Materiales de Ingeniera Qumica Prof.

Ronald Mrquez


21
Captulo 2
Organizacin Atmica
1.2. Celdas Unitarias Parmetros Reticulares
1.2.1. Celdas Unitarias
La estructura atmica influye en la forma en que los tomos se unen entre s; esto adems nos
ayuda a comprender la clasificacin de los materiales como metales, semiconductores,
cermicos y polmeros y nos permite llegar a ciertas conclusiones generales referentes a
propiedades mecnicas y comportamiento fsico de estas cuatro clases de materiales.

La estructura electrnica del tomo, que queda descrita por cuatro nmeros cunticos ayuda a
determinar la naturaleza de los enlaces atmicos y las propiedades fsicas y mecnicas de los
materiales.

a) Enlace metlico: encontrado en los metales, los electrones de valencia se mueven con
facilidad, en consecuencia, los metales son dctiles y tienen alta conductividad elctrica
y trmica.
b) El enlace covalente se encuentra en muchos materiales cermicos, semiconductores y
polmeros. Requiere que los tomos compartan electrones de valencia, los enlaces son
fuertes y altamente direccionales, haciendo que estos materiales sean frgiles y tengan
baja conductividad elctrica y trmica.
c) El enlace inico encontrado en muchos cermicos se produce cuando un tomo muy
electropositivo dona un electrn a otro muy electronegativo generando un anin y un
catin que se unen electrostticamente. Al igual que los materiales enlazados
covalentemente, estos tienden a ser frgiles y malos conductores.
d) Fuerzas de Van der Waals unen principalmente a molculas que tienen una distribucin
desigual de cargas o estn polarizadas. Son de naturaleza electrosttica y se encuentran
en polmeros termoplsticos.

La energa de unin est relacionada con la fuerza de los enlaces y es alta en materiales unidos
en forma inica o covalente. Los materiales con energa de unin alta normalmente tienen:

Alta temperatura de fusin
Alto mdulo de elasticidad
Bajo coeficiente de expansin trmica.

Estructura Cristalina

El arreglo de los tomos juega un papel importante en la microestructura, comportamiento y
propiedades de un material slido.

Materiales de Ingeniera Qumica Prof. Ronald Mrquez


22
En los metales, algunas disposiciones atmicas permiten una excepcional ductilidad, mientras
que otras una gran resistencia.

Algunas propiedades fsicas de las cermicas dependen de el arreglo atmico.

Los transductores usados para producir una seal elctrica en un estreo deben a su estructura
cristalina la capacidad de producir cadas de carga permanente en el material.

Los diferentes comportamientos exhibidos por los polmeros como: gomas, plsticos y resinas
epxicas dependen de las diferencias en los arreglos atmicos.

En este captulo se describirn los arreglos atmicos tpicos que se encuentran en los materiales
slidos perfectos, as como tambin la nomenclatura para designar dichos arreglos.

Una vez conocidos estos aspectos, se estar preparado para entender como las imperfecciones
que existen en los slidos juegan un papel importante en la comprensin de la deformacin y
cambios que sufren muchos materiales.

Si en un material slido se desprecian las imperfecciones (suponindolo perfecto), pueden
encontrarse tres formas de arreglo atmico:

Sin ordenamiento: como por ejemplo en los gases nobles en donde los tomos se ubican al azar
llenando completamente el espacio donde se encuentran confinados.

Ordenamiento corto: es caracterstico de los materiales que presentan arreglos atmicos que se
extienden desde un tomo en cuestin hasta su vecino ms cercano. Por ejemplo en el vapor de
agua el tomo de oxgeno est enlazado covalentemente a dos tomos de hidrgeno y fuera del
sistema que compone una molcula de agua no existe un arreglo especfico. Este tipo de
arreglo es caracterstico de polmeros y vidrios. En el polietileno es una cadena carbonada
donde cada tomo de carbono est unido a dos de hidrgeno. Un caso similar es el vidrio en el
cual cuatro tomos de oxgeno se unen a uno de silicio.

Estos materiales son considerados amorfos porque muestran buena resistencia y tenacidad
adems de comportamiento quebradizo. Adems se caracterizan por poseer un arreglo atmico
regular y predecible slo en una corta distancia (uno o dos espacios atmicos).

Ordenamiento largo: est presente en metales, cermicas, semiconductores y algunos
polmeros. En estos materiales, el arreglo se extiende a travs de todo el material. Los tomos
forman un patrn regular y repetitivo llamado retculo. Un retculo est conformado por un
conjunto de puntos o tomos llamados puntos reticulares los cuales se localizan ordenados
siguiendo un patrn peridico, de manera que cada retculo est rodeado por otros retculos
idnticos.

Los retculos varan de un material a otro tanto en tamao como en forma dependiendo del
tamao de los tomos y de los enlaces entre ellos. La estructura cristalina de un material se
refiere al tamao, forma y ordenamiento de los tomos en el retculo.
Materiales de Ingeniera Qumica Prof. Ronald Mrquez


23

Celda Unitaria: es la subdivisin del retculo cristalino que retiene todas las caractersticas del
mismo.

Existen 14 tipos de celdas unitarias contenidas en siete estructuras cristalinas o redes de
Bravais.

Los puntos reticulares se sitan en las esquinas de la celda y en algunos casos en los centros de
las caras o en el centro de la misma celda. Una celda unitaria queda denotada completamente
por los parmetros reticulares.

Los parmetros reticulares definen el tamao y la forma de una celda unitaria. Estos incluyen
las dimensiones de los lados de la celda y el ngulo entre ellos.

Por ejemplo, para la celda unitaria cbica simple. El parmetro reticular es la longitud de uno
de sus lados (ao). El ngulo y las dems aristas estn sobreentendidos. Esta longitud se expresa
en angstroms o nanmetros.

Celdas unitarias ms complejas requieren un mayor nmero de parmetros reticulares para ser
descritas. Por ejemplo, una celda unitaria ortorrmbica debe especificarse con tres parmetros
reticulares que son las dimensiones de los tres lados.

Principales estructuras cristalinas metlicas:

La mayora de los metales elementales alrededor del 90%, cristalizan en tres estructuras
cristalinas densamente empaquetadas:
Cbica centrada en el cuerpo BCC
Cbica centrada en las caras FCC
Hexagonal compacta HCP
La razn de que se presenten este tipo de estructuras es que los ordenamientos compactos
poseen menos energa.

A continuacin se analizarn las tres estructuras cristalinas.

Estructura cbica centrada en el cuerpo BCC

En esta celda el tomo central se encuentra rodeado de 8 vecinos ms cercanos y se dice que
tiene un nmero de coordinacin de 8. Si se asla la celda unidad de esferas rgidas
obtendremos una celda con un equivalente de 2 tomos por celda.

1 tomo en el centro + 1/8 de esfera por cada vrtice

Si consideramos los tomos como esferas rgidas el factor de empaquetamiento atmico o la
fraccin de volumen ocupada por los tomos en la celda unidad est definido por:

Materiales de Ingeniera Qumica Prof. Ronald Mrquez


24
Nro de tomos
Volumen de cada tomo
celda
Factor de empaquetamiento =
Volumen de la celda

Para la celda BCC:

3 3
atomos
3
3 3
celda
3
3
4
V 2 8, 373
3
4
V 12, 32
3
8, 373
Factor de empaquetamiento= 0, 68
12, 32
R R
R
a R
R
R
= =

= = =


=


Estructura cbica centrada en las caras FCC

En esta celda hay un punto reticular en cada vrtice del cubo y uno en el centro de cada cara
del cubo.

Figura FCC

Una celda FCC tiene 4 tomos por celda unidad:

1 1
8 en cada vertice + 6 en cada cara
8 2


La relacin entre el radio y el parmetro de red es
4
2
R
a =

El factor de empaquetamiento es 0,74 y representa el mximo posible para tomos esfricos.

Estructura hexagonal compacta HCP

Esta celda posee un factor de empaquetamiento de 0,74 igual que FCC. En esta estructura cada
tomo est rodeado de 12 tomos, por lo que el nmero de coordinacin es 12.

La celda unidad HCP tiene dos tomos asociados a cada punto reticular: uno en cada vrtice y
otro centrado dentro de cada celda. De esta manera se tienen

1 1 1
4 atomos centrados en la celda + 4 atomos en los vertices agudos + 4 en los vertices obtusos=2 at por celda
2 2 6


La estructura HCP est integrada por 3 celdas para dar un total de 6 at. La relacin c/a ideal es
aquella que resulte de esferas tan prximas como sea posible y vale 1,633.

Materiales de Ingeniera Qumica Prof. Ronald Mrquez


25
La densidad terica de un metal se puede calcular usando las propiedades de la estructura
cristalina:

23
masa atomos 1 at-g atomos
N atomos
masa celda at-g atomos 6, 024 10 atomos
=
Volumen celda Volumen celda

=

Transformaciones alotrpicas o polimrficas

Los materiales que pueden tener ms de una estructura cristalina se llaman alotrpicos o
polimrficos. El trmino alotropa se reserva para este comportamiento en elementos puros,
mientras que polimorfismo es ms general. En la tabla se ve como el hierro y el titanio pueden
tener ms de una estructura cristalina; a bajas temperaturas el hierro es BCC pero a
temperaturas ms altas se convierte en FCC.

Muchos cermicos como el SiO2 son polimrficos. La transformacin puede venir
acompaada de un cambio de volumen durante el calentamiento o enfriamiento. De no estar
controlada correctamente, este cambio har que el material se agriete y falle.


Figura 12 Celdas Unitarias comunes (Askeland, 1998)

Materiales de Ingeniera Qumica Prof. Ronald Mrquez


26

Figura 13 Tipos de Celdas Unitarias (Askeland, 1998)
Materiales de Ingeniera Qumica Prof. Ronald Mrquez


27

Figura 14 Parmetros reticulares (Callister, 2001)

Materiales de Ingeniera Qumica Prof. Ronald Mrquez


28


Figura 16 Estructura cbica centrada en las caras (Callister, 2001)
Figura 15
Materiales de Ingeniera Qumica Prof. Ronald Mrquez


29

Figura 17 Estructura cbica centrada en el cuerpo (Callister, 2001)

Figura 18 Estructura hexagonal compacta (Callister, 2001)
Tabla 6 Parmetros reticulares de metales (Askeland, 1998)
Materiales de Ingeniera Qumica Prof. Ronald Mrquez


30

Puntos, direcciones y planos en una celda unitaria:

Coordenadas de puntos: se emplean para localizar las posiciones de los tomos en la red o
dentro de la celda unitaria. La distancia se mide en parmetros de red usando un sistema
cartesiano.

Direcciones en la celda: Algunas direcciones son de particular importancia. Los metales se
deforman a lo largo de aquellas direcciones a travs de las cuales los tomos estn en contacto
ms estrecho. Estas direcciones se abrevian usando los ndices de Miller. El procedimiento es
el que sigue:

1. Usando el sistema de coordenadas ubique dos puntos que estn contenidos en esa
direccin.
2. Preste a las coordenadas del punto final las del inicial.
3. Reduzca las fracciones o resultados obtenidos a mnimos enteros, encierre los tres
nmeros entre corchetes y de haber algn negativo colquelo como una barra sobre el
nmero.

Los ndices de Miller para las direcciones tienen las siguientes caractersticas:

1. Una direccin y su negativo no son iguales, representan una misma lnea con
direcciones opuestas.
2. Una direccin y sus mltiplos son idnticas slo falto reducirlas a sus mnimos
enteros.
3. Ciertos grupos de direcciones son equivalentes. Sus ndices particulares dependen
de cmo se construyen las coordenadas. Estas pueden representarse como familias
de direccin encerrados entre parntesis angulares.

La densidad lineal es el nmero de puntos de red por unidad de longitud a lo largo de una
direccin.

Tambin podra calcularse el factor de empaquetamiento lineal en una direccin particular, es
decir, la fraccin verdaderamente cubierta por tomos.
Materiales de Ingeniera Qumica Prof. Ronald Mrquez


31

Fraccin de empaquetamiento lineal = densidad lineal * Longitud ocupada por los tomos en la
direccin

Planos en la celda unitaria: algunos planos de tomos son significativos. Los metales se
deforman a lo largo de los planos de empaquetamiento ms compacto. La determinacin de los
ndices de Miller se hace de la siguiente manera:

1. Identifique los puntos en los cuales el plano interseca los ejes coordenados. Si el plano
pasa a travs del origen el origen debe moverse.
2. Tome los recprocos de las intersecciones.
3. Elimine las fracciones pero no reduzca a mnimos enteros.
4. Encierre los nmeros resultantes entre parntesis ( ). Los nmeros negativos se escriben
con una barra.

En relacin a los ndices de Miller de los planos es importante:

1. Los planos y sus negativos son idnticos.
2. Los planos y sus mltiplos no son idnticos.

Para demostrar lo anterior se recurre a la densidad planar: es el nmero de tomos por unidad
de superficie cuyo centro est sobre el plano. De la misma forma, la fraccin de
empaquetamiento, es el rea sobre el plano cubierta por tomos.

3. Para una celda unitaria los planos de una familia se representan encerrndolos entre
llaves { }

ndices de Miller para celdas unitarias hexagonales: El sistema usa cuatro ejes en lugar de
tres con un eje redundante. El procedimiento para localizar los ndices de los planos requiere
cuatro intersecciones.

Comportamiento isotrpico y anisotrpico

Un material es anisotrpico si el valor de las propiedades depende de la direccin
cristalogrfica a lo largo de la cual se mide la propiedad. Por el contrario, si el valor de la
propiedad es el mismo en todas las direcciones en las que se mide, el material es isotrpico.

Distancia interplanar: la distancia entre dos planos de tomos, paralelos y adyacentes con los
mismos ndices de Millar se conoce como distancia interplanar. La distancia interplanaar para
materiales cbicos est dada por:

2 2 2
o
hkl
a
d
h l k
=
+ +


En donde ao es el parmetro de red y h, l, k, representan los ndices de Millar de los planos
adyacentes considerados.
Materiales de Ingeniera Qumica Prof. Ronald Mrquez


32

Sitios intersticiales

En cualquiera de las estructuras que han sido descritas, existen pequeos huecos entre los
tomos de la red que pueden ser ocupados por tomos ms pequeos. Estos espacios se
conocen como sitios intersticiales.

El tomo intersticial tiene un nmero de coordinacin igual al nmero de tomos que toca.
Existe el sitio cbico con un nmero de coordinacin de 8, el tetradrico con nmero de
coordinacin de 4 y el octadrico con nmero de coordinacin de 6.

Difraccin de rayos X ( 0,5 y 2,5 angstrom)

Cuando un haz monocromtico con una longitud de onda del mismo orden de magnitud que los
espacios interatmicos del material golpea al mismo se produce la dispersin de la mayor parte
de la radiacin.

Sin embargo, los rayos x que golpean los planos cristalogrficos en ngulos especficos se ven
reforzados en vez de eliminados. Este refuerzo ocurre siempre que las condiciones satisfagan la
Ley de Bragg

( )
2
hlk
sen
d

=

es la mitad del ngulo de difraccin, es la longitud de onda de los rayos empleados, d
hlk
es
la distancia interplanar del refuerzo constructivo del haz.

Cuando el material se prepara en forma de polvo fino, siempre habrn algunas partculas de
polvo cuyos planos h, k, l, queden orientados en el ngulo para satisfacer la ley de Bragg.

En un difractmetro, un detector mvil de rayos x registra los ngulos 2 , dando un patrn
caracterstico de difraccin.
Para identificar la estructura cristalina de un material cbico:

( )
2
2 2 2
2
(2 )
4
sen h k l
ao

= + +

En los cbicos simples:
2 2 2
h k l + + 1, 2, 3, 4, 5, 6, 8
En los cbicos centrados en el cuerpo:
2 2 2
h k l + + 2, 4, 6
En los cbicos centrados en las caras:
2 2 2
h k l + + 3, 4, 8, 11, 12, 16

BCC (1 1 0) y (2 0 0)
2
1
2
2
0, 5
sen
sen

=
Materiales de Ingeniera Qumica Prof. Ronald Mrquez


33
FCC (1 1 1) y (2 0 0)
2
1
2
2
0, 75
sen
sen

=


Figura 19 Puntos, direcciones y planos en la celda unitaria

Figura 20 Familia de planos {100} {110}
Materiales de Ingeniera Qumica Prof. Ronald Mrquez


34

Figura 22 Planos compactos de la estructura BCC

Figura 23 La secuencia de apilamiento ABABAB de planos compactos produce la estructura HCP

Figura 21 La secuencia de apilamiento ABCABCABC de los planos compactos produce la estructura FCC
Materiales de Ingeniera Qumica Prof. Ronald Mrquez


35
1.2.2. Sitios instersticiales

Figura 24 Localizacin de los sitios intersticiales en celdas unitarias cbicas, solo se muestran sitios representativos

Figura 25 Sitios intersticiales: Izq. Tetradrico. Der. Octadrico. (Mitchell, 2004)


Figura 26 Localizacin de los sitios intersticiales en FCC (Mitchell, 2004)
Tabla 7 Nmero de coordinacin y correlacin de radio en sitios intersticiales (Askeland, 1998)
Materiales de Ingeniera Qumica Prof. Ronald Mrquez


36

1.2.3. Celdas unitarias de materiales cermicos y polimricos

Figura 27 Estructura del cloruro de sodio, una celda unitaria CCC con dos iones (Na+ + Cl-) por punto de red


Materiales de Ingeniera Qumica Prof. Ronald Mrquez


37

Figura 28 Izq. La estructura cristalina de espinel del MgAl2O4. Der. La estructura cristalina de perovsquivita del CaTiO3



Tabla 8 Algunas estructuras inicas simples y sus correspondientes nmeros de coordinacin

Materiales de Ingeniera Qumica Prof. Ronald Mrquez


38

Figura 29 (a) Celda unitaria tetradrica y (b) estructura cbica de diamante (blenda de zinc).



Figura 30 Los tetraedros de silicio-oxgeno y su combinacin para formar la cristobalita del slice


Figura 31 Izq. Estructura del cuarzo, mostrando la red tridimensional de tetrahedros de SiO4. Der. Vista superior de una
estructura laminar de silicato que resulta de la unin de tres vrtices del tetraedro de SiO4.
Materiales de Ingeniera Qumica Prof. Ronald Mrquez


39


Figura 32 Estructura del polietileno. (A) Celda unitaria del polietileno cristalino. (B) Vista superior. (C) Microfotografia de
cristales de polietileno



Figura 33 Izq. Representacin esquemtica de ordenamiento de cadenas que llevan a la formacin de cristales lquidos y
arreglos de cristales que forman esferulitas. Der. Microfotografa de polarizadores cruzados de polietileno mostrando la
estructura esferultica.

(A)
(C)
(B)
Materiales de Ingeniera Qumica Prof. Ronald Mrquez


40
1.2.4. Ley de Bragg

Figura 34 Ley de Bragg:Izq. Difraccin de luz lser. Der. ngulo de difraccin y distancia entre planos

Figura 35 Densidad de
materiales (Mitchell, 2004)