal n, la activacin se hace con un pulso positivo aplicado a la
compuerta, respecto al ctodo y la desactivacin, se realiza aplicando un pulso a la
compuerta de polaridad negativa, respecto al ctodo.
El MCT puede ser operado como dispositivo controlado por compuerta si la corriente
controlada, no supera el valor especificado. Para corrientes mayores, el apagado de un
MCT, debe realizarse de la misma manera que un SCR normal (por conmutacin de la
tensin en sus extremos o conmutacin forzosa).
Los anchos de pulso de compuerta no son crticos, con corrientes menores a la
especificada. Para corrientes mayores, el ancho del pulso, debe ser mayor. En muchos
circuitos convertidores, como por ejemplo los inversores, se aplican pulsos continuos de
compuerta, tanto en el apagado como en el encendido, para evitar falsos disparos en el
control del MCT.
Los MCT tienen las siguientes caractersticas elctricas:
1) Tiene baja cada de tensin en sentido directo durante su estado conductor.
2) Tienen un corto tiempo de activacin, normalmente 0,4seg. y un corto tiempo de
apagado de aproximadamente 1,25 seg, por ejemplo para un MCT de 500 V y 300 A.
3) Tiene bajas perdidas por conmutacin.
4) Baja capacidad de bloqueo de la tensin inversa.
5) Alta impedancia de entrada en su compuerta lo que simplifica bastante el circuito
generador de pulsos de excitacin de compuerta.
6) Puede conectarse en paralelo para conmutar grandes corrientes, con pocas
desviaciones de las especificadas.
7) No puede utilizarse un transformador de pulsos si se necesita un pulso continuo para
evitar falsas excitaciones.
La estructura del MCT se reparte en toda la superficie del dispositivo, lo que le permite
el encendido y apagado rpido con bajas perdidas por conmutacin. La potencia o
energa para su activacin y desactivacin es baja y el retardo debido al almacenamiento
de cargas, tambin es muy bajo. Todas estas condiciones, lo aproximan como el
dispositivo de retencin, ideal, para ser usado en los convertidores de energa elctrica.

Tiristores de induccin esttica (SITH)

El SITH, llamado tambin diodo controlado-limado (FCD), fue introducido por Tezner
en la dcada de 1960. Es un dispositivo de portadores minoritarios por lo cual tiene baja
resistencia o baja cada de tensin en sus extremos cuando esta activo o conduciendo la
corriente. Tiene grandes velocidades de conmutacin de 1 a 6 seg, co capacidades de
dv/dt y di/dt elevadas. Se lo puede fabricar para soportar tensiones elevadas de hasta
2500 V con corrientes de hasta 500 A.
Este dispositivo, tiene una alta sensibilidad al proceso de fabricacin y pequeas
perturbaciones en su manufactura, producen grandes cambios en sus caractersticas.
Con la llegad de la tecnologa de carburo de silicio (SiC) se ha fabricado un SITH con
una tensin de bloqueo directo de 300 V.
En la siguiente figura, se representa un corte transversal de este dispositivo, su smbolo
y su circuito elctrico equivalente:

3-1 Tiristores
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
___________________________________________________________________
27

El funcionamiento de este dispositivo es el siguiente: Se enciende con un pulso de
tensin positivo entre compuerta y ctodo. Esto inicia la conduccin de corriente en el
diodo pin (p
+
nn
+
), que inyecta electrones del ctodo (n
+
) a la base n, entre la
compuerta (p
+
) y el ctodo (n
+
), que se difunden por el canal, modulando su
resistividad, hacindolo mas conductor. Cuando estos electrones llegan a la juntura
J1, el nodo (p
+
), comienza a inyectar huecos en la base , proporcionando la corriente
de base del transistor Q2. Al aumentar la corriente de base, Q2 pasa a la saturacin,
haciendo que la juntura J2 se polarice directamente y provocando que el SITH, se
active completamente, todo esta accin, en un periodo muy breve.
La compuerta (p
+
) y la regin del canal, toma la forma de un transistor de efecto de
campo de juntura (JFET), proporcionando la corriente de base del transistor Q1(p
+
n p
+
).
Debido al alto contenido de dopantes de la compuerta p
+
, no pasan electrones a la
compuerta. Una parte de la corriente de huecos pasan por la compuerta p
+
y por el canal
directamente al ctodo. El resto de la corriente de huecos pasa por la compuerta p
+
hacia
el canal, como corriente de compuerta del JFET en modo bipolar (BMFET). La corta
distancia entre ctodo y compuerta da como resultado una concentracin uniforme y
grande de portadores en esa regin, haciendo que la cada de tensin sea despreciable.
El apagado del SITH, se logra aplicando a la compuerta un pulso negativo de voltaje.
Esto provoca una capa de agotamiento en torno a la compuerta, creando una barrera de
potencial en el canal, que lo hace mas angosto, eliminando el exceso de portadores. Si el
voltaje, aplicado a la compuerta es suficientemente grande, el canal queda desprovisto
de portadores de carga, anulando la corriente entre el nodo y ctodo, desactivando al
SITH.
nodo
p
+

Base n

canal

J1

J2

J3

J4
Compuerta p
+
Ctodo
Esquema estructural
nodo

Ctodo
Compuerta
Smbolo
n
+

Tiristores PDF

Cargado por

Información del documento

Título original

Derechos de autor

Formatos disponibles

Compartir este documento

Compartir o incrustar documentos

Opciones para compartir

¿Le pareció útil este documento?

¿Este contenido es inapropiado?

Copyright:

Formatos disponibles

Tiristores PDF

Cargado por

Copyright:

Formatos disponibles

UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING.

También podría gustarte