Clculo de enlace fibra ptica

Caractersticas de Transmisin
Para una correcta planificacin de las instalaciones de cables con fibras pticas es
necesario considerar la atenuacin total del enlace y el ancho de banda del cable
utilizado.
Para el clculo de atenuacin de enlace se consideran 2 mtodos:
Clculo del cable de fibra ptica
Clculo del margen de enlace con cable de fibra ptica seleccionado
Clculo del cable
La atenuacin total del cable considerando reserva ser:
a
t
La
L
! n
e
a
e
! n
c
a
c
! a
r
L
L longitud del cable en Km.
a
L
coeficiente de atenuacin en dB/Km
n
e
n"mero de empalmes
a
e
atenuacin por empalme
n
c
n"mero de conectores
a
c
atenuacin por conector
a
r
reserva de atenuacin en dB/Km
La reserva de atenuacin #margen de enlace$% permite considerar una reserva de
atenuacin para empalmes futuros #reparaciones$ y la degradacin de la fibra en su vida
"til #mayor degradacin por absorcin de grupos &'$.
La magnitud de la reserva depende de la importancia del enlace y particularidades de la
instalacin% se adopta valores entre (.) d*+,m y (.- d*+,m.
Las prdidas en los empalmes se encuentran por deba.o de (.) d*+,m no superan (./
d*+,m.
0l enlace ser proyectado para un margen de potencia igual a la m1ima atenuacin
antes de ser necesario un repetidor.
P
M
= P
t
- P
u
2onde:
P
M
= 3argen de potencia en d* #m1ima atenuacin permisible$
P
t
= Potencia del transmisor en d*
P
u
Potencia de umbral en d* #dependiente de la sensibilidad del receptor$
La potencia de salida del transmisor es el promedio de la potencia ptica de salida del
e4uipo generador de luz empleando un patrn estndar de datos de prueba.
0l umbral de sensibilidad del receptor para una tasa de error de bit #*05$ es la m6nima
cantidad de potencia ptica necesaria para 4ue el e4uipo ptico receptor obtenga el *05
deseado dentro del sistema digital. 0n los sistemas analgicos es la m6nima cantidad de
potencia de luz necesaria para 4ue el e4uipo ptico obtenga el nivel de se7al a ruido
#8+9$ deseado.
Por lo tanto de la e1presin de
a
t
= P
M
:i.a la m1ima atenuacin por ,m para el cable a ser seleccionado.
Clculo del margen
La atenuacin total en d* sin considerar reserva del cable ser:
a
t
La
L
! n
e
a
e
! n
c
a
c
8iendo P
M
= P
t
- P
u
0l margen de enlace M
e
en d* ser:
M
e
= P
m
- a
t
Ejemplo
;enemos un enlace para un sistema de <= Mbits y > )<(( nm.
8upongamos 4ue L 2/ Km y se emplean fibras pticas de 2((( mts. por lo 4ue se
re4uieren )2 empalmes con atenuacin promedio de (.2 dB, los conectores de
transmisin y recepcin con atenuacin (./ dB.
).? Clculo de la fibra
La reserva fi.amos en (.< dB/Km
Para una potencia de transmisin de ( d* y un umbral de sensibilidad de @<( d*m
#*05 )(
?A
$
0l margen de potencia m1ima <( d*
Podemos elegir un cable con una atenuacin menor o igual a (.B- d*+,m
Clculo de margen de enlace M
e
8uponemos una fibra con a
L
(.B d*+,m
a
t
La
L
! n
e
a
e
! n
c
a
c
a
t
)/ C (.B ! )2 C (.2! 2 C (./ )D.B= d*
8i P
M
<( d*
0l margen de enlace ser:
M
e
= P
m
- a
t
<( @ )D.B=
M
e
)).2- d*
8er la atenuacin m1ima adicional permisible para degradaciones futuras del enlace.
Ancho de banda en fibras de ndice gradual
0l ancho de banda se encuentra limitado por la dispersin modal y+o del material si se
usa L02 con gran ancho espectral y > D/( nm predomina dispersin intermodal% con
L2 y> )<(( nm predomina dispersin del material.
01isten varios mtodos para calcular en forma apro1imada la variacin del ancho de
banda en funcin de la longitud.
b
1
=B
1
L
1
Para perfil de 6ndice gradual con ancho del sistema B y longitud L es aplicable el
mtodo de ley de potencias
B ancho de banda del sistema en MHz
b
1
ancho de banda por longitud en MHz*Km
B
1
ancho de banda del cable de fibra ptica en 3'z a L
1
L
1
longitud de fibra ptica generalmente ) Km para B
1
L longitud de la fibra del enlace en Km
0l ancho de banda no disminuye linealmente con la longitud por la dispersin de modos
se apro1ima con E #e1ponente longitudinal$ entre (.- y ) #valor emp6rico (.D$.
Para el e.emplo de perfil de 6ndice gradual y > )<(( nm el ancho de banda B para
sistema de <= Mbits es F /( MHz ancho de banda de campo regulador tanto para L02
como para L2 #para D Mbits F 2/ MHz y para )=( Mbits F )2( MHz
0n fibra ptica de perfil de 6ndice gradual > )<(( nm b
1
incrementa en pasos de 2((
MHz/Km #-(( @ D(( @ )((( MHz/Km$% por tanto para -/B se adopta D(( MHz*Km.
Dispersin de fibra ptica monomodo
0n sistemas digitales se usa L2 hasta )=( Mbits/seg se desprecia el ancho de banda de
la fibra monomodo ya 4ue es GHz.
Por tanto para monomodo se calcula dispersin en lugar de ancho de banda.
0l ensanchamiento del pulso GT M() G L
GT ensanchamiento del pulso en s
M() dispersin cromtica en s/nm*Km
! ancho espectral medio del emisor en nm
L longitud de la fibra en Km
Por e.emplo para:
L 2/ Km
)<<( nm
! / nm
M() <./ s/nm*Km
5esulta GT <./ H / H 2/ =<B./ s
2e la e1presin para el clculo de ancho de banda
0l clculo de la dispersin en sistemas encima de /-/ Mbits/seg considera
adicionalmente caracter6sticas del lser como ruido de distribucin de modos.
Caractersticas mecnicas
8e debe tener en cuenta la configuracin de los cables para 4ue los mismos se
encuentren protegidos de influencias ambientales.
Conversin elctrica ptica
Para transmitir informacin mediante se7ales luminosas a travs de un conductor #fibra
ptica$ se re4uiere 4ue en el punto emisor y receptor e1istan elementos para convertir
las se7ales elctricas en pticas y viceversa.
0n el e1tremo emisor la intensidad de una fuente luminosa se modula mediante una
se7al elctrica y en el e1tremo receptor% la se7al ptica se convierte en una se7al
elctrica.
Para este proceso de conversin se utilizan las propiedades de los materiales
semiconductores los cuales poseen dos bandas de energ6a% banda de valencia #nivel ba.o
de energ6a$ y banda de conduccin #nivel alto de energ6a$ separadas por una distancia de
energ6a.
In fotn #4uantum de energ6a$ tiene una energ6a
h constante de PlanJ
E :recuencia del fotn
> longitud de onda
K velocidad de la luz en el medio
0n el semiconductor para pasar un electrn de la banda de valencia a la banda de
conduccin% e1iste energ6a absorbida por incidencia de un fotn. Proceso inverso se
realiza para liberar fotones.
"="
#
- "
$
2onde:
"
#
energ6a de un electrn% cuando se encuentra en la banda de conduccin
"
$
energ6a de un electrn% cuando se encuentra en la banda de valencia
E es una caracter6stica del material y se puede cambiar en funcin al contaminante
empleado en el semiconductor.
Cuando se libera un fotn se lo puede hacer de dos maneras: espontnea o estimulada.
0n la emisin espontnea no e1iste ning"n medio e1terno 4ue induzca al electrn pasar
de la banda de conduccin a la banda de valencia. 0n la emisin estimulada un fotn
induce a 4ue el electrn pase a su estado de reposo% liberando un fotn% en cuyo caso se
dice 4ue e1iste amplificacin% si adems e1iste retroalimentacin y un elemento de
selectividad% se lograr tener emisiones coherentes #mediante espe.os$. Ina
representacin de estos procesos se indica en la figura 4ue se encuentra a continuacin.
Emisores receptores pticos
Emisores pticos
0ntre los emisores pticos tenemos a los diodos L02 y los diodos LL805.

Diodos !ED
8on fuentes de luz con emisin espontnea o natural #no coherente$% son diodos
semiconductores de unin p?n 4ue para emitir luz se polarizan directamente.

La energ6a luminosa emitida por el L02 es proporcional al nivel de corriente de la
polarizacin del diodo.
0n la figura anterior vemos la representacin caracter6stica de potencia ptica? corriente
de polarizacin.
01isten dos tipos de L02:
L02 de superficie 4ue emite la luz a travs de la superficie de la zona activa.
L02 de perfil 4ue emite a travs de la seccin transversal #este tipo es mas
direccional$
Diodos !A"E# $!D%
8on fuentes de luz coherente de emisin estimulada con espe.os semirefle.antes
formando una cavidad resonante% la cual sirve para realizar la retroalimentacin ptica%
as6 como el elemento de selectividad #igual fase y frecuencia$.
La emisin del L2 es siempre de perfil% estos tienen una corriente de umbral y a niveles
de corriente arriba del umbral la luz emitida es coherente% y a niveles menores al umbral
el L2 emite luz incoherente como un L02.
La figura muestra una comparacin de los espectros emitidos por un L02 y un L2.
Como las caracter6sticas de los espe.os son funciones tanto de la temperatura% como de
la operacinM la caracter6stica potencia ptica? corriente de polarizacin es funcin de la
temperatura y sufre un cierto tipo de enve.ecimiento. Ina representacin grfica de la
corriente de umbral% del proceso de enve.ecimiento se ilustra en la a continuacin.
#eceptores pticos
0l propsito del receptor ptico es e1traer la informacin contenida en una portadora
ptica 4ue incide en el fotodetector. 0n los sistemas de transmisin analgica el receptor
debe amplificar la salida del fotodetector y despus demodularla para obtener la
informacin. 0n los sistemas de transmisin digital el receptor debe producir una
secuencia de pulsos #unos y ceros$ 4ue contienen la informacin del mensa.e
transmitido.
&otodetector
Convierte la potencia ptica incidente en corriente elctrica% esta corriente es muy dbil
por lo 4ue debe amplificarse. Las caracter6sticas principales 4ue debe tener son:
8ensibilidad alta a la longitud de onda de operacin
Contribucin m6nima al ruido total del receptor
Lncho de banda grande #respuesta rpida$
01isten dos tipos de fotodetectores:
&otodetectores '()
Nenera un solo par electrn?hueco por fotn absorbido. 8on los ms comunes y estn
formados por una capa de material semiconductor ligeramente contaminado #regin
intr6nseca$% la cual se coloca entre dos capas de material semiconductor% una tipo 9 y
otra tipo P. Cuando se le aplica una polarizacin inversa al fotodetector% se crea una
zona desrtica #libre de portadores$ en la regin intr6nseca en la cual se forma un campo
elctrico. 2onde un fotn en la zona desrtica con mayor energ6a o igual a la del
material semiconductor% puede perder su energ6a y e1citar a un electrn 4ue se encuentra
en la banda de valencia para 4ue pase a la banda de conduccin. 0ste proceso genera
pares electrn @ hueco 4ue se les llama fotoportadores.
&otodetectores de Avalancha A'D*+
Presenta ganancia interna y genera mas de un par electrn?hueco% debido al proceso de
ionizacin de impacto llamado ganancia de avalancha. Cuando a un fotodetector se le
aumenta el volta.e de polarizacin% llega un momento en 4ue la corriente crece por el
fenmeno de avalancha% si en esta regin se controla el fenmeno de avalancha
limitando la corriente #antes de la destruccin del dispositivo$% la sensibilidad del
fotodetector se incrementa.
Cuando se aplican altos volta.es de polarizacin% los portadores de carga libres se
desplazan rpidamente% con mayor energ6a y liberan nuevos portadores secundarios% los
cuales tambin son capaces de producir nuevos portadores. 0ste efecto se llama
multiplicacin por avalancha #M$ 4ue esta dada por:
2onde:
%
T
: fotocorriente total
%
P
: fotocorriente primaria
$ : Kolta.e de polarizacin aplicado
$
B
: Kolta.e de ruptura del dispositivo
n : coeficiente